CN108315721A - 成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法。该成膜机台在载台(3)下方设置用于带动所述载台(3)进行转动的旋转机构(M)，当基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)发生偏转后，通过控制所述旋转机构(M)带动所述载台(3)及掩模板(5)做旋转调整即可便捷快速地调整基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)的位置，使得基板(9)相对于载台(3)及掩模板(5)无偏转，调整的过程无需升降温及打开真空腔室(1)，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。

Description

成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法

技术领域

本发明涉及显示器制作技术领域，尤其涉及一种成膜机台及成膜制程调整基板偏转量的方法。

背景技术

在液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)的制作过程中，需要多次进行成膜制程，即在基板上沉积出特定材料的薄膜。

在LCD显示面板及OLED显示面板的实际生产过程中常采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)工艺来实施成膜制程。PECVD工艺是将反应气体导入反应器中，在热能、电能或光能的作用下发生解离而变成活性极强的离子或离子团，离子或离子团通过扩散方式到达基板表面发生化学反应生成固态产物并沉积在基板表面形成薄膜，在该过程中，成膜用的真空腔室内会产生活性较强的等离子体(Plasma)来促进化学反应、辅助成膜。

PECVD成膜制程在成膜机台内进行。请同时参阅图1与图2，现有的成膜机台包括真空腔室100、设于所述真空腔室100内的载台(又称下电极板)300、设于所述真空腔室100内并位于所述载台300上方的掩模板500、设于所述真空腔室100内并位于所述掩模板500上方的上电极板700、数个沿上下方向贯穿所述载台300的支撑杆400以及机械手臂600。其中，所述载台300仅能做升降运动，所述支撑杆400仅能做升降运动，所述机械手臂600能够进出真空腔室100并沿前后方向与左右方向运动，所述掩模板500架在固定于所述真空腔室100的腔壁上的支撑件800上。

如图1所示，要在所述真空腔室100内放置待沉积薄膜的基板900(业内称为放片)时，所述支撑杆400升起至高于载台300上表面的位置，所述机械手臂600抓取基板900并将基板900送入真空腔室100、放置在支撑杆400上(支撑杆400与机械手臂600无干涉)，然后机械手臂600收回，所述载台300开始上升托起基板900后继续上升，最后如图2所示，所述载台300带动着基板900托起掩模板500后停止上升，所述载台300、基板900与掩模板500紧密贴合，随即在所述载台300即下电极板与上电极板700的作用下开始成膜。整个过程中，该成膜机台都需要保持高温状态。

结合图2与图3，成膜时，理想的状况是：基板900与载台300及掩模板500紧密贴合且位置对中，掩模板500的内边缘与基板900的四周完全贴合，这样由于所述载台300即下电极板与上电极板700之间有掩模板500与基板900起到绝缘层的作用，能够防止成膜时发生电弧击伤(Arcing)的现象。

但是，实际的情况是，在放片时所述基板900可能会发生位置偏转，如图4所示，所述基板900偏转后与掩模板500的内边缘产生空隙，造成所述载台300即下电极板与上电极板700在所述空隙处无绝缘层隔离，会提升发生电弧击伤的风险，这样会不仅对基板900造成物理损伤，还会对所述载台300即下电极板与上电极板700造成不可逆的损伤，所以在成膜机台复机时必需确保基板900放片无偏转后才能进行生产，如果生产中发生基板900的偏转，成膜机台必须进行降温并对真空腔室100破除真空来调整所述载台300与掩模板500的位置，然后再恢复所述真空腔室100的真空状态以及升温，这个过程中升降温和开腔会耗费大量时间、人力和物力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种成膜机台，能够便捷快速地调整基板相对于载台及掩模板的位置，使得基板相对于载台及掩模板无偏转，节省时间、人力与物力，提高生产效率。

本发明的另一目的在于提供一种成膜制程调整基板偏转量的方法，能够便捷快速地调整基板相对于载台及掩模板的位置，使得基板相对于载台及掩模板无偏转，节省时间、人力与物力，提高生产效率。

为实现上述目的，本发明首先提供一种成膜机台，包括真空腔室、设于所述真空腔室内的载台、设于所述真空腔室内并位于所述载台上方的掩模板、固定于所述真空腔室内并位于所述掩模板上方的上电极板、数个沿上下方向贯穿所述载台的支撑杆、用于取放基板的机械手臂以及设于所述载台下方用于带动所述载台进行转动的旋转机构。

所述旋转机构为电机。

所述基板为玻璃基板。

所述真空腔室的腔壁上固定有数个支撑件，所述掩模板架在所述数个支撑件上。

所述载台上表面的形状呈矩形，所述基板的形状呈矩形，所述掩模板的形状呈“回”字形。

本发明还提供一种成膜制程调整基板偏转量的方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供成膜机台及若干基板；

所述成膜机台包括真空腔室、设于所述真空腔室内的载台、设于所述真空腔室内并位于所述载台上方的掩模板、固定于所述真空腔室内并位于所述掩模板上方的上电极板、数个沿上下方向贯穿所述载台的支撑杆、用于取放基板的机械手臂以及设于所述载台下方用于带动所述载台进行转动的旋转机构；

步骤S2、选取一基板作为试制基板，所述成膜机台对所述试制基板试制成膜；

步骤S3、取试制成膜完毕的试制基板进行检测，若发现所述试制基板上所成的膜相对该试制基板发生偏转，则通过测量得出该试制基板相对于所述载台及掩模板的偏转量及偏转位置；

步骤S4、先控制所述载台上升至托起所述掩模板，使得所述掩模板与所述载台贴合，再控制所述旋转机构根据所述试制基板相对于所述载台及掩模板的偏转量及偏转位置带动所述载台及掩模板做旋转调整，旋转调整停止后所述载台带动掩模板下降返回至各自在上下方向上的初始位置；

步骤S5、所述成膜机台对另一基板试制成膜，若经检测确认所述另一基板相对于所述载台及掩模板无偏转则进入正常的成膜制程；若经检测发现所述另一基板相对于所述载台及掩模板仍有偏转则重复步骤S2至步骤S4。

所述成膜机台对所述试制基板试制成膜的具体过程为：所述支撑杆升起至高于载台上表面的位置，所述机械手臂抓取试制基板并将试制基板送入真空腔室、放置在支撑杆上，然后机械手臂收回，所述载台开始上升托起基板后继续上升，直至所述载台带动着基板托起掩模板后停止上升，使得所述载台、基板与掩模板贴合，之后在所述载台与上电极板的作用下透过所述掩模板沉积成膜。

所述旋转机构为电机。

所述真空腔室的腔壁上固定有数个支撑件，所述掩模板在上下方向上的初始位置为架在所述数个支撑件上。

所述基板为玻璃基板；所述载台上表面的形状呈矩形，所述基板的形状呈矩形，所述掩模板的形状呈“回”字形。

本发明的有益效果：本发明提供的一种成膜机台，在载台下方设置用于带动所述载台进行转动的旋转机构，当基板相对于载台及掩模板发生偏转后，通过控制所述旋转机构带动所述载台及掩模板做旋转调整即可便捷快速地调整基板相对于载台及掩模板的位置，使得基板相对于载台及掩模板无偏转，调整的过程无需升降温及打开真空腔室，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。本发明提供的一种成膜制程调整基板偏转量的方法，先试制成膜，通过测量得出试制基板相对于载台及掩模板的偏转量及偏转位置，再控制成膜机台内的旋转机构根据所述试制基板相对于所述载台及掩模板的偏转量及偏转位置带动所述载台及掩模板做旋转调整，直至调整至基板相对于所述载台及掩模板无偏转则进入正常的成膜制程，操作方便快捷，无需升降温及打开真空腔室，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为现有的成膜机台在放片时的剖面示意图；

图2为现有的成膜机台在成膜时的剖面示意图；

图3为现有的成膜机台在理想成膜状态下的俯视示意图；

图4为现有的成膜机台在基板发生位置偏转状态下的俯视示意图；

图5为本发明的成膜机台在放片时的剖面示意图；

图6为本发明的成膜机台在成膜时的剖面示意图；

图7为本发明的成膜机台在基板发生位置偏转状态下的俯视示意图；

图8为本发明的成膜机台做旋转调整时的剖面示意图；

图9为本发明的成膜机台做旋转调整后的载台、基板与掩模板的俯视示意图；

图10为本发明的成膜制程调整基板偏转量的方法的流程图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请同时参阅图5至图9，本发明首先提供一种成膜机台，包括真空腔室1、设于所述真空腔室1内的载台3、设于所述真空腔室1内并位于所述载台3上方的掩模板5、固定于所述真空腔室1内并位于所述掩模板5上方的上电极板7、数个沿上下方向贯穿所述载台3的支撑杆4、用于取放基板9的机械手臂6以及设于所述载台3下方用于带动所述载台3进行转动的旋转机构M。

具体地：

所述载台3同时用作下电极板，对所述载台3即下电极板与所述上电极板7通电即能够启动成膜工艺，如PECVD工艺；所述载台3除了能被所述旋转机构M带动着进行转动外，还能沿上下方向做升降运动。

所述基板9优选为玻璃基板。

所述支撑杆4仅能做升降运动。

所述机械手臂6能够进出真空腔室1并沿前后方向与左右方向运动，

如图7与图9所示，所述载台3上表面的形状呈矩形，所述基板9的形状呈矩形，所述掩模板5的形状呈“回”字形。

结合图5、图6与图8，所述真空腔室1的腔壁上固定有数个支撑件8，所述掩模板5架在所述数个支撑件8上。

所述旋转机构M优选为电机。

结合图5与图6，本发明的成膜机台的工作过程为：

所述支撑杆4升起至高于载台3上表面的位置，所述机械手臂6抓取一基板9并将该基板9送入真空腔室1、放置在支撑杆4上，然后机械手臂6收回，所述载台3开始上升托起基板9后继续上升，直至所述载台3带动着基板9托起掩模板5后停止上升，使得所述载台3、基板9与掩模板5贴合，之后在所述载台3即下电极板与上电极板7的作用下透过所述掩模板5沉积成膜。成膜完成后，所述载台3带动着已经成膜的基板9与掩模板5下降，待所述掩模板5落到所述数个支撑件8上后，所述载台3带动着已经成膜的基板9继续下降至所述载台3在上下方向上的初始位置，接着所述支撑杆4升起至高于载台3上表面的位置撑起所述已经成膜的基板9，最后所述机械手臂6进入所述真空腔室1、抓取所述已经成膜的基板9，将所述已经成膜的基板9移出所述真空腔室1。

对所述已经成膜的基板9要进行检测，若如图7所示，经检测发现该基板9上所成的膜相对该基板9发生了偏转，那么通过测量得出该基板9相对于所述载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置后，如图8与图9所示，先控制所述载台3上升至托起所述掩模板5，使得所述掩模板5与所述载台3贴合，再控制所述旋转机构M根据所述基板9相对于所述载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置带动所述载台3及掩模板5做旋转调整即可便捷快速地调整基板9相对于载台及掩模板的位置，使得后续进行成膜的基板9相对于载台3及掩模板5无偏转，整个调整过程无需升降温及打开真空腔室1，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。

请参阅图10，结合图5至图9，本发明还提供一种成膜制程调整基板偏转量的方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供上述如图5与图6所示的成膜机台及若干基板9。

此处不再对所述成膜机台的结构进行重复描述。

步骤S2、选取一基板9作为试制基板，所述成膜机台对所述试制基板试制成膜。

具体地，该步骤S2的具体过程为：所述支撑杆4升起至高于载台3上表面的位置，所述机械手臂6抓取试制基板并将试制基板送入真空腔室1、放置在支撑杆4上，然后机械手臂6收回，所述载台3开始上升托起试制基板后继续上升，直至所述载台3带动着试制基板托起掩模板5后停止上升，使得所述载台3、试制基板与掩模板5贴合，之后在所述载台3即下电极板与上电极板7的作用下透过所述掩模板5沉积成膜。

试制成膜完毕后，所述载台3带动着试制基板与掩模板5下降，待所述掩模板5落到所述数个支撑件8上后，所述载台3带动着试制基板继续下降至所述载台3在上下方向上的初始位置，接着所述支撑杆4升起至高于载台3上表面的位置撑起所述试制基板，最后所述机械手臂6进入所述真空腔室1、抓取试制基板，将所述试制基板移出所述真空腔室1。

步骤S3、请参照图7，取试制成膜完毕的试制基板进行检测，若发现所述试制基板上所成的膜相对该试制基板发生偏转，则通过测量得出该试制基板相对于所述载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置。

步骤S4、请参照图8，先控制所述载台3上升至托起所述掩模板5，使得所述掩模板5与所述载台3贴合，再控制所述旋转机构M根据所述试制基板相对于所述载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置带动所述载台3及掩模板5做旋转调整，旋转调整停止后所述载台3带动掩模板5下降返回至各自在上下方向上的初始位置。

步骤S5、请参照图9，所述成膜机台对另一基板9试制成膜，若经检测确认所述另一基板9相对于所述载台3及掩模板5无偏转则进入正常的成膜制程；若经检测发现所述另一基板9相对于所述载台3及掩模板5仍有偏转则重复步骤S2至步骤S4。

本发明的成膜制程调整基板偏转量的方法，先试制成膜，通过测量得出试制基板相对于载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置，再控制成膜机台内的旋转机构M根据所述试制基板相对于所述载台3及掩模板5的偏转量及偏转位置带动所述载台3及掩模板5做旋转调整，直至调整至基板9相对于所述载台3及掩模板5无偏转则进入正常的成膜制程，操作方便快捷，无需升降温及打开真空腔室，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。

综上所述，本发明成膜机台，在载台下方设置用于带动所述载台进行转动的旋转机构，当基板相对于载台及掩模板发生偏转后，通过控制所述旋转机构带动所述载台及掩模板做旋转调整即可便捷快速地调整基板相对于载台及掩模板的位置，使得基板相对于载台及掩模板无偏转，调整的过程无需升降温及打开真空腔室，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。本发明的成膜制程调整基板偏转量的方法，先试制成膜，通过测量得出试制基板相对于载台及掩模板的偏转量及偏转位置，再控制成膜机台内的旋转机构根据所述试制基板相对于所述载台及掩模板的偏转量及偏转位置带动所述载台及掩模板做旋转调整，直至调整至基板相对于所述载台及掩模板无偏转则进入正常的成膜制程，操作方便快捷，无需升降温及打开真空腔室，能够节省时间、人力与物力，提高生产效率。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种成膜机台，其特征在于，包括真空腔室(1)、设于所述真空腔室(1)内的载台(3)、设于所述真空腔室(1)内并位于所述载台(3)上方的掩模板(5)、固定于所述真空腔室(1)内并位于所述掩模板(5)上方的上电极板(7)、数个沿上下方向贯穿所述载台(3)的支撑杆(4)、用于取放基板(9)的机械手臂(6)以及设于所述载台(3)下方用于带动所述载台(3)进行转动的旋转机构(M)。

2.如权利要求1所述的成膜机台，其特征在于，所述旋转机构(M)为电机。

3.如权利要求1所述的成膜机台，其特征在于，所述基板(9)为玻璃基板。

4.如权利要求1所述的成膜机台，其特征在于，所述真空腔室(1)的腔壁上固定有数个支撑件(8)，所述掩模板(5)架在所述数个支撑件(8)上。

5.如权利要求1所述的成膜机台，其特征在于，所述载台(3)上表面的形状呈矩形，所述基板(9)的形状呈矩形，所述掩模板(5)的形状呈“回”字形。

6.一种成膜制程调整基板偏转量的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供成膜机台及若干基板(9)；

所述成膜机台包括真空腔室(1)、设于所述真空腔室(1)内的载台(3)、设于所述真空腔室(1)内并位于所述载台(3)上方的掩模板(5)、固定于所述真空腔室(1)内并位于所述掩模板(5)上方的上电极板(7)、数个沿上下方向贯穿所述载台(3)的支撑杆(4)、用于取放基板(9)的机械手臂(6)以及设于所述载台(3)下方用于带动所述载台(3)进行转动的旋转机构(M)；

步骤S2、选取一基板(9)作为试制基板，所述成膜机台对所述试制基板试制成膜；

步骤S3、取试制成膜完毕的试制基板进行检测，若发现所述试制基板上所成的膜相对该试制基板发生偏转，则通过测量得出该试制基板相对于所述载台(3)及掩模板(5)的偏转量及偏转位置；

步骤S4、先控制所述载台(3)上升至托起所述掩模板(5)，使得所述掩模板(5)与所述载台(3)贴合，再控制所述旋转机构(M)根据所述试制基板相对于所述载台(3)及掩模板(5)的偏转量及偏转位置带动所述载台(3)及掩模板(5)做旋转调整，旋转调整停止后所述载台(3)带动掩模板(5)下降返回至各自在上下方向上的初始位置；

步骤S5、所述成膜机台对另一基板(9)试制成膜，若经检测确认所述另一基板(9)相对于所述载台(3)及掩模板(5)无偏转则进入正常的成膜制程；若经检测发现所述另一基板(9)相对于所述载台(3)及掩模板(5)仍有偏转则重复步骤S2至步骤S4。

7.如权利要求6所述的成膜制程调整基板偏转量的方法，其特征在于，所述成膜机台对所述试制基板试制成膜的具体过程为：所述支撑杆(4)升起至高于载台(3)上表面的位置，所述机械手臂(6)抓取试制基板并将试制基板送入真空腔室(1)、放置在支撑杆(4)上，然后机械手臂(6)收回，所述载台(3)开始上升托起基板(9)后继续上升，直至所述载台(3)带动着基板(9)托起掩模板(5)后停止上升，使得所述载台(3)、基板(9)与掩模板(5)贴合，之后在所述载台(3)与上电极板(7)的作用下透过所述掩模板(5)沉积成膜。

8.如权利要求6所述的成膜制程调整基板偏转量的方法，其特征在于，所述旋转机构(M)为电机。

9.如权利要求6所述的成膜制程调整基板偏转量的方法，其特征在于，所述真空腔室(1)的腔壁上固定有数个支撑件(8)，所述掩模板(5)在上下方向上的初始位置为架在所述数个支撑件(8)上。

10.如权利要求6所述的成膜制程调整基板偏转量的方法，其特征在于，所述基板(9)为玻璃基板；所述载台(3)上表面的形状呈矩形，所述基板(9)的形状呈矩形，所述掩模板(5)的形状呈“回”字形。