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Die
Erfindung betrifft eine Schaltung und ein Verfahren zum Treiben
einer Wortleitung eines Speicherbauelements.
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Allgemein
ist es für
tragbare Geräte
wünschenswert,
beispielsweise für
Mobiltelefone usw., klein und dünn
zu sein, um einen relativ hohen Portabilitätsgrad zu erzielen. Entsprechend
kann eine System-auf-Chip-Technik
(SOC-Technik) angewendet werden, um eine Mehrzahl von Elementen
in einem einzigen Chip zu integrieren, beispielsweise eine zentrale
Verarbeitungseinheit (CPU), einen digitalen Signalprozessor (DSP),
Speicher usw., um die Abmessung des tragbaren Gerätes zu reduzieren.
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Ein
in einem SOC eines tragbaren Gerätes eingebetteter
Speicher kann flüchtigen
Speicher, beispielsweise dynamischen Speicher mit direktem Zugriff
(DRAM) und statischen Speicher mit direktem Zugriff (SRAM), oder
nichtflüchtigen
Speicher umfassen, beispielsweise Flashspeicher usw. Ein Flashspeicherbauelement
kann zum Speichern von Daten verwendet werden, beispielsweise für Identifikationscodes,
die zum Codieren und/oder Decodieren für Kommunikationssicherheit
verwendet werden, auch wenn Leistung beispielsweise aufgrund einer
leeren Batterie usw. deaktiviert wird. Ein NOR-Typ-Flashspeicher
wird allgemein für
Hochgeschwindigkeitsbetrieb für
das in einem SOC eingebettete Flashspeicherbauelement verwendet.
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Der
Flashspeicher kann drei Betriebsarten aufweisen. Die drei Betriebsarten
können
einen Löschbetriebsmodus,
einen Programmierbetriebsmodus und einen Lesebetriebsmodus umfassen.
Ein an eine Zelle angelegter Spannungspegel kann entsprechend dem
Betriebsmodus variiert werden. Entsprechend sollte eine an jede
Zelle angelegte Wortleitungsspannung selektiv in Abhängigkeit
von dem Betriebsmodus festgelegt werden.
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1 zeigt
ein Blockdiagramm einer herkömmlichen
Wortleitungstreiberschaltung, die einen Wortleitungstreiber 10 für einen
Lese- und/oder Programmiermodus und einen Wortleitungstreiber 12 für einen
Löschmodus
umfasst. Der Wortleitungstreiber 10 für den Lese- und/oder Programmiermodus
kann eine Lesetreiberspannung VRD oder eine Programmiertreiberspannung
VPGM empfangen und in Reaktion auf ein Wortleitungsfreigabesignal
WL_ENi die Lesetreiberspannung VRD (z. B. ungefähr 2,6 V) oder die Programmiertreiberspannung
VPGM (z. B. ungefähr
1 V) einer Wortleitung WLi über
einen Passiertransistor 14 zur Verfügung stellen. Der Wortleitungstreiber 12 für den Löschmodus
kann eine Löschtreiberspannung
VERS (z. B. ungefähr
3,3 V während
eines Lesemodus und ungefähr
11,5 V in einem Löschmodus)
empfangen und in Reaktion auf das Wortleitungsfreigabesignal WL_ENi
die Löschtreiberspannung
VERS der Wortleitung WLi zur Verfügung stellen. Daher ist ein
Pfad zum Übertragen der
Lesetreiberspannung VRD und der Programmiertreiberspannung VPGM
durch die Verwendung des Passier transistors 14 von einem
Pfad zum Übertragen
der Löschtreiberspannung
VERS getrennt. Entsprechend kann während des Löschvorgangs ein Durchbruch
eines anderen Transistors als eines Transistors für hohe Spannung
verhindert werden.
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Ein
Steuerspannungssignal RDDRV (z. B. ungefähr 6 V) kann an einen Gateanschluss
des Passiertransistors 14 angelegt werden, um den Passiertransistor 14 während des
Lese- und/oder Programmiermodus zu aktivieren. Das Steuerspannungssignal
RDDRV kann durch eine interne Pumpschaltung mit einem Versorgungsspannungspegel
erzeugt werden. Um unter Verwendung eines herkömmlichen Bauteils einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb
auszuführen,
kann die interne Pumpschaltung während
eines Bereitschaftsmodus („Stand-by-Modus”) arbeiten,
bevor die Leistung angeschaltet wird, so dass der Spannungspegel
des Steuerspannungssignals RDDRV erhöht und auf einem Betriebsspannungspegel
gehalten werden kann. Wenn die interne Pumpschaltung während des
Bereitschaftsmodus bei Eingabe eines Lesebefehls betrieben wird,
kann der Passiertransistor 14 im Wesentlichen sofort aktiviert werden,
um die Wortleitung mit einer höheren
Geschwindigkeit zu treiben.
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Bei
dem oben beschriebenen Wortleitungstreiberverfahren kann jedoch
der Energieverbrauch aufgrund des Betriebs der internen Pumpschaltung während des
Bereitschaftsmodus erhöht
sein.
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Ein
herkömmlicher
Ansatz, den Energieverbrauch während
des Bereitschaftsmodus zu reduzieren, besteht darin, den Wortleitungstreiber
für den Lese-
und/oder Programmiermodus vom Wortleitungstreiber für den Löschmodus
zu isolieren, anstatt das Steuerspannungssignal RDDRV zu erzeugen. Entsprechend
diesem herkömmlichen
Verfahren kann jedoch die Abmessung des Wortleitungsdecoders erhöht sein.
Daher ist dieses herkömmliche
Verfahren als solches eventuell nicht für ein SOC geeignet.
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Einanderer
herkömmlicher
Ansatz besteht darin, das Steuerspannungssignal RDDRV durch ein Verfahren
der Selbstverstärkung
(„selfboosting”) zu erzeugen.
Während
des Selbstverstärkungsverfahrens
kann das Steuerspannungssignal RDDRV schnell ohne die Verwendung
der internen Pumpschaltung erzeugt werden, so dass der Energieverbrauch
während
des Bereitschaftsmodus nicht erhöht
wird. Wenn jedoch beispielsweise der Lesevorgang ausgeführt wird,
während
eine Spaltenadresse ohne eine Änderung
einer Zeilenadresse geändert wird,
kann die Gatespannung des Passiertransistors für eine lange Zeitperiode in
einem floatenden Zustand gehalten werden. Eine Knotenspannung kann jedoch
instabil werden, wodurch eine Fehlfunktion in einem herkömmlichen
Bauelement verursacht werden kann, das diesen Umständen ausgesetzt
ist. Die Knotenspannung kann aufgrund von Leckstrom, Rauschen usw.
instabil werden.
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Die
Patentschrift
US 6.370.063
B2 offenbart eine Wortleitungstreiberschaltung, die für die jeweilige
Wortleitung eine Pegelschieberschaltung und einen Schalt-/Passiertransistor
beinhaltet. Der Passiertransistor wird durch ein von einer Speichersteuereinheit
geliefertes Programmier- /Löschsignal
angesteuert und leitet während
eines Datenlesemodus ein zugeführtes
Wortleitungsauswahlsignal als eine Lesevorspannung direkt an die
betreffende Wortleitung weiter. Hingegen sperrt dieser Transistor
im Programmier-/Löschmodus,
und die betreffende Wortleitung wird in Reaktion auf das Wortleitungsauswahlsignal
von einer angehobenen (Boost-)Spannung beaufschlagt, die von der
Pegelschieberschaltung geliefert wird. Andererseits wird eine Verbindung
von einem Leistungs- und
einem Massespannungsanschluss der Pegelschieberschaltung zur Wortleitung während des
Datenlesemodus gesperrt gehalten.
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Der
Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer
Schaltung und eines Verfahrens zum Treiben einer Wortleitung eines
Speicherbauelements zugrunde, die in der Lage sind, die oben erwähnten Unzulänglichkeiten
des Standes der Technik zu reduzieren oder im Wesentlichen zu verhindern,
und insbesondere ein Treiben einer Wortleitung eines Speicherbauelements
mit hoher Betriebsgeschwindigkeit ermöglichen, während der Energieverbrauch
in einem Bereitschaftsmodus reduziert wird.
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Die
Erfindung löst
dieses Problem durch die Bereitstellung einer Schaltung mit den
Merkmalen des Patentanspruchs 1 und eines Verfahrens mit den Merkmalen
des Patentanspruchs 18.
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Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
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Erfindungsgemäß kann ein
Bereich des Speicherbauelements durch Adaptieren eines Selbstverstärkungs-
und Pumphybridtyps reduziert werden. Ein Passiertransistor kann
beispielsweise durch Selbstverstärken
in einer Anfangsstufe eines Lesebetriebsmodus getrieben werden,
und kann dann durch ein gepumptes Steuerspannungssignal stabil getrieben
werden.
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Vorteilhafte,
nachfolgend beschriebene Ausführungsformen
der Erfindung sowie das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte,
herkömmliche
Ausführungsbeispiel
sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigen:
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1 ein
Blockdiagramm einer herkömmlichen
Wortleitungstreiberschaltung,
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2 ein
Blockdiagramm eines Wortleitungsdecoders eines Flashspeichers gemäß der Erfindung,
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3 ein
Blockdiagramm einer Wortleitungstreiberschaltung, die für eine Verwendung
im Decoder von 2 geeignet ist, gemäß der Erfindung,
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4 ein
Schaltbild einer Gatetreiberschaltung, die für eine Verwendung in der Schaltung
von 3 geeignet ist,
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5 ein
Blockdiagramm eines anderen Wortleitungstreibers, der für eine Verwendung
im Decoder von 2 geeignet ist, gemäß der Erfindung,
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6 ein
Blockdiagramm eines Passiertransistors, der für eine Verwendung im Wortleitungstreiber
von 5 geeignet ist, und
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7 ein
Schaltbild einer Gatetreiberschaltung, die für eine Verwendung im Wortleitungstreiber von 5 geeignet
ist.
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Nachfolgend
werden erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele
im Detail unter Bezugnahme auf die korrespondierenden 2 bis 7 beschrieben,
in denen gleiche Elemente durch gleiche Bezugszeichen repräsentiert
werden.
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Es
versteht sich, dass, wenn in der Beschreibung angegeben wird, dass
ein Element mit einem anderen Element „verbunden” oder „gekoppelt” ist, das Element direkt mit
dem anderen Element oder über
ein oder eine Mehrzahl von Zwischenelementen mit dem anderen Element
verbunden oder gekoppelt sein kann. Im Gegensatz dazu sind, wenn
ein Element mit einem anderen Element als „direkt verbunden” bzw. „direkt
gekoppelt” bezeichnet
wird, keine Zwischenelemente vorhanden. Andere Begriffe, die zur
Beschreibung des Verhältnisses
zwischen Elementen verwendet werden, sind auf analoge Art zu interpretieren
(z. B. „zwischen” gegenüber „direkt zwischen”, „benachbart” gegenüber „direkt
benachbart” usw.).
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2 zeigt
ein Blockdiagramm eines Ausführungsbeispiels
eines Wortleitungsdecoders für
einen Flashspeicher gemäß der Erfindung,
der in einem SOC eingebettet sein kann und eine Versorgungsspannung
VCCH aufweisen kann, die von einer Lesetreiberspannung VRD verschieden
ist. Die Versorgungsspannung VCCH (beispielsweise ungefähr 3,3 V)
sein kann z. B. höher
als die Lesetreiberspannung VRD (z. B. ungefähr 2,6 V) sein.
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Der
Wortleitungsdecoder kann 2N Wortleitungstreiber
WLDO bis WLD2N–1 zum Treiben von 2N Wortleitungen umfassen. Das bedeutet, dass
der Wortleitungsdecoder eine N-Bit-Zeilenadresse decodiert und einen
der 2N Wortleitungstreiber aktiviert, um
eine korrespondierende Wortleitung zu treiben.
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3 zeigt
eine Wortleitungstreiberschaltung, die in einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel
für eine
Verwendung in dem Decoder von 2 geeignet
ist. Wie aus 3 ersichtlich ist, umfasst diese
Wortleitungstreiberschaltung einen Wortleitungstreiber 20 für einen
Lese- und/oder Programmiermodus,
einen Wortleitungstreiber 22 für einen Löschmodus, einen Passiertransistor 24 und
eine Gatetreiberschaltung 26.
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Der
Wortleitungstreiber 20 für den Lese- und/oder Programmiermodus
empfängt
eine Lesetreiberspannung VRD oder eine Programmiertreiberspannung
VPGM und stellt in Reaktion auf ein Wortleitungsfreigabesignal WL_ENi
die Lesetreiberspannung VRD (z. B. ungefähr 2,6 V) oder die Programmiertreiberspannung
VPGM (z. B. ungefähr
1 V) einer Wortleitung WLi über
einen Passiertransistor zur Verfügung.
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Der
Wortleitungstreiber 22 für den Löschmodus empfängt eine
Löschtreiberspannung
VERS (z. B. ungefähr
11,5 V) und stellt die Löschtreiberspannung
VERS während
des Löschbetriebsmodus
in Reaktion auf das Wortleitungsfreigabesignal WL_ENi der Wortleitung
WLi zur Verfügung.
Die Löschtreiberspannung
VERS kann während
des Lesebetriebsmodus einen Spannungspegel von ungefähr 3,3 V
halten.
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Der
Passiertransistor 24, der mit einer relativ hohen Spannung
betreibbar ist, kann während
des Löschbetriebsmodus
deaktiviert sein und während des
Lese- und/oder Programmiermodus aktiviert sein.
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Die
Gatetreiberschaltung 26 empfängt die Löschtreiberspannung VERS und
das Lesesteuerspannungssignal RDDRV, um eine Gatetrei berspannung
GDRV zu erzeugen. Die Gatetreiberspannung GDRV wird einem Gateanschluss
des Passiertransistors 24 zur Verfügung gestellt.
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4 zeigt
eine Realisierung der Gatetreiberschaltung 26 gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
Erfindung. Unter Bezugnahme auf 4 umfasst die
Gatetreiberschaltung 26 einen Vorladetransistor NT und
eine Diode DT. Der Vorladetransistor NT kann eine native Transistorstruktur
mit einer Schwellwertspannung von ungefähr 0 V aufweisen. Der Vorladetransistor
NT stellt in Reaktion auf die Löschtreiberspannung
VERS eine Versorgungsspannung VCCH einem Gateanschluss des Passiertransistors 24 zur
Verfügung.
Dadurch kann der Gateanschluss des Passiertransistors 24 auf
die Versorgungsspannung VCCH vorgeladen werden. Die Diode DT kann elektrisch
mit dem Lesesteuerspannungssignal RDDRV verbunden sein, das durch
eine interne Pumpschaltung (nicht dargestellt) dem Gateanschluss
des Passiertransistors 24 zur Verfügung gestellt wird. Die Diode
DT kann als ein als diodenverschalteter Transistor implementiert
sein, der bei einer relativ hohen Spannung betrieben wird, wobei
ein Gate und eine Drain gemeinsam gekoppelt sein können.
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Entsprechend
einem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel
kann, wenn das Wortleitungsfreigabesignal WL_ENi unter den Umständen aktiviert
wird, in denen der Gateanschluss des Passiertransistors 24 auf
den Spannungspegel von VCCH (z. B. ungefähr 3,3 V) vorgeladen ist, der
Spannungspegel einer Ausgabe des Wortleitungstreibers 20 auf ungefähr 2,6 V
erhöht
werden. Entsprechend kann der Gateanschluss des Passiertransistors 24 von
ungefähr
3,3 V durch eine parasitäre
Kopplung zwischen dem Gate- und dem Drainanschluss des Passiertransistors
auf ungefähr
5,8 V selbstverstärkt werden,
so dass der Passiertransistor 24 aktiviert werden kann.
Dadurch kann das Lesespannungstreibersignal oder das Lesespannungssignal
(von z. B. ungefähr
2,6 V) über
den Passiertransistor 24 an die Wortleitung WLi angelegt
werden. Zusätzlich kann ein
Speichersystemmodus von einem Bereitschaftsmodus in einen Betriebsmodus
geändert
werden, (z. B. in den Lesebetriebsmodus), und die interne Pumpschaltung
kann mit dem Betrieb beginnen. Als Konsequenz wird das Lesesteuerspannungssignal
RDDRV nach einer Verzögerung
von beispielsweise Hunderten von Nanosekunden, die mit einer Verzögerungszeit
korrespondieren, die mit der internen Pumpschaltung assoziiert ist,
stabil an den Gateanschluss des Passiertransistors 24 angelegt.
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Erfindungsgemäß kann,
wenn ein Lesebefehl während
eines Bereitschaftsmodus empfangen wird, der Passiertransistor 24 durch
Selbstverstärkung
schnell aktiviert werden, um die Lesetreiberspannung VRD zu übertragen,
wodurch die Wortleitung getrieben wird. Zusätzlich kann die interne Pumpschaltung
während
des Betriebsmodus betrieben werden, um dem Gateanschluss des Passiertransistors 24 das
Lesesteuerspannungssignal RDDRV zur Verfügung zu stellen, so dass der
Passiertransistor stabil arbeitet.
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Die
Löschtreiberspannung
VERS kann einen Spannungspegel von ungefähr 11,5 V aufweisen, um den
Vorladetransistor NT stark zu treiben, so dass die Gatespannung
des Passiertransistors 24 auf ungefähr 3,3 V gehalten werden kann.
Dadurch kann die Wahrscheinlichkeit reduziert werden, dass die an
die Wortleitung angelegte Löschtreiberspannung
VERS, die einen Spannungspegel von ungefähr 11,5 V aufweist, in den
Bereich eines Niedrigspannungstransistors übertragen wird.
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Erfindungsgemäß können der
Vorladetransistor NT und der Diodentransistor DT im Wesentlichen
gleichzeitig mit dem Gateanschluss des Passiertransistors 24 gekoppelt
werden. Zusätzlich
kann der an den Gateanschluss des Passiertransistors 24 angelegte
Spannungspegel reduziert werden, weil die Schwellwertspannung des
Diodentransistors DT aufgrund eines Body-Effekts erhöht sein
kann. Entsprechend kann der Spannungspegel des Lesesteuerspannungssignals
RDDRV gepumpt werden, um einen gemeinsamen Spannungspegel (z. B.
ungefähr
6 V) zu übersteigen,
so dass eine Spannung von ungefähr
6 V an den Gateanschluss des Passiertransistors 24 angelegt
werden kann.
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5 zeigt
eine Wortleitungstreiberschaltung, die für eine Verwendung im Decoder
von 2 geeignet ist, entsprechend einem anderen erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel, 6 zeigt
einen Passiertransistor, der erfindungsgemäß für eine Verwendung in der Schaltung
von 5 geeignet ist, und 7 zeigt
eine Gatetreiberschaltung, die erfindungsgemäß für eine Verwendung in der Schaltung von 5 geeignet
ist. Gleiche Bezugszeichen benennen gleiche oder ähnliche
Elemente wie diejenigen in den 3 und 4,
so dass zur Verkürzung auf
eine wiederholende Beschreibung dieser gleichen Elemente verzichtet
wird.
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Die
Wortleitungstreiberschaltung gemäß 5 umfasst
einen Wortleitungstreiber 20 für einen Lese- und/oder Programmiermodus,
einen Wortleitungstreiber 22 für einen Löschmodus, einen Passiertransistor 34 und
eine Gatetreiberschaltung 36.
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Wie
aus 6 ersichtlich ist, umfasst der Passiertransistor 34 in
diesem Ausführungsbeispiel zwei
Transistoren. Ein Gateanschluss eines ersten Passiertransistors
PT1 ist mit der Gatetreiberschaltung 36 gekoppelt. Das
Lesesteuerspannungssignal RDDRV wird an einen Gateanschluss eines
zweiten Passiertransistors PT2 angelegt.
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Wie
aus 7 ersichtlich ist, umfasst die Gatetreiberschaltung 36 in
diesem Ausführungsbeispiel
einen nativen Transistor NT, der die Löschtreiberspannung VERS an
seinem Gateanschluss empfängt,
um eine Versorgungsspannung VCCH am Gateanschluss des ersten Passiertransistors
PT1 bereitzustellen.
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Erfindungsgemäß kann eine
Abmessung des zweiten Passiertransistors PT2 von einer Abmessung
des ersten Passiertransistors PT1 verschieden sein. Die Abmessung
des zweiten Passiertransistors PT2 kann z. B. verkleinert sein,
um den Energieverbrauch zu reduzieren.
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Entsprechend
einem Ausführungsbeispiel kann,
wenn das Wortleitungsfreigabesignal WL_ENi aktiviert wird, während der
Gateknoten des ersten Passiertransistors PT1 auf einen Spannungspegel der
Versorgungsspannung VCCH (z. B. ungefähr 3,3 V) vorgeladen wird,
der Ausgabepegel des Wortleitungstreibers 20 auf einen
Spannungspegel von ungefähr
2,6 V erhöht
werden. Entsprechend kann der Gateanschluss des ersten Passiertransistors
PT1 von ungefähr
3,3 V auf ungefähr
5,8 V durch eine parasitäre
Kopplung zwischen dem Gate- und dem Drainanschluss des ersten Passiertransistors
PT1 selbstverstärkt
werden, so dass der erste Passiertransistor PT1 aktiviert werden
kann.
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Dadurch
kann das Lesespannungssignal (z. B. ungefähr 2,6 V) über den aktivierten ersten
Passiertransistor PT1 an eine Wortleitung WLi angelegt werden. Zusätzlich kann
ein Speichersystemmodus von einem Bereitschaftsmodus in einen Betriebsmodus
geändert
werden und eine interne Pumpschaltung kann mit dem Betrieb beginnen.
Als Konsequenz kann das Lesesteuerspannungssignal RDDRV über die
interne Pumpschaltung an den Gateanschluss des zweiten Passiertransistors
PT2 angelegt werden, und der zweite Passiertransistor PT2 kann unter
einer Bedingung aktiviert werden, in der ein Spannungspegel des
Lesesteuerspannungssignals RDDRV beispielsweise nach einer Verzögerung von Hunderten
von Nanosekunden auf einen Betriebspegel von ungefähr 6 V erhöht wird.
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Da
die Wortleitung durch die Verwendung des ersten Passiertransistors
PT1 und des zweiten Passiertransistors PT2 getrieben werden kann,
kann die Wortleitungstreiberspannung erfindungsgemäß über den
zwei ten Passiertransistor PT2 stabil angelegt werden, auch wenn
die Gatespannung des ersten Passiertransistors PT1 für einen
relativ langen Zeitraum in einem floatenden Zustand gehalten wird, was
in herkömmlichen
Bauelementen dazu führen kann,
dass die Treiberspannung durch einen Leckstrom oder Rauschen beeinflusst
wird.
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Der
zweite Passiertransistor PT2 kann verwendet werden, um die Wortleitungsspannung
erfindungsgemäß auf einem
konstanten Spannungspegel zu halten, so dass der zweite Transistor
PT2 eine kleinere Abmessung aufweisen kann. Entsprechend kann der
Energieverbrauch der internen Pumpschaltung reduziert werden. Zusätzlich kann
die Effizienz der Selbstverstärkung
erhöht
werden, wenn der Gateanschluss des selbstverstärkenden ersten Passiertransistors
PT1 erfindungsgemäß mit einem
einzelnen nativen Transistor NT gekoppelt ist.
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Dadurch
kann erfindungsgemäß, wenn
ein Lesebefehl während
eines Bereitschaftsmodus empfangen wird, der Passiertransistor durch
die Selbstverstärkung
schnell aktiviert werden, um die Lesetreiberspannung zur Wortleitung
zu übertragen.
Zusätzlich
kann die interne Pumpschaltung während
des nachfolgenden Betriebsmodus (z. B. einem Lesebetriebsmodus)
betrieben werden, um beispielsweise dem Gateanschluss des Passiertransistors 34 das Lesesteuerspannungssignal
RDDRV zur Verfügung zu
stellen, so dass der Passiertransistor 34 während des
Lesemodus stabil arbeiten kann.
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Wie
oben beschrieben ist, wird die Wortleitungstreiberspannung der Wortleitung
gemäß exemplarischen
Ausführungsbeispielen
der Erfindung durch Verwendung des Selbstverstärkungsverfahrens zur Verfügung gestellt,
wenn der Lesebefehl während
eines Bereitschaftsmodus empfangen wird, und während des Betriebsmodus wird
die Wortleitungstreiberspannung der Wortleitung durch den Betrieb
der internen Pumpschaltung zur Verfügung gestellt. Dadurch kann
der Energieverbrauch während des
Bereitschaftsmodus reduziert und eine stabile Übertragung der Treiberspannung
zur Wortleitung trotzdem gewährleistet
werden. Zusätzlich
kann eine Chipfläche
des Speicherbauelements durch die Verwendung eines Hybridverfahrens
des Selbstverstärkens
und Pumpens reduziert werden, wie oben in Bezug auf erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele
beschrieben.