DE10318814B4 - Speicherbauelement und dessen Verwendung - Google Patents

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Abstract

Speicherbauelement mit
– einer Mehrzahl von internen Schaltkreisen, die mit einer ersten und einer zweiten internen Spannung (VINT, VPP) betreibbar sind, wobei die erste interne Spannung (VINT) niedriger ist als die zweite interne Spannung (VPP), und
– einem ersten Versorgungsanschluss zum Empfangen einer ersten Versorgungsspannung (VCC1),
gekennzeichnet durch
– einen zweiten Versorgungsanschluss zum Empfangen einer zweiten Versorgungsspannung (VCC2), wobei die erste Versorgungsspannung (VCC1) niedriger ist als die zweite Versorgungsspannung (VCC2), und
– einen internen Spannungsgenerator (510, 610), der selektiv in einem ersten Modus, in dem die zweite interne Spannung (VPP) aus der ersten Versorgungsspannung (VCC1) erzeugbar ist, oder in einem zweiten Modus betreibbar ist, in dem die zweite interne Spannung (VPP) aus der zweiten Versorgungsspannung (VCC2) erzeugbar ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Speicherbauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und dessen Verrwendung meinem.
  • Gegenwärtig sind die meisten Speichersysteme so ausgeführt, dass sie eine externe Versorgungsspannung empfangen und die externe Versorgungsspannung in eine interne Versorgungsspannung konvertieren. Die interne Versorgungsspannung, die höher oder niedriger als die externe Versorgungsspannung sein kann, wird als Betriebsspannung für interne Schaltkreise des Speichersystems benutzt.
  • 1 zeigt ein Blockschaltbild von wesentlichen Komponenten eines herkömmlichen dynamischen Speichersystems mit direktem Zugriff (DRAM-System). Wie aus 1 ersichtlich ist, umfasst das DRAM-System 100 ein DRAM-Bauelement 130, einen Spannungsregler 110, an den eine externe Versorgungsspannung VEXT angelegt ist, und eine Speichersteuerschaltung 120. Der Spannungsregler 110 konvertiert die externe Versorgungsspannung VEXT in eine Versorgungsspannung VCC, die kleiner als die externe Versorgungsspannung VEXT ist. Die externe Versorgungsspannung VEXT kann beispielsweise 5,0V sein und die Versorgungsspannung VCC kann 3,3V sein. Die geregelte Versorgungsspannung VCC versorgt als Betriebsspannung die Steuerschaltung 120 und das DRAM-Bauelement 130. Die niedrigere Versorgungsspannung VCC wird hauptsächlich aus Gründen der Reduzierung des Energieverbrauchs verwendet.
  • In einigen Fällen, beispielsweise um einen Spannungsabfall zu kompensieren, der von einer Transistor-Schwellwertspannung hervorgerufen wird, kann es notwendig sein, für das DRAM-Bauelement 130 intern eine interne Versorgungsspannung VPP zu erzeugen, die größer ist als die Versorgungsspannung VCC. Die interne Versorgungsspannung VPP kann in mehreren DRAM-Schaltungskomponenten verwendet werden, insbesondere in solchen, die aus NMOS-Transistoren aufgebaut sind, wie beispielsweise eine Wortleitungstreiberschaltung, eine Bitleitungsisolierungsschaltung in einer geteilten Abtastverstärkerschaltungsstruktur und/oder ein Datenausgabepuffer. Insbesondere kann die Wortleitungstreiberschaltung die Versorgungsspannung VPP an eine Wortleitung anlegen, um ein Lesen bzw. Schreiben von Daten aus bzw. in eine DRAM-Speicherzelle während eines Lese- bzw. Schreibvorgangs zu ermöglichen, ohne dass ein Schwellwertspannungsabfall eines Übertragungstransistors der Speicherzelle hervorgerufen wird. Die Bitleitungsisolierungsschaltung kann mit der Versorgungsspannung VPP versorgt werden, um eine Datenübertragung zwischen einer Bitleitung und einer Datenleitung mit einem vollständigen hohen Pegel durchzuführen. Der Ausgangspuffer kann mit der Versorgungsspannung VPP versorgt werden, um einen hohen Ausgabespannungspegel ausreichend zu treiben.
  • Die Patentschrift US 6.320.457 beschreibt Schaltungen mit elektrischen Ladungspumpen zum Erzeugen der internen Versorgungsspannung VPP. Wie allgemein bekannt ist, sind Ladungspumpenschaltungen jedoch meist ineffizient und haben einen hohen Stromverbrauch. Außerdem erhöht sich bei der Verwendung einer Ladungspumpe der Pumpstrom mit einer Erhöhung der Zielspannung VPP, während die Ladungspumpeneffizienz mit ansteigender Zielspannung VPP abnimmt. Der Stromverbrauch der Ladungspumpe ist oft ein kritischer Faktor im Gesamtleistungsverhalten eines Speicherbauelements, und es ist notwendig, eine passende Ladungspumpe mit geeigneter Charakteristik für ein jeweiliges Speicherbauelement einzusetzen.
    •
  • Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Speicherbauelement anzugeben, welche die oben genannten Schwierigkeiten herkömmlicher Speicherbauelemente ganz oder teilweise vermeidet, sowie ein zugehöriges Speichersystem anzugeben.
  • Die Erfindung löst diese Aufgabe durch ein Speicherbauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 bzw. durch die Verwendung gemäß dem Patentanspruch 15 oder 16.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte, herkömmliche Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt. Es zeigen:
  • 1 ein Blockschaltbild eines herkömmlichen Speichersystems;
  • 2 ein Blockschaltbild eines erfindungsgemäßen Speichersystems;
  • 3 ein Blockschaltbild eines weiteren erfindungsgemäßen Speichersystems;
  • 4 ein Blockschaltbild eines ersten erfindungsgemäßen Speicherbauelements;
  • 5 ein Blockschaltbild eines zweiten erfindungsgemäßen Speicherbauelements; und
  • 6 ein Blockschaltbild eines dritten erfindungsgemäßen Speicherbauelements.
    •
  • Nachfolgend werden einige Ausführungsbeispiele der Erfindung im Detail beschrieben. Alle Ausführungsbeispiele betreffen ein Speicherbauelement, das so ausgeführt ist, dass es zwei Versorgungsspannungen empfängt, oder ein Speichersystem, das ein solches Speicherbauelement umfasst. Die beiden Versorgungsspannungen sind nachfolgend beispielhaft als eine erste Spannung VCC1 und eine zweite Spannung VCC2 bezeichnet, wobei die Spannung VCC2 höher ist als die Spannung VCC1. Die Spannungen VCC1 und VCC2 können selektiv ausgewählt werden, um die interne Versorgungsspannung VPP zu erzeugen.
  • Ein in 2 dargestelltes Speichersystem 200 umfasst einen Spannungsregler 210, eine Steuerschaltung 220 und ein Speicherbauelement 230. Der Spannungsregler 210 empfängt eine externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die erste Spannung VCC1 aus, wobei die externe Versorgungsspannung VEXT größer als die erste Spannung VCC1 ist. Die erste Spannung VCC1 wird als eine Betriebsspannung an die Steuerschaltung 220 angelegt, die ein Steuersignal CNTL an das Speicherbauelement 230 ausgibt.
  • Das Speicherbauelement 230 ist so ausgeführt, dass es die externe Versorgungsspannung VEXT und die erste Spannung VCC1 empfängt. Im dargestellten Ausführungsbeispiel entspricht die externe Versorgungsspannung VEXT der zweiten Spannung VCC2. Das Speicherbauelement 230 ist aus einer Mehrzahl von internen Schaltkreisen aufgebaut, die mit einer ersten und einer zweiten internen Spannung VINT bzw. VPP betrieben werden, wobei die erste interne Spannung VINT kleiner ist als die zweite interne Spannung VPP. So hat beispielsweise die erste Spannung VCC1 einen Wert von 3,3V, die zweite Spannung VCC2 einen Wert von 5,0V, die erste interne Spannung VINT einen Wert von 2,4V und die zweite interne Spannung VPP einen Wert von 4,5V.
  • Da die zweite Spannung VCC2 höher ist als die erste Spannung VCC1, wird weniger Leistung verbraucht, wenn die zweite interne Spannung VPP aus der zweiten Spannung VCC2 erzeugt wird. Entsprechend kann das Speicherbauelement 230 selektiv in einem normalen Leistungsmodus, in dem die zweite interne Spannung VPP aus der ersten Spannung VCC1 erzeugt wird, oder in einem Leistungssparmodus betrieben werden, in dem die zweite interne Spannung VPP aus der zweiten Spannung VCC2 erzeugt wird.
  • Generell ist die Auswahl des normalen Leistungsmodus oder des Leistungssparmodus davon abhängig, ob die externe Spannung VEXT direkt mit dem Anschluss des Speicherbauelements für die zweite Spannung VCC2 verbunden ist. Das bedeutet, dass, während das Speicherbauelement 230 einen Anschluss für die zweite Spannung VCC2 haben kann, der Fall auftreten kann, dass das Speichersystem 200 bzw. das Speichermodul, in welches das Speicherbauelement 230 eingesteckt ist, nicht von einem Typ ist, der eine solche externe Spannung VEXT zur Verfügung stellt. Deshalb ist das Speicherbauelement 230 so ausgeführt, dass es in beiden Leistungsmodi arbeiten kann.
  • Eine Möglichkeit zur Steuerung des Leistungsmodus des Speicherbauelements 230 besteht darin, das Steuersignal CNTL von der Steuerschaltung 220 des Speichersystems 200 zu benutzen. Eine andere Möglichkeit besteht darin, sich auf Informationen aus einem Modusregistersatz MRS des Speicherbauelements zu verlassen, der im allgemeinen Informationen zur Konfiguration des Speichersystems 200 enthält. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das Vorhandensein der externen Spannung VEXT am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 zu detektieren. Wird die Spannung VEXT am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 detektiert, dann wird ein Steuersignal erzeugt, um den Leistungssparmodus auszuwählen, und wenn keine Spannung am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 detektiert wird, wird ein Steuersignal erzeugt, um den normalen Leistungsmodus auszuwählen.
  • Ein in 3 dargestelltes weiteres Speichersystem 300 umfasst einen ersten Spannungsregler 310, einen zweiten Spannungsregler 320, eine Steuerschaltung 330 und ein Speicherbauelement 340. Der erste Spannungsregler 310 empfängt die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die erste Spannung VCC1 aus. Der zweite Spannungsregler 320 empfängt die externe Versorgungsspannung VEXT und gibt die zweite Spannung VCC2 aus, wobei die externe Versorgungsspannung VEXT größer als die zweite Spannung VCC2 ist und die zweite Spannung VCC2 größer als die erste Spannung VCC1 ist. Die erste Spannung VCC1 wird als eine Betriebsspannung an die Steuerschaltung 330 angelegt, die ein Steuersignal CNTL an das Speicherbauelement 340 ausgibt.
  • Das Speicherbauelement 340 ist so ausgeführt, dass es die erste und zweite Spannung VCC1 und VCC2 empfängt. Es ist aus einer Mehrzahl von internen Schaltkreisen aufgebaut, die mit der ersten und der zweiten internen Spannung VINT bzw. VPP betrieben werden, wobei die erste interne Spannung VINT kleiner ist als die zweite interne Spannung VPP. So hat beispielsweise die externe Spannung VEXT einen Wert von 5,0V, die erste Spannung VCC1 einen Wert von 3,3V, die zweite Spannung VCC2 einen Wert von 4,0V, die erste interne Spannung VINT einen Wert von 2,4V und die zweite interne Spannung VPP einen Wert von 4,5V.
  • Das Speicherbauelement 340 kann selektiv im normalen Leistungsmodus, in dem die zweite interne Spannung VPP aus der ersten Versorgungsspannung VCC1 erzeugt wird, oder in einem Leistungssparmodus betrieben werden, in dem die zweite interne Spannung VPP aus der zweiten Versorgungsspannung VCC2 erzeugt wird, die größer ist als die Spannung VCC1.
  • Ähnlich wie im ersten Ausführungsbeispiel ist die Auswahl des normalen Leistungsmodus oder des Leistungssparmodus davon abhängig, ob die zweite Spannung VCC2 mit dem Anschluss des Speicherbauelements 340 für die zweite Spannung VCC2 verbunden ist. Das bedeutet, dass, während das Speicherbauelement 340 einen Anschluss für die zweite Spannung VCC2 haben kann, der Fall auftreten kann, dass das Speichersystem 300 bzw. das Speichermodul, in welches das Speicherbauelement 340 eingesteckt ist, nicht von einem Typ ist, der den zweiten Spannungsregler 320 umfasst. Deshalb ist das Speicherbauelement 340 so ausgeführt, dass es in beiden Leistungsmodi arbeiten kann.
  • Eine Möglichkeit zur Steuerung des Leistungsmodus des Speicherbauelements 340 besteht darin, das Steuersignal CNTL von der Steuerschaltung 330 des Speichersystems 300 zu benutzen. Eine andere Mög lichkeit besteht darin, sich auf Informationen aus einem Modusregistersatz MRS des Speicherbauelements 340 zu verlassen, der im allgemeinen Informationen zur Konfiguration des Speichersystems 300 enthält. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, das Vorhandensein der Spannung VCC2 am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 zu detektieren. Wird die Spannung VCC2 am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 detektiert, dann wird der Leistungssparmodus ausgewählt, und wenn keine Spannung am Anschluss für die zweite Spannung VCC2 detektiert wird, wird der normale Leistungsmodus ausgewählt.
  • Die 4, 5, 6 zeigen jeweils ein Blockschaltbild eines Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen Speicherbauelements mit zwei Versorgungsanschlüssen. Um das Verständnis für die Funktionsweise des Speicherbauelements zu unterstützen, werden nachfolgend beispielhaft o.B.d.A. verschiedene Spannungspegel angegeben.
  • Das in 4 dargestellte Speicherbauelement umfasst einen ersten bis dritten Spannungsgenerator 410, 420 und 430 und eine Schalteinheit 440. Der erste Spannungsgenerator 410 empfängt die erste Spannung VCC1, z.B. 3,3V, und verringert die empfangene Spannung, um die erste interne Spannung VINT, z.B. 2,4V, zu erzeugen. Der zweite Spannungsgenerator 420 empfängt ebenfalls die erste Spannung VCC1, z.B. 3,3V, und erhöht die empfangene Spannung, um die zweite interne Spannung VPP, z.B. 4,5V, zu erzeugen. Der zweite Spannungsgenerator 420 kann eine Ladungspumpe umfassen. Der dritte Spannungsgenerator 430 empfängt die zweite Spannung VCC2, z.B. 5,0V, und teilt die empfangene Spannung, um die zweite interne Spannung VPP, z.B. 4,5V, zu erzeugen.
  • Im oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die erste Spannung VCC1 (3,3V) größer als die erste interne Spannung VINT (2,4V) und die zweite Spannung VCC2 (5,0V) ist größer als die zweite interne Span nung VPP, und deshalb benötigen der erste und der dritte Spannungsgenerator 410 und 430 keine Ladungspumpenfunktion. Die zweite Spannung VCC2 kann jedoch kleiner als die zweite interne Spannung VPP sein, beispielsweise kann VCC2 einen Wert von 4,0V haben. Für diesen Fall sollte der dritte Spannungsgenerator 430 eine Ladungspumpe umfassen, um die zweite Spannung VCC2 (4,0V) auf die zweite interne Spannung VPP (4,5V) anzuheben. Da die vom dritten Spannungsgenerator 430 benötigte Spannungserhöhung nur 0,5V beträgt, was kleiner ist als die vom zweiten Spannungsgenerator 420 benötigte Spannungserhöhung von 1,2V, arbeitet der dritte Spannungsgenerator 430 viel effizienter als der zweite Spannungsgenerator 420.
  • Die Schalteinheit 440 empfängt das Steuersignal CNTL von der Steuerschaltung 220, 330 des Speichersystems 200, 300 oder Informationen, die in einem Modusregistersatz MRS des Speicherbauelements enthalten sind, und schaltet selektiv den zweiten Spannungsgenerator 420 oder den dritten Spannungsgenerator 430 frei. Zudem kann das Steuersignal CNTL auch intern von dem Speicherbauelement in Abhängigkeit von der Detektierung des Vorhandenseins oder des Fehlens der zweiten Spannung VCC2 abgeleitet werden. Im dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst die Schalteinheit 440 einen Inverter 442, der so angeschlossen ist, dass er das Steuersignal CNTL oder ein Modusregistersignal MRS empfängt. Der zweite Spannungsgenerator 420 wird vom invertierten Steuersignal /CTNL oder /MRS freigeschaltet und der dritte Spannungsgenerator 430 wird vom Steuersignal CNTL bzw. Modusregistersignal MRS freigeschaltet.
  • Im Betrieb wird der Leistungsmodus des Speicherbauelements benutzt, um die Erzeugung der zweiten internen Spannung VPP zu steuern. Das bedeutet, dass während des normalen Leistungsmodus der zweite Spannungsgenerator 420 freigeschaltet ist, um die zweite interne Spannung VPP aus der ersten Spannung VCC1 zu erzeugen. Im Leistungs sparmodus ist der dritte Spannungsgenerator 430 freigeschaltet, um die zweite interne Spannung VPP aus der höheren zweiten Spannung VCC2 zu erzeugen, wodurch der Leistungsverbrauch gesenkt wird.
  • Das in 5 dargestellte Speicherbauelement 500 umfasst einen Generator 510 für eine höhere Spannung VPP und eine Schalteinheit 520. Der Generator 510 für die höhere Spannung VPP, der eine Ladungspumpe umfasst, empfängt die erste Spannung VCC1, z.B. 3,3V, und erzeugt eine höhere Spannung VPP, z.B. 4,0V, am VPP-Anschluss. Die Schalteinheit 520 umfasst einen Inverter 522, der das Steuersignal CNTL oder das Modusregistersignal MRS empfängt, und gibt ein Freigabesignal für den Spannungsgenerator 510 ab. Zudem umfasst die Schalteinheit 520 einen Schalter 524, der die anliegende zweite Spannung VCC2 in Abhängigkeit vom Steuersignal CNTL oder dem Modusregistersignal MRS mit dem VPP-Anschluss für die höhere Spannung verbindet. Die Schalteinheit 520 reagiert deshalb auf das Signal CNTL bzw. MRS, um die höhere Spannung VPP durch Freigabe des Spannungsgenerators 510 oder durch Verbinden des VPP-Anschlusses mit der zweiten Spannung VCC2 zu erzeugen.
  • Entsprechend verbindet das Speicherbauelement 500 im Leistungssparmodus die zweite Spannung VCC2 mit dem VPP-Anschluss der höheren Spannung, ohne den Generator 510 für die höhere Spannung zu betreiben. Da der Spannungsgenerator 510 nicht betrieben wird, wird der Energieverbrauch im Leistungssparmodus reduziert.
  • Das in 6 dargestellte Speicherbauelement 500 umfasst einen Generator 610 für eine höhere Spannung und eine Schalteinheit 620. Der Generator 610 für die höhere Spannung, der eine Ladungspumpe umfasst, empfängt die erste Spannung VCC1, z.B. 3,3V, und erzeugt eine höhere Spannung, z.B. 4,0V, am VPP-Anschluss. Die Schalteinheit 620 umfasst einen Inverter 622, der das Steuersignal CNTL oder das Modusregistersignal MRS empfängt, und gibt ein Freigabesignal für den Spannungsgenerator 610 ab. Zudem umfasst die Schalteinheit 620 einen Transistor 626, der die anliegende zweite Spannung VCC2 in Abhängigkeit vom Steuersignal CNTL oder dem Modusregistersignal MRS mit dem VPP-Anschluss für die höhere Spannung verbindet. Die Schalteinheit 620 reagiert deshalb auf das Signal CNTL bzw. MRS, um die höhere Spannung VPP durch Freigabe des Spannungsgenerators 610 oder durch Verbinden des VPP-Anschlusses mit der zweiten Spannung VCC2 zu erzeugen. Die Schalteinheit 620 unterscheidet sich von der Schalteinheit in 5 in erster Linie dadurch, dass ein zusätzlicher Pegelschieber 624 vorhanden ist. Der Pegelschieber 624 empfängt das Steuersignal CNTL oder das Modusregistersignal MRS und gibt einen vorbestimmten Spannungspegel aus, der ungefähr der Summe der zweiten Spannung VCC2 und einer Schwellwertspannung Vth des Transistors 626 entspricht. Der Transistor 626 der Schalteinheit 620 wird in Abhängigkeit vom Ausgangssignal des Pegelschiebers 624 leitend geschaltet und die zweite Spannung VCC2 wird mit dem VPP-Anschluss für die höhere Spannung verbunden. Auf diese Weise wird die zweite Spannung VCC2 ohne Verluste durch die Schwellwertspannung Vth des Transistors 626 zum VPP-Anschluss für die höhere Spannung übertragen.

Claims (17)

  1. Speicherbauelement mit – einer Mehrzahl von internen Schaltkreisen, die mit einer ersten und einer zweiten internen Spannung (VINT, VPP) betreibbar sind, wobei die erste interne Spannung (VINT) niedriger ist als die zweite interne Spannung (VPP), und – einem ersten Versorgungsanschluss zum Empfangen einer ersten Versorgungsspannung (VCC1), gekennzeichnet durch – einen zweiten Versorgungsanschluss zum Empfangen einer zweiten Versorgungsspannung (VCC2), wobei die erste Versorgungsspannung (VCC1) niedriger ist als die zweite Versorgungsspannung (VCC2), und – einen internen Spannungsgenerator (510, 610), der selektiv in einem ersten Modus, in dem die zweite interne Spannung (VPP) aus der ersten Versorgungsspannung (VCC1) erzeugbar ist, oder in einem zweiten Modus betreibbar ist, in dem die zweite interne Spannung (VPP) aus der zweiten Versorgungsspannung (VCC2) erzeugbar ist.
  2. Speicherbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator (510, 610) in Abhängigkeit von einem externen Steuersignal (CNTL) den ersten oder den zweiten Modus auswählt.
  3. Speicherbauelement nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Modusregistersatz (MRS), wobei der interne Spannungsgenerator (510, 610) in Abhängigkeit vom Inhalt des Modusregistersatzes (MRS) den ersten oder den zweiten Modus auswählt.
  4. Speicherbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator (510, 610) in Abhängigkeit vom Fehlen der zweiten Versorgungsspannung (VCC2) am Anschluss für die zweite Versorgungsspannung (VCC2) den ersten Modus auswählt und in Abhängigkeit vom Vorhandensein der zweiten Versorgungsspannung (VCC2) am Anschluss für die zweite Versorgungsspannung (VCC2) den zweiten Modus auswählt.
  5. Speicherbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator (510, 610) folgende Elemente umfasst: – einen Spannungsregler, der im ersten Modus freigeschaltet und im zweiten Modus gesperrt ist und der die erste Versorgungsspannung (VCC1) auf die zweite interne Spannung (VPP) anhebt, wenn er freigeschaltet ist, und – eine Schalteinheit (520, 620), die im ersten Modus offen und im zweiten Modus geschlossen ist und die zweite Versorgungsspannung (VCC2) als zweite interne Spannung (VPP) ausgibt, wenn sie geschlossen ist.
  6. Speicherbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsregler in Abhängigkeit vom externen Steuersignal (CNTL) freigeschaltet oder gesperrt wird, und dass die Schalteinheit (520, 620) in Abhängigkeit vom externen Steuersignal (CNTL) geöffnet oder geschlossen wird.
  7. Speicherbauelement nach Anspruch 5 oder 6, gekennzeichnet durch einen Modusregistersatz (MRS), wobei der Spannungsregler in Abhängigkeit von einem Ausgangssignal des Modusregistersatzes (MRS) freigeschaltet oder gesperrt wird und wobei die Schalt einheit (520, 620) in Abhängigkeit vom Ausgangssignal des Modusregistersatzes (MRS) geöffnet oder geschlossen wird.
  8. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungsregler als Ladungspumpe ausgeführt ist.
  9. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Schalteinheit (620) einen Transistor (626) und einen Spannungsschieber (624) umfasst, wobei der Spannungsschieber (624) einen Spannungspegel des Steuersignals (CNTL) und/oder einen Spannungspegel des Ausgangssignals des Modusregistersatzes (MRS) erhöht und den erhöhten Spannungspegel an einen Gate-Anschluss des Transistors (626) anlegt.
  10. Speicherbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator folgende Elemente umfasst: – einen ersten Spannungsregler (420), der im ersten Modus freigeschaltet und im zweiten Modus gesperrt ist und der die erste Versorgungsspannung auf die zweite interne Spannung (VPP) anhebt, wenn er freigeschaltet ist, und – einen zweiten Spannungsregler (430), der im zweiten Modus freigeschaltet und im ersten Modus gesperrt ist und der die zweite Versorgungsspannung auf die zweite interne Spannung (VPP) anhebt oder absenkt, wenn er freigeschaltet ist.
  11. Speicherbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste und/oder der zweite Spannungsregler (420, 430) in Abhängigkeit von einem externen Steuersignal (CNTL) und/oder vom Inhalt eines Modusregistersatzes (MRS) freigeschaltet oder gesperrt werden.
  12. Speicherbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Spannungsregler (420) als Ladungspumpe ausgeführt ist.
  13. Speicherbauelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spannungsregler (430) als Abwärtswandler oder als Ladungspumpe ausgeführt ist.
  14. Speicherbauelement nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator (410, 510, 610) im ersten und im zweiten Modus betreibbar ist, um die erste interne Spannung (VINT) aus der ersten Versorgungsspannung (VCC1) zu erzeugen.
  15. Verwendung Speicherbauelements (230, 340) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 für ein eines Speichersystem mit – einem Spannungsregler (210, 310), der eine erste Versorgungsspannung (VCC1) aus einer zweiten Versorgungsspannung (VEXT) erzeugt, wobei die zweite Versorgungsspannung (VEXT) größer als die erste Versorgungsspannung (VCC1) ist, – einem Speicherbauelement (230, 340) und – einer Steuerschaltung (220, 330) zum Steuern des Betriebs des Speicherbauelements (230, 330).
  16. Verwendung Speicherbauelements (230, 340) nach einem der Ansprüche 1 bis 14 für ein mit – einem ersten Spannungsregler (310), der eine erste Versorgungsspannung (VCC1) aus einer zweiten Versorgungsspannung (VEXT) erzeugt, wobei die zweite Versorgungsspannung (VEXT) größer als die erste Versorgungsspannung (VCC1) ist, – einem zweiten Spannungsregler (320), der eine dritte Versorgungsspannung (VCC2) aus der zweiten Versorgungsspannung (VEXT) erzeugt, wobei die dritte Versorgungsspannung (VCC2) niedriger als die zweite Versorgungsspannung (VEXT) und größer als die erste Versorgungsspannung (VCC1) ist, – einem Speicherbauelement (340) und – einer Steuerschaltung (330) zum Steuern des Betriebs des Speicherbauelements (340),
  17. Verwendung nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass der interne Spannungsgenerator (510, 610) in Abhängigkeit von einem Steuersignal (CNTL) der Steuerschaltung (220, 330) den ersten oder den zweiten Modus auswählt.
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