DE1014332B - Verfahren und Vorrichtung zum fraktionierten Umkristallisieren von unter Mischkristallbildung erstarrenden Legierungen und Halbleiterausgangsstoffen durch Zonenschmelzen - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum fraktionierten Umkristallisieren von unter Mischkristallbildung erstarrenden Legierungen und Halbleiterausgangsstoffen durch ZonenschmelzenInfo
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1076623B (de) * | 1957-11-15 | 1960-03-03 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial |
DE1088923B (de) * | 1958-04-03 | 1960-09-15 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern |
DE1092576B (de) * | 1957-11-15 | 1960-11-10 | Siemens Ag | Stromzufuehrung fuer die bewegliche Heizspule einer tiegelfreien Zonenziehvorrichtung im Innern eines Gefaesses |
DE1094710B (de) * | 1958-02-19 | 1960-12-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
DE1141978B (de) * | 1959-12-23 | 1963-01-03 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen duenner einkristalliner Halbleiterstaebe |
DE1147197B (de) * | 1961-03-14 | 1963-04-18 | Knapsack Ag | Vorrichtung zum Reinigen von bei der Schmelztemperatur den elektrischen Strom nicht- oder schlecht-leitenden Stoffen durch Zonenschmelzen |
DE1151669B (de) * | 1958-07-30 | 1963-07-18 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben |
DE1182207B (de) * | 1962-07-20 | 1964-11-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
DE1206858B (de) * | 1961-12-15 | 1965-12-16 | Philips Nv | Vorrichtung zum Zonenschmelzen |
DE1207920B (de) * | 1957-12-27 | 1965-12-30 | Gen Electric | Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze |
DE1243145B (de) * | 1959-04-30 | 1967-06-29 | Ibm | Vorrichtung zum Zonenschmelzen von Kristallen, insbesondere von Halbleiterkristallen |
DE1284942B (de) * | 1964-06-30 | 1968-12-12 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Kristallen und Schmelzen, insbesondere aus Halbleitermaterial |
DE1289625B (de) * | 1960-03-11 | 1969-02-20 | Commissariat Energie Atomique | Verfahren zum Sintern eines rohrfoermigen Rohlings und Vorrichtung zur Durchfuehrungdes Verfahrens |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1061527B (de) * | 1953-02-14 | 1959-07-16 | Siemens Ag | Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken |
NL130620C (nl) * | 1954-05-18 | 1900-01-01 | ||
US2964396A (en) * | 1954-05-24 | 1960-12-13 | Siemens Ag | Producing semiconductor substances of highest purity |
DE1017795B (de) * | 1954-05-25 | 1957-10-17 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung reinster kristalliner Substanzen, vorzugsweise Halbleitersubstanzen |
DE1253235B (de) * | 1954-05-25 | 1967-11-02 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen stabfoermiger Halbleiterkristalle |
DE1179382B (de) * | 1954-06-30 | 1964-10-08 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines extrem reinen, stabfoermigen Halbleiterkristalls fuer die Fertigung von elektrischen Halbleiterbauelementen, wie Richtleiter, Transistoren usw. |
DE1201073B (de) * | 1954-07-30 | 1965-09-16 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer halbleitenden Legierung |
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FR109723A (nl) * | 1955-01-14 | |||
DE1196046B (de) * | 1955-03-28 | 1965-07-01 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines hochreinen, kristallinen Stabes aus einem leitenden oder halbleitenden Element |
DE1141255B (de) * | 1958-03-05 | 1962-12-20 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen hochgereinigter einkristalliner Halbleiterstaebe |
US2835614A (en) * | 1955-11-30 | 1958-05-20 | Raulaud Corp | Method of manufacturing crystalline material |
DE1063870B (de) * | 1956-06-28 | 1959-08-20 | Gustav Weissenberg | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Zuechten von Einkristallen aus hochreinem Silicium oder Germanium |
DE1136308B (de) * | 1956-10-17 | 1962-09-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Kristallstaeben aus hochreinen halbleitenden Stoffen |
DE1181668B (de) * | 1956-10-17 | 1964-11-19 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von hochreinen, stabfoermigen Halbleiterkristallen durch Abscheiden des Halbleiters aus einer gasfoermigen Verbindung des Halbleiters durch eineelektrische Gasentladung |
NL104388C (nl) * | 1956-11-28 | |||
DE1207922B (de) * | 1957-04-30 | 1965-12-30 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zum Herstellen von hochreinen Halbleitersubstanzen, insbesondere von Silizium |
DE1169683B (de) * | 1957-05-31 | 1964-05-06 | Siemens Ag | Verfahren zum tiegellosen Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes |
US3093456A (en) * | 1958-09-02 | 1963-06-11 | Texas Instruments Inc | Method for recovery and reuse of quartz containers |
DE1216040B (de) * | 1958-09-12 | 1966-05-05 | Eternit Sa | Muffensteckverbindung fuer glatte Einsteckrohre |
US3053639A (en) * | 1959-02-11 | 1962-09-11 | Union Carbide Corp | Method and apparatus for growing crystals |
CH354429A (fr) * | 1959-06-05 | 1961-05-31 | Ind De Pierres Scient Hrand Dj | Procédé de fabrication d'un corps tubulaire en pierre synthétique, at installation pour la mise en oeuvre de ce procédé |
CH354427A (fr) * | 1959-06-05 | 1961-05-31 | Ind De Pierres Scient Hrand Dj | Procédé de fabrication d'un corps de révolution, notamment d'un disque en pierre synthétique et installation pour la mise en oeuvre de ce procédé |
US3086850A (en) * | 1959-06-17 | 1963-04-23 | Itt | Method and means for growing and treating crystals |
US3115469A (en) * | 1959-06-22 | 1963-12-24 | Monsanto Chemicals | Production of single crystals of ferrites |
DE1128412B (de) * | 1959-12-17 | 1962-04-26 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium durch thermische Zersetzung von gasfoermigen Siliciumverbindungen |
DE1114171B (de) * | 1959-12-31 | 1961-09-28 | Siemens Ag | Halterung fuer stabfoermiges Halbleitermaterial in Vorrichtungen zum tiegelfreien Zonenschmelzen |
US3156533A (en) * | 1960-07-26 | 1964-11-10 | Imber Oscar | Crystal growth apparatus |
DE1216257B (de) * | 1960-08-18 | 1966-05-12 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen |
US3232745A (en) * | 1960-12-05 | 1966-02-01 | Siemens Ag | Producing rod-shaped semiconductor crystals |
DE1227424B (de) * | 1961-03-01 | 1966-10-27 | Philips Nv | Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen eines aus einer Metallverbindung bestehenden stabfoermigen Koerpers |
US3245761A (en) * | 1962-10-11 | 1966-04-12 | Norton Co | Apparatus for making magnesium oxide crystals |
US3314769A (en) * | 1963-05-08 | 1967-04-18 | Union Carbide Corp | Arc process and apparatus for growing crystals |
US4379733A (en) * | 1981-10-02 | 1983-04-12 | Hughes Aircraft Company | Bicameral mode crystal growth apparatus and process |
CN113337725A (zh) * | 2021-06-29 | 2021-09-03 | 红河学院 | 一种从冶炼渣中富集锗的方法 |
CN115198356B (zh) * | 2022-07-15 | 2023-07-21 | 郑州大学 | 一种特定取向的大规格金属单晶及其制备方法 |
-
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- NL NL89230D patent/NL89230C/xx active
- BE BE525102D patent/BE525102A/xx unknown
-
1953
- 1953-09-04 FR FR1087946D patent/FR1087946A/fr not_active Expired
- 1953-09-22 DE DEW12172A patent/DE1014332B/de active Pending
- 1953-12-16 GB GB35016/53A patent/GB774270A/en not_active Expired
- 1953-12-17 CH CH333693D patent/CH333693A/fr unknown
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
None * |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1092576B (de) * | 1957-11-15 | 1960-11-10 | Siemens Ag | Stromzufuehrung fuer die bewegliche Heizspule einer tiegelfreien Zonenziehvorrichtung im Innern eines Gefaesses |
DE1076623B (de) * | 1957-11-15 | 1960-03-03 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial |
DE1207920B (de) * | 1957-12-27 | 1965-12-30 | Gen Electric | Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze |
US3159459A (en) * | 1958-02-19 | 1964-12-01 | Siemens Ag | Method for producing semiconductor crystals |
DE1094710B (de) * | 1958-02-19 | 1960-12-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
DE1094710C2 (de) * | 1958-02-19 | 1969-02-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Zuechtung von Einkristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
DE1088923B (de) * | 1958-04-03 | 1960-09-15 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern |
DE1151669B (de) * | 1958-07-30 | 1963-07-18 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Halbleiterstaeben |
DE1243145B (de) * | 1959-04-30 | 1967-06-29 | Ibm | Vorrichtung zum Zonenschmelzen von Kristallen, insbesondere von Halbleiterkristallen |
DE1141978B (de) * | 1959-12-23 | 1963-01-03 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen duenner einkristalliner Halbleiterstaebe |
DE1289625B (de) * | 1960-03-11 | 1969-02-20 | Commissariat Energie Atomique | Verfahren zum Sintern eines rohrfoermigen Rohlings und Vorrichtung zur Durchfuehrungdes Verfahrens |
DE1147197B (de) * | 1961-03-14 | 1963-04-18 | Knapsack Ag | Vorrichtung zum Reinigen von bei der Schmelztemperatur den elektrischen Strom nicht- oder schlecht-leitenden Stoffen durch Zonenschmelzen |
DE1206858B (de) * | 1961-12-15 | 1965-12-16 | Philips Nv | Vorrichtung zum Zonenschmelzen |
DE1182207B (de) * | 1962-07-20 | 1964-11-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines versetzungsarmen Halbleitereinkristalls durch tiegelfreies Zonenschmelzen |
DE1284942B (de) * | 1964-06-30 | 1968-12-12 | Halbleiterwerk Frankfurt Oder | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Kristallen und Schmelzen, insbesondere aus Halbleitermaterial |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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NL89230C (nl) | 1900-01-01 |
CH333693A (fr) | 1958-10-31 |
BE525102A (nl) | 1900-01-01 |
FR1087946A (fr) | 1955-03-01 |
GB774270A (en) | 1957-05-08 |
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