DE10048437A1 - Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper

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EP01985777A EP1320897B1 (de) 2000-09-29 2001-08-27 Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements aus halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier weglänge und mit dem verfahren hergestelltes halbleiterbauelement
KR1020037004420A KR100898759B1 (ko) 2000-09-29 2001-08-27 평균자유경로길이가 줄어든 도핑된 반도체 재료로 이루어진 몸체의 제조방법 및 상기 도핑된 반도체 재료의 몸체
JP2002531498A JP2004510354A (ja) 2000-09-29 2001-08-27 低減された平均自由行程長を有する半導体材料を含む本体を作製する方法およびこの方法を用いて作製された本体
US10/392,509 US9608128B2 (en) 2000-09-29 2003-03-20 Body of doped semiconductor material having scattering centers of non-doping atoms of foreign matter disposed between two layers of opposing conductivities
JP2010246899A JP5566260B2 (ja) 2000-09-29 2010-11-02 低減された平均自由行程長を有する半導体材料を含む本体を作製する方法およびこの方法を用いて作製された本体

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10207339A1 (de) * 2002-02-21 2003-09-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reduzierung der Beweglichkeit freier Ladungsträger in einem Halbleiterkörper

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10048437A1 (de) 2000-09-29 2002-04-18 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper
DE102010046215B4 (de) * 2010-09-21 2019-01-03 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterkörper mit verspanntem Bereich, Elektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Erzeugen des Halbleiterkörpers.
CN103700712B (zh) * 2012-09-27 2017-05-03 比亚迪股份有限公司 一种快恢复二极管的结构及其制造方法
CN104701162A (zh) * 2013-12-06 2015-06-10 江苏物联网研究发展中心 半导体器件、pin二极管和igbt的制作方法
DE102015111213B4 (de) 2015-07-10 2023-05-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verringern einer bipolaren Degradation bei einem SiC-Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4223914A1 (de) * 1992-06-30 1994-01-13 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4717681A (en) * 1986-05-19 1988-01-05 Texas Instruments Incorporated Method of making a heterojunction bipolar transistor with SIPOS
JP2579979B2 (ja) * 1987-02-26 1997-02-12 株式会社東芝 半導体素子の製造方法
JPH07107935B2 (ja) * 1988-02-04 1995-11-15 株式会社東芝 半導体装置
US5159429A (en) * 1990-01-23 1992-10-27 International Business Machines Corporation Semiconductor device structure employing a multi-level epitaxial structure and method of manufacturing same
US5102810A (en) * 1990-03-13 1992-04-07 General Instrument Corp. Method for controlling the switching speed of bipolar power devices
EP0622834A3 (en) * 1993-04-30 1998-02-11 International Business Machines Corporation Method to prevent latch-up and improve breakdown voltage in SOI MOSFETS
JPH07107935A (ja) * 1993-08-18 1995-04-25 Kaneto Shoji Kk 豆腐連続自動製造装置
JP3198766B2 (ja) 1993-12-27 2001-08-13 日産自動車株式会社 電導度変調型トランジスタ
JP2979964B2 (ja) 1994-07-25 1999-11-22 株式会社日立製作所 半導体装置及びそれを用いたインバータ装置
US6037632A (en) * 1995-11-06 2000-03-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP3394383B2 (ja) * 1996-03-18 2003-04-07 三菱電機株式会社 サイリスタの製造方法およびサイリスタ
JP2917919B2 (ja) * 1996-06-20 1999-07-12 日本電気株式会社 半導体基板およびその製造方法、並びに半導体素子
EP0931351B1 (de) * 1996-09-30 2004-01-28 EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Thyristor mit durchbruchbereich
US6054369A (en) * 1997-06-30 2000-04-25 Intersil Corporation Lifetime control for semiconductor devices
TW396628B (en) 1997-09-04 2000-07-01 Nat Science Council Structure and process for SiC single crystal/Si single crystal hetero-junction negative differential resistance
JPH1199469A (ja) 1997-09-30 1999-04-13 Nisshin Steel Co Ltd 金属管の内面研磨方法
AU5847599A (en) * 1998-07-29 2000-02-21 Infineon Technologies, Ag Power semiconductor having a reduced reverse current
DE10030381B4 (de) * 2000-06-21 2005-04-14 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleiterbauelement aufweisend einen Körper aus Halbleitermaterial mit Übergang zwischen zueinander entgegengesetzten Leiterfähigkeitstypen
DE10048437A1 (de) 2000-09-29 2002-04-18 Eupec Gmbh & Co Kg Verfahren zum Herstellen eines Körpers aus Halbleitermaterial mit reduzierter mittlerer freier Weglänge und mit dem Verfahren hergestellter Körper

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4223914A1 (de) * 1992-06-30 1994-01-13 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10207339A1 (de) * 2002-02-21 2003-09-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reduzierung der Beweglichkeit freier Ladungsträger in einem Halbleiterkörper

Also Published As

Publication number Publication date
EP1320897B1 (de) 2012-12-05
JP2004510354A (ja) 2004-04-02
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US9608128B2 (en) 2017-03-28
EP1320897A1 (de) 2003-06-25
JP5566260B2 (ja) 2014-08-06
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