CZ305376B6 - Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem - Google Patents

Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem Download PDF

Info

Publication number
CZ305376B6
CZ305376B6 CZ2002-2943A CZ20022943A CZ305376B6 CZ 305376 B6 CZ305376 B6 CZ 305376B6 CZ 20022943 A CZ20022943 A CZ 20022943A CZ 305376 B6 CZ305376 B6 CZ 305376B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
electrochemical potential
metal
low electrochemical
nitrided
ppm
Prior art date
Application number
CZ2002-2943A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ20022943A3 (cs
Inventor
Bhamidipaty K. D. P. Rao
Shi Yuan
Original Assignee
Cabot Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corporation filed Critical Cabot Corporation
Publication of CZ20022943A3 publication Critical patent/CZ20022943A3/cs
Publication of CZ305376B6 publication Critical patent/CZ305376B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/12Metallic powder containing non-metallic particles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/14Treatment of metallic powder
    • B22F1/145Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/24Nitriding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/80After-treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)

Abstract

Vynález se týká nitridovaného práškového kovu, zejména tantalu s nízkým elektrochemickým potenciálem majícím obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm.sup.3.n.. Dále sintrovaného nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantalu nebo niobu, který má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm. Způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fázi tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 .degree.C. Vynález se dále týká anody kondenzátoru obsahující tento kov.

Description

Oblast techniky
Předložený vynález se týká kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem („valve metals“), způsobu jejich výroby v přijatelné kvalitě pro použití v takových aplikacích jako jsou kondenzátory a podobně. Dále se týká anod kondenzátoru s jejich obsahem.
Dosavadní stav techniky
V průmyslu existuje trvalý požadavek na zlepšení vlastností kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, například tantalu, zejména pokud jde o kapacitanci a DC svod, dosažené po zformování anod kondenzátoru z kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem. Možnosti zlepšování různých vlastností kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zahrnují modifikace různých kroků při způsobech jejich výroby, včetně čištění.
Obecné způsoby pro přípravu kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem jsou odborníkovi známy. Například tantal se získává z rudy a následně drtí na prášek. Tantal se pak separuje z drcené rudy pomocí roztoku kyseliny a hustotní separací kyselého roztoku kyseliny obsahujícího tantal od kyselého roztoku obsahujícího niob a dalších nečistot. Z kyselého roztoku obsahujícího tantal se pak nechá krystalizovat sůl a tato sůl obsahující tantal pak reaguje s čistým sodíkem pro redukci soli obsahující tantal na tantal, za vzniku solí jiných prvků než tantal. Pomocí praní vodou se provádí odstranění solí a získávání tantalu, který se následně podrobuje jednomu nebo více krokům kyselého loužení pro odstranění chemických nečistot. Tantal se pak suší za vzniku takzvané základní partie prášku. Tato základní partie se typicky podrobuje tepelné úpravě nebo tepelné aglomeraci a pak se pasivuje pro získání koláče z prášku, který se následně mele na prášek. Pak se provádí krok dezoxidace za použití getru kyslíku, jako například hořčíku. Po kroku dezoxidace se tantalový prášek zpravidla podrobuje kyselému praní a suší se. Prášek se pak lisuje do pelet a sintruje se pro následné zpracování u výrobce kondenzátorů.
Předmětem zájmu v oboru je nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantalu, neboť se předpokládá, že takováto nitridace může snížit DC svod anod kondenzátorů zformovaných z takovéhoto nitridovaného tantalu. Běžné techniky nitridace primárně zahrnují použití sloučenin obsahujících dusík nebo dusíkového plynu během dezoxidačního stupně. Tento způsob má několik nevýhod, včetně nedostatečně stejnosměrného rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
V souladu s tím vyvstává požadavek zlepšit způsoby nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jakož i požadavek zlepšení výsledného produktu.
Podstata vynálezu
Cílem vynálezu je poskytnout způsoby nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantalu.
Dalším cílem vynálezu je poskytnout způsob, který poskytuje stejnoměrnější rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
Dalším cílem vynálezu je poskytnout nitridované kovy s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantal.
- 1 CZ 305376 B6
Ještě dalším cílem vynálezu je poskytnout nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantal, mající schopnost poskytnout vysokou kapacitanci, zároveň s vynikající tekutostí a/nebo hustotou podle Scotta.
Prvním aspektem předmětu vynálezu v základním provedení i) je nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, kterým je tantal, přičemž tento kov má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm3.
Přednostní provedení prvního aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména ii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
iii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má hustotu podle Scotta i) 1,59 až i) 1,95 g/cm3;
iv) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má obsah dusíku 2000 až 3000 ppm;
v) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má povrchovou plochu BET 1 až 3 m2/g;
vi) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má povrchovou plochu BET 0,5 až 3 m2/g;
vii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který dále obsahuje fosfor a/nebo kyslík;
viii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který dále obsahuje 50 až 150 ppm, fosforu a/nebo 1500 až 3500 ppm kyslíku; a ix) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má dále povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
Druhým aspektem předmětu vynálezu v základním provedení x) je sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, který má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm.
Přednostní provedení druhého aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména xi) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xii) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob;
xiii) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
xiv) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení xi), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
xv) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení xii), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm; a xvi) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), který má povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
-2CZ 305376 B6
Třetím aspektem předmětu vynálezu v základním provedení xvii) je způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, který zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fázi tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 °C.
Přednostní provedení třetího aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména xviii) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí plynným dusíkem;
xix) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí pomocí alespoň jedné sloučeniny uvolňující dusík;
xx) způsob podle provedení xvii), kde výsledkem nitridace je kov s nízkým elektrochemickým potenciálem mající obsah dusíku 1500 až 4000 ppm;
xxí) způsob podle provedení xvii), kde tepelné zpracování zahrnuje zahřívání kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem na teplotu 1250 až 1500 °C po dobu 10 minut až 2 hodin, přičemž kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xxii) způsob podle provedení xx) nebo xxi), kde výsledný produkt se drtí nebo mele;
xxiii) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí při teplotě 250 až 600 °C;
xxiv) způsob podle provedení xvii) kde z kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se před nitridací odplyněním odstraní vodík;
xxv) způsob podle provedení xvii), kde nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem se po nitridaci podrobuje alespoň jednomu kroku pasivace, alespoň jednomu kroku dezoxidace a alespoň jednomu kroku sintrování;
xxvi) způsob podle provedení xvii), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xxvii) způsob podle provedení xvii), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob; a xxviii) způsob podle provedení xvii), kde průměrná teplota kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se zvyšuje rychlostí nižší než 10 °C za minutu až do dokončení nitridace.
Čtvrtým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxix)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje tantal podle provedení xi).
Pátým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxx)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje niob podle provedení xii).
Konečně šestým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxxi)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje nitridovaný práškový tantal podle provedení i), jehož kapacitance po zformování do anody kondenzátoru při napětí 30 voltů je 40 000 až 80 000 CV/g.
Další charakteristické znaky a výhody vynálezu jsou uvedeny v následujícím popisu, nebo jsou zřejmé z následujícího popisu, nebo mohou být seznány na základě zkušenosti s prováděním vynálezu. Cíle a výhody vynálezu mohou být realizovány a dosaženy pomocí znaků a jejich kombinací uvedených v popisu a v patentových nárocích.
-3 CZ 305376 B6
Objasnění výkresů
Připojené výkresy, které tvoří část této přihlášky, ilustrují několik provedení vynálezu, a spolu s popisem slouží k objasnění principů vynálezu.
Obr. 1 a 2 jsou grafy znázorňující teplotní a tlakové podmínky v průběhu tepelného zpracování, v němž byl tantalový prášek nitridován.
Obr. 3 a 4 jsou grafy znázorňující velikost průměru pórů nitridovaného tantalu proti logaritmu diferenciální intruze (ml/g) a velikost průměru pórů nitridovaného tantalu proti kumulativnímu objemu pórů (ml/g).
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, jak je chápán v kontextu tohoto vynálezu, zahrnuje tantal nebo niob, avšak není na tyto kovy omezen. Přednostně se jedná o tantal nebo niob, výhodněji tantal.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, který se nitriduje, může být v jakékoliv formě, s výhodou ve formě prášku. Prášek může mít jakýkoliv tvar, například vločkový, jehličkový nebo kombinaci těchto tvarů nebo podobně. Dále, prášek může mít jakýkoliv měrný povrch a velikost částic a/nebo velikost aglomerátů. Například, prášek může mít měrný povrch BET asi 0,5 až asi 10 m2/g, s výhodou asi 1 až asi 3 m2/g.
Dále, když je prášek, jako například tantal, zformován do anody kondenzátorů, kondenzátor má s výhodou kopacitanci asi 20 000 až asi 80 000 CV/g, s výhodou asi 26 000 až asi 64 000 CV/g, je-li zformován při napětí 30 voltů a slisován na hustotu 5,5 g/cm3.
Práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantal, má s výhodou tekutost asi 70 až asi 300 mg/s, výhodněji asi 80 až asi 200 mg/s, stanovenou pomocí testu tekutosti popsaného například ve WO 99/61184, jejíž obsah se odkazem zahrnuje. Práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantal, má, dále nebo alternativně, s výhodou hustotu podle Scotta asi 1,50 až 2,40 g/cm3, výhodněji asi 1,58 až asi 1,92 g/cm3.
Množství dusíku přítomného v práškovém kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem může být jakékoliv v množství vhodné pro jeho aplikaci jako anod kondenzátorů. S výhodou je obsah dusíku asi 1500 ppm až asi 9000 ppm. Bylo zjištěno, že množství obecně větší než asi 4000 ppm nevede již k dalšímu zlepšení vlastností ve srovnání s nižším obsahem dusíku. Obdobně, množství nižší než asi 1500 ppm dusíku obecně nedosahuje zlepšení požadovaného od tohoto dopování dusíkem. V souladu s tím, výhodné je rozmezí od asi 1500 do asi 4000 ppm, ještě výhodnější je rozmezí 2000 až asi 3000 ppm dusíku.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem může také obsahovat fosfor, například asi 50 až asi 100 ppm. Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem může obsahovat také kyslík, například asi 1500 až asi 3500 ppm.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, s výhodou tantal, má alespoň část pórů s velikostí pórů 2 mikrometry nebo větší, což vede k výhodným vlastnostem vytvořené a impregnované anody kondenzátorů, neboť takováto velikost pórů umožňuje stejnoměrnější a úplnější impregnaci protielektrodovou kapalinou.
Jak bylo výše uvedeno, proces nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem s výhodou vychází ze základní partie práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. V následující diskusi se používá jako například tantal, avšak je třeba si uvědomit, že je možno použít jakékoliv kovy s nízkým elektrochemickým potenciálem a že podmínky procesu, například teplo-4CZ 305376 B6 ta a doba tepelného zpracování, mohou být různé v závislosti na typu použitého kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
Při způsobu podle vynálezu, základní partie prášku může být získána jakýmkoliv způsobem odborníkovi známým. Tyto obecné postupy, jak bylo diskutováno výše v odstavci týkajícím se dosavadního stavu techniky, typicky zahrnují získávání rudy, drcení rudy, extrakci rozpouštědlem pro získání tantalu ve formě soli a redukci tantalové soli sodíkem na tantal za vzniku solí jiných prvků než tantal. Tyto jiné soli se zpravidla odstraňují praním vodou, a pak se může provádět kyselé loužení pro odstranění chemických nečistot. Tantal se pak suší za vzniku základní partie prášku. Tyto kroky mohou být různě modifikovány nebo mohou být použity alternativní kroky pro získání materiálu, odborníkovi známého jako základní partie prášku.
Jakmile je získána základní partie prášku, je výhodné (volitelně) pro účely vynálezu provádět, před tepelným zpracováním, další zpracování tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Jedním výhodným krokem zpracování před tepelným zpracováním je mokrá aglomerace, jak je popsána v patentové přihlášce WO 99/61184, zveřejněné dne 2.12.1999, jejíž obsah se odkazem zahrnuje. Tantalový prášek ve formě prášku nebo koláče z prášku, po předcházející mokré aglomeraci nebo aglomeraci jiným postupem, pak může být podroben tepelnému zpracování, při kterém nastává nitridace tantalového prášku.
Pro účely vynálezu se rozumí, že tepelné zpracování a tepelná aglomerace představuje týž krok zpracování, který zahrnuje podrobení tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zvýšené teplotě, zpravidla v peci a obecně ve vakuu.
Jestliže je v tantalovém prášku přítomno významné množství vodíku, například více než asi 200 nebo 300 ppm vodíku, s výhodou se při kroku tepelného zpracování tantalového prášku provádí krok odplynění pro odstranění přítomného vodíku. V kroku odplyňování se z tantalového prášku zpravidla odstraní tolik vodíku, že po kroku odplyňování je množství vodíku přítomného v tantalovém prášku menší než 50 ppm, s výhodou menší než 40 ppm plynného vodíku.
Po odplynění tantalového prášku (bylo-li jej třeba), je možno provádět tepelné zpracování nebo tepelnou aglomeraci tantalového prášku. Pokud jde o tantal, sintrovací fáze tepelného zpracování zpravidla probíhá při teplotě asi 1100 °C až asi 1500 °C, což je přibližná průměrná teplota dosažená na povrchu prášku v peci. Obecně, tepelné zpracování v tomto rozmezí teplot se provádí po dobu asi 10 minut až asi 2 hodin, ačkoliv v závislosti na požadovaných vlastnostech mohou být použity i jiné doby. Pro účely předloženého vynálezu, tepelné zpracování zahrnuje dobu nezbytnou pro dosažení sintrovací fáze, která obecně způsobuje určitou ztrátu měrného povrchu prášku. Dále, tepelné zpracování se zpravidla provádí ve vakuu, s výhodou při asi 1,33 Pa nebo méně. Nitridace tantalového prášku se provádí v průběhu tepelného zpracování a před krokem dezoxidace.
Nitridace tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se s výhodou provádí při teplotě asi 600 °C nebo nižší, výhodněji asi 250 až 600 °C, ještě výhodněji asi 300 až asi 400 °C. Protože nitridace s výhodou probíhá při teplotách ne vyšších než 600 °C, je výhodné provádět nitridaci, když jsou tyto teploty dosažitelné, to znamená, bezprostředně před sintrovací fází tepelného zpracování, které probíhá při teplotě 1250 až 1500 °C, nebo po proběhnutí této fáze vysoké teploty. Podle předloženého vynálezu nitridace práškového kovu s výhodou nastává, jakmile teplota práškového kovu dosáhne určité stability a nekolísá příliš (tzn. nekolísá více než o 50 °C nebo podobně). Nitridace s výhodou začíná při teplotě asi 200 až 300 °C, aby bylo zamezeno adsorpci dusíku na některém místě prášku, načež se teplota zvedá o přibližně 1 až 10 °C za minutu. Rovnoměrný nárůst teploty zajišťuje, že adsorpce dusíku je rovnoměrná v celém množství prášku, a dále zajišťuje, že po dobu dostatečnou pro umožnění adsorpce je dosažena v podstatě stejnoměrná teplota, která může být velmi různá v závislosti na prášku a měrném povrchu.
-5CZ 305376 B6
Nitridace tantalového prášku se může provádět za použití nitridačního činidla, například plynného dusíku nebo plynu obsahujícího dusík nebo sloučeniny obsahující nebo vyvíjející dusík (např. TaN). S výhodou se při tomto způsobu používá plynný dusík. Obecně, jakmile je tantalový prášek ve výhodném rozmezí teplot asi 250 až asi 600 °C, začíná proces nitridace. Podle výhodného provedení se plynný dusík přivádí do pece pod vakuem a množství přiváděného plynného dusíku závisí na množství dusíku požadovaném ve výsledném nitridovaném prášku a na množství základní partie prášku nacházející se v peci. Z příkladů je zřejmé, že pro dosažení různých obsahů dusíku v prášku byla připravena různá množství dusíku. Z hlediska předloženého vynálezu, odborník v oboru může snadno stanovit množství dusíku, které je třeba přivádět do pece pro požadované množství dusíku ve finálním práškovém kovu.
Je výhodné, jestliže přivádění plynného dusíku nebo jakákoliv jiná technologie se neprovádí při teplotách vyšších než 600 °C, protože slučování dusíku s tantalem je exotermická reakce, která vyvíjí teplo a vede k autokatalytickému procesu, který může být nekontrolovatelný. Tato reakce vede k nestejnoměrné distribuci dusíku v základní partii prášku.
Obecně se v průběhu procesu nitridace dusík přivádí do pece a je bezprostředně adsorbován v základní partii prášku nacházejícího se v peci. Jakmile je plynný dusík adsorbován, nebo před tímto krokem, základní partie prášku se podrobuje fázi tepelného zpracování při vyšší teplotě nebo sintrovací fázi tepelného zpracování popsaného výše. Po provedení tepelného zpracování při vysoké teplotě a požadované nitridaci základní partie prášku se teplota s výhodou podstatně sníží pro pasivaci prášku. Obecně je prášek ve formě koláče z prášku, který se následně podrobuje mletí. Prášek pak může být podroben dezoxidačnímu procesu. Mohou být použity jakékoliv konvenční dezoxidační procesy, například s hořčíkem nebo jiným getrem kyslíku. Po ukončení kroku dezoxidace a následného kyselého loužení může být prášek dále zpracováván obvyklým způsobem, například lisováním do pelet a sintrováním při požadované teplotě, která závisí na požadované kapacitanci a typu sintrovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Sintrované pelety potom mohou být použity jako anody kondenzátorů za použití obvyklých technik známých v průmyslu, například popsaných v patentech US 4 805 074, US 5 412 533, US 5 211 74i), US 5 245 514 a EP-AI 0 634 762, jejichž obsah se odkazem začleňuje.
Nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem v průběhu kroku tepelného zpracování je výhodná v porovnání s jinými nitridačními postupy, které typicky probíhají v průběhu kroku dezoxidace. Nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem v průběhu kroku tepelného zpracování poskytuje stejnoměrnějšího rozdělení dusíku v celém množství práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Jednou příčinou toho může být skutečnost, že nitridace nastává v dřívějším stupni zpracování kovu, a potom probíhají další kroky, které zahrnují podrobení kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem vysokým teplotám. Tyto přídavné kroky napomáhají stejnoměrnému rozdělení dusíku. Čím dříve nastává nitridace, tím stejnoměrnějšího rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem může být dosaženo. Dosažené stejnoměrné rozdělení dusíku je zřejmé z příkladů.
Jistě je možné, a také je v rozsahu vynálezu, provádění více než jednoho kroku nitridace pro dosažení požadovaného obsahu dusíku ve finálním produktu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Předložený vynález bude dále objasněn za pomoci následujících příkladů, jimiž se však rozsah vynálezu neomezuje.
-6CZ 305376 B6
Příklad 1
Bylo použito 42,7 kg základní partie práškového tantalu majícího vlastnosti uvedené v tabulce 1. Základní partie práškového tantalu byla uvedena do pece a vystavena vakuu. Odplynění vodíku bylo provedeno zvýšením teploty základní partie prášku na asi 745 °C po dobu 1 hodiny, přičemž v průběhu této doby byl uvolňovaný vodík, zvyšující tlak, odtahován pomocí vakua. Poté, stále za vakua, byla teplota základní partie prášku dále zvýšena na asi 1146 °C po dobu 60 minut, a pak byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 1458 °C po dobu 30 minut, a pak byla teplota snížena na asi 350 °C. Když byla pec ochlazena na asi 100 °C, byl na pomoc procesu chlazení přiváděn argon. Po dosažení nízké teploty byl argon odtáhnut pomocí vakua a byl přiveden dusík, přičemž argon byl nahrazen dusíkem při tlaku asi 10,6 kPa. V průběhu přidávání dusíku byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 500 °C rychlostí 1 °C za minutu a tlak plynného dusíku poklesl na asi 133,3 Pa nebo méně, protože dusík byl adsorbován tantalem. Jakmile byl dusík adsorbován, pec byla naplněna argonem a prášek byl ponechán zchladnout. Tento postup znázorňuje obr. 1.
Měřením bylo zjištěno, že základní partie prášku měla obsah dusíku asi 1500 ppm. Obr. 1 znázorňuje změny teploty a tlaku, jakož i okamžik zavedení dusíku v průběhu tepelného zpracování.
Příklad 2
Základní partie práškového tantalu (32,7 kg tantalu, z toho 16,3 kg tantalu bylo dopováno 50 ppm P) obdobného prášku použitému v příkladu 1 bylo podrobeno tepelnému zpracování jako v příkladu 1, přičemž základní partie prášku byla podrobena odplynění vodíku zvýšením teploty základní partie prášku na asi 750 °C po dobu 1 hodiny a 15 minut. V průběhu této doby uvolňovaný vodík byl odtahován pomocí vakua. Když úroveň vakua dosáhla 10 mikrometrů nebo méně, byla teplota základní partie prášku snížena na asi 350 °C, přičemž do pece byl zaveden plynný dusík o tlaku asi 10,64 kPa. Obdobně jako v příkladu 1, dusík byl v podstatě úplně adsorbován tantalovým práškem, přičemž během této doby se zvýšila teplota o asi 60 °C. Po ukončení nitridace byla komora pece evakuována na 10 mikrometrů nebo méně a poté byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 1186 °C na dobu asi jedné a půl hodiny, a potom dále zvýšena na více než asi 1350 °C na dobu 30 minut (sintrovací fáze tepelného zpracování), načež byla základní partie práškového tantalu ponechána zchladnout pro další zpracování. Tento postup znázorňuje obr. 2.
Příklad 3
Prášky z příkladů 1 a 2 byly zpracovány následovně:
Tepelně zpracovaný materiál, který byl ve formě koláčů, byl rozdrcen a přetříděn na sítě 70 mesh (otvory 0,21 mm, standardní sada US sít). Prášek pod 70 mesh byl smísen s hořčíkem. Obsah hořčíku byl 0,75 % hmotn. Práškový tantal smíchaný s hořčíkem byl dezoxidován reakcí při 850 °C. Krok dezoxidace byl prováděn pro snížení obsahu kyslíku v práškovém tantalu na rozumnou úroveň. Dezoxidovaný práškový tantal pak byl zpracován kyselinou dusičnou, kyselinou fluorovodíkovou a deionizovanou vodou pro odstranění zbylého hořčíku a oxidu hořečnatého vytvořeného při procesu dezoxidace. Prášek zpracovaný kyselinou byl dále proplachován deionizovanou vodou do dosažení vodivosti deionizované vody menší než 10 míkroohm/cm. Propláchnutý tantalový prášek byl sušen za použití vakuové sušárny. Byl odebrán reprezentativní vzorek vysušeného prášku a byl analyzován na fyzikální, chemické a elektrické vlastnosti. Výsledky jsou uvedeny v tabulkách 1, 2 a 3. Elektrické vlastnosti byly vyhodnoceny za použití následujícího postupu:
-7CZ 305376 B6 (1) Výroba anod (a) N= 16 anod ze vzorku (b) průměr 3,137 mm délka 2,593 mm hmotn. prášku 100 mg hustota 5,0 g/cm3 (2) Sintrovací anod (NRC pec) (a) 1 aglomerát
1430 °C * 30' (zvyšování 10 °C za minutu) (3) Vyhodnocení 100 V ef (a) anodizace (1) formování
N= 8 anod (jedna konstrukce) na vzorek (1) konstrukce/vzorek+standardy (2) elektrolyt (1 % H3PO4 @ 90 °C 3,08 mS (3) konstantní proudová hustota 75 mA/g (4) konečné napětí 100,0 VDC ±0,03 (5) doba konečného napětí 180 min ±5 min (6) 25 °C napouštění 30 min (7) 100 °C sušárna po dobu 30 min (b) DCsvod (1) náboj E=70,0±0,2 (2) doba nabíjení 30 s a 120 s (3) testovací elektrolyt 10% H3PO4 @ 21 °C (c) Kapacitance/DF (1) testovací elektrolyt 18 % H3PO4 @ 21 °C (2) předpětí 2,5 VDC (3) frekvence 120 Hz (4) sériová kapacitance (5) GenRad#165
Příklad 4
Vzorek byl připraven za použití základní partie práškového tantalu popsaného v tabulce 9. Vzorek byl připraven napuštěním 27,2 kg tantalu 34 % deionizované vody obsahující dopovací sloučeninu pro zavedení 100 ppm fosforu. Fosfor byl napouštěn 16 hodin. Napuštěný prášek byl převeden na plechy z nerezové oceli povlečené teflonem a byla přidána další 3 % deionizované vody. Vlhký prášek byl vibrován po dobu osmi až deseti minut na vibrovacím stole. Po vibrování
-8CZ 305376 B6 byly plechy ponechány ležet alespoň šedesát minut pro oddělení veškeré vody. Oddělená voda byla dekantována. Poté byly sušicí plechy převedeny do vakuové sušárny. Byla použita vakuová sušárna od firmy STOKES VACUUM Inc., model 338J. Materiál na podložkách z nerezové oceli byl sušen přibližně 14 hodin při teplotě asi 90,6 °C a tlaku 6,65 kPa. Vysušený práškový tantal byl převeden na tantalové podložky pro tepelné zpracování. Tepelné zpracování bylo prováděno při teplotě přibližně 1309 °C po dobu asi 30 minut. Koláče byly převedeny do dávkovači nádoby pro mletí a byly mlety a tříděny za použití síta 70 mesh (otvory 0,21 mm, standardní sada US sít). Frakce materiálu pod 70 mesh byla dezoxidována za použití 2 % hořčíku při 850 °C a podrobena kyselému loužení pomocí kyseliny dusičné peroxidu vodíku a deionizované vody. Prášek byl dále proplachován deionizovanou vodou do snížení vodivosti na méně než 5 mikroohm/cm. Vzorky byly znovu dezoxidovány pro snížení obsahu kyslíku za použití 2 % hořčíku při 850 °C podrobeny kyselému loužení, proplachovány a sušeny, jak je popsáno výše. Finální produkt byl analyzován a data jsou uvedena v tabulce 4 a 9.
Elektrické vlastnosti byly vyhodnoceny za použití následujícího postupu:
(1) Výroba anod (a) Habererův lis (1) N= 16 anod ze vzorku (2) nelubrikovaný prášek (3) velikost-průměr 3,924 mm, délka 3,111 mm (4) hustota 5,0 g/cm3 (5) hmotnost prášku 188 mg (2) Sintrování anod (a) NRCpec
1335 °C * 10 (zvyšování „A“) (3) Vyhodnocení 30 V ef (a) anodizace (1) N= 8 anod (jedna konstrukce) na vzorek (2) elektrolyt; testovací elektrolyt E251 (0,06 H3PO3 @ 83 °C 3,08 mS) (3) konstantní proudová hustota: E251 testovací proud (337,5 mA/g) (4) konečné napětí 30,0 VDC ±0,03 (5) doba konečného napětí 300 min ±5 min (6) napouštění 25 °C 30 min (7) 100 °C sušárna po dobu 30 min (b) DCsvod (1) náboj E=21,0±0,2 (2) doba nabíjení 30 s a 120 s (3) testovací elektrolyt 10% H3PO4 @ 21 °C
-9CZ 305376 B6 (c) Kapacitance/DF (1) testovací elektrolyt 18 % H3PO4 @ 21 °C (2) předpětí 2,5 VDC (3) frekvence 120 Hz (4) sériová kapacitance (5) GenRad#1658
Finální vlastnosti tantalových prášků jsou uvedeny v tabulkách 4, 5 a 9.
Příklad 5
V tomto příkladu bylo asi 20,43 kg základní partie práškového tantalu nitridováno jako v příkladu 4, s tou výjimkou, že finální teplota prášku byla asi 1300 °C po dobu asi 30 minut. Vlastnosti výsledného nitridovaného tantalu jsou uvedeny v tabulkách 4 a 5. Obr. 3 znázorňuje rozdělení velikosti pórů slisovaných a sintrovaných tantalových pelet a obr. 4 znázorňuje kumulativní objem pórů pro každou velikost pórů.
Příklad 6
32,7 kg základní partie práškového tantalu bylo dopováno dusíkem na cílový obsah dusíku 1500 ppm. Při tomto procesu byl prášek zahřát na 740 °C, načež následovalo odplynění vodíku a poté byl prášek ochlazen na asi 325 °C. V této chvíli byl přiveden plynný dusík stejným způsobem jako v příkladu 1. Po dopování dusíkem byly vzorky vyjmuty pro zjištění, zda bylo dopování dusíkem stejnoměrné na všech podložkách obsahujících práškový tantal v peci. Podrobnosti dopování dusíkem a další parametry jsou uvedeny v tabulce 6. Tabulka 7 (postup číslo 5) uvádí také další pokusy zahrnující dopování dusíkem pro různé vzorky v peci s cílovou hodnotou 2500 ppm dusíku ve finálním produktu.
Pro srovnávání byl práškový tantal nitridován průběhu dezoxidačního stupně. Množství dopovacího dusíku bylo vyšší, aby bylo zajištěno, že bude dusík adsorbován na všech podložkách. Podrobnosti jsou uvedeny v tabulce 8.
Jak je zřejmé z tabulek 6 a 7, obsah dusíku v průměru byl v každém případě velmi blízký cílové hodnotě a celkový rozdíl mezi jednotlivými podložkami byl v rámci přijatelných hodnot. Když byla nitridace prováděna v průběhu kroku dezoxidace, bylo pozorováno nestejnoměrné rozdělení dusíku od podložky k podložce, jak je zřejmé z tabulky 8. Konkrétněji byly zjištěny velké rozdíly adsorbovaného množství dusíku mezi jednotlivými podložkami. Zatímco nitridace během tepelného zpracování vedla k odchylkám asi 1000 až 1500 ppm, nitridace při dezoxidaci vedla k odchylkám přes 20 000 ppm.
Další provedení předloženého vynálezu jsou odborníkovi zřejmá na základě popisu a praktického provádění popsaného vynálezu. Popis a příklady je třeba chápat jen jako ilustrativní, přičemž skutečný rozsah a myšlenka vynálezu jsou dány patentovými nároky ajejich ekvivalenty.
- 10CZ 305376 B6
Tabulka 1
Byla použita směs základní partie HP410, 16,3 kg HP410-B-121828 a 16,3 kg HP410-B5 121829. 16,3 kg bylo zpracováno bez P a zbylých 16,3 kg bylo dopováno 50 ppm P za použití
NH4PF6. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík. Cílová hodnota byla 1500 ppm. Tepelné zpracování po dobu 90 min @ 1190 °C, poté 30 min @ 1350 °C (SPC 1447 C).
8187-11-B 8187-11-NM2
základní partie finální produkt
HT nastaveni 30 min @ 1350 °C
FSS (mikrometry) 0,89 2,54
hustota Scott (g/palec3) 18,7 31,0
BET (m*/g) 1,00 0,59
Na (ppm) 6 2
K (ppm) 11 4
P (ppm) 48 4
C (ppm) 12 24
O (ppm) 2822 1670
N (ppm) 29 2326
H (ppm) 557 36
Si (ppm) 240 19
Fe (ppm) 4 4
Ni (ppm) 5 10
Cr (ppm) 4 4
Nb (ppm) 24 24
Ti (ppm) 4 4
Mn (ppm) 4 4
Sn (ppm) 4 4
Ca (ppm) 4 4
AI (ppm) 4 4
Mo (ppm) 4 4
W (ppm) 24 24
Zr (ppm) 4 4
Mg (ppm) 4 4
B (ppm) 3 3
Co (ppm) 4 4
Cu (ppm) 4 4
třídění
nad 60 2,4
60/100 14,7
100/200 26,4
200/325 15,2
325/400 AP
pod 400 32,3
tekutost (mg/s) 163
drticí síla
1480 C 50 V kapac. 25 970
DC svod (nA/CV) 0,07
fliers 0/8
smrštění 3,3
hustota aglomerátů 5,4
Hustota po slisování 5,0 g/cmJ
-11 CZ 305376 B6
Tabulka 2 (příklad 1)
Byla použita směs základní partie HP410, 16,3 kg HP410-B-121828 a 16,3 kg HP410-B5 121829. 16,3 kg bylo zpracováno bez P a zbylých 16,3 kg bylo dopováno 50 ppm P za použití
NH4PF6. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík. Cílová hodnota byla 1500 ppm. Tepelné zpracování po dobu 90 min @1190 °C, poté 30 min @ 1350 °C (SPC 1447 C).
8187-11-B 8187-11-NM2
základní partie finální produkt
HT (SCP) 1447 C
FSS (mikrometry) 0,89 2,54
hustota Scott (g/cm3) 1,14 1,89
BET(m7g) 1,00 0,59
C (ppm) 12 24
O (ppm) 2822 1670
N (ppm) 29 2326
H (ppm) 557 36
třídění
nad 60 2,4
60/100 14,7
100/200 26,4
200/325 15,2
325/400 9,0
pod 400 32,3
tekutost (mg/s) 163
1430 C 100 VC
kapac. (CV/g) 23 829
DC svod (nA/CV) 0,33
smrštění 0,1
hustota aglomerátů 5,1
-12CZ 305376 B6
Tabulka 3 (příklad 2)
8187-11-B 8187-19-NM
základní partie finální produkt
HT (SCP) 1458 C
FSS (mikrometry) (mod.) 0,89 2,35
hustota Scott (g/cm3) . 1,14 1,79
BET (m2/g) 0,37
C (ppm) 12 23
0 (ppm) 2822 1959
N (ppm) 29 1333
H (ppm) 557 50
třídění
nad 60 0,0
60/100 7,3
100/200 28,2
200/325 18,7
325/400 10,2
pod 400 35,5
1430 C 100Vkapac.
kapac. (CV/g) 24 885
DC svod (nA/CV) 0,24
smrštění -0,6
hustota aglomerátů 4,8
- 13CZ 305376 B6
Tabulka 4
Fyzikální a chemické vlastnosti nitridovaného prášku
8280-66-nm2a 8280-67-nm2a 8280-68-nm2a průměr
modifikovaná FSS (mikrometry) 2,91 2,39 2,32 2,54
hustota Scott (g/cm3) 1,70 1,66 1,70 1,70
BET 1,11 1,03 1,15 1,10
C (ppm) 60 56 57 58
0 (ppm) 3288 3058 2978 3180
N (ppm) 2509 2379 2483 2457
H (ppm) 71 81 87 79,7
Si (ppm) 5 5 4 V
Ni (ppm) 17 4 4 8,3
Fe (ppm) 4 4 4 4,0
Cr (ppm) 4 4 4 4,0
Nb (ppm) 24 24 24 24
Ti (ppm) 4 4 4 4,0
Mn (ppm) 4 4 4 4,0
Sn (ppm) 4 4 4 4,0
Ca (ppm) 4 4 4 4,0
AI (ppm) 4 4 4 4,0
Mo (ppm) 4 4 4 4,0
W (ppm) 24 24 24 24,0
Zr (ppm) 4 4 4 4,0
Mg (ppm) 5 5 10 6,7
B (ppm) 1 1 1 1,0
Co (ppm) 4 4 4 4,0
Cu (ppm) 4 4 4 4,0
Na (ppm) 6 4 5 5,0
K (ppm) 29 26 28 27,7
třídění
nad 60 0 0 0 0,0
60/100 23,4 23,7 30,5 25,87
100/200 33,1 35,2 33,2 33,83
200/325 15,6 14,6 12,6 14,27
325/400 8,2 7,8 6,8 7,60
pod 400 19,7 18,7 16,9 18,43
tekutost (mg/s) 97,4 103,4 103,3 101,4
mtrack
per 10 27,72 29,83 22,33 26,63
per 50 118,31 119.08 109,43 115,61
per 90 261,04 260,8 265,11 262,32
SA 0,102 0,094 0,127 0,11
- 14CZ 305376 B6
Tabulka 5
Elektrické vlastnosti nitridovaného prášku
8280-66-nm2a 8280-67-nm2a 8280-68-nm2a průměr
Sintrovací teplota
1335C30 V 36,3 35,9 41,0 37,7
kapac. (CV/g) 67 726 68 686 68 898 68 437
DC svod (nA/CV) 0,31 0,27 0,36 0,32
fliers 0 1 0 0,33
hustota aglomerátů 5,20 5,17 5,18 5,18
smrštění 1,68 1,81 1,61 1,70
Sintrovací teplota
1265*C30V
kapac. (CV/g) 70 266 71 198 71 769 71 077
DC svod (nA/CV) 0,30 0,35 0,26 0,30
fliers 0 0 0 0,00
hustota aglomerátů 4,94 4,92 4,95 4,94
smrštění 0,05 0,11 0,16 0,11
Sintrovací teplota
1335°C 60 V
kapac. (CV/g) 53 802 54 719 54 495 54 338
DC svod (nA/CV) 0,53 0,38 0,42 0,44
fliers 0 0 0 0,00
hustota aglomerátů 5,19 5,17 5,18 5,18
smrštění 1,68 1,81 1,61 1,70
Sintrovací teplota
1265*C60V
kapac. (CV/g) 55 541 56 460 56 370 56 124
DC svod (nA/CV) 0,63 0,44 0,43 0,50
fliers 0 1 0 0,33
hustota aglomerátů 4,94 4,92 4,95 4,94
smrštěni 0,05 0,11 0,16 0,11
Hustota po slisováni byla vždy 5,0 g/cm3
-15CZ 305376 B6
Tabulka 6
32,7 kg základní partie HP410 (C410-S-128793) bylo dopováno dusíkem na cílovou hodnotu 5 1500 ppm. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík.
Podložka Poloha Kyslík Dusík
8187-10-1T podložka 1 navrch 3748 598
8187-10-1M podložka 1 vprostřed 4467 2172
8187-10-1B podložka 1 vespod 4498 1749
8187-10-2T podložka 2 navrch 3924 1056
8187-10-2M podložka 2 vprostřed 4055 1539
8187-10-2B podložka 2 vespod 4567 1570
8187-1Q-3T podložka 3 navrch 3598 938
8187-10-3M podložka 3 vprostřed 4386 1586
8187-10-3B podložka 3 vespod 4605 1328
8187-10-4T podložka 4 navrch 3700 719
8187-10-4M podložka 4 vprostřed 4041 696
8187-10-4B podložka 4 vespod 4269 673
8187-10-5T podložka 5 navrch 3794 813
8187-10-5M podložka 5 vprostřed 4207 1689
8187-10-5B podložka 5 vespod 4402 2297
8187-10-6T podložka 6 navrch 3662 1300
8187-10-6M podložka 6 vprostřed 4399 2382
8187-10-6B podložka 6 vespod 4424 1612
8187-10-7T podložka 7 navrch 3671 1279
8187-10-7M podložka 7 vprostřed 4321 2084
8187-10-7B podložka 7 vespod 4419 1702
8187-10-8T podložka 8 navrch 3926 1074
8187-10-8M podložka 8 vprostřed 4228 679
8187-10-8B podložka 8 vespod 4692 554
8187-10-NBZ směs 4165 1420
průměr 4171 1329
ío Hmotnost práškového Ta: 32,7 kg Cílový obsah dusíku: 1500 ppm Průtok dusíku: 3 litry/min Doba přidávání dusíku: 16 minut Celkový tlak: 17,4 kPa
Teplota dopování dusíkem: 325 °C, vzestup 1 °C/min Celková doba absorpce dusíku: 240 minut Konečná teplota: 498 °C
-16CZ 305376 B6
Tabulka 6 (pokračování)
Analýza dusíku pro postup 8187-10-H
vpředu vzadu
podložka 1 navrch 598 813
vprostřed 2172 1689
vespod 1749 2297
podložka 2 navrch 1056 1300
vprostřed 1539 2382
vespod 1570 1512
podložka 3 navrch 938 1279
vprostřed 1586 2084
vespod 1328 1702
podložka 4 navrch 719 1074
vprostřed 696 679
vespod 573 554
průměr 1210 1329 1447
směs 1420
- 17CZ 305376 B6
Tabulka 7
32,7 kg základní partie HP410 (C410-S-128793) bylo dopováno dusíkem na cílovou hodnotu 5 2500 ppm. PLC drcen v průběhu fáze chlazení. Pokus byl přerušen a obnoven 5/11/99. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík.
Podložka Poloha Uhlík Kyslík Dusík Vodík
8187-2-1T podložka 1 navrch 45 6612 1076 44
8187-2-1M podložka 1 vprostřed 28 5705 2278 29
8187-2-1B podložka 1 vespod 38 6136 2335 30
8187-2-2T podložka 2 navrch 48 6247 2314 33
8187-2-2M podložka 2 vprostřed 28 5646 2346 27
8187-2-2B podložka 2 vespod 42 5136 2213 23
8187-2-3T podložka 3 navrch 51 5881 2002 38
8187-2-3M podložka 3 vprostřed 29 5618 1742 26
8187-2-3B podložka 3 vespod 35 5853 1838 30
8187-2-4T podložka 4 navrch 56 5936 946 37
8187-2-4M podložka 4 vprostřed 26 5481 664 27
8187-2-4B podložka 4 vespod 34 5869 681 25
8187-2-5T podložka 5 navrch 53 6463 1467 43
8187-2-5M podložka 5 vprostřed 33 5706 4237 27
8187-2-5B podložka 5 vespod 39 5987 3464 27
8187-2-6T podložka 6 navrch 44 5784 2478 38
8187-2-6M podložka 6 vprostřed 50 5743 3240 21
8187-2-6B podložka 6 vespod 39 6035 3259 16
8187-2-7T podložka 7 navrch 42 6131 2319 36
8187-2-7M podložka 7 vprostřed 28 5708 2189 26
8187-2-7B podložka 7 vespod 35 6027 2161 26
8187-2-8T podložka 8 navrch 58 5848 1364 31
8187-2-8M podložka 8 vprostřed 27 5624 842 30
8187-2-8B podložka 8 vespod 33 5848 670 19
8187-2-NBZ směs 36 5821 2407 21
průměr 39 5922 2001 30
ío Hmotnost práškového Ta: 31,8 kg Cílový obsah dusíku: 2500 ppm Průtok dusíku: 3 litry/min Doba přidávání dusíku: 24 minut Celkový tlak: 27,3 kPa
Teplota dopování dusíkem: 325 °C, vzestup 1 °C/min Celková doba absorpce dusíku: 176 minut Konečná teplota: 489 °C
- 18CZ 305376 B6
Tabulka 7 (pokračování)
Analýza dusíku pro postup 8187-2-H
vpředu vzadu
podložka 1 navrch 1076 1467
vprostřed 2278 4237
vespod 2335 3464
podložka 2 navrch 2314 2478
vprostřed 2346 3240
vespod 2213 3259
podložka 3 navrch 2002 2319
vprostřed 1742 2189
vespod 1838 2161
podložka 4 navrch 946 1364
vprostřed 664 842
vespod 581 670
průměr 1695 2001 2308
směs 2407
Tabulka 8 io
Nitridace na cílovou hodnotu 2500 ppm
Všechny šarže byly dezoxidovány pomocí 0,75% hořčíku @ 850 °C (100 min napouštění a 60 min vakuum). Nastavení parametrů nitridace 450 °C s 5000 ppm @ průtok 2,5 litrů/min.
V průběhu dopování dusíkem se nezvyšoval tlak.
Po dezoxidaci a kyselém loužení
Vzorek dusík (ppm) kyslík (ppm)
8030-95-M1 938 2093
8030-95-M2 14 670 1883
8030-95-M3 20 330 2429
8030-95-M4 1 10 050 2466
8030-95-M5 27 190 1991
8030-95-M6 17740 1767
8030-95-M7 10 920 2067
8030-95-M8 5621 1773
8030-95-M9 2909 2373
8030-95-M10 2352 2401
8030-95-M11 1546 2127
8030-95-M12 1176 2052
8030-95-M13 630 '2870
8030-95-M14 539 2101
Když bylo dopování dusíkem prováděno v průběhu dezoxidace, bylo pozorováno nerovnoměrné 20 rozdělení dusíku.
-19CZ 305376 B6
Tabulka 9
Postup
Základní partie byly napuštěny 34 % vody.
Aglomerovány s 37 % vody.
Materiály byly tepelně zpracovány při teplotě anody 1309 SPC. Byly dopovány dusíkem před zahřátím.
io Cílový obsah dusíku je 2500 ppm.
základní partie finální produkt
8280-66-b 8260-67-nm2a
modif. FSS (mikrometry) 0,37 2,39
hustota Scott (g/cm3) 0,750 1,696
BET 2,74 1,03
C (ppm) 46 56
O (ppm) 8682 3058
N (ppm) 43 2379
H (ppm) 1482 81
třídění
nad 60 0
60/100 23,7
100/200 35,2
200/325 14,6
325/400 7,8
pod 400 18,7
tekutost 103,4
1335C30 V
Kapac. (CV/g) 68 686
DC svod (nA/CV) 0,27
fliers 1
hustota aglomerátu 5,17
smrštění 1,81
PATENTOVÉ NÁROKY

Claims (31)

  1. 20 1. Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, kterým je tantal, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm3.
  2. 2. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že obsahuje
    25 póry o velikosti alespoň 2 pm.
  3. 3. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má hustotu podle Scotta 1,59 až 1,95 g/cm3.
    30
  4. 4. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 2000 až 3000 ppm.
    -20CZ 305376 B6
  5. 5. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačuj vou plochu BET 1 až 3 m2/g.
    se tím, že má povrcho
  6. 6. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím vou plochu BET 0,5 až 3 m2/g.
  7. 7. Nitridovaný práškový tantal podle nároku je fosfor a/nebo kyslík.
    vyznačující se tím že dále obsahu
  8. 8. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím je 50 až 150 ppm fosforu a/nebo 1500 až 3500 ppm kyslíku.
    že má povrchože dále obsahu
  9. 9. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má dále povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
  10. 10. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 1500 až 4000ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm.
  11. 11. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
  12. 12. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob.
  13. 13. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
  14. 14. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 11, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
  15. 15. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 12, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
  16. 16. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že tím, že má povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
  17. 17. Způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, vyznačující se tím, že zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fází tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 °C.
  18. 18. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí plynným dusíkem.
  19. 19. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí pomocí alespoň jedné sloučeniny uvolňující dusík.
  20. 20. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že výsledkem nitridace je kov s nízkým elektrochemickým potenciálem mající obsah dusíku 1500 až 4000 ppm.
    -21 CZ 305376 B6
  21. 21. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že tepelné zpracování zahrnuje zahřívání kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem na teplotu 1250 až 1500 °C po dobu 10 minut až 2 hodin, přičemž kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
  22. 22. Způsob podle nároku 20 nebo 21, vyznačující se tím, že výsledný produkt se drtí nebo mele.
  23. 23. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí při teplotě 250 až 600 °C.
  24. 24. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že z kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se před nitridací odplyněním odstraní vodík.
  25. 25. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem se po nitridaci podrobuje alespoň jednomu kroku pasivace, alespoň jednomu kroku dezoxidace a alespoň jednomu kroku sintrování.
  26. 26. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
  27. 27. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob.
  28. 28. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že průměrná teplota kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se zvyšuje rychlostí nižší než 10 °C za minutu až do dokončení nitridace.
  29. 29. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje tantal podle nároku 11.
  30. 30. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje niob podle nároku 12.
  31. 31. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, jehož kapacitance po zformování do anody kondenzátoru při napětí 30 voltů je 40 000 až 80 000 CV/g.
CZ2002-2943A 2000-03-01 2001-02-28 Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem CZ305376B6 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18597900P 2000-03-01 2000-03-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ20022943A3 CZ20022943A3 (cs) 2003-08-13
CZ305376B6 true CZ305376B6 (cs) 2015-08-26

Family

ID=22683158

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2002-2943A CZ305376B6 (cs) 2000-03-01 2001-02-28 Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem

Country Status (15)

Country Link
US (2) US6679934B2 (cs)
EP (1) EP1259346A2 (cs)
JP (1) JP4261105B2 (cs)
KR (1) KR20020091109A (cs)
CN (1) CN100491022C (cs)
AU (2) AU2001239946B2 (cs)
BR (1) BR0108905A (cs)
CA (1) CA2401779A1 (cs)
CZ (1) CZ305376B6 (cs)
HK (1) HK1053078A1 (cs)
IL (2) IL151549A0 (cs)
MX (1) MXPA02008557A (cs)
RU (1) RU2246376C2 (cs)
TW (1) TW539585B (cs)
WO (1) WO2001064374A2 (cs)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ306436B6 (cs) * 2006-05-05 2017-01-25 Cabot Corporation Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
CN100491022C (zh) 2000-03-01 2009-05-27 卡伯特公司 氮化的电子管金属及其制造方法
JP3718412B2 (ja) * 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
US6554884B1 (en) 2000-10-24 2003-04-29 H.C. Starck, Inc. Tantalum and tantalum nitride powder mixtures for electrolytic capacitors substrates
JP3624898B2 (ja) * 2002-04-26 2005-03-02 昭和電工株式会社 ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
JP2004143477A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Cabot Supermetal Kk ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ
US7157073B2 (en) 2003-05-02 2007-01-02 Reading Alloys, Inc. Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom
JP4773355B2 (ja) 2003-05-19 2011-09-14 キャボット コーポレイション ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法
US7803235B2 (en) * 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
US7085127B2 (en) * 2004-03-02 2006-08-01 Vishay Sprague, Inc. Surface mount chip capacitor
US7088573B2 (en) * 2004-03-02 2006-08-08 Vishay Sprague, Inc. Surface mount MELF capacitor
US20050225927A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-13 Tagusagawa Solon Y Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom
US7729104B2 (en) * 2004-04-15 2010-06-01 Jfe Mineral Company, Ltd. Tantalum powder and solid electrolyte capacitor including the same
DE112005001499T5 (de) * 2004-06-28 2007-05-10 Cabot Corp., Boston Flockenförmiges Tantal mit hoher Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung
US8057883B2 (en) * 2007-05-30 2011-11-15 Kemet Electronics Corporation Abrasive process for modifying corners, edges, and surfaces of capacitor anode bodies
JP4868601B2 (ja) * 2007-12-05 2012-02-01 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP2009164412A (ja) * 2008-01-08 2009-07-23 Kobe Steel Ltd 多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサ
CN100528418C (zh) * 2008-01-11 2009-08-19 宁夏东方钽业股份有限公司 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极
RU2445188C2 (ru) * 2009-12-28 2012-03-20 Открытое акционерное общество "Русполимет" Способ получения изделий из стальных гранул методом порошковой металлургии с равномерным распределением азота в объеме изделия
KR101838989B1 (ko) * 2013-12-10 2018-03-15 닝시아 오리엔트 탄탈럼 인더스트리 코포레이션 엘티디 높은 질소 함량을 갖는 캐퍼시터급 탄탈럼 파우더의 제조방법, 그로부터 제조된 캐퍼시터급 탄탈럼 파우더 및 탄탈럼 파우더로 제조된 캐퍼시터와 애노드
US20190308247A1 (en) * 2016-07-13 2019-10-10 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. Flaked tantalum powder and preparation method thereof
JP6815246B2 (ja) * 2017-03-27 2021-01-20 太平洋セメント株式会社 窒化タンタル粒子
CN107857240B (zh) * 2017-11-30 2021-03-30 株洲硬质合金集团有限公司 氮化铌粉末的生产方法
CN111906315B (zh) * 2020-07-17 2022-04-05 歌尔光学科技有限公司 粉末冶金方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427132A (en) * 1967-04-12 1969-02-11 Nat Res Corp Tantalum nitride powder and method for its preparation
CS164421B1 (cs) * 1972-03-06 1975-11-07
US4423004A (en) * 1983-03-24 1983-12-27 Sprague Electric Company Treatment of tantalum powder
EP0634762A1 (en) * 1990-09-13 1995-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A method for producing a solid electrolytic capacitor
WO1999057739A1 (en) * 1998-05-04 1999-11-11 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE791139A (fr) 1972-01-14 1973-03-01 Western Electric Co Procede pour le depot de beta-tantale dope par l'azote
USRE32260E (en) 1975-07-14 1986-10-07 Fansteel Inc. Tantalum powder and method of making the same
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
JPS63221842A (ja) 1987-03-11 1988-09-14 Nippon Steel Corp 金属粉体、金属化合物粉体およびセラミツクス粉体の製造方法および装置
US4805074A (en) 1987-03-20 1989-02-14 Nitsuko Corporation Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same
US5211741A (en) 1987-11-30 1993-05-18 Cabot Corporation Flaked tantalum powder
DE3820960A1 (de) 1988-06-22 1989-12-28 Starck Hermann C Fa Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung
DE3918691A1 (de) 1989-06-08 1990-12-13 Starck Hermann C Fa Nioboxidpulver (nb(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)) sowie verfahren zu dessen herstellung
US4968481A (en) 1989-09-28 1990-11-06 V Tech Corporation Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics
FR2671339B1 (fr) 1991-01-03 1993-08-27 Pechiney Electrometallurgie Procede de nitruration directe de metaux a bas point de fusion.
US5245514A (en) 1992-05-27 1993-09-14 Cabot Corporation Extruded capacitor electrode and method of making the same
US5448447A (en) 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US5412533A (en) 1993-06-22 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
EP0665302B1 (en) 1994-01-26 2000-05-03 H.C. Starck, INC. Nitriding tantalum powder
JP3434041B2 (ja) 1994-09-28 2003-08-04 スタルクヴイテック株式会社 タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
JPH0897096A (ja) 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
US5825611A (en) 1997-01-29 1998-10-20 Vishay Sprague, Inc. Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor
US6185090B1 (en) 1997-01-29 2001-02-06 Vishay Sprague, Inc. Method for doping sintered tantalum and niobium pellets with nitrogen
AU6495398A (en) * 1997-02-19 1998-09-09 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it
AU6396398A (en) 1997-02-19 1998-09-09 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
DE19831280A1 (de) 1998-07-13 2000-01-20 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern
US6171363B1 (en) 1998-05-06 2001-01-09 H. C. Starck, Inc. Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium
JP3196832B2 (ja) 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6576038B1 (en) 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
US6521013B1 (en) 1998-08-05 2003-02-18 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium sintered body for capacitor and replace with process for producing same
JP2000082639A (ja) 1998-09-04 2000-03-21 Nec Corp Nbコンデンサの製造方法
DE19847012A1 (de) 1998-10-13 2000-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung
AU1684600A (en) 1998-12-15 2000-07-03 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium capacitor and method of manufacture thereof
US6515846B1 (en) * 1999-02-08 2003-02-04 H.C. Starck, Inc. Capacitor substrates made of refractory metal nitrides
KR100650621B1 (ko) 1999-02-16 2006-11-27 쇼와 덴코 가부시키가이샤 니오브분말, 니오브소결체, 그 소결체를 사용한 축전지 및 그 축전지의 제조방법
US6212065B1 (en) 1999-04-01 2001-04-03 Vishay Sprague, Inc. Capacitor pellet and lead assembly
US6558447B1 (en) * 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
CN1221994C (zh) 1999-07-15 2005-10-05 昭和电工株式会社 铌粉、其烧结体和使用该烧结体的电容器
US6261337B1 (en) 1999-08-19 2001-07-17 Prabhat Kumar Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy
US6423110B1 (en) * 1999-12-08 2002-07-23 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body
CN100491022C (zh) 2000-03-01 2009-05-27 卡伯特公司 氮化的电子管金属及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427132A (en) * 1967-04-12 1969-02-11 Nat Res Corp Tantalum nitride powder and method for its preparation
CS164421B1 (cs) * 1972-03-06 1975-11-07
US4423004A (en) * 1983-03-24 1983-12-27 Sprague Electric Company Treatment of tantalum powder
EP0634762A1 (en) * 1990-09-13 1995-01-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A method for producing a solid electrolytic capacitor
WO1999057739A1 (en) * 1998-05-04 1999-11-11 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ306436B6 (cs) * 2006-05-05 2017-01-25 Cabot Corporation Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru

Also Published As

Publication number Publication date
US6679934B2 (en) 2004-01-20
CA2401779A1 (en) 2001-09-07
US20040108018A1 (en) 2004-06-10
KR20020091109A (ko) 2002-12-05
AU3994601A (en) 2001-09-12
US7144546B2 (en) 2006-12-05
CN100491022C (zh) 2009-05-27
IL151549A (en) 2006-10-05
WO2001064374A2 (en) 2001-09-07
JP2003525350A (ja) 2003-08-26
JP4261105B2 (ja) 2009-04-30
MXPA02008557A (es) 2003-04-14
EP1259346A2 (en) 2002-11-27
RU2246376C2 (ru) 2005-02-20
BR0108905A (pt) 2003-03-18
WO2001064374A9 (en) 2003-01-03
US20020088507A1 (en) 2002-07-11
WO2001064374A3 (en) 2002-03-21
CN1426334A (zh) 2003-06-25
AU2001239946B2 (en) 2004-12-16
CZ20022943A3 (cs) 2003-08-13
IL151549A0 (en) 2003-04-10
TW539585B (en) 2003-07-01
HK1053078A1 (zh) 2003-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ305376B6 (cs) Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem
JP7432927B2 (ja) 球状粉末含有陽極及びコンデンサ
US8562765B2 (en) Process for heat treating metal powder and products made from the same
US9466433B2 (en) Valve metal and valve metal oxide agglomerate powders and method for the production thereof
IL142601A (en) Durable metal powder with low oxygen level for use in powder metallurgy
JP2002206105A (ja) タンタル粉末の製法、タンタル粉末およびタンタル電解コンデンサ
JP5266427B1 (ja) コンデンサの陽極体の製造方法
JP6977021B2 (ja) 薄片状タンタル粉末およびその調製方法
US9691553B2 (en) Production method for tungsten anode body
EP2851915B1 (en) Method for manufacturing capacitor element
CN118492364A (zh) 一种耐高电压钽粉末的团化方法、由该方法制备的钽粉末以及由该钽粉末制备的电容器
JP2004238670A (ja) コンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Patent expired

Effective date: 20210228