CZ305376B6 - Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem - Google Patents
Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem Download PDFInfo
- Publication number
- CZ305376B6 CZ305376B6 CZ2002-2943A CZ20022943A CZ305376B6 CZ 305376 B6 CZ305376 B6 CZ 305376B6 CZ 20022943 A CZ20022943 A CZ 20022943A CZ 305376 B6 CZ305376 B6 CZ 305376B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- electrochemical potential
- metal
- low electrochemical
- nitrided
- ppm
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 175
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 101
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012255 powdered metal Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 7
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 241001155430 Centrarchus Species 0.000 description 6
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 2
- 102220502494 Mitogen-activated protein kinase-binding protein 1_C60V_mutation Human genes 0.000 description 1
- 229910017673 NH4PF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RBFRSIRIVOFKDR-UHFFFAOYSA-N [C].[N].[O] Chemical compound [C].[N].[O] RBFRSIRIVOFKDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N [N].[O] Chemical compound [N].[O] OLBVUFHMDRJKTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- QWARLPGIFZKIQW-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;nitric acid Chemical compound OO.O[N+]([O-])=O QWARLPGIFZKIQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/12—Metallic powder containing non-metallic particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/14—Treatment of metallic powder
- B22F1/145—Chemical treatment, e.g. passivation or decarburisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/24—Nitriding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/80—After-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
Abstract
Vynález se týká nitridovaného práškového kovu, zejména tantalu s nízkým elektrochemickým potenciálem majícím obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm.sup.3.n.. Dále sintrovaného nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantalu nebo niobu, který má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm. Způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fázi tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 .degree.C. Vynález se dále týká anody kondenzátoru obsahující tento kov.
Description
Oblast techniky
Předložený vynález se týká kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem („valve metals“), způsobu jejich výroby v přijatelné kvalitě pro použití v takových aplikacích jako jsou kondenzátory a podobně. Dále se týká anod kondenzátoru s jejich obsahem.
Dosavadní stav techniky
V průmyslu existuje trvalý požadavek na zlepšení vlastností kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, například tantalu, zejména pokud jde o kapacitanci a DC svod, dosažené po zformování anod kondenzátoru z kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem. Možnosti zlepšování různých vlastností kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zahrnují modifikace různých kroků při způsobech jejich výroby, včetně čištění.
Obecné způsoby pro přípravu kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem jsou odborníkovi známy. Například tantal se získává z rudy a následně drtí na prášek. Tantal se pak separuje z drcené rudy pomocí roztoku kyseliny a hustotní separací kyselého roztoku kyseliny obsahujícího tantal od kyselého roztoku obsahujícího niob a dalších nečistot. Z kyselého roztoku obsahujícího tantal se pak nechá krystalizovat sůl a tato sůl obsahující tantal pak reaguje s čistým sodíkem pro redukci soli obsahující tantal na tantal, za vzniku solí jiných prvků než tantal. Pomocí praní vodou se provádí odstranění solí a získávání tantalu, který se následně podrobuje jednomu nebo více krokům kyselého loužení pro odstranění chemických nečistot. Tantal se pak suší za vzniku takzvané základní partie prášku. Tato základní partie se typicky podrobuje tepelné úpravě nebo tepelné aglomeraci a pak se pasivuje pro získání koláče z prášku, který se následně mele na prášek. Pak se provádí krok dezoxidace za použití getru kyslíku, jako například hořčíku. Po kroku dezoxidace se tantalový prášek zpravidla podrobuje kyselému praní a suší se. Prášek se pak lisuje do pelet a sintruje se pro následné zpracování u výrobce kondenzátorů.
Předmětem zájmu v oboru je nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantalu, neboť se předpokládá, že takováto nitridace může snížit DC svod anod kondenzátorů zformovaných z takovéhoto nitridovaného tantalu. Běžné techniky nitridace primárně zahrnují použití sloučenin obsahujících dusík nebo dusíkového plynu během dezoxidačního stupně. Tento způsob má několik nevýhod, včetně nedostatečně stejnosměrného rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
V souladu s tím vyvstává požadavek zlepšit způsoby nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jakož i požadavek zlepšení výsledného produktu.
Podstata vynálezu
Cílem vynálezu je poskytnout způsoby nitridace kovů s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantalu.
Dalším cílem vynálezu je poskytnout způsob, který poskytuje stejnoměrnější rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
Dalším cílem vynálezu je poskytnout nitridované kovy s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantal.
- 1 CZ 305376 B6
Ještě dalším cílem vynálezu je poskytnout nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, jako například tantal, mající schopnost poskytnout vysokou kapacitanci, zároveň s vynikající tekutostí a/nebo hustotou podle Scotta.
Prvním aspektem předmětu vynálezu v základním provedení i) je nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, kterým je tantal, přičemž tento kov má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm3.
Přednostní provedení prvního aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména ii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
iii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má hustotu podle Scotta i) 1,59 až i) 1,95 g/cm3;
iv) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má obsah dusíku 2000 až 3000 ppm;
v) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má povrchovou plochu BET 1 až 3 m2/g;
vi) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má povrchovou plochu BET 0,5 až 3 m2/g;
vii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který dále obsahuje fosfor a/nebo kyslík;
viii) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který dále obsahuje 50 až 150 ppm, fosforu a/nebo 1500 až 3500 ppm kyslíku; a ix) nitridovaný práškový tantal podle provedení i), který má dále povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
Druhým aspektem předmětu vynálezu v základním provedení x) je sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, který má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm.
Přednostní provedení druhého aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména xi) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xii) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob;
xiii) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
xiv) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení xi), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm;
xv) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení xii), který obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm; a xvi) sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle provedení x), který má povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
-2CZ 305376 B6
Třetím aspektem předmětu vynálezu v základním provedení xvii) je způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, který zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fázi tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 °C.
Přednostní provedení třetího aspektu předmětu vynálezu zahrnují zejména xviii) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí plynným dusíkem;
xix) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí pomocí alespoň jedné sloučeniny uvolňující dusík;
xx) způsob podle provedení xvii), kde výsledkem nitridace je kov s nízkým elektrochemickým potenciálem mající obsah dusíku 1500 až 4000 ppm;
xxí) způsob podle provedení xvii), kde tepelné zpracování zahrnuje zahřívání kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem na teplotu 1250 až 1500 °C po dobu 10 minut až 2 hodin, přičemž kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xxii) způsob podle provedení xx) nebo xxi), kde výsledný produkt se drtí nebo mele;
xxiii) způsob podle provedení xvii), kde nitridace se provádí při teplotě 250 až 600 °C;
xxiv) způsob podle provedení xvii) kde z kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se před nitridací odplyněním odstraní vodík;
xxv) způsob podle provedení xvii), kde nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem se po nitridaci podrobuje alespoň jednomu kroku pasivace, alespoň jednomu kroku dezoxidace a alespoň jednomu kroku sintrování;
xxvi) způsob podle provedení xvii), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal;
xxvii) způsob podle provedení xvii), kde kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob; a xxviii) způsob podle provedení xvii), kde průměrná teplota kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se zvyšuje rychlostí nižší než 10 °C za minutu až do dokončení nitridace.
Čtvrtým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxix)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje tantal podle provedení xi).
Pátým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxx)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje niob podle provedení xii).
Konečně šestým aspektem předmětu vynálezu (provedení vynálezu xxxi)) je anoda kondenzátoru, která obsahuje nitridovaný práškový tantal podle provedení i), jehož kapacitance po zformování do anody kondenzátoru při napětí 30 voltů je 40 000 až 80 000 CV/g.
Další charakteristické znaky a výhody vynálezu jsou uvedeny v následujícím popisu, nebo jsou zřejmé z následujícího popisu, nebo mohou být seznány na základě zkušenosti s prováděním vynálezu. Cíle a výhody vynálezu mohou být realizovány a dosaženy pomocí znaků a jejich kombinací uvedených v popisu a v patentových nárocích.
-3 CZ 305376 B6
Objasnění výkresů
Připojené výkresy, které tvoří část této přihlášky, ilustrují několik provedení vynálezu, a spolu s popisem slouží k objasnění principů vynálezu.
Obr. 1 a 2 jsou grafy znázorňující teplotní a tlakové podmínky v průběhu tepelného zpracování, v němž byl tantalový prášek nitridován.
Obr. 3 a 4 jsou grafy znázorňující velikost průměru pórů nitridovaného tantalu proti logaritmu diferenciální intruze (ml/g) a velikost průměru pórů nitridovaného tantalu proti kumulativnímu objemu pórů (ml/g).
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, jak je chápán v kontextu tohoto vynálezu, zahrnuje tantal nebo niob, avšak není na tyto kovy omezen. Přednostně se jedná o tantal nebo niob, výhodněji tantal.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, který se nitriduje, může být v jakékoliv formě, s výhodou ve formě prášku. Prášek může mít jakýkoliv tvar, například vločkový, jehličkový nebo kombinaci těchto tvarů nebo podobně. Dále, prášek může mít jakýkoliv měrný povrch a velikost částic a/nebo velikost aglomerátů. Například, prášek může mít měrný povrch BET asi 0,5 až asi 10 m2/g, s výhodou asi 1 až asi 3 m2/g.
Dále, když je prášek, jako například tantal, zformován do anody kondenzátorů, kondenzátor má s výhodou kopacitanci asi 20 000 až asi 80 000 CV/g, s výhodou asi 26 000 až asi 64 000 CV/g, je-li zformován při napětí 30 voltů a slisován na hustotu 5,5 g/cm3.
Práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantal, má s výhodou tekutost asi 70 až asi 300 mg/s, výhodněji asi 80 až asi 200 mg/s, stanovenou pomocí testu tekutosti popsaného například ve WO 99/61184, jejíž obsah se odkazem zahrnuje. Práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, zejména tantal, má, dále nebo alternativně, s výhodou hustotu podle Scotta asi 1,50 až 2,40 g/cm3, výhodněji asi 1,58 až asi 1,92 g/cm3.
Množství dusíku přítomného v práškovém kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem může být jakékoliv v množství vhodné pro jeho aplikaci jako anod kondenzátorů. S výhodou je obsah dusíku asi 1500 ppm až asi 9000 ppm. Bylo zjištěno, že množství obecně větší než asi 4000 ppm nevede již k dalšímu zlepšení vlastností ve srovnání s nižším obsahem dusíku. Obdobně, množství nižší než asi 1500 ppm dusíku obecně nedosahuje zlepšení požadovaného od tohoto dopování dusíkem. V souladu s tím, výhodné je rozmezí od asi 1500 do asi 4000 ppm, ještě výhodnější je rozmezí 2000 až asi 3000 ppm dusíku.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem může také obsahovat fosfor, například asi 50 až asi 100 ppm. Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem může obsahovat také kyslík, například asi 1500 až asi 3500 ppm.
Kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, s výhodou tantal, má alespoň část pórů s velikostí pórů 2 mikrometry nebo větší, což vede k výhodným vlastnostem vytvořené a impregnované anody kondenzátorů, neboť takováto velikost pórů umožňuje stejnoměrnější a úplnější impregnaci protielektrodovou kapalinou.
Jak bylo výše uvedeno, proces nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem s výhodou vychází ze základní partie práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. V následující diskusi se používá jako například tantal, avšak je třeba si uvědomit, že je možno použít jakékoliv kovy s nízkým elektrochemickým potenciálem a že podmínky procesu, například teplo-4CZ 305376 B6 ta a doba tepelného zpracování, mohou být různé v závislosti na typu použitého kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem.
Při způsobu podle vynálezu, základní partie prášku může být získána jakýmkoliv způsobem odborníkovi známým. Tyto obecné postupy, jak bylo diskutováno výše v odstavci týkajícím se dosavadního stavu techniky, typicky zahrnují získávání rudy, drcení rudy, extrakci rozpouštědlem pro získání tantalu ve formě soli a redukci tantalové soli sodíkem na tantal za vzniku solí jiných prvků než tantal. Tyto jiné soli se zpravidla odstraňují praním vodou, a pak se může provádět kyselé loužení pro odstranění chemických nečistot. Tantal se pak suší za vzniku základní partie prášku. Tyto kroky mohou být různě modifikovány nebo mohou být použity alternativní kroky pro získání materiálu, odborníkovi známého jako základní partie prášku.
Jakmile je získána základní partie prášku, je výhodné (volitelně) pro účely vynálezu provádět, před tepelným zpracováním, další zpracování tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Jedním výhodným krokem zpracování před tepelným zpracováním je mokrá aglomerace, jak je popsána v patentové přihlášce WO 99/61184, zveřejněné dne 2.12.1999, jejíž obsah se odkazem zahrnuje. Tantalový prášek ve formě prášku nebo koláče z prášku, po předcházející mokré aglomeraci nebo aglomeraci jiným postupem, pak může být podroben tepelnému zpracování, při kterém nastává nitridace tantalového prášku.
Pro účely vynálezu se rozumí, že tepelné zpracování a tepelná aglomerace představuje týž krok zpracování, který zahrnuje podrobení tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem zvýšené teplotě, zpravidla v peci a obecně ve vakuu.
Jestliže je v tantalovém prášku přítomno významné množství vodíku, například více než asi 200 nebo 300 ppm vodíku, s výhodou se při kroku tepelného zpracování tantalového prášku provádí krok odplynění pro odstranění přítomného vodíku. V kroku odplyňování se z tantalového prášku zpravidla odstraní tolik vodíku, že po kroku odplyňování je množství vodíku přítomného v tantalovém prášku menší než 50 ppm, s výhodou menší než 40 ppm plynného vodíku.
Po odplynění tantalového prášku (bylo-li jej třeba), je možno provádět tepelné zpracování nebo tepelnou aglomeraci tantalového prášku. Pokud jde o tantal, sintrovací fáze tepelného zpracování zpravidla probíhá při teplotě asi 1100 °C až asi 1500 °C, což je přibližná průměrná teplota dosažená na povrchu prášku v peci. Obecně, tepelné zpracování v tomto rozmezí teplot se provádí po dobu asi 10 minut až asi 2 hodin, ačkoliv v závislosti na požadovaných vlastnostech mohou být použity i jiné doby. Pro účely předloženého vynálezu, tepelné zpracování zahrnuje dobu nezbytnou pro dosažení sintrovací fáze, která obecně způsobuje určitou ztrátu měrného povrchu prášku. Dále, tepelné zpracování se zpravidla provádí ve vakuu, s výhodou při asi 1,33 Pa nebo méně. Nitridace tantalového prášku se provádí v průběhu tepelného zpracování a před krokem dezoxidace.
Nitridace tantalového prášku nebo jiného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se s výhodou provádí při teplotě asi 600 °C nebo nižší, výhodněji asi 250 až 600 °C, ještě výhodněji asi 300 až asi 400 °C. Protože nitridace s výhodou probíhá při teplotách ne vyšších než 600 °C, je výhodné provádět nitridaci, když jsou tyto teploty dosažitelné, to znamená, bezprostředně před sintrovací fází tepelného zpracování, které probíhá při teplotě 1250 až 1500 °C, nebo po proběhnutí této fáze vysoké teploty. Podle předloženého vynálezu nitridace práškového kovu s výhodou nastává, jakmile teplota práškového kovu dosáhne určité stability a nekolísá příliš (tzn. nekolísá více než o 50 °C nebo podobně). Nitridace s výhodou začíná při teplotě asi 200 až 300 °C, aby bylo zamezeno adsorpci dusíku na některém místě prášku, načež se teplota zvedá o přibližně 1 až 10 °C za minutu. Rovnoměrný nárůst teploty zajišťuje, že adsorpce dusíku je rovnoměrná v celém množství prášku, a dále zajišťuje, že po dobu dostatečnou pro umožnění adsorpce je dosažena v podstatě stejnoměrná teplota, která může být velmi různá v závislosti na prášku a měrném povrchu.
-5CZ 305376 B6
Nitridace tantalového prášku se může provádět za použití nitridačního činidla, například plynného dusíku nebo plynu obsahujícího dusík nebo sloučeniny obsahující nebo vyvíjející dusík (např. TaN). S výhodou se při tomto způsobu používá plynný dusík. Obecně, jakmile je tantalový prášek ve výhodném rozmezí teplot asi 250 až asi 600 °C, začíná proces nitridace. Podle výhodného provedení se plynný dusík přivádí do pece pod vakuem a množství přiváděného plynného dusíku závisí na množství dusíku požadovaném ve výsledném nitridovaném prášku a na množství základní partie prášku nacházející se v peci. Z příkladů je zřejmé, že pro dosažení různých obsahů dusíku v prášku byla připravena různá množství dusíku. Z hlediska předloženého vynálezu, odborník v oboru může snadno stanovit množství dusíku, které je třeba přivádět do pece pro požadované množství dusíku ve finálním práškovém kovu.
Je výhodné, jestliže přivádění plynného dusíku nebo jakákoliv jiná technologie se neprovádí při teplotách vyšších než 600 °C, protože slučování dusíku s tantalem je exotermická reakce, která vyvíjí teplo a vede k autokatalytickému procesu, který může být nekontrolovatelný. Tato reakce vede k nestejnoměrné distribuci dusíku v základní partii prášku.
Obecně se v průběhu procesu nitridace dusík přivádí do pece a je bezprostředně adsorbován v základní partii prášku nacházejícího se v peci. Jakmile je plynný dusík adsorbován, nebo před tímto krokem, základní partie prášku se podrobuje fázi tepelného zpracování při vyšší teplotě nebo sintrovací fázi tepelného zpracování popsaného výše. Po provedení tepelného zpracování při vysoké teplotě a požadované nitridaci základní partie prášku se teplota s výhodou podstatně sníží pro pasivaci prášku. Obecně je prášek ve formě koláče z prášku, který se následně podrobuje mletí. Prášek pak může být podroben dezoxidačnímu procesu. Mohou být použity jakékoliv konvenční dezoxidační procesy, například s hořčíkem nebo jiným getrem kyslíku. Po ukončení kroku dezoxidace a následného kyselého loužení může být prášek dále zpracováván obvyklým způsobem, například lisováním do pelet a sintrováním při požadované teplotě, která závisí na požadované kapacitanci a typu sintrovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Sintrované pelety potom mohou být použity jako anody kondenzátorů za použití obvyklých technik známých v průmyslu, například popsaných v patentech US 4 805 074, US 5 412 533, US 5 211 74i), US 5 245 514 a EP-AI 0 634 762, jejichž obsah se odkazem začleňuje.
Nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem v průběhu kroku tepelného zpracování je výhodná v porovnání s jinými nitridačními postupy, které typicky probíhají v průběhu kroku dezoxidace. Nitridace kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem v průběhu kroku tepelného zpracování poskytuje stejnoměrnějšího rozdělení dusíku v celém množství práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem. Jednou příčinou toho může být skutečnost, že nitridace nastává v dřívějším stupni zpracování kovu, a potom probíhají další kroky, které zahrnují podrobení kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem vysokým teplotám. Tyto přídavné kroky napomáhají stejnoměrnému rozdělení dusíku. Čím dříve nastává nitridace, tím stejnoměrnějšího rozdělení dusíku v kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem může být dosaženo. Dosažené stejnoměrné rozdělení dusíku je zřejmé z příkladů.
Jistě je možné, a také je v rozsahu vynálezu, provádění více než jednoho kroku nitridace pro dosažení požadovaného obsahu dusíku ve finálním produktu.
Příklady uskutečnění vynálezu
Předložený vynález bude dále objasněn za pomoci následujících příkladů, jimiž se však rozsah vynálezu neomezuje.
-6CZ 305376 B6
Příklad 1
Bylo použito 42,7 kg základní partie práškového tantalu majícího vlastnosti uvedené v tabulce 1. Základní partie práškového tantalu byla uvedena do pece a vystavena vakuu. Odplynění vodíku bylo provedeno zvýšením teploty základní partie prášku na asi 745 °C po dobu 1 hodiny, přičemž v průběhu této doby byl uvolňovaný vodík, zvyšující tlak, odtahován pomocí vakua. Poté, stále za vakua, byla teplota základní partie prášku dále zvýšena na asi 1146 °C po dobu 60 minut, a pak byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 1458 °C po dobu 30 minut, a pak byla teplota snížena na asi 350 °C. Když byla pec ochlazena na asi 100 °C, byl na pomoc procesu chlazení přiváděn argon. Po dosažení nízké teploty byl argon odtáhnut pomocí vakua a byl přiveden dusík, přičemž argon byl nahrazen dusíkem při tlaku asi 10,6 kPa. V průběhu přidávání dusíku byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 500 °C rychlostí 1 °C za minutu a tlak plynného dusíku poklesl na asi 133,3 Pa nebo méně, protože dusík byl adsorbován tantalem. Jakmile byl dusík adsorbován, pec byla naplněna argonem a prášek byl ponechán zchladnout. Tento postup znázorňuje obr. 1.
Měřením bylo zjištěno, že základní partie prášku měla obsah dusíku asi 1500 ppm. Obr. 1 znázorňuje změny teploty a tlaku, jakož i okamžik zavedení dusíku v průběhu tepelného zpracování.
Příklad 2
Základní partie práškového tantalu (32,7 kg tantalu, z toho 16,3 kg tantalu bylo dopováno 50 ppm P) obdobného prášku použitému v příkladu 1 bylo podrobeno tepelnému zpracování jako v příkladu 1, přičemž základní partie prášku byla podrobena odplynění vodíku zvýšením teploty základní partie prášku na asi 750 °C po dobu 1 hodiny a 15 minut. V průběhu této doby uvolňovaný vodík byl odtahován pomocí vakua. Když úroveň vakua dosáhla 10 mikrometrů nebo méně, byla teplota základní partie prášku snížena na asi 350 °C, přičemž do pece byl zaveden plynný dusík o tlaku asi 10,64 kPa. Obdobně jako v příkladu 1, dusík byl v podstatě úplně adsorbován tantalovým práškem, přičemž během této doby se zvýšila teplota o asi 60 °C. Po ukončení nitridace byla komora pece evakuována na 10 mikrometrů nebo méně a poté byla teplota základní partie prášku zvýšena na asi 1186 °C na dobu asi jedné a půl hodiny, a potom dále zvýšena na více než asi 1350 °C na dobu 30 minut (sintrovací fáze tepelného zpracování), načež byla základní partie práškového tantalu ponechána zchladnout pro další zpracování. Tento postup znázorňuje obr. 2.
Příklad 3
Prášky z příkladů 1 a 2 byly zpracovány následovně:
Tepelně zpracovaný materiál, který byl ve formě koláčů, byl rozdrcen a přetříděn na sítě 70 mesh (otvory 0,21 mm, standardní sada US sít). Prášek pod 70 mesh byl smísen s hořčíkem. Obsah hořčíku byl 0,75 % hmotn. Práškový tantal smíchaný s hořčíkem byl dezoxidován reakcí při 850 °C. Krok dezoxidace byl prováděn pro snížení obsahu kyslíku v práškovém tantalu na rozumnou úroveň. Dezoxidovaný práškový tantal pak byl zpracován kyselinou dusičnou, kyselinou fluorovodíkovou a deionizovanou vodou pro odstranění zbylého hořčíku a oxidu hořečnatého vytvořeného při procesu dezoxidace. Prášek zpracovaný kyselinou byl dále proplachován deionizovanou vodou do dosažení vodivosti deionizované vody menší než 10 míkroohm/cm. Propláchnutý tantalový prášek byl sušen za použití vakuové sušárny. Byl odebrán reprezentativní vzorek vysušeného prášku a byl analyzován na fyzikální, chemické a elektrické vlastnosti. Výsledky jsou uvedeny v tabulkách 1, 2 a 3. Elektrické vlastnosti byly vyhodnoceny za použití následujícího postupu:
-7CZ 305376 B6 (1) Výroba anod (a) N= 16 anod ze vzorku (b) průměr 3,137 mm délka 2,593 mm hmotn. prášku 100 mg hustota 5,0 g/cm3 (2) Sintrovací anod (NRC pec) (a) 1 aglomerát
1430 °C * 30' (zvyšování 10 °C za minutu) (3) Vyhodnocení 100 V ef (a) anodizace (1) formování
N= 8 anod (jedna konstrukce) na vzorek (1) konstrukce/vzorek+standardy (2) elektrolyt (1 % H3PO4 @ 90 °C 3,08 mS (3) konstantní proudová hustota 75 mA/g (4) konečné napětí 100,0 VDC ±0,03 (5) doba konečného napětí 180 min ±5 min (6) 25 °C napouštění 30 min (7) 100 °C sušárna po dobu 30 min (b) DCsvod (1) náboj E=70,0±0,2 (2) doba nabíjení 30 s a 120 s (3) testovací elektrolyt 10% H3PO4 @ 21 °C (c) Kapacitance/DF (1) testovací elektrolyt 18 % H3PO4 @ 21 °C (2) předpětí 2,5 VDC (3) frekvence 120 Hz (4) sériová kapacitance (5) GenRad#165
Příklad 4
Vzorek byl připraven za použití základní partie práškového tantalu popsaného v tabulce 9. Vzorek byl připraven napuštěním 27,2 kg tantalu 34 % deionizované vody obsahující dopovací sloučeninu pro zavedení 100 ppm fosforu. Fosfor byl napouštěn 16 hodin. Napuštěný prášek byl převeden na plechy z nerezové oceli povlečené teflonem a byla přidána další 3 % deionizované vody. Vlhký prášek byl vibrován po dobu osmi až deseti minut na vibrovacím stole. Po vibrování
-8CZ 305376 B6 byly plechy ponechány ležet alespoň šedesát minut pro oddělení veškeré vody. Oddělená voda byla dekantována. Poté byly sušicí plechy převedeny do vakuové sušárny. Byla použita vakuová sušárna od firmy STOKES VACUUM Inc., model 338J. Materiál na podložkách z nerezové oceli byl sušen přibližně 14 hodin při teplotě asi 90,6 °C a tlaku 6,65 kPa. Vysušený práškový tantal byl převeden na tantalové podložky pro tepelné zpracování. Tepelné zpracování bylo prováděno při teplotě přibližně 1309 °C po dobu asi 30 minut. Koláče byly převedeny do dávkovači nádoby pro mletí a byly mlety a tříděny za použití síta 70 mesh (otvory 0,21 mm, standardní sada US sít). Frakce materiálu pod 70 mesh byla dezoxidována za použití 2 % hořčíku při 850 °C a podrobena kyselému loužení pomocí kyseliny dusičné peroxidu vodíku a deionizované vody. Prášek byl dále proplachován deionizovanou vodou do snížení vodivosti na méně než 5 mikroohm/cm. Vzorky byly znovu dezoxidovány pro snížení obsahu kyslíku za použití 2 % hořčíku při 850 °C podrobeny kyselému loužení, proplachovány a sušeny, jak je popsáno výše. Finální produkt byl analyzován a data jsou uvedena v tabulce 4 a 9.
Elektrické vlastnosti byly vyhodnoceny za použití následujícího postupu:
(1) Výroba anod (a) Habererův lis (1) N= 16 anod ze vzorku (2) nelubrikovaný prášek (3) velikost-průměr 3,924 mm, délka 3,111 mm (4) hustota 5,0 g/cm3 (5) hmotnost prášku 188 mg (2) Sintrování anod (a) NRCpec
1335 °C * 10 (zvyšování „A“) (3) Vyhodnocení 30 V ef (a) anodizace (1) N= 8 anod (jedna konstrukce) na vzorek (2) elektrolyt; testovací elektrolyt E251 (0,06 H3PO3 @ 83 °C 3,08 mS) (3) konstantní proudová hustota: E251 testovací proud (337,5 mA/g) (4) konečné napětí 30,0 VDC ±0,03 (5) doba konečného napětí 300 min ±5 min (6) napouštění 25 °C 30 min (7) 100 °C sušárna po dobu 30 min (b) DCsvod (1) náboj E=21,0±0,2 (2) doba nabíjení 30 s a 120 s (3) testovací elektrolyt 10% H3PO4 @ 21 °C
-9CZ 305376 B6 (c) Kapacitance/DF (1) testovací elektrolyt 18 % H3PO4 @ 21 °C (2) předpětí 2,5 VDC (3) frekvence 120 Hz (4) sériová kapacitance (5) GenRad#1658
Finální vlastnosti tantalových prášků jsou uvedeny v tabulkách 4, 5 a 9.
Příklad 5
V tomto příkladu bylo asi 20,43 kg základní partie práškového tantalu nitridováno jako v příkladu 4, s tou výjimkou, že finální teplota prášku byla asi 1300 °C po dobu asi 30 minut. Vlastnosti výsledného nitridovaného tantalu jsou uvedeny v tabulkách 4 a 5. Obr. 3 znázorňuje rozdělení velikosti pórů slisovaných a sintrovaných tantalových pelet a obr. 4 znázorňuje kumulativní objem pórů pro každou velikost pórů.
Příklad 6
32,7 kg základní partie práškového tantalu bylo dopováno dusíkem na cílový obsah dusíku 1500 ppm. Při tomto procesu byl prášek zahřát na 740 °C, načež následovalo odplynění vodíku a poté byl prášek ochlazen na asi 325 °C. V této chvíli byl přiveden plynný dusík stejným způsobem jako v příkladu 1. Po dopování dusíkem byly vzorky vyjmuty pro zjištění, zda bylo dopování dusíkem stejnoměrné na všech podložkách obsahujících práškový tantal v peci. Podrobnosti dopování dusíkem a další parametry jsou uvedeny v tabulce 6. Tabulka 7 (postup číslo 5) uvádí také další pokusy zahrnující dopování dusíkem pro různé vzorky v peci s cílovou hodnotou 2500 ppm dusíku ve finálním produktu.
Pro srovnávání byl práškový tantal nitridován průběhu dezoxidačního stupně. Množství dopovacího dusíku bylo vyšší, aby bylo zajištěno, že bude dusík adsorbován na všech podložkách. Podrobnosti jsou uvedeny v tabulce 8.
Jak je zřejmé z tabulek 6 a 7, obsah dusíku v průměru byl v každém případě velmi blízký cílové hodnotě a celkový rozdíl mezi jednotlivými podložkami byl v rámci přijatelných hodnot. Když byla nitridace prováděna v průběhu kroku dezoxidace, bylo pozorováno nestejnoměrné rozdělení dusíku od podložky k podložce, jak je zřejmé z tabulky 8. Konkrétněji byly zjištěny velké rozdíly adsorbovaného množství dusíku mezi jednotlivými podložkami. Zatímco nitridace během tepelného zpracování vedla k odchylkám asi 1000 až 1500 ppm, nitridace při dezoxidaci vedla k odchylkám přes 20 000 ppm.
Další provedení předloženého vynálezu jsou odborníkovi zřejmá na základě popisu a praktického provádění popsaného vynálezu. Popis a příklady je třeba chápat jen jako ilustrativní, přičemž skutečný rozsah a myšlenka vynálezu jsou dány patentovými nároky ajejich ekvivalenty.
- 10CZ 305376 B6
Tabulka 1
Byla použita směs základní partie HP410, 16,3 kg HP410-B-121828 a 16,3 kg HP410-B5 121829. 16,3 kg bylo zpracováno bez P a zbylých 16,3 kg bylo dopováno 50 ppm P za použití
NH4PF6. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík. Cílová hodnota byla 1500 ppm. Tepelné zpracování po dobu 90 min @ 1190 °C, poté 30 min @ 1350 °C (SPC 1447 C).
8187-11-B | 8187-11-NM2 | |
základní partie | finální produkt | |
HT nastaveni | 30 min @ 1350 °C | |
FSS (mikrometry) | 0,89 | 2,54 |
hustota Scott (g/palec3) | 18,7 | 31,0 |
BET (m*/g) | 1,00 | 0,59 |
Na (ppm) | 6 | 2 |
K (ppm) | 11 | 4 |
P (ppm) | 48 | 4 |
C (ppm) | 12 | 24 |
O (ppm) | 2822 | 1670 |
N (ppm) | 29 | 2326 |
H (ppm) | 557 | 36 |
Si (ppm) | 240 | 19 |
Fe (ppm) | 4 | 4 |
Ni (ppm) | 5 | 10 |
Cr (ppm) | 4 | 4 |
Nb (ppm) | 24 | 24 |
Ti (ppm) | 4 | 4 |
Mn (ppm) | 4 | 4 |
Sn (ppm) | 4 | 4 |
Ca (ppm) | 4 | 4 |
AI (ppm) | 4 | 4 |
Mo (ppm) | 4 | 4 |
W (ppm) | 24 | 24 |
Zr (ppm) | 4 | 4 |
Mg (ppm) | 4 | 4 |
B (ppm) | 3 | 3 |
Co (ppm) | 4 | 4 |
Cu (ppm) | 4 | 4 |
třídění | ||
nad 60 | 2,4 | |
60/100 | 14,7 | |
100/200 | 26,4 | |
200/325 | 15,2 | |
325/400 | AP | |
pod 400 | 32,3 | |
tekutost (mg/s) | 163 | |
drticí síla | ||
1480 C 50 V kapac. | 25 970 | |
DC svod (nA/CV) | 0,07 | |
fliers | 0/8 | |
smrštění | 3,3 | |
hustota aglomerátů | 5,4 |
Hustota po slisování 5,0 g/cmJ
-11 CZ 305376 B6
Tabulka 2 (příklad 1)
Byla použita směs základní partie HP410, 16,3 kg HP410-B-121828 a 16,3 kg HP410-B5 121829. 16,3 kg bylo zpracováno bez P a zbylých 16,3 kg bylo dopováno 50 ppm P za použití
NH4PF6. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík. Cílová hodnota byla 1500 ppm. Tepelné zpracování po dobu 90 min @1190 °C, poté 30 min @ 1350 °C (SPC 1447 C).
8187-11-B | 8187-11-NM2 | |
základní partie | finální produkt | |
HT (SCP) | 1447 C | |
FSS (mikrometry) | 0,89 | 2,54 |
hustota Scott (g/cm3) | 1,14 | 1,89 |
BET(m7g) | 1,00 | 0,59 |
C (ppm) | 12 | 24 |
O (ppm) | 2822 | 1670 |
N (ppm) | 29 | 2326 |
H (ppm) | 557 | 36 |
třídění | ||
nad 60 | 2,4 | |
60/100 | 14,7 | |
100/200 | 26,4 | |
200/325 | 15,2 | |
325/400 | 9,0 | |
pod 400 | 32,3 | |
tekutost (mg/s) | 163 | |
1430 C 100 VC | ||
kapac. (CV/g) | 23 829 | |
DC svod (nA/CV) | 0,33 | |
smrštění | 0,1 | |
hustota aglomerátů | 5,1 |
-12CZ 305376 B6
Tabulka 3 (příklad 2)
8187-11-B | 8187-19-NM | |
základní partie | finální produkt | |
HT (SCP) | 1458 C | |
FSS (mikrometry) (mod.) | 0,89 | 2,35 |
hustota Scott (g/cm3) . | 1,14 | 1,79 |
BET (m2/g) | 0,37 | |
C (ppm) | 12 | 23 |
0 (ppm) | 2822 | 1959 |
N (ppm) | 29 | 1333 |
H (ppm) | 557 | 50 |
třídění | ||
nad 60 | 0,0 | |
60/100 | 7,3 | |
100/200 | 28,2 | |
200/325 | 18,7 | |
325/400 | 10,2 | |
pod 400 | 35,5 | |
1430 C 100Vkapac. | ||
kapac. (CV/g) | 24 885 | |
DC svod (nA/CV) | 0,24 | |
smrštění | -0,6 | |
hustota aglomerátů | 4,8 |
- 13CZ 305376 B6
Tabulka 4
Fyzikální a chemické vlastnosti nitridovaného prášku
8280-66-nm2a | 8280-67-nm2a | 8280-68-nm2a | průměr | |
modifikovaná FSS (mikrometry) | 2,91 | 2,39 | 2,32 | 2,54 |
hustota Scott (g/cm3) | 1,70 | 1,66 | 1,70 | 1,70 |
BET | 1,11 | 1,03 | 1,15 | 1,10 |
C (ppm) | 60 | 56 | 57 | 58 |
0 (ppm) | 3288 | 3058 | 2978 | 3180 |
N (ppm) | 2509 | 2379 | 2483 | 2457 |
H (ppm) | 71 | 81 | 87 | 79,7 |
Si (ppm) | 5 | 5 | 4 | V |
Ni (ppm) | 17 | 4 | 4 | 8,3 |
Fe (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Cr (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Nb (ppm) | 24 | 24 | 24 | 24 |
Ti (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Mn (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Sn (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Ca (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
AI (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Mo (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
W (ppm) | 24 | 24 | 24 | 24,0 |
Zr (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Mg (ppm) | 5 | 5 | 10 | 6,7 |
B (ppm) | 1 | 1 | 1 | 1,0 |
Co (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Cu (ppm) | 4 | 4 | 4 | 4,0 |
Na (ppm) | 6 | 4 | 5 | 5,0 |
K (ppm) | 29 | 26 | 28 | 27,7 |
třídění | ||||
nad 60 | 0 | 0 | 0 | 0,0 |
60/100 | 23,4 | 23,7 | 30,5 | 25,87 |
100/200 | 33,1 | 35,2 | 33,2 | 33,83 |
200/325 | 15,6 | 14,6 | 12,6 | 14,27 |
325/400 | 8,2 | 7,8 | 6,8 | 7,60 |
pod 400 | 19,7 | 18,7 | 16,9 | 18,43 |
tekutost (mg/s) | 97,4 | 103,4 | 103,3 | 101,4 |
mtrack
per 10 | 27,72 | 29,83 | 22,33 | 26,63 |
per 50 | 118,31 | 119.08 | 109,43 | 115,61 |
per 90 | 261,04 | 260,8 | 265,11 | 262,32 |
SA | 0,102 | 0,094 | 0,127 | 0,11 |
- 14CZ 305376 B6
Tabulka 5
Elektrické vlastnosti nitridovaného prášku
8280-66-nm2a | 8280-67-nm2a | 8280-68-nm2a | průměr | |
Sintrovací teplota | ||||
1335C30 V | 36,3 | 35,9 | 41,0 | 37,7 |
kapac. (CV/g) | 67 726 | 68 686 | 68 898 | 68 437 |
DC svod (nA/CV) | 0,31 | 0,27 | 0,36 | 0,32 |
fliers | 0 | 1 | 0 | 0,33 |
hustota aglomerátů | 5,20 | 5,17 | 5,18 | 5,18 |
smrštění | 1,68 | 1,81 | 1,61 | 1,70 |
Sintrovací teplota | ||||
1265*C30V | ||||
kapac. (CV/g) | 70 266 | 71 198 | 71 769 | 71 077 |
DC svod (nA/CV) | 0,30 | 0,35 | 0,26 | 0,30 |
fliers | 0 | 0 | 0 | 0,00 |
hustota aglomerátů | 4,94 | 4,92 | 4,95 | 4,94 |
smrštění | 0,05 | 0,11 | 0,16 | 0,11 |
Sintrovací teplota | ||||
1335°C 60 V | ||||
kapac. (CV/g) | 53 802 | 54 719 | 54 495 | 54 338 |
DC svod (nA/CV) | 0,53 | 0,38 | 0,42 | 0,44 |
fliers | 0 | 0 | 0 | 0,00 |
hustota aglomerátů | 5,19 | 5,17 | 5,18 | 5,18 |
smrštění | 1,68 | 1,81 | 1,61 | 1,70 |
Sintrovací teplota | ||||
1265*C60V | ||||
kapac. (CV/g) | 55 541 | 56 460 | 56 370 | 56 124 |
DC svod (nA/CV) | 0,63 | 0,44 | 0,43 | 0,50 |
fliers | 0 | 1 | 0 | 0,33 |
hustota aglomerátů | 4,94 | 4,92 | 4,95 | 4,94 |
smrštěni | 0,05 | 0,11 | 0,16 | 0,11 |
Hustota po slisováni byla vždy 5,0 g/cm3
-15CZ 305376 B6
Tabulka 6
32,7 kg základní partie HP410 (C410-S-128793) bylo dopováno dusíkem na cílovou hodnotu 5 1500 ppm. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík.
Podložka | Poloha | Kyslík | Dusík | |
8187-10-1T | podložka 1 | navrch | 3748 | 598 |
8187-10-1M | podložka 1 | vprostřed | 4467 | 2172 |
8187-10-1B | podložka 1 | vespod | 4498 | 1749 |
8187-10-2T | podložka 2 | navrch | 3924 | 1056 |
8187-10-2M | podložka 2 | vprostřed | 4055 | 1539 |
8187-10-2B | podložka 2 | vespod | 4567 | 1570 |
8187-1Q-3T | podložka 3 | navrch | 3598 | 938 |
8187-10-3M | podložka 3 | vprostřed | 4386 | 1586 |
8187-10-3B | podložka 3 | vespod | 4605 | 1328 |
8187-10-4T | podložka 4 | navrch | 3700 | 719 |
8187-10-4M | podložka 4 | vprostřed | 4041 | 696 |
8187-10-4B | podložka 4 | vespod | 4269 | 673 |
8187-10-5T | podložka 5 | navrch | 3794 | 813 |
8187-10-5M | podložka 5 | vprostřed | 4207 | 1689 |
8187-10-5B | podložka 5 | vespod | 4402 | 2297 |
8187-10-6T | podložka 6 | navrch | 3662 | 1300 |
8187-10-6M | podložka 6 | vprostřed | 4399 | 2382 |
8187-10-6B | podložka 6 | vespod | 4424 | 1612 |
8187-10-7T | podložka 7 | navrch | 3671 | 1279 |
8187-10-7M | podložka 7 | vprostřed | 4321 | 2084 |
8187-10-7B | podložka 7 | vespod | 4419 | 1702 |
8187-10-8T | podložka 8 | navrch | 3926 | 1074 |
8187-10-8M | podložka 8 | vprostřed | 4228 | 679 |
8187-10-8B | podložka 8 | vespod | 4692 | 554 |
8187-10-NBZ | směs | 4165 | 1420 | |
průměr | 4171 | 1329 |
ío Hmotnost práškového Ta: 32,7 kg Cílový obsah dusíku: 1500 ppm Průtok dusíku: 3 litry/min Doba přidávání dusíku: 16 minut Celkový tlak: 17,4 kPa
Teplota dopování dusíkem: 325 °C, vzestup 1 °C/min Celková doba absorpce dusíku: 240 minut Konečná teplota: 498 °C
-16CZ 305376 B6
Tabulka 6 (pokračování)
Analýza dusíku pro postup 8187-10-H
vpředu | vzadu | |||
podložka 1 | navrch | 598 | 813 | |
vprostřed | 2172 | 1689 | ||
vespod | 1749 | 2297 | ||
podložka 2 | navrch | 1056 | 1300 | |
vprostřed | 1539 | 2382 | ||
vespod | 1570 | 1512 | ||
podložka 3 | navrch | 938 | 1279 | |
vprostřed | 1586 | 2084 | ||
vespod | 1328 | 1702 | ||
podložka 4 | navrch | 719 | 1074 | |
vprostřed | 696 | 679 | ||
vespod | 573 | 554 | ||
průměr | 1210 | 1329 | 1447 | |
směs | 1420 |
- 17CZ 305376 B6
Tabulka 7
32,7 kg základní partie HP410 (C410-S-128793) bylo dopováno dusíkem na cílovou hodnotu 5 2500 ppm. PLC drcen v průběhu fáze chlazení. Pokus byl přerušen a obnoven 5/11/99. Prášek byl zahřát na 740 °C, potom odplyněn, ochlazen na 325 °C a byl přiveden dusík.
Podložka | Poloha | Uhlík | Kyslík | Dusík | Vodík | |
8187-2-1T | podložka 1 | navrch | 45 | 6612 | 1076 | 44 |
8187-2-1M | podložka 1 | vprostřed | 28 | 5705 | 2278 | 29 |
8187-2-1B | podložka 1 | vespod | 38 | 6136 | 2335 | 30 |
8187-2-2T | podložka 2 | navrch | 48 | 6247 | 2314 | 33 |
8187-2-2M | podložka 2 | vprostřed | 28 | 5646 | 2346 | 27 |
8187-2-2B | podložka 2 | vespod | 42 | 5136 | 2213 | 23 |
8187-2-3T | podložka 3 | navrch | 51 | 5881 | 2002 | 38 |
8187-2-3M | podložka 3 | vprostřed | 29 | 5618 | 1742 | 26 |
8187-2-3B | podložka 3 | vespod | 35 | 5853 | 1838 | 30 |
8187-2-4T | podložka 4 | navrch | 56 | 5936 | 946 | 37 |
8187-2-4M | podložka 4 | vprostřed | 26 | 5481 | 664 | 27 |
8187-2-4B | podložka 4 | vespod | 34 | 5869 | 681 | 25 |
8187-2-5T | podložka 5 | navrch | 53 | 6463 | 1467 | 43 |
8187-2-5M | podložka 5 | vprostřed | 33 | 5706 | 4237 | 27 |
8187-2-5B | podložka 5 | vespod | 39 | 5987 | 3464 | 27 |
8187-2-6T | podložka 6 | navrch | 44 | 5784 | 2478 | 38 |
8187-2-6M | podložka 6 | vprostřed | 50 | 5743 | 3240 | 21 |
8187-2-6B | podložka 6 | vespod | 39 | 6035 | 3259 | 16 |
8187-2-7T | podložka 7 | navrch | 42 | 6131 | 2319 | 36 |
8187-2-7M | podložka 7 | vprostřed | 28 | 5708 | 2189 | 26 |
8187-2-7B | podložka 7 | vespod | 35 | 6027 | 2161 | 26 |
8187-2-8T | podložka 8 | navrch | 58 | 5848 | 1364 | 31 |
8187-2-8M | podložka 8 | vprostřed | 27 | 5624 | 842 | 30 |
8187-2-8B | podložka 8 | vespod | 33 | 5848 | 670 | 19 |
8187-2-NBZ | směs | 36 | 5821 | 2407 | 21 | |
průměr | 39 | 5922 | 2001 | 30 |
ío Hmotnost práškového Ta: 31,8 kg Cílový obsah dusíku: 2500 ppm Průtok dusíku: 3 litry/min Doba přidávání dusíku: 24 minut Celkový tlak: 27,3 kPa
Teplota dopování dusíkem: 325 °C, vzestup 1 °C/min Celková doba absorpce dusíku: 176 minut Konečná teplota: 489 °C
- 18CZ 305376 B6
Tabulka 7 (pokračování)
Analýza dusíku pro postup 8187-2-H
vpředu | vzadu | |||
podložka 1 | navrch | 1076 | 1467 | |
vprostřed | 2278 | 4237 | ||
vespod | 2335 | 3464 | ||
podložka 2 | navrch | 2314 | 2478 | |
vprostřed | 2346 | 3240 | ||
vespod | 2213 | 3259 | ||
podložka 3 | navrch | 2002 | 2319 | |
vprostřed | 1742 | 2189 | ||
vespod | 1838 | 2161 | ||
podložka 4 | navrch | 946 | 1364 | |
vprostřed | 664 | 842 | ||
vespod | 581 | 670 | ||
průměr | 1695 | 2001 | 2308 | |
směs | 2407 |
Tabulka 8 io
Nitridace na cílovou hodnotu 2500 ppm
Všechny šarže byly dezoxidovány pomocí 0,75% hořčíku @ 850 °C (100 min napouštění a 60 min vakuum). Nastavení parametrů nitridace 450 °C s 5000 ppm @ průtok 2,5 litrů/min.
V průběhu dopování dusíkem se nezvyšoval tlak.
Po dezoxidaci a kyselém loužení | ||
Vzorek | dusík (ppm) | kyslík (ppm) |
8030-95-M1 | 938 | 2093 |
8030-95-M2 | 14 670 | 1883 |
8030-95-M3 | 20 330 | 2429 |
8030-95-M4 1 | 10 050 | 2466 |
8030-95-M5 | 27 190 | 1991 |
8030-95-M6 | 17740 | 1767 |
8030-95-M7 | 10 920 | 2067 |
8030-95-M8 | 5621 | 1773 |
8030-95-M9 | 2909 | 2373 |
8030-95-M10 | 2352 | 2401 |
8030-95-M11 | 1546 | 2127 |
8030-95-M12 | 1176 | 2052 |
8030-95-M13 | 630 | '2870 |
8030-95-M14 | 539 | 2101 |
Když bylo dopování dusíkem prováděno v průběhu dezoxidace, bylo pozorováno nerovnoměrné 20 rozdělení dusíku.
-19CZ 305376 B6
Tabulka 9
Postup
Základní partie byly napuštěny 34 % vody.
Aglomerovány s 37 % vody.
Materiály byly tepelně zpracovány při teplotě anody 1309 SPC. Byly dopovány dusíkem před zahřátím.
io Cílový obsah dusíku je 2500 ppm.
základní partie | finální produkt | |
8280-66-b | 8260-67-nm2a | |
modif. FSS (mikrometry) | 0,37 | 2,39 |
hustota Scott (g/cm3) | 0,750 | 1,696 |
BET | 2,74 | 1,03 |
C (ppm) | 46 | 56 |
O (ppm) | 8682 | 3058 |
N (ppm) | 43 | 2379 |
H (ppm) | 1482 | 81 |
třídění | ||
nad 60 | 0 | |
60/100 | 23,7 | |
100/200 | 35,2 | |
200/325 | 14,6 | |
325/400 | 7,8 | |
pod 400 | 18,7 | |
tekutost | 103,4 | |
1335C30 V | ||
Kapac. (CV/g) | 68 686 | |
DC svod (nA/CV) | 0,27 | |
fliers | 1 | |
hustota aglomerátu | 5,17 | |
smrštění | 1,81 |
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (31)
- 20 1. Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, kterým je tantal, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 1500 až 4000 ppm, tekutost 70 až 300 mg/s a hustotu podle Scotta 1,53 až 2,44 g/cm3.
- 2. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že obsahuje25 póry o velikosti alespoň 2 pm.
- 3. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má hustotu podle Scotta 1,59 až 1,95 g/cm3.30
- 4. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 2000 až 3000 ppm.-20CZ 305376 B6
- 5. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačuj vou plochu BET 1 až 3 m2/g.se tím, že má povrcho
- 6. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím vou plochu BET 0,5 až 3 m2/g.
- 7. Nitridovaný práškový tantal podle nároku je fosfor a/nebo kyslík.vyznačující se tím že dále obsahu
- 8. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím je 50 až 150 ppm fosforu a/nebo 1500 až 3500 ppm kyslíku.že má povrchože dále obsahu
- 9. Nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, vyznačující se tím, že má dále povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
- 10. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, vyznačující se tím, že má obsah dusíku 1500 až 4000ppm, přičemž veškerý sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem má rovnoměrnou distribuci dusíku s odlišnostmi nejvýše 1500 ppm.
- 11. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
- 12. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob.
- 13. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
- 14. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 11, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
- 15. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 12, vyznačující se tím, že obsahuje póry o velikosti alespoň 2 pm.
- 16. Sintrovaný nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem podle nároku 10, vyznačující se tím, že tím, že má povrchovou plochu BET 0,5 až 10 m2/g.
- 17. Způsob výroby nitridovaného kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem, vyznačující se tím, že zahrnuje nitridaci práškového kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem při dostatečné teplotě a tlaku buď před sintrovací fází tepelného zpracování, nebo po sintrovací fází tepelného zpracování, ale před krokem dezoxidace, přičemž nitridace začíná při průměrné teplotě kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem 200 až 350 °C.
- 18. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí plynným dusíkem.
- 19. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí pomocí alespoň jedné sloučeniny uvolňující dusík.
- 20. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že výsledkem nitridace je kov s nízkým elektrochemickým potenciálem mající obsah dusíku 1500 až 4000 ppm.-21 CZ 305376 B6
- 21. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že tepelné zpracování zahrnuje zahřívání kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem na teplotu 1250 až 1500 °C po dobu 10 minut až 2 hodin, přičemž kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
- 22. Způsob podle nároku 20 nebo 21, vyznačující se tím, že výsledný produkt se drtí nebo mele.
- 23. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridace se provádí při teplotě 250 až 600 °C.
- 24. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že z kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se před nitridací odplyněním odstraní vodík.
- 25. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že nitridovaný kov s nízkým elektrochemickým potenciálem se po nitridaci podrobuje alespoň jednomu kroku pasivace, alespoň jednomu kroku dezoxidace a alespoň jednomu kroku sintrování.
- 26. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je tantal.
- 27. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že kovem s nízkým elektrochemickým potenciálem je niob.
- 28. Způsob podle nároku 17, vyznačující se tím, že průměrná teplota kovu s nízkým elektrochemickým potenciálem se zvyšuje rychlostí nižší než 10 °C za minutu až do dokončení nitridace.
- 29. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje tantal podle nároku 11.
- 30. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje niob podle nároku 12.
- 31. Anoda kondenzátoru, vyznačující se tím, že obsahuje nitridovaný práškový tantal podle nároku 1, jehož kapacitance po zformování do anody kondenzátoru při napětí 30 voltů je 40 000 až 80 000 CV/g.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US18597900P | 2000-03-01 | 2000-03-01 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ20022943A3 CZ20022943A3 (cs) | 2003-08-13 |
CZ305376B6 true CZ305376B6 (cs) | 2015-08-26 |
Family
ID=22683158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ2002-2943A CZ305376B6 (cs) | 2000-03-01 | 2001-02-28 | Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6679934B2 (cs) |
EP (1) | EP1259346A2 (cs) |
JP (1) | JP4261105B2 (cs) |
KR (1) | KR20020091109A (cs) |
CN (1) | CN100491022C (cs) |
AU (2) | AU2001239946B2 (cs) |
BR (1) | BR0108905A (cs) |
CA (1) | CA2401779A1 (cs) |
CZ (1) | CZ305376B6 (cs) |
HK (1) | HK1053078A1 (cs) |
IL (2) | IL151549A0 (cs) |
MX (1) | MXPA02008557A (cs) |
RU (1) | RU2246376C2 (cs) |
TW (1) | TW539585B (cs) |
WO (1) | WO2001064374A2 (cs) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ306436B6 (cs) * | 2006-05-05 | 2017-01-25 | Cabot Corporation | Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6576038B1 (en) * | 1998-05-22 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties |
US6375704B1 (en) * | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
US6432161B1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-08-13 | Cabot Supermetals K.K. | Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder |
CN100491022C (zh) | 2000-03-01 | 2009-05-27 | 卡伯特公司 | 氮化的电子管金属及其制造方法 |
JP3718412B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2005-11-24 | キャボットスーパーメタル株式会社 | ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法 |
US6554884B1 (en) | 2000-10-24 | 2003-04-29 | H.C. Starck, Inc. | Tantalum and tantalum nitride powder mixtures for electrolytic capacitors substrates |
JP3624898B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2005-03-02 | 昭和電工株式会社 | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
JP2004076063A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ |
JP2004143477A (ja) * | 2002-10-22 | 2004-05-20 | Cabot Supermetal Kk | ニオブ粉末およびその製造方法、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ |
US7157073B2 (en) | 2003-05-02 | 2007-01-02 | Reading Alloys, Inc. | Production of high-purity niobium monoxide and capacitor production therefrom |
JP4773355B2 (ja) | 2003-05-19 | 2011-09-14 | キャボット コーポレイション | ニオブ酸化物及び酸素が低減したニオブ酸化物の製造方法 |
US7803235B2 (en) * | 2004-01-08 | 2010-09-28 | Cabot Corporation | Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen |
US7085127B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-08-01 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount chip capacitor |
US7088573B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-08-08 | Vishay Sprague, Inc. | Surface mount MELF capacitor |
US20050225927A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-13 | Tagusagawa Solon Y | Processes for the production of niobium oxides with controlled tantalum content and capacitors made therefrom |
US7729104B2 (en) * | 2004-04-15 | 2010-06-01 | Jfe Mineral Company, Ltd. | Tantalum powder and solid electrolyte capacitor including the same |
DE112005001499T5 (de) * | 2004-06-28 | 2007-05-10 | Cabot Corp., Boston | Flockenförmiges Tantal mit hoher Kapazität und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8057883B2 (en) * | 2007-05-30 | 2011-11-15 | Kemet Electronics Corporation | Abrasive process for modifying corners, edges, and surfaces of capacitor anode bodies |
JP4868601B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-02-01 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2009164412A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Kobe Steel Ltd | 多孔質金属薄膜およびその製造方法、ならびにコンデンサ |
CN100528418C (zh) * | 2008-01-11 | 2009-08-19 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法,阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极 |
RU2445188C2 (ru) * | 2009-12-28 | 2012-03-20 | Открытое акционерное общество "Русполимет" | Способ получения изделий из стальных гранул методом порошковой металлургии с равномерным распределением азота в объеме изделия |
KR101838989B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2018-03-15 | 닝시아 오리엔트 탄탈럼 인더스트리 코포레이션 엘티디 | 높은 질소 함량을 갖는 캐퍼시터급 탄탈럼 파우더의 제조방법, 그로부터 제조된 캐퍼시터급 탄탈럼 파우더 및 탄탈럼 파우더로 제조된 캐퍼시터와 애노드 |
US20190308247A1 (en) * | 2016-07-13 | 2019-10-10 | Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. | Flaked tantalum powder and preparation method thereof |
JP6815246B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2021-01-20 | 太平洋セメント株式会社 | 窒化タンタル粒子 |
CN107857240B (zh) * | 2017-11-30 | 2021-03-30 | 株洲硬质合金集团有限公司 | 氮化铌粉末的生产方法 |
CN111906315B (zh) * | 2020-07-17 | 2022-04-05 | 歌尔光学科技有限公司 | 粉末冶金方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427132A (en) * | 1967-04-12 | 1969-02-11 | Nat Res Corp | Tantalum nitride powder and method for its preparation |
CS164421B1 (cs) * | 1972-03-06 | 1975-11-07 | ||
US4423004A (en) * | 1983-03-24 | 1983-12-27 | Sprague Electric Company | Treatment of tantalum powder |
EP0634762A1 (en) * | 1990-09-13 | 1995-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A method for producing a solid electrolytic capacitor |
WO1999057739A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE791139A (fr) | 1972-01-14 | 1973-03-01 | Western Electric Co | Procede pour le depot de beta-tantale dope par l'azote |
USRE32260E (en) | 1975-07-14 | 1986-10-07 | Fansteel Inc. | Tantalum powder and method of making the same |
US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
JPS63221842A (ja) | 1987-03-11 | 1988-09-14 | Nippon Steel Corp | 金属粉体、金属化合物粉体およびセラミツクス粉体の製造方法および装置 |
US4805074A (en) | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
US5211741A (en) | 1987-11-30 | 1993-05-18 | Cabot Corporation | Flaked tantalum powder |
DE3820960A1 (de) | 1988-06-22 | 1989-12-28 | Starck Hermann C Fa | Feinkoernige hochreine erdsaeuremetallpulver, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
DE3918691A1 (de) | 1989-06-08 | 1990-12-13 | Starck Hermann C Fa | Nioboxidpulver (nb(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)o(pfeil abwaerts)5(pfeil abwaerts)) sowie verfahren zu dessen herstellung |
US4968481A (en) | 1989-09-28 | 1990-11-06 | V Tech Corporation | Tantalum powder with improved capacitor anode processing characteristics |
FR2671339B1 (fr) | 1991-01-03 | 1993-08-27 | Pechiney Electrometallurgie | Procede de nitruration directe de metaux a bas point de fusion. |
US5245514A (en) | 1992-05-27 | 1993-09-14 | Cabot Corporation | Extruded capacitor electrode and method of making the same |
US5448447A (en) | 1993-04-26 | 1995-09-05 | Cabot Corporation | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
US5412533A (en) | 1993-06-22 | 1995-05-02 | Rohm Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
EP0665302B1 (en) | 1994-01-26 | 2000-05-03 | H.C. Starck, INC. | Nitriding tantalum powder |
JP3434041B2 (ja) | 1994-09-28 | 2003-08-04 | スタルクヴイテック株式会社 | タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ |
JPH0897096A (ja) | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sutaruku Buitetsuku Kk | タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ |
US5825611A (en) | 1997-01-29 | 1998-10-20 | Vishay Sprague, Inc. | Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor |
US6185090B1 (en) | 1997-01-29 | 2001-02-06 | Vishay Sprague, Inc. | Method for doping sintered tantalum and niobium pellets with nitrogen |
AU6495398A (en) * | 1997-02-19 | 1998-09-09 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it |
AU6396398A (en) | 1997-02-19 | 1998-09-09 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Tantalum powder, method for producing same powder and sintered anodes obtained from it |
JP3254163B2 (ja) | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
DE19831280A1 (de) | 1998-07-13 | 2000-01-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Erdsäuremetallpulvern, insbesondere Niobpulvern |
US6171363B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-01-09 | H. C. Starck, Inc. | Method for producing tantallum/niobium metal powders by the reduction of their oxides with gaseous magnesium |
JP3196832B2 (ja) | 1998-05-15 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
US6576038B1 (en) | 1998-05-22 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties |
US6521013B1 (en) | 1998-08-05 | 2003-02-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium sintered body for capacitor and replace with process for producing same |
JP2000082639A (ja) | 1998-09-04 | 2000-03-21 | Nec Corp | Nbコンデンサの製造方法 |
DE19847012A1 (de) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
AU1684600A (en) | 1998-12-15 | 2000-07-03 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
US6515846B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
KR100650621B1 (ko) | 1999-02-16 | 2006-11-27 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 니오브분말, 니오브소결체, 그 소결체를 사용한 축전지 및 그 축전지의 제조방법 |
US6212065B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-04-03 | Vishay Sprague, Inc. | Capacitor pellet and lead assembly |
US6558447B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
CN1221994C (zh) | 1999-07-15 | 2005-10-05 | 昭和电工株式会社 | 铌粉、其烧结体和使用该烧结体的电容器 |
US6261337B1 (en) | 1999-08-19 | 2001-07-17 | Prabhat Kumar | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy |
US6423110B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-07-23 | Showa Denko K.K. | Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body |
CN100491022C (zh) | 2000-03-01 | 2009-05-27 | 卡伯特公司 | 氮化的电子管金属及其制造方法 |
-
2001
- 2001-02-28 CN CNB018087035A patent/CN100491022C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-28 US US09/795,947 patent/US6679934B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-28 WO PCT/US2001/006449 patent/WO2001064374A2/en not_active Application Discontinuation
- 2001-02-28 MX MXPA02008557A patent/MXPA02008557A/es unknown
- 2001-02-28 JP JP2001563259A patent/JP4261105B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-28 AU AU2001239946A patent/AU2001239946B2/en not_active Ceased
- 2001-02-28 CA CA002401779A patent/CA2401779A1/en not_active Abandoned
- 2001-02-28 EP EP01914577A patent/EP1259346A2/en not_active Withdrawn
- 2001-02-28 BR BR0108905-6A patent/BR0108905A/pt unknown
- 2001-02-28 KR KR1020027011458A patent/KR20020091109A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-02-28 IL IL15154901A patent/IL151549A0/xx active IP Right Grant
- 2001-02-28 CZ CZ2002-2943A patent/CZ305376B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-02-28 RU RU2002125943/02A patent/RU2246376C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2001-02-28 AU AU3994601A patent/AU3994601A/xx active Pending
- 2001-03-01 TW TW090104725A patent/TW539585B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-09-01 IL IL151549A patent/IL151549A/en not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-25 HK HK03105383.1A patent/HK1053078A1/zh unknown
- 2003-11-25 US US10/721,215 patent/US7144546B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427132A (en) * | 1967-04-12 | 1969-02-11 | Nat Res Corp | Tantalum nitride powder and method for its preparation |
CS164421B1 (cs) * | 1972-03-06 | 1975-11-07 | ||
US4423004A (en) * | 1983-03-24 | 1983-12-27 | Sprague Electric Company | Treatment of tantalum powder |
EP0634762A1 (en) * | 1990-09-13 | 1995-01-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | A method for producing a solid electrolytic capacitor |
WO1999057739A1 (en) * | 1998-05-04 | 1999-11-11 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CZ306436B6 (cs) * | 2006-05-05 | 2017-01-25 | Cabot Corporation | Tantalový prášek a způsob jeho výroby a anoda elektrolytického kondenzátoru |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6679934B2 (en) | 2004-01-20 |
CA2401779A1 (en) | 2001-09-07 |
US20040108018A1 (en) | 2004-06-10 |
KR20020091109A (ko) | 2002-12-05 |
AU3994601A (en) | 2001-09-12 |
US7144546B2 (en) | 2006-12-05 |
CN100491022C (zh) | 2009-05-27 |
IL151549A (en) | 2006-10-05 |
WO2001064374A2 (en) | 2001-09-07 |
JP2003525350A (ja) | 2003-08-26 |
JP4261105B2 (ja) | 2009-04-30 |
MXPA02008557A (es) | 2003-04-14 |
EP1259346A2 (en) | 2002-11-27 |
RU2246376C2 (ru) | 2005-02-20 |
BR0108905A (pt) | 2003-03-18 |
WO2001064374A9 (en) | 2003-01-03 |
US20020088507A1 (en) | 2002-07-11 |
WO2001064374A3 (en) | 2002-03-21 |
CN1426334A (zh) | 2003-06-25 |
AU2001239946B2 (en) | 2004-12-16 |
CZ20022943A3 (cs) | 2003-08-13 |
IL151549A0 (en) | 2003-04-10 |
TW539585B (en) | 2003-07-01 |
HK1053078A1 (zh) | 2003-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ305376B6 (cs) | Nitridovaný práškový kov s nízkým elektrochemickým potenciálem, způsob jeho výroby a anoda kondenzátoru s jeho obsahem | |
JP7432927B2 (ja) | 球状粉末含有陽極及びコンデンサ | |
US8562765B2 (en) | Process for heat treating metal powder and products made from the same | |
US9466433B2 (en) | Valve metal and valve metal oxide agglomerate powders and method for the production thereof | |
IL142601A (en) | Durable metal powder with low oxygen level for use in powder metallurgy | |
JP2002206105A (ja) | タンタル粉末の製法、タンタル粉末およびタンタル電解コンデンサ | |
JP5266427B1 (ja) | コンデンサの陽極体の製造方法 | |
JP6977021B2 (ja) | 薄片状タンタル粉末およびその調製方法 | |
US9691553B2 (en) | Production method for tungsten anode body | |
EP2851915B1 (en) | Method for manufacturing capacitor element | |
CN118492364A (zh) | 一种耐高电压钽粉末的团化方法、由该方法制备的钽粉末以及由该钽粉末制备的电容器 | |
JP2004238670A (ja) | コンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに電解コンデンサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Patent expired |
Effective date: 20210228 |