JP6977021B2 - 薄片状タンタル粉末およびその調製方法 - Google Patents
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Description
[0016]好ましくは高周波キャパシタに適した薄片状タンタル粉末は、その粉末が300〜1800ppmの窒素、好ましくは400〜1600ppm、より好ましくは500〜1500ppm、そして最も好ましくは700〜1300ppmの窒素を含み、そして10〜100ppmのリン、好ましくは20〜80ppm、より好ましくは30〜70ppmのリンを含み、そして/または1〜80ppmのホウ素、好ましくは10〜65ppm、より好ましくは20〜50ppmのホウ素を含むことで特徴づけられる。
1)薄片状タンタル粉末を第一の熱処理に供すること;
2)第一の熱処理がなされたタンタル粉末を第一の脱酸に供すること;
3)第一の脱酸がなされたタンタル粉末を低温窒化に供すること;
4)低温窒化がなされたタンタル粉末を第二の熱処理に供すること;および任意に
5)第二の熱処理がなされたタンタル粉末を第二の脱酸に供し、次いで任意に、酸洗い、水洗浄、乾燥、および篩い分けに供し、それにより本発明に係る薄片状タンタル粉末を得ること。
[0031]工程1)において用いられるタンタル粉末は任意の公知の方法によって調製された薄片状タンタル粉末であり、例えば、ナトリウムで還元されたタンタル粉末への振動ボールミル粉砕または攪拌ボールミル粉砕によって、そして酸洗いと不純物の除去を行うことによってフレーク化することで得られた薄片状タンタル粉末である。好ましくは、工程1)における熱処理は真空条件の下で行われる。好ましくは、熱処理温度は1200〜1600℃であり、好ましくは1250〜1500℃、より好ましくは1300〜1450℃である。好ましい態様において、原材料としての薄片状タンタル粉末は次のやり方で得られる:ナトリウムで還元されたタンタル粉末がボールミル粉砕、酸洗いおよび不純物の除去に供されて薄片状タンタル粉末が得られ、任意に、薄片状タンタル粉末は、リン元素の量に基づいて10〜100ppmのリン酸二水素アンモニウム(これはヘキサフルオロリン酸アンモニウムであってもよい)および/またはホウ素元素の量に基づいて1〜80ppmのホウ酸でドープされ、そして熱処理のための真空条件の下で1200〜1600℃まで加熱される。
[0039]本明細書において開示されるタンタル金属粒子を記述するためのフィッシャー平均粒径(FSSS/μm)は、フィッシャーサブスクリーニング装置を用いて測定される。酸素と窒素の含有量の分析はLECO Company(米国)のON-600酸素窒素試験機を用いて行われる。リンの含有量はEunic Instrument Company(上海)の2800UV/VIS分光光度計を用いて分析される。鉄とホウ素および不純物元素の含有量は、Beld Company(米国)のDV-5 DCアーク光電子分光計を用いて分析される。スコットのかさ密度(SBD、g/cm3)は中国標準規格GB5060-85に明示された方法に従って試験を行うことによって得られる。
[0042]実施例1
[0043]先行技術を採用することによって得られた薄片状のタンタル粉末を原材料1として用いた。試験を行うことによって得られた薄片状タンタル粉末のパラメータを表1に示す。5Kgの原材料1を取り、ホウ素元素の量に基づいて40ppmのホウ酸を添加し、均一に混合して混合物に凝集処理(agglomeration treatment)を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1450℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて1.5%のマグネシウム粉末をドープして、温度を900℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げて450℃まで冷却し、その後、空気置換を行い、そして圧力が正圧(+0.01MPa)に達するまで高純度の窒素を充填し、次いで温度を60分間保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1430℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0047]原材料は実施例1において用いたものと同じであった。5Kgの原材料を取り、ホウ素元素の量に基づいて40ppmのホウ酸を添加し、均一に混合して混合物に凝集処理を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1450℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて1.5%のマグネシウム粉末をドープして、温度を900℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げ、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1430℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0050]実施例2
[0051]実施例1と同じ原材料を用いた。試験を行うことによって得られたそのパラメータを表1に示す。凝集処理を行った後、原材料を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1400℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行い、次いでリン元素の量に基づいて70ppmのヘキサフルオロリン酸アンモニウムを添加し、そしてタンタル粉末の重量に基づいて2.0%のマグネシウム粉末をドープして均一に混合し、温度を880℃に上昇させ、そして不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げて350℃まで冷却し、次いで空気置換を行い、そして圧力が正圧(+0.01MPa)に達するまで高純度の窒素を充填し、次いで温度を60分間保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1400℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0055]実施例2と同じ原材料を用いた。凝集処理を行った後、原材料を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1400℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行い、次いでタンタル粉末の重量に基づいて2.0%のマグネシウム粉末をドープして均一に混合し、そして温度を880℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げ、冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1400℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0058]実施例3
[0059]先行技術のプロセスを用いて得られた薄片状のタンタル粉末を原材料2として用いた。その特性を表1に示す。5Kgの原材料2を取り、そしてリン元素の量に基づいて80ppmのリン酸二水素アンモニウムを添加し、均一に混合して混合物に凝集処理を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1380℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて2.5%のマグネシウム粉末をドープして、温度を800℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げて320℃まで冷却し、その後、空気置換を行い、そして圧力が正圧(+0.01MPa)に達するまで高純度の窒素を充填し、次いで温度を60分間保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1450℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0063]原材料は実施例3において用いたものと同じであった。5Kgの原材料を取り、そしてリン元素の量に基づいて80ppmのリン酸二水素アンモニウムを添加し、均一に混合して混合物に凝集処理を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1380℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて2.5%のマグネシウム粉末をドープして、温度を860℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下でその温度を4時間保持し、続いて温度を下げ、冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1450℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。
[0066]実施例4
[0067]先行技術のプロセスを用いて得られた薄片状のタンタル粉末を原材料3として用いた。その特性を表1に示す。5Kgの原材料3を取り、ホウ素元素の量に基づいて40ppmのホウ酸を添加し、均一に混合して混合物に凝集処理を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1520℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて1.5%のマグネシウム粉末をドープして、温度を920℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下で4時間保持し、続いて温度を下げて420℃まで冷却し、次いで空気置換を行い、そして圧力が正圧(+0.01MPa)に達するまで高純度の窒素を充填し、次いで温度を60分間保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、そして先行技術のプロセスを用いて酸洗いと不純物の除去を行った後、再び熱処理炉の中に投入し、次いで60分にわたって温度を1520℃で保持し、そして冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行い、それにより完成品を得た。完成品の化学的不純物と物性を表2に示す。
[0070]原材料は実施例4において用いたものと同じであった。5Kgの原材料を取り、そしてホウ素元素の量に基づいて40ppmのホウ酸を添加し、均一に混合して混合物に凝集処理を行った後、混合物を熱処理炉の中に投入し、60分にわたって温度を1520℃で保持し、続いて冷却および不動態化を行い、その後、炉から取り出し、60メッシュの篩によって篩い分けを行い、そして磁気分離を行った。次いで、タンタル粉末の重量に基づいて1.5%のマグネシウム粉末をドープした。温度を920℃に上昇させ、不活性ガスの保護の下でその温度を4時間保持し、次いで温度を下げた。
Claims (3)
- 薄片状タンタル粉末を調製するための方法であって、以下の工程:
1)薄片状タンタル粉末を第一の熱処理に供すること;
2)第一の熱処理がなされたタンタル粉末を第一の脱酸に供すること、ここで、第一の脱酸は3〜6時間にわたって温度を800℃〜1000℃に保持する;
3)第一の脱酸がなされたタンタル粉末を500℃以下の低温窒化に供すること;
4)低温窒化がなされたタンタル粉末を第二の熱処理に供すること、ここで、第二の熱処理は、1200℃〜1600℃に加熱し、この温度を真空下で30分〜180分保持する;および
5)第二の熱処理がなされたタンタル粉末を第二の脱酸に供し、次いで任意に、酸洗い、水洗浄、乾燥、および篩い分けに供し、それにより完成した薄片状タンタル粉末を得ること;
を含み、工程2)の第一の脱酸の際にマグネシウム粉末と一緒にホウ素を含有する化合物を添加して、完成した薄片状タンタル粉末が10〜65ppmのホウ素を含むことを特徴とする前記方法。 - 工程1)の薄片状タンタル粉末は、ナトリウムを用いるフルオロタンタル酸カリウムの還元によって得られたタンタル粉末を、ボールミル粉砕、および酸洗いと不純物の除去に供することによって得られる、請求項1に記載の方法。
- 工程2)の第一の脱酸は、3〜5時間にわたって温度を800〜980℃で保持することを含む、請求項1または2に記載の方法。
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