CZ225699A3 - Dusíkaté heteroaromatické sloučeniny jako inhibitory faktoru Xa - Google Patents

Dusíkaté heteroaromatické sloučeniny jako inhibitory faktoru Xa Download PDF

Info

Publication number
CZ225699A3
CZ225699A3 CZ19992256A CZ225699A CZ225699A3 CZ 225699 A3 CZ225699 A3 CZ 225699A3 CZ 19992256 A CZ19992256 A CZ 19992256A CZ 225699 A CZ225699 A CZ 225699A CZ 225699 A3 CZ225699 A3 CZ 225699A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
layer
chip carrier
chip
electrically conductive
layers
Prior art date
Application number
CZ19992256A
Other languages
English (en)
Inventor
Donald Joseph Phillip Pinto
James Russell Pruitt
Joseph Cacciola
John Matthew Fevig
Qi Han
Michael James Orwat
Mimi Lifen Quan
Karen Anita Rossi
Original Assignee
Du Pont Pharmaceuticals Company
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27118232&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CZ225699(A3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Du Pont Pharmaceuticals Company filed Critical Du Pont Pharmaceuticals Company
Publication of CZ225699A3 publication Critical patent/CZ225699A3/cs

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D257/00—Heterocyclic compounds containing rings having four nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D257/02—Heterocyclic compounds containing rings having four nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D257/04—Five-membered rings
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P43/00—Drugs for specific purposes, not provided for in groups A61P1/00-A61P41/00
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P7/00—Drugs for disorders of the blood or the extracellular fluid
    • A61P7/02—Antithrombotic agents; Anticoagulants; Platelet aggregation inhibitors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D207/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D207/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom
    • C07D207/30—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D207/34—Heterocyclic compounds containing five-membered rings not condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom with only hydrogen or carbon atoms directly attached to the ring nitrogen atom having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/12—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/14—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/14—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D231/16—Halogen atoms or nitro radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/14—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D231/18—One oxygen or sulfur atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/14—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D231/38—Nitrogen atoms
    • C07D231/40—Acylated on said nitrogen atom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D231/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings
    • C07D231/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings
    • C07D231/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D231/14—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazole or hydrogenated 1,2-diazole rings not condensed with other rings having two or three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D231/38—Nitrogen atoms
    • C07D231/42—Benzene-sulfonamido pyrazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/56—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms or radicals containing only hydrogen and carbon atoms, attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D233/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings
    • C07D233/54—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D233/66—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, not condensed with other rings having two double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C07D233/90—Carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D249/04—1,2,3-Triazoles; Hydrogenated 1,2,3-triazoles
    • C07D249/06—1,2,3-Triazoles; Hydrogenated 1,2,3-triazoles with aryl radicals directly attached to ring atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
    • C07D249/10—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D417/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00
    • C07D417/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing two hetero rings
    • C07D417/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D415/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Pharmacology & Pharmacy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Diabetes (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)
  • Pyrrole Compounds (AREA)

Description

Vynález se týká organického nosiče čipu pro čipy s drátovými spoji.
Dosavadní stav techniky
Přístroje s polovodičovými integrovanými obvody (označované také jako polovodičové čipy nebo prostě čipy) se typicky elektronicky spojují uložením jednoho nebo více čipů na podkladu nosiče čipu z keramiky, například z oxidu hlinitého a s použitím drátových spojů pro elektrické spojení vstupních/výstupních dotyků na každém čipu k odpovídajícím dotykům (a tudíž k odpovídajícím obvodům vstupního větvení) na keramickém podkladu nosiče čipu. Výsledný keramický nosič čipu se potom namontuje na kartu tištěných obvodů nebo na desku tištěných obvodů a spoji se elektricky přes obvody na této desce nebo kartě s jinými takovými keramickými nosiči čipu a/nebo s jinými elektronickými složkami uloženými na deskách či kartách.
Ačkoliv výše popsané spojovací schéma je jistě užitečné, použití keramických podkladů nosičů čipů způsobuje určitá omezení a nevýhody. Tak například, jak je známo, rychlost přenosu elektrického signálu dráty na dielektrické vrstvě nebo mezi dvěma dielektrickými vrstvami je úměrná převrácené hodnotě odmocniny z dielektrické konstanty dielektrické vrstvy nebo vrstev. Naneštěstí jsou dielektrické konstanty keramických materiálů poměrně vysoké, například dielektrická konstanta oxidu hlinitého je asi 9, což má za následek, že keramický nosič čipu způsobuje poměrně nízkou a v některých případech nepřípustně nízkou rychlost přenosu signálu.
Použití keramického podkladu nosiče čipu vede také k určitému omezení vstupních/výstupních signálů. Tak například jednovrstvový keramický podklad nosiče čipu obsahuje jednu vrstvu obvodů výstupního větvení na horním povrchu jediné ke-
-Ίramické vrstvy probíhající k dotykům kolem vnějšího obvodu jediné keramické vrstvy. (Rámec vodičů mající vnitřní vodiče připojené k těmto obvodovým dotykům je typicky použit pro elektrické spojení takového keramického nosiče čipu k desce nebo kartě tištěných obvodů.) Nicméně tak jak se zvětšuje počet vstupů/výstupů čipu je nutné zvýšit počet drátů výstupních větvení a příslušným způsobem snížit vzdálenosti mezi dráty výstupních větvení až k hodnotě kde nastávají nežádoucí přenosy signálů mezi přilehlými dráty výstupního větvení. Kromě toho bylo velmi nesnadné či nemožné tvarovat odpovídající velký počet dotyku kolem vnějšího obvodu keramické vrstvy. Jednovrstvé keramické podklady čipů tudíž jsou s konečnou platností omezeny co do jejich schopnosti spolupracovat s čipy s vysokými vstupními/výstupními rychlostmi.
Úsilí o přizpůsobení čipů majících poměrně velký počet vstupů/výstupů vedlo k použití vícevrstvého keramického podkladu čipu používajících tak zvaných řad kuličkové mříže místo rámců vodičů. Tyto typy keramických podkladů nosičů čipů se liší od jednovrstvých keramických podkladů nosičů čipů v tom, že obsahují dvě nebo více vrstev obvodů výstupního větvení na dvou nebo více keramických vrstvách. Významné je, že tyto vrstvy obvodů výstupních větvení jsou elektricky propojeny mechanicky vrtanými průchozími otvory, které jsou plátovány a/nebo vyplněny elektricky vodivým materiálem. Přídavně určitý počet takových otvorů probíhá z vrstev obvodů výstupního větvení k ploškám na dnech podkladů nosičů čipů, na kterých jsou uloženy kuličky pájky (vytvořené v mřížových sloupcích, z čehož pochází výraz sloupec mříže kuliček). Tyto kuličky pájky mají být mechanicky a elektricky spojeny s příslušnými pájení schopnými dotyky na kartě nebo desce tištěných obvodů. Naneštěstí mechanicky vrtané otvory elektricky propojující vrstvy obvodů výstupního větvení mají poměrně velké průměry, což vyžaduje mezery mezi dráty výstupního vetveni o značné velikosti. Tyto poměrně velké vzdálenosti mezi dráty výstupního větvení omezují počet vstupů/výstupů
-3čipu, který může být uspořádán s takovým keramickým podkladem nosiče čipu.
Jme snahy o spojování čipů majících poměrně velký počet vstupů/výstupů vedly k použití složených dutin ve vícevrstvých keramických podkladech. (Zde používaný výraz dutina značí prohloubení v podkladu nikoliv otvor procházející celou tlouštkou podkladu.) Při použití takových spojpvacích uspořádaní je čip uložen plochou nahoru ha dnu složené dutiny. Drátové spoje probíhají ze vstupních/výstuphích dotyků na horním povrchu čipu, aby byly v dotyku s dotyky na každém vystaveném horním povrchu různých vrstev vícevrstvého keramického podkladu tvořících různé vrstvy složené dutiny. Ačkoliv, toto uspořádání umožňuje uložení poměrně velkého počtu vstupu/výstupů čipu, má za následek poměrně dlouhé drátové spoje probíhající z čipu do horních vrstev složené dutiny. Následkem toho doba letu příslušných elektrických signálů je nepřípustně prodloužena.
Keramické podklady nosičů čipů jsou také omezeny pokud jde o jejich schopnost rozptylovat teplo. Tak například v případe vícevrstvého keramického nosiče čipu majícího čip umístěný u dna složené dutiny je rozptyl tepla typicky dosazen uspořádáním tepelné jímky přímo pod dutinou. To však předpokládá, že teplo vyvinuté čipem musí nutně být vedeno pres keramickou vrstvu u dna dutiny před tím, než dosáhne tepelne jímky. Následkem toho je velikost rozptylu tepla omezena .
Publikace IBM T.D.B. 28(7), str.2918-2919 popisuje uspořádáni pro výrobu světlem tvarovaného nosiče čipu vysoké hustoty, které používá plastický materiál dodávaný společností E.I.du Pont de Nemours a Co. a označený jako světlem tvarovaný plast Alpha. Tento materiál umožňuje fotografické tvarování cest mezi množstvím vrstev dielektrika, které jsou propojeny použitím standardní metalizace a foťoleptacích technik. Ve srovnání s vícevrstvými keramickými spojeními a s pokovenými keramickými strukturami s polyimidem jsou vý
-3ahody světlem tvarovaných nosičů čipu následující. Organické, keramické nebo kovové podklady mohou být použity a spojení je vytvořeno pro účinné chlazení vysokých tepelných zatížení. Toto uspořádání může používat součástek s uspořádanými vývody, povrchově montovaných součástek, přístrojů s volnými přívody nebo zvláštní návrhy s jedním vícenásobným čipem. Také mohou kovové podklady působit jako mechanický kryt i jako tepelná jímka pro taková použití jako jsou napájecí obvody.
Patentový spis Spojených států amerických US-A-5355283 popisuje radu mříží kuliček se spojovacími cestami. Řada mříží kuliček je tvořena montáží a elektrickým spojením jednoho nebo několika elektronických přístrojů k podkladu, ve kterém jsou vytvarovány cesty pro propojení elektricky vodivých drah vytvořených v povrchu podkladu pro kuličkové dotyky pájky vytvořené na jednom protilehlém povrchu podkladu. Tyto cesty jsou tvarovány mechanickým nebo laserovým vrtáním. Kuličky pájky jsou vytvořeny na každém dotyku a připojeny roztavením například na desku tištěných obvodů. Elektronické součástky mohou obsahovat jeden nebo více čipů integrovaných obvodů, jakož i pasivních součástek. Elektronické součástky jsou připojeny k podkladu použitím připojení dráty, spojení lícních cípu. Zapouzdřovací materiál je použit pro zapouzdření elektronických přístrojů.
Publikace PATENT ABSTRACTS OF JAPAN 14 (225), (E-927) popisuje podklad pro montáž elektronických součástek. Účelem tohoto podkladu je zlepšit rozptyl tepla a odolnost proti vlhku a zjednodušit strukturu pokrytím ploch obvodové desky po obou stranách průchozího otvoru vrstvami kovového filmu v dotyku s tepelně vodivou směsí pryskyřic. Průchozí otvory jsou otevřeny v polohách pro umístění nějaké elektronické součástky na obvodové desce. Některé průchozí otvory jsou otevřeny u jiných míst. Potom se otvory naplní směsí vodivé pryskyřice a vypálí se. Potom se otvory plátují kovem pro vytvoření plátovací vrstvy. V případě plátování kovem jsou vrstvy kovového filmu vytvořeny tak, že rovnoměrně pokrývají
-3bhorni i spodní stranu otvorů. To znamená, že tvarování vrstvy otvorů a tvarování vrstvy kovového filmu se provádí stejným procesem plátování kovu. Potom se složka přilepí k vrstvě kovového filmu na desce lepidlem ze stříbrné pasty a spojí se spojovací dráty a do otvorů se vloží vodivé čepy.
Pracovnici ve vývoji nosičů čipů se pokusili vytvořit, lec bez úspěchu, nosiče čipů, které: (1) vytvářejí poměrně vysoké rychlosti přenosu elektrických signálů, (-2) spojují čipy s poměrně vysokými počty vstupů/výstupů při vyloučení potřeby mechanického vrtání otvorů k propojení různých vrstev obvodů výstupního větvení, (3) vyvíjejí poměrně krátkou dobu letu a (4) vyvíjejí poměrně vysoký stupeň rozptylu tepla.
-4Podstata vynálezu
Vynález vytváří nosič čipu, který: (1) vytváří poměrně vysokou rychlost přenosu elektrického signálu, (2) vytváří čipy s poměrně vysokým počtem vstupů/výstupů při vyloučeni potřeby mechanického vrtání otvorů pro propojení různých vrstev obvodů výstupního větvení, (3) vylučuje použití poměrně dlouhých drátových spojů a tím dosahuje poměrně krátké doby letu a (4) dosahuje poměrně vysoké hodnoty rozptylu tepla.
Je významné, že nosič čipu podle vynálezu používá organických dielektrických materiálů jako jsou formulace epoxid/sklo prodávané pod značkou FR4 a DriClad místo keramických dielektrických materiálů. Tyto organické materiály mají poměrně malou dielektrickou konstantu, například dielektrická konstanta materiálu FR4 je 4,0. Následkem toho nosič čipu podle vynálezu vyvíjí poměrně vysokou rychlost přenosu elektrických signálů.
Nosič čipu podle vynálezu používá také světlem zobrazitelnou dielektrickou vrstvu, která slouží jako filmová redistribuční vrstva. To znamená, že tato zvláštní organická dielektrická vrstva je citlivá na světlo a je snadno selektivně exponována světlem přes masku a vyvolána stejně jako fotoodpor pro vytvoření průchozích otvorů (které jsou zde označovány jako světelné cesty, aby byly odlišeny od mechanicky vrtaných průchozích otvorů) ve světlem zobrazitelné dielektrické vrstvě. Je významné, že tyto světelné cesty se snadno vytvářejí, aby měly průměry, které jsou mnohem menší než průměry průchozích otvorů vytvářených použitím obvyklých mechanických vrtacích technik. Tak například průměr obvykle vyvrtaného průchozího otvoru je typicky menší než 0,3 mm, zatímco průměr světelné cesty může být malý, například 0,050 mm. Následkem toho když se taková světlem zobrazitelná ďielektrická vrstva (nebo vrstvy) vytvoří v nosiči čipu podle vynálezu, je umožněno propojovat dvě (nebo více) vrstvy obvodů výstupního větvení bez omezení vzdáleností mezi dráty výstupního věetvení
-5na stejný stupeň jako když se použije mechanicky vyvrtaných průchozích otvorů. Následkem toho nosič čipu podle vynálezu umožňuje použít čipy mající větší počet vstupů/výstupů než bylo možné s obvyklými keramickými nosiči čipů.
V jednom provedení vynálezu jsou tepelné průchozí otvory uspořádány pod jednoduchou dutinou probíhající ke dnu nosiče čipu pro odvádění tepla vyvíjeného čipem do ovzduší. V jiném provedení je vytvořena tepelná jímka přímo pod tepelnými průchozími otvory pro další zlepšení rozptylu tepla. V jiném dalším provedení vynálezu nosič čipu obsahuje kovovou, například měděnou vrstvu, která působí jako tepelná jímka a hloubka jednoduché dutiny zasahuje do kovové vrstvy. To má za následek přímý fyzický dotyk mezi čipem v dutině a tepelnou jímkou, čímž se opět zvýší rozptyl tepla.
V dalším provedení má nosíc cípu podle vynálezu alespoň dvě organické vrstvy se zemnící rovinou sevřenou mezi nimi. Jednoduchá dutina sdružená s tímto provedením má hloubku, která probíhá alespoň k zemnicí rovině. Je významné, že toto provedení obsahuje také ponejvíce spojitý kovový prsten, který obklopuje boční stěny dutiny a probíhá svisle k hornímu povrchu nosiče čipu. Přítomnost tohoto kovového prstenu je výhodná, protože umožňuje snadný elektrický dotyk se zemnící rovinou, přičemž je vyloučena potřeba mechanicky vrtaných průchozích otvorů probíhajících k zemnící rovině. Následkem toho jsou vzdálenosti mezi dráty výstupních větvení značně zmenšeny.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález je znázorněn na výkresech, kde obr.1 je řez prvním provedením nosiče čipu podle vynálezu, obr 2 je řez druhým provedením nosiče čipu podle vynálezu, obr.3 je řez třetím provedením nosiče čipu podle vynálezu, obr.4 je řez čtvrtým provedením nosiče čipu podle vynálezu, obr.5 je řez pátým provedením nosiče čipu podle vynálezu a obr.6 je půdorys podkladu znázorňující způsob použitý pro výrobu pátého
-6provedení nosiče čipu podle vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Vynález vytváří nosič čipu pro čipy s drátovými spoji, který: (1) vyvíjí poměrně vysokou rychlost přenosu elektrického signálu (2) snadno se přizpůsobuje poměrně vysokým vstupním/výstupním čipům, (3) vylučuje potřebu dlouhých drátových spojů, čímž dosahuje poměrně krátké doby letu pro elektrické signály přenášené přes drátové spoje a (4) dosahuje poměrně vysoké míry rozptylu tepla.
Jak je poznamenáno výše, nosič čipu podle vynálezu dosahuje poměrně vysokých rychlostí elektrickho přenosu, protože používá organické materiály jako formulace epoxid/s-klo prodávané pod značkou FR4 a DriClad místo keramických maateriálů. Nosič čipu podle vynálezu se tak snadno přizpůsobí poměrně vysokým vstupním/výstupním čipům protože používá alespoň jednu organickou světlem zobrazitelnou dielektrickou vrstvu, ve které byly vytvořeny světelné cesty jako filmová redistribuční vrstva pro elektrické propojení dvou (nebo více) vrstav obvodů výstupního větvení. Nosič čipu podle vynálezu vylučuje poměrně dlouhé drátové spoje a tedy dosahuje poměrně krátké doby letu pro přenos elektrických signálů přenášených přes drátové spoje protože používá jednoduchou dutinu pro uložení čipu spíše než složenou dutinu. Některá provedení nosiče čipu podle vynálezu dále také používají například tepelné cesty nebo vrstvy kovového materiálu přímo pod čipem pro zlepšení přestupu tepla.
První provedení nosiče 10 čipu podle vynálezu znázorněné v obr._l obsahuje podklad 20 mající protilehlé povrchy 30 a 40. Tento podklad 20 také obsahuje několik, například tři laminované organické dielektrické vrstvy 50,60. a 70 sestávající například z formulace epoxid/sklo prodávané pod značkou FR4 a DriClad. Ačkoliv není v obr.1 jasně znázorněna, organická dielektrická vrstva 50 slouží k nesení vrstvy 80 obvodů výstupního větvení, například z mědi. Mezi organickými die-Ίlektrickými vrstvami 50 a 60 je sevřena vrstva 90 z elektricky vodivého materiálu, například z mědi, která slouží jako napájecí rovina. Mezi organickými dielektrickými vrstvami 60 a 70 je sevřena druhá vrstva 100 z elektricky vodivého materiálu, například z mědi, která slouží jako zemnicí rovina.
Tlouštka každé organické dielektrické vrstvy 50,60 a 70 je rovna od 50,8 pm do 508 pm. Tlouštky menší než 50,8 pm jsou nežádoucí, protože příslušné organické dielektrické vrstvy jsou nepřípustně křehké, nespolehlivé a obtížně se s nimi zachází. Tlouštky větší než 508 pm jsou nežádoucí, protože takové dielektrické vrstvy jsou obecně nežádoucí a je obtížné vrtat průchozí otvory do takových tlustých vrstev.
Tlouštka každé z vrstev 80 (obvody výstupnho větvení), 90 (napájecí rovina) a 100 (zemnicí rovina) z elektricky vodivých materiálů je v rozsahu od 3,18 pm do 63,5 pm. Tlouštky menší než 3,18 pm nejsou žádoucí, protože odpovídající elektricky vodivé vrstvy se občas jeví jako neschopné odolávat výkyvům teplot, kterým je nosič čipu náhodně vystaven. Tlouštky větší než 63,5 pm nejsou žádoucí, protože vytváření takových tlustých vrstev vyžaduje nepřípustně dlouhou dobu při použití obvyklé plátovací technologie a s ohledem na potíže spojené s řízením šířky linek podstatně vzrostou.
Jak je znázorněno v obr.l, podložka 20 nosiče čipu obsahuje rovněž organickou světlem zobrazitelnou dielektrickou vrstvu 110, která leží nad vrstvou 80 obvodů výstupního věetvení. Užitečné složení vrstvy 1.10 obsahuje například světlem zobrazitelnou kationicky polymerizovatelnou látku na bázi epoxidu popsanou v patentovém spise Spojených států amerických číslo 5,026,624. Tento zvláštní materiál obsahuje systém epoxidové pryskyřice sestávající v podstatě z 10% až 80% hmotnostních polyolové pryskyřice, která je produktem kondenzace epichlorohydrinu a bisphenolu A majícího molekulární hmotnost od 40000 do 130000, z 20% až 90% hmotnostních epoxidizované oktafunkční bisphenol A formaldehyd-novolakové pryskyřice mající molekulární hmotnost od 4000 do 10000 a když se
-8žádá zpoždění plamenů, tedy od 35% do 50% hmotnostních epoxidizovaného glycidyletheru tetrabromobisphenolu A majícího bod měknutí od 60°C do 110°C a o molekulární hmotnosti od 600 do 2500. K tomuto systému pryskyřic se přidá od 0.1 do 15 dílů hmotnostních na 100 dílů hmotnostních pryskyřice kationického fotoiniciátoru schopného inicializovat polymerizaci uvedeného epoxidizovaného systému pryskyřic vystavením aktinickému zářeni, přičemž tento systém je dále vyznačen tím, že má pohltivost světla v rozsahu vlnových délek od 330 do 700 nm menší než 0.1 pro film o tlouštce 0,05 mm. Případně může být přidán fotosenzitizator jako je perylen a jeho deriváty nebo antracen a jeho deriváty.
Organická světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 se snadno ukládá použitím obvyklé ukládací technologie jako je pásové ukládání a válcové ukládání. Tlouštka světlem zobrazitelné dielektrické vrstvy 110 je v rozahu od 0,050mm do 0,5 mm. Tlouštky menší než 0,05 mm nejsou žádoucí, protože je obtížné tvarovat takto tenké vrstvy a přitom dosáhnout žádoucí zobrazení světlem a dielektrické vlastnosti. Tlouštky větší nez 0,5 mm nejsou žádoucí, protože je obtížné vytvářet malé světelné cesty v takových tlustých vrstvách.
Použitím obvyklých fotolitografických technik se světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 snadno selektivně exponuje světlem přes masku a potom se vyvolá pro vytvoření světelných cest 120 ve vrstvě 110, jak je znázorněno v obr.l. (Je třeba poznamenat, že exponované oblasti jsou podrobeny zesítění a tudíž jsou méně rozpustné než neexponované oblasti ve vztahu k vývojce.) Tyto světelné cesty 120 se potom snadno plátují elektricky vodivým materiálem, jako je měd, použitím obvyklých plátovacích technik.
Ačkoliv není v obr.l jasně znázorněna, světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 nese vrstvu 130 obvodů výstupního větvení, například z mědi, která obsahuje dotyky. Jak by melo být zřejmé, plátované světelné cesty 120 ve světlem zobrazitelné dielektrické vrstvě 110 slouží elektrickému propo
-9jení vrstev 130 a 80 obvodů výstupního větvení. Je významné, jak bylo uvedeno výše, že průměry světelných cest jsou menší než průměry mechanicky vyvrtaných průchozích otvorů. Následkem toho vzdálenosti mezi dráty výstupního větvení mohou být menší než bylo možné dříve.
Jak je znázorněno v obr.1, podklad 20 nosiče čipu obsahuje jednoduchou dutinu 140 mající hloubku, která je rovna pouze tlouštce světlem zobrazitelné dielektrické vrstvy 110. Dráty spojený čip 150 je umístěn plochou nahoru ve dnu dutiny s drátovými spoji 1.60 vybíhajícími z dotyků na čipu 150 k dotykům vrstvy 130 obvodů výstupního větvení.
Jak je znázorněno v obr.1, podklad 20 nosiče čipu přednostně obsahuje (mechanicky vyvrtané) otvory 170 tepelné cesty, které jsou umístěny přímo v blízkosti čipu 150 a procházejí tlouštkou organických vrstev 80,90 a 100. Tyto otvory 170 tepelné cesty slouží k odvádění tepla vyvíjeného čipem 150. do ovzduší a tudíž slouží ke zlepšení rozptylu tepla. (Je třeba poznamenat, že tyto otvory tepelné cesty jsou přednostně vyplněny epoxidovou pastou se stříbrnou výplní pro umožnění přenosu tepla. Dále je třeba poznamenat, že v konečných krocích výroby se na povrch 40 nosiče 10 čipu nanese pájecí maskovací materiál a tudíž tento pájecí maskovací materiál překrývá epoxidovou pastu se stříbrnou náplní.)
Průměry otvorů .170 tepelné cesty jsou od 0,15 mm do 0, 3 mm. Průměry menší než 0,15 mm nej sou žádoucí, protože u takto malých otvorů by byl přenos tepla nepřípustně nízký. Průměry větší než 0,30 mm nejsou žádoucí, protože vrstva materiálu ... ve styku s epoxidovou pastou naplněnou stříbrem v odpovídajících otvorech tepelné cesty mají sklon k praskání a nad nimi ležící čip má sklon k oddělení od podkladu nosiče čipu.
Jak je znázorněno v obr.1, podklad 20 nosiče čipu dále obsahuje množství mechanicky vyvrtaných plátovaných průchozích otvorů 180. Každý takový průchozí otvor 180 končí na povrchu 40, kde je obklopen elektricky vodivou ploškou 190 nap
-10říklad z mědi, připojenou k povrchu 40. K povrchu 40 je dále připojena řada elektricky vodivých dotyků 200. jakož i (neznázorněných) linek elektrických obvodů například z mědi, které spojují dotyky 200 s plátovanými průchozími otvory 180. Na ploškách l£0 a na dotycích 200 jsou uloženy kuličky 210 pájky, z nichž každá má složení obsahující například 67% olova a 33% cínu. Jak by mělo být zřejmé, tyto kuličky pájky mají být připojeny k pájení způsobilým dotykům na PCB nebo PCC.
V obr.2 je znázorněno druhé provedení nosiče 10 čipu, které je odlišné od prvního provedení v tom, že hloubka jednoduché dutiny 140 prochází také například organickými vrstvami 80 a 90. Navíc je k povrchu 40 připojena tepelná jímka 220 v podstatě svisle vyřízená s čipem 150 a s otvory 170 tepelné cesty. Kromě toho jsou k ploškám a dotykům na povrchu 30 připojeny kuličky 210 pájky.
V obr.3 je znázorněno třetí provedení nosiče 10 čipu, které se liší od prvního a druhého provedení v tom, že podklad 2j) nosiče čipu obsahuje poměrně tlustou světlem zobrazitelnou dielektrickou vrstvu 110 přilehlou bezprostředně k povrchu 30, a vrstvu 230 kovového materiálu, například mědi, bezprostředně přilehlou k povrchu 40. Vrstva 230 zde částečně působí jako výztuha a je přednostně elektricky uzemněna. Na druhé straně, jak bylo uvedeno výše, světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 nese vrstvu 130 obvodů výstupního věetvení obsahující dotyky. Navíc světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 obsahuje světelné cesty 120 procházející tlouštkou vrstvy 110 k elektricky uzemněné kovové vrstvě 230. Kromě toho jsou k některým dotykům vrstvy 130 obvodů výstupního větvení připojeny kuličky 210 pájky.
Jak je znázorněno v obr.3, třetí provedení nosiče 10 čipu obsahuje jednoduchou dutinu 140, která probíhá tlouštkou světlem zobrazitelné dielektrické vrstvy 110 k vrstvě 230 kovového materiálu. Čip 150 typu spojeného dráty je usazen ve dnu dutiny 140 a je tudíž jev přímém fyzickém dotyku s kovovou vrstvou 230. Následkem toho je rozptyl tepla zvýšen, pro-11tože kovová vrstva 230 působí rovněž jako tepelná jímka.
V tomto třetím provedení nosiče 10 čipu je tlouštka světlem zobrazitelné dielektrické vrstvy 110 od 0,05 mm do 0, 5 mm. Tlouštky mimo tento rozsah nejsou žádoucí z důvodů uvedených výše.
Tlouštka kovové vrstvy 230 je od 0,1 mm do 0,,5 mm.
Tlouštky menší než 0,1 mm nejsou přípustné, protože odpovídající kovové vrstvy mají nepřípustně nízkou tuhost. Tlouštky větší než 0,5 mm nejsou žádoucí, protože součinitel tepelné roztažnosti příslušné kovové vrstvy převažuje nad součinitelem tepelné roztažnosti odpovídajícího podkladu nosiče čipu, takže následkem rozdílných součinitelů tepelné roztažnosti podkladu nosiče čipu a odpovídajícího čipu může způsobit prasknutí čipu.
Obr.4 znázorňuje čtvrté provedení nosiče 10 čipu, které se liší od třetího provedení v tom, že světlem zobrazitelná dielektrická vrstva 110 je poměrně tenká a kovová vrstva 230 je poměrně tlustá. Navíc hloubka jednoduché dutiny .140 probíhá přes plnou tlouštku světlem zobrazitelné vrstvy 11Q a částečně přes tlouštku kovové vrstvy 230.
Ve čtvrtém provedení nosiče 10 čipu je tlouštka světlem zobrazitelné dielektrické vrstvy 110 v rozahu od 0,05 mm do 0,5 mm. Tlouštka mimo tento rozsah není žádoucí z důvodů uvedených výše.
Tlouštka (celá) kovové vrstvy 230 je opět v rozsahu od 0,1 mm do 0,5 mm. Tlouštky mimo tento rozsah nejsou žádoucí z výše uvedených důvodů.
Tlouštka (dílčí) kovové vrstvy 230 bezprostředně pod dutinou 140 by měla být alespoň 0,1 mm. Tlouštky menší než 0,1 mm nejsou žádoucí, protože odpovídající kovové vrstvy mají nepřípustně nízkou tuhost.
V obr.5 je znázorněno páté provedení nosiče 10 čipu podobné prvnímu a druhému provedení v tom, že podklad 20 nosiče čipu obsahuje několik, například tři laminované organické dielektrické vrstvy 50,60 a 70 sestávající například z formula
-12ce epoxíd/sklo prodávané pod značkou DriClad. Jako v předchozích případech organická dielektrická vrstva 50 nese vrstvu 80 obvodů výstupního xětvení obsahující dotyky. Mezi organickými dielektrickými vrstvami 50 a 60 je sevřena vrstva 90 elektricky vodivého materiálu, například mědi, která slouží v tomto provedení jako zemnící rovina. Mezi organickými dielektrickými vrstvami 60 a 70 je sevřena vrstva 100 elektricky vodivého materiálu, například mědi, která slouží jako napájecí rovina. Budiž poznamenáno, že zemnicí rovina sahá bočně k bočním stěnám dutiny 140, zatímco napájecí rovina nikoliv.
Tlouštka organických dielektrických vrstev 50.60 a 70 je podobná tlouštkám uvedeným výše. Také tlouštka elektricky vodivé vrstvy 80 (obvodů výstupního větvení), 90 (zemnicí rovina) a 100 (napájecí rovina) jsou podobné vrstvám uvedeným výše.
Páté provedení nosiče 10 čipu je také podobn třetímu a čtvrtému provedení v tom, že podklad 20 nosiče čipu také obsahuje kovovou vrstvu 230, která je přednostně uzemněna. Tlouštka kovové vrstvy 230 je podobná tlouštce kovové vrstvy 230 ve třetím provedení.
Jak je znázorněno v obr.5, páté provedení nosiče 10 čipu obsahuje také jednoduchou dutinu 140 mající hloubku, která probíhá přes tlouštku organických dielektrických vrstev 50, 60 a 70 ke kovové vrstvě 230. Čip 150 je usazen na dnu dutiny 140 a je tudíž v přímém fyzickém dotyku s kovovou vrstvou 230. Následkem toho je rozptyl tepla zlepšen, jako dříve, neboť kovová vrstva 230 působí jako tepelná jímka.
Páté provedení nosiče 10. čipu se významně liší od jiných provedení v tom, že obsahuje ponejvíce spojitou vrstvu 240 elektricky vodivého materiálu, například mědi, která je připojena k a obklopuje boční stěny dutiny 140. Tato vrstva probíhá svisle ze dna dutiny 140 k vrcholu dutiny 14Q a probíhá bočně na horním povrchu organické dielektrické vrstvy 50, přilehle k vrstvě 80. obvodů výstupního větvení. Protože zemní rovina 90 probíhá bočně k bočním stěnám dutiny
-13140, vrstva 240 je v přímém fyzickém a elektrickém dotyku se zemnici rovinou a je tudíž elektricky uzemněna.
Přítomnost vrstvy 240. je výhodná, protože potřeba množství mechanicky vrtaných průchozích otvorů procházejících přes tlouštku organické dielektrické vrstvy 50 v zemnící rovině 90 je zmenšeno. Tudíž, jestliže některé dotyky čipu mají být elektricky uzemněny, drátové spoje z těchto dotyků čipu jsou prodlouženy k částem vrstvy 240 na povrchu organické dielektrické vrstvy 50, spíše než k ploškám obklopujícím mechanicky vyvrtané průchozí otvory probíhající k zemnící rovině — ‘ Protože se žádá poměrně malé množství takových mechanicky vrtaných průchozích otvorů v pátém provedení, vzdálenosti mezi dráty výstupních větvení mohou být s výhodou zmenšeny.
Je třeba uvést, že páté provedení nosiče 10 čipu obsahuje mechanicky vyvrtané plátované průchozí otvory 180. které procházejí tlouštkami organických dielektrických vrstev 50 a 60 k napájecí rovině 100. Kromě toho páté provedení obsahuje také prsten 250 z kovu, například z mědi, který obklopuje dutinu 140 a fyzicky a elektricky spojuje plátovaný průchozí otvor 180., který probíhá k napájecí rovině 100. Prsten 250 je výhodný, protože odstraňuje potřebu přídavných průchozích otvorů, které procházejí k napájecí rovině. Je tudíž dosažen elektrický dotyk k napájecí rovině 100 pouze elektrickým dotykem s prstenem 250.
Způsob vytvoření vrstvy 240 a prstenu 250 je znázorněn v obr.6. Jak je znázorněno v obr.6, když se vytváří dutina 14Ό, jsou mechanicky vyříznuty dvě pravoúhlé štěrbiny 260 a 270 přes tlouštku organických dielektrických vrstev 50,60 a 70. Šířky těchto štěrbin jsou v rozmezí od 0,63 mm do 2,5 mm. Vnější povrchy těchto štěrbin vymezují boční stěny dutiny 140. Potom se uloží vrstva fotoodporu 280 na povrch organické dielektrické vrstvy 50. Tato vrstva fotoodporu 280 se potom exponuje a vyvolá, aby se odstranil fotoodpor pokrývající celou organickou dielektrickou vrstvu 50 s výjimkou štěrbin 260 a 270 oblasti 241 na povrchu organické dielekt
-14rické vrstvy 50, která má být pokryta vrstvou 240 a oblasti 251, která má být pokryta prstenem 250. (Je třeba uvést, že vrstva fotoodporu je nesena vrstvami organického dielektrického materiálu obklopenými štěrbinami 260 a 270.) Štěrbiny 260 a 270, oblast 214, která má být pokryta vrstvou 240. jakož i oblast, která má být pokryta prstenem 250, se potom pokoví použitím obvyklé usazovací a kovy plátující techniky. Potom se provedou mechanické řezy středními čarami štěrbin 260 a 270 a tyto řezy se potom rozšíří, aby spojovaly tyto střední čáry a vyříznutý materiál se odstraní. To má za následek vytvoření dutiny 140, ponechávaje kov probíhající ponejvíce spojitě (s výjimkou rohů dutiny ke kterým štěrbiny původně neprobíhaly) kolem bočních stěn dutiny 14Q
Vynalez byl znázorněn a popsán na základě přednostních provedeni, je však zřejmé, že jsou možné rozličné změny ve tvaru a detailech, aniž by se vybočilo z rámce myšlenky vynálezu.

Claims (8)

1. Nosič (10) čipu, obsahující podklad (24) nosíce čipu, který má první povrch (30), druhý povrch (40) protilehlý k prvnímu povrchu (30), alespoň první (HO) a druhou )50,60,70) vrstvu z organického materiálu uvedená první vrstva (110) umístěná bezprostředně přilehle k prvnímu povrchu (30) nese první vrstvu (130) elektricky vodivého materiálu obsahující dotyky, druhou vrstvu (80) elektricky vodivého materiálu sevřenou mezi uvedenou první (110) a druhou (50,60,4 70) vrstvou organického materiálu, uvedený podklad (24) nosiče čipu také obsahuje vrstvu (230) kovového materiálu, která je bezprostředně přilehlá k uvedenému druhému povrchu )40), vrstvu (100) elektricky vodivého materiálu sevřenou mezi uvedenými druhými vrstvami (60,70), kednoduchou dutinu (140) mající hloubku probíhající od uvedeného prvního povrchu (30) k uvedenému druhému povrchu (40) , poúovodičový čip (150) umístěný plochou nahoru v uvedené dutině (140), kterýžto čip (150) obsahuje ču ipové dotyky a drátové spoje probíhající z uvedených čipových dotyků k dotykům na uvedené první vrstvě (110) organického materiálu a kovový prstenec (250) obklopující dutinu (140) a 'elektricky se dotýkající uvedené vrstvy (100) elektricky vodivého materiálu.
2. Nosič čipu podle nároku 1, dále obsahující vrstvu (90) sevřenou mezi uvedenými druhými vrstvami (50,60).
3. Nosič čipu podle nároku 2, dále obsahující oblast elektricky vodivého materiálu (240), která je v elektrickém dotyku s uvedenou vrstvou (90) elektricky vodivého materiálu, alespoň částečně obklopující boční stěny uvedené dutiny (140) a probíhající k a na uvedeném prvním povrchu (30), drátový spoj také probíhá z uvedeného čipu (150) k částíi uvedené oblasti na uvedeném prvním povrchu (30).
4. Nosič čipu podle nároku 3, ve kterém uvedená oblast elektricky vodivého materiálu (240) je v podstatě kolmá na uvedený kovový prstenec (250) obklopující uvedenou dutinu (140)
5. Nosič čipu podle některého z předchozích nároků, ve kterém uvedená první vrstva (110) organického materiálu je zobrazitelná světlem.
6. Nosič čipu podleJ^kteréého^ z předešlých nároků, dále ob§ sáhující množství světelných cest obsahujících elektricky vodivý materiál, probíhaj-ících přes tlouštku uvedené první vrstvy (110) organického materiálu.
7. Nosíc cípu podle některého^^předchozích nároků, ve kterém uvedená první vrstva (130) elektricky vodivého materiálu obsahuje množství elektricky vodivých dotyků a/nebo plošek (190,200), a ve kterém uvedený nosič (10) čipu dále obsahuje kuličky (210) pájky připojené k uvedeným dotykům a/nebo ploškám (190,200).
8. Nosíc cípu podle některéhozpředchozích nároků, ve kterém uvedená vrstva (100) elektricky vodivého marteriálu je napáječí rovina.
CZ19992256A 1996-12-23 1997-12-15 Dusíkaté heteroaromatické sloučeniny jako inhibitory faktoru Xa CZ225699A3 (cs)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US76985996A 1996-12-23 1996-12-23
US87994497A 1997-06-20 1997-06-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ225699A3 true CZ225699A3 (cs) 2000-09-13

Family

ID=27118232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19992256A CZ225699A3 (cs) 1996-12-23 1997-12-15 Dusíkaté heteroaromatické sloučeniny jako inhibitory faktoru Xa

Country Status (24)

Country Link
EP (1) EP0946508B1 (cs)
JP (1) JP2001509145A (cs)
KR (1) KR20000062284A (cs)
CN (1) CN1246847A (cs)
AR (1) AR020305A1 (cs)
AT (1) ATE443698T1 (cs)
AU (1) AU730224B2 (cs)
CA (1) CA2275796A1 (cs)
CZ (1) CZ225699A3 (cs)
DE (1) DE69739593D1 (cs)
EA (1) EA003056B1 (cs)
EE (1) EE9900316A (cs)
ES (1) ES2331860T3 (cs)
HR (1) HRP970698A2 (cs)
HU (1) HUP0000735A3 (cs)
IL (1) IL130286A0 (cs)
LV (1) LV12430B (cs)
NO (1) NO313190B1 (cs)
NZ (1) NZ336162A (cs)
PL (1) PL334250A1 (cs)
SI (1) SI20017A (cs)
SK (1) SK86699A3 (cs)
TW (1) TW492971B (cs)
WO (1) WO1998028269A1 (cs)

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1012150A4 (en) * 1997-05-19 2002-05-29 Sugen Inc HETEROARYLCARBOXAMIDE COMPOUNDS THAT ARE EFFECTIVE OF DISEASES CAUSED BY PROTEIN-TYROSIN-KINASE
WO1998057934A1 (en) * 1997-06-19 1998-12-23 The Du Pont Merck Pharmaceutical Company (AMIDINO)6-MEMBERED AROMATICS AS FACTOR Xa INHIBITORS
US6271237B1 (en) 1997-12-22 2001-08-07 Dupont Pharmaceuticals Company Nitrogen containing heteromatics with ortho-substituted P1s as factor Xa inhabitors
CA2314401A1 (en) * 1997-12-22 1999-07-01 Du Pont Pharmaceuticals Company Nitrogen containing heteroaromatics with ortho-substituted p1's as factor xa inhibitors
US6900228B1 (en) 1998-03-10 2005-05-31 Research Triangle Institute Opiate compounds, methods of making and methods of use
DE69920888T2 (de) 1998-03-27 2006-02-02 Bristol-Myers Squibb Pharma Co. Disubstituierte pyrazoline und triazoline als faktor xa inhibitoren
WO2000038683A1 (en) * 1998-12-23 2000-07-06 Du Pont Pharmaceuticals Company THROMBIN OR FACTOR Xa INHIBITORS
AU4166400A (en) 1999-02-11 2000-08-29 Cor Therapeutics, Inc. Alkenyl and alkynyl compounds as inhibitors of factor xa
CA2360740A1 (en) 1999-03-02 2000-09-08 Boehringer Ingelheim Pharmaceuticals, Inc. Compounds useful as reversible inhibitors of cathepsin s
US6794412B1 (en) 1999-03-11 2004-09-21 Bristol-Myers Squibb Pharma Company Treatment of thrombosis by combined use of a factor Xa inhibitor and aspirin
BR0010381A (pt) * 1999-03-11 2002-02-05 Du Pont Pharm Co Método de tratamento da trombose em um mamìfero, e uso de uma combinação de (i) um inibidor do fator xa, e (ii) um composto selecionado do grupo que consiste em aspirina, tpa, um antagonista gpiib/iiia, heparina de baixo peso molecular e heparina
AU5283600A (en) * 1999-05-24 2000-12-12 Cor Therapeutics, Inc. Inhibitors of factor xa
US6673817B1 (en) 1999-05-24 2004-01-06 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of factor Xa
WO2000071511A2 (en) * 1999-05-24 2000-11-30 Cor Therapeutics, Inc. INHIBITORS OF FACTOR Xa
MXPA02000537A (es) 1999-07-16 2004-09-10 Bristol Myers Squibb Pharma Co Heterobiciclos que contienen nitrogeno como inhibidores del factor xa.
US6420364B1 (en) 1999-09-13 2002-07-16 Boehringer Ingelheim Pharmaceuticals, Inc. Compound useful as reversible inhibitors of cysteine proteases
AU781880B2 (en) * 1999-09-17 2005-06-16 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of factor Xa
CZ2002961A3 (cs) * 1999-09-17 2002-08-14 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Benzamidy a příbuzné sloučeniny pro inhibici faktoru Xa
US6632815B2 (en) 1999-09-17 2003-10-14 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of factor Xa
US6720317B1 (en) 1999-09-17 2004-04-13 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Inhibitors of factor Xa
US6844367B1 (en) 1999-09-17 2005-01-18 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Benzamides and related inhibitors of factor Xa
US6329527B1 (en) 1999-10-21 2001-12-11 Bristol-Myers Squibb Pharma Company Synthesis of 1,3,5-trisubstituted pyrazoles
WO2001032628A1 (en) * 1999-11-03 2001-05-10 Bristol-Myers Squibb Pharma Company Cyano compounds as factor xa inhibitors
US6407256B1 (en) 1999-11-03 2002-06-18 Bristol Myers Squibb Co Cyano-pyrrole, cyano-imidazole, cyano-pyrazole, and cyano-triazole compounds as factor Xa inhibitors
WO2001064642A2 (en) 2000-02-29 2001-09-07 Cor Therapeutics, Inc. Benzamides and related inhibitors of factor xa
MY138097A (en) 2000-03-22 2009-04-30 Du Pont Insecticidal anthranilamides
AU2001268711A1 (en) 2000-06-23 2002-01-08 Bristol-Myers Squibb Pharma Company Heteroaryl-phenyl substituted factor xa inhibitors
AU2001268712A1 (en) 2000-06-23 2002-01-08 Bristol-Myers Squibb Company 1 - (heteroaryl-phenyl) - condensed pyrazol derivatives as factor Xa inhibitors
WO2002012189A1 (en) * 2000-08-09 2002-02-14 Mitsubishi Pharma Corporation Fused bicyclic amide compounds and medicinal use thereof
US7312235B2 (en) 2001-03-30 2007-12-25 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Benzamide inhibitors of factor Xa
EP1373194B1 (en) * 2001-03-30 2007-08-01 Millennium Pharmaceuticals, Inc. BENZAMIDE INHIBITORS OF FACTOR Xa
GB0112834D0 (en) 2001-05-25 2001-07-18 Smithkline Beecham Plc Medicaments
DE10139060A1 (de) 2001-08-08 2003-02-20 Merck Patent Gmbh Phenylderivate
AR036872A1 (es) 2001-08-13 2004-10-13 Du Pont Compuesto de antranilamida, composicion que lo comprende y metodo para controlar una plaga de invertebrados
MY142967A (en) 2001-08-13 2011-01-31 Du Pont Method for controlling particular insect pests by applying anthranilamide compounds
DE60226875D1 (de) 2001-08-15 2008-07-10 Du Pont Orthosubstituierte arylamide zur bekämpfung von wirbellosen schädlingen
CN100506817C (zh) 2001-08-15 2009-07-01 纳幕尔杜邦公司 用于防治无脊椎害虫的邻-杂环取代的芳基酰胺类化合物
US7199138B2 (en) 2001-08-16 2007-04-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Substituted anthranilamides for controlling invertebrate pests
TWI320039B (en) 2001-09-21 2010-02-01 Lactam-containing compounds and derivatives thereof as factor xa inhibitors
AU2002341693B2 (en) 2001-09-21 2008-05-29 Bristol-Myers Squibb Holdings Ireland Unlimited Company Lactam-containing compounds and derivatives thereof as factor Xa inhibitors
TW200724033A (en) 2001-09-21 2007-07-01 Du Pont Anthranilamide arthropodicide treatment
WO2003042190A1 (en) 2001-11-12 2003-05-22 Pfizer Products Inc. N-alkyl-adamantyl derivatives as p2x7-receptor antagonists
PA8557501A1 (es) 2001-11-12 2003-06-30 Pfizer Prod Inc Benzamida, heteroarilamida y amidas inversas
TW200302225A (en) 2001-12-04 2003-08-01 Bristol Myers Squibb Co Substituted amino methyl factor Xa inhibitors
TW200303309A (en) 2001-12-04 2003-09-01 Bristol Myers Squibb Co Novel n-[4-(1h-imidazol-1-yl)-2-fluorophenyl]-3-trifluoromethyl)-1h-pyrazole-5-carboxamides as factor Xa inhibitors
WO2003048081A2 (en) 2001-12-04 2003-06-12 Bristol-Myers Squibb Company Glycinamides as factor xa inhibitors
KR101011837B1 (ko) 2002-01-22 2011-01-31 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 무척추 해충 방제를 위한 퀴나졸린(디)온
WO2003099276A1 (en) 2002-05-10 2003-12-04 Bristol-Myers Squibb Company 1,1-disubstituted cycloalkyl derivatives as factor xa inhibitors
BR0311707A (pt) 2002-06-13 2005-03-15 Du Pont Composto, composição e método de controle de pelo menos uma praga invertebrada
DE10229070A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Merck Patent Gmbh Phenylderivate 5
US7154002B1 (en) 2002-10-08 2006-12-26 Takeda San Diego, Inc. Histone deacetylase inhibitors
US7250514B1 (en) 2002-10-21 2007-07-31 Takeda San Diego, Inc. Histone deacetylase inhibitors
AU2003295491B2 (en) 2002-11-15 2009-10-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Novel anthranilamide insecticides
CN100513398C (zh) 2002-12-03 2009-07-15 Axys药物公司 作为因子viia抑制剂的2-(2-羟基联苯-3-基)-1h-苯并咪唑-5-甲脒衍生物
PT1578741E (pt) * 2002-12-23 2011-10-17 4Sc Ag Compostos aromáticos como agentes antiinflamatórios, imunoreguladores e antiproliferativos
EP1433788A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-30 Aventis Pharma Deutschland GmbH Pyrazole-derivatives as factor Xa inhibitors
US7429581B2 (en) 2002-12-23 2008-09-30 Sanofi-Aventis Deutschland Gmbh Pyrazole-derivatives as factor Xa inhibitors
US7071223B1 (en) 2002-12-31 2006-07-04 Pfizer, Inc. Benzamide inhibitors of the P2X7 receptor
AU2003288640A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-22 Pfizer Products Inc. Benzamide inhibitors of the p2x7 receptor
PA8591801A1 (es) 2002-12-31 2004-07-26 Pfizer Prod Inc Inhibidores benzamidicos del receptor p2x7.
WO2004067528A1 (en) 2003-01-28 2004-08-12 E.I. Du Pont De Nemours And Company Cyano anthranilamide insecticides
US7375228B2 (en) 2003-03-17 2008-05-20 Takeda San Diego, Inc. Histone deacetylase inhibitors
US7122557B2 (en) 2003-03-18 2006-10-17 Bristol-Myers Squibb Company Sulfonyl-amidino-containing and tetrahydropyrimidino-containing compounds as factor Xa inhibitors
US20040220170A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Atkinson Robert N. Pyrazole-amides and sulfonamides as sodium channel modulators
CA2525325A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-18 Abbott Laboratories Pyrazole-amides and sulfonamides as sodium channel modulators
CN1832928B (zh) 2003-06-26 2012-07-04 诺瓦提斯公司 以5元杂环为基础的p38激酶抑制剂
EP2256106B1 (en) 2003-07-22 2015-05-06 Astex Therapeutics Limited 3,4-disubstituted 1H-pyrazole compounds and their use as cyclin dependent kinases (CDK) and glycogen synthase kinase-3 (GSK-3) modulators
US7022695B2 (en) 2003-10-09 2006-04-04 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Thioether-substituted benzamides as inhibitors of Factor Xa
TWI258478B (en) 2003-10-31 2006-07-21 Arena Pharm Inc Tetrazole derivatives and methods of treatment of metabolic-related disorders thereof
EP1568698A1 (en) * 2004-02-27 2005-08-31 Aventis Pharma Deutschland GmbH Pyrrole-derivatives as factor Xa inhibitors
TWI349666B (en) 2004-03-12 2011-10-01 Lundbeck & Co As H Substituted morpholine and thiomorpholine derivatives
KR101195801B1 (ko) 2004-06-18 2012-11-05 밀레니엄 파머슈티컬스 인코퍼레이티드 Ｘａ 인자 억제제
CN1980902A (zh) 2004-06-29 2007-06-13 辉瑞产品有限公司 通过对羟基保护前体去保护而制备5－4－(2－羟基－丙基)－3，5－二氧代－4，5－二氢－3h－[1，2，4]三嗪－2－基－苯甲酰胺衍生物的方法
GT200500179BA (es) 2004-07-01 2008-10-29 Mezclas sinergistas de agentes de antranilamida para el control de plagas de invertebrados
JP5173192B2 (ja) 2004-09-30 2013-03-27 武田薬品工業株式会社 プロトンポンプ阻害薬
WO2006055951A2 (en) 2004-11-19 2006-05-26 Portola Pharmaceuticals, Inc. Tetrahydroisoquinolines as factor xa inhibitors
US7678913B2 (en) 2004-12-07 2010-03-16 Portola Pharmaceuticals, Inc. Ureas as factor Xa inhibitors
US7642275B2 (en) 2004-12-16 2010-01-05 Takeda San Diego, Inc. Histone deacetylase inhibitors
WO2006083477A2 (en) 2005-01-07 2006-08-10 Synta Pharmaceuticals Corp. Compounds for inflammation and immune-related uses
AR054425A1 (es) 2005-01-21 2007-06-27 Astex Therapeutics Ltd Sales de adicion de piperidin 4-il- amida de acido 4-(2,6-dicloro-benzoilamino) 1h-pirazol-3-carboxilico.
US8404718B2 (en) 2005-01-21 2013-03-26 Astex Therapeutics Limited Combinations of pyrazole kinase inhibitors
WO2006109846A1 (ja) 2005-04-06 2006-10-19 Takeda Pharmaceutical Company Limited トリアゾール誘導体およびその用途
JP2008540574A (ja) 2005-05-11 2008-11-20 タケダ サン ディエゴ インコーポレイテッド ヒストンデアセチラーゼ阻害剤
CA2615105A1 (en) 2005-07-14 2007-01-25 Takeda San Diego, Inc. Histone deacetylase inhibitors
MX2008002236A (es) 2005-08-24 2008-03-27 Du Pont Antranilamidas para controlar plagas de invertebrados.
KR101115857B1 (ko) 2005-08-30 2012-04-12 다케다 야쿠힌 고교 가부시키가이샤 산 분비 억제제로서 1-헤테로시클릴술포닐, 2-아미노메틸,5-(헤테로-) 아릴 치환된 1-ｈ-피롤 유도체
CN101304971B (zh) 2005-11-08 2011-09-07 米伦纽姆医药公司 Xa因子抑制剂n-(5-氯-2-吡啶基)-2-[[4-[(二甲氨基)亚氨基甲基]苯甲酰基]氨基]-5-甲氧基-苯甲酰胺的医药盐和多晶型
JP2007186507A (ja) * 2005-12-15 2007-07-26 Nippon Nohyaku Co Ltd フタルアミド誘導体及び農園芸用殺虫剤並びにその使用方法
TWI324908B (en) 2006-01-05 2010-05-21 Du Pont Liquid formulations of carboxamide arthropodicides
US7994205B2 (en) 2006-03-31 2011-08-09 Takeda Pharmaceutical Company Limited Aryl-or heteroaryl-sulfonyl compounds as acid secretion inhibitors
EP1894924A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-05 Phenex Pharmaceuticals AG Heterocyclic FXR binding compounds
US8106070B2 (en) 2006-10-20 2012-01-31 Merck Sharp & Dohme Corp. Substituted imidazoles as bombesin receptor subtype-3 modulators
RU2009118935A (ru) 2006-10-20 2010-11-27 Мерк энд Ко., Инк. (US) Земещенные имидазолы в качестве модуляторов подтипа 3 бомбезиновых рецепторов
EP2083623A1 (en) 2006-10-20 2009-08-05 Merck & Co., Inc. Substituted imidazoles as bombesin receptor subtype-3 modulators
EP2077995B1 (en) 2006-11-02 2012-02-08 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Methods of synthesizing pharmaceutical salts of a factor xa inhibitor
CN101583593A (zh) 2006-11-13 2009-11-18 辉瑞产品公司 二芳基、二吡啶基和芳基-吡啶基衍生物及其用途
DE602007009873D1 (de) 2006-12-11 2010-11-25 Merck Sharp & Dohme Substituierte diazepin-sulfonamide als bombesin-rezeptor-subtyp-3-modulatoren
US7737149B2 (en) 2006-12-21 2010-06-15 Astrazeneca Ab N-[5-[2-(3,5-dimethoxyphenyl)ethyl]-2H-pyrazol-3-yl]-4-(3,5-dimethylpiperazin-1-yl)benzamide and salts thereof
US8933105B2 (en) 2007-02-28 2015-01-13 Takeda Pharmaceutical Company Limited Pyrrole compounds
AU2008236679B2 (en) * 2007-04-03 2013-11-28 Fmc Corporation Substituted benzene fungicides
NZ591793A (en) 2008-08-27 2012-11-30 Takeda Pharmaceutical Substituted 1-(4-fluoro-5-(2-fluoropyridin-3-yl)-1-((pyrindin-2-yl)sulfonyl)-1H-pyrrol-3-yl)-N-methylmethanamine compounds
WO2010110378A1 (ja) 2009-03-26 2010-09-30 武田薬品工業株式会社 ピラゾール化合物
SG176628A1 (en) 2009-06-05 2012-01-30 Link Medicine Corp Aminopyrrolidinone derivatives and uses thereof
EA015918B1 (ru) 2010-03-03 2011-12-30 Дмитрий Геннадьевич ТОВБИН УРЕТАНЫ, МОЧЕВИНЫ, АМИДЫ И РОДСТВЕННЫЕ ИНГИБИТОРЫ ФАКТОРА Xa
SG10201502484SA (en) 2010-03-30 2015-05-28 Verseon Corp Multisubstituted aromatic compounds as inhibitors of thrombin
DK2903440T3 (en) 2012-10-02 2017-12-11 Bayer Cropscience Ag THETEROCYCLIC COMPOUNDS AS PESTICIDES
US20140179712A1 (en) 2012-12-21 2014-06-26 Astrazeneca Ab Pharmaceutical formulation of n-[5-[2-(3,5-dimethoxyphenyl)ethyl]-2h-pyrazol-3-yl]-4-[(3r,5s)-3,5-dimethylpiperazin-1-yl]benzamide
EP2961746B1 (en) 2013-02-28 2018-01-03 Bristol-Myers Squibb Company Phenylpyrazole derivatives as potent rock1 and rock2 inhibitors
AR094929A1 (es) 2013-02-28 2015-09-09 Bristol Myers Squibb Co Derivados de fenilpirazol como inhibidores potentes de rock1 y rock2
DK2968297T3 (en) 2013-03-15 2019-01-07 Verseon Inc MULTI-SUBSTITUTED AROMATIC COMPOUNDS AS SERINE PROTEASE INHIBITORS
WO2014149139A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Verseon, Inc. Halogenopyrazoles as inhibitors of thrombin
ES2660760T3 (es) * 2013-12-19 2018-03-26 Grünenthal GmbH Pirrolocarboxamidas fluorometil-sustituidas como bloqueantes del canal de Ca CaV2.2
CA2934322A1 (en) * 2013-12-19 2015-06-25 Grunenthal Gmbh Fluoromethyl-substituted pyrrole carboxamides iv
HRP20221373T1 (hr) 2014-03-07 2023-01-06 Biocryst Pharmaceuticals, Inc. Supstituirani pirazoli kao inhibitori kalikreina u ljudskoj plazmi
TN2016000542A1 (en) 2014-06-03 2018-04-04 Idorsia Pharmaceuticals Ltd Pyrazole compounds and their use as t-type calcium channel blockers
CN104086502B (zh) * 2014-07-23 2015-10-14 张远强 卤代四氮唑苯乙酮化合物、其制备方法和用途
CN104072438B (zh) * 2014-07-23 2015-10-14 张远强 二烷氧代四氮唑苯乙酮化合物、其制备方法和用途
CN104072436B (zh) * 2014-07-23 2015-10-14 张远强 对位取代的四氮唑苯乙酮化合物、其制备方法和用途
CN104072439B (zh) * 2014-07-23 2015-11-04 张远强 卤素取代的四氮唑苯乙酮化合物、其制备方法和用途
ES2693052T3 (es) 2014-09-15 2018-12-07 Idorsia Pharmaceuticals Ltd Compuestos de triazol como bloqueantes de los canales de calcio de tipo T
JP2017528486A (ja) 2014-09-17 2017-09-28 ヴァーセオン コーポレイション セリンプロテアーゼ阻害剤としてのピラゾリル置換ピリドン化合物
BR112017007218B1 (pt) 2014-10-08 2023-10-10 Redx Pharma Plc Derivados de n-piridil acetamida como inibidores da via de sinalização de wnt, formulações farmacêuticas compreendendo os mesmos e seus usos
SMT201900615T1 (it) 2014-10-08 2020-01-14 Redx Pharma Plc Derivati di acetammide n-piridinile come inibitori del percorso di segnalazione wnt
ES2931460T3 (es) 2015-02-27 2022-12-29 Verseon Int Corporation Compuestos de pirazol sustituido como inhibidores de serina proteasa
HRP20220463T1 (hr) 2016-12-16 2022-05-27 Idorsia Pharmaceuticals Ltd Farmaceutska kombinacija koja sadrži blokator kalcijevih kanala t-tipa
WO2018141961A1 (en) 2017-02-06 2018-08-09 Idorsia Pharmaceuticals Ltd A novel process for the synthesis of 1-aryl-1-trifluoromethylcyclopropanes
WO2018224455A1 (en) 2017-06-07 2018-12-13 Basf Se Substituted cyclopropyl derivatives
WO2020036133A1 (ja) * 2018-08-17 2020-02-20 クミアイ化学工業株式会社 ３－（１ｈ－１，２，４－トリアゾール－１－イル）安息香酸アミド誘導体及び有害生物防除剤
AU2019387370A1 (en) 2018-11-30 2021-06-10 Nuvation Bio Inc. Pyrrole and pyrazole compounds and methods of use thereof
WO2021138540A1 (en) 2020-01-03 2021-07-08 Berg Llc Polycyclic amides as ube2k modulators for treating cancer
WO2024112854A1 (en) 2022-11-22 2024-05-30 Odyssey Therapeutics, Inc. Inhibitors of ripk2 and medical uses thereof
CN116068081B (zh) * 2022-12-30 2024-06-21 上海荣迪生物技术有限公司 一种检测氟尿嘧啶注射液中氟乙醛的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE663344A (cs) 1964-05-04
CH535777A (de) 1967-03-01 1973-04-15 Ciba Geigy Ag Verfahren zur Herstellung neuer azacycloaliphatischer Verbindungen
JPS5536447A (en) * 1978-09-07 1980-03-14 Otsuka Pharmaceut Co Ltd Butyramide derivative
DK93087A (da) 1986-02-27 1987-08-28 Duphar Int Res Hidtil ukendte aryl substituerede (n-piperidinyl)methyl- og (n-piperazinyl)methylazoler med antipsykotiske egenskaber
DE3633840A1 (de) * 1986-10-04 1988-04-14 Hoechst Ag Phenylpyrazolcarbonsaeurederivate, ihre herstellung und verwendung als pflanzenwachstumsregulatoren und safener
JPH02129171A (ja) * 1988-11-08 1990-05-17 Nissan Chem Ind Ltd ピラゾールカルボキサニリド誘導体及び有害生物防除剤
JPH0341072A (ja) * 1989-07-07 1991-02-21 Hokko Chem Ind Co Ltd トリアゾールカルボン酸アミド誘導体および除草剤
PH27357A (en) * 1989-09-22 1993-06-21 Fujisawa Pharmaceutical Co Pyrazole derivatives and pharmaceutical compositions comprising the same
JPH04247081A (ja) * 1991-02-01 1992-09-03 Takeda Chem Ind Ltd ５員複素環酸アミド類
IL104311A (en) * 1992-02-05 1997-07-13 Fujisawa Pharmaceutical Co Pyrazole derivatives, processes for the preparation thereof and pharmaceutical compositions containing the same
CA2138649A1 (en) 1992-07-24 1994-02-03 Raymond Baker Imidazole, triazole and tetrazole derivatives
GB9225141D0 (en) 1992-12-01 1993-01-20 Smithkline Beecham Corp Chemical compounds
GB9324244D0 (en) 1993-11-25 1994-01-12 Merck Sharp & Dohme Therapeutic agents
AU3815495A (en) 1994-11-08 1996-05-31 Eisai Co. Ltd. Pyrazole derivatives exhibiting anti-inflammatory and analgesic effects
JPH08143565A (ja) * 1994-11-16 1996-06-04 Fujisawa Pharmaceut Co Ltd ベンズアミド化合物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0946508A1 (en) 1999-10-06
DE69739593D1 (de) 2009-11-05
WO1998028269A1 (en) 1998-07-02
SI20017A (sl) 2000-02-29
ATE443698T1 (de) 2009-10-15
ES2331860T3 (es) 2010-01-18
IL130286A0 (en) 2000-06-01
EA199900591A1 (ru) 2000-08-28
HUP0000735A2 (hu) 2001-04-28
CN1246847A (zh) 2000-03-08
NZ336162A (en) 2000-09-29
EA003056B1 (ru) 2002-12-26
JP2001509145A (ja) 2001-07-10
MX9905878A (en) 2000-01-01
HUP0000735A3 (en) 2002-03-28
NO992633L (no) 1999-08-20
PL334250A1 (en) 2000-02-14
NO992633D0 (no) 1999-06-01
LV12430A (lv) 2000-02-20
CA2275796A1 (en) 1998-07-02
SK86699A3 (en) 2000-11-07
HRP970698A2 (en) 1998-10-31
AU730224B2 (en) 2001-03-01
EE9900316A (et) 2000-02-15
KR20000062284A (ko) 2000-10-25
AR020305A1 (es) 2002-05-08
LV12430B (en) 2000-07-20
TW492971B (en) 2002-07-01
NO313190B1 (no) 2002-08-26
EP0946508B1 (en) 2009-09-23
AU5602098A (en) 1998-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU730224B2 (en) Nitrogen containing heteroaromatics as factor Xa inhibitors
US6020357A (en) Nitrogen containing heteroaromatics as factor Xa inhibitors
US6403620B1 (en) Inhibitors of factor Xa with a neutral P1 specificity group
US6339099B1 (en) Guanidine mimics as factor Xa inhibitors
US6271237B1 (en) Nitrogen containing heteromatics with ortho-substituted P1s as factor Xa inhabitors
KR100546522B1 (ko) Ｘａ 인자 억제제인 신규한 구아니딘 유사체
AU1724499A (en) Nitrogen containing heteroaromatics with ortho-substituted p1's as factor xa inhibitors
WO1998057937A2 (en) Inhibitors of factor xa with a neutral p1 specificity group
US6548512B1 (en) Nitrogen containing heteroaromatics as factor Xa inhibitors
LT4673B (lt) Azoto heteroaromatiniai junginiai kaip faktoriaus xa inhibitoriai
MXPA99005878A (en) NITROGEN CONTAINING HETEROAROMATICS AS FACTOR Xa INHIBITORS
MXPA00006159A (en) Nitrogen containing heteroaromatics with ortho-substituted p1's as factor xa inhibitors
LT4702B (lt) Xa faktoriaus inhibitorius su neutralia p1 specifine grupe
CZ444399A3 (cs) Inhibitory faktoru Xa s neutrální Pl skupinovou specifičností
CZ442099A3 (cs) Nové guanidinové deriváty jako inhibitory faktoru Xa

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic