CN1977451B

CN1977451B - 弹性表面波元件及其制造方法

Info

Publication number: CN1977451B
Application number: CN2005800212911A
Authority: CN
Inventors: 高山了一; 岩崎行绪
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Japan Industrial Co Ltd
Priority date: 2004-06-30
Filing date: 2005-06-29
Publication date: 2011-11-30
Anticipated expiration: 2025-06-29
Also published as: JP4378383B2; JP2009201168A; CN1977451A; JPWO2006003933A1; KR101161903B1; US20070241840A1; JP4717131B2; EP1768255A4; EP1768255B1; KR20070029832A; US7589606B2; WO2006003933A1; EP1768255A1

Abstract

本发明提供一种电子元件及其制造方法，通过在电极上形成保护膜而具有良好的温度特性及电特性。该电子元件包括，基片；被设置在基片的上面、具有相互平行排列的多根电极指的梳型电极；以及形成于基片的上面可覆盖该梳型电极的保护膜。保护膜为凹凸形状，具有在与各电极指相对应的位置为向上方凸出的凸部、和在这些凸部之间为向下方凹陷的凹部。而且，与电极指的延伸方向相垂直的方向的保护膜的剖面形状，在各凸部的顶部彼此之间为向下凸的曲线。

Description

弹性表面波元件及其制造方法

技术领域

本发明涉及弹性表面波器件等电子元件及其制造方法。

背景技术

以下对以往的电子元件进行说明。

在该以往的技术中，以弹性表面波器件(以下记为“SAW器件”)作为电子元件的一个例子进行说明。

近年来，轻小型的SAW器件被广泛地应用于各种移动通讯终端设备等电子设备中。特别是在800MHz～2GHz频带的移动电话系统的无线电路部中，有一种SAW滤波器得到广泛的应用，该SAW滤波器是利用一种钽酸锂(以下记为“LT”)基片的切出角度是围绕X轴向Z轴方向转动的角度为36°、从Y板切出的所谓36°Y切面X轴传播(36°Y-cut，X-propagating)的LT(以下记为“36°YLT”)基片而制成的。然而，根据滤波器在移动电话系统或者无线电路部中所使用部位，还要求滤波器具有通带的插入损耗低以及滤波器的边缘特性(skirt characteristic)陡峭、且阻带的抑制度高的滤波特性。为了满足这样的要求，日本专利公开公报特开平9-167936号公开了一种方法，通过采用LT基片的切出角度是围绕X轴向Z轴方向转动的角度为42°、从Y板切出的所谓42°Y切面X轴传播的LT(以下记为“42°YLT”)基片，实现一种与利用以往的36°YLT基片相比，损耗更低且滤波器的边缘特性更为陡峭的SAW滤波器。

然而，42°YLT基片与以往的36°YLT基片相同，由于弹性表面波的传播方向的基片的热膨胀系数较大，以及弹性常数本身也随温度而变化，滤波器的频率特性也会相对温度的变化而发生大约为-36ppm/°K的较大漂移，因而存在温度特性的问题。例如，以美国的PCS(Personal Communications Service)用的发送滤波器为例，常温下中心频率为1.88GHz的滤波器，在常温±50℃的范围内，会发生约±3.3MHz即约6.6MHz的变动。对于PCS，发送频带和接收频带的间隔仅有20MHz，如果再考虑到在制造中的频率偏差，对滤波器而言的收发间隔实质上只有10MHz。因此，存在的问题是，例如若希望在整个温度范围内(常温±50℃)确保发送频带，则不能充分取得接收端的衰减量。

另外，虽然也采用在梳型电极上形成绝缘膜以改善温度特性的方法，但由于通常梳型电极的形状被原样体现为绝缘膜的形状，因此存在在绝缘膜凹部的边缘产生不必要的反射，影响电特性的问题。

另外，作为与此次申请的发明相关的现有技术文献信息，公知的有专利文献1(日本专利公开公报特开平9～167936号)、专利文献2(国际专利公开公报第96/04713号小册子)。

发明内容

本发明的目的在于解决上述问题，提供一种通过在电极上形成保护膜而具有良好的温度特性及电特性的弹性表面波元件以及其制造方法。

为实现上述目的，本发明所提供的弹性表面波元件，包括基片、设置在上述基片的上面、具有互相平行地排列的多根电极指的梳型电极，以及形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极的保护膜，其中，上述保护膜具有凹凸形状，在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向的剖面、与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，将上述向下凸的曲线的延长线与构成该顶部的基片的上面的延长线相交的点彼此之间的距离，作为上述顶部的宽度，上述顶部的宽度被设定为小于上述电极指的宽度。

另外，本发明所提供的弹性表面波元件，包括基片；梳型电极，设置在上述基片的上面、具有彼此互相平行地排列的多根电极指；以及保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，上述保护膜具有凹凸形状，在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向的剖面、与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，设从上述曲线的最低点至上述顶部为止的高度为X，上述梳型电极的电极指排列的间距为P，梳型电极的膜厚为h时，满足以下的关系式：0.01＜X/(2×P)＜h/(2×P)。

另外，本发明所提供的弹性表面波元件，包括基片；梳型电极，设置在上述基片的上面、具有彼此互相平行地排列的多根电极指；以及保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，上述保护膜具有凹凸形状，在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向的剖面、与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，设从上述基片的上表面至上述顶部为止的高度为t，上述梳型电极的电极指排列的间距为P时，满足以下的关系式：0.09≤t/(2×P)≤0.3。

另外，本发明所提供的弹性表面波元件，包括：基片；梳型电极，设置在上述基片的上面、具有彼此互相平行地排列的多根电极指；以及保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，上述保护膜具有凹凸形状，在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向的剖面、与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，设从上述基片的上表面至上述顶部为止的高度为t，上述梳型电极的电极指排列的间距为P时，满足以下的关系式：0.12≤t/(2×P)≤0.2。

本发明还提供一种弹性表面波元件的制造方法，在基片的上面形成具有互相平行排列的多根电极指的梳型电极和覆盖该梳型电极的保护膜，在已形成有梳型电极的基片的上面层积保护膜的同时，形成保护膜的形状，以使在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向上的上述保护膜的剖面形状为，在与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，在层积上述保护膜的同时形成保护膜的形状的工序是采用偏压溅射来进行的，在上述偏压溅射中，通过在层积保护膜的途中改变施加于基片的偏压电力与溅射电力的比，来对保护膜的形状进行整形。

另外，本发明所提供的弹性表面波元件的制造方法，在基片的上面形成具有互相平行排列的多根电极指的梳型电极和覆盖该梳型电极的保护膜，在已形成有梳型电极的基片的上面层积保护膜的同时，形成保护膜的形状，以使在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向上的上述保护膜的剖面形状为，在与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，在层积上述保护膜的同时形成保护膜的形状的工序是采用偏压溅射来进行的，在上述偏压溅射中，通过从层积保护膜的途中开始对基片施加偏压来对保护膜的形状进行整形。

根据上述的发明，通过形成可覆盖在基片上设置的电极的保护膜，并且使保护膜形成指定的形状，可以得到温度特性和电特性良好的弹性表面波元件。

附图说明

图1(a)是本发明第一实施例的SAW器件的俯视图，图1(b)是其剖视图。

图2是本发明第一实施例的SAW器件的制造方法的说明图。

图3(a)是以往的SAW器件的剖视图，图3(b)～(e)是本发明第一实施例的SAW器件的剖视图。

图4是将图3(a)～(e)所示的SAW器件的主要部分放大的示意图。

图5是表示图3(a)～(e)所示的SAW器件的电特性的曲线图。

图6是本发明第一实施例的SAW器件的构造和电特性的示意图。

图7是本发明第一实施例的SAW器件的构造和电特性的示意图。

具体实施方式

以下参照附图对本发明实施例的电子元件进行说明。

在本实施例中，以SAW器件作为电子元件的一个例子进行说明。

(第一实施例)

以下，通过第一实施例对本发明进行说明。

如该图所示，本第一实施例的SAW器件包括，在基片1的上面，具有互相平行排列的多根电极指2a的梳型电极2，和位于该梳型电极2的电极指2a的排列方向的两侧的反射电极3，并且还包括至少覆盖这些梳型电极2及反射电极3的保护膜4。此外，在梳型电极2上，还电连接有用于从该梳型电极2中取出电信号的垫(pad)5。

基片1是由围绕X轴向Z轴方向转动数度的角度、从Y板切出的钽酸锂(以下记为“LT”)基片(lithium-tantalate substrate)制成的，是其转动角度为39°的39°YLT基片。

梳型电极2由铝(以下记为“Al”)或Al合金构成。

保护膜4最好是由二氧化硅(以下记为“SiO₂”)制成，如图1(b)所示，其表面呈凹凸形状。保护膜4的凸部4a，其顶部6呈平坦或尖突状，形成于基片1的上面具有电极指2a的部分的上方。另外，保护膜4的凹部形成于顶部6之间的基片1上面不存在电极指2a的部分以及其附近。该凹部的形状，为在相邻的顶部6之间向下凸的光滑曲线。

此处，设从与保护膜4相接的基片1的上面到保护膜4的顶部6为止的高度为t；从与保护膜4相接的基片1的上面到保护膜4的凹部最低点为止的高度为t1；从保护膜4的凹部的最低点起至顶部6为止的高度(t-t1)为t2。

另外，又设从与保护膜4相接的基片1的上面到电极指2a的顶部为梳型电极2的高度h。

并且，还设从梳型电极2的一个电极指2a的一端至与其相邻的另一个电极指2a的相同的一端为梳型电极2的1个间距宽度P。

此外，还设每根电极指2a的宽度为P1，相邻电极指2a之间的宽度为P2(设P＝P1+P2成立)。

以下参照附图，对采用如上所述结构的SAW器件，就其制造方法进行说明。

图2(a)～图2(h)是本发明第一实施例的SAW器件的制造方法的说明图。

首先，如图2(a)所示，在LT基片21的上面，采用蒸镀(vapor deposition)或溅射 (spatter)Al或Al合金等的方法，形成作为梳型电极或/及反射器的电极膜22。

然后，如图2(b)所示，在电极膜22的上面形成抗蚀膜(resist film)23。

然后，如图2(c)所示，采用曝光·显影等技术对抗蚀膜23进行加工，以得到所期望的形状。

然后，如图2(d)所示，采用干蚀刻(dry-etching)等技术将电极膜22加工为梳型电极或反射器等所期望的形状之后，除去抗蚀膜23。

然后，如图2(e)所示，通过蒸镀或溅射SiO₂等方法形成覆盖电极膜22的保护膜24。

然后，如图2(f)所示，在保护膜24的表面形成抗蚀膜25。

然后，如图2(g)所示，采用曝光·显影等技术将抗蚀膜25加工成所期望的形状。

然后，如图2(h)所示，采用干蚀刻等技术除去用于取出电信号的垫26等、保护膜24所不需要的那部分的保护膜，之后，除去抗蚀膜(resist film)25。

最后，通过晶粒切割(dicing)将其分割为单体后，利用芯片焊接机(die bonder)等将其装到陶瓷封装(ceramic package)内、引线接合(wire bonding)后，焊接盖体进行真空密封。

在本发明的第一实施例中，既利用保护膜4谋求温度特性的改善，又将保护膜4的形状做成，在电极指2a的上方形成顶部6，在相邻的顶部6之间形成向下凸的曲线，通过如此设计，凹部的保护膜4的质量附加连续且平缓的变化，其结果是不会出现因保护膜4的形状而引起的不必要的反射，从而能够防止电特性的下降。

此外，通过使顶部6位于电极指2a的上方，可以利用质量附加效果而使在电极指2a处的反射率提高，从而改善电特性。

为了提高电极指2a处的反射率，以顶部6的中心位置与电极指2a的中心位置大致一致为宜。

另外，为了有效地改善电特性，以顶部6的宽度L1小于电极指2a的宽度P1为宜，而在电极指2a的宽度的1/4以下则为更佳，顶部6的宽度也可为接近0的顶点。

此处，为了证实电特性得到改善，图5中表示了使用图3(a)～(e)所示的SAW器件10A～10E对通过特性进行了测试的结果。此处，作为SAW器件10A～10E，使用的是例如，电极指2a的宽度P1(Pa)约为0.5μm，梳型电极2的间距P约为1μm，梳型电极2的高度h(电极膜厚)约为140nm，至保护膜4的凹部最低点为止的高度t1约为400nm的对象。另外，本发明的SAW器件的形状，并不仅仅限定于上述的例子，也可以进行各种各样的变化。

如图3(a)所示的SAW器件10A，是以往的SAW器件，其顶部的宽度La比电极指2a的宽度Pa还要宽。而图3(b)～图3(e)所示的SAW器件10B～10E，是在本第一实施例的SAW器件中依次改变了顶部6的宽度L1而得到的SAW器件。即，SAW器件10B中，顶部6的宽度Lb与电极指2a的宽度Pa大致相等；SAW器件10C中，顶部6的宽度Lc小于电极指2a的宽度Pa的1/2；SAW器件10D中，顶部6的宽度Ld小于电极指2a的宽度Pa的1/4；SAW器件10E中，顶部6的宽度Le大致接近于0。另外，如图4所示，顶部6的宽度La～Le是指，凹部曲线的延长线与构成顶部6的平行于基片1的上面的直线的延长线相交的点彼此之间的距离。

如图5所示，随着顶部6的宽度的变窄，在阻带的衰减量变大，并且变化陡峭，由此可以看出电特性得到改善。

另外，若调查从保护膜4的凹部最低点至顶部6为止的高度t2与电特性之间的关系，将t2用波长(2×P)进行了标准化的，即t2/(2×P)，在0.01以下时，对于将保护膜4的表面进行了平坦化的对象，其反射率的提高几乎看不到，因此有必要使t2/(2×P)大于0.01，而能达到0.015以上则为更佳。此外，随着t2的增加，虽然可使反射率提高，但欲使t2达到梳型电极的膜厚h以上，则需要在以上所示的制造方法中进一步增加用于制作该SiO₂形状的新工序(例如蚀刻保护膜4的工序等)，从而使制造方法变得复杂。因此，将t2设定在满足0.01＜t2/(2×P)＜h/(2×P)的关系的范围内为宜。

此外，发明者们为了表示形成有具有基片1的切出角度和本第一实施例所示的形状的保护膜4的SAW器件的电特性与基片的切出角度之间的关系，使用切出角度不同的LT基片制作了SAW器件。

由此证实了随着基片1的切出角度从34°开始向高角度递增，其衰减量和陡峭度也得到较大的改善。特别是，为了使本第一实施例中所用的SAW器件中的衰减量，为未形成SiO₂膜时的衰减量的约80％、即-20dB以上，基片的切出角度大约在38°以上即可。因此，基于以上的结果，发明者们明确了，作为使基片1围绕X轴向Z轴方向转动D°的角度、从Y板切出的LT，使用其转动角度D°为38°以上的D°YLT基片时，可以得到良好的温度特性以及电特性。

另外，关于电极指2a的膜厚h和形状的关系，发明者们也明确了，h较小时难以形成顶部，为了使t2/(2×P)在0.01以上，h/(2×P)需要达到0.05以上。反之，如h/(2×P)超过0.15，则难以形成光滑的曲线。在本第一实施例中，使用铝作为电极材料来表示电极膜的膜厚与保护膜的形状之间的关系，但由于保护膜的形状不受电极膜的材料的影响，电极材料为铝合金时，或铝或铝合金与其他材料的层压膜时，甚至是铝以外的金属膜时，该关系也基本不变。

其次，为了表示SiO₂膜的膜厚和温度特性以及电特性之间的关系，制作了顶部的宽度为0，并且SiO₂的膜厚t各不相同的多个SAW器件，并测量了各SAW器件的中心频率的温度特性。各器件的SiO₂膜的标准化膜厚t/(2×P)以及机电耦合系数k²和温度特性的一览表如表1所示。

表1

	t/(2×P) (％)	k² (％)	温度特性 (ppm/°K)
				比较例	0.0	7.6	-36.4
第一实施例	10.0	6.6	-28.6
				第二实施例	20.0	6.3	-14.9
第三实施例	30.0	5.0	5.2

图6表示用波长将SiO₂膜的膜厚进行了标准化的膜厚与温度特性之间的关系，可见，随着SiO₂膜的膜厚的增加，其温度特性也得以改善。特别是SiO₂膜的标准化膜厚达到约0.09以上时，温度特性的绝对值达到30ppm/°K以下，进一步，在约0.27时，温度系数变为0。

图7表示用波长将电极的标准化膜厚为6％时的SiO₂膜的膜厚进行了标准化的膜厚与机电耦合系数k²之间的关系，可见，随着SiO₂膜的膜厚的增加，其机电耦合系数k²下降。随着机电耦合系数k²的减小，陡峭度增加，但同时使用该SAW器件构成阶梯型(laddertype)SAW滤波器时，其频带宽度变窄。

为了确保目前普及的移动电话系统中必不可少的滤波器的频带宽度，6％以上的耦合系数为宜。由图7可知，SiO₂的标准化膜厚约为20％以下时可得到6％的耦合系数，SiO₂膜的标准化膜厚超过约30％时，耦合系数低于5％，滤波器的频带宽度的确保非常困难。反之，若机电耦合系数k²过大，虽然频带宽度变宽，但陡峭度丧失，因此在发送频带和接收频带之间，不能充分地从通带移到衰减带(阻带)，存在着在衰减带不能得到充分的抑制、或者在通带中损耗增大的问题。并且，若考虑到温度系数，滤波特性所能允许的从通带到衰减带的迁移区域，必需在从发送频带和接收频带之间的频率间隙(gap)中扣除温度变化产生的漂移频率带宽所得的值以下。因此，考虑到图6与图7，以机电耦合系数k²在约5％以上，温度特性的绝对值在约30ppm/°K以下的SiO₂膜的膜厚为宜。

根据以上的结果，发明者们明确了，使用SiO₂作为保护膜，用从基片表面到上述保护膜的凹部为止的高度定义的保护膜厚度t，在满足0.09≤t/(2×P)≤0.3的条件时，可以获得良好的温度特性以及电特性。而且，为了使机电耦合系数k2约为6％以上，温度特性的绝对值约为25ppm/°K以下，满足0.12≤t/(2×P)≤0.2的条件为更佳。

在本实施例中，使用了LT基片作为基片，使用了SiO₂作为保护膜，但本发明并不限定于此，对于不同的基片和保护膜，也同样可以适用本发明的思路。毋庸置疑，此时，根据各种不同的基片、保护膜的材料特性，也存在最佳条件。

(第二实施例)

以下参照附图对本发明第二实施例的SAW器件进行说明。

第二实施例中，SAW器件使用了与第一实施例大体相同的SAW器件。第二实施例的SAW器件的制造方法也与第一实施例所说明的制造方法大体上一致，但作为制作包括基片、设置在基片的上面的梳型电极以及覆盖该梳型电极并在其上面具有凹凸形状的保护膜的SAW器件的保护膜的最表层的形状、即从与构成梳型电极的电极指的延伸方向垂直的面所见的剖面形状中，电极指的上方具有顶部，且相邻的顶部之间由向下凸的曲线连接的形状的方法，使用的是在表示制造方法的图2(e)的SiO₂膜的形成过程中，一边对基片侧施加偏压(bias)一边以溅射法进行成膜的所谓偏压溅射(bias sputtering)法。

在通过溅射SiO₂靶材(target)在基片21上层积SiO₂的同时，通过偏压溅射基片上的一部分SiO₂。即通过在层积SiO₂的同时将其一部分削除，来控制SiO₂膜的形状。此时，作为控制SiO₂膜的形状的手段，可以是在层积SiO₂膜的过程中改变施加于基片的偏压与溅射电力的比，或者是在成膜的初期不对基片施加偏压就进行成膜，途中，进行成膜的同时施加偏压即可。这时，也需对基片的温度进行管理。

例如，作为溅射气体可采用氩与氧的混合气体，将该气体的压力设定为0.5Pa。而且，在以大约15nm/分的速度进行SiO₂成膜时，既将RF电力设定为3000W的一定值，又使偏压电力变化而从指定值开始逐渐增大。或者在初期不施加偏压而进行SiO₂成膜，从途中开始将偏压电力设定为150W。

如上所述，发明者们明确了，通过采用偏压溅射法，在适当的成膜条件下进行SiO₂成膜，则不需要后续加工，仅通过成膜工序即可获得所希望的形状。并且还证实了如上述方法制成的SAW器件具有良好的温度特性和电特性。

产业上的利用可能性

本发明，通过形成一种可覆盖基片上形成的电极的保护膜，并且使该保护膜成为指定的形状，从而实现具备良好的温度特性和电特性的电子元件，在产业上很有利用价值。

Claims

1.一种弹性表面波元件，其特征在于包括：

基片；

梳型电极，设置在上述基片的上面、具有彼此互相平行地排列的多根电极指；以及

保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，

上述保护膜具有凹凸形状，在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向的剖面、与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，

将上述向下凸的曲线的延长线与构成该顶部的平行于基片的上表面的延长线相交的点彼此之间的距离，作为上述顶部的宽度，

上述顶部的宽度被设定为小于上述电极指的宽度。

2.根据权利要求1所述的弹性表面波元件，其特征在于：上述顶部的中心位置与上述电极指的中心位置大致一致。

3.根据权利要求1或2所述的弹性表面波元件，其特征在于：当设上述梳型电极的电极指排列的间距为P，梳型电极的膜厚为h时，满足以下的关系式：

0.05＜h/(2×P)＜0.15。

4.一种弹性表面波元件，其特征在于：

包括：

基片；

保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，

设从上述曲线的最低点至上述顶部为止的高度为X，上述梳型电极的电极指排列的间距为P，梳型电极的膜厚为h时，满足以下的关系式：

0.01＜X/(2×P)＜h/(2×P)。

5.根据权利要求4所述的弹性表面波元件，其特征在于：上述梳型电极的电极指的间距P与梳型电极的膜厚h，满足以下的关系式：

0.05＜h/(2×P)＜0.15。

6.一种弹性表面波元件，其特征在于：

包括：

基片；

保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，

设从上述基片的上表面至上述顶部为止的高度为t，上述梳型电极的电极指排列的间距为P时，满足以下的关系式：

0.09≤t/(2×P)≤0.3。

7.一种弹性表面波元件，其特征在于：

包括：

基片；

保护膜，形成于上述基片的上面以覆盖该梳型电极；其中，

0.12≤t/(2×P)≤0.2。

8.一种弹性表面波元件的制造方法，在基片的上面形成具有互相平行排列的多根电极指的梳型电极和覆盖该梳型电极的保护膜，其特征在于：

在已形成有梳型电极的基片的上面层积保护膜的同时，形成保护膜的形状，以使在与上述电极指的延伸方向相垂直的方向上的上述保护膜的剖面形状为，在与各电极指相对应的位置为向上方凸起，并且在这些向上方凸起的部分的各顶部彼此之间为向下凸的曲线，

在层积上述保护膜的同时形成保护膜的形状的工序是采用偏压溅射来进行的，

在上述偏压溅射中，通过在层积保护膜的途中改变施加于基片的偏压电力与溅射电力的比，来对保护膜的形状进行整形。

9.一种弹性表面波元件的制造方法，在基片的上面形成具有互相平行排列的多根电极指的梳型电极和覆盖该梳型电极的保护膜，其特征在于：

在上述偏压溅射中，通过从层积保护膜的途中开始对基片施加偏压来对保护膜的形状进行整形。