JP2004023201A - Sawデバイスの製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】圧電基板上に少なくとも1つのIDT電極と、必要に応じてグレーティング反射器とを配置して形成したSAWデバイスデバイスであり、前記圧電基板上に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素(SiO2)膜を形成すると共に、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の熱処理を行う。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明はSAWデバイスの製造法に関し、特に耐環境特性を改善したSAWデバイスの製造法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、SAWデバイスは通信分野で広く利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから、特に携帯電話機等に多く用いられている。SAWデバイスは圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って、互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極からなるIDT電極と、必要に応じてグレーティング反射器等を配置して構成する。そして、高周波のSAWデバイスの場合、IDT電極にはアルミニウム合金膜が主として用いられている。
【0003】
例えば、特開平5−22067、7−326942号公報には、SAWデバイス素子(SAWチップ)の電極パターン上に二酸化珪素(SiO2)等の絶縁膜を付着し、該絶縁膜の膜厚hを所定の範囲に限定することにより、耐環境特性、例えば耐湿性が改善されたSAWデバイスが開示されている。特開平5−22067号公報よると、絶縁膜SiO2の膜厚hはh=10nm〜100nmの範囲、特開平7−326942号公報よると、kh≦0.15(ただしk=2π/λ、λは表面波の波長)の範囲で良好な特性が得られたと記述されている。
例えば圧電基板に42度回転YカットX伝搬のLiTaO3を用いて、北米のPCS方式や日本のW−CDMA方式等の端末機に使われる1.8〜2GHz帯のSAWフィルタを構成する場合、前記絶縁膜SiO2の厚さは、特開平7−326942号公報の膜厚を適用すると、40nm以下となり、特開平5−22067号公報を適用すると10nm以上とする必要がある。
【0004】
そこで、ラダー型SAWフィルタを試作し、該フィルタの電極パターン上に前記絶縁膜SiO2を付着して、前記効果を確かめることにした。図7(a)、(b)はそれぞれラダー型SAWフィルタに用いるSAW共振素子の構成を示す平面図、及び断面図であって、圧電基板11の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってIDT電極12とその両側にグレーティング反射器13a、13bとを配置してSAW共振素子14を構成する。IDT電極12は互いに間挿し合う複数の電極指を有する一対のくし形電極より形成され、その電極膜材料としてはアルミニウム合金が用いられる。
ラダー型SAWフィルタの構成は図7(a)に示したようなSAW共振素子を圧電基板上に複数個形成し、これらを直列、並列、直列、・・と梯子状に接続して構成する共振子型のSAWフィルタである。
また、図7(c)はラダー型SAWフィルタ素子15をセラミックパッケージ16の凹陥部に収容し、ラダー型SAWフィルタ素子15の底面と凹陥部内底面とを接着剤17を用いて固定し、ラダー型SAWフィルタ素子15上に形成したボンディングパッドと、パッケージの段差部に形成した端子電極とをボンディングワイヤ18等を用いて接続して電気的導通を図ると共に、パッケージ16の上部周縁部に設けたメタライズ部19と金属蓋(図示せず)を抵抗溶接等の手段を用いて密封封止してラダー型SAWフィルタを完成する。
【0005】
図8は実際に試作したラダー型SAWフィルタの回路構成を示す図である。フィルタの中心周波数を1.9GHz帯とし、図7(b)に示したように圧電基板上にアルミニウム合金膜の電極パターンを形成したSAW共振子を用いたものと、図9に示すようにアルミニウム合金膜の電極パターンを形成した上に、絶縁膜SiO2を付着して構成したSAW共振子を用いたものとを試作し、両フィルタの電気的特性を評価することとした。後者についてはSiO2膜の膜厚を20nmとし、特開平5−22067と特開平7−326942の何れも満足する膜厚を採用した。ここで、比較の基準としてフィルタの急峻度Sfを用い、図10に示すように10dB帯域幅B10に対する4dB帯域幅B4の比、Sf=B4/B10で評価することにした。急峻度Sfが大きいほど(1に近いほど)急峻なフィルタ特性を有していることになる。
【0006】
まず、電極パターンがアルミニウム合金膜のみのラダー型SAWフィルタの急峻度Sfを測定したところ、急峻度Sfは0.85であった。また、アルミニウム合金膜の上に絶縁膜SiO2を20nmの厚さで付着した場合の急峻度Sfは、0.83とSiO2膜が無いときよりも劣化していることが分かった。
【0007】
そこで、本願発明者は絶縁膜SiO2を薄くすれば急峻度Sfの劣化が防げるものと推測し、SiO2膜を5nmに設定してラダー型SAWフィルタを試作し、急峻度Sfを測定したところ、アルミニウム合金膜のみのラダー型SAWフィルタの急峻度Sfが0.82であったの対し、SiO2膜を付着した後のフィルタの急峻度Sfは0.81と劣化していた。
ただ、特開平5−22067号公報では耐湿性を確保する上では、SiO2膜の厚さを10nm以上にする必要があると記述されているので、SiO2膜が5nm、20nmの厚さの場合で耐湿性に優劣があるかを調べるた。図7(c)に示すように未封止の状態で、温度85℃、相対湿度85%の雰囲気中に置き、ラダー型SAWフィルタの中心周波数と挿入損失値がどのように変化するかを測定した。
【0008】
測定の結果、SiO2膜の厚が20nmの場合、上記雰囲気の中に125時間経過した後で、フィルタの中心周波数の変化量は−284ppm、挿入損失の変化量は+0.1dBと良好な耐湿性であることが確認された。これに対し、SiO2膜の厚が5nmの場合、60時間経過した時点で中心周波数の変化量は−6830ppm、挿入損失の変化量は+4.5dBと著しくフィルタ特性が劣化しており、125時間経過後では中心周波数の変化量は−6964ppm、挿入損失の変化量は+4.9dBと変動量も増加していることが判明した。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上説明したように特開平5−22067、7−326942号公報の効果を実験にて検証したところ、絶縁膜SiO2の厚さが20nmの場合、フィルタの急峻度が劣化し、SiO2膜厚が5nmの場合、耐湿性が劣化するという問題があった。本願発明はこれらの課題を解決するためになされたものであり、フィルタ特性の劣化を招くことなく、耐湿特性を改善したSAWデバイスの製造法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係るSAWデバイスの製造法の請求項1記載の発明は、圧電基板の主表面上に少なくとも1つのIDT電極を配置して形成したSAWデバイスにおいて、
前記SAWデバイスの上面に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素(SiO2)膜を形成した後に、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の加熱処理を行うことを特徴としたSAWデバイスの製造方法である。
請求項2記載の発明は、大きめの圧電基板上に少なくとも1つのIDT電極を備えたSAWデバイスを複数個形成し、該SAWデバイスの上面に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素膜を形成し、前記SAWデバイスを個片チップに切り分けるべく圧電基板を切断した後、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の加熱処理を行うことを特徴とするSAWデバイスの製造方法である。
請求項3記載の発明は、複数のSAWチップを搭載可能な配線を有する実装基板に10nmから15nmの二酸化珪素膜を上面に付着した複数のSAWチップをバンプを介して接続する工程と、前記SAWチップ間の間隙に第1の樹脂を充填し該樹脂を硬化させる工程と、前記第1の樹脂と前記SAWチップを覆うように第2の樹脂を充填し硬化させる工程と、前記実装基板を前記第1および第2の樹脂と共に個片に切り分ける工程とを含むSAWデバイスの製造方法であって、
前記SAWチップをバンプを介して接続した後に300℃以上の雰囲気温度で10分以上の加熱処理を行うことを特徴とするSAWデバイスの製造方法である。
請求項4記載の発明は、請求項3のSAWデバイスの製造方法において、前記電極端子部(ボンディングパッド)が3層の積層膜構造を備えており、圧電基板面から順に1層目がアルミニウム(Al)膜またはAlを主成分とした合金膜、2層目がTi、Cr、Niの何れかの膜、あるいはいずれかの金属を主成分とする合金膜、3層目がAl膜またはAlを主成分とした合金膜としたことを特徴とするSAWデバイスの製造方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面に示した実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図1は本発明に係るSAWデバイスの構成を示す断面図であって、圧電基板1の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って少なくとも1つのIDT電極2と、必要に応じてグレーティング反射器2とを配置し、これらの電極を含んで主表面上に全面に絶縁膜3を付着して構成したSAWデバイスである。IDT電極2は互いに間挿し合う複数の電極指からなり、その電極材料はアルミニウム合金等を用いる。そして、絶縁膜3はIDT電極2と同様に、真空装置の中で蒸着、あるいはスパッター等の手段を用いて形成される。
【0012】
本発明の特徴はSAWデバイスの製造法であり、電極パターン2上に形成する絶縁膜3の厚さと、該絶縁膜3の熱処理法に関するものである。即ち、電極パターン2を含む圧電基板1上に絶縁膜3として10nm〜15nmの厚のSiO2膜を付着形成した後、300℃以上の雰囲気の温度中にて10分以上の加熱処理を行ってSAWデバイスを製造する。
図2は、圧電基板上に電極パターンのみの場合、該電極パターン上に付着形成する絶縁膜SiO2の厚さを5nm、10nm、15nm、20nmとした場合、該絶縁膜SiO2を315℃の雰囲気の中で10分間の加熱処理した場合のラダー型SAWフィルタの急峻度Sfを測定し、一覧表にまとめたものである。
この図から該絶縁膜SiO2の厚さが10nmから15nmの範囲であれば、315℃に雰囲気中で10分間の加熱処理を行うことにより、圧電基板上にアルミニウム合金膜のみの場合と同等な急峻度Sf特性を示すことが実験の結果から判明した。
【0013】
図3、4はラダー型SAWフィルタ素子の電極パターン上に5nm、10nm、15nm、20nmの厚さの絶縁膜SiO2を付着形成し、315℃の雰囲気中で10分間の加熱処理を行った後、図7(c)に示したようにセラミックパッケージの凹陥部に収容し、未封止状態のフィルタを、温度85℃、相対湿度85%の雰囲気中に放置し、フィルタの中心周波数と、挿入損失との変化量を測定した結果を図示もので、図3が中心周波数の変化量を、図4が挿入損失の変化量を示す図である。これらの図からSiO2膜厚が10nm以上の場合、周波数化量は±350ppm以内であり、挿入損失の変化量は±0.2dB以内であることが判明した。一方、SiO2膜厚が5nmの場合は中心周波数、挿入損失の変化量とも著しく変化していることが分かる。
このことより、電極パターン上に付着形成するSiO2膜の厚は10nmから15nmの範囲とし、SiO2膜を付着した後、315℃の雰囲気中で10分間の加熱処理を行うことで、フィルタの急峻度は劣化が生ずることなく耐湿性の優れたSAWデバイスを製造できることが分かった。
なお、加熱処理をする雰囲気の温度は300℃まで下げても、315℃の場合と同様の効果があることが実験的に確認できた。
【0014】
図7(c)の工程まで進んだ後、金属蓋を抵抗溶接して密封し、260℃から270℃の雰囲気の温度が20秒程度続く温度プロファイルのリフロー工程に、計7サイクルほど通してみた。しかしながら、雰囲気温度が300℃より低いこと、加熱時間の合計が足りないこと等のためにフィルタの急峻度改善の効果は得られなかった。
以上の実験結果より、これまでのSAW製造工程では本願発明のような効果が得られないことが確認できた。
【0015】
そこで、絶縁膜SiO2の加熱処理工程を一連の工程のどの工程間に入れるのが望ましいかについて考慮する。φ3インチまたはφ4インチのウェハ状の圧電基板に複数のSAWデバイス用電極と配線パターンを形成し、SiO2膜を付着した後にダイシングソーにて個片のSAWチップに切断する際、ウェハ上に切削水等を流しながら切断するので、ダイシング工程後の水分の残留が懸念される。これを除去するために加熱処理工程はダイシング工程以降に入れるのが望ましい思われる。
【0016】
また、本発明は図5に断面図を示すような樹脂製のパッケージに収容するSAWデバイスの場合についても適用できる。即ち、樹脂製の実装基板5の上面に形成した被接続部(メタライズ部)6に導電性のバンプ7を載置し、SAWチップ4を下向きに搭載する際に加重をかけつつ加熱処理することによりメタライズ部6、バンプ7、SAWチップ上のボンディングパッド8とが接合され、電気的導通が図られる。このとき実装基板5の上面とSAWチップ4との間には空間9が確保されるようにする。なお、実装基板5の上面の被接続部(メタライズ部)6は裏面の外部接続用端子10と実装基板5内で導通している。そして、実装基板5の周縁に第1の封止樹脂にて筒状壁面11を形成した後、この筒状壁面に第2の封止樹脂にて蓋12を形成しSAWチップ4を密封する。
【0017】
図6はSAWチップを実際の樹脂パッケージに収容する手順説明する図であって、同図(a)は実装基板5上に絶縁膜SiO2を付着形成した複数のSAWチップ4をフリップチップ実装した後の断面図、同図(b)はSAWチップ4の表面波振動を妨げないように、内部空間9を確保するため比較的粘度の高い第1の封止樹脂を滴下し、これを硬化させて筒状側壁11を形成した後の断面図、同図(c)は第2の封止樹脂をSAWチップ裏面及び第1の封止樹脂11の上面に滴下し、樹脂を硬化させて、蓋12を形成した後の断面図であり、同図(c)の破線にて個片に切断すれば図5に示したのSAWデバイスが完成する。尚、第2の封止樹脂は比較的粘度の低いものであってもよい。図6に示すSAWデバイスの製造方法では、同図(a)の工程後、つまりSAWチップをフリップチップ実装後に絶縁膜SiO2の加熱処理を行うことが望ましい。同図(b)や同図(c)の後に加熱処理を行うと樹脂からのアウトガスの影響により、絶縁膜SiO2に覆われていない部分の電極が腐食するおそれがあるからである。
【0018】
また、図5において導電性のバンプが金(Au)の場合、加熱処理によりAuがアルミニウム(Al)膜へ拡散して、Auバンプの接合強度を劣化させるおそれがある。これを防ぐためSAWチップ上に形成したボンディングパッド部の膜構成を圧電基板側から1層目をAl膜またはAlを主成分とした合金膜、2層目をTi,Cr,Niの何れかの膜、あるいはこれらの金属の何れかを主成分とした、例えばNiCrのような合金膜、3層目をAl膜またはAlを主成分とした合金膜とした3層構造の積層膜とすればよい。2層目にAuとAlの反応や合金化を抑制し得る金属材料を用いることで、固くてもろいAl−Au合金層が厚くなることを防ぐことができる。
【0019】
以上の説明ではラダー型SAWフィルタを用いて説明したが、本発明はこれのみに限定するものではなく、SAW共振子、縦結合多重モードSAWフィルタあるいは横結合多重モードフィルタ等の共振子型フィルタ、トランスバーサル型SAWフィルタのSAWデバイス全般に適用できることは言うまでもない。
【0020】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、請求項1に記載の発明はSAWデバイスの特性の劣化を招くことなく耐湿性が確保されるという優れた効果を表す。請求項2に記載の発明は具体的に加熱処理工程を示したものである。請求項3、4に記載の発明は樹脂パッケージに本発明を適用したもので、低コストのSAWデバイスが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るSAWデバイスの構成を示す断面図である。
【図2】アルミニウム合金電極膜のみの場合と、アルミニウム合金電極膜に5nmから20nmの厚さの絶縁膜SiO2を付着形成して加熱処理前後とにおける急峻度を比較した図である。
【図3】湿度試験における中心周波数の変化と放置時間との関係を、絶縁膜SiO2の厚さをパラメータとして示した図である。
【図4】湿度試験における挿入損失の変化と放置時間との関係を、絶縁膜SiO2の厚さをパラメータとして示した図である。
【図5】樹脂パッケージを用いたSAWデバイスの構成を示す断面図である。
【図6】(a)〜(c)は樹脂パッケージ製SAWデバイスの製造工程を説明する図である。
【図7】(a)はSAW共振子の構成を示す平面図、(b)はラダー型SAWフィルタ素子の模式的断面図、(c)はラダー型SAWフィルタ素子をセラミックパッケージに収容した断面図である。
【図8】実験に用いたラダー型SAWフィルタの回路図である。
【図9】ラダー型SAWフィルタ素子の電極面に絶縁膜SiO2を付着した場合の模式的断面図である。
【図10】急峻度Sfを説明する図である。
【符号の説明】
1・・圧電基板
2・・IDT電極、グレーティング反射器
3・・絶縁膜SiO2
4・・SAWデバイス素子
5・・樹脂製の実装基板
6・・被接続部(メタライズ部)
7・・バンプ
8・・ボンディングパッド
9・・空間
10・・外部接続用端子(メタライズ部)
11・・第1の樹脂筒状壁面
12・・第2の樹脂蓋
Claims (4)
- 圧電基板の主表面上に少なくとも1つのIDT電極を配置して形成したSAWデバイスにおいて、
前記SAWデバイスの上面に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素(SiO2)膜を形成した後に、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の加熱処理を行うことを特徴としたSAWデバイスの製造方法。 - 大きめの圧電基板上に少なくとも1つのIDT電極を備えたSAWデバイスを複数個形成し、該SAWデバイスの上面に厚さ10nmから15nmの二酸化珪素膜を形成し、前記SAWデバイスを個片チップに切り分けるべく圧電基板を切断した後、300℃以上の雰囲気温度にて10分間以上の加熱処理を行うことを特徴とするSAWデバイスの製造方法。
- 複数のSAWチップを搭載可能な配線を有する実装基板に10nmから15nmの二酸化珪素膜を上面に付着した複数のSAWチップをバンプを介して接続する工程と、前記SAWチップ間の間隙に第1の樹脂を充填し該樹脂を硬化させる工程と、前記第1の樹脂と前記SAWチップを覆うように第2の樹脂を充填し硬化させる工程と、前記実装基板を前記第1および第2の樹脂と共に個片に切り分ける工程とを含むSAWデバイスの製造方法であって、
前記SAWチップをバンプを介して接続した後に300℃以上の雰囲気温度で10分以上の加熱処理を行うことを特徴とするSAWデバイスの製造方法。 - 請求項3のSAWデバイスの製造方法において、前記電極端子部(ボンディングパッド)が3層の積層膜構造を備えており、圧電基板面から順に1層目がアルミニウム(Al)膜またはAlを主成分とした合金膜、2層目がTi、Cr、Niの何れかの膜、あるいはいずれかの金属を主成分とする合金膜、3層目がAl膜またはAlを主成分とした合金膜としたことを特徴とするSAWデバイスの製造方法。
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