CN1943111A - 弹性表面波装置 - Google Patents

弹性表面波装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1943111A
CN1943111A CNA2006800001807A CN200680000180A CN1943111A CN 1943111 A CN1943111 A CN 1943111A CN A2006800001807 A CNA2006800001807 A CN A2006800001807A CN 200680000180 A CN200680000180 A CN 200680000180A CN 1943111 A CN1943111 A CN 1943111A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
base plate
installation base
acoustic
wave element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800001807A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1943111B (zh
Inventor
降簱哲也
井上孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Industrial Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1943111A publication Critical patent/CN1943111A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1943111B publication Critical patent/CN1943111B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02984—Protection measures against damaging
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1078—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a foil covering the non-active sides of the SAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供一种弹性表面波装置，其结构是：密封安装基板和弹性表面波元件的密封树脂具有三层结构，与最外层的树脂相比，中间层树脂的弹性模量大；与最外层的树脂相比，最内层的树脂的弹性模量小。三层结构的密封树脂抑制外部施加压力的时候的凸块变形，并且降低温度变化引起的凸块上承受的应力。

Description

弹性表面波装置
技术领域
本发明特别涉及耐外部施加的压力及内部压力变化，并且对温度周期变化等有良好的可靠性的弹性表面波装置。
背景技术
现在，为了实现此类弹性表面波装置的小型化和薄型化，在氧化铝制安装基板上面形成焊锡凸块(solder bump)，将弹性表面波元件以表面波传播面向下的方式通过焊锡凸块接合，并且将弹性表面波元件的周围用密封树脂层覆盖。
日本专利未审查公开第平8-204497号等记载了现有的弹性表面波装置，如图3A所示，由密封树脂1、安装基板2、焊锡凸块3和弹性表面波元件4构成。
但是，现有结构中，弹性表面波元件4和安装基板2之间的连接所用的凸块3只是由焊锡材料形成，且其外封装也只是由一层树脂层构成。因此，存在这样的问题：一旦受到外部强大的压力，凸块就会如图3B所示那样被挤压得非常扁，进而发生断路、短路等电性能不良情况。
发明内容
本发明弹性表面波装置的结构是：密封树脂具有三层结构，与最外层的树脂相比，中间层树脂的弹性模量大；与最外层的树脂相比，最内层的树脂的弹性模量小。
通过这样的结构，抑制了外部施加压力的时候产生的凸块压扁，可以避免发生断路、短路等电性能不良情况，并且对于温度周期变化具有良好的可靠性。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的弹性表面波装置的剖面图。
图2是本发明第二实施方式的弹性表面波装置的剖面图。
图3A是现有弹性表面波装置的剖面图。
图3B是现有的弹性表面波装置的剖面图。
附图标记说明
11        弹性表面波元件
12a       梳形电极
12b       PAD电极
13        安装基板
14a、14b  PAD电极
15        重写布线层
16a、16b  导通电极
17        凸块
20        间隙
21        密封树脂
21a       第一树脂
21b       第二树脂
21c       第三树脂
100       弹性表面波装置
具体实施方式
(第一实施方式)
以下参照附图，使用第一实施方式说明本发明弹性表面波装置。
图1是本发明第一实施方式弹性表面波装置的剖面图。
如图1所示，本发明弹性表面波装置100中，安装基板13通过凸块(bump)17而连接弹性表面波元件11，并且弹性表面波元件11被密封树脂21绝缘覆盖。
在第一实施方式中，虽然使用钽酸锂(LiTaO3)单晶作为弹性表面波元件11，但是也可以选择铌酸锂(LiNbO3)或水晶等其他单晶材料或者压电陶瓷等。
弹性表面波元件11的主面(第一面)11a上形成梳形电极12a、压焊(PAD)电极12b、布线电极(未图示)。这些电极的电极材料并没有特别限定，然而，梳形电极12a最好是使用重量轻的A1类材料；PAD电极12b的最外面最好是使用含有Au的材料，以提高与焊料的连接可靠性。弹性表面波元件11的主面上形成的电极图案，没有特别限定，可以形成为公知的弹性表面波滤波器或弹性表面波谐振器等。
安装基板13使用了氧化铝，但是也可以选择其他的陶瓷、玻璃陶瓷或者树脂基板等绝缘材料。安装基板13表面具有PAD电极14a，其背面具有PAD电极14b，并且基板内部有重写布线层15。为了将PAD电极14a与重写布线层15之间相连接或者将PAD电极14b与重写布线层15之间相连接，形成了导通电极(via electrode)16a、16b。然而，此处作为重写布线层的电极层是由一层构成，如果有必要，也可以使用具有两层或更多层电极层的安装基板。
安装基板13上使用的电极材料，根据基板材料的种类，可以选择钨(W)、钼(Mo)、银(Ag)、铜(Cu)等适合的材料。最好是在PAD电极14a、14b的表面上镀上镍/金(Ni/Au)等材料，使得与焊料的连接可靠性得到提高。为了减小直径，也可以在表面的PAD电极14a上仅仅在导通电极的上面直接镀上Ni/Au等镀金。
弹性表面波元件11按照作为激励部的梳形电极12a所在主面朝下的方式配置在安装基板13的上面，而且，用凸块17固定弹性表面波元件11上的PAD电极12b和安装基板13上的PAD电极14a，并且使相互电连接。
凸块17使用低成本的焊锡凸块。焊接材料，从环境保护角度考虑，最好用无铅焊料。在第一实施方式中，使用以Sn-Ag-Cu作为成分的焊接材料，但是也可以是其他成分的焊接材料。其组成比可以根据连接可靠性等角度而选择适当的值。
弹性表面波元件11和安装基板13之间形成间隙(振动空间)20，以避免影响弹性表面波的激励。密封树脂21在安装基板13上以覆盖弹性表面波元件11的方式进行密封。在此，间隙20的宽度大约是50μm。
在第一实施方式中，密封树脂21具有由第一树脂21a、第二树脂21b及第三树脂21c构成的三层叠层结构。第一树脂21a覆盖弹性表面波元件11的背面11b和侧面以及安装基板13的上表面的一部分。第二树脂21b覆盖第一树脂21a，第三树脂21c覆盖第二树脂21b。在此，第一树脂21a位于弹性表面波元件11的背面11b附近(例如图2所示线L1上)的厚度大约是20μm，在侧面附近(例如图2所示线L2上)的厚度大约是15μm，硬化后的体积弹性模量(以下简称“弹性模量”)大约是2GPa。第二树脂21b位于弹性表面波元件11的背面11b附近(例如图2所示线L1上)的厚度大约是60μm，硬化后的弹性模量大约是18GPa。第三树脂21c的硬化后的弹性模量大约是9GPa。
第三树脂21c形成在弹性表面波装置100的背面及侧面的一部分上。因此，第三树脂21c的弹性模量和线性膨胀系数极大地影响弹性表面波装置100的耐温度周期变化的可靠性。第三树脂21c的弹性模量和线性膨胀系数过大，则温度变化会引起密封树脂21产生大的变形，因此，弹性表面波装置100会弯曲变形(bent)，焊锡凸块17内部或连接部分会发生断裂。所以，第三树脂21c最好是弹性模量小于10GPa，并且在5GPa以上，以保持弹性表面波装置100的表面强度。较佳的，线性膨胀系数小于50ppm/℃，更好的是与弹性表面波元件11的线性膨胀系数为同等程度。
与第三树脂21c相比，第二树脂21b具有更大的弹性模量。当外部对弹性表面波装置施加大压力的时候，第二树脂21b受到此压力，可以减小施加到凸块17的压力。由此，可以防止凸块17压扁引起的故障。而且，在弹性表面波装置100的内部压力增大的时候，还具有防止密封树脂21变形的效果。
弹性表面波装置100被用作电子器件模块的情况下，可能进行诸如传传递成型(transfer molding)这样的二次成型处理。此时，施加到弹性表面波装置10的是例如10Mpa(100bar)程度的高压。为了承受这样高的压力，第二树脂21b的弹性模量最好大于10GPa，达到15GPa以上更好。
传递成型是在例如170℃以上的高温下进行的，第二树脂21b的玻璃化温度较好的是高于100℃，达到170℃以上更好。
与第三树脂21c相比，与弹性表面波元件11直接接触的第一树脂21a的弹性模量更小。温度变化引起的密封树脂21和弹性表面波元件11的膨胀收缩不同而引发的应力，可以由第一树脂21a吸收和减小。因此，凸块17的连接部分上受到的应力大幅减少，在温度变化周期内的可靠性得以提高。
第一树脂21a的弹性模量最好小于5GPa，小于3GPa则更好，以减少从密封树脂21施加到弹性表面波元件11上的应力。
密封树脂21的材料没有特别限定，但是最好是环氧树脂，因为其杂质少。并且，通过调整用于混合的填料等的材料特性或组分比，或者填料的颗粒直径或填料的混合比等等，可以调整树脂21的弹性模量和线性膨胀系数。第一树脂21a、第二树脂21b及第三树脂21c可以分别是不同的树脂。也可以是使用相同的树脂，但分别改变用于填充的填料的种类或混合量，由此形成三层的密封树脂21。并且，密封树脂21也可以形成四层或更多层。
形成三层的密封树脂21的方法，有很多种。首先，热固环氧树脂和填充材料组成的第一树脂合成物，以覆盖弹性表面波元件11的方式涂布并硬化，形成第一树脂21a。接下来，以覆盖硬化后的第一树脂21a的方式涂布第二树脂合成物，之后，硬化形成第二树脂21b。最后，以覆盖硬化后的第二树脂21b的方式涂布第三树脂合成物，之后，硬化形成第三树脂21c。
另一种密封树脂21的制造方法是，用弹性模量为5-10GPa的树脂膜作为第二树脂，在其一表面上形成具有特定树脂合成物的第三树脂层21c，并且在其另一表面上形成第一树脂层21a。借由第一树脂层21a，将由此制得的叠层片在加热的条件下贴附到弹性表面波元件11。
较佳的，弹性表面波元件11的背面11b上形成的第一树脂21a的厚度与安装基板13的上表面形成的第一树脂21a的厚度大致相同。当受到外部很强的压力，并且因为安装基板13上的第一树脂21a的弹性模量较低而造成变形的情况下，弹性表面波元件11上的第一树脂21a只会发生相同厚度的变形。因此，没有大的应力施加到弹性表面波元件11上，可以防止凸块17的变形。
弹性表面波元件11的背面11b上形成的第一树脂21a的厚度比安装基板13上表面形成的第一树脂21a的厚度更薄的情况下，就不能实现前述效果。相反，与弹性表面波元件11背面11b相接触的第一树脂21a的厚度比安装基板13上表面形成的第一树脂21a的厚度更厚的情况下，与弹性表面波元件11背面11b相邻接的第二树脂21b变薄，弹性表面波元件11的背面11b上的密封树脂21的强度降低。
弹性表面波元件11的侧面上形成的第一树脂21a的厚度，最好是弹性表面波元件11与安装基板13之间的间隙(振动空间)20的高度的1/10～1/2。第一树脂21a的厚度大于振动空间高度的1/2的情况下，当外部强大压力引起第一树脂发生变形时，弹性表面波元件11的侧面受到的剪应力变大，施加到凸块17的应力因此也变大。相反，第一树脂21a的厚度比振动空间的高度的1/10更薄的情况下，很难得到降低由密封树脂21施加到弹性表面波元件11的应力的效果。
(第二实施方式)
以下，参考第二实施方式说明本发明。与第一实施方式相同的部件使用相同的附图标记，并且省略相关说明。
第二实施方式与第一实施方式的不同之处在于：在第一实施方式中的本发明中，弹性表面波元件和安装基板之间的空间内没有密封树脂进入；第二实施方式中的本发明中，第一树脂和第二树脂进入并占据了弹性表面波元件和安装基板之间的空间的一部分。
图2中，弹性表面波元件11和安装基板13之间的间隙(振动空间)20的外周部20a上存在高弹性模量的第二树脂21b。于是，弹性表面波装置上被施加来自外部的强大压力的时候，弹性表面波元件11不会下沉并且凸块17不会变形，因此可以得到高强度的弹性表面波装置。
弹性表面波元件11和安装基板13之间的空间中存在第二树脂21b的量可以在不影响弹性表面波振动的范围内决定合适的量。至少使用膜状树脂作为第一树脂21a，并且通过执行真空叠层而实现这样的形状。
弹性表面波元件11和安装基板13之间的间隙20的外周部20a上存在的第二树脂中可以存在填料，因此，即使在例如高温环境下树脂成分的弹性模量降低的情况下，也能维持第二树脂21b的强度，防止凸块17的变形。
填料可以从无机材料和金属材料等中选择，特别是，高强度且具有良好分散性和流动性等等的球状硅石最好。
填料最好是含有颗料直径在弹性表面波元件11和安装基板13之间的空间的高度的40％以上的填料。通过这样的结构，即使是在由于大于等于假设值的压力使得凸块17变形的情况下，也能够确保弹性表面波元件11和安装基板13之间的空间的高度最低也不低于40％，特别是不容易发生短路等电性能问题。
第二树脂21b和弹性表面波元件11之间最好是确实形成有弹性模量小的第一树脂21a。通过这样的结构，弹性模量大的第二树脂21b不直接接触弹性表面波元件11。由此，由于温度变化等引起存在于弹性表面波元件11和安装基板13之间的间隙20的外周部20a上的第二树脂21b发生膨胀收缩时，弹性表面波元件11上被施加的应力得以降低，所以与第二树脂具有不同线性膨胀系数的凸块17上被施加的应力可以被减小。
第二实施方式中，第二树脂21b通过第一树脂21a而接触安装基板13。且，第三树脂21c借由第一树脂21a或者第二树脂21c而接触安装基板13。这样，第二树脂21b及第三树脂21c没有直接接触安装基板13。也就是说，第二树脂21b和第三树脂21c只是与弹性模量小的第一树脂21a接触，既没有接触弹性表面波元件11也没有接触安装基板13。换言之，第二树脂21b和第三树脂21c是以好像相对弹性表面波元件11和安装基板13独立存在的方式而形成的。根据这样的结构，由于弹性模量低的第一树脂21a的存在，温度变化等引起的密封树脂21施加到安装基板13的应力能够被减小。也就是说，可以防止密封树脂21的应力引起的安装基板13发生的挠曲，减小安装基板13施加到凸块17的应力，并且能够得到相对温度变化周期等具有良好可靠性的弹性表面波装置。
如上所述，本发明弹性表面波装置具有三层结构的密封树脂，并且中间层树脂的弹性模量比最外层树脂的弹性率模量；最内层树脂的弹性模量比最外层树脂的弹性模量小，因此可以抑制外部施加强大压力时的凸块的变形，避免断路、短路等电性能问题发生，而且提高相对温度变化周期等的可靠性。而且，因为制造容易，所以降低了制造成本。
工业适用性
本发明弹性表面波装置适用于制造时受到高压力的电子器件模组和使用此电子器件模组的通信装置。
并且，本发明弹性表面波装置，可以抑制外部施加强大压力时的凸块的变形，避免断路、短路等电性问题，所以也适用于耐压电子器件模组和通信装置等用途。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.(修改)一种弹性表面波装置，包括：
弹性表面波元件，其具有形成有电极的第一表面；
安装基板，其表面具有电极，并且与所述第一表面相隔规定距离的间隙而对置配置；
凸块，其连接所述弹性表面波元件的所述电极和所述安装基板的所述电极；
密封树脂，其以覆盖所述弹性表面波元件的方式形成在所述安装基板上，
其中，所述密封树脂包括：
第一树脂，其包围所述弹性表面波元件并且覆盖在位于所述弹性表面波元件的周围的所述安装基板；
第二树脂，其至少覆盖所述第一树脂；
第三树脂，其至少覆盖所述第二树脂；
所述第三树脂的弹性模量小于所述第二树脂的弹性模量，并且，大于所述第一树脂的弹性模量。
2.(删除)
3.(修改)如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
在所述弹性表面波元件侧面形成的所述第一树脂的厚度是所述间隙的距离的1/10～1/2。
4.(修改)如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
在所述密封树脂中至少所述第二树脂还夹隔在所述弹性表面波元件和所述安装基板之间的间隙的一部分。
5.如权利要求4所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂是添加有填料的树脂。
6.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其中，
所述填料包含直径为所述间隙的距离的40％以上的大小的填料。
7.(修改)如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂和所述第三树脂不与安装基板直接相接。
8.(修改)如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂经由所述第一树脂而与所述安装基板相接，并且，所述第三树脂经由所述第一树脂或者第二树脂而与所述安装基板相接。
9.一种弹性表面波装置，具有以下结构：
弹性表面波元件和安装基板被配置成，所述弹性表面波元件的激励部所在面与所述安装基板的上表面相面对，
所述声表面元件的压焊电极和所述安装基板的压焊电极通过凸块固定，使得两者之间电连接，
在所述弹性表面波元件的所述激励部和所述安装基板之间确保振动空间的状态下，利用密封树脂密封所述安装基板的上表面以覆盖所述弹性表面波元件，其中，
所述密封树脂具有包括以下层的至少三层结构：
第一树脂，其覆盖所述弹性表面波元件的背面及侧面以及所述安装基板的上表面的至少一部分；
第二树脂，其至少覆盖所述第一树脂；
第三树脂，其至少覆盖所述第二树脂，
所述第二树脂较所述第三树脂弹性模量大；并且所述第一树脂较所述第三树脂弹性模量小。
10.如权利要求9所述的弹性表面波装置，其中，
在夹在所述弹性表面波元件和所述安装基板之间的空间的一部分中，至少存在所述第二树脂。
11.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
所述第三树脂的弹性模量是5GPa以上，10GPa以下。

Claims (11)

1.一种弹性表面波装置，包括：
弹性表面波元件，其具有形成有电极的第一表面；
安装基板，其表面具有电极，并且与所述第一表面相隔规定距离的间隙而对置配置；
凸块，其连接所述弹性表面波元件的所述电极和所述安装基板的所述电极；
密封树脂，其以覆盖所述弹性表面波元件的方式形成在所述安装基板上，
其中，所述密封树脂是由三层以上分别具有不同弹性模量的树脂叠层而得的叠层体。
2.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
所述密封树脂具有：
第一树脂，其包围所述弹性表面波元件，并且覆盖所述弹性表面波元件的周边的安装基板；
第二树脂，其至少覆盖第一树脂；
第三树脂，其至少覆盖第二树脂，
所述第三树脂具有较所述第二树脂更小的弹性模量，并且具有较所述第一树脂更大的弹性模量。
3.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其中，
在所述弹性表面波元件侧面形成的所述第一树脂的厚度是所述间隙的距离的1/10～1/2。
4.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其中，
在所述密封树脂中至少所述第二树脂还夹隔在所述弹性表面波元件和所述安装基板之间的间隙的一部分。
5.如权利要求4所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂是添加有填料的树脂。
6.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其中，
所述填料包含直径为所述间隙的距离的40％以上的大小的填料。
7.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂和所述第三树脂不与安装基板直接相接。
8.如权利要求2所述的弹性表面波装置，其中，
所述第二树脂经由所述第一树脂而与所述安装基板相接，并且，所述第三树脂经由所述第一树脂或者第二树脂而与所述安装基板相接。
9.一种弹性表面波装置，具有以下结构：
弹性表面波元件和安装基板被配置成，所述弹性表面波元件的激励部所在面与所述安装基板的上表面相面对，
所述声表面元件的压焊电极和所述安装基板的压焊电极通过凸块固定，使得两者之间电连接，
在所述弹性表面波元件的所述激励部和所述安装基板之间确保振动空间的状态下，利用密封树脂密封所述安装基板的上表面以覆盖所述弹性表面波元件，其中，
所述密封树脂具有包括以下层的至少三层结构：
第一树脂，其覆盖所述弹性表面波元件的背面及侧面以及所述安装基板的上表面的至少一部分；
第二树脂，其至少覆盖所述第一树脂；
第三树脂，其至少覆盖所述第二树脂，
所述第二树脂较所述第三树脂弹性模量大；并且所述第一树脂较所述第三树脂弹性模量小。
10.如权利要求9所述的弹性表面波装置，其中，
在夹在所述弹性表面波元件和所述安装基板之间的空间的一部分中，至少存在所述第二树脂。
11.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其中，
所述第三树脂的弹性模量是5G Pa以上，10G Pa以下。
CN2006800001807A 2005-03-03 2006-02-27 弹性表面波装置 Active CN1943111B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005058549A JP4645233B2 (ja) 2005-03-03 2005-03-03 弾性表面波装置
JP058549/2005 2005-03-03
PCT/JP2006/303570 WO2006093078A1 (ja) 2005-03-03 2006-02-27 弾性表面波装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1943111A true CN1943111A (zh) 2007-04-04
CN1943111B CN1943111B (zh) 2010-08-18

Family

ID=36941107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800001807A Active CN1943111B (zh) 2005-03-03 2006-02-27 弹性表面波装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7474175B2 (zh)
EP (1) EP1744453B1 (zh)
JP (1) JP4645233B2 (zh)
CN (1) CN1943111B (zh)
DE (1) DE602006002442D1 (zh)
WO (1) WO2006093078A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102474987A (zh) * 2009-07-17 2012-05-23 松下电器产业株式会社 电子模块及其制造方法
CN106960801A (zh) * 2015-10-07 2017-07-18 飞思卡尔半导体公司 使用应力缓冲器封装集成电路装置的方法
CN107112296A (zh) * 2015-01-09 2017-08-29 三星电子株式会社 半导体封装件及其制造方法
CN107409469A (zh) * 2015-02-13 2017-11-28 希拉纳集团有限公司 单层压体电流隔离体组件
CN108292914A (zh) * 2015-12-11 2018-07-17 株式会社村田制作所 弹性波装置
US10937738B2 (en) 2015-01-09 2021-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN113614907A (zh) * 2019-04-05 2021-11-05 三菱电机株式会社 半导体装置以及其制造方法
CN115485830A (zh) * 2020-05-29 2022-12-16 高通股份有限公司 包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5117083B2 (ja) * 2007-03-09 2013-01-09 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
JP5143451B2 (ja) * 2007-03-15 2013-02-13 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置及びその製造方法
JP5543086B2 (ja) * 2008-06-25 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置及びその製造方法
JP5686943B2 (ja) * 2008-09-17 2015-03-18 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス及びその製造方法
JP5425005B2 (ja) * 2009-08-19 2014-02-26 日本電波工業株式会社 圧電部品及びその製造方法
JP5029704B2 (ja) 2010-01-20 2012-09-19 株式会社村田製作所 弾性波デュプレクサ
JP4947156B2 (ja) * 2010-01-20 2012-06-06 株式会社村田製作所 弾性波デュプレクサ
WO2013121689A1 (ja) * 2012-02-15 2013-08-22 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JP5862770B2 (ja) * 2012-05-18 2016-02-16 株式会社村田製作所 水晶振動子
JPWO2014112167A1 (ja) * 2013-01-16 2017-01-19 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
JP2015220241A (ja) 2014-05-14 2015-12-07 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
WO2017034515A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Circuit package
WO2017159377A1 (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 株式会社村田製作所 積層コンデンサ内蔵基板
WO2018003283A1 (ja) * 2016-07-01 2018-01-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及び電子部品
WO2018235876A1 (ja) * 2017-06-23 2018-12-27 株式会社村田製作所 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置
KR20220041110A (ko) * 2019-08-09 2022-03-31 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 몰드 언더필 봉지용의 다층 시트, 몰드 언더필 봉지 방법, 전자 부품 실장 기판 및 전자 부품 실장 기판의 제조 방법
WO2021100506A1 (ja) * 2019-11-21 2021-05-27 株式会社村田製作所 電子部品
CN117225676A (zh) * 2023-11-14 2023-12-15 南京声息芯影科技有限公司 一种超声换能器阵列与cmos电路的集成结构及制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258357A (ja) * 1988-08-24 1990-02-27 Hitachi Ltd ピングリッドアレイ型半導体装置
JPH0468002A (ja) * 1990-07-09 1992-03-03 Asahi Chem Ind Co Ltd ジアセチレン含有ポリマーとその架橋体
JP3369016B2 (ja) * 1993-12-27 2003-01-20 三井化学株式会社 放熱板付リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
JPH08204497A (ja) 1995-01-26 1996-08-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
JPH0927573A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH10163605A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Sony Corp 電子回路装置
JP3514361B2 (ja) * 1998-02-27 2004-03-31 Ｔｄｋ株式会社 チップ素子及びチップ素子の製造方法
JP2000100997A (ja) * 1998-09-17 2000-04-07 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置およびその樹脂封止方法
JP4666703B2 (ja) * 1999-10-12 2011-04-06 旭化成イーマテリアルズ株式会社 半導体装置及びその材料
JP2001237351A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置
JP3376994B2 (ja) * 2000-06-27 2003-02-17 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
WO2002005424A1 (en) * 2000-07-06 2002-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Surface acoustic wave device and method of manufacturing the device
JP2002299523A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 半導体パッケージ
KR100431180B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
KR100431181B1 (ko) * 2001-12-07 2004-05-12 삼성전기주식회사 표면 탄성파 필터 패키지 제조방법
JP4166997B2 (ja) * 2002-03-29 2008-10-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
US7154206B2 (en) 2002-07-31 2006-12-26 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
JP4383768B2 (ja) * 2003-04-23 2009-12-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 封止用フィルム接着剤、封止用フィルム積層体及び封止方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102474987A (zh) * 2009-07-17 2012-05-23 松下电器产业株式会社 电子模块及其制造方法
CN102474987B (zh) * 2009-07-17 2014-09-17 松下电器产业株式会社 电子模块及其制造方法
CN107112296A (zh) * 2015-01-09 2017-08-29 三星电子株式会社 半导体封装件及其制造方法
CN107112296B (zh) * 2015-01-09 2020-08-04 三星电子株式会社 半导体封装件及其制造方法
US10937738B2 (en) 2015-01-09 2021-03-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN107409469A (zh) * 2015-02-13 2017-11-28 希拉纳集团有限公司 单层压体电流隔离体组件
CN107409469B (zh) * 2015-02-13 2020-08-25 希拉纳集团有限公司 单层压体电流隔离体组件
CN106960801A (zh) * 2015-10-07 2017-07-18 飞思卡尔半导体公司 使用应力缓冲器封装集成电路装置的方法
CN108292914A (zh) * 2015-12-11 2018-07-17 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN108292914B (zh) * 2015-12-11 2021-11-02 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN113614907A (zh) * 2019-04-05 2021-11-05 三菱电机株式会社 半导体装置以及其制造方法
CN115485830A (zh) * 2020-05-29 2022-12-16 高通股份有限公司 包括衬底、集成器件、和具有底切的封装层的封装

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006245989A (ja) 2006-09-14
CN1943111B (zh) 2010-08-18
JP4645233B2 (ja) 2011-03-09
US7474175B2 (en) 2009-01-06
EP1744453A1 (en) 2007-01-17
EP1744453A4 (en) 2007-12-05
US20080272858A1 (en) 2008-11-06
EP1744453B1 (en) 2008-08-27
WO2006093078A1 (ja) 2006-09-08
DE602006002442D1 (de) 2008-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1943111A (zh) 弹性表面波装置
CN1518213A (zh) 表面声波器件及其制造方法
CN101997511A (zh) 压电部件及其制造方法
CN1519928A (zh) 半导体器件及其制造方法
JP4691787B2 (ja) Ｓａｗデバイス
CN1577841A (zh) 芯片层叠型半导体装置及其制造方法
CN1551712A (zh) 电子电路的连接结构及其连接方法
CN1533031A (zh) 压电振子
CN1581686A (zh) 导电性粘合剂及使用该粘合剂安装压电元件的压电器件
CN1858997A (zh) 晶体振荡器
CN1579015A (zh) 模块部件
JP2012129481A (ja) 電子部品及びその製造方法
CN1794574A (zh) 电子器件及其制造方法
CN1142626C (zh) 梯形滤波器
CN1700467A (zh) 半导体器件
CN1150621C (zh) 电子元件装配的基片和采用该基片的压电谐振元件
US9386703B2 (en) Electronic device
JP2007096519A (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JPH04137663A (ja) 固体撮像装置
JP5003802B2 (ja) Ｓａｗデバイスとその製造方法
CN1418400A (zh) 弹性表面波器件
JP2002353763A (ja) 圧電素子デバイスの製造方法
CN1606160A (zh) 半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子设备
CN1574624A (zh) 电子元件及封装
KR102715045B1 (ko) Saw 필터

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SKYWORKS PANASONIC FILTRATE SOLUTIONS JAPAN CO., L

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20150123

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150123

Address after: Osaka Japan

Patentee after: PANASONIC CORPORATION

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Osaka Japan

Patentee after: Japan Industrial Co., Ltd.

Address before: Osaka Japan

Patentee before: PANASONIC CORPORATION