JP5003802B2

JP5003802B2 - Ｓａｗデバイスとその製造方法

Info

Publication number: JP5003802B2
Application number: JP2010164554A
Authority: JP
Inventors: 邦博藤井; 和司東; 昭彦南波
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2010-07-22
Filing date: 2010-07-22
Publication date: 2012-08-15
Anticipated expiration: 2021-01-15
Also published as: JP2010246167A

Description

本発明は無線通信機器などに組込まれるＳＡＷデバイスとその製造方法に関するものである。

従来のＳＡＷデバイスは、特開２０００−２６１２８４号公報に記載されたものが知られている。図１７は従来のＳＡＷデバイスの断面図である。

図１７において、１はタンタル酸リチウム等からなる圧電基板である。この圧電基板１の一面には、アルミニウム等からなるインターディジタルトランスデューサ電極２（以下ＩＤＴ電極とする）と、このＩＤＴ電極２に接続した入、出力電極３を有する。また圧電基板１上にはＩＤＴ電極２を被覆するように金属メッキにより形成したカバー４を有する。

さらに入、出力電極３上に金属メッキにより突起電極５を設け、この突起電極５の上端部のみが露出するようにカバー４、入、出力電極３及び突起電極５の外周部を被覆する熱硬化性樹脂などの絶縁体６を有する。さらに突起電極５の上端面を覆うように半田バンプ７を有する。

このＳＡＷデバイスは半田バンプ７を入、出力端子として外部回路基板に実装される。

以上のように構成されたＳＡＷデバイスについて、以下にその製造方法を説明する。

まず、大板状の圧電基板１の上に多数のＩＤＴ電極２及び入、出力電極３を形成する。

一方、カバー形成用基板の上に電解メッキにより多数のカバー４を形成する。

次に、カバー４でＩＤＴ電極２を覆うように圧電基板１にカバー形成用基板を装着し、カバー形成用基板を除去する。

次いで、圧電基板１上に突起電極５用のメッキ用ガイドを形成し、電解メッキにより突起電極５を形成する。

その後メッキ用ガイドを除去し、突起電極５の外周部を熱硬化性樹脂で被覆する。

次に突起電極５の上端面に半田バンプ７を形成し、一枚の圧電基板１に複数のＳＡＷデバイスが形成された状態となる。

次いでこの圧電基板１を切断することにより個々のＳＡＷデバイスとなる。

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２０００−２６１２８４号公報

本発明は耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するために、以下の構成を有するものである。

本発明の請求項１に記載の発明は、圧電基板と、この圧電基板の一面上に設けたインターディジタルトランスデューサ電極と、このインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接続した入、出力電極と、前記インターディジタルトランスデューサ電極と非接触でかつ前記インターディジタルトランスデューサを覆うように設けた絶縁性のカバーと、前記入、出力電極上に設けた突起電極と、この突起電極の側面と前記カバーと前記入、出力電極の少なくとも一部を覆い、かつ前記カバーよりも耐湿性に優れた絶縁体層と、この絶縁体層の上から前記カバーと前記突起電極の側面と前記入、出力電極の少なくとも一部を覆う樹脂層と、前記突起電極の上端面に設けられ前記突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極とを備えたＳＡＷデバイスであって、このＳＡＷデバイスの占有面積は前記圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は前記樹脂層と前記外部電極とにより規定されたものであり、ＳＡＷデバイスの耐湿性の向上という作用効果が得られる。

本発明の請求項２に記載の発明は、特に、絶縁体層は、酸化物または窒化物のＳｉ化合物で構成するものであり、耐湿性の向上という作用効果が得られる。

本発明の請求項３に記載の発明は、特に、樹脂層の上面に研磨面を有するものであり、外部電極の突起電極との接続を強固なものとすることができる。

本発明の請求項４に記載の発明は、大板状の圧電基板の一面上に複数のインターディジタルトランスデューサ電極およびこのインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接続した入、出力電極を形成する第１の工程と、前記インターディジタルトランスデューサ電極と非接触でかつ前記インターディジタルトランスデューサ電極を覆うように第１の樹脂を用いてカバーを形成する第２の工程と、前記入、出力電極上にそれぞれ突起電極を形成する第３の工程と、前記カバーの上面および側面と前記突起電極の側面と前記入、出力電極の少なくとも一部を被覆する第３の絶縁体を形成する第４の工程と、前記第３の絶縁体の上から前記カバー及び前記突起電極を被覆する樹脂層を形成する第５の工程と、前記突起電極が前記樹脂層から露出し、かつ前記突起電極の上端面と前記樹脂層の外表面とが略同一平面となるように研磨する第６の工程と、前記突起電極の上端面に前記突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極を形成する第７の工程と、前記圧電基板を分割する第８の工程を有するものであり、ＳＡＷデバイスを生産性良く得ることができる。

以上本発明によると、ＳＡＷデバイスの耐湿性を向上することができるものである。

本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態２，３におけるＳＡＷデバイスの断面図本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図本発明の実施の形態４における電子部品の断面図本発明の実施の形態４，５における電子部品の回路図本発明の実施の形態５における電子部品の断面図従来のＳＡＷデバイスの断面図

（実施の形態１）
以下、実施の形態１について説明する。

図１は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの断面図である。

図１において、１１は圧電基板、１２は圧電基板１１の一面に設けたＩＤＴ電極、１３はＩＤＴ電極１２に電気的に接続するとともに圧電基板１１上に設けた入、出力電極、１４は圧電基板１１の一面にＩＤＴ電極１２と非接触でかつＩＤＴ電極１２を覆うように設けた第１の絶縁体であるカバー、１５は入、出力電極１３上に設けたパッド電極、１６はパッド電極１５の上に設けた突起電極、１７は圧電基板１１、突起電極１６及びカバー１４の表面を被覆するＳｉ系化合物で形成した第３の絶縁体である絶縁体層、１８は絶縁体層１７の上に熱硬化性樹脂などを用いて形成した第２の絶縁体である樹脂層、１９は樹脂層１８の外表面に露出させた突起電極１６の上端面に接続するように設けた下層外部電極、２０は下層外部電極１９の表面に設けた上層外部電極である。

以上のように構成されたＳＡＷデバイスの構成要素についてさらに詳しく説明する。

圧電基板１１はタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶など等からなる単結晶基板である。

ＩＤＴ電極１２および入、出力電極１３は、二層構造で圧電基板１１側の下層がアルミニウムあるいはアルミニウムを主成分とする金属で形成され、上層が下層よりも耐腐食性に優れた金属で形成されたものである。

パッド電極１５は、突起電極１６との密着力を向上させるためのものであり、下層がＴｉ、上層がＡｌあるいはＡｕの少なくとも二層構造をとる。

カバー１４はフィラーを分散させたフィルム状の絶縁樹脂シートを用いて、弾性表面波の振動を保護する空間を圧電基板１１上に形成したものである。

樹脂層１８を形成する物質の硬化温度よりもカバー１４を形成する物質のガラス転移温度が高いので、例えば樹脂層１８を熱硬化性樹脂で形成する時の加熱によりカバー１４の変形を防止できる。

突起電極１６はＳＡＷデバイスを実装する回路基板と入、出力電極１３とを電気的に接続するためのものであり、Ａｕ、Ｃｕ、半田などを用いて形成する。Ａｕの場合はボールボンディング法、Ｃｕの場合はメッキ法、半田の場合はスクリーン印刷法等により形成する。

絶縁体層１７は、カバー１４よりも耐湿性に優れた酸化物や窒化物等のＳｉ化合物を用いて形成し、カバー１４の表面を覆うことによりＩＤＴ電極１２の耐湿性を向上させることができる。また突起電極１６、入、出力電極１３、パッド電極１５、圧電基板１１の一面を被覆することにより、ＳＡＷデバイスの耐湿性をさらに向上させることができる。特に突起電極１６とパッド電極１５の接合面を保護することが有効である。

また樹脂層１８は圧電基板１１と同等の熱膨張係数を有するエポキシ樹脂などの樹脂を用いて、回路基板への実装時のリフローによる熱応力が圧電基板１１及び突起電極１６に加わるのを防止する。さらに絶縁体層１７を設けない場合は、膨潤しない樹脂を用いる。

さらにまた突起電極１６を露出させた後の樹脂層１８の上面を粗面とすることにより、下層外部電極１９と突起電極１６との密着性を向上させることができる。

また突起電極１６を露出させた後、樹脂層１８を上面から見た時に圧電基板１１の表面のパッド電極１５を認識できるような色の樹脂を用いることにより、個々のＳＡＷデバイスに分割する時のダイシングラインを確実に認識することができる。

下層外部電極１９は突起電極１６とＳＡＷデバイスを実装する回路基板と電気的接続を確実に取るためのものである。突起電極１６が軟らかいと樹脂層１８中に埋没しやすくなる。従ってこのような場合は下層外部電極１９を必ず設ける必要がある。

上層外部電極２０はＳＡＷデバイスとこれを実装する回路基板間に発生する熱応力を緩和することができる。

このＳＡＷデバイスの製造方法を図面を参照しながら説明する。

図２〜図１０は本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明するための断面図である。

まず、図２に示すように圧電基板１１の一面上にフォトリソ法により二層構造のＩＤＴ電極１２及びこのＩＤＴ電極１２に電気的に接続した入、出力電極１３を形成する。

次に図３に示すようにフォトリソ法により圧電基板１１のパッド電極１５の形成領域以外をマスキングし、蒸着あるいはメッキ等により入、出力電極１３の上にパッド電極１５を形成する。

次いで図４に示すように、入、出力電極１３の上にその外周部を接着するようにフィルム状の絶縁樹脂シートを用いてフォトリソ法によりまずカバー１４の側壁を作製し、次いで上部壁面を形成する。このカバー１４は絶縁性を有するので圧電基板１１上に形成する際、例えそのダストがＩＤＴ電極１２上に落下したとしても従来のようにショート不良を発生したりする恐れが無い。

またカバー１４と入、出力電極１３との密着性を向上させるために、この間にシラン系カップリング層（図示せず）を設けるなどすると良い。

その後図５に示すようにパッド電極１５の上にＡｕバンプにより突起電極１６を形成する。この突起電極１６はカバー１４より高くかつ上部を後工程で研磨するため所望の高さよりも高く形成することが必要である。そのための一つの方法としてはＡｕバンプを複数個積層して高くするという方法がある。

次いで図６に示すように圧電基板１１、入、出力電極１３、カバー１４、パッド電極１５及び突起電極１６の表面を覆うように低温ＣＶＤ法によりＳｉを主成分とする絶縁体層１７を形成する。低温ＣＶＤ法は成膜性に優れているので、量産性を向上させることができる。さらに緻密な構造の絶縁体層１７を形成できるので、耐湿性を向上させることができる。

その後図７に示すように圧電基板１１上に突起電極１６が埋設されるようにエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいはガラスを注入し、硬化させることにより樹脂層１８を形成する。

次に図８に示すように樹脂層１８及び突起電極１６の上部を研磨し、突起電極１６の上端面を露出させるとともに樹脂層１８の表面を粗面化する。

次いで図９に示すように突起電極１６の上端面を覆うように蒸着によりＴｉ，Ｃｒ等の下層外部電極１９を形成する。

その後図１０に示すように下層外部電極１９の上にＣｕ，Ａｇなどのペーストをスクリーン印刷により塗布後硬化させることにより上層外部電極２０を形成する。

最後に圧電基板１１を隣り合う突起電極１６間で切断することにより、図１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。

このＳＡＷデバイスは、カバー１４を樹脂で形成しているので、従来のＳＡＷデバイスのようにカバー１４あるいはこの欠片が原因によるショート不良を防止できるものである。

以上本実施の形態１によると、ＩＤＴ電極１２を絶縁性樹脂シートを用いて形成したカバー１４で被覆することにより、カバー１４の形成時などにショート不良が発生するのを抑制することができる。

またカバー１４の表面及び入、出力電極１３とパッド電極１５の接合部及びパッド電極１５と突起電極１６との接合部を耐湿性に優れた絶縁体層１７で被覆することにより、耐湿性を向上させることができる。

さらに絶縁体層１７をＳｉ化合物で形成することにより、耐湿性に優れた絶縁体層１７を形成することができる。

さらにまたＩＤＴ電極１２は少なくとも二層構造で、下層をＡｌを主成分とする金属で、上層をＡｌよりも耐腐食性に優れた金属で形成することにより、耐湿性を向上させることができる。

またカバー１４中にフィラーを分散させることにより、機械的強度を向上させることができる。

カバー１４のガラス転移温度は樹脂層１８を形成する樹脂の硬化温度よりも高いので、樹脂層１８を形成する時カバー１４が変形するのを防止できる。

樹脂層１８は圧電基板１１と同等の熱膨張係数を有するものであり、回路基板への実装時のリフローによる熱応力が圧電基板１１及びパッド電極１５と突起電極１６との接合部にかかるのを抑制できる。

また樹脂層１８から突起電極１６を露出させた後、上面から見た時に圧電基板１１の表面のパッド電極１５を認識できるような色の樹脂を用いて樹脂層１８を形成することにより、個々のＳＡＷデバイスに分割する時のダイシングラインを確実に認識することができる。

さらに、突起電極１６の上端面を完全に被覆するように下層外部電極１９を形成することにより、ＳＡＷデバイスを実装する回路基板との電気的接続を確実に取ることができるとともに、回路基板とＳＡＷデバイスの接合部にかかる機械的応力を緩和することができるという作用効果が得られる。

さらにまた、樹脂層１８の表面を粗面とすることにより、下層外部電極１９と突起電極１６との密着性を向上させることができる。

また、まず表面にＩＤＴ電極１２および入、出力電極１３を有する大板状の圧電基板１１上にＩＤＴ電極１２と非接触でかつこれを被覆するカバー１４を形成し、次にカバー１４及び突起電極１６を被覆する樹脂層１８を形成し、次いで突起電極１６の上端面と樹脂層１８の表面とが略同一平面となるように研磨した後、個々のＳＡＷデバイスに分割することにより、カバー１４の形成によるショート不良の発生を防止したＳＡＷデバイスを生産性良く得ることができる。

さらに突起電極１６はＡｕバンプを複数個積層することにより、所望の高さの突起電極１６を作製することができる。

さらにまた突起電極１６を形成後、カバー１４の表面を絶縁体層１７で被覆してから樹脂層１８を形成することにより、ＳＡＷデバイスの耐湿性を向上させることができる。

また樹脂層１８の表面を研磨後下層外部電極１９を形成することにより、突起電極１６と下層外部電極１９との接続強度を向上させることができると共にＳＡＷデバイスを回路基板へ容易に実装することができる。

（実施の形態２）
以下、実施の形態２について説明する。

図１１は本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの断面図である。

図において、２１は圧電基板１１の他面に設けた樹脂層であり、樹脂層１８と同じ材料を用いて形成したものである。他の構成要素については図１に示すＳＡＷデバイスと同様であるので説明を省略する。

この樹脂層２１の形成によりＳＡＷデバイスの熱容量を向上させて、熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。

このＳＡＷデバイスの製造方法について図面を参照しながら説明する。

図１２は本実施の形態２におけるＳＡＷデバイスの製造工程を説明する断面図であり、実施の形態１と同要素については同番号を付して説明を省略する。

まず実施の形態１と同様にして図１０に示すような圧電基板１１を得る。

次いで図１２に示すように、圧電基板１１の他面に樹脂層１８と同じ種類の樹脂ペーストを塗布後硬化あるいは樹脂シートを貼り付けることにより形成する。

その後実施の形態１と同様にして圧電基板１１を切断して図１１に示すＳＡＷデバイスを得る。

本実施の形態２のＳＡＷデバイスは、実施の形態１のＳＡＷデバイスにおける効果に加えて、熱容量が大きいので熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。

なお、樹脂層２１は樹脂層１８の最大厚みと同等の厚みを有するようにすることが上記効果を高めるためにも好ましい。

以上本実施の形態２のＳＡＷデバイスは、圧電基板１１の他面にも樹脂層２１を有することにより、ＳＡＷデバイスの熱容量を向上させて、熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。

また個々のＳＡＷデバイスの切断前に樹脂層２１を形成することにより、切断時及び、ＳＡＷデバイスの回路基板への実装時の熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止できる。

（実施の形態３）
以下、実施の形態３について説明する。

図１１は本発明の実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの断面図であり、実施の形態２と同じ構成であるので説明を省略する。

実施の形態２と異なる点は、樹脂層２１の形成工程である。

本実施の形態３のＳＡＷデバイスの製造方法について説明する。

図１３は本実施の形態３におけるＳＡＷデバイスの製造方法を説明するための断面図であり、実施の形態１，２と同要素については同番号を付して説明を省略する。

まず実施の形態１と同様にして図６に示すような圧電基板１１を得る。

次いで図１３に示すように、圧電基板１１の一面には樹脂ペーストを注入して樹脂層１８を形成すると共に、他面には樹脂層１８と同じ種類の樹脂ペーストを塗布後硬化あるいは樹脂シートを貼り付けることにより樹脂層２１を形成する。

その後実施の形態１と同様にして圧電基板１１の両面を研磨し、突起電極１６の上端面を露出させると共に樹脂層１８の表面を粗面化する。

次いで突起電極１６の上端面を覆うように下層外部電極１９、上層外部電極２０を形成する。

最後に圧電基板１１を隣り合う突起電極１６間で切断することにより、図１１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。

本実施の形態３のＳＡＷデバイスも実施の形態１のＳＡＷデバイスの効果に加えて、熱容量が大きいので熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止することができる。

以上本実施の形態におけるＳＡＷデバイスは、樹脂層１８と樹脂層２１とを続けて形成することにより、これ以降の工程においてＳＡＷデバイスにかかる熱衝撃を緩和し、焦電破壊を防止できる。

（実施の形態４）
以下、実施の形態４について説明する。図１４は本発明の実施の形態４における電子部品の断面図である。

図１４において、３０は内部に複数の電極(図示せず)を有するセラミック基板であり、内部に内部電極３１、裏面に内部電極３１に接続した外部電極３２を有する。

またセラミック基板３０の表面には、電気的に内部電極３１と接続される複数の接続電極３４を有すると共に、この接続電極３４上にＩＣ３５、抵抗器３６、インダクタ３７、コンデンサ３８、上記実施の形態１で説明したＳＡＷデバイス３９等を実装している。

さらにこれらの実装部品を埋設するようにセラミック基板３０の表面全体に樹脂層４０を有する。

この電子部品は、例えば携帯電話などにおいてアンテナ部分を構成するものであり、例えば図１５に示す回路構成をとる。

セラミック基板３０の曲げ応力は中央部分が最も大きくなる。また実装した各部品の中ではＳＡＷデバイス３９のセラミック基板３０の反りに対する機械的強度が弱い方である。従ってＳＡＷデバイス３９をセラミック基板３０の端部側に実装することにより、セラミック基板３０からの応力ができるだけ加わらないようにした。

この電子部品はセラミック基板３０の接続電極３４上に半田などの導電性接着剤を用いて実装後樹脂層４０を形成することにより製造する。この時ＳＡＷデバイス３９においては導電性接着剤の量をコントロールすることによりセラミック基板３０上に圧電基板１１が水平に実装されるようにすることが望ましい。

なお本実施の形態４においては実施の形態１に示したＳＡＷデバイス３９を用いたが、実施の形態２あるいは３に示したＳＡＷデバイスを用いても構わない。

（実施の形態５）
以下、実施の形態５について説明する。図１６は本発明の実施の形態５における電子部品の断面図であり、実施の形態４と同様の構成要素については同番号を付してその説明を省略する。

図１６において、４１はセラミック基板３０上に実装した各部品を封止する金属製のカバーである。

本実施の形態５の電子部品も実施の形態４の電子部品と同様に、例えば携帯電話などにおいてアンテナ部分を構成するものであり、例えば図１５に示す回路構成をとる。

本実施の形態５の電子部品においてもセラミック基板３０の曲げ応力は中央部分が最も大きくなる。また実装した各部品の中ではＳＡＷデバイス３９のセラミック基板３０の反りに対する機械的強度が弱い方である。従ってＳＡＷデバイス３９をセラミック基板３０の端部側に実装することにより、セラミック基板３０からの応力ができるだけ加わらないようにした。

なお本実施の形態５においては実施の形態１に示したＳＡＷデバイス３９を用いたが、実施の形態２，３に示したＳＡＷデバイスを用いても構わない。

本発明のＳＡＷデバイスとその製造方法は、無線通信機器などににおいて有用となるものである。

１１圧電基板
１２ＩＤＴ電極
１３入、出力電極
１４カバー
１５パッド電極
１６突起電極
１７絶縁体層
１８樹脂層
１９下層外部電極
２０上層外部電極
２１樹脂層
３０セラミック基板
３１内部電極
３２外部電極
３４接続電極
３５ＩＣ
３６抵抗器
３７インダクタ
３８コンデンサ
３９ＳＡＷデバイス
４０樹脂層
４１カバー

Claims

圧電基板と、この圧電基板の一面上に設けたインターディジタルトランスデューサ電極と、このインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接続した入、出力電極と、前記インターディジタルトランスデューサ電極と非接触でかつ前記インターディジタルトランスデューサを覆うように設けた絶縁性のカバーと、前記入、出力電極上に設けた突起電極と、この突起電極の側面と前記カバーと前記入、出力電極の少なくとも一部を覆い、かつ前記カバーよりも耐湿性に優れた絶縁体層と、この絶縁体層の上から前記カバーと前記突起電極の側面と前記入、出力電極の少なくとも一部を覆う樹脂層と、前記突起電極の上端面に設けられ前記突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極とを備えたＳＡＷデバイスであって、このＳＡＷデバイスの占有面積は前記圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は前記樹脂層と前記外部電極とにより規定されたＳＡＷデバイス。
絶縁体層は、酸化物または窒化物のＳｉ化合物である請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
樹脂層の上面に研磨面を有する請求項２に記載のＳＡＷデバイス。
大板状の圧電基板の一面上に複数のインターディジタルトランスデューサ電極およびこのインターディジタルトランスデューサ電極に電気的に接続した入、出力電極を形成する第１の工程と、前記インターディジタルトランスデューサ電極と非接触でかつ前記インターディジタルトランスデューサ電極を覆うように第１の樹脂を用いてカバーを形成する第２の工程と、前記入、出力電極上にそれぞれ突起電極を形成する第３の工程と、前記カバーの上面および側面と前記突起電極の側面と前記入、出力電極の少なくとも一部を被覆する第３の絶縁体を形成する第４の工程と、前記第３の絶縁体の上から前記カバー及び前記突起電極を被覆する樹脂層を形成する第５の工程と、前記突起電極が前記樹脂層から露出し、かつ前記突起電極の上端面と前記樹脂層の外表面とが略同一平面となるように研磨する第６の工程と、前記突起電極の上端面に前記突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極を形成する第７の工程と、前記圧電基板を分割する第８の工程とを備えたＳＡＷデバイスの製造方法。