JP2003338729A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージの気密性を確保し、素子の特性を
阻害することのない優れた特性の電子部品を提供するこ
とを目的とするものである。 【解決手段】 内部底面から外表面に至る外部電極１５
と開口部とを有するパッケージ１４と、ＩＤＴ１２、接
続電極１３を有するＳＡＷ素子１０と、このＳＡＷ素子
１０をパッケージ１４に実装するとともに、内部電極１
５ａとＳＡＷ素子１０の接続電極１３とを接続するため
のバンプ１７と、ＳＡＷ素子１０の裏面及びパッケージ
１４の開口部を覆うように設けた樹脂１８とを備え、樹
脂１８とパッケージ１４の内部底面との距離は、ＳＡＷ
素子１０からパッケージ１４の内部底面までの距離より
も長く、パッケージ１４の内部底面から上端までの距離
よりも短くしたものである。
阻害することのない優れた特性の電子部品を提供するこ
とを目的とするものである。 【解決手段】 内部底面から外表面に至る外部電極１５
と開口部とを有するパッケージ１４と、ＩＤＴ１２、接
続電極１３を有するＳＡＷ素子１０と、このＳＡＷ素子
１０をパッケージ１４に実装するとともに、内部電極１
５ａとＳＡＷ素子１０の接続電極１３とを接続するため
のバンプ１７と、ＳＡＷ素子１０の裏面及びパッケージ
１４の開口部を覆うように設けた樹脂１８とを備え、樹
脂１８とパッケージ１４の内部底面との距離は、ＳＡＷ
素子１０からパッケージ１４の内部底面までの距離より
も長く、パッケージ１４の内部底面から上端までの距離
よりも短くしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＳＡＷデバ
イスなど、パッケージに素子を封止した電子部品とその
製造方法に関するものである。
イスなど、パッケージに素子を封止した電子部品とその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＳＡＷデバイスについて図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【０００３】図９は従来のＳＡＷデバイスの断面図であ
る。
る。
【０００４】まず、表裏面に電極２ａ，２ｂを有する基
板１を作製する。この基板１は、酸化アルミニウムなど
を用いて作製したものであり、電極２ａ，２ｂを基板１
の内部に設けた電極２ｃで接続している。
板１を作製する。この基板１は、酸化アルミニウムなど
を用いて作製したものであり、電極２ａ，２ｂを基板１
の内部に設けた電極２ｃで接続している。
【０００５】一方、タンタル酸リチウムなどの圧電基板
３の上に、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用
いてインターディジタルトランスデューサ４（以下ＩＤ
Ｔとする）およびこのＩＤＴ４に接続した接続電極５を
形成し、ＳＡＷ素子６を得る。
３の上に、アルミニウムあるいはアルミニウム合金を用
いてインターディジタルトランスデューサ４（以下ＩＤ
Ｔとする）およびこのＩＤＴ４に接続した接続電極５を
形成し、ＳＡＷ素子６を得る。
【０００６】次に接続電極５の上にバンプ７を作製し、
このバンプ７を基板１の電極２ｂに接合することによ
り、ＳＡＷ素子６を基板１に実装する。
このバンプ７を基板１の電極２ｂに接合することによ
り、ＳＡＷ素子６を基板１に実装する。
【０００７】次いで、ＳＡＷ素子６の外周部を被覆する
ように基板１の表面にペースト状の樹脂８を塗布し、硬
化させることによりＳＡＷデバイスを得る。
ように基板１の表面にペースト状の樹脂８を塗布し、硬
化させることによりＳＡＷデバイスを得る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記構成においては、
樹脂８がＳＡＷ素子６の機能部であるＩＤＴ４の表面に
まで浸入する場合があり、所望の特性を有するＳＡＷデ
バイスを安定して得ることができないという問題点を有
していた。
樹脂８がＳＡＷ素子６の機能部であるＩＤＴ４の表面に
まで浸入する場合があり、所望の特性を有するＳＡＷデ
バイスを安定して得ることができないという問題点を有
していた。
【０００９】そこで本発明は、特性を阻害することな
く、気密性を確保できる電子部品を提供することを目的
とするものである。
く、気密性を確保できる電子部品を提供することを目的
とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、以下の構成を有するものである。
に、以下の構成を有するものである。
【００１１】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
パッケージ開口部を樹脂で封止する際、パッケージ上端
は素子の電極非形成面より低く、樹脂とパッケージ内部
底面間の最長距離は、素子からパッケージ内部底面まで
の距離よりも長く、パッケージ内部底面からパッケージ
上端までの距離よりも短くしたものであり、パッケージ
の気密性を確保し、かつ素子の機能部である電極形成部
に樹脂が浸入しないので、素子の機能を十分に発揮させ
ることができる。
パッケージ開口部を樹脂で封止する際、パッケージ上端
は素子の電極非形成面より低く、樹脂とパッケージ内部
底面間の最長距離は、素子からパッケージ内部底面まで
の距離よりも長く、パッケージ内部底面からパッケージ
上端までの距離よりも短くしたものであり、パッケージ
の気密性を確保し、かつ素子の機能部である電極形成部
に樹脂が浸入しないので、素子の機能を十分に発揮させ
ることができる。
【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
樹脂の外周を金属膜で覆ったものであり、パッケージの
気密性を向上させることができる。
樹脂の外周を金属膜で覆ったものであり、パッケージの
気密性を向上させることができる。
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
パッケージ上端面全体も金属膜で被覆したものであり、
パッケージの気密性を向上させることができる。
パッケージ上端面全体も金属膜で被覆したものであり、
パッケージの気密性を向上させることができる。
【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
パッケージ上端面に金属を有するものであり、金属膜と
パッケージとの密着性を向上させ、パッケージの気密性
を向上させることができる。
パッケージ上端面に金属を有するものであり、金属膜と
パッケージとの密着性を向上させ、パッケージの気密性
を向上させることができる。
【００１５】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
パッケージ上端外周部は曲面であり、金属膜の面積を大
きくすることができ、パッケージの気密性を向上させる
ことができる。
パッケージ上端外周部は曲面であり、金属膜の面積を大
きくすることができ、パッケージの気密性を向上させる
ことができる。
【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、特に、
金属膜表面に樹脂膜を設けたものであり、電子部品を回
路基板に実装する際、金属膜が破損し、パッケージの気
密性が劣化するのを防止できる。
金属膜表面に樹脂膜を設けたものであり、電子部品を回
路基板に実装する際、金属膜が破損し、パッケージの気
密性が劣化するのを防止できる。
【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、特に、
金属膜は複数層からなるものであり、金属膜の特性を向
上させ、パッケージの気密性も向上させることができ
る。
金属膜は複数層からなるものであり、金属膜の特性を向
上させ、パッケージの気密性も向上させることができ
る。
【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、特に、
樹脂の外表面を凹状の曲面としたものであり金属膜の形
成が容易なものとなる。
樹脂の外表面を凹状の曲面としたものであり金属膜の形
成が容易なものとなる。
【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、特に、
素子側面とパッケージ側面の距離を素子とパッケージ内
部底面間の長さよりも長くしたものであり、素子とパッ
ケージとの接続強度を確保できるものである。
素子側面とパッケージ側面の距離を素子とパッケージ内
部底面間の長さよりも長くしたものであり、素子とパッ
ケージとの接続強度を確保できるものである。
【００２０】本発明の請求項１０に記載の発明は、特
に、素子は表面側よりも裏面側の方を大きくしたもので
あり、樹脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂
が近づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面
への樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮さ
せることができる。
に、素子は表面側よりも裏面側の方を大きくしたもので
あり、樹脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂
が近づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面
への樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮さ
せることができる。
【００２１】本発明の請求項１１に記載の発明は、特
に、パッケージ開口部よりもパッケージ内部底面の方を
大きくしたものであり、樹脂をパッケージに充填する
際、素子表面に樹脂が近づくほど樹脂の表面張力が強く
なるため、素子表面への樹脂の浸入が抑制され、素子の
特性を十分に発揮させることができる。
に、パッケージ開口部よりもパッケージ内部底面の方を
大きくしたものであり、樹脂をパッケージに充填する
際、素子表面に樹脂が近づくほど樹脂の表面張力が強く
なるため、素子表面への樹脂の浸入が抑制され、素子の
特性を十分に発揮させることができる。
【００２２】本発明の請求項１２に記載の発明は、特
に、パッケージ開口部を樹脂で封止するものであり、パ
ッケージ上端は素子の電極非形成面よりも低く、素子側
面とパッケージ側面との距離は素子とパッケージ内部底
面との距離よりも長いものであり、素子表面に樹脂が近
づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への
樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させる
ことができる。
に、パッケージ開口部を樹脂で封止するものであり、パ
ッケージ上端は素子の電極非形成面よりも低く、素子側
面とパッケージ側面との距離は素子とパッケージ内部底
面との距離よりも長いものであり、素子表面に樹脂が近
づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への
樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させる
ことができる。
【００２３】本発明の請求項１３に記載の発明は、特
に、表面に複数の凹部を有するとともにこの凹部の底面
から裏面に至る外部電極を有する基板の前記凹部に、表
面に電極を有する素子を前記外部電極とこの素子の電極
とをバンプで接続することにより実装する第１の工程
と、次に前記素子を被覆するように前記基板表面に樹脂
を充填する第２の工程と、次いで前記凹部毎に前記樹脂
及び前記基板を分割する第３の工程とを備え、前記第２
の工程において、前記パッケージ上端は前記素子の電極
非形成面よりも低く、前記素子側面と前記パッケージ側
面との距離は前記素子と前記パッケージ内部底面との距
離よりも長いものであり、素子表面に樹脂が近づくほど
樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への樹脂の浸
入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させることがで
きる。
に、表面に複数の凹部を有するとともにこの凹部の底面
から裏面に至る外部電極を有する基板の前記凹部に、表
面に電極を有する素子を前記外部電極とこの素子の電極
とをバンプで接続することにより実装する第１の工程
と、次に前記素子を被覆するように前記基板表面に樹脂
を充填する第２の工程と、次いで前記凹部毎に前記樹脂
及び前記基板を分割する第３の工程とを備え、前記第２
の工程において、前記パッケージ上端は前記素子の電極
非形成面よりも低く、前記素子側面と前記パッケージ側
面との距離は前記素子と前記パッケージ内部底面との距
離よりも長いものであり、素子表面に樹脂が近づくほど
樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への樹脂の浸
入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させることがで
きる。
【００２４】本発明の請求項１４に記載の発明は、特
に、第２の工程は樹脂のスクリーン印刷を複数回行うも
のであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
に、第２の工程は樹脂のスクリーン印刷を複数回行うも
のであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
【００２５】本発明の請求項１５に記載の発明は、特
に、樹脂の印刷方向を一回目と二回目とで９０°変える
ものであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
に、樹脂の印刷方向を一回目と二回目とで９０°変える
ものであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
【００２６】本発明の請求項１６に記載の発明は、特
に、凹部の対角線方向に樹脂のスクリーン印刷を行うも
のであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
に、凹部の対角線方向に樹脂のスクリーン印刷を行うも
のであり、樹脂の充填を精度良く行うことができる。
【００２７】本発明の請求項１７に記載の発明は、特
に、樹脂として紫外線硬化樹脂を用い、第２の工程後第
３の工程前に、前記樹脂にまず紫外線を照射して硬化し
た後、熱処理を行うものであり、紫外線で仮硬化するこ
とにより、本硬化時の温度上昇に伴う樹脂の粘度低下に
よる樹脂の素子の機能部である電極形成部への浸入を抑
制し、素子の特性を十分に発揮できる。
に、樹脂として紫外線硬化樹脂を用い、第２の工程後第
３の工程前に、前記樹脂にまず紫外線を照射して硬化し
た後、熱処理を行うものであり、紫外線で仮硬化するこ
とにより、本硬化時の温度上昇に伴う樹脂の粘度低下に
よる樹脂の素子の機能部である電極形成部への浸入を抑
制し、素子の特性を十分に発揮できる。
【００２８】本発明の請求項１８に記載の発明は、特
に、樹脂表面に金属膜を形成するものであり、パッケー
ジの気密性を向上させることができる。
に、樹脂表面に金属膜を形成するものであり、パッケー
ジの気密性を向上させることができる。
【００２９】本発明の請求項１９に記載の発明は、特
に、金属膜を少なくとも二層構造とし、下層を薄膜形成
法、上層をメッキ法により形成するものであり、優れた
特性を有する金属膜を形成することができる。
に、金属膜を少なくとも二層構造とし、下層を薄膜形成
法、上層をメッキ法により形成するものであり、優れた
特性を有する金属膜を形成することができる。
【００３０】本発明の請求項２０に記載の発明は、特
に、分割溝の幅を開口部側より底部側を狭くするもので
あり、金属膜を精度良く形成することができる。
に、分割溝の幅を開口部側より底部側を狭くするもので
あり、金属膜を精度良く形成することができる。
【００３１】本発明の請求項２１に記載の発明は、特
に、前記パッケージ凹部は上部より下部が広いものであ
り、樹脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂が
近づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面へ
の樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させ
ることができる。
に、前記パッケージ凹部は上部より下部が広いものであ
り、樹脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂が
近づくほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面へ
の樹脂の浸入が抑制され、素子の特性を十分に発揮させ
ることができる。
【００３２】本発明の請求項２２に記載の発明は、特
に、表面より裏面が大きい素子を用いることにより、樹
脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂が近づく
ほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への浸入
が抑制され、素子の特性を十分に発揮させることができ
る。
に、表面より裏面が大きい素子を用いることにより、樹
脂をパッケージに充填する際、素子表面に樹脂が近づく
ほど樹脂の表面張力が強くなるため、素子表面への浸入
が抑制され、素子の特性を十分に発揮させることができ
る。
【００３３】本発明の請求項２３に記載の発明は、特
に、金属膜の表面に樹脂を設けるものであり、電子部品
を回路基板などに実装する際、金属膜が破損し、気密性
が劣化するのを抑制することができる。
に、金属膜の表面に樹脂を設けるものであり、電子部品
を回路基板などに実装する際、金属膜が破損し、気密性
が劣化するのを抑制することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜請求項１５、請
求項１７〜請求項２３に記載の発明についてＳＡＷデバ
イスを例に説明する。
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜請求項１５、請
求項１７〜請求項２３に記載の発明についてＳＡＷデバ
イスを例に説明する。
【００３５】図１は本発明の実施の形態１におけるＳＡ
Ｗデバイスの断面図である。
Ｗデバイスの断面図である。
【００３６】図において、１０はＳＡＷ素子であり、タ
ンタル酸リチウムなどからなる圧電基板１１の表面にア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金からなるＩＤＴ１
２及びこのＩＤＴ１２に電気的に接続する接続電極１３
を有するものである。またＳＡＷ素子１０つまり圧電基
板１１は表面より裏面の方が大きく、断面が台形状であ
る。このＳＡＷ素子１０は、酸化アルミニウムなどのセ
ラミックで形成された箱型のパッケージ１４内に収納さ
れている。このパッケージ１４には内部底面に内部電極
１５ａ、外部底面に外部電極１５ｃを有し、内部電極１
５ａと外部電極１５ｃとをパッケージ１４の底部に設け
た貫通電極１５ｂで接続している。これら内部電極１５
ａ、貫通電極１５ｂ、外部電極１５ｃは複数有してい
る。また開口部は上方より下方の方を大きくしている。
さらにパッケージ１４の側壁上端面は、内側が底面と略
平行で表面に金属膜１６を有し、外側は凹型の曲面とな
っている。
ンタル酸リチウムなどからなる圧電基板１１の表面にア
ルミニウムあるいはアルミニウム合金からなるＩＤＴ１
２及びこのＩＤＴ１２に電気的に接続する接続電極１３
を有するものである。またＳＡＷ素子１０つまり圧電基
板１１は表面より裏面の方が大きく、断面が台形状であ
る。このＳＡＷ素子１０は、酸化アルミニウムなどのセ
ラミックで形成された箱型のパッケージ１４内に収納さ
れている。このパッケージ１４には内部底面に内部電極
１５ａ、外部底面に外部電極１５ｃを有し、内部電極１
５ａと外部電極１５ｃとをパッケージ１４の底部に設け
た貫通電極１５ｂで接続している。これら内部電極１５
ａ、貫通電極１５ｂ、外部電極１５ｃは複数有してい
る。また開口部は上方より下方の方を大きくしている。
さらにパッケージ１４の側壁上端面は、内側が底面と略
平行で表面に金属膜１６を有し、外側は凹型の曲面とな
っている。
【００３７】また接続電極１３と内部電極１５ａとを金
などのバンプ１７を用いて接続することによりＳＡＷ素
子１０をパッケージ１４に実装している。またパッケー
ジ１４にＳＡＷ素子１０を収納した時、パッケージ１４
の側壁の上端がＳＡＷ素子１０の裏面よりも低く、表面
よりも高くなるようにしている。さらにＳＡＷ素子１０
の側面とパッケージ１４の側壁間の距離（図１中Ａ）
は、ＳＡＷ素子１０とパッケージ１４の内部底面間の距
離（図１中Ｂ）よりも長くしている。
などのバンプ１７を用いて接続することによりＳＡＷ素
子１０をパッケージ１４に実装している。またパッケー
ジ１４にＳＡＷ素子１０を収納した時、パッケージ１４
の側壁の上端がＳＡＷ素子１０の裏面よりも低く、表面
よりも高くなるようにしている。さらにＳＡＷ素子１０
の側面とパッケージ１４の側壁間の距離（図１中Ａ）
は、ＳＡＷ素子１０とパッケージ１４の内部底面間の距
離（図１中Ｂ）よりも長くしている。
【００３８】このＳＡＷ素子１０の裏面と側面及びＳＡ
Ｗ素子１０とパッケージ１４の側壁との間を覆うように
エポキシ樹脂などの紫外線硬化性の樹脂１８を設けてい
る。また樹脂１８とパッケージ１４の内部底面間の距離
（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０の表面とパッケージ１
４内部底面間の距離（図１中Ｂ）よりも長く、パッケー
ジ１４の内部底面からパッケージ１４上端までの距離
（図１中Ｄ）よりも短くしている。
Ｗ素子１０とパッケージ１４の側壁との間を覆うように
エポキシ樹脂などの紫外線硬化性の樹脂１８を設けてい
る。また樹脂１８とパッケージ１４の内部底面間の距離
（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０の表面とパッケージ１
４内部底面間の距離（図１中Ｂ）よりも長く、パッケー
ジ１４の内部底面からパッケージ１４上端までの距離
（図１中Ｄ）よりも短くしている。
【００３９】この樹脂１８の表面体及びパッケージ１４
の上端面全体を下層がＴｉ、中層がＣｕ、上層がＮｉを
主成分とする三層構造の金属膜１９で被覆している。
の上端面全体を下層がＴｉ、中層がＣｕ、上層がＮｉを
主成分とする三層構造の金属膜１９で被覆している。
【００４０】さらにＳＡＷ素子１０の上の金属膜１９上
に樹脂膜２０を設けている。
に樹脂膜２０を設けている。
【００４１】以下このＳＡＷデバイスの製造方法につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００４２】図２〜７は図１に示すＳＡＷデバイスの製
造工程を説明するための断面図あるいは上面図である。
造工程を説明するための断面図あるいは上面図である。
【００４３】まず、圧電基板１１の上にＩＤＴ１２及び
このＩＤＴ１２に接続する接続電極１３を複数形成す
る。
このＩＤＴ１２に接続する接続電極１３を複数形成す
る。
【００４４】一方、酸化アルミニウムなどのセラミック
シートを複数枚積層し、この上に格子状のセラミックシ
ートを設置したものを焼成し、表面に複数の長方形状の
凹部３１を有する基板３０を形成する。この時、凹部３
１の底面に内部電極１５ａ、基板３０の内部に貫通電極
１５ｂ、基板３０の裏面に外部電極１５ｃを有するよう
に、セラミックシートは適宜金属ペーストを塗布した
り、貫通孔を設け金属ペーストを充填してあるものを用
いる。また凹部３１の上端面にはメッキ法によりＮｉ及
びＡｕの二層からなる金属膜１６を形成する。
シートを複数枚積層し、この上に格子状のセラミックシ
ートを設置したものを焼成し、表面に複数の長方形状の
凹部３１を有する基板３０を形成する。この時、凹部３
１の底面に内部電極１５ａ、基板３０の内部に貫通電極
１５ｂ、基板３０の裏面に外部電極１５ｃを有するよう
に、セラミックシートは適宜金属ペーストを塗布した
り、貫通孔を設け金属ペーストを充填してあるものを用
いる。また凹部３１の上端面にはメッキ法によりＮｉ及
びＡｕの二層からなる金属膜１６を形成する。
【００４５】次にＳＡＷ素子１０の接続電極１３の上に
金などのバンプ１７を形成する。
金などのバンプ１７を形成する。
【００４６】次いで、図２、図３に示すようにバンプ１
７と内部電極１５ａとが向かい合うようにＳＡＷ素子１
０を配置し、ＳＡＷ素子１０の裏面から超音波を加える
ことにより、バンプ１７と内部電極１５ａとを接合す
る。この時、ＳＡＷ素子１０の裏面よりも凹部３１の上
端の方が低く、かつＳＡＷ素子１０の側面と凹部３１の
側面との距離が凹部３１の底面からＳＡＷ素子１０まで
の距離よりも長くなるように、凹部３１およびバンプ１
７の大きさは調整しておく。
７と内部電極１５ａとが向かい合うようにＳＡＷ素子１
０を配置し、ＳＡＷ素子１０の裏面から超音波を加える
ことにより、バンプ１７と内部電極１５ａとを接合す
る。この時、ＳＡＷ素子１０の裏面よりも凹部３１の上
端の方が低く、かつＳＡＷ素子１０の側面と凹部３１の
側面との距離が凹部３１の底面からＳＡＷ素子１０まで
の距離よりも長くなるように、凹部３１およびバンプ１
７の大きさは調整しておく。
【００４７】次に、凹部３１の相対向する端部を結ぶ方
向に樹脂１８をスクリーン印刷して、基板３０の表面に
塗布する。次いで基板３０を９０°回転させて、凹部３
１のもう一方の相対向する端部を結ぶ方向に樹脂１８を
スクリーン印刷する。このように印刷方向を９０°変え
て２回行う。
向に樹脂１８をスクリーン印刷して、基板３０の表面に
塗布する。次いで基板３０を９０°回転させて、凹部３
１のもう一方の相対向する端部を結ぶ方向に樹脂１８を
スクリーン印刷する。このように印刷方向を９０°変え
て２回行う。
【００４８】次いで樹脂１８に紫外線を照射してほとん
ど硬化させた後、加熱処理して完全に硬化させ、図４に
示すようにＳＡＷ素子１０の側面、裏面及び基板３０の
表面が樹脂１８で被覆された状態となるようにする。
ど硬化させた後、加熱処理して完全に硬化させ、図４に
示すようにＳＡＷ素子１０の側面、裏面及び基板３０の
表面が樹脂１８で被覆された状態となるようにする。
【００４９】この時、樹脂１８は凹部３１とＳＡＷ素子
１０との間に確実に充填されるものの、ＳＡＷ素子１０
の側面と凹部３１の側面との距離がＳＡＷ素子１０と凹
部３１の底面との距離よりも長いため、樹脂１８のＩＤ
Ｔ１２の表面への浸入は抑制され、特性を阻害するとい
うことがない。つまり図１に示すように、樹脂１７と凹
部３１の底面（図１においてはパッケージ１４の内部底
面）との距離（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０から凹部
３１の底面までの距離（図１中Ｂ）よりも長く、凹部３
１の底面から凹部３１の上端までの距離（図１中Ｄ）よ
りも短くなる。
１０との間に確実に充填されるものの、ＳＡＷ素子１０
の側面と凹部３１の側面との距離がＳＡＷ素子１０と凹
部３１の底面との距離よりも長いため、樹脂１８のＩＤ
Ｔ１２の表面への浸入は抑制され、特性を阻害するとい
うことがない。つまり図１に示すように、樹脂１７と凹
部３１の底面（図１においてはパッケージ１４の内部底
面）との距離（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０から凹部
３１の底面までの距離（図１中Ｂ）よりも長く、凹部３
１の底面から凹部３１の上端までの距離（図１中Ｄ）よ
りも短くなる。
【００５０】次に、図５に示すように、凹部３１の上方
から樹脂１８及び凹部３１の側壁の上部まで至る分割溝
３２を設ける。従って、凹部３１の上端面にはセラミッ
ク部分が露出することになる。また金属膜１６が樹脂１
８とセラミックとの境界に露出した状態となっている。
から樹脂１８及び凹部３１の側壁の上部まで至る分割溝
３２を設ける。従って、凹部３１の上端面にはセラミッ
ク部分が露出することになる。また金属膜１６が樹脂１
８とセラミックとの境界に露出した状態となっている。
【００５１】この分割溝３２はＳＡＷ素子１０を収納し
た凹部３１を囲むように設ける。またこの分割溝３２
は、開口部側より底部側の方が狭いＵ字状である。従っ
て樹脂１８の分割面は凹状の曲面状になっている。
た凹部３１を囲むように設ける。またこの分割溝３２
は、開口部側より底部側の方が狭いＵ字状である。従っ
て樹脂１８の分割面は凹状の曲面状になっている。
【００５２】次いで、樹脂１８の表面及び露出している
凹部３１の上端面にスパッタ法によりＴｉ膜を形成し、
このＴｉ膜の上に同様にしてＣｕ膜を形成する。
凹部３１の上端面にスパッタ法によりＴｉ膜を形成し、
このＴｉ膜の上に同様にしてＣｕ膜を形成する。
【００５３】その後Ｃｕ膜の上にＣｕの電解メッキ及び
Ｎｉの電解メッキを行い、図６に示すように金属膜１９
を形成する。この時、樹脂１８とセラミックとの境界に
露出した金属膜１６はあらかじめ、スパッタ法で形成す
る薄膜より厚く形成し電気抵抗を小さくすることにより
電解メッキ時に、電気的導通が安定し、この界面部分の
金属膜１９を厚く形成することができ、樹脂１８と凹部
３１で覆われた部分の気密性を向上させることができ
る。
Ｎｉの電解メッキを行い、図６に示すように金属膜１９
を形成する。この時、樹脂１８とセラミックとの境界に
露出した金属膜１６はあらかじめ、スパッタ法で形成す
る薄膜より厚く形成し電気抵抗を小さくすることにより
電解メッキ時に、電気的導通が安定し、この界面部分の
金属膜１９を厚く形成することができ、樹脂１８と凹部
３１で覆われた部分の気密性を向上させることができ
る。
【００５４】次に、図７に示すようにＳＡＷ素子１０の
裏面上の金属膜１９の上に再び紫外線硬化樹脂を塗布
し、硬化させて樹脂膜２０を形成する。この樹脂膜２０
は紫外線硬化樹脂に限らず、一般的な熱硬化樹脂を用い
ても構わない。
裏面上の金属膜１９の上に再び紫外線硬化樹脂を塗布
し、硬化させて樹脂膜２０を形成する。この樹脂膜２０
は紫外線硬化樹脂に限らず、一般的な熱硬化樹脂を用い
ても構わない。
【００５５】次いで、分割溝３２の中央で基板３０を分
割し、図１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。
割し、図１に示すＳＡＷデバイスを複数得る。
【００５６】このＳＡＷデバイスは、樹脂膜２０の部分
をチップマウンタで吸着し、表面に電極を有する回路基
板上に配置し、この電極と外部電極１５ｃとを電気的に
接続して用いる。
をチップマウンタで吸着し、表面に電極を有する回路基
板上に配置し、この電極と外部電極１５ｃとを電気的に
接続して用いる。
【００５７】従って、正確にＳＡＷデバイスを吸着する
ためには、できるだけ樹脂膜２０の表面は平面であるこ
とが望ましい。
ためには、できるだけ樹脂膜２０の表面は平面であるこ
とが望ましい。
【００５８】以上のように、本発明のＳＡＷデバイス
は、ＳＡＷ素子１０の側面とパッケージ１４の側壁間の
距離がＳＡＷ素子１０と内部底面間の距離よりも長いた
め、樹脂１８のＩＤＴ１２の表面への浸入を抑制し、特
性を阻害するということがない。
は、ＳＡＷ素子１０の側面とパッケージ１４の側壁間の
距離がＳＡＷ素子１０と内部底面間の距離よりも長いた
め、樹脂１８のＩＤＴ１２の表面への浸入を抑制し、特
性を阻害するということがない。
【００５９】また、図８に示すように、ＩＤＴ１２への
樹脂１８の浸入の抑制は上述したようにパッケージ１４
の側壁とＳＡＷ素子１０の側面との距離がパッケージ１
４の上方側よりも下方側の方が長くなるように、ＳＡＷ
素子１０とパッケージ１４の少なくとも一方の側面に傾
斜させることによっても行うことができる。つまり、パ
ッケージ１４の開口部を上方より下方の方を大きくする
こと、ＳＡＷ素子１０を表面（電極形成面）より裏面の
方が大きな、断面が台形状とすること、あるいはこの両
方を行うことにより実現できる。
樹脂１８の浸入の抑制は上述したようにパッケージ１４
の側壁とＳＡＷ素子１０の側面との距離がパッケージ１
４の上方側よりも下方側の方が長くなるように、ＳＡＷ
素子１０とパッケージ１４の少なくとも一方の側面に傾
斜させることによっても行うことができる。つまり、パ
ッケージ１４の開口部を上方より下方の方を大きくする
こと、ＳＡＷ素子１０を表面（電極形成面）より裏面の
方が大きな、断面が台形状とすること、あるいはこの両
方を行うことにより実現できる。
【００６０】パッケージ１４に充填する樹脂１８は、エ
ポキシ樹脂などの紫外線硬化樹脂が望ましく、紫外線で
仮硬化することにより、本硬化時の温度上昇に伴う樹脂
１８の粘度低下による樹脂のＳＡＷ素子１０の表面への
浸入を防止することができる。
ポキシ樹脂などの紫外線硬化樹脂が望ましく、紫外線で
仮硬化することにより、本硬化時の温度上昇に伴う樹脂
１８の粘度低下による樹脂のＳＡＷ素子１０の表面への
浸入を防止することができる。
【００６１】また樹脂１８の分割溝３２をＵ字状つま
り、ＳＡＷ素子１０の側面側の樹脂１８の外表面を凹状
の曲面とすることにより、金属膜１９をスパッタにより
形成する場合、樹脂１８の表面全体に精度良く形成する
ことができる。
り、ＳＡＷ素子１０の側面側の樹脂１８の外表面を凹状
の曲面とすることにより、金属膜１９をスパッタにより
形成する場合、樹脂１８の表面全体に精度良く形成する
ことができる。
【００６２】また金属膜１９を下層がＴｉ、中層がＣ
ｕ、上層がＮｉを主成分とする金属からなる三層構造と
したが、これはＴｉで樹脂１８との密着強度を向上さ
せ、さらにＣｕでＳＡＷデバイスに加わる熱応力を緩和
させることと気密性を向上させるものである。さらにＮ
ｉはＣｕの腐食を防止し、長期信頼性を確保するための
ものである。
ｕ、上層がＮｉを主成分とする金属からなる三層構造と
したが、これはＴｉで樹脂１８との密着強度を向上さ
せ、さらにＣｕでＳＡＷデバイスに加わる熱応力を緩和
させることと気密性を向上させるものである。さらにＮ
ｉはＣｕの腐食を防止し、長期信頼性を確保するための
ものである。
【００６３】このように複数層の金属膜１９を形成する
ことにより、優れたＳＡＷデバイスを得ることができ
る。
ことにより、優れたＳＡＷデバイスを得ることができ
る。
【００６４】なお、パッケージ１４の上端面に金属膜１
６を設けておくことにより、金属膜１９を電解メッキで
形成する際、先にスパッタで形成した金属膜１９とこの
金属膜１６との電気的導通が安定し、気密性の確保が困
難な樹脂１８とパッケージ１４との界面上の金属膜１９
を厚く形成することができる。
６を設けておくことにより、金属膜１９を電解メッキで
形成する際、先にスパッタで形成した金属膜１９とこの
金属膜１６との電気的導通が安定し、気密性の確保が困
難な樹脂１８とパッケージ１４との界面上の金属膜１９
を厚く形成することができる。
【００６５】また、ＳＡＷデバイスを回路基板などに実
装する際、金属膜１９が破損し、気密性が劣化するのを
抑制するために、ＳＡＷ素子１０の上の金属膜１９の上
に、樹脂膜２０を設けておくことが望ましい。
装する際、金属膜１９が破損し、気密性が劣化するのを
抑制するために、ＳＡＷ素子１０の上の金属膜１９の上
に、樹脂膜２０を設けておくことが望ましい。
【００６６】（実施の形態２）以下本発明の実施の形態
２を用いて、本発明の特に請求項１〜請求項１３、請求
項１６〜請求項２３に記載の発明について説明する。
２を用いて、本発明の特に請求項１〜請求項１３、請求
項１６〜請求項２３に記載の発明について説明する。
【００６７】まず実施の形態１と同様にして複数の凹部
３１を有する基板３０の凹部３１にＳＡＷ素子１０を実
装する。
３１を有する基板３０の凹部３１にＳＡＷ素子１０を実
装する。
【００６８】次に、凹部３１の対角線方向に樹脂１８を
スクリーン印刷して、基板３０の表面に塗布し、ＳＡＷ
素子１０の側面および裏面が樹脂１８で覆われるように
する。次いで樹脂１８に紫外線を照射してほとんど硬化
させた後、加熱処理して完全に硬化させ、図４に示すよ
うにＳＡＷ素子１０の側面、裏面及び基板３０の表面が
樹脂１８で被覆された状態となる。本実施の形態におい
ても、樹脂１８は凹部３１とＳＡＷ素子１０との間に確
実に充填されるものの、ＳＡＷ素子１０の側面と凹部３
１の側面との距離がＳＡＷ素子１０と凹部３１の底面と
の距離よりも長いため、樹脂１８のＩＤＴ１２の表面へ
の浸入は抑制され、特性を阻害するということがない。
つまり図１に示すように、樹脂１７と凹部３１の底面
（図１においてはパッケージ１４の内部底面）との距離
（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０から凹部３１の底面ま
での距離（図１中Ｂ）よりも長く、凹部３１の底面から
凹部３１の上端までの距離（図１中Ｄ）よりも短くな
る。
スクリーン印刷して、基板３０の表面に塗布し、ＳＡＷ
素子１０の側面および裏面が樹脂１８で覆われるように
する。次いで樹脂１８に紫外線を照射してほとんど硬化
させた後、加熱処理して完全に硬化させ、図４に示すよ
うにＳＡＷ素子１０の側面、裏面及び基板３０の表面が
樹脂１８で被覆された状態となる。本実施の形態におい
ても、樹脂１８は凹部３１とＳＡＷ素子１０との間に確
実に充填されるものの、ＳＡＷ素子１０の側面と凹部３
１の側面との距離がＳＡＷ素子１０と凹部３１の底面と
の距離よりも長いため、樹脂１８のＩＤＴ１２の表面へ
の浸入は抑制され、特性を阻害するということがない。
つまり図１に示すように、樹脂１７と凹部３１の底面
（図１においてはパッケージ１４の内部底面）との距離
（図１中Ｃ）は、ＳＡＷ素子１０から凹部３１の底面ま
での距離（図１中Ｂ）よりも長く、凹部３１の底面から
凹部３１の上端までの距離（図１中Ｄ）よりも短くな
る。
【００６９】次に、実施の形態１と同様にして、樹脂１
８に分割溝３２の形成、金属膜１９の形成、樹脂膜２０
の形成を行い、基板３０を分割し、図１に示すＳＡＷデ
バイスを得る。
８に分割溝３２の形成、金属膜１９の形成、樹脂膜２０
の形成を行い、基板３０を分割し、図１に示すＳＡＷデ
バイスを得る。
【００７０】このＳＡＷデバイスも実施の形態１のＳＡ
Ｗデバイス同様に回路基板などに実装して用いる。
Ｗデバイス同様に回路基板などに実装して用いる。
【００７１】本実施の形態は、樹脂１８のスクリーン印
刷の方向を凹部３１の対角線方向とするものであり、１
回の印刷でも樹脂１８を充填することができる。
刷の方向を凹部３１の対角線方向とするものであり、１
回の印刷でも樹脂１８を充填することができる。
【００７２】なお、上記実施の形態１，２においてはＳ
ＡＷデバイスを例に説明したが、箱型のパッケージに表
面に機能部を有する素子を実装し、樹脂で素子を電子部
品であれば同様の効果が得られるものである。
ＡＷデバイスを例に説明したが、箱型のパッケージに表
面に機能部を有する素子を実装し、樹脂で素子を電子部
品であれば同様の効果が得られるものである。
【００７３】
【発明の効果】以上本発明によると、素子の機能を阻害
することなくパッケージの気密性を確保した電子部品を
提供することができる。
することなくパッケージの気密性を確保した電子部品を
提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの断面図
イスの断面図
【図２】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための上面図
イスの製造工程を説明するための上面図
【図３】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図４】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図５】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図６】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図７】本発明の実施の形態１，２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための断面図
イスの製造工程を説明するための断面図
【図８】本発明の他の実施の形態におけるＳＡＷデバイ
スの断面図
スの断面図
【図９】従来のＳＡＷデバイスの断面図
１０ ＳＡＷ素子
１１ 圧電基板
１２ ＩＤＴ
１３ 接続電極
１４ パッケージ
１５ａ 内部電極
１５ｂ 貫通電極
１５ｃ 外部電極
１６ 金属膜
１７ バンプ
１８ 樹脂
１９ 金属膜
２０ 樹脂膜
３０ 基板
３１ 凹部
３２ 分割溝
Claims (23)
- 【請求項１】 内部底面から外表面に至る外部電極と開
口部とを有するパッケージと、表面に電極を有する素子
と、この素子の前記パッケージ内部に実装するととも
に、前記パッケージと前記素子の電極とを接続するため
のバンプと、前記素子の電極非形成面及び前記パッケー
ジ開口部を覆うように設けた樹脂とを備え、前記樹脂と
前記パッケージ内部底面との最長距離は、前記素子から
前記パッケージ内部底面までの距離よりも長く、前記パ
ッケージ内部底面から前記パッケージ上端までの距離よ
りも短い電子部品。 - 【請求項２】 樹脂の外周を覆う金属膜を設けた請求項
１に記載の電子部品。 - 【請求項３】 金属膜はパッケージ上端面全体を覆う請
求項２に記載の電子部品。 - 【請求項４】 パッケージ上端面に金属を有する請求項
３に記載の電子部品。 - 【請求項５】 パッケージ上端外周部は曲面である請求
項３に記載の電子部品。 - 【請求項６】 金属膜表面に樹脂膜を設けた請求項２に
記載の電子部品。 - 【請求項７】 金属膜は複数層からなる請求項２に記載
の電子部品。 - 【請求項８】 素子側面側の樹脂の外表面は凹状の曲面
である請求項２に記載の電子部品。 - 【請求項９】 パッケージ側壁の長さは、素子とパッケ
ージ内部底面間の長さよりも長い請求項１に記載の電子
部品。 - 【請求項１０】 素子は、表面側よりも裏面側の方が大
きい請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項１１】 パッケージ開口部よりもパッケージ内
部底面の方が大きい請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項１２】 内部底面から外表面に至る外部電極と
開口部とを有するパッケージと、表面に電極を有する素
子と、この素子の前記パッケージ内部に実装するととも
に、前記パッケージと前記素子の電極とを接続するため
のバンプと、前記素子の電極非形成面及び前記パッケー
ジ開口部を覆うように設けた樹脂とを備え、前記素子側
面と前記パッケージ側面との距離は前記素子と前記パッ
ケージ内部底面との距離よりも長い電子部品。 - 【請求項１３】 表面に複数の凹部を有するとともにこ
の凹部の底面から裏面に至る外部電極を有する基板の前
記凹部に、表面に電極を有する素子をバンプで接続する
ことにより実装する第１の工程と、次に前記素子を被覆
するように前記基板表面に樹脂を充填する第２の工程
と、次いで前記凹部毎に前記樹脂及び前記基板を分割す
る第３の工程とを備え、前記第２の工程において、前記
素子側面と前記パッケージ側面との距離は前記素子と前
記パッケージ内部底面との距離よりも長くする電子部品
の製造方法。 - 【請求項１４】 第２の工程は樹脂のスクリーン印刷を
複数回行うものである請求項１３に記載の電子部品の製
造方法。 - 【請求項１５】 樹脂の印刷方向を一回目と二回目とで
９０°変える請求項１４に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１６】 第２の工程は前記凹部の対角線方向に
樹脂のスクリーン印刷することにより行うものである請
求項１３に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項１７】 樹脂は紫外線硬化樹脂であり、第２の
工程後第３の工程前に、前記樹脂にまず紫外線を照射し
て硬化した後、熱処理を行う請求項１３に記載の電子部
品の製造方法。 - 【請求項１８】 表面に複数の凹部を有するとともにこ
の凹部の底面から裏面に至る外部電極を有する基板の前
記凹部に、表面に電極を有する素子をバンプで接続する
ことにより実装する第１の工程と、次に前記素子を被覆
するように前記基板表面に樹脂を充填する第２の工程
と、次いで前記凹部毎に前記樹脂を分割する第３の工程
と、その後前記樹脂表面に金属膜を形成する第４の工程
と、次いで前記基板を分割する第５の工程とを備え、前
記第２の工程において、前記素子側面と前記パッケージ
側面との距離は前記素子と前記パッケージ内部底面との
距離よりも長くする電子部品の製造方法。 - 【請求項１９】 金属膜は、少なくとも二層からなり、
下層は薄膜形成法により、上層はメッキ法により形成す
るものである請求項１８に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項２０】 第３の工程において分割溝の幅は、開
口部側より底部側を狭くする請求項１８に記載の電子部
品の製造方法。 - 【請求項２１】 表面に複数の凹部を有するとともにこ
の凹部の底面から裏面に至る外部電極を有する基板の前
記凹部に、表面に電極を有する素子をバンプで接続する
ことにより実装する第１の工程と、次に前記素子を被覆
するように前記基板表面に樹脂を充填する第２の工程
と、次いで前記凹部毎に前記樹脂及び前記基板を分割す
る第３の工程とを備え、前記パッケージの凹部は上部よ
り下部の方が広い電子部品の製造方法。 - 【請求項２２】 表面に複数の凹部を有するとともにこ
の凹部の底面から裏面に至る外部電極を有する基板の前
記凹部に、表面に電極を有する素子をバンプで接続する
ことにより実装する第１の工程と、次に前記素子を被覆
するように前記基板表面に樹脂を充填する第２の工程
と、次いで前記凹部毎に前記樹脂及び前記基板を分割す
る第３の工程とを備え、前記素子は表面より裏面を大き
くする電子部品の製造方法。 - 【請求項２３】 表面に複数の凹部を有するとともにこ
の凹部の底面から裏面に至る外部電極を有する基板の前
記凹部に、表面に電極を有する素子をバンプで接続する
ことにより実装する第１の工程と、次に前記素子を被覆
するように前記基板表面に樹脂を充填する第２の工程
と、次いで前記凹部毎に前記樹脂を分割する第３の工程
と、その後前記樹脂表面に金属膜を形成する第４の工程
と、次いで前記金属膜表面に樹脂を設ける第５の工程
と、その後前記基板を分割し、回路基板に実装する第６
の工程とを備え、前記第２の工程において、前記素子側
面と前記パッケージ側面との距離は前記素子と前記パッ
ケージ内部底面との距離よりも長くする電子部品の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002144235A JP2003338729A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002144235A JP2003338729A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338729A true JP2003338729A (ja) | 2003-11-28 |
| JP2003338729A5 JP2003338729A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=29703967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002144235A Pending JP2003338729A (ja) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 電子部品とその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003338729A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100843419B1 (ko) | 2006-12-06 | 2008-07-03 | 삼성전기주식회사 | 반도체 칩 패키지 및 제조방법 |
| US7781936B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-08-24 | Panasonic Corporation | Surface acoustic wave device having gap between surface acoustic wave filters covered by sealer |
| US8004160B2 (en) | 2007-12-25 | 2011-08-23 | Taiyo Yuden Co., Ltd | Acoustic wave device with adhesive layer and method of manufacturing the same |
| JP2013093791A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Kyocera Corp | 電子部品の実装構造体 |
| CN108735890A (zh) * | 2018-05-25 | 2018-11-02 | 张琴 | 准气密性声表面波元件封装结构及制作方法 |
| JP2023028624A (ja) * | 2021-08-19 | 2023-03-03 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | モジュール |
| JP7378096B2 (ja) | 2021-12-23 | 2023-11-13 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | モジュールおよびモジュールの製造方法 |
-
2002
- 2002-05-20 JP JP2002144235A patent/JP2003338729A/ja active Pending
Cited By (8)
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|---|---|---|---|---|
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| JP7333965B2 (ja) | 2021-08-19 | 2023-08-28 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | モジュール |
| JP7378096B2 (ja) | 2021-12-23 | 2023-11-13 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | モジュールおよびモジュールの製造方法 |
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