JP4131149B2 - 表面実装型sawデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板上にフリップチップ実装した弾性表面波チップを樹脂にて封止した構造の弾性表面波デバイスや、その製造工程において発生する種々の不具合を解決した表面実装型弾性表面波デバイス、及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
弾性表面波デバイス(SAWデバイス)は、水晶等の圧電基板上に櫛歯状の電極指(IDT電極)を配置した構成を備え、例えばIDT電極に高周波電界を印加することによって弾性表面波を励起し、弾性表面波を圧電反作用によって高周波電界に変換することによってフィルタ特性を得るものである。
図4には従来の表面実装型のSAWデバイスの縦断面図が示されている。このSAWデバイス101は、絶縁基板103、該絶縁基板103の底部に設けた表面実装用の外部電極104、該絶縁基板の上面に設けた上部電極105、及び外部電極104と上部電極105とを接続する接続導体106とから成る配線基板102と、上部電極105上に導体バンプ110を介して電気的機械的に接続される接続パッド116、及びIDT電極117を下面に備えた圧電基板118を備えたSAWチップ115と、SAWチップ115の下端周縁と上部電極105との間に充填されてSAWチップ115の下面と配線基板103の上面との間に弾性表面波伝搬用の気密空間Sを形成する硬化処理前粘度の高い第1の封止樹脂120と、SAWチップ115の外面全体及び第1の封止樹脂120の外面、更には第1の封止樹脂120によって被覆されていない配線基板上面にかけて被覆形成された硬化処理前粘度の低い第2の封止樹脂121と、を有している。
【0003】
第1の封止樹脂120から成る封止部は、気密空間Sを形成し得るように、スクリーン印刷、ディスペンサによる充填等によってSAWチップ115の裾部に形成される。第2の封止樹脂121は、スクリーン印刷、ディスペンサによる充填等によって形成され、予め第1の封止樹脂により被覆されないように露出形成された配線基板上面の一部に被覆される。
第1の封止樹脂120として、粘度の高い樹脂を使用するのは、SAWの伝搬路である圧電基板118の下面に樹脂が浸入することを防止するためであり、第2の封止樹脂121として粘度の低い樹脂を使用するのは、配線基板の露出部、第1の封止樹脂外面、及びSAWチップ外面との間の密着性を確保するためである。粘度の高い第1の封止樹脂120だけでは、前記被覆対象物との間の密着性を確保することが困難であるため、粘度が低く被覆対象物とのぬれ性の良好な第2の封止樹脂により密着性を高めているものである(特開平6−204293号公報参照)。
【0004】
次に、図5は、配線基板(個片)102を複数シート状に連結した構成の配線基板母材125を用いて図4のSAWデバイス101を製造する手順を説明するための図であり、配線基板母材125上の各個片領域上にSAWチップ115をフリップチップ実装した後で、第1の封止樹脂120によるSAWチップ115の裾部に位置する間隙の封止を行って気密空間Sを形成してから、第2の封止樹脂121を一括して被覆形成する。その後、配線基板個片102の境界線に沿ってダイシングブレード等によって分割することにより複数個のSAWデバイス個片101を得る。
しかし、図4に示したSAWデバイス101にあっては、第2の封止樹脂121を配線基板上面に被覆させるために、第1の封止樹脂120を塗布した後のSAWチップ115間の谷間に配線基板上面の一部を露出させる必要がある。図5のようにSAWチップ間隔が狭い場合には、図6のようにSAWチップ間の谷間に位置する配線基板上面が第1の封止樹脂120によって被覆されてしまい、第2の封止樹脂121が配線基板上面に接触することができず、第2の封止樹脂による封止効果(気密性の確保)が十分に発揮されない状況となる。
図5の如く隣接し合う各SAWチップ115の裾部に夫々配置した第1の封止樹脂120同士が未分離状態になることを防止するためには、SAWチップ間隔を拡張すればよいのであるが、SAWチップ間隔の拡張は、配線基板個片の大型化によるSAWデバイスの大型化と、配線基板母材125の面積の大型化と、配線基板母材一枚当りから製作できるSAWデバイス数が減少するという不具合をもたらす。
また、ディスペンサのノズルは直線状に延びているため、SAWチップ115の裾部に位置する間隙全周に沿って樹脂を充填するためには、SAWチップ115間の谷間状の間隙内に斜めにノズルを差し入れてSAWチップの裾部に充填作業を行う必要がある。このような充填作業を可能ならしめるためには、SAWチップ間の間隔を予め広く設定しておく必要があり、図示した例では1,000μm程度の広い間隔が必要である。
このような問題に対処するために、SAWチップを更に小型化することも考えられるが、無理な小型化には限界があり、設計上の自由度の制限、その他の不利不便をもたらす。
【0005】
次に、特開平2−186662号公報(日立製作所)には、配線基板上にフェイスダウン状態でフリップチップ実装したSAWチップの裾部を第1封止層にて封止した後で、これらの部品の外面を第2封止層にて被覆する構成が開示され、この第2の封止層としてSOG(Spin On Glass)材料を用いる例を示している。この公報には、SOG材料を第2封止層として使用することにより、SAWチップの下面と配線基板表面との間の段差が大きい場合にも確実な気密封止を実現できる旨が示されている。しかし、SOG材料についての沖電気(株)による1995年2月21日付けの自社ホームページでは、SOG材料は、完全に無機化するための硬化温度が350〜400℃であり、ガラスが無機化する温度としては比較的低温であるものの、この温度はSAWチップの構成材料や封止樹脂にとっては、高温に過ぎることが明らかである。即ち、例えば、図4に示したバンプ110が金から成り、バンプ110と接続されるSAWチップ115側の接続パッド116がアルミニウムを主成分とした合金である場合には、上記範囲の高温にさらされることにより、両金属の接合部に、硬くてもろい金とアルミニウムの合金層が形成されてしまい、金バンプの信頼性が低下する。また、第1の封止樹脂120を高温にさらすと、第1の封止樹脂から発生するアウトガスによってSAWチップを構成する各電極が腐食する、という不具合が発生する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、表面実装用の配線基板上の上部電極上にバンプを介してSAWチップをフェイスダウン搭載し、SAWチップの裾部と配線基板との間の間隙内に第1の封止層を充填することにより、SAWチップ下方に弾性表面波伝搬用の気密空間を形成し、更に第1の封止層、及びSAWチップ外面を第2の封止層にて被覆したSAWデバイスにおいて、第2の封止層を配線基板上面と直接接合させるためのスペースを確保するために、配線基板の面積が増大したり、配線基板母材を用いた量産時の生産性の低下を招くという不具合を解決することができる表面実装型弾性表面波デバイス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は次の如き手段を備える。
本発明に係るSAWデバイスは、絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、該絶縁基板の上部に設けた上部電極、及び外部電極と上部電極間を導通する接続導体から成る配線基板と、圧電基板、該圧電基板下面に形成され前記上部電極上に導体バンプを介して接続される接続パッド、及びIDT電極、を備えたSAWチップと、前記SAWチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するように、少なくとも配線基板とSAWチップ裾部との間に介在する樹脂から成る第1の封止層と、を備えた表面実装型SAWデバイスにおいて、前記第1の封止層の外周縁を配線基板の表層とともに切除することにより配線基板の外周縁上部に形成した露出部と、前記露出部、前記第1の封止層、及び前記SAWチップ外面を被覆する第2の封止層と、を備えたことを特徴とする。
配線基板上にフェイスダウン状態でSAWチップをフリップチップ実装し、SAWチップ裾部と配線基板上面との間を全周にわたって第1の封止層により封止し、更にその外面に第2の封止層を被覆形成する場合、第2の封止層の裾部を配線基板上面と直接接合することが気密性、接合性を高める上で重要である。しかし、第1の封止層の外側に配線基板上面を張り出すことによって第2の封止層との接合マージンを確保しようとすると、配線基板が大型化する。一方、第1の封止層を塗布、充填する際の塗布面積を、前記接合マージンを確保し得るように所定の狭い範囲にコントロールすることは困難である。
そこで、本発明では、SAWチップよりも外側に位置する配線基板上面全体を覆うように第1の封止層を形成してから、第1の封止層の外周部と配線基板表層を切除して露出部を形成し、この露出部を第2の封止層との接合部として利用した。このため、配線基板の大型化を招くことなく、第2の封止層を配線基板上面と密着させることが可能となった。
なお、第2の封止層は、SAWチップの下面を除いた露出面全体を被覆する場合と、SAWチップの上面以外の側面を被覆する場合がある。
【0008】
本発明は、前記第2の封止層は、樹脂材料から成り、前記第2の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度が、前記第1の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度よりも低いことを特徴とする。
第1の封止層(第1の封止樹脂)の粘度を高くすることにより、これをSAWチップの裾部の空間に充填したとしても気密空間内に入り込む虞がなくなる一方で、露出部、第1の封止樹脂外面、及びSAWチップ外面に密着して被覆する必要がある第2の封止層(第2の封止樹脂)についてはその粘度を低下させるようにしたものである。
本発明方法は、絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る配線基板と、該上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、及びIDT電極を夫々圧電基板の下面に備えたSAWチップと、該SAWチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するように配置される第1の封止層と、から成る表面実装型SAWデバイスの製造方法において、前記上部電極と前記SAWチップの接続パッドとを、バンプを介して接続するフリップチップ実装工程と、前記SAWチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するようにSAWチップ外面の少なくとも一部を樹脂から成る第1の封止層にて被覆する第1の封止層形成工程と、前記第1の封止層の外周部を配線基板の表層とともに切除して配線基板の露出部を形成する露出部形成工程と、前記露出部と、前記第1の封止層と、前記SAWチップ外面を第2の封止層により被覆する第2の封止層形成工程と、を備えたことを特徴とする。
これによれば、配線基板個片毎に、SAWチップの搭載、樹脂被覆、接地用露出部の形成、導電性金属被膜の被覆形成による接地用露出部との接続を行うことにより、請求項1、2に記載したSAWデバイスを得ることができる。
【0009】
本発明は、絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る配線基板を、複数個シート状に連結した大面積の配線基板母材を用いた、表面実装型SAWデバイスの製造方法において、圧電基板の下面に接続パッドとIDT電極を備えたSAWチップの該接続パッドを、前記上部電極上に導体バンプを介して接続するフリップチップ実装工程と、前記各SAWチップ下面と前記各配線基板上面との間に気密空間を形成するようにSAWチップ間の谷間に樹脂から成る第1の封止層を充填する第1の封止層形成工程と、前記SAWチップ間の谷間に位置する第1の封止層を分断すると共に前記配線基板の表層を切除して配線基板の露出部を形成する露出部形成工程と、前記露出部と、前記第1の封止層と、前記SAWチップ外面を第2の封止層により被覆する第2の封止層形成工程と、前記各工程を経た配線基板母材を、配線基板個片毎に切断する切断工程と、から成ることを特徴とする。
この製造方法では、大面積の配線基板母材を用いたバッチ処理により請求項1、2に記載のSAWデバイスを量産する。なお、第2の封止層による被覆範囲は、SAWチップの下面を除いた露出面全体を被覆する場合と、SAWチップの上面以外の側面を被覆する場合がある。第1の封止樹脂による封止作業においては、スクリーン印刷が用いられ、ディスペンサによる狙いを定めた充填は行わないので、SAWチップ間の間隔を広く確保する必要もなくなる。
本発明は、前記露出部形成工程では、SAWチップ間に位置する第1の封止層及び配線基板上面の一部をダイシングブレードにてハーフカットすることを特徴とする。
露出部形成工程では、SAWチップ間の谷間を埋めるように充填された第1の封止層を、肉厚が厚いダイシングブレードを用いて分断する際に、配線基板表層(接地用導体としての上部電極、及び/或いは接続導体の一部を含む)を同時に切除するので、極めて簡単に露出部を確保することが可能となり、SAWチップ間の間隔を広く確保する必要もなくなる。
【0010】
本発明は、前記切断工程において使用するダイシングブレードは、前記ハーフカットの際に用いるダイシングブレードよりも肉厚が薄いことを特徴とする。
ハーフカットに際しては、配線基板の表層の一部を切除して露出させる狙いがあるため、厚肉のカッタを用いたが、最後の切断をダイシングブレードにて行う場合には、配線基板間の境界線を単に切断するだけでよいので、薄肉のダイシングブレードを用いる。
本発明は、前記ハーフカット後に、配線基板の露出部、第1の封止層、及びSAWデバイスの外面に金属皮膜を形成し、金属皮膜形成後に前記第2の封止層形成工程を実施することを特徴とする。
樹脂は吸水性を有するため、気密空間内のIDT電極に結露が生じ腐食が発生する虞がある。そこで、第1の封止層を含むSAWチップ外面に金属被膜を形成し、更にその外面に第2の封止層を形成することにより、気密性、水密性を高めることができ、しかも金属被膜を配線基板の露出部に露出した接地導体と導通させることにより、シールド効果を発揮することができる。
本発明は、前記第2の封止層は樹脂材料から成り、該第2の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度が、該第1の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度よりも低いことを特徴とする。
第1の封止層(第1の封止樹脂)の粘度を高くすることにより、これをSAWチップの裾部の空間に充填したとしても気密空間内に入り込む虞がなくなる一方で、露出部、第1の封止樹脂外面、及びSAWチップ外面に密着して被覆する必要がある第2の封止層(第2の封止樹脂)についてはその粘度を低下させるようにしたものである。
【0011】
本発明は、前記第2の封止層はガラス膜から成り、該ガラス膜は、シリカ溶液を200℃以下で加熱して硬化させることにより形成されたことを特徴とする。
ガラス膜を硬化させる温度が高温である場合には、バンプ、接続パッド等の接続導体や、SAWチップや樹脂に対して悪影響を及ぼす。そこで、本発明では、200℃以下の低温加熱によって硬化させることができるシリカ溶液を使用した。
本発明は、前記シリカ溶液には、Al2O3、TiO2、又はZrO2のうちの何れかが含まれていることを特徴とする。
これによれば、使用する溶液の種類の選択範囲を拡大することができる。
本発明は、前記第2の封止層形成工程において被覆される第2の封止層は、ガラス膜であり、該ガラス膜はシリカ溶液を200℃以下で加熱して硬化されることを特徴とする。
ガラス膜を硬化させる温度が高温である場合には、バンプ、接続パッド等の接続導体や、SAWチップや樹脂に対して悪影響を及ぼす。そこで、本発明では、200℃以下の低温加熱によって硬化させることができるシリカ溶液を使用した。
本発明は、前記シリカ溶液には、Al2O3、TiO2、又はZrO2のうちの何れかが含まれていることを特徴とする。
これによれば、使用する溶液の種類の選択範囲を拡大することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示した実施の形態により詳細に説明する。
図1(a)及び(b)は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイス(以下、SAWデバイス、という)の外観斜視図、及び縦断面図である。
このSAWデバイス1は、セラミック、ガラスエポキシ等から成る絶縁基板3、絶縁基板3の底部(下部)に設けた表面実装用の外部電極4、及び、絶縁基板3の上面(上部)に設けられ且つ接続導体6を介して外部電極4と導通した上部電極5、から成る配線基板2と、上部電極5と導体バンプ10を介して電気的機械的に接続される接続パッド16、及びIDT電極17を夫々圧電基板18の下面に備えたSAWチップ15と、上部電極5の上面を含む配線基板2とSAWチップ15の側面及び上面に対して被覆一体化されると共にSAWチップ15の裾部と配線基板上面との間の空隙に充填される第1の封止樹脂(第1の封止層)20と、第1の封止樹脂20による封止によってSAWチップ15下面と配線基板上面との間に形成される弾性表面波伝搬用の気密空間Sと、を備えている。
第1の封止樹脂20の外周縁及び配線基板2の上部を切除することによって、第1の封止樹脂20の外側には配線基板2の露出部8が形成されている。この例では、配線基板2上の複数の上部電極5のうちの少なくとも一つの上部電極(接地導体)5aの外側部、及び接続導体(接地導体)6aの表層は、それらの一部が第1の封止樹脂20と共に切除されて導体部分が露出した露出部8となっている。第1の封止樹脂20の外面全体には第2の封止樹脂(第2の封止層)21が被覆形成され、この第2の封止樹脂21を露出部8に密着させて高い気密性を確保することができる。
このように配線基板3の上面外周に被覆形成された第1の封止樹脂20の外周縁を切除することにより配線基板の上面を露出させるようにしたので、配線基板の面積を大型化することなく露出部8を確保することができ、この露出部8を利用して第2の封止樹脂21と配線基板との密着を確保できる。
【0013】
なお、この実施形態では、第2の封止層21は樹脂材料から成り、第2の封止層21を構成する第2の封止樹脂の硬化処理前の粘度を、第1の封止樹脂20を構成する第1の封止樹脂の硬化処理前の粘度よりも低く設定することにより、第1の封止樹脂の気密空間S内への浸入を防止でき、第2の封止樹脂による露出部8、第1の封止樹脂20の外面、SAWチップ外面への密着性を十分に高めることができる。
なお、上部電極5は、例えばタングステン膜の表面にニッケルメッキ、金メッキを順次施した構成を備え、上部電極5は接続導体6を介して対応する外部電極4と導通している。互いに導通した外部電極4、上部電極5、及び接続導体6から成る導電体組は、入出力用と、接地用が複数組配置されており、接地用の上部電極(接地導体)5aの外側端部と、接地用の接続導体(接地導体)6aの上部を夫々第1の封止樹脂20と共に切除することによって露出部(接地用露出部)8aを形成している。第2の封止樹脂21を被覆する前に、この接地用露出部8aに位置する接地用上部電極5a、及び接地用接続導体6aと導通し、且つ第1の封止樹脂20及びSAWチップ外面を被覆するように、図示しない導電性金属被膜をメッキ、蒸着、スパッタリング等によって成膜し、この導電性金属被膜の外面に第2の封止樹脂21を被覆形成するようにしてもよい。
このように本発明のSAWデバイスにおいては、配線基板の外側端部を大きく張り出すことによって第1の封止樹脂20による非被覆部分を形成する必要がなく、第1の封止樹脂によって被覆された配線基板の外側部分を第1の封止樹脂と共に切除して露出部8を形成したので、従来のSAWデバイスと比較した場合に、配線基板2の面積を小さくすることができる。また、露出部8のうちの導体露出部8aを導電性金属被膜と接続することが可能となるので、シールド効果のみならず、より高い気密効果を得ることができる。
【0014】
次に、図2(a)乃至(d)に基づいて図1のSAWデバイス1の製造手順を説明する。この例では複数の配線基板個片2をシート状に連結一体化した配線基板母材25を用いたバッチ処理によるSAWデバイスの生産方法を示す。
まず、図2(a)に示した如き、絶縁基板3の下面に外部電極4を有すると共に上面に上部電極5を備え、更に外部電極4と上部電極5との間を導通する接続導体6を有した配線基板個片2を複数個、シート状に連結した大面積の配線基板母材25を製作し、配線基板母材25の各個片領域に対して、下面に接続パッド16とIDT電極17を備えた圧電基板18から成るSAWチップ15の接続パッド16を、上部電極5の上面に導体バンプ10を介して電気的機械的に接続する(フリップチップボンディング)。導体バンプ10は、予め接続パッド16側に形成しておいてもよいし、露出領域5a上に形成してもよい。導体バンプ10は、例えば金等の導体から成るバンプであってもよいし、塊状の樹脂の外周に導体膜を被覆したものであってもよい。
次いで、図2(a)に示した第1の封止樹脂形成工程では、SAWチップ15下面と各配線基板個片2の上面との間に気密空間Sを形成するように、各配線基板2と各SAWチップ15の裾部(下面周縁部、側面の下端縁部)との間の空隙を封止するように第1の封止樹脂(第1の封止層)20を充填する。換言すれば、SAWチップ15下面と配線基板2上面との間に気密空間Sを形成するようにSAWチップ間の谷間(間隙)に第1の封止樹脂20を充填する。この工程では、例えば、スクリーン印刷等の方法によって、比較的粘度の高い第1の封止樹脂20を塗布、充填する。粘度の高い樹脂を使用する理由は、SAW伝搬のための気密空間Sを確実に確保する必要があるためである。
この実施形態では、SAWチップ15間の間隙を埋めるように第1の封止樹脂20をスクリーン印刷により一括して充填、被覆するため、ディスペンサによりノズルをSAWチップ間に斜めに差し入れてSAWチップ裾部を狙い打ちして充填する従来例と比べた場合に、SAWチップ間の間隔を狭くしても不具合がなく、大幅に狭くすることができる。
【0015】
次に、図2(b)に示した露出部形成工程では、SAWチップ15間の谷間を埋めるように充填された封止樹脂20を比較的肉厚の厚いダイシングブレードによってハーフカットする。即ち、ダイシングブレードによってSAWチップ間の第1の封止樹脂20を寸断すると共に各配線基板2間の境界線に沿った位置の表層を部分的に切除する程度にハーフカットすることにより、配線基板の上面と、上部電極(接地用導体)5aの外側部及び接続導体(接地用導体)6aの上部を夫々第1の封止樹脂と共に切除して露出部8(接地用露出部8a)を形成する。ハーフカットされた部分の幅は200μm程度である。そして、SAWチップ15間の間隔L2は、このハーフカットされる部分の幅にマージンを考慮して400μm程度に予め設定する。
次に、図2(c)の第2の封止樹脂被膜形成工程では、露出部8、第1の封止樹脂20の外面、SAWチップの外面全体(下面を除く)を、第2の封止樹脂(第2の封止層)21により被覆する。
なお、第2の封止樹脂21を被覆する前に、露出部8、第1の封止樹脂20の外面、及びSAWチップ15の外面に金属被膜をメッキ、蒸着、スパッタリング等により成膜して、接地用露出部8aを介した接地によるシールド効果を得るとともに、第1の封止樹脂20によっては十分に確保できない気密性を確保するようにしてもよい。
なお、第2の封止層21を構成する第2の封止樹脂の硬化処理前の粘度を、第1の封止樹脂20を構成する第1の封止樹脂の硬化処理前の粘度よりも低く設定することにより、第1の封止樹脂の気密空間S内への浸入を防止でき、第2の封止樹脂による露出部8、第1の封止樹脂20の外面、SAWチップ外面への密着性を十分に高めることができる。
最後に、図2(c)中に示した切断ラインCに沿って、図2(b)の工程で使用したダイシングブレードよりも肉厚の薄いダイシングブレードにより、配線基板母材25を切断ラインCに沿って個片ごとに分割する切断工程を実施する。この切断工程により、図2(d)に示した如きSAWデバイス個片1を得ることとなる。
【0016】
次に、図3(a)(b)は本発明の他の実施形態に係る製造方法の部分的な説明図であり、図3(a)は第2の封止樹脂被覆工程、図3(b)は完成した個片を示す断面図である。この実施形態に係る製造方法におけるフリップチップ実装工程と、第1の封止樹脂形成工程と、露出部形成工程は、図2に示した実施形態に係る製造方法における図2(a)(b)の工程と同様である。この実施形態に係る製造方法が図2の製造方法と異なる点は、第2の封止樹脂形成工程において、第2の封止樹脂21を、SAWチップ15の外面全体に被覆するのではなく、露出部8と、第1の封止樹脂20の外面と、SAW15の側面のみにかけて被覆した構成にある。更に、図2(b)において厚肉のダイシングブレードによって導体露出部8を形成するようにした点等、他の工程は図2と同様である。
従って、図3の製造方法を実施した場合にも、配線基板母材25上のSAWチップ15間の間隔を狭くすることができ、同面積の配線基板母材から採ることができるSAWデバイス数を増やすことができる。このようにして得られたSAWデバイスは、その上面に第2の封止層21が存在しない分だけ薄型化することができる。
次に、図1に示した実施形態に係るSAWデバイスは、露出部8、第1の封止樹脂20、及びSAWチップ外面を被覆する第2の封止層21として樹脂材料を使用したが、樹脂の代わりにガラス膜を使用してもよい。ガラス膜は、樹脂材料よりも吸水性の点、気密性の点で優れており、SAWデバイスの耐久性をより高めることができる。ここで使用するガラス材料としては、特開平6−199528号公報に開示されている如き200℃以下でガラス化する材料を用いる。具体的には、例えばSiO2を40重量%以上含有するシリカ溶液を用い、これを塗布してから硬化させることにより第2の封止層21を形成する。200℃以下で無機化する材料を使用するため、SAWチップや第1の封止樹脂に悪影響を及ぼす程度の高温が加えられることがなく、SAWデバイスの性能、信頼性を悪化させることが無くなる。
また、これ以外の材料、例えばAl2O3、TiO2、又はZrO2の何れかを主成分とした溶液、例えば、SiO2+Al2O3、SiO2+TiO2、SiO2+ZrO2を用いても、前記シリカ溶液を用いた場合と同様の機能を有した第2の封止層21を形成することができる。
ガラス膜から成る第2の封止層21は、SAWチップの上面を含む外面に被覆してもよいし、SAWチップの側面に被覆してもよい。後者の場合には、SAWデバイスを薄型化することができる。
また、図2、図3において夫々説明した製造方法の第2の封止層形成工程において、第2の封止層21として上記の如き材料を用いてガラス膜を形成するようにしてもよい。即ち、上記のいずれかの溶液を露出部8、第1の封止樹脂20、及びSAWチップ外面(全面、或いは側面)に印刷形成してから、200℃以下で加熱して硬化させることにより、ガラス膜を形成する。
【0017】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、表面実装用の配線基板上の上部電極上にバンプを介してSAWチップをフェイスダウン搭載し、SAWチップの裾部と配線基板との間に第1の封止樹脂を充填することにより、SAWチップ下方に弾性表面波伝搬用の気密空間を形成し、更に第1の封止層、及びSAWチップ外面を第2の封止層にて被覆したSAWデバイスにおいて、第2の封止層を配線基板上面と直接接合させるためのスペースを確保するために、配線基板の面積が増大したり、配線基板母材を用いた量産時の生産性の低下を招くという不具合を解決することができる。
本発明では、SAWチップよりも外側に位置する配線基板上面全体を覆うように第1の封止層を形成してから、第1の封止層の外周部と配線基板表層を切除して露出部を形成し、この露出部を第2の封止層との接合部として利用した。このため、配線基板の大型化を招くことなく、第2の封止層を配線基板上面と密着させることが可能となった。
本発明は、第1の封止層(第1の封止樹脂)の粘度を高くすることにより、これをSAWチップの裾部の空間に充填したとしても気密空間内に入り込む虞がなくなる一方で、露出部、第1の封止樹脂外面、及びSAWチップ外面に密着して被覆する必要がある第2の封止層(第2の封止樹脂)についてはその粘度を低下させるようにしたものである。
本発明方法によれば、配線基板個片毎に、SAWチップの搭載、樹脂被覆、接地用露出部の形成、導電性金属被膜の被覆形成による接地用露出部との接続を行うことにより、上記SAWデバイスを得ることができる。
請求項4の発明方法では、大面積の配線基板母材を用いたバッチ処理により上記SAWデバイスを量産することができる。
【0018】
本発明では、露出部形成工程において、SAWチップ間の谷間を埋めるように充填された第1の封止層を、肉厚が厚いダイシングブレードを用いて分断する際に、配線基板表層(接地用導体としての上部電極、及び/或いは接続導体の一部を含む)を同時に切除するので、極めて簡単に露出部を確保することが可能となり、SAWチップ間の間隔を広く確保する必要もなくなる。
本発明では、最後の切断をダイシングブレードにて行う場合には、配線基板間の境界線を単に切断するだけでよいので、薄肉のダイシングブレードを用いる。
請求項7の発明では、第1の封止層を含むSAWチップ外面に金属被膜を形成し、更にその外面に第2の封止層を形成することにより、気密性、水密性を高めることができ、しかも金属被膜を配線基板の露出部に露出した接地導体と導通させることにより、シールド効果を発揮することができる。
本発明では、第1の封止層(第1の封止樹脂)の粘度を高くすることにより、これをSAWチップの裾部の空間に充填したとしても気密空間内に入り込む虞がなくなる一方で、露出部、第1の封止樹脂外面、及びSAWチップ外面に密着して被覆する必要がある第2の封止層(第2の封止樹脂)についてはその粘度を低下させるようにしたものである。
本発明では、200℃以下の低温加熱によって硬化させることができるシリカ溶液を使用し、高温加熱する場合の悪影響を回避した。
本発明によれば、使用する溶液の種類の選択範囲を拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)(b)は本発明の一実施形態に係る表面実装型弾性表面波デバイスの外観斜視図、及び縦断面図。
【図2】(a)乃至(d)は図1のSAWデバイスの製造工程を説明する図。
【図3】(a)(b)は本発明の変形例に係るSAWデバイスの製造工程を説明する図。
【図4】従来例に係るSAWデバイスの縦断面図。
【図5】(a)(b)は図4に示したSAWデバイスを製造する手順を示す工程図。
【図6】他の従来例の製造工程を説明するための図。
【符号の説明】
1 弾性表面波デバイス(SAWデバイス)、2 配線基板、3 絶縁基板、4 外部電極、5、5a 上部電極、6、6a 接続導体、8、8a 露出部、10 導体バンプ、S 気密空間、15 弾性表面波チップ(SAWチップ)、16 接続パッド、17 IDT電極、18 圧電基板、20 第1の封止層(第1の封止樹脂)、21 第2の封止層(第2の封止樹脂、ガラス膜)、25 配線基板母材。
Claims (8)
- 絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る配線基板と、該上部電極上に導体バンプを介してフリップチップ実装される接続パッド、及びIDT電極を夫々圧電基板の下面に備えたSAWチップと、該SAWチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するように配置される第1の封止層と、を備えた表面実装型SAWデバイスの製造方法において、
前記上部電極と前記SAWチップの接続パッドとを、バンプを介して接続するフリップチップ実装工程と、
前記SAWチップ下面と前記配線基板上面との間に気密空間を形成するようにSAWチップ外面の少なくとも一部を樹脂から成る第1の封止層にて被覆する第1の封止層形成工程と、
前記第1の封止層の外周部を配線基板の表層とともに切除して配線基板の露出部を形成する露出部形成工程と、
前記露出部と、前記第1の封止層と、前記SAWチップ外面を第2の封止層により被覆する第2の封止層形成工程と、を備えたことを特徴とする表面実装型SAWデバイスの製造方法。 - 絶縁基板、該絶縁基板の下部に設けた表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に設けた上部電極から成る配線基板を、複数個シート状に連結した大面積の配線基板母材を用いた、表面実装型SAWデバイスの製造方法において、
圧電基板の下面に接続パッドとIDT電極を備えたSAWチップの該接続パッドを、前記上部電極上に導体バンプを介して接続するフリップチップ実装工程と、
前記各SAWチップ下面と前記各配線基板上面との間に気密空間を形成するようにSAWチップ間の谷間に樹脂から成る第1の封止層を充填する第1の封止層形成工程と、
前記SAWチップ間の谷間に位置する第1の封止層を分断すると共に前記配線基板の表層を切除して配線基板の露出部を形成する露出部形成工程と、
前記露出部と、前記第1の封止層と、前記SAWチップ外面を第2の封止層により被覆する第2の封止層形成工程と、
前記各工程を経た配線基板母材を、配線基板個片毎に切断する切断工程と、
から成ることを特徴とする表面実装型SAWデバイスの製造方法。 - 前記露出部形成工程では、SAWチップ間に位置する第1の封止層及び配線基板の表層をダイシングブレードにてハーフカットすることを特徴とする請求項1、又は2に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
- 前記切断工程において使用するダイシングブレードは、前記ハーフカットの際に用いるダイシングブレードよりも肉厚が薄いことを特徴とする請求項1、2、又は3に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
- 前記ハーフカット後に、配線基板の露出部、第1の封止層、及びSAWデバイスの外面に金属皮膜を形成し、金属皮膜形成後に前記第2の封止層形成工程を実施することを特徴とする請求項3又は4に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
- 前記第2の封止層は樹脂材料から成り、該第2の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度が、該第1の封止層を構成する樹脂の硬化処理前の粘度よりも低いことを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
- 前記第2の封止層形成工程において被覆される第2の封止層は、ガラス膜であり、該ガラス膜はシリカ溶液を200℃以下で加熱して硬化されることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
- 前記シリカ溶液には、Al2O3、TiO2、又はZrO2のうちの何れかが含まれていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の表面実装型SAWデバイスの製造方法。
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