CN1881810A - 多模式高频电路 - Google Patents

多模式高频电路 Download PDF

Info

Publication number
CN1881810A
CN1881810A CNA2006100850213A CN200610085021A CN1881810A CN 1881810 A CN1881810 A CN 1881810A CN A2006100850213 A CNA2006100850213 A CN A2006100850213A CN 200610085021 A CN200610085021 A CN 200610085021A CN 1881810 A CN1881810 A CN 1881810A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
mentioned
frequency
communication mode
receiving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100850213A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1881810B (zh
Inventor
冈部宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Publication of CN1881810A publication Critical patent/CN1881810A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1881810B publication Critical patent/CN1881810B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64Impedance arrangements
    • H01L2223/66High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1517Multilayer substrate
    • H01L2924/15192Resurf arrangement of the internal vias
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16152Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Abstract

本发明提供一种多模式高频电路。在配置了适合多个通信方式的多收发电路的多模式高频电路中,能够实现可降低电路间的信号干扰的多模式高频电路。在处理作为第1通信方式的W-CDMA的RF发送信号的PA(121)、输出匹配电路(123)、隔离器(115)与处理W-CDMA的RF接收信号的接收电路(150)的最短距离间,及PA(121)与W-CDMA的发送电路(130)的最短距离间配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路的GSM方式的PA(222)、输出匹配电路(223a、223b)。在PA(121)与W-CDMA的级间滤波器(125)的最短距离间配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路的PA(222)。

Description

多模式高频电路
技术领域
本发明涉及用于无线通信装置的高频电路,尤其涉及将多个通信方式的收发电路配置在同一基板上的多模式高频电路。
背景技术
在专利文献1:日本特开2004-32674号公报上公开了做成为适合时分多址(以下称为“TDMA:Time Division Multiple Access”)和码分多址(以下称为“CDMA:Code Division Multiple Access”)这2种方式的前端模块的例子。在该例子中,将与天线连接的天线分离滤波器(diplexer)、与该天线分离滤波器连接的高频开关、以及双工器集成在一个集成用多层基板上。使用天线分离滤波器分离TDMA方式和CDMA方式,使用高频开关分离TDMA方式的收发,使用双工器分离CMDA方式的收发。
另外,在专利文献2:日本特开2003-249868号公报上公开了做成为适合GSM(Global System for Mobile communication:全球移动通信系统)和DCS(Digital Communication System:数字通信系统)这2种通信方式的前端模块的例子。在该例子中,与天线连接的天线分离滤波器、与该天线分离滤波器的一侧的端子连接的GSM侧的低通滤波器(以下称为“LPF:Low Pass Filter”)、以及与另一侧的端子连接的DCS侧的LPF分别构成为层叠在陶瓷基板上的芯片元件,在树脂多层基板上安装有这3个芯片元件、与GSM侧的LPF连接的高频开关、以及与DCS侧的LPF连接的高频开关。
发明内容
将一般的便携电话的电路结构表示在图15。便携电话的电路大致分为处理高频信号即射频信号(以下称为“RF:Radio Frequency”)的高频电路部(RF部)和处理数字信号的基带(以下称为“BB:BaseBand”)部。在图15中,在RF部2上连接有进行电波的收发的天线1和成为基准频率信号源的晶体振荡器(以下称为“Xtal:Crystalunit”),进而连接有基带大规模集成电路4(以下称为“BB-LSI:Base Band-Large Scale Integrated circuit”)。在BB-LSI4上连接有麦克风、扬声器、应用处理器等。在应用处理器上连接有键盘(Key)、液晶显示装置(LCD)、摄像机、静态存储器(SRAM)、非易失性存储器(NVM)等。便携电话的收发动作的概略如下。
首先,在发送时,由麦克风所输入的声音,由BB-LSI4编码、调制后成为BB发送信号。BB发送信号被发送至RF部2,转换为RF发送信号,由天线1辐射。后面也将说明,在RF部2中,BB发送信号,由发送电路进行频率变换后变为RF发送信号,接着,RF发送信号由功率放大器(以下称为“PA:Power Amplifier”)放大,由发送滤波器除去无用的高频波,由天线1进行辐射。
接着,在接收时,由天线1所接收的RF信号,被送至RF部2,转换为BB接收信号后被送至BB-LSI4,进行解调、解码后,由扬声器进行输出。后面也将说明,在RF部2中,RF接收信号,由接收滤波器除去无用的干扰波,以低噪音放大器(以下称为“LNA:Low NoiseAmplifier”)进行放大,由接收电路进行频率变换后,成为BB接收信号。
这里,对于发送电路和接收电路的频率变换,使用具有压控制振荡器(以下称为“VCO:Voltage Control Oscillator”)产生的特定频率的局部振荡信号。VCO使用Xtal产生的基准频率信号来设定局部振荡信号的频率。
便携电话因地域的不同而采用各种各样的通信方式,另外所使用的频带也是不同的。目前,主流的通信方式为以欧洲为中心的上述GSM、以美国、日本为中心的W-CDMA(Wide-band-CDMA)。在便携电话内的收发通信动作中,在GSM中采用收发交替进行的时分双工(以下称为“TDD:Time Division Duplex”)方式,在W-CDMA中采用收发同时进行的频分双工(以下称为“FDD:Frequency DivisionDuplex”)方式。
近年来,为了能够跨多地域地使用便携电话,正在实现适合多个频带和多个通信方式的多频带/多模式便携电话。将这2种方式合并为一的多模式高频电路的电路结构如图16所示。以下,设定成将GSM表示为G-,将W-CDMA表示为W-。
在图16中,W-高频电路包括W-发送电路(Tx)130、作为带通滤波器(以下称为“BPF:Band Pass Filter”)的W-级间滤波器(interstagefilter)125、W-PA121、隔离器115、双工器(Dup)100、W-接收电路(Rx)150。W-发送电路130对BB发送信号进行频率变换,生成RF发送信号,W-带通滤波器125从W-发送电路所生成的RF发送信号中除去无用的频率成分。放大RF发送信号的W-PA121,一般与输出匹配电路等一起被模块化,往往以W-功率放大器模块120(以下称为“PAM:PA Module)”的形式进行使用。隔离器115是只向一个方向导通信号的电路,在天线侧的负载发生了变化的情况下,防止发送功率返回PA而使PA破坏。双工器100是在两条路径的每一路上分配频率不同的信号的电路,对于频率不同的W-RF发送信号和W-RF接收信号,进行RF发送信号只从信号发送电路侧送至天线侧、RF接收信号只从天线侧送至接收电路侧的动作。双工器还具有从PA所放大的RF发送信号中除去无用的频率成分的功能和从天线接收到的信号中除去无用的频率成分的功能。W-接收电路150B包含LNA,将接收到的RF接收信号放大,进而频率变换成BB接收信号。
其次,G-高频电路包括G-发送电路230、GPA221、作为LPF的G-发送滤波器210、开关(SW)90、作为BPF的G-接收滤波器240、以及G-接收电路250。在本例中,GSM为适合4个频带的4频段结构。G-发送电路230对BB发送信号进行频率变换,生成RF发送信号。这里,在GSM中,发送电路使用锁相环PLL(Phase Lock Loop)电路等难以产生无用的频率成分的电路形式,从而多数情况不需要如W-CDMA那样的级间滤波器。对两个频带的每一个分别准备放大RF发送信号的G-PA221,这2个G-PA221和与W-CDMA的情况相同的输出匹配电路等一起被模块化,大多采用G-PAM220的形式。这里,在GSM中,由于在PA中使用损坏耐压较高的器件,多数情况不需要隔离器。G-发送滤波器具有从PA放大的RF发送信号中除去无用的频率成分的功能,这里PA由于要对两个频带分别准备两个系统,所以准备两个。G-接收滤波器240与4个频带的每一个对应地设置,从天线接收到的信号除去无用的频率成分后,送至G-接收电路250。在G-接收电路250中包含LNA,放大接收到的RF接收信号,进而频率变换成BB接收信号。
在GSM中,因为采用TDD方式,所以在发送时只是发送系统进行动作,在接收时只是接收系统进行动作。因此利用开关90,在发送时将天线与所需频带的发送系统连接,在接收时将天线与所需频带的接收系统连接,由此,在收发中共用相同的天线。进而,在本例中,由于利用开关90连接天线1和双工器100,因此,GSM和W-CDMA也能够共用相同的天线。对开关90、发送滤波器210及接收滤波器240进行了模块化的电路为前端模块(以下称为“FEM:Front EndModule”)200。
使用图17说明用于在便携电话上实现以上那样的多模式高频电路的以往的方法。图17表示组装在便携电话上、安装了以往的多模式高频电路的主印刷电路板5的布局。在便携电话的主印刷电路板5上配置在图16中说明过的高频电路和Xtal3,FEM200的天线端子与主印刷电路板5上的天线端子6电连接。在天线端子6上连接有天线(未图示),进行高频电路与天线的信号的传输。
对于高频电路中的接收系统电路,当BB部(未图示)产生的数字信号的高频波受到干扰时,接收灵敏度将恶化。另外,当高频电路中的发送系统电路发生的发送信号以外的无用波因布线等而进行辐射时,辐射出的无用波就会出现使BB部或其他机器出现误动作这样的影响。为此,一般进行以下的动作,即:设置屏蔽以覆盖RF部整体,抑制对RF部的噪声干扰和来自RF部的噪声辐射。进而,在多模式高频电路中,为了避免各电路相互之间产生影响,一般在各电路之间设置屏蔽。尤其是,在发送系统电路和接收系统电路同时进行动作的FDD方式的W-CDMA用高频电路中,当作为RF发送信号的主要成分的发送频率信号流入接收系统电路时,LNA将饱和,因此,接收灵敏度将下降,当RF发送信号中的接收频带噪音流入接收系统电路时,信噪比恶化,接收灵敏度将下降。为此,为了避免发送系统电路的输出经由空间对接收系统电路产生影响,在发送系统电路和接收系统电路之间设置有屏蔽。此外,在RF部的屏蔽上,为了防止功率放大器的输出反馈至发送电路而引起振荡,有时采用分离功率放大器和发送电路地进行设置等方法。
在图17所示的以往的多模式高频电路的例子中,FEM200和G-PAM220这样的组、集成了GSM的收发电路的G-高频集成电路(以下称为“RF-IC:Radio Frequency Integrated Circuit”)300、用于W-CDMA的双工器100、隔离器115和W-PAM120这样的组、W-级间滤波器和作为被集成电路化的W-发送电路(Tx)的W-RF-IC130这样的组、作为集成化的W-接收电路(Rx)的W-RF-IC150、以及Xtal12,由屏蔽7(用虚线表示)而被相互分离,并且还被外部电路遮蔽。
在这样的以往的高频电路中,由屏蔽所分离的每一个电路,具有不受来自其他电路的信号干扰地进行动作的优点,但是,由于屏蔽的厚度以及屏蔽与屏蔽内的电路不接触,所以需要一定的位置对合余量,因此,出现了RF部整体面积的变大这样的问题。进而,在RF部中使用的滤波器以声表面波滤波器为代表,这种滤波器的频率特性随温度变化而发生变化,必须远离在便携电话内消耗最大功率、成为最大发热源的PA地进行配置,因此,这也成为使RF部的面积增加的主要原因。
另外,在专利文献1、2的方法中,由于没有考虑各电路之间的信号干扰的问题,当使元件间隔变窄以使模块小型化时,电路间的信号干扰将增大,性能的恶化将无法避免。
本发明的目的在于,实现抑制电路间的信号干扰并进行了小型化的多模式高频电路。
用于实现上述目的的本发明的代表性的例子如下所示。即,本发明的多模式高频电路为适合多个通信方式的多模式高频电路,包括:第1电路,处理包含在上述多个通信方式中的第1通信方式的高频发送信号;和第2电路,处理上述第1通信方式的高频接收信号,其中,在基板上安装有上述多模式高频电路的情况下,在上述第1电路与上述第2电路的最短距离间,配置有与上述第1通信方式的电路动作无关的第3电路。设置不引起第1电路与第2电路间的信号干扰的足够的距离,并且在其间设置有与第1电路、第2电路的动作没有关系的第3电路,因此,能够抑制电路间的信号干扰并有效利用基板,能够实现进行了小型化的多模式高频电路。通常,第3电路的某一个部分是接地的,因此,从第1电路、第2电路看第3电路是接地导体,将起到第1电路、第2电路间的屏蔽的效果。本发明对于第1通信方式为同时进行收发的频分双工方式的情况是尤其有效的。
表示用于实现上述目的的本发明的其他代表性的一个例子如下。即,本发明的多模式高频电路是适合多个通信方式的多模式高频电路,发送电路,输出包含在上述多个通信方式中的第1通信方式的高频发送信号;和功率放大器,放大上述发送电路输出的上述高频发送信号,其中,在上述高频电路安装在基板上的情况下,在上述发送电路与上述功率放大器的最短距离间,配置有与上述第1通信方式电路动作无关的第7电路。设置不引起功率放大器与发送电路间的信号干扰的足够的距离,并在其间配置有与功率放大器和发送电路的动作无关的第7电路,因此,能够抑制电路间的信号干扰并有效利用基板,能够期待进行了小型化的多模式高频电路的实现。由此,能够避免有可能在功率放大器和发送电路间产生的振荡。优选的是,在限制上述发送电路输出的高频发送信号的低频的第1滤波器与上述功率放大器的最短距离间配置有与上述第1通信方式的电路动作无关的第8电路。第8电路阻碍从功率放大器至第1滤波器的热传导,能抑制由功率放大器发热引起的第1滤波器的温度上升,维持第1滤波器的性能。
按照本发明,能够期待抑制了电路间的信号干扰的小型多模式高频电路的实现。
附图说明
图1A是用于说明本发明的多模式高频电路的实施方式1的结构图。
图1B是用于说明安装了实施方式1的多模式高频电路的高频电路模块的布局图。
图2是图1B的高频电路模块的A-A线剖面图。
图3A是用于比较本发明的多模式高频电路的效果的第1剖面图。
图3B是用于比较本发明的多模式高频电路的效果的第2剖面图。
图3C是用于比较本发明的多模式高频电路的效果的第3剖面图。
图3D是用于比较本发明的多模式高频电路的效果的第4剖面图。
图3E是用于比较本发明的多模式高频电路的效果的第5剖面图。
图4是用于说明本发明的多模式高频电路的效果的比较结果的附图。
图5是用于说明本发明的实施方式1的其他的布局图。
图6是用于说明本发明的实施方式2的前端模块的结构图。
图7A是用于说明实施方式2的前端模块的布局图。
图7B是用于说明实施方式2的前端模块的图案。
图8A是用于说明实施方式2的前端模块的其他布局图。
图8B是用于说明实施方式2的前端模块的其他图案。
图9是用于说明本发明实施方式3的集成电路芯片的布局图。
图10是用于说明本发明实施方式4的集成电路芯片的布局图。
图11是用于说明本发明实施方式5的集成电路芯片的布局图。
图12是用于说明本发明实施方式6的便携电话中的主印刷电路板的布局图。
图13是用于说明实施方式7的结构图。
图14是用于说明安装了实施方式7的多模式高频电路的高频电路模块的布局图。
图15是一般的便携电话的结构图。
图16是用于说明一般的便携电话的多模式高频电路的结构图。
图17是用于说明安装了图16的多模式高频电路的主印刷电路板的以往例子的布局图。
具体实施方式
以下,参照在附图中示出的几个实施方式,更详细地说明本发明的多模式高频电路。在用于说明实施方式的全部附图中,具有相同或类似的功能的部件添加相同的符号,省略对其的反复说明。
<实施方式1>
图1A、图B、以及图2表示本发明的实施方式1。本实施方式的多模式高频电路构成为安装在模块基板上的高频电路模块。图1A是多模式高频电路的结构图,图1B是高频电路模块的布局图,图2是高频电路模块的沿A-A线的剖面图。本实施方式的第1通信方式为W-CDMA,第2通信方式为GSM。GSM因频带的不同而存在GSM1(G1),GSM2(G2)。
在图1A中,W-高频电路包括W-发送电路(Tx)130、W-级间滤波器(BPF)125、W-PA121、W-输出匹配电路(W-MN)123、隔离器115、双工器(Dup)100、以及W接收电路(W-Rx)150。另外,G-高频电路包括G-发送电路230、G-PA222、G1-输出匹配电路(G1-MN)223a、G2-输出匹配电路(G2-MN)223b、G-发送滤波器(DualLPF)211、开关(SW)90、G1-接收滤波器(DualBPF)241a、G2-接收滤波器(DualBPF)241b、以及G-接收电路250。在本实施方式中,GSM为适合4个频带的4频段结构。
如上所述,本实施方式的多模式高频电路与图16所示的多模式高频电路的类似点较多,不同点如以下所述有3处。第1,GSM的前端部替代FEM,包括SP7T(Single Pole 7 Throw:单刀七掷)开关(SW)90、发送滤波器汇总了2个系统的G-双频带发送滤波器(DaulLPF)211、接收滤波器按每2个频带汇总的G-双频带接收滤波器(DualLPF)241a和G-双频带接收滤波器(DualLPF)241b。
第2,GSM和W-CDMA的发送功率放大部替代PMA,GSM侧包括G-双频带PA-IC(G-PA-ICDual)222、G1-输出匹配电路(G1-MN)223a、以及G2-输出匹配电路(G1-MN)223b,W-CDMA侧包括W-PA-IC121和W输出匹配电路(W-MN)123。
第3,W-发送电路(Tx)130、W-接收电路(W-Rx)150、G-M发送电路(G-Tx)230、以及G-接收电路(G-Rx)250被集成化在多模式RF-IC310上。
这些电路如图1B所示配置在模块基板20上,构成多模式高频电路模块10。模块基板20为玻璃陶瓷多层基板,但也可以用环氧玻璃等。如图2所示,在模块基板20内,设置接地导体30,覆盖高频电路地安装的屏蔽7通过在模块基板20内设置的通孔(via hole)与接地导体30连接。接地导体30通过别的通孔与模块基板20背面的接地端子连接。
在图1B中,用W-PA121所放大的W-CDMA的RF发送信号,经由W-输出匹配电路123、隔离器(Iso)115及第1布线31,传送至双工器(Dup)100。在从W-PA121至第1布线31的电路(第1电路)与多模式RF-IC310上的W-接收电路150(第2电路)的最短距离间,设置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路(第3电路)的G-PA222、G1-输出匹配电路223a、以及G2-输出匹配电路223b。另外,在从W-PA121至第1布线31的电路与多模式RF-IC310上的W-发送电路130的最短距离间,设置有与作为W-CDMA电路动作无关的电路(第7电路)的G-PA222、G1-输出匹配电路223a、以及G2-输出匹配电路223b。另外,在W-PA121与W-带通滤波器125(第1滤波器)的最短距离间,设置有作为与W-CDMA动作无关的电路(第8电路)的G-PA222和G2-输出匹配电路223b。
按照以上的构成,在收发同时进行动作的FDD方式的W-CDMA用高频电路中,在从处理最大功率的RF发送信号的W-PA121至第1布线31的电路和处理微小振幅的RF接收信号的W-接收电路150之间,设置不引起信号干扰的足够的距离,因此,使W-CDMA收发电路维持了高性能。进而,在此基础上,在设置了距离的部分配置与W-CDMA动作无关的G-PA222、G1-输出匹配电路223a、G2-输出匹配电路223b,因此,能够有效利用模块基板20上的面积,与不应用本发明的情况相比能够实现大幅度的小型化。另外,与W-CDMA动作无关的G-PA222、G1-输出匹配电路223a、G2-输出匹配电路223b具有接地部分,因此近似接地导体,能够更有效地抑制信号干扰。
另外,按照本实施方式,由于从W-PA121至W-发送电路130的信号干扰也被抑制得小,因此不会出现发送系统电路引起振荡的现象。进而,因为从W-PA121至W-极间波器125之间的热干扰也较小,所以能够避免因W-级间滤波器125温度上升而引起的频率特性恶化。因此,按照本实施方式,能够不产生电路间的信号干扰和热干扰,维持配置了适合多个通信方式的多个收发电路的多模式高频电路模块的高性能,并进行小型化。使用了本实施方式的高频电路模块的便携电话,能小型地实现具有高性能的RF部,因此能够实现便携电话本身体积的进一步小型化。
另外,在使用了本实施方式的高频电路模块的其他便携电话中,由于能够小型地实现具有高性能的RF部,因此可以在主印刷电路板上的空余空间添加微硬盘驱动器等其他电路。
无论在哪种情况下,本实施方式的高频电路模块都具有RF部所有的功能,并且其整体由屏蔽所覆盖,因此,即使接近BB部进行配置,也不发生RF部与BB部之间的信号干扰,能够提高主印刷电路板上的安装密度。
另外,在本实施方式中,用开关实现了GSM与W-CDMA的切换,但在GSM和W-CDMA分别具有天线的移动电话的情况下,开关与GSM天线连接,双工器与W-CDMA天线连接即可,这种情况能够使用结构比SP7T开关简单的SP6T开关,另外还能够减少W-CDMA用高频电路和天线间的损失。另外,也可以不用SP7T开关,而使用将低频信号和高频信号分配至各自的系统的双工器、SP3T开关、SP4T开关的组合。在任一种结构中,通过应用本发明都能够得到与本实施方式相同的效果。
这里,以5种基板为例说明本发明的效果。图3A-图3E为基板剖面图,图3A表示在基板22上相互邻接形成了布线31、32的情况,图3B表示进一步夹持了悬浮导体33的情况,图3C表示夹持了接地导体30的情况,图3D表示夹持了在一侧具有接地导体34a的悬浮导体33的情况,图3E表示夹持了在两侧具有接地导体34a、34b的悬浮导体33的情况。
基板22是介电常数为7.8,tanδ为0.002的玻璃陶瓷基板,厚度为400μm。在基板22的内层设置接地导体30。在基板22的表面,隔开间隔D地设置第1布线31和第2布线32。第1布线31和第2布线32的宽度为300μm。布线导体的电导率为4×107S/m,厚度为10μm。另外,在第1布线31和第2布线32之间仅设置了导体图案33的情况下,导体图案33将变为电位不恒定的悬浮导体。由通孔41a、41b将导体图案33与接地导体30连接后,导体图案33变为接地导体。进而,设置导体图案34a、34b,由通孔41a、41b将其与接地导体30连接,在导体图案34a、34b之间设置导体图案33后,导体图案33成为夹持在接地导体中的悬浮导体。这里,设置导体图案34a,由通孔41a将其连接在接地导体30上,导体图案34a和第2布线32之间设置导体图案33后,导体图案33成为在一侧具有接地导体的悬浮导体。设定导体图案33和第1布线31之间、导体图案33和第2布线32之间的间隔均为100μm,导体图案34a、34b的宽度均为200μm,导体图案34a和第1布线31之间的间隔、导体图案34b和第2布线32之间的间隔、导体图表33和导体图案34a、34b之间的间隔均为100μm。
干扰减少的效果用串扰(crosstalk)量进行表示。在设置了具有5nm长度的图3A~图3E的结构的布线的情况下,由电磁场分析来求出第1布线31和第2布线32的布线间距离D[mm]与串扰[dB]的关系的结果的曲线图如图4所示。该曲线图所示的串扰,是在作为W-CDMA的接收频带的2.11~2.17GHz中,出现在从第1布线31的信号输入端至第2布线32的、离第1布线31的信号输入端最近的端的串扰、所谓近端串扰的最大值。如图4所示,与只有布线的情况相比,在存在悬浮导体的情况中,即使为相同的距离串扰也将变得更大。这是因为经由成为悬浮导体的导体图案33,第1布线31和第2布线32引起电容性耦合的缘故。对此,在将导体图案33取为接地导体的情况下,接地导体实现屏蔽的作用,与只具有布线的情况相比,串扰将变小。在具有在两侧具有接地导体的悬浮导体的情况下,布线间距离大于等于2mm就能得到与只有接地导体的情况大致相等的串扰。另外,在具有在一侧具备接地导体的悬浮导体情况下,布线间距离大于等于3mm就能得到与只有布线的情况近似的串扰。
图3A~图3E所示的基板剖面为相当于高频电路模块基板或便携电话的主印刷电路板的剖面。在将第1布线取为处理W-CDMA的RF发送信号的电路,将第2布线取为处理W-CDMA的RF接收信号的电路时,以往为防止两者间的信号干扰,一般用图3A的结构将布线间距离取得较宽,或者用图3C的结构在布线间设置接地导体。在图3C的情况下,与W-CDMA电路动作无关的电路不得不配置在布线的外侧,无法避免基板面积的增大。
与此不同,在本实施方式中,与W-CDMA电路动作无关的电路被设置在第1布线31和第2布线32之间。首先,假设2个W-CDMA电路分别相当于第1布线31和第2布线32,进而与W-CDMA电路动作无关的电路相当于导体图案33,导体图案33为悬浮导体。从图4的A点可知:在图3B的结构中,在将第1布线31和第2布线32间的干扰取为小于等于-40dB的情况下,将布线间距离D取为5mm即可。能够在作为该5mm的布线间距离的布线间区域22a上,配置例如宽度d1为4mm的导体图案33。另一方面,从图4的B点可知:在图3A的结构中,在将第1布线31和第2布线32间的干扰取为小于等于-40dB的情况下,布线间距离D需要2mm。进而,在图3A的结构的情况下,布线间的区域22a以外的位置,例如在图3A的22b所示的基板22上的区域,需要设置导体图案33,将导体图案33的宽度d1取为4mm时,还包括为避免导体图案33和第1布线31或第2布线32相接触而设置的间隙,在布线间方向上总计需要6mm或6mm以上。这里,所谓布线间方向是与布线间距离D平行的方向,d1是导体图案33的布线间方向的宽度。这样,在导体图案33的宽度例如为4mm的情况下,在第1布线31和第2布线32间配置导体图案33的图3B与图3A相比,能够减小布线间方向的基板宽度。即,在与导体W-CDMA电路动作无关的电路非常大、即导体图案33的宽度取得非常大的情况、在可以不充分地降低第1布线31和第2布线32间的信号干扰的情况、或者在布线长度较短的情况等,通过如图3B那样只是在第1布线31和第2布线32间设置悬浮导体,就能够有效利用基板上的面积。
在作为悬浮导体的导体图案33的宽度d1较窄的情况或需要充分降低第1布线31和第2布线32间的信号干扰的情况下,可以采取图3D或图3E的结构。在第1布线31和作为悬浮导体的导体图案33间至少设置接地导体34a后,布线间距离大于等于3mm就能够实现与在布线间存在接地导体的情况大致相同的串扰,并能够有效利用基板上的面积。
以上假设了导体图案33为悬浮导体。但是,一般相当于导体图案33的、与W-CDMA电路动作无关的电路具有接地部分,因此近似为接地导体,能够比图3B的结构得到更好的干扰降低的效果,因此能够促进基板面积的有效利用。图3D、图3E的结构相当于后面使用图8和图9进行说明的例子。这里,在图3D、图3E的结构和图3A、图3C的结构中的串扰量的关系随基板的介电常数、厚度及布线长度的变化而变化,因此,在本实施方式中描述的布线间距离等数值仅为一个例子,并不限制本发明的适用范围。
接着,对于多模式RF-IC310,W-发送电路130(第1发送电路)和W接收电路150(第1接收电路)分别配置在多模式RF-IC310芯片的对角线上的不同的角。进而,在两者的最短距离间配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路(第11电路)的GSM发送电路230和其他未图示的电路。通过这样的结构,能够实现在多模式RF-IC310芯片上在W-发送电路130和W-接收电路150间可取得的最大距离,最大程度地降低信号干扰,保持高性能的状态,在空余空间设置对W-动作无影响的电路,有效地利用芯片面积,从而能够小型地实现集成了多模式高频电路的多模式RF-IC。
本实施方式的多模式RF-IC,在以面朝上地安装于使用它的装置的基板上为前提的情况下,如图5所示,在W-发送电路130上设置有输出焊盘61,在W接收电路150上设置输入焊盘62。输出焊盘61和安装有多模式RF-IC310的基板上的布线由输出导线71进行焊接连接,输入焊盘62和安装有多模式RF-IC的基板上的其他布线由输入导线72进行焊接连接。这里,由于输出导线71和输入导线72的方向设置为正交的方向,因此能够将两导线之间的磁场耦合抑制得较低。由此,即使在基板上安装了多模式RF-IC310的实际使用状态下,不会增加从发送系统至接收系统的信号的漏泄。另外,在本实施方式中,输出焊盘61、输入焊盘62与安装有多模式RF-IC310的基板上的布线之间的连接使用了焊接导线,但是,用设置在柔性印刷电路基板上的布线来连接芯片上的焊盘和基板上的布线的结构等,也可以得到同样的效果。
<实施方式2>
图6、图7A及图7B表示本发明的实施方式2。本实施方式的多模式高频电路相对于实施方式1,从干扰降低的观点出发,对包括双工器100的前端部即多模式前端部进行了模块化,图6为它的电路结构图,图7A、图7B为多模式FEM11各自的布局图和内层图案。
双工器100包括W-发送滤波器(TxBPF)110、W-接收滤波器(RxBPF)、移相电路(-)101及移相线路(+)102。移相电路101,如图6所示,在串联连接的2个电容C的连接点上连接有与接地相连接的电感。在本实施方式中,W-发送滤波器110和W-接收滤波器140均为BPF,但根据使用的通信方式可以采取LPF和高通滤波器的组合。W-发送滤波器110的一端为连接至W-发送系统电路的连接端子,另一端与移相电路101连接。W-接收滤波器140的一端为连接至W-接收电路(W-接收电路150)的连接端子,另一端与移相线路102连接。这里,在本实施方式中,将W-接收滤波器140的至W-接收电路150的连接端子取为耐噪性能出色的差动结构,但是,在不太要求耐噪声性能的用途上,也可以使用不平衡的结构。作为移相电路101和移相线路102的连接点的双工器的公共端子9,通过开关90与天线1连接。
另外,G-发送滤波器211的一端为至G-发送电路系统的连接端子,另一端与开关90连接,G-接收滤波器241a、241b的一端为连接至G-接收电路系统(G-接收电路250)的连接端子,另一端与开关90连接。
以下,说明双工器100分配RF发送信号只从发送系统电路至天线和RF接收信号只从天线至接收系统电路的原理。移相电路101在W-发送频率中,具有对天线(本实施方式为经由开关的天线1)的阻抗和W-发送滤波器110的阻抗这两者取为匹配的特性阻抗,从W-发送滤波器110至天线几乎无损地传输功率。另一方面,在W-接收频率中,由于W-发送滤波器110的阻抗与发送频率中的阻抗不同,因此,使相位旋转,以使得该阻抗在公共端子9看是开路的。
同样地,移相线路102,在W-接收频率中,具有对天线的阻抗和W-接收滤波器140的阻抗这两者取为匹配的特性阻抗,从天线到接收滤波器几乎无损地传输功率。另一方面,在W-发送频率中,使相位旋转,以使得W-接收滤波器140的阻抗从公共端子9看是开路的。由此,在W-发送频率、W-接收频率各自的频率中,从公共端子9看不使用的滤波器是断开的,即看过去是不连接的,因此,在双工器100中,分配RF发送信号只从发送系统电路至天线侧和RF接收信号只从天线至接收系统电路侧。
这里,在本实施方式中,对于使滤波器与公共端子9之间的相位旋转的电路,在发送侧使用了相位超前的类型的移相电路,在接收侧使用了位相滞后的移相线路,但是,由于要旋转的相位量因使用的滤波器的频带之外的阻抗值不同而不同,因此,也可以与使用的滤波器一致,使用本实施方式的组合之外的组合。另外,在想要延迟滤波器与公共端子9之间的位相的情况下,也可以使用本例的移相线路之外的其他电路或以替换在本例的移相电路中的C和L的电路为代表的相位延迟类型的移相电路。
以上结构的多模式前端部,如图7A所示的那样,安装在模块基板21上,作为多模式FEM11而被组装。移相线路102和G-双频带发送滤波器212,如图7B所示那样,在模块基板21内由导体图案所形成。另外,在安装模块基板21的部件的表层与形成移相线路101和G-双频带发送滤波器211的内层之间,设置有接地导体面(未图示)以避免引起表层-内层间的信号干扰。
在多模式FEM11中,在处理W-CDMA方式的RF收发信号的双工器100的W-发送滤波器110和W-接收滤波器140的最短距离间,配置作为与W-CDMA方式电路动作无关的电路(第4电路)的G-双频带接收滤波器241a。采取这样的结构,能够在处理收发同时进行动作的FDD方式的RF发送信号的W-发送滤波器110和处理RF接收信号的W-接收滤波器140间取得只是不引起信号干扰的足够的距离。由此,能够在保持高性能的状态下,在空余空间设置不影响W-CDMA动作的G-双频带接收滤波器241a,因此,能够有效利用模块基板21的面积,小型地实现安装了多模式高频电路的多模式FEM。
其次,在W-发送滤波器110和G-双频发送滤波器241a之间设置接地导体图案,在W-接收滤波器140和G-双频带接收滤波器241a之间设置其他的接地导体图案,由此,能够进一步提高降低干扰的效果。这样构成的多模式FEM11如图8A、图8B所示。图8A是FEM的布局图,图8B是基板21的表层图案。在表层形成有接地导体图案35a和接地导体35b。另外,移相电路101由无源元件103构成。接地导体图案35a配置在W-发送滤波器110和G-双频发送滤波器241a之间,接地导体35b配置在G-双频带接收滤波器241a和W-接收滤波器140之间。
接地导体图案35a、35b,由通孔(未图示)连接在模块基板21内层的接地导体面(未图示)。另外,G-双频带接收滤波器241a的接地端子设置有导体图案,使得分别连接在接地导体表面35a、35b上。
根据这种结构,与图7A的FEM21同样,在W-CDMA发送滤波器110与W-CDMA接收滤波器140间取得只是不引起信号干扰的足够的距离,从而保持高性能的状态,能够有效利用模块基板面积,小型地实现安装了多模式高频电路的多模式FEM。此外,如实施方式1所述,在W-发送滤波器110、G-双频带接收滤波器241a及作为第4电路的W-CDMA接收滤波器140之间分别设置接地导体,因此,能够进一步降低从发送系统至接收系统的信号漏泄。另外,根据干扰降低的目标,接地导体图案的设置也可以采用接地导体图案35a或接地导体35b中的任一者。
<实施方式3>
图9表示本发明的实施方式3。本实施方式的多模式高频电路相对于实施方式1,在多模式RF-IC310中提高了接地效果。在本实施方式中,在W-发送电路130(第1发送电路)与W-接收电路150(第2接收电路)的最短距离间配置作为与W-CDMA电路动作无关的电路(第10电路)的G-接收电路250。由此,在W-CDMA电路130和W-CDMA接收电路150间取得只是不引起信号干扰的足够的距离,从而保持高性能的状态,能够在空余空间设置不影响W-CDMA动作的GSM接收电路250,因此,能够有效利用芯片面积,小型地实现集成了多模式高频电路的多模式RF-IC。
进而,本实施方式的多模式RF-IC310,以在使用它的装置的基板上安装倒装片为前提,在W-发送电路130上设置输出凸块(bump)51,在W接收电路150上设置输入凸块52,在G-发送电路230上设置接地凸块53。接地凸块53分别设置在W-发送电路130侧和W-接收电路150侧,将其与多模式RF-IC310所使用的装置基板上的接地导体连接,从而接地凸块53与接地导体相同。由此,如实施方式1所述,能得到与在作为第1发送电路的W-发送电路130、作为第10电路的G-接收电路250、作为第1接收电路的W-接收电路150各自的电路之间至少设置了一个接地导体的情况相同的效果,能够进一步降低从发送系统至接收系统的信号的漏泄。根据干扰降低的目标,接地凸块53的设置也可以取为W-发送电路130侧或W-接收电路150侧中的任一者。
<实施方式4>
图10表示本发明的实施方式4。本实施方式的多模式高频电路相对于实施方式1,集成化多模式RF-IC310和图15所示的BB-LSI4,重新作为BB-LSI400。在BB-LSI400中的多模式高频部的配置与在图1B或图5所示的多模式RF-IC310中的配置是相同的。BB-LSI400配置在例如图1B中的多模式RF-IC310的位置上。
通过以上的BB-LSI400的结构,保持降低了W-发送电路130和W-接收电路150间的信号干扰的状态,在空闲空间设置不影响W-CDMA动作的电路,从而有效利用芯片上的面积,因此,能够高性能且小面积地实现BB-LSI400芯片上的多模式高频电路部。因此,能够以小面积实现集成了多模式高频电路的BB-LSI400芯片。这样实现的BB-LSI400芯片是小型的,从而能够以一次晶片(wafer)工艺得到多个芯片,因此能够降低芯片价格。
<实施方式5>
图11表示本发明的第5实施方式。本实施方式的多模式高频电路的结构与图1A所示的相同。图11是安装了上述多模式高频电路的高频电路模块的布局图。本实施方式的第1通信方式为W-CDMA,第2通信方式为GSM。与实施方式1的图1A、图1B所示的高频电路模块的不同点为以下4处。第1,替代双工器100,使用作为双工器电路的构成要素的W-发送滤波器(TxBPF)110、W-接收滤波器(RxBPF)140、移相电路(-)101及移相线路102。第2,替代W-PA121和G-双频带PA222,使用将两者集成在一个芯片上的多模式PA-IC320。第3,通过提高WPA121的损坏耐压,将不需要隔离器。第4,替代G-双频带发送滤波器211,使用两个G-发送滤波器210a、210b。G-双频带PA包括G1-PA221a和G2-PA221b。
本实施方式的高频电路模块如以下那样,在模块基板20上配置有W-CDMA方式和GSM方式的高频电路10。首先,在处理W-CDMA的RF发送信号的W-PA121、W-输出匹配电路123、W-发送滤波器110、移相电路101与处理W-CDMA的RF接收信号的W-接收电路150的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的GSM方式电路的G1-PA221a、G2-PA221b、G-发送滤波器210a、G发送电路230、以及G-接收电路250。
其次,在输出W-CDMA的RF发送信号的W-发送电路130与放大由W-发送电路130所输出的RF发送信号的W-PA121的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的GSM方式电路的G1-PA221a和G1-输出MN223a。另外,在W-PA121与对W-CDMA的RF发送信号进行频带限制的W-级间滤波器125的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的GSM方式的电路的G1-PA221a。进而,在W-PA121与对W-CDMA的RF接收信号进行频带限制的W-接收滤波器140(第2滤波器)的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路的动作无关的GSM方式的电路(第9电路)的G1输出匹配电路233a、G-发送电路230、以及G-接收电路250。
在本实施方式中,GSM方式的收发电路适合频带1、2、3、4这4个频带。作为处理GSM的频带1、2(第1频带)的RF发送信号的电路(第5电路)的G1-PAA221a、G1-输出匹配电路223a及G1-发送滤波器210a被包含在配置于处理上述W-CDMA的RF发送信号的W-PA121、W-输出匹配电路123、W-发送滤波器110、移相电路101、以及处理W-CDMA的RF接收信号的W-接收电路150的最短距离间的电路中。作为处理GSM的频带3、4(第2频带)的RF发送信号的电路(第6电路)的G2-PA221b、G2-输出匹配电路223b、以及G2-发送滤波器210b,由于不包含在这些电路中,其结果是,在处理GSM的频带1、2的RF发送信号的G1-PA221a、G1-输出匹配电路223a、G1发送滤波器210a,与处理GSM的频带3、4的RF发送信号的G2-PA221b、G2-输出匹配电路223b、以及G2-发送滤波器210b之间的最短距离间,配置作为与GSM电路动作无关的W-CDMA方式的电路的W-PA121、W-输出匹配电路、W-发送滤波器110、以及移相电路101。
通过这样的结构,在W-CDMA动作中,能分别降低从W-CDMA的发送系统至接收系统的信号干扰、从W-CDMA的功率放大器至发送电路的信号干扰、从W-CDMA的功率放大器至级间滤波器或接收滤波器的热干扰。因此,可以实现良好的接收灵敏度、不引起振荡现象的输出特性、低杂散辐射等优良的性能,使多模式高频模块的面积小型化。
进而,在GSM动作中,处理GSM频带1、2的RF发送信号的电路和处理频带3、4的RF发送信号的电路的最短距离间由于设置与GSM动作无关的电路,从而离得足够远,能够降低频带3、4的RF发送信号的高频耦合于处理频带1、2的RF发送信号的电路的、所谓的交叉频带耦合,所以在GSM动作中也可以实现降低杂散辐射方式的优越性能。
另外,在本实施方式的高频电路模块10中,在构成W-CDMA的双工器的W-发送滤波器110与W-接收滤波器140的最短距离间,配置有作为与W-CDMA动作无关的电路的G1-发送滤波器210a或G-双频带接收滤波器21b等。进而,在模块基板20的内层,由导体图案所形成的移相线路102,从双工器的公共端子9至W-接收滤波器140的RF接收信号路径,与从放大W-CDMA的RF发送信号的W-PA121的输出端子经由W-输出匹配电路123、W-发送滤波器110及移相电路101至公共端子9的RF发送信号路径,在大部分的区间内在几乎正交的方向上配置。
通过这样的结构,在W-CDMA动作中,能够降低从W-CDMA的发送滤波器至接收滤波器的信号干扰,因此,能够实现良好的接收灵敏度,并能够小型化多模式高频模块的面积。并且,在本实施方式的高频电路模块的W-CDMA动作中,能够降低在处理最大RF发送信号的路径和处理最小的RF接收信号的路径之间的磁场耦合,因此能够实现更高的接收灵敏度。
<实施方式6>
图12表示本发明的实施方式6。在本实施方式中,多模式高频电路安载在便携电话中的主印刷电路板上。图12为其布局图。安装在上述高频电路模块的高频电路与图1A所说明的电路结构相同,本实施方式的第1通信方式为W-CDMA,第2通信方式为GSM。
安装在主印刷电路板5上的多模式高频电路,包括多模式FEM11、隔离器115、安装了W-PA121、G-双频带PA222及各自的匹配电路的多模式PAM12、W-级间滤波器125、多模式RF-IC310、Xtal3、以及其他电路8。
这些电路由屏蔽7所屏蔽,能防止与BB部(未图示)的电磁干扰。多模式FEM11的天线端子与主印刷电路板上的天线端子6电连接,在天线端子6上连接有天线1(未图示),进行RF部与天线间的信号收发。另外,在本实施方式所使用的多模式FEM11已经在图8A、8B所示的实施方式2中进行了说明。另外,多模式RF-IC310,是通过将图5所示的实施方式1所说明的电路安装在引线框来进行塑封,从而进行了封装化的集成电路。
在本实施方式中,在处理W-CDMA的RF发送信号的W-PA121、隔离器112与处理W-CDMA的RF接收信号的W-接收电路150的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的电路的其他电路8和G-接收电路250。其次,在输出W-CDMA的RF发送信号的W-发送电路130与放大从W-发送电路130所输出的RF发送信号的W-PA121的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的GSM方式的电路的G-双频带PA222。另外,在放大W-CDMA的RF发送信号的W-PA121与对W-CDMA的RF发送信号进行频带限制的W-级间滤波器125的最短距离间,配置有作为与W-CDMA电路动作无关的GSM方式的电路的G-PA222。
通过这样的结构,在W-CDMA动作中,能分别降低从W-CDMA发送系统至接收系统的信号干扰、从W-CDMA的功率放大器至发送电路的信号干扰、从W-CDMA的功率放大器至级间滤波器的热干扰。因此,能实现良好的接收灵敏度,不引起振荡现象的输出特性,低杂散辐射等优良的性能,并能够小型化便携电话的主印刷电路板中的RF部。
本实施方式中的其他电路8与W-CDMA动作无关,可以使用用于G-接收电路250、G-发送电路230或G-双频带PA222等的电源旁路电容,也可以在能够具有主印刷电路板的布局的合适空间的情况下设置接地导体。另外,也可以在其他电路8的位置上,在屏蔽7与主印刷电路板5之间设置维持屏蔽7与主印刷电路板5的间隔的增强导体。这样的增强导体能够由G-接收电路250等,在W-PA121、隔离器115与W-接收电路150的最短距离间充分隔开至不引起信号干扰的程度,因此,即使没有完全分离多模式PAM12与多模式RF-IC310的空间的屏蔽效果也是没有关系的。
<实施方式7>
图13、图14表示本发明的实施方式7。本实施方式的多模式高频电路适合频带不同的两个W-CDMA,图13为其电路结构图,图14为安装了相同多模式高频电路的高频电路模块的布局图。本实施方式的第1通信方式为W-CDMA,第2通信方式为使用第2频带的W-CDMA。
安装在本高频电路模块中的高频电路,使用第1频带的W-CDMA用的电路包括双工器(Dup1)100a、W-PA121a、W-级间滤波器(BPF1)125a、W-发送电路(W1-Tx)130a、以及W-接收电路(W1-Rx)150a。另外,使用第2频带的W-CDMA用的电路包括双工器(Dup2)100b、W-PA121b、W-级间滤波器(BPF2)125b、W-发送电路(W2-Tx)130b、以及W-接收电路(W2-Rx)150b。双工器100a与双工器100b的公共端子与各自的开关(SW)95连接,由开关95切换天线1与哪一个双工器连接。另外,W-PAM121a和W-PAM121b集成在W-双频带PA122上,W-发送电路130a、130b和W-接收电路150a、150b集成在W-双频RF-IC305上。另外,在本实施方式中,使用对PA提高了耐压的器件,因此在本结构中不使用隔离器。另外,双工器100a与图6所示同样地、包括W-发送滤波器110a、移相电路(-1)101a、以及未图示的移相线路(+1)。其次,双工器100b包括W-发送滤波器110b、移相电路(-2)101a、以及未图示的移相线路(+2)。
在本实施方式中,如图14所示,多模式高频电路模块13如下述那样在模块基板23上安装以上的电路和Xtal13。首先,在将使用第1频带的W-CDMA方式的动作作为基准时,在处理使用第1频带的W-CDMA的RF发送信号的W-PA121a、W-输出匹配电路123a、W-发送滤波器110a、移相电路101a,与处理使用第1频带的W-CDMA的RF接收信号的W-接收电路150a的最短距离间配置与使用第1频带的W-CDMA电路动作无关的、使用第2频带的W-CDMA电路即W-PA121b、W-输出匹配电路123b、W-发送滤波器110b、以及移相电路101b。另外,在输出使用第1频带的W-CDMA的RF发送信号的W-发送电路130a与放大从W-发送电路130a所输出的RF发送信号的W-PA121a的最短距离间,配置有与使用第1频带的W-CDMA电路动作无关的、使用第2频带的W-CDMA电路即W-PA121b、以及W-双频带RF-IC305上的其他电路等。进而,在放大使用第1频带的W-CDMA的RF发送信号的W-PA121a与对使用第1频带的W-CDMA的RF发送信号进行频带限制的W-级间滤波器125a的最短距离间,配置有与使用第1频带的W-CDMA电路动作无关的、使用第2频带的W-CDMA电路即W-PA121b。
其次,在将使用第2频带的W-CDMA方式的动作作为基准时,在处理使用第2频带的W-CDMA的RF发送信号的W-PA121b、W-输出匹配电路123b、W-发送滤波器110b、移相电路101b,与处理使用第2频带的W-CDMA的RF接收信号的W-接收电路150b的最短距离间,配置有与使用第2频带的W-CDMA电路动作无关的、使用第1频带的W-CDMA电路即W-接收电路150a、W-双频带RF-IC305上的附加电路、以及其他电路8。另外,在输出使用第2频带的W-CDMA的RF发送信号的W-发送电路130b与放大从W-发送电路130b输出的RF发送信号的W-PA121b的最短距离间,配置有作为与使用第2频带的W-CDMA电路动作无关的电路的W-双频带RF-IC305上的附加电路和其他电路8。进而,在放大使用第2频带的W-CDMA的RF发送信号的W-PA121b与对使用第2频带的W-CDMA的RF发送信号进行频带限制的W-级间滤波器125b的最短距离间,配置有作为与使用第2频带的W-CDMA电路动作无关的电路的其他电路8。这里,在本实施方式中的其他电路8上,能应用对使用W-CDMA双频带RF-IC305的第1频带的W-CDMA电路等进行供电的电源电路的旁路电容。
通过以上构成,在使用第1频带的W-CDMA高频电路、使用第2频带的W-CDMA高频电路的任一者中,在使一者的高频电路动作的情况下,能够分别降低从发送系统至接收系统的信号干扰、从功率放大器至发送电路的信号干扰、从功率放大器至级间滤波器的热干扰。因此,能够实现良好的接收灵敏度、不引起振荡现象的输出特性、低杂散辐射等优良的性能,并能够小型化安装了适合两个W-CDMA频带的多模式高频电路的高频模块。

Claims (20)

1.一种适合多个通信方式的高频电路,其特征在于,包括:
第1电路,处理包含在上述多个通信方式中的第1通信方式的高频发送信号;和
第2电路,处理上述第1通信方式的高频接收信号,
其中,在上述高频电路安装在基板上的情况下,在上述第1电路与上述第2电路的最短距离间,配置有与上述第1通信方式的电路动作无关的第3电路。
2.根据权利要求1所述的高频电路,其特征在于:
上述第1通信方式是频分双工方式。
3.根据权利要求1所述的高频电路,其特征在于:
包括双工器,处理上述第1通信方式的收发信号,
上述双工器具有发送滤波器和接收滤波器,
在上述发送滤波器和上述接收滤波器的最短距离间,配置有与上述第1通信方式电路动作无关的第4电路。
4.根据权利要求3所述的高频电路,其特征在于:
在上述发送滤波器和上述第4电路间、上述第4电路和上述接收滤波器间的至少一者,设置有接地导体。
5.根据权利要求3所述的高频电路,其特征在于:
从上述双工器的公共端子至上述接收滤波器的高频接收信号路径,与从处理上述第1通信方式的发送信号的功率放大器的输出端子经由上述发送滤波器至上述公共端子的高频发送信号路径,在大部分的区间内大致正交。
6.根据权利要求1所述的高频电路,其特征在于:
上述第3电路,是处理包含在上述多个通信方式中的第2通信方式的高频发送信号的电路和处理高频接收信号的电路中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的高频电路,其特征在于:
上述第2通信方式是时分双工方式。
8.根据权利要求1所述的高频电路,其特征在于:
还包括
第5电路,处理包含在上述多个通信方式中的第2通信方式的第1频带的高频发送信号;和
第6电路,处理上述第2通信方式的第2频带的高频发送信号,
上述第5电路包含在上述第3电路中,上述第6电路不包含在上述第3电路中。
9.根据权利要求8所述的高频电路,其特征在于:
在上述第5电路和上述第6电路的最短距离间配置有上述第2电路。
10.根据权利要求8所述的高频电路,其特征在于:
包括
第1发送电路,输出包含在上述第1电路中的上述第1通信方式的高频发送信号;
第1接收电路,输入包含在上述第2电路中的上述第1通信方式的高频接收信号;
第2发送电路,输出包含在上述多个通信方式中的第2通信方式的高频发送信号;以及
第2接收电路,输入上述第2通信方式的高频接收信号,
上述第1发送电路、上述第1接收电路、上述第2发送电路、以及上述第2接收电路被集成在集成电路芯片上。
11.根据权利要求10所述的高频电路,其特征在于:
上述第1发送电路和上述第1接收电路相互形成在上述集成电路芯片的对角线上的各自的角上。
12.根据权利要求11所述的高频电路,其特征在于:
在上述第1发送电路与上述第1接收电路的最短距离间,配置有与上述第1通信方式的电路动作无关的第10电路。
13.根据权利要求11所述的高频电路,其特征在于:
在上述第1发送电路与上述第10电路间、上述第10电路与上述第1接收电路间的至少一者,设置有至少一个接地导体。
14.根据权利要求10所述的高频电路,其特征在于:
上述第1发送电路的输出端子和上述第1接收电路的输入端子各自所连接的导线的方向是正交的。
15.根据权利要求10所述的高频电路,其特征在于:
上述高频电路的一部分,生成输入至上述多个发送电路的基带发送信号,并且集成在输入由上述多个发送电路所输出的基带接收信号的基带大规模集成电路上。
16.一种适合多个通信方式的高频电路,其特征在于,包括:
发送电路,输出包含在上述多个通信方式中的第1通信方式的高频发送信号;和
功率放大器,放大上述发送电路输出的上述高频发送信号,
其中,在上述高频电路安装在基板上的情况下,在上述发送电路与上述功率放大器的最短距离间,配置有与上述第1通信方式电路动作无关的第7电路。
17.根据权利要求16所述的高频电路,其特征在于:
还包括限制上述高频发送信号的频带的第1滤波器,
在上述功率放大器与上述第1滤波器间的最短距离间,配置有与上述第1通信方式电路动作无关的第8电路。
18.根据权利要求16所述的高频电路,其特征在于:
还包括限制上述第1通信方式的高频接收信号的频带的第2滤波器,
在上述功率放大器与上述第2滤波器的最短距离间,配置有与上述第1通信方式的电路动作无关的第9电路。
19.一种高频电路,其特征在于,包括:
第1电路,处理安装在基板上的码分多址方式的发送信号;
第2电路,处理安装在上述基板上的码分多址方式的接收信号;以及
第3电路,安装在上述基板上,配置在上述第1电路与上述第2电路的最短距离之间,
其中,上述第3电路,是处理时分多址方式的发送信号的电路和处理接收信号的电路中的至少一者。
20.根据权利要求19所述的高频电路,其特征在于:
上述第1电路包括处理上述码分多址方式的发送信号的功率放大器,
上述第3电路包括处理上述时分多址方式的发送信号的功率放大器,
上述第2电路被集成在半导体电路芯片上。
CN2006100850213A 2005-06-06 2006-05-30 多模式高频电路 Expired - Fee Related CN1881810B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP165098/2005 2005-06-06
JP2005165098A JP4521602B2 (ja) 2005-06-06 2005-06-06 マルチモード高周波回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1881810A true CN1881810A (zh) 2006-12-20
CN1881810B CN1881810B (zh) 2010-08-18

Family

ID=37494776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006100850213A Expired - Fee Related CN1881810B (zh) 2005-06-06 2006-05-30 多模式高频电路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8391821B2 (zh)
JP (1) JP4521602B2 (zh)
CN (1) CN1881810B (zh)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101771424A (zh) * 2009-01-05 2010-07-07 启碁科技股份有限公司 用于一无线信号收发器的射频电路及相关无线信号收发器
CN101902241A (zh) * 2009-05-26 2010-12-01 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN102110033A (zh) * 2009-12-28 2011-06-29 株式会社日立制作所 Lsi、铁道用失效保护lsi、电子装置、铁道用电子装置
CN103635020A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN103635021A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN107113019A (zh) * 2014-12-25 2017-08-29 株式会社村田制作所 高频模块
CN107113018A (zh) * 2014-12-25 2017-08-29 株式会社村田制作所 高频模块
CN108233974A (zh) * 2016-12-14 2018-06-29 株式会社村田制作所 收发模块
CN108233976A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 株式会社村田制作所 高频模块
CN108886378A (zh) * 2016-03-31 2018-11-23 株式会社村田制作所 前置电路和高频模块
CN109743072A (zh) * 2018-12-26 2019-05-10 深圳市万普拉斯科技有限公司 一种移动终端信号收发装置及其控制方法
CN109792260A (zh) * 2016-09-30 2019-05-21 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN110710118A (zh) * 2017-06-02 2020-01-17 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN111865337A (zh) * 2019-04-03 2020-10-30 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1555864A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-20 Thomson Licensing S.A. RF circuit with stacked printed circuit boards
US7383024B2 (en) * 2005-09-30 2008-06-03 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Multi-band handset architecture
TWI355840B (en) * 2006-12-07 2012-01-01 Wistron Neweb Corp Communication device capable of simultaneously ope
JP2008219174A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 携帯端末装置
US9723709B2 (en) * 2007-10-22 2017-08-01 Todd Steigerwald Method for assigning control channels
US7729724B2 (en) * 2007-11-19 2010-06-01 Broadcom Corporation RF front-end and applications thereof
US8279913B2 (en) * 2008-03-19 2012-10-02 Intel Mobile Communications GmbH Configurable transceiver
TWI388144B (zh) * 2008-12-23 2013-03-01 Wistron Neweb Corp 用於一無線訊號收發器之射頻電路及其相關無線訊號收發器
WO2010137405A1 (ja) * 2009-05-27 2010-12-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR101565995B1 (ko) * 2009-07-16 2015-11-05 삼성전자주식회사 듀얼-입력 듀얼-출력의 필터를 이용한 멀티-대역의 라디오 주파수 신호 송수신 시스템
US9319214B2 (en) 2009-10-07 2016-04-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-mode power amplifier architecture
US8369250B1 (en) * 2009-10-07 2013-02-05 Rf Micro Devices, Inc. Multi-mode split band duplexer architecture
US8768267B2 (en) * 2010-02-03 2014-07-01 Hollinworth Fund, L.L.C. Switchless band separation for transceivers
CN101882941A (zh) * 2010-07-07 2010-11-10 中兴通讯股份有限公司 一种全球移动通讯系统四频收发的装置及设备
CN103125078B (zh) * 2010-09-29 2015-02-11 株式会社村田制作所 高频模块
JP5660450B2 (ja) * 2010-12-28 2015-01-28 日立金属株式会社 回路基板およびそれを用いた通信装置
CN102123466B (zh) * 2011-01-18 2014-01-08 华为技术有限公司 多模终端减少频段干扰方法、多模终端及网络设备
WO2012118874A2 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Thomson Licensing Apparatus and method for processing a radio frequency signal
CN103490793B (zh) * 2012-06-12 2015-08-19 太阳诱电株式会社 高频电路模块
JP5143972B1 (ja) 2012-08-16 2013-02-13 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US9295157B2 (en) 2012-07-13 2016-03-22 Skyworks Solutions, Inc. Racetrack design in radio frequency shielding applications
JP5342704B1 (ja) * 2012-11-12 2013-11-13 太陽誘電株式会社 高周波回路モジュール
US9788466B2 (en) * 2013-04-16 2017-10-10 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods related to ground paths implemented with surface mount devices
WO2015008557A1 (ja) 2013-07-16 2015-01-22 株式会社村田製作所 フロントエンド回路
JP5456935B1 (ja) * 2013-10-30 2014-04-02 太陽誘電株式会社 回路モジュール
JP5949753B2 (ja) * 2013-12-27 2016-07-13 株式会社村田製作所 フロントエンド回路
KR102428141B1 (ko) * 2014-02-25 2022-08-02 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 향상된 무선-주파수 모듈들에 관한 시스템들, 디바이스들 및 방법들
JP6409873B2 (ja) 2014-07-15 2018-10-24 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US10447458B2 (en) * 2014-08-13 2019-10-15 Skyworks Solutions, Inc. Radio-frequency front-end architecture for carrier aggregation of cellular bands
JP6376291B2 (ja) 2015-06-03 2018-08-22 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路
KR102624466B1 (ko) * 2017-01-12 2024-01-15 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치 및 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치에서 스위칭 방법
CN107332573B (zh) * 2017-07-25 2021-04-13 Oppo广东移动通信有限公司 一种射频电路、天线装置及电子设备
DE102018127148A1 (de) * 2017-11-30 2019-06-06 Intel Corporation Grabenisolierung zur herstellung einer fortschrittlichen integrierten schaltungsstruktur
US10659086B2 (en) * 2018-06-13 2020-05-19 Qorvo Us, Inc. Multi-mode radio frequency circuit
KR102584103B1 (ko) * 2019-08-28 2023-10-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈 및 통신 장치
JP2021190772A (ja) * 2020-05-27 2021-12-13 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
US11764822B2 (en) 2020-08-06 2023-09-19 Analog Devices, Inc. Radio transceiver control interface
CN116097570A (zh) * 2020-08-13 2023-05-09 株式会社村田制作所 高频模块
CN116210157A (zh) * 2020-08-13 2023-06-02 株式会社村田制作所 高频模块
KR20220037191A (ko) * 2020-09-17 2022-03-24 삼성전자주식회사 적층 구조의 다이플렉서를 갖는 전자 장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6212147A (ja) * 1985-07-10 1987-01-21 Hitachi Ltd マスタ−スライス方式の半導体装置
JP3543508B2 (ja) * 1996-01-22 2004-07-14 株式会社デンソー 半導体装置
JP3258922B2 (ja) * 1997-01-08 2002-02-18 三洋電機株式会社 デュアルバンド無線通信装置
US6584090B1 (en) * 1999-04-23 2003-06-24 Skyworks Solutions, Inc. System and process for shared functional block CDMA and GSM communication transceivers
JP3583337B2 (ja) * 1999-12-24 2004-11-04 島田理化工業株式会社 高周波回路ユニット
JP2001244416A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Hitachi Ltd 信号処理用半導体集積回路
JP2001267952A (ja) * 2000-03-22 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 無線端末装置
US6780696B1 (en) * 2000-09-12 2004-08-24 Alien Technology Corporation Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs
WO2002078201A2 (de) 2001-03-22 2002-10-03 Siemens Aktiengesellschaft Abschirmung für hochfrequenz-sende-/empfangseinrichtungen von elektronischen geräten, insbesondere von geräten zur drahtlosen telekommunikation
JP3851184B2 (ja) 2002-02-25 2006-11-29 Tdk株式会社 フロントエンドモジュール
JP3752232B2 (ja) 2002-03-27 2006-03-08 Tdk株式会社 フロントエンドモジュール
AU2003289425A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-14 Renesas Technology Corp. Transmission circuit and transmitter/receiver using same
JP3514453B1 (ja) * 2003-01-16 2004-03-31 日本特殊陶業株式会社 高周波部品
US20040240420A1 (en) 2003-02-14 2004-12-02 Tdk Corporation Front end module and high-frequency functional module
US7263072B2 (en) 2003-04-16 2007-08-28 Kyocera Wireless Corp. System and method for selecting a communication band
JP4418250B2 (ja) 2004-02-05 2010-02-17 株式会社ルネサステクノロジ 高周波回路モジュール

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101771424B (zh) * 2009-01-05 2013-03-27 启碁科技股份有限公司 用于一无线信号收发器的射频电路及相关无线信号收发器
CN101771424A (zh) * 2009-01-05 2010-07-07 启碁科技股份有限公司 用于一无线信号收发器的射频电路及相关无线信号收发器
CN106209155A (zh) * 2009-05-26 2016-12-07 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN101902241A (zh) * 2009-05-26 2010-12-01 株式会社村田制作所 高频开关模块
CN102110033A (zh) * 2009-12-28 2011-06-29 株式会社日立制作所 Lsi、铁道用失效保护lsi、电子装置、铁道用电子装置
CN103635021B (zh) * 2012-08-21 2016-09-07 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN103635021A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN103635020B (zh) * 2012-08-21 2016-10-05 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN103635020A (zh) * 2012-08-21 2014-03-12 太阳诱电株式会社 高频电路模块
CN107113019A (zh) * 2014-12-25 2017-08-29 株式会社村田制作所 高频模块
CN107113018A (zh) * 2014-12-25 2017-08-29 株式会社村田制作所 高频模块
CN107113019B (zh) * 2014-12-25 2019-06-21 株式会社村田制作所 高频模块
CN107113018B (zh) * 2014-12-25 2019-10-18 株式会社村田制作所 高频模块
CN108886378B (zh) * 2016-03-31 2020-10-09 株式会社村田制作所 前置电路和高频模块
CN108886378A (zh) * 2016-03-31 2018-11-23 株式会社村田制作所 前置电路和高频模块
CN109792260B (zh) * 2016-09-30 2020-11-13 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN109792260A (zh) * 2016-09-30 2019-05-21 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN108233974A (zh) * 2016-12-14 2018-06-29 株式会社村田制作所 收发模块
CN108233976A (zh) * 2016-12-21 2018-06-29 株式会社村田制作所 高频模块
US11283584B2 (en) 2016-12-21 2022-03-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency module
CN110710118A (zh) * 2017-06-02 2020-01-17 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN110710118B (zh) * 2017-06-02 2021-08-20 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
CN109743072A (zh) * 2018-12-26 2019-05-10 深圳市万普拉斯科技有限公司 一种移动终端信号收发装置及其控制方法
CN111865337A (zh) * 2019-04-03 2020-10-30 株式会社村田制作所 高频模块和通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8391821B2 (en) 2013-03-05
JP4521602B2 (ja) 2010-08-11
JP2006340257A (ja) 2006-12-14
US20060276158A1 (en) 2006-12-07
CN1881810B (zh) 2010-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1881810A (zh) 多模式高频电路
CN1320778C (zh) 高频开关模块
US6766149B1 (en) Mobile radio terminal and surface acoustic wave antenna duplexer
JP4709316B2 (ja) マルチモード高周波回路
JP5859399B2 (ja) 高周波回路および通信装置。
TWI511475B (zh) 模組基板及通信用模組
US11658691B2 (en) High-frequency module and communication device
JP2003046452A (ja) 電子部品および設計方法
CN1652333A (zh) 高频电路模块
CN1708899A (zh) 平衡-不平衡型多频带滤波模块
CN1751447A (zh) 前端模块
JP4527570B2 (ja) 高周波モジュ−ル及びそれを搭載した無線通信装置
JP2005020140A (ja) アンテナスイッチモジュール及びそれを用いた無線電話通信装置
JP3752231B2 (ja) フロントエンドモジュール
JP3752232B2 (ja) フロントエンドモジュール
JP2006203470A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
CN104094527A (zh) 高频模块
JP2006211144A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
JP2001292073A (ja) アンテナスイッチモジュール
JP2006279553A (ja) 高周波スイッチングモジュール及び無線通信装置
JP2005136887A (ja) 高周波モジュール及び無線通信機器
JP2004222087A (ja) 高周波部品
JP2001244844A (ja) トリプルバンド携帯電話用フロントエンドモジュール
JP2007036452A (ja) 高周波モジュール
JP2010505303A (ja) 差動信号経路を備える電気回路および該回路を有するコンポーネント

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Free format text: FORMER OWNER: RENESAS TECHNOLOGY CORP.

Effective date: 20101019

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: TOKYO TO, JAPAN TO: KANAGAWA PREFECTURE, JAPAN

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20101019

Address after: Kanagawa

Patentee after: Renesas Electronics Corporation

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Patentee before: Renesas Technology Corp.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100818

Termination date: 20160530