CN1876710A - 用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物及使用该组合物的光学半导体器件 - Google Patents

用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物及使用该组合物的光学半导体器件 Download PDF

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Abstract

一种用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物具有优异的透光性和低应力性，同时对短波光(例如350－500nm)具有良好的耐光性。所述用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物包括下述组分(A)～(C)：(A)环氧树脂，(B)酸酐固化剂，和(C)特殊的聚硅氧烷树脂。

Description

用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物 及使用该组合物的光学半导体器件
技术领域
本发明涉及一种用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，该环氧树脂组合物具有优异的透光性，低应力性(stress property)，且即使对波长较短的光(例如350～500nm)也具有良好的耐光性。本发明还涉及使用该树脂组合物封装的光学半导体(photosemiconductor)器件。
背景技术
对用于封装如发光二极管(LED)等光学半导体元件的封装用树脂组合物，其固化产物需具有透明性。通常，一般使用诸如双酚A型环氧树脂、脂环族型环氧树脂及其类似的环氧树脂，并以酸酐为固化剂制备的环氧树脂组合物。
考虑到树脂组合物的透明性、耐热性和耐光性，已经报道了使用如结构式(b)表示的脂环族环氧树脂获得的环氧树脂组合物(见文献1)，和使用聚硅氧烷改性环氧树脂的方法来降低弹性模量，并减小内应力(见文献2)。
文献1：特开平JP.7-309927
文献2：特开平JP.7-25987
发明概述
然而，当使用以下结构式(b)表示的脂环族环氧树脂制备的环氧树脂组合物来制造光学半导体器件，且发出具有较短波长的光时，存在的问题是对短波光(350nm～500nm)的耐光性不能令人满意。虽然采用聚硅氧烷改性环氧树脂的方法会降低弹性模量，但也使线性膨胀系数增加，而这导致的问题是在降低应力方面不能完全获得显著效果。因此，需要一种环氧树脂组合物，其与常见的包装材料相比，既具有优异的耐光性，和由于降低了线性膨胀系数而具有低应力性，而且能够作为一种具有高可靠性的封装材料使用。
本发明是在这样的情况下完成的。本发明一个目的是提供一种用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，所述组合物相对于线性膨胀系数增加产生的机械应力，具有优异的应力松弛(stress relaxation)性能，特别地，对短波长的光具有优异的耐光性，以及使用该环氧树脂组合物的具有高可靠性的光学半导体器件。
本发明的第一个方面是一种用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，其包括下述组分(A)～(C)：
(A)环氧树脂，
(B)酸酐固化剂，和
(C)聚硅氧烷树脂，该树脂具有下述结构通式(1)表示的硅氧烷构成单元，和每个分子中具有与硅原子相连的至少一个羟基或烷氧基；其中，在连接在硅原子上的单价烃基(R)中，取代的或未取代的芳烃基团占10％摩尔或更高；
                Rm(OR1)nSiO(4-m-n)/2
其中R是取代的或未取代的具有1-18个碳原子的单价饱和烃基，或者具有6-18个碳原子的芳烃基团；各个R可以相同或不同；R1是氢原子或具有1-6个碳原子的烷基，各个R1可以相同或不同；m和n分别是0-3的整数。
本发明的第二个方面是一种光学半导体器件，其中光学半导体元件由上述用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物树脂封装。
本发明的发明人在进行了一系列的研究以获得一种环氧树脂组合物，该组合物能够克服以下不足：使用具有耐光性和耐热性的脂环族环氧树脂获得的常规环氧树脂组合物导致对短波长光的耐光性差，和采用聚硅氧烷改性的环氧树脂导致低应力性能差。然后，他们将注意力集中于被混合的作为封装材料的聚硅氧烷树脂，并进行深入研究以找到一种能够克服上述缺陷的聚硅氧烷树脂。最终，他们出人意料的发现使用上述特定的聚硅氧烷树脂能够获得对光老化优异的耐受性和应力性能。也就是说，通过使用上述特定的聚硅氧烷树脂，能够在不降低透光性的基础上降低内应力，它能够抑制由具有特定骨架(skeleton structure)结构的硅氧烷单元衍生的固化产物的线性膨胀系数的增加。基于这种出人意料的发现，发明人完成了本发明。
本发明涉及一种包含上述特定的聚硅氧烷树脂[组分(C)]的环氧树脂组合物。由于上述特定聚硅氧烷树脂能够相容于体系中，从而实现固化产物内应力下降同时不降低光透射性。进一步，其能够显示出优异的耐光性，尤其对于短波长的光，因而能够有效地阻止光学半导体器件的老化。因此其中光学半导体元件使用本发明光学半导体元件封装用环氧树脂组合物封装的光学半导体器件具有优异的可靠性并能令人满意地执行器件功能。
如果构成上述聚硅氧烷树脂[组分C]的硅氧烷单元由特定的结构式(2)～(5)表示，且单元A1到A4的相应组成比例设定在特定的范围，则可以获得低应力封装特性。
如果连接于上述聚硅氧烷树脂[组分C]中硅原子上的单价烃基(R)为甲基和苯基，则可以改善与环氧树脂[组分A]的相容性。
进一步地，如果聚硅氧烷树脂[组分C]的软化点为150℃或更低，或环境温度下为液体，且同时能够与环氧树脂均匀相容，则在熔融混合期间能容易地将其混合。
具体实施方式
本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物由下面的环氧树脂组合物获得，所述组合物包括可由用环氧树脂(组分A)，酸酐固化剂(组分B)和特定的聚硅氧烷树脂(组分C)。在本发明中，术语“环境温度”是指介于5～35℃之间的温度。
对环氧树脂(组分A)没有特别的限制，可以是各种通常已知的环氧树脂，可以提及例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂如苯酚酚醛清漆型环氧树脂或甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环族环氧树脂、含氮环状环氧树脂如异氰脲酸三缩水甘油酯和乙内酰脲环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、脂肪族环氧树脂、缩水甘油醚型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、构成主要的低吸水固化产物的联苯型环氧树脂、双环环型(dicyclo ring type)环氧树脂、萘型环氧树脂及其他类似的环氧树脂。上述树脂可以单独使用也可以两种或多种混合使用。在这些环氧树脂中，基于它们具有优异的透明性和耐变色性考虑，优选使用下述结构式(a)表示的异氰脲酸三缩水甘油酯和结构式(b)所示的脂环族环氧树脂：
环境温度下环氧树脂(组分A)可以是固体或液体。但所用环氧树脂平均环氧当量优选90-1000。当环氧树脂为固体时，其软化点优选160℃或更低。若环氧当量小于90，用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物的固化产物将变脆。另一方面，若环氧当量超过1000，固化产物的玻璃化转变温度(Tg)将会变低。
与环氧树脂(组分A)共同使用的酸酐固化剂(组分B)的实例包括邻苯二甲酸酐、马来酸酐、1，2，4-苯三酸酐(trimellic anhydride)、均苯四酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐、四氢化邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐、纳迪克酸酐、戊二酸酐、甲基六氢化邻苯二甲酸酐、甲基四氢化邻苯二甲酸酐及其类似物。上述酸酐可以单独使用也可以两种或多种混合使用。这些酸酐固化剂中优选使用邻苯二甲酸酐、六氢化邻苯二甲酸酐、四氢化邻苯二甲酸酐或甲基六氢化邻苯二甲酸酐。酸酐固化剂的分子量优选大约140-200，优选使用无色或淡黄色的酸酐固化剂。
环氧树脂(组分A)和酸酐固化物(组分B)的混合比例，优选设定为相对于环氧树脂中(组分A)的1当量的环氧基团，使用0.5～1.5当量的、更优选0.7～1.2当量的酸酐固化剂(组分B)中能够与环氧基团反应的活性基团(酸酐基团或有下述酚树脂情况时的羟基)。若活性基团用量小于0.5当量，将导致用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物固化速率趋于下降，同时固化产物的玻璃化温度(Tg)变低。若用量超过1.5当量，则导致耐湿性趋于下降。
更进一步的，除酸酐固化剂(组分B)外，一般已知的用于环氧树脂的固化剂，例如酚醛树脂基固化剂、胺基固化剂、酸酐固化剂与醇部分酯化的产物或羧酸固化剂例如六氢化邻苯二甲酸、四氢化邻苯二甲酸、甲基六氢化邻苯二甲酸等，依据目的和应用，也可与酸酐固化剂结合使用。例如当组合使用羧酸固化剂时，会使固化速率提高，从而提高生产率。当使用上述固化剂时，混合比例可以与使用酸酐固化剂时的混合比例(当量比)类似。
与组分A和B共同使用的特定的聚硅氧烷树脂(组分C)通常被称为聚有机硅氧烷，其是一种含有硅氧烷键交联结构的聚合物。该特定的聚硅氧烷树脂(组分)的特征在于具有下述通式(1)所示的硅氧烷构成单元(constituentsiloxane unit)，而且每分子中含有连接于硅原子上的至少一个羟基或烷氧基，在连接于硅原子上的单价烃基(R)中，取代的或非取代的芳烃基团占10％摩尔或更多。
                 Rm(OR1)nSiO(4-m-n)/2
其中R是取代或非取代的具有1-18个碳原子的单价饱和烃基或者具有6-18个碳原子的芳烃基团；各个R可以相同或不同；R1是氢原子或具有1-6个碳原子的烷基，各个R1可以相同或不同；m和n分别是0-3的整数。
上述通式(1)中，对于所述取代或非取代的具有1-18个碳原子的饱和单价烃基R，非取代的饱和单价烃基的具体例子包括直链或支链烷基，例如甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基、异己基、庚基、异庚基、辛基、异辛基、壬基、癸基等；环烷基，例如环戊基、环己基、环辛基、三环(5.2.1.0(2.6))癸基、十氢化萘基等；芳族基团例如芳基，如苯基、萘基、四氢化萘基、甲苯基、乙苯基等，和芳烷基例如苄基、苯乙基、苯丙基、甲基苄基等；及其类似物。
同时，对于上述通式(1)中所示的R为取代的饱和单价烃基的情况，可以例举为烃基中的部分或全部氢原子被卤素原子、氰基、氨基、环氧基等取代的烃基。其中特定例子包括取代烃基例如氯甲基、2-溴乙基、3，3，3，-三氟丙基、3-氯丙基、氯代苯基、二溴苯基、二氟苯基、β-氰基乙基、γ-氰基丙基和β-氰基丙基等。
对于上述特定的聚硅氧烷树脂(组分C)，基于与环氧树脂的相容性和所得环氧树脂组合物的性质考虑，通式(1)中的R优选为烷基或芳基。对于烷基，更优选的实例包括含有1-3个碳原子的烷基，特别优选甲基。对于芳基，特别优选苯基。为通式(1)中R选择的上述基团在相同或不同的硅氧烷单元可以相同或不同。
对于上述特定的聚硅氧烷树脂(组分C)，其中10％摩尔或更多的连接于硅原子上的单价烃基(R)必需选自芳烃基团。具体讲，若芳烃基团含量小于10％摩尔，其与环氧树脂的相容性不足，从而导致溶解或分散于环氧树脂中的聚硅氧烷树脂会使环氧树脂变得不透明。同时生成的环氧树脂组合物固化产物不能在耐光性和物理性能方面发挥充分的作用。所述芳烃基团含量更优选30％摩尔或更高，特别优选40％摩尔或更高。芳烃基团含量的上限可以是100％摩尔。
通式(1)中的基团(OR1)为羟基或烷氧基，且当(OR1)为烷氧基时，R1可以例举是为前述基团R所特别罗列的烷基中含1-6个碳原子的烷基。更具体而言，R1可以举例为甲基、乙基、异丙基。在相同或不同的硅氧烷单元中上述基团可以相同或不同。
上述特定聚硅氧烷树脂(组分C)，优选每分子中含有至少一个连接于硅原子上的羟基或烷氧基，即构成所述聚硅氧烷树脂的至少一个硅氧烷单元中通式(1)的(OR1)基团。若聚硅氧烷树脂中不含羟基或烷氧基，则其与环氧树脂相容性不足，从而导致生成的树脂组合物形成的固化产物不能具有令人满意的物理性能。基于上述原因，可以认为这些羟基或烷氧基在环氧树脂的固化反应中以某种方式起作用，尽管其确切的作用机理尚不清楚。对于聚硅氧烷树脂(组分C)，其中连接于硅原子上的羟基或烷氧基的量按OH基计算，优选设定为0.1-15％重量，更优选1-10％重量。若羟基或烷氧基含量超出上述范围，其与环氧树脂(组分A)的相容性会下降，且尤其是若含量超过15％重量，可能会导致羟基或烷氧基发生自脱水或脱醇作用。
在前述通式(1)中，重复单元数m和n分别是0-3的整数。重复单元数m和n所取数值会随着不同的硅氧烷单元而改变，为更具体的解释构成特定的聚硅氧烷树脂的硅氧烷单元，需要提及下述通式(2)～(5)表示的单元A1～A4。
单元A1：(R)3SiO1/2                                    (2)
单元A2：(R)2(OR1)nSiO(2-n)/2                         (3)
其中n为0或1。
单元A3：(R)(OR1)nSiO(3-n)/2                           (4)
其中n为0、1或2。
单元A4：(OR1)nSiO(4-n)/2                                (5)
其中n为0-3的整数。
在通式(2)～(5)中，R彼此可以是相同或不同的，为含1-18个碳原子的取代或非取代饱和单价烃基或含6-18个碳原子的芳烃基团；R1可以为氢原子或1-6个碳的烷基，各个R1可以相同或不同的。
因此，对前述通式(1)中的m，当m＝3时对应于通式(2)表示的A1单元；当m＝2时对应于通式(3)表示的A2单元；当m＝1时对应于通式(4)表示的A3单元；当m＝0时对应于通式(5)表示的A4单元。其中，通式(2)表示的单元A1是仅具有一个硅氧烷键并构成端基的结构单元；而当n＝0时，通式(3)表示的单元A2是含有两个硅氧烷键的结构单元并构成线性硅氧烷连接。对于n＝0时通式(4)表示的单元A3，和n＝0或1时通式(5)表示的单元A4，该单元是可具有3到4个硅氧烷键并提供支化或交联结构的结构单元。
对于特定的聚硅氧烷树脂(组分C)，上述通式(2)～(5)分别表示的单元A1～A4的各组成比例优选为下述(a)～(d)的比例范围。
(a)0-30％摩尔的A1单元，
(b)0-80％摩尔的A2单元，
(c)20-100％摩尔的A3单元，和
(d)0-30％摩尔的A4单元。
更优选A1和A4单元含量为0％摩尔，A2单元含量为0-70％摩尔，A3单元含量为30-100％摩尔。也就是说，当单元A1～A4各组成比例设定于上述范围内时，可得到的效果是将合适的硬度或弹性模量赋予(维持于)固化产物，这是更理想的。
特定的聚硅氧烷树脂(组分C)中各组成单元相互连接或成行连接，硅氧烷单元的聚合度优选6-10000。上述特定聚硅氧烷树脂(组分C)的性质根据其聚合度和交联度的变化而变化，可以是液相或可以为固相。
通式(1)表示的特定聚硅氧烷树脂(组分C)可用已知方法制备。例如，可通过在甲苯或类似溶剂存在下，通过诸如将有机硅烷和有机硅氧烷中的至少一种水解之类的反应制备聚硅氧烷树脂。特别的，通常可使用将有机氯硅烷或有机烷氧化硅烷水解缩合的方法。这里所说的有机基团与前述通式(1)中的基团R相对应，可以是例如烷基、芳基等。上述通式(2)～(5)表示的单元A1～A4与用作各自的起始原料的硅烷结构有关。例如，对于氯硅烷，当使用三有机氯硅烷时，可以得到通式(2)表示的A1单元；当使用二有机二氯硅烷时，得到通式(3)表示的A2单元；当使用有机氯硅烷时，得到通式(4)表示的A3单元；当使用四氯硅烷时，得到通式(5)表示的A4单元。此外，前述通式(1)和(3)～(5)中(OR1)表示的硅原子的取代基为水解的非缩合残基。
特定聚硅氧烷树脂(组分C)优选占全部环氧树脂组合物的10-60％重量，尤其优选该含量范围为20-40％重量。若其含量低于10％重量，则耐热性和耐光性趋于下降。若含量超过60％重量，则所得树脂组合物的固化产物趋于明显变脆。
本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，除环氧树脂(组分A)、酸酐固化剂(组分B)和特定聚硅氧烷树脂(组分C)外，若需要，可适当含有常规使用的各种已知的添加剂，例如固化促进剂、抗老化剂(deterioration agent)、改性剂、硅烷偶联剂、消泡剂、均化剂、脱模剂、染料、颜料等。
对于固化促进剂没有特别的限制，可以例举叔胺，例如1，8-二氮杂二环(5.4.0)十一碳烯-7、三亚乙基二胺、三-2，4，6-二甲基氨基甲基苯酚等；咪唑，例如2-乙基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑等；磷化合物，例如三苯基膦、四苯基鏻·四苯基硼酸盐、四正丁基鏻-o，o-二乙基二硫代磷酸盐等；季铵盐；有机金属盐；及其衍生物等。上述物质可以单独使用也可以两种或多种混合使用。其中优选使用叔胺、咪唑和磷化合物。
固化促进剂的含量优选0.01-8.0重量份，更优选0.1-3.0重量份，基于100重量份(以下简称为“份”)的环氧树脂(组分A)。若含量小于0.01份，很难起到充分的促进作用。若用量超过8.0份，会导致获得的最终产物变色。
抗老化剂可以列举常用的抗老化剂，例如酚类化合物、胺化合物、有机硫化物、膦化合物等。改性剂可列举公知的改性剂，例如二醇、硅油、醇等。硅烷偶联剂可例举常用硅烷偶联剂，例如官能烷氧硅烷、官能烷基钛酸酯等。消泡剂可列举公知的消泡剂，例如有机硅等。
本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物可以例如以下述方法制备，可以以液体、粉末或由粉末制备的片剂形式获得。也就是说，例如可将前述组分，包括环氧树脂(组分A)、酸酐固化剂(组分B)、特定的聚硅氧烷树脂(组分C)以及各种根据需要混入的添加剂适当的混合，以得到液态的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物。为获得粉末状或由粉末制得的片剂状环氧树脂组合物，可通过适当的混合前述组分，使各组分初步混合，然后使用捏合机将得到的混合物捏合并熔融混合，随后冷却至室温，然后使用已知的方法将冷却的产物粉碎，如果必要，可将粉碎的产物压片处理而制备环氧树脂混合物。
由此获得的本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，可用于封装例如LED、电荷耦合器(CCD)等光学半导体元件。也就是说，对使用本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，封装光学半导体元件的方法没有特别的限制，可以使用各种已知的成型方法，例如常规的传递成型、浇铸(casting)等。如果本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物为液体，则适于使用被称为二元液体型(two-liquid type)环氧树脂组合物，使得至少环氧树脂组分和酸酐固化剂组分被分别贮存，然后即用即混合。如果本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物为进行了预定熟化处理后的粉末或片剂形式，则上述组分以在熔融混合组分时以B阶(半固化态)状态提供，并可在使用时加热和熔融。
更进一步的，基于保护光学半导体元件的考虑，本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物制备的固化产物，优选具有60或更高的Shore D硬度；基于降低内部发生的应力的考虑，优选具有100ppm或更小的线性膨胀系数。Shore D硬度可以使用例如Shore D硬度测试仪来测定。线性膨胀系数可通过例如使用热力学分析仪(TMA)测量玻璃化转变温度，并根据玻璃化转变温度计算线性膨胀系数的方式测定。
使用本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，封装光学半导体元件，可以促进内应力降低，有效地防止光学半导体元件在短波长光发射时亮度的下降。因此本发明的光学半导体器件，其中光学半导体元件使用本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物封装，具有优异的可靠性和低应力性，能够令人满意的发挥器件作用。
本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，通过在发光元件周围安装光转化荧光材料或通过将荧光材料分散在本发明的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物本身中的方式获得白光，可用于采用短波光源(例如350-500nm)的白光发射器件。
下面将通过实施例和对比实施例来描述本发明。
首先，提供下述组分。
[环氧树脂a]
异氰脲酸三缩水甘油醚酯，如下结构式(a)所示(环氧当量100)
[环氧树脂b]
脂环族环氧树脂，如下结构式(b)所示(环氧当量134)
[环氧树脂c]
双酚A型环氧树脂(环氧当量185)
[酸酐固化剂]
4-甲基六氢化邻苯二甲酸酐(x)和六氢化邻苯二甲酸酐(y)的混合物(混合重量比x∶y＝7∶3)(酸酐当量168)
[聚硅氧烷树脂a]
快速搅拌下，在5分钟内，将148.2g(66％摩尔)苯基三氯硅烷，38.1g(24％摩尔)甲基三氯硅烷，13.7g(10％摩尔)二甲基二氯硅烷和215g甲苯的混合物，滴加入预先盛放在瓶中的550g水，150g甲醇和150g甲苯的混合溶剂中。烧瓶中温度升至75℃，继续搅拌10多分钟。将得到的溶液静置，冷却至室温(25℃)。接着将分离的水层除去，然后加水，搅拌该混合液，静置。重复水洗除去水溶液层的操作，直至洗涤的水层呈中性。将剩余的有机层回流30分钟，蒸馏除去水和部分甲苯。将得到的有机硅氧烷的甲苯溶液过滤，除去所有杂质，然后使用旋转式蒸发器减压蒸发除去剩余的甲苯，从而得到固体聚硅氧烷树脂a。得到的聚硅氧烷树脂a包含6％重量的OH基团。所用初始原料氯硅烷完全反应，得到的聚硅氧烷树脂a由10％摩尔的A2单元和90％摩尔的A3单元构成，同时含有60％的苯基和40％的甲基。
[聚硅氧烷树脂b]
将206g(50％摩尔)苯基三甲氧基硅烷和126g(50％摩尔)二甲基二甲氧基硅烷加入烧瓶中，向其中滴加1.2g20％盐酸水溶液和40g水的混合物。滴加完成后，将得到的混合物回流1小时，然后将所得溶液冷却至室温(25℃)，用碳酸氢钠将溶液中和。将得到的有机硅氧烷溶液过滤，除去所有杂质。随后使用旋转蒸发器减压除去低沸点物质，从而得到液体聚硅氧烷树脂b。所得聚硅氧烷树脂b含9％重量的羟基和烷氧基，按羟基计算。所得聚硅氧烷树脂b由50％摩尔的A2单元和50％摩尔的A3单元构成，进一步含有33％的苯基和67％的甲基。
[聚硅氧烷树脂c]
快速搅拌下，在5分钟内将182.5g(90％摩尔)甲基三氯硅烷，17.5g(10％摩尔)二甲基二氯硅烷和215g甲苯的混合物，滴入预先盛放在烧瓶中的550g水，150g甲苯和150g甲醇的混合溶剂中。烧瓶中温度升至75℃，继续搅拌10余分钟。此溶液留存静置，冷却至室温(25℃)。然后除去分离的水层，接着混入水，并搅拌该混合物，留存静置。重复水洗除去水层的过程，直至洗涤的水层呈中性。将剩余的有机层回流30分钟，蒸馏除去水和部分甲苯。将得到的有机硅氧烷的甲苯溶液过滤，除去所有杂质，然后使用旋转式蒸发器减压蒸发除去残留的甲苯，从而得到固体聚硅氧烷树脂c。得到的聚硅氧烷树脂c包含6％重量的OH基团。所用初始原料氯硅烷完全反应，所得聚硅氧烷树脂c由10％摩尔的A2单元和90％摩尔的A3单元构成，同时还含有100％的甲基。
[固化促进剂]
四正丁基鏻-o，o-二乙基二硫代磷酸酯
[抗老化剂]
9，10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-环氧化物(9，10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)
实施例1～8和对比实施例1～3
表1和2中的组分按照表中所列比例混合，环氧树脂组合物按下述方法制备。
表1                                                                                                               (重量份)
  实施例
  1   2   3   4   5   6   7   8
  环氧树脂   a   100   100   100   -   -   -   100   100
  b   -   -   -   100   -   100   -   -
  c   -   -   -   -   100   -   -   -
  酸酐固化剂   168   168   168   120   90   120   168   168
  聚硅氧烷树脂   a   30   110   400   90   80   -   68   180
  b   -   -   -   -   -   90   -   -
  c   -   -   -   -   -   -   -   -
  抗老化剂   1   1   1   1   1   1   1   1
  固化促进剂   1   1   1   1   1   1   1   1
  聚硅氧烷树脂含量(wt％)   10   30   60   30   30   30   20   40
[0060]
表2                                                                                                                (重量份)
  对比实施例
  1   2   3
  环氧树脂   a   -   100   100
  b   -   -   -
  c   100   -   -
  酸酐固化剂   90   168   168
  聚硅氧烷树脂   a   -   -   -
  b   -   -   -
  c   -   -   30
  抗老化剂   1   1   1
  固化促进剂   1   1   1
  聚硅氧烷树脂含量(wt％)   -   -   10
使用上述各个环氧树脂组合物而得到的耐光性/老化性、耐热性、挠曲模量及与环氧树脂组合物的相容性，分别通过下述方法测量和评估。结果记录于表3～表5中。
[耐光性/老化性]
使用上述各种环氧树脂组合物通过铸封(potting)(120℃×1hr)的方式，将InGaN型(波长405nm)LED树脂封装成直径5mm的壳状灯，并在150℃下固化3小时以制备光学半导体器件。进一步的，使其在环境温度(25℃)30mA(额定20mA)条件下连续发光，3000小时后检测其对亮度下降的保持(maintain against decrease in the brighthess)(设备：OPT-DEVICE自动检测仪，Technos日本有限公司)。每种光学半导体器件的样品数(数量n)设定为10，其平均值示于表中。
[耐热性]
使用前述各种环氧树脂组合物在上述条件下(固化条件：120℃×1小时+150℃×3小时)制备样品(50mm×20mm×厚度1mm)，并将样品(固化产物)于150℃下保持500小时后，测定其在450nm波长下透光率的下降情况。使用Shimadzu公司的UV3101型分光光度计，在室温(25℃)下初步测定其在450nm波长下透光率(初值)，并根据该初值判断其透光率的下降程度。
[挠曲模量]
使用前述各种环氧树脂组合物在上述条件下(固化条件：120℃×1小时+150℃×3小时)制备样品(100mm×10mm×厚度5mm)，并使用自动绘图仪(Shimadzu公司AG500C)在头速度(head speed)为5mm/min、环境温度(25℃)条件下，测定该样品(固化产物)的挠曲模量。
[相容性]
通过肉眼观测前述每种环氧树脂组合物的相容性(聚硅氧烷树脂的溶解性)。
[硬度]
使用前述各种环氧树脂组合物在上述条件下(固化条件：120℃×1小时+150℃×3小时)制备样品(厚度1mm)，并使用Shore D硬度计(UeshimaSeisakusho有限公司.)在室温(25℃)下测定样品的硬度。
[玻璃化转变温度]
使用前述各种环氧树脂组合物在上述条件下(固化条件：120℃×1小时+150℃×3小时)制备样品(20mm×5mm×厚度5mm)，并使用热力学分析仪(TMA，Shimadzu公司，TMA-50)在2℃/min的升温速率下测定样品(固化产物)的玻璃化转变温度。
表3
  实施例
  1   2   3   4   5   6
  耐光性/老化性(对亮度下降的保持：％)   75   82   85   74   38   72
  耐热性(透光率下降％)   80   82   85   79   30   85
  挠曲模量(N/mm2)   2700   2680   2460   2520   2480   2660
  相容性   相容   相容   相容   相容   相容   相容
  硬度(Shore D)   81   80   75   80   83   83
  玻璃化转变温度(℃)   172   150   137   150   159   147
表4
  实施例
  7   8
  耐光性/老化性(对亮度下降的保持：％)   71   82
  耐热性(透光率下降％)   80   83
  挠曲模量(N/mm2)   2880   2630
  相容性   相容   相容
  硬度(Shore D)   81   80
  玻璃化转变温度(℃)   178   146
表5
  对比实施例
  1   2  3
 耐光性(对亮度下降的保持：％)   15   39  无法评估*
 耐热性(透光率下降％)   5   69
 挠曲模量(N/mm2)   2990   3110
 相容性   -   -  不相容
 硬度(Shore D)   68   84  -
 玻璃化转变温度(℃)   142   210  -
*由于聚硅氧烷树脂不能够相容，使得整个体系变浑浊，因此没有制作样品和光学半导体元件。
上述结果证明，对于实施例中制备的产物具有如优异的耐光性、耐热性、能够维持较高的透光率、低挠曲模量以及优异的低应力性之类的结论。与之相反的，没有使用聚硅氧烷树脂的对比实施例1的产品表现出耐光性和耐热性低下、挠曲模量高。没有使用聚硅氧烷树脂的对比实施例2的产物表现出非常高的挠曲模量。进一步的，使用了含甲基作为取代基的聚硅氧烷树脂的对比实施例3的产物中，在制备环氧树脂组合物时不具备与聚硅氧烷树脂的相容性，从而使得整个体系变浑浊，没有制备样品和光学半导体器件。
虽然已经参照特定的具体实施方式对本发明做了详细的描述，显而易见本领域技术人员可以在不超出上述范围的基础上对其作出各种改进。
本申请是在2005年3月1日提出的日本专利申请No.2005-56028基础上作出的，因此在本文对该申请做全文引用。

Claims (5)

1.一种用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，其包括下述组分(A)～(C)：
(A)环氧树脂，
(B)酸酐固化剂，和
(C)聚硅氧烷树脂，该树脂具有下述结构式(1)表示的硅氧烷构成单元，且每个分子中具有与硅原子相连的至少一个羟基或烷氧基；其中，在连接在硅原子上的单价烃基(R)中，取代的或未取代的芳烃基团占10％摩尔或更高；
                 Rm(OR1)nSiO(4-m-n)/2
其中R是取代的或未取代的具有1-18个碳原子的单价饱和烃基或者具有6-18个碳原子的芳烃基团，各个R可以相同或不同；R1是氢或具有1-6个碳原子的烷基，各个R1可以相同或不同；m和n分别是0-3的整数。
2.如权利要求1所述的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，其中构成聚硅氧烷树脂的硅氧烷单元为下列通式(2)～(5)表示的A1～A4单元，且A1～A4单元的各构成比例设定为下述比例(a)～(d)：
A1单元：(R)3SiO1/2                         (2)
A2单元：(R)2(OR1)nSiO(2-n)/2              (3)
其中n为0或1
A3单元：(R)(OR1)nSiO(3-n)/2                (4)
其中n为0、1或2
A4单元：(OR1)nSiO(4-n)/2                   (5)
其中n为0-3的整数
在通式(2)～(5)中，R可以是相同或不同的，含1-18个碳的取代或非取代的饱和单价烃基；R1是氢原子或具有1-6个碳原子的烷基，各个R1可以相同或不同，
(a)0-30％摩尔的A1单元，
(b)0-80％摩尔的A2单元，
(c)20-100％摩尔的A3单元，和
(d)0-30％摩尔的A4单元。
3.如权利要求1所述的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，其中连接于组分C聚硅氧烷树脂中硅原子上的单价烃基(R)为甲基和苯基。
4.如权利要求1所述的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物，其中组分C聚硅氧烷树脂在150℃或更低的软化点下为液体，或在环境温度下为液体，且能够与组分A环氧树脂均匀相容。
5.光学半导体器件，其含有权利要求1～4中任意一项所述的用于封装光学半导体元件的环氧树脂组合物以及使用该环氧树脂封装的光学半导体元件。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210168B (zh) * 2006-12-30 2010-10-13 财团法人工业技术研究院 封装材料组合物
CN102190776A (zh) * 2010-02-18 2011-09-21 日东电工株式会社 光半导体元件封装用热固性树脂组合物及其固化材料、以及利用其获得的光半导体装置
CN102796347A (zh) * 2011-05-24 2012-11-28 日东电工株式会社 用于光半导体装置的环氧树脂组合物和使用所述组合物的光半导体装置
CN101619169B (zh) * 2008-07-02 2013-03-06 信越化学工业株式会社 热固性硅氧烷树脂-环氧树脂组合物和由其模制的预制包装体
CN115948025A (zh) * 2023-03-10 2023-04-11 天津德高化成光电科技有限责任公司 一种高耐热、高透光环氧塑封料及其制备方法和应用

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5207658B2 (ja) * 2007-05-17 2013-06-12 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置
JP2009019105A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Nitto Denko Corp ポリイミドからなる光半導体素子封止用樹脂
JP2009127022A (ja) 2007-11-28 2009-06-11 Nitto Denko Corp ポリアルミノシロキサンを含む光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置
JP4721364B2 (ja) 2007-11-28 2011-07-13 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂およびそれを用いて得られる光半導体装置
JP2009144066A (ja) * 2007-12-14 2009-07-02 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置
JP5353629B2 (ja) * 2008-11-14 2013-11-27 信越化学工業株式会社 熱硬化性樹脂組成物
JP2010144015A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置
JP5108825B2 (ja) * 2009-04-24 2012-12-26 信越化学工業株式会社 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
KR101129613B1 (ko) * 2009-08-04 2012-03-28 주식회사 대원포리머 에폭시 혼성 실리콘 수지 조성물
JP5488326B2 (ja) * 2009-09-01 2014-05-14 信越化学工業株式会社 光半導体装置用白色熱硬化性シリコーンエポキシ混成樹脂組成物及びその製造方法並びにプレモールドパッケージ及びｌｅｄ装置
JP5319567B2 (ja) * 2010-01-25 2013-10-16 日東電工株式会社 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いて得られる光半導体装置
JP5638812B2 (ja) * 2010-02-01 2014-12-10 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP5281040B2 (ja) * 2010-06-10 2013-09-04 信越化学工業株式会社 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、プレモールドパッケージ、ｌｅｄ装置及び半導体装置
JP5875269B2 (ja) * 2011-07-13 2016-03-02 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
US10611911B1 (en) 2016-05-05 2020-04-07 SolEpoxy, Inc. Epoxy resin composition with soda lime glass filler

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58448B2 (ja) * 1976-09-27 1983-01-06 三井化学株式会社 ポリオレフインの製造方法
JPS6070781A (ja) * 1983-09-27 1985-04-22 Toshiba Corp 樹脂封止型発光装置
US4877837A (en) * 1988-10-07 1989-10-31 The Glidden Company Epoxy functional and silicone thermosetting powder coatings
US5108824A (en) * 1990-02-06 1992-04-28 The Dow Chemical Company Rubber modified epoxy resins
KR960011551B1 (ko) * 1993-02-02 1996-08-23 제일모직 주식회사 반도체 소자 봉지용 수지조성물(2)
JPH06279654A (ja) * 1993-02-26 1994-10-04 Matsushita Electric Works Ltd 液状エポキシ樹脂組成物
JPH0725987A (ja) 1993-07-14 1995-01-27 Nitto Denko Corp 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH07309927A (ja) 1994-05-17 1995-11-28 Nitto Denko Corp 光半導体装置
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
JPH11140166A (ja) * 1997-11-11 1999-05-25 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3851441B2 (ja) * 1998-04-23 2006-11-29 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2000230039A (ja) * 1998-12-08 2000-08-22 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
TW538482B (en) * 1999-04-26 2003-06-21 Shinetsu Chemical Co Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device
JP3468195B2 (ja) * 1999-06-17 2003-11-17 荒川化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
US6664318B1 (en) 1999-12-20 2003-12-16 3M Innovative Properties Company Encapsulant compositions with thermal shock resistance
EP1172408A1 (de) * 2000-07-14 2002-01-16 Abb Research Ltd. Volumenmodifizierte Vergussmassen auf der Basis polymerer Matrixharze
US6800373B2 (en) 2002-10-07 2004-10-05 General Electric Company Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method
KR100540913B1 (ko) * 2002-12-31 2006-01-11 제일모직주식회사 액상 에폭시 수지 조성물
KR100540914B1 (ko) * 2002-12-31 2006-01-11 제일모직주식회사 반도체 언더필용 에폭시 수지 조성물
JP3997422B2 (ja) * 2003-03-28 2007-10-24 信越化学工業株式会社 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
EP1529807A3 (en) * 2003-10-16 2006-01-25 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
JP3795491B2 (ja) * 2003-12-15 2006-07-12 京セラケミカル株式会社 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置
JP4799883B2 (ja) * 2005-03-01 2011-10-26 日東電工株式会社 エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101210168B (zh) * 2006-12-30 2010-10-13 财团法人工业技术研究院 封装材料组合物
CN101619169B (zh) * 2008-07-02 2013-03-06 信越化学工业株式会社 热固性硅氧烷树脂-环氧树脂组合物和由其模制的预制包装体
CN102190776A (zh) * 2010-02-18 2011-09-21 日东电工株式会社 光半导体元件封装用热固性树脂组合物及其固化材料、以及利用其获得的光半导体装置
CN102190776B (zh) * 2010-02-18 2017-03-01 日东电工株式会社 光半导体元件封装用热固性树脂组合物及其固化材料、以及利用其获得的光半导体装置
TWI637983B (zh) * 2010-02-18 2018-10-11 日東電工股份有限公司 光學半導體元件密封用熱硬化性樹脂組合物及其硬化材料以及使用其所得之光學半導體裝置
CN102796347A (zh) * 2011-05-24 2012-11-28 日东电工株式会社 用于光半导体装置的环氧树脂组合物和使用所述组合物的光半导体装置
US9056943B2 (en) 2011-05-24 2015-06-16 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for optical semiconductor device and optical semiconductor device using the same
TWI548691B (zh) * 2011-05-24 2016-09-11 日東電工股份有限公司 光學半導體裝置用環氧樹脂組合物及使用其之光學半導體裝置
CN115948025A (zh) * 2023-03-10 2023-04-11 天津德高化成光电科技有限责任公司 一种高耐热、高透光环氧塑封料及其制备方法和应用

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