JPS6070781A - 樹脂封止型発光装置 - Google Patents
樹脂封止型発光装置Info
- Publication number
- JPS6070781A JPS6070781A JP58176940A JP17694083A JPS6070781A JP S6070781 A JPS6070781 A JP S6070781A JP 58176940 A JP58176940 A JP 58176940A JP 17694083 A JP17694083 A JP 17694083A JP S6070781 A JPS6070781 A JP S6070781A
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- JP
- Japan
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- epoxy resin
- compound
- emitting device
- parts
- weight
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、樹脂封止型発光装置に係り、特に光出力ＰＯ
特性のすぐれた樹脂封止型発光装置に関するものである
。
特性のすぐれた樹脂封止型発光装置に関するものである
。
近年、種々の表示用に実用されている発光ダイオード等
の発光装置は樹脂封止によって製造されている。対土用
の樹脂としては、一般に液状のビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂が用いられ、酸無水
物を硬化剤として注型によって発光装置を成形している
。しかしながら、上記の樹脂組成物を用いた場合、樹脂
の硬化時の硬化収縮によ）内部応力が残り、この残留応
力が影響して、発光素子の光出力ＰＯ特性が低下すると
いう不都合さがある。
の発光装置は樹脂封止によって製造されている。対土用
の樹脂としては、一般に液状のビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂が用いられ、酸無水
物を硬化剤として注型によって発光装置を成形している
。しかしながら、上記の樹脂組成物を用いた場合、樹脂
の硬化時の硬化収縮によ）内部応力が残り、この残留応
力が影響して、発光素子の光出力ＰＯ特性が低下すると
いう不都合さがある。
従来、この内部応力を小さくする手段としてはその一つ
にエポキシ樹脂に可撓性付与剤、可撓性エポキシ樹脂お
よび可撓性硬化剤等を添加する方法がある。しかし、こ
の方法は一般に熱変形温度が低下するため、硬化物の耐
熱性が悪くなる欠点がある。
にエポキシ樹脂に可撓性付与剤、可撓性エポキシ樹脂お
よび可撓性硬化剤等を添加する方法がある。しかし、こ
の方法は一般に熱変形温度が低下するため、硬化物の耐
熱性が悪くなる欠点がある。
また、別の手段として、エポキシ樹脂に液状ゴムなどの
ニジストマー粒子を混入する方法が知られている。この
方法は熱変形温度を低下せずに、内部応力を小さくする
ことができるが、一般に通常のニジストマー類は、エポ
キシ樹脂に対して相溶性あるいは分散性が劣るため、発
光装置の製造に適用した場合、封止樹脂の光透過率が著
しく低下するという欠点がある。
ニジストマー粒子を混入する方法が知られている。この
方法は熱変形温度を低下せずに、内部応力を小さくする
ことができるが、一般に通常のニジストマー類は、エポ
キシ樹脂に対して相溶性あるいは分散性が劣るため、発
光装置の製造に適用した場合、封止樹脂の光透過率が著
しく低下するという欠点がある。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は封止樹脂中の内部応力が小さく光出力ＰＯ特性
のすぐれた樹脂封止型発光装置を提供することにある。
の目的は封止樹脂中の内部応力が小さく光出力ＰＯ特性
のすぐれた樹脂封止型発光装置を提供することにある。
また他の目的は封止樹脂の熱変形温度および光透過率を
いたずらに低下させないで上記の目的を達成することに
ある。
いたずらに低下させないで上記の目的を達成することに
ある。
上記目的を達成すべく、本発明者らが鋭意検討を重ねた
結果、エポキシ樹脂にＳｉに結合した水酸基もしくはア
ルコキシ基を分子中に有するオルガノポリシロキサン化
合物を添加することにより、硬化物の熱変形温度および
光透過率を低下させることなしにその内部応力を著しく
低減し得ることを見い出し、特に樹脂封止型発光装置の
封止樹脂にこのエポキシ樹脂組成物を用いることによっ
て光出力ＰＯ特性のすぐれた樹脂封止型発光装置が得ら
れることを見い出した。
結果、エポキシ樹脂にＳｉに結合した水酸基もしくはア
ルコキシ基を分子中に有するオルガノポリシロキサン化
合物を添加することにより、硬化物の熱変形温度および
光透過率を低下させることなしにその内部応力を著しく
低減し得ることを見い出し、特に樹脂封止型発光装置の
封止樹脂にこのエポキシ樹脂組成物を用いることによっ
て光出力ＰＯ特性のすぐれた樹脂封止型発光装置が得ら
れることを見い出した。
即ち、本発明は
四 エポキシ樹脂 １００Ｍ量部
（Ｂ） 酸無水物硬化剤 ５０〜１５０重量部（Ｃ）１
分子中に少なくとも１り８ｉに結合した水酸基もしくは
アルコキシ基を有するオルガノポリシロキサン化合物３
〜３０重貸部および（至）硬化促進剤として、イミグゾ
ール化合物、１．８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７もしくはその塩類および有機ホスフィン
化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物
０．１〜１０重量部 とからなるエポキシ樹脂組成物にて発光素子を封止して
なることを特徴とする樹脂封止型発光装置である。
分子中に少なくとも１り８ｉに結合した水酸基もしくは
アルコキシ基を有するオルガノポリシロキサン化合物３
〜３０重貸部および（至）硬化促進剤として、イミグゾ
ール化合物、１．８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）
ウンデセン−７もしくはその塩類および有機ホスフィン
化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物
０．１〜１０重量部 とからなるエポキシ樹脂組成物にて発光素子を封止して
なることを特徴とする樹脂封止型発光装置である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は１分子中に２
個以上のエポキシ基を含有する通常知られているエポキ
シ樹脂であり、特に限定されない。
個以上のエポキシ基を含有する通常知られているエポキ
シ樹脂であり、特に限定されない。
例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ鋪脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂などがあげられる
が、特に好ましい代表例を示すと、エビコー）８２８．
エピコート１００１゜エピコート１００４．エピコート
８０７（いずれもシェル社製）、エビクロン８３０（犬
日本インキ化学社製）、チッソノツクス２２１（チッソ
社製）などのエポキシ樹脂があげられ、それ単独あるい
は２種以上の混合系で用いてもよい。
ールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ鋪脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂などがあげられる
が、特に好ましい代表例を示すと、エビコー）８２８．
エピコート１００１゜エピコート１００４．エピコート
８０７（いずれもシェル社製）、エビクロン８３０（犬
日本インキ化学社製）、チッソノツクス２２１（チッソ
社製）などのエポキシ樹脂があげられ、それ単独あるい
は２種以上の混合系で用いてもよい。
本発明において用いられる酸無水物硬化剤としては、例
えばヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラ
ヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタ
ル酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸などがあげられる。これらは単独あるいは２
種以上の混合系で用いてもよい。しかして、酸無水物の
混合割合はエポキシ樹脂１００重量部に対して５０〜１
５０重量部の範囲内で常に選ばれる。
えばヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラ
ヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタ
ル酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸などがあげられる。これらは単独あるいは２
種以上の混合系で用いてもよい。しかして、酸無水物の
混合割合はエポキシ樹脂１００重量部に対して５０〜１
５０重量部の範囲内で常に選ばれる。
その理由は、酸無水物の配合割合が上記範囲をはずれる
と、熱変形温度や電気的特性の著しい低下がみられるた
めである。
と、熱変形温度や電気的特性の著しい低下がみられるた
めである。
さらに、本発明において用いられる８ｉに結合した水酸
基もしくはアルコキシ基を有するオルガノポリシロキサ
ン化合物としては、一般式（式中、Ｒ１＝Ｒｘｏはアル
キル基、フェニル基、ビニル基、アリル基、ＯＨ基ある
いはアルコキシ基などを示し、少なくとも１個はＯＨ基
寸たけアルコキシ基である。またｍ、ｎはＯまたはｌ以
−ヒの正の整数を示す。） で表わされるオルガノポリシロキサン化合物あるいは、
例えば、５Ｈ−６０１８（東しシリコーン社製） 、Ｋ
ＦＬ−２１３，ＫＲ−２１６，ＫＩＬ−２１８（以−ヒ
信越化学社製）、ＴＳＲ−１６５、ＹＲ−３１６８、Ｙ
Ｒ−３３５７（以上 東芝シリコーン社製）などがあげ
られる。これらのオルガノポリシロキサン化合物は単独
あるいは２種以上の混合系で用いてもよい１かかるオル
ガノポリシロキサン化合物の配合割合は、エポキシｇｇ
＝ｉｏｏ重量部に対して常に３〜３０重逮部の範囲内で
選ばれる。その理由は、３重量部未満では残留する内部
応力の低減が充分でなり、捷た３０重量部を越えると、
エポキシ樹脂硬化物の熱変形温度、機械的特性などの低
下が著しくなるからである。
基もしくはアルコキシ基を有するオルガノポリシロキサ
ン化合物としては、一般式（式中、Ｒ１＝Ｒｘｏはアル
キル基、フェニル基、ビニル基、アリル基、ＯＨ基ある
いはアルコキシ基などを示し、少なくとも１個はＯＨ基
寸たけアルコキシ基である。またｍ、ｎはＯまたはｌ以
−ヒの正の整数を示す。） で表わされるオルガノポリシロキサン化合物あるいは、
例えば、５Ｈ−６０１８（東しシリコーン社製） 、Ｋ
ＦＬ−２１３，ＫＲ−２１６，ＫＩＬ−２１８（以−ヒ
信越化学社製）、ＴＳＲ−１６５、ＹＲ−３１６８、Ｙ
Ｒ−３３５７（以上 東芝シリコーン社製）などがあげ
られる。これらのオルガノポリシロキサン化合物は単独
あるいは２種以上の混合系で用いてもよい１かかるオル
ガノポリシロキサン化合物の配合割合は、エポキシｇｇ
＝ｉｏｏ重量部に対して常に３〜３０重逮部の範囲内で
選ばれる。その理由は、３重量部未満では残留する内部
応力の低減が充分でなり、捷た３０重量部を越えると、
エポキシ樹脂硬化物の熱変形温度、機械的特性などの低
下が著しくなるからである。
また、本発明において用いられる硬化促進剤としては、
例えば、２−メチルイミダゾール、′２−エチルー４−
メチルイミダゾール、１−シアンエチル−２−エチル−
４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、
２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合
物；１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７およびそのフェノール塩、２−エチルへキサン酸
塩オレイン酸塩、重性炭酸塩など、また、トリフェニル
ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン。
例えば、２−メチルイミダゾール、′２−エチルー４−
メチルイミダゾール、１−シアンエチル−２−エチル−
４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、
２−ヘプタデシルイミダゾールなどのイミダゾール化合
物；１，８−ジアザ−ビシクロ（５，４，０）ウンデセ
ン−７およびそのフェノール塩、２−エチルへキサン酸
塩オレイン酸塩、重性炭酸塩など、また、トリフェニル
ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン。
トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンな
どの有機ホスフィン化合物などがあげられる。これらは
単独あるいは２種以上の汎金糸で用いてもよい。硬化促
進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して常
に０．１〜１０重搦：部の範囲内で選ばれる。その理由
は、０１１重部未満では硬化を促進する効果がなく、１
０重量部以上では硬化の際の発熱が激しすぎて硬化物に
クラックの発生がみられたり、著しいＡ色がみられ光透
過率が低下するためである。
どの有機ホスフィン化合物などがあげられる。これらは
単独あるいは２種以上の汎金糸で用いてもよい。硬化促
進剤の配合量は、エポキシ樹脂１００重量部に対して常
に０．１〜１０重搦：部の範囲内で選ばれる。その理由
は、０１１重部未満では硬化を促進する効果がなく、１
０重量部以上では硬化の際の発熱が激しすぎて硬化物に
クラックの発生がみられたり、著しいＡ色がみられ光透
過率が低下するためである。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物には、上記の成分の他
に必要に応じて、安定剤、順相あるいはその他の添加物
を添加することができる。
に必要に応じて、安定剤、順相あるいはその他の添加物
を添加することができる。
次に本発明の実施例を記載する。
実施例１〜６
エビコー）８２８（シェル社製、ビスフェノールＡｕエ
ポキシ樹脂、エポキシ当：ｆｔｆ １９０ ’） ＋８
Ｈ−６０１’８ （東しシリコーン社製、メチルフェニ
ルヒドロキンポリシロキサン）、ＴＳＲ−１６５（東芝
シリコーン社製、メチルフェニルメトキシポリシロキサ
ン）、ＰＢ−Ｃ−２０００（日本傅達社ｊａｒ ｔｋ状
ポリブタジェン）、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、
ｌ、８−ジアザ−ビシクロ（５゜４．０）ウンデセン−
７（以下、ＤＢＵと記す）１−シアン再チルー２−エチ
ルー４−メチルイミダゾール（以下、２に４ＭＺ−ＣＮ
と記す。）およびトリフェニルホスフィンを第１表に示
す組成比（重Ｉｔ都）に選び、比較例１〜４をきめ、１
０種の発光素子対土用エポキシ・聞脂組成物を調製した
。
ポキシ樹脂、エポキシ当：ｆｔｆ １９０ ’） ＋８
Ｈ−６０１’８ （東しシリコーン社製、メチルフェニ
ルヒドロキンポリシロキサン）、ＴＳＲ−１６５（東芝
シリコーン社製、メチルフェニルメトキシポリシロキサ
ン）、ＰＢ−Ｃ−２０００（日本傅達社ｊａｒ ｔｋ状
ポリブタジェン）、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、
ｌ、８−ジアザ−ビシクロ（５゜４．０）ウンデセン−
７（以下、ＤＢＵと記す）１−シアン再チルー２−エチ
ルー４−メチルイミダゾール（以下、２に４ＭＺ−ＣＮ
と記す。）およびトリフェニルホスフィンを第１表に示
す組成比（重Ｉｔ都）に選び、比較例１〜４をきめ、１
０種の発光素子対土用エポキシ・聞脂組成物を調製した
。
上記によって調製した各エポキシ位Ｌｊ旨、狙成物を用
い、注型法により発光素子を封止した。かくして得られ
た樹脂封止型発光装置についてＩＰ＝２５ｍＡ、２５°
Ｃの条件にて連続通電試験を行ない。試験開始時および
１６８時間後の光出力Ｐｏを測定しＰｏ劣化特注を評訓
した。結果を第１表に併せて示した。
い、注型法により発光素子を封止した。かくして得られ
た樹脂封止型発光装置についてＩＰ＝２５ｍＡ、２５°
Ｃの条件にて連続通電試験を行ない。試験開始時および
１６８時間後の光出力Ｐｏを測定しＰｏ劣化特注を評訓
した。結果を第１表に併せて示した。
寸た、各発ブＬ素子封止用エポキシ樹脂組成物について
、硬化後の２５°Ｏにおける内部応力および樹脂硬化物
の熱変形温度、光透過率（５５０ｎ ｍ ）を測定し、
それらの結果を第１表に併せて示した。
、硬化後の２５°Ｏにおける内部応力および樹脂硬化物
の熱変形温度、光透過率（５５０ｎ ｍ ）を測定し、
それらの結果を第１表に併せて示した。
なお、内部応力はストレインゲージを用いてスチールリ
ング法により測定した。また、熱変形温度はＡＳＴＭ
Ｄ６４８−５６に規定された方法により測定し、光透過
率はスペクトロフォトメーター（日本分光製）を用いて
測定した。メ丁兄臼〔発明の効果〕 上記例から明らかなように、本発明に係る発光素子封止
用エポキシ樹脂組成物は硬化物の熱変形温度および光透
過率を低下させることなく、残留する内部応力を著しく
低減することができ、係るエポキシ樹脂組成物で封止さ
れた発尤装置はすぐれた光出力２０％性を有する。
ング法により測定した。また、熱変形温度はＡＳＴＭ
Ｄ６４８−５６に規定された方法により測定し、光透過
率はスペクトロフォトメーター（日本分光製）を用いて
測定した。メ丁兄臼〔発明の効果〕 上記例から明らかなように、本発明に係る発光素子封止
用エポキシ樹脂組成物は硬化物の熱変形温度および光透
過率を低下させることなく、残留する内部応力を著しく
低減することができ、係るエポキシ樹脂組成物で封止さ
れた発尤装置はすぐれた光出力２０％性を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 四 エポキシ樹脂 １００重量部 （Ｂ） 酸無水物硬化剤 ５０〜１５０重量部（ＣＪ
１分子中に少なくとも１りＳｉに結合した水酸基もしく
はアルコンキシ基を有するオルガノポリシロキサン化合
物３〜３０重量部および（至）硬化促進剤として、イミ
ダゾール化合物、１．８−ジアザ−ビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７もしくはその塩類および有機ホスフ
ィン化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化
合物ｏ、 ｉ〜１０重量部 とからなるエポキシ樹脂組成物にて発光素子を封止して
なることを特徴とする樹脂封止型発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176940A JPS6070781A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 樹脂封止型発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58176940A JPS6070781A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 樹脂封止型発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6070781A true JPS6070781A (ja) | 1985-04-22 |
Family
ID=16022395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176940A Pending JPS6070781A (ja) | 1983-09-27 | 1983-09-27 | 樹脂封止型発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6070781A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
| JPH03224255A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-10-03 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
| JP2006241230A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置 |
| JP2006274249A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-10-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
| JP2022532182A (ja) * | 2019-05-10 | 2022-07-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電素子および光電素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-09-27 JP JP58176940A patent/JPS6070781A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127723A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 発光または受光素子成形体 |
| JPH03224255A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-10-03 | Nitto Denko Corp | 光半導体装置 |
| JP2006241230A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Nitto Denko Corp | エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置 |
| JP2006274249A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-10-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
| US7674865B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-03-09 | Nitto Denko Corporation | Photosemiconductor encapsulant of epoxy resin, anhydride and aromatic silicone resin |
| JP2022532182A (ja) * | 2019-05-10 | 2022-07-13 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電素子および光電素子の製造方法 |
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