JP2010144015A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記を含有し低塩素含有量の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。(A)エポキシ樹脂。(B)酸無水物系硬化剤。(C)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。
【選択図】なし
Description
(A)エポキシ樹脂。
(B)酸無水物系硬化剤。
(C)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。
(x2)上記(C)成分に含まれる塩素量が5ppm以下。
(a)A1単位が0〜30モル%
(b)A2単位が0〜80モル%
(c)A3単位が20〜100モル%
(d)A4単位が0〜30モル%
トリグリシジルイソシアヌレート〔日産化学工業社製、エポキシ当量100、塩素量:235ppm(公知の精製手段を用いて所定の塩素量となるよう調整した。)〕
トリグリシジルイソシアヌレート〔日産化学工業社製、エポキシ当量100、塩素量:630ppm(公知の精製手段を用いて所定の塩素量となるよう調整した。)〕
3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート〔ダイセル化学工業社製、エポキシ当量135、塩素量:検出限界[1ppm]以下(公知の精製手段を用いて所定の塩素量となるよう調整した。)〕
4−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(x)とヘキサヒドロ無水フタル酸(y)の混合物(混合重量比x:y=7:3)(酸無水当量168)
フェニルトリクロロシラン148.2g(66mol%)、メチルトリクロロシラン38.1g(24mol%)、ジメチルジクロロシラン13.7g(10mol%)およびトルエン215gの混合物を、あらかじめフラスコ内に用意した水550g、メタノール150gおよびトルエン150gの混合溶媒に激しく攪拌しながら5分かけて滴下した。フラスコ内の温度は75℃まで上昇し、そのまま10分間攪拌を続けた。この溶液を静置し、室温(25℃)まで冷却した後、分離した水層を除去し、引き続き水を混合して攪拌後静置し、水層を除去するという水洗浄操作をトルエン層が中性になるまで行った。残った有機層は30分還流を続け、水およびトルエンの一部を留去した。得られたオルガノシロキサンのトルエン溶液を濾過して、不純物を除去した後、さらに残ったトルエンをロータリーエバポレータを用いて減圧留去することによって、固形のシリコーン樹脂aを得た。得られたシリコーン樹脂aはOH基を6重量%含むものであった。なお、使用した原料クロロシランは全て反応しており、得られたシリコーン樹脂aは、前記式(3)〜(4)で表されるシロキサン単位を構成成分とするシリコーン樹脂であり、前記A2単位が10モル%、A3単位が90モル%からなり、フェニル基が60%、メチル基が40%のものであった。
公知の精製方法によって塩素量を所定量となるよう調整した以外は上記シリコーン樹脂aと同様にして固形のシリコーン樹脂bを得た。得られたシリコーン樹脂bはOH基を6重量%含むものであった。そして、得られたシリコーン樹脂bは、前記式(3)〜(4)で表されるシロキサン単位を構成成分とするシリコーン樹脂であり、前記A2単位が10モル%、A3単位が90モル%からなり、フェニル基が60%、メチル基が40%のものであった。
公知の精製方法によって塩素量を所定量となるよう調整した以外は上記シリコーン樹脂aと同様にして固形のシリコーン樹脂cを得た。得られたシリコーン樹脂cはOH基を6重量%含むものであった。そして、得られたシリコーン樹脂cは、前記式(3)〜(4)で表されるシロキサン単位を構成成分とするシリコーン樹脂であり、前記A2単位が10モル%、A3単位が90モル%からなり、フェニル基が60%、メチル基が40%のものであった。
公知の精製方法によって塩素量を所定量となるよう調整した以外は上記シリコーン樹脂aと同様にして固形のシリコーン樹脂dを得た。得られたシリコーン樹脂dはOH基を6重量%含むものであった。そして、得られたシリコーン樹脂dは、前記式(3)〜(4)で表されるシロキサン単位を構成成分とするシリコーン樹脂であり、前記A2単位が10モル%、A3単位が90モル%からなり、フェニル基が60%、メチル基が40%のものであった。
N,N−ジメチルベンズアミン
下記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、下記に示す方法にしたがってエポキシ樹脂組成物を調製した。まず、エポキシ樹脂成分を125℃に加温し溶融液体状態とした後、シリコーン樹脂を添加し90℃で5分間溶融混合した。ついで、酸無水物を添加し、70℃で10分間攪拌した後、65℃まで自然冷却した後、これに硬化促進剤を添加し1分間攪拌した。得られた溶融混合物を常温(40〜50℃)にて所定のゲルタイムになるまで熟成することにより固形ペレットを作製した。得られたペレットを粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
なお、ここでいう所定のゲルタイムとは、150℃で30〜40秒を意味するが、成形条件により適宜設定されるものであり、特にこれに限定されるものではない。
エポキシ樹脂中におけるシリコーン樹脂の硬化性を評価するために、まず、後記の表1〜表2に示す、エポキシ樹脂成分およびシリコーン樹脂成分のみを同表に示す割合で上述の方法に従い溶融混合し、回転粘度計(HAAKE社製、RS-1)により回転速度5(1/s)、100℃にて粘度上昇を測定し、エポキシ樹脂中におけるシリコーン樹脂のゲル化時間を測定した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形機(成形条件:150℃×4分間)により厚み1mm×直径50mmの円板状試験片を作製した後、さらに150℃の乾燥機にて3時間のポストキュアを行なった。得られた試験片を用いて、分光光度計(島津製作所社製、UV3101)により、波長400nmにおける透過率を測定した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形機(成形条件:150℃×4分間)により長さ15mm×一辺5mm角の柱状試験片を作製した後、さらに150℃の乾燥機にて3時間のポストキュアを行なった。得られた試験片を用いて、熱分析装置(TMA:島津製作所社製、TMA-50)により、毎分2℃の昇温速度にて熱膨張量を測定し、ガラス転移温度およびガラス転移温度以下での線膨張係数を求めた。
つぎに、上記各実施例のエポキシ樹脂組成物を用いて、InGaN系(波長405nm)LEDをポッティング(120℃×1時間)により直径5mmの砲弾型ランプに樹脂封止し、さらに150℃で3時間硬化させることにより光半導体装置を作製した。得られた光半導体装置は、特に問題のない透明性に優れたものであった。
Claims (5)
- 下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、下記の特性(x1)および(x2)の少なくとも一方を備えることを特徴とする光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)酸無水物系硬化剤。
(C)シリコーン樹脂を構成するシロキサン単位が下記の一般式(1)で表され、一分子中に少なくとも一個のケイ素原子に結合した水酸基またはアルコキシ基を有し、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基(R)中、10モル%以上が置換または未置換の芳香族炭化水素基であるシリコーン樹脂。
(x2)上記(C)成分に含まれる塩素量が5ppm以下。 - (C)成分であるシリコーン樹脂のケイ素原子に結合する一価の炭化水素基(R)が、メチル基およびフェニル基である請求項1または2記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- (C)成分であるシリコーン樹脂が軟化点150℃以下もしくは常温で液体を示し、かつ(A)成分であるエポキシ樹脂および(B)成分である酸無水物系硬化剤と均一に相溶しうるものであり、上記(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物を硬化した後、(C)成分であるシリコーン樹脂がナノ粒子分散している請求項1〜3のいずれか一項に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置。
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