CN1871878A - 有机器件用电极、设有有机器件用电极的电子设备及有机器件用电极的形成方法 - Google Patents

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Abstract

将在一种或多种有机化合物(101)中分散将导电性无机化合物作成微粒状的导电性微粒(102)而构成的复合材料,以层状形成在有机器件的有机层(110)的电极形成面,从而构成有机器件用电极(100),可通过分散到有机化合物基质中的导电性微粒来实现电子注入功能或空穴注入功能。

Description

有机器件用电极、设有有机器件用电极的电子设备及 有机器件用电极的形成方法
技术领域
本发明涉及用于利用有机化合物的性质的EL元件或FET等有机器件的有机器件用电极,设有该有机器件用电极的电子设备,以及该有机器件用电极的形成方法。
背景技术
有机器件中的电极成为将发挥器件之功能的有机化合物和布线等无机化合物连接的接点,因此非常重要,进行各式各样的处理。例如,作为有机EL元件的电子注入电极,掺杂碱金属等功函数小的金属的技术有效(例如,参照日本特开平10-270171号公报)。该技术中,使金属以给予体方式作用,该金属与有机化合物形成电荷移动络合物,从而提高电子注入性。因而,该金属与有机化合物的比率按摩尔比最好为1∶1左右(例如,参照文献J.基德(j.キド)等,“设有掺杂金属的电子注入层的高亮度有机EL元件(金属ド一プによる電子注入
Figure A20048003141000031
を有する高輝度有機EL素子)”,Applied Physics Letters,美国物理学协会,1998年11月,vol.70,No.2,p.152-154)。
上述的有机器件用电极通过使有机化合物和金属用电阻加热而分别蒸发,在气相中混合后蒸镀的方法(所谓共蒸镀法)来制作。这时,有机化合物与金属之比率用晶体振子监测,因此会以重量比进行监测。通常,在有机器件中使用的有机化合物分子量往往数百以上(例如,上述文献中使用的Alq的分子量为459),另一方面,金属原子量与之相比非常小(例如,在上述文献中使用的Li的原子量为7)。因而,将金属与有机化合物之比率按摩尔比设为1∶1左右时,重量比中的金属比率极小。
因此,使金属与有机化合物形成电荷移动络合物地制作有机器件用电极时,金属的蒸镀速率的控制性变差,难以制作稳定且均匀的器件。另外,特别是,金属以外的半导体性或导电性的无机化合物(半导体性/导电性的氧化物等)大部分蒸气压较低,难以用电阻加热法让它们蒸发,不能形成将这些作为给予体与有机化合物混合的有机器件用电极。
本发明的目的在于:基于与掺金属给予体完全不同的观点,提供实现电子注入功能和/或空穴注入功能的有机器件用电极。另外,由本发明的有机器件用电极的特质,提供可制作稳定且均匀的电极的有机器件用电极的形成方法。
发明的公开
本发明特征在于:在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用的有机器件用电极,使用由一种或多种有机化合物组成的基质上分散将导电性无机化合物作成微粒状的导电性微粒的复合材料。
另外,在上述发明的有机器件用电极中,上述导电性微粒的粒径最好在1(nm)~100(nm)。
另外,在上述发明的有机器件用电极中,上述导电性微粒的导电率最好为10-5(S/m)以上。
还有,上述发明的有机器件用电极可搭载于电子设备上。作为电子设备,例如有:便携电话、个人计算机、监视器、摄像机、数码相机、护目镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏设备、移动计算机、便携型游戏机、电子书、具备记录媒体的图像再现装置等。
另外,本发明第二方面的特征在于:在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用的有机器件用电极的形成方法,将有机化合物和微粒状导电性无机化合物即导电性微粒分散到同一溶剂中,将它湿式涂敷到有机器件用电极形成面,从而形成有机器件用电极。
另外,本发明第三方面的特征在于:在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用的有机器件用电极的形成方法,将可蒸镀的有机化合物和可蒸镀的导电性无机化合物,控制其重量比在4∶1~1∶4范围的同时共蒸镀到有机器件用电极形成面,使过剩的导电性无机化合物成为微粒状导电性微粒而分散到由有机化合物组成的基质,形成有机器件用电极。
依据上述那样构成的本发明的有机器件用电极,能够通过分散到有机化合物的基质的导电性微粒实现电子注入功能或空穴注入功能,因此容易适用于有机器件上,其实用的价值极高。另外,通过搭载上述发明的有机器件用电极,可提供通用的电子设备。
依据上述本发明第二方面的有机器件用电极的形成方法,由于可预先控制导电性微粒的粒径或混合量,其制作容易且无质量偏差。并且,可用难以蒸镀的无机化合物(蒸气压低的无机化合物)作为导电性微粒,因此具有扩大导电性微粒的材料选择范围的优点。
依据上述本发明第三方面的有机器件用电极的形成方法,由于无机化合物蒸镀时的重量比率接近有机化合物,具有重量比上的控制性(晶体振子监测上的控制性)提高的优点。另外具有这样的优点:在蒸镀组分即有机化合物和导电性无机化合物以外不存在杂质的真空容器中,可形成导电性无机化合物的微粒和有机化合物的极为洁净的接触界面。
附图的简单说明
图1是本发明的有机器件用电极的概略剖视图。
图2(a)是本发明的具有注入电子的功能的有机器件用电极的概略剖视图。
图2(b)是本发明的具有注入空穴的功能的有机器件用电极的概略剖视图。
图2(c)是本发明的具有注入电子和空穴的功能的有机器件用电极的概略剖视图。
图3是有机器件用电极的剖面TEM照片。
图4(a)是表示利用本发明的有机器件用电极的有机EL元件之一实施例的概略结构图。
图4(b)是表示利用本发明的有机器件用电极的有机EL元件的另一实施例的概略结构图。
图5是采用本发明的有机器件用电极的有机EL元件的特性图。
图6(a)是表示利用本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管之一实施例的概略结构图。
图6(b)是表示利用本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管的另一实施例的概略结构图。
图7(a)是表示搭载本发明的有机器件用电极的显示装置之一实施例的概略图。
图7(b)是表示搭载本发明的有机器件用电极的笔记本型个人计算机之一实施例的概略图。
图7(c)是表示搭载本发明的有机器件用电极的移动计算机之一实施例的概略图。
图7(d)是表示搭载本发明的有机器件用电极的便携型图像再现装置之一实施例的概略图。
图7(e)是表示搭载本发明的有机器件用电极的护目镜型显示器之一实施例的概略图。
图7(f)是表示搭载本发明的有机器件用电极的摄像机之一实施例的概略图。
图7(g)是表示搭载本发明的有机器件用电极的便携电话之一实施例的概略图。
本发明的最佳实施方式
为了更加详细描述本发明的有机器件用电极,根据附加的附图进行说明。
图1表示本发明的有机器件用电极100,将在一种或多种有机化合物101上分散将导电性无机化合物作成微粒状的导电性微粒102的复合材料,以层状形成到有机器件的有机层110的电极形成面。该导电性微粒102的粒径为1(nm)~100(nm),优选1(nm)~20(nm)。即,有机器件用电极100将保持导电性无机化合物特性的导电性微粒102分散到有机化合物101中,金属以原子形态与有机化合物作用,成为金属络合物那样的状态,从而与电极中不存在集中了保持本来金属的性质的组分的部分的状态明确区别。
在这样构成的有机器件用电极100中,高密度分散的导电性微粒102具有较大的表面系数,因此,可通过使这些导电性微粒102和有机化合物101相互作用来实现作为给予体或接受体的功能,同时存在有机化合物101的基质,从而与有机层110的密合性良好,因此适合作有机器件用电极。还有,为提高有机器件用电极的导电性,导电性微粒102最好采用导电率δ在10-5(S/m)以上的导电性无机化合物。
作为用于上述有机器件用电极100的有机化合物102,可采用一种有机化合物,也可采用混合多种的有机化合物。但是,为了辅助有机器件用电极100内载流子移动,最好采用π共轭系有机化合物。作为具有π共轭系的有机化合物,例如有:4,4′-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]联苯(简称:TPD)、4,4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(简称:α-NPD)、4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(简称:TDATA)、4,4′,4″-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]三苯胺(简称:MTDATA)、2,5-二(1-萘基)-1,3,4-二唑(简称:BND)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(简称:PBD)、1,3-二[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯(简称:OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(简称:TAZ)、红菲咯啉(简称:BPhen)、浴铜灵(简称:BCP)、2,2′,2″-(1,3,5-苯三基)-三[1-苯基-1H-苯并咪唑)(简称:TPBI)、三(8-羟基喹啉)铝(简称:Alq3)、二(10-羟基-苯并[h]喹啉)铍(简称:BeBq2)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(简称:BAlq)、二[2-(2-羟基苯基)-苯并唑]锌(简称:Zn(BOX)2)、4,4′-二(N-咔唑基)联苯(简称:CBP)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称:β-DNA)等低分子有机化合物,或者聚(乙烯基三苯胺)(简称:PVT)、聚(N-乙烯基咔唑)(简称:PVK)、聚(2,5-二烷氧基-1,4-亚苯基亚乙烯基)(简称:RO-PPV)、聚(2,5-二烷氧基-1,4-亚苯基)(简称:RO-PPP)、聚(9,9-二烷基芴)(简称:PDAF)、聚(3-烷基噻吩)(简称:PAT)等高分子有机化合物。
另一方面,作为导电性微粒102,除了一种或多种典型金属、过渡金属、镧系元素等金属或合金(具体地说,Li、Mg、Ca、Al、Ag、Au、Cu、Pt等)以外,还可采用包含第15族元素的无机化合物(氮化物、磷化物、砷化物)、包含第16族元素的无机化合物(氧化物、硫化物、硒化物、碲化物)、包含第17族元素的无机化合物(溴化物、碘化物)等金属以外的无机化合物(具体地说,Mg3N2、Ca3N2、ITO、ZnO、NiO、MoO3、V2O5、ZnS、CdS、CdSe、CuI等)、在可见光区域透明的导电体(Rh、Pd、Cr、SiO2、In2O3、CdO、TiO2、ZnSnO4、MgInO4、CaGaO4、TiN、ZrN、HfN、LaB6等)。
另外,本发明的有机器件用电极可扩大其应用范围,可特化到电子注入功能,或特化到空穴注入功能,或者构成为一并具有电子注入功能和空穴注入功能。
图2(a)所示的有机器件用电极100a,作为分散到有机化合物101a基质的导电性微粒102a,通过采用功函数在4.2(eV)以下的导电性无机化合物(例如,Li、Mg、Ca、Me3N2、Ca3N2等)或表示n型的半导体(例如,ZnO、ZnS、CdS、CdSe等),实现对有机器件的有机层110注入电子的功能。还有,作为有机化合物101a,最好采用电子传输性的有机化合物(例如,BND、PBD、OXD-7、TAZ、BPhen、BCP、TPBI、Alq3、BeBq2、BAlq、Zn(BOX)2等)。
图2(b)所示的有机器件用电极100b中,作为对有机化合物101b的基质分散的导电性微粒102b,采用功函数大于4.2(eV)的导电性无机化合物(例如,Ag、Au、Cu、Pt、ITO等)或表示p型的半导体(例如,NiO、MoO3、V2O5等),实现对有机器件的有机层110注入空穴的功能。还有,作为有机化合物101b,最好采用空穴传输性的有机化合物(例如,TPD、α-NPD、TDATA、MTDATA、PVT、PVK等)。
图2(c)所示的有机器件用电极100c中,作为分散到有机化合物101c的基质的导电性微粒102c,将功函数为4.2(eV)以下的导电性无机化合物(例如,Li、Mg、Ca、Mg3N2、Ca3N2等)或表示n型的半导体(例如,ZnO、ZnS、CdS、CdSe等)和功函数大于4.2(eV)的导电性无机化合物(例如,Ag、Au、Cu、Pt、ITO等)或表示p型的半导体(例如,NiO、MoO3、V2O5等)按适当比例混合,从而根据对有机器件的第一有机层110a到第二有机层110b施加电压,例如能够实现对第一有机层110a注入电子,另一方面,对第二有机层110b注入空穴的功能。还有,作为有机化合物101c,最好采用具有双极性的π共轭系的有机化合物。
以下,就上述的有机器件用电极的形成方法进行详细说明。
第一形成方法是将有机化合物和微粒状导电性无机化合物即导电性微粒分散到同一溶剂,将它湿式涂敷(浸涂、旋涂、喷涂等)到有机器件用电极形成面,形成有机器件用电极的方法。依据本方法,可预先控制导电性微粒的粒径或混合量,使制作容易且不会产生质量偏差。并且,由于可用难以蒸镀的无机化合物(蒸气压低的无机化合物)作为导电性微粒,具有扩大导电性微粒材料选择范围的优点。还有,通常难以将微粒状金属或无机化合物与有机化合物均匀混合而形成膜状物,预先用烷基硫醇或三氯烷基硅烷等表面稳定化剂对金属或无机化合物表面进行处理,可提高分散性。另外,利用容易空气氧化的金属或无机化合物形成有机器件用电极时,在惰性气氛下,有机溶剂中通过反应生成导电性无机化合物,从导电性无机化合物生长为微粒的状态调制与有机化合物的混合分散液,可通过湿式涂敷形成膜状物。
第二形成方法是通过将可蒸镀的有机化合物和可蒸镀的导电性无机化合物控制其重量比在4∶1~1∶4的范围并共蒸镀到有机器件用电极形成面,将过剩的导电性无机化合物成为微粒状的导电性微粒分散到由有机化合物组成的基质形成有机器件用电极的方法。即,本形成方法中,通过将有机化合物和无机化合物的摩尔比设为1∶1左右进行共蒸镀,使金属以原子状态作用到有机化合物成为金属络合物的状态,并不使保持金属性质的组分存在于所形成的膜中,而是控制重量比使导电性无机化合物/有机化合物在1/4以上(最好1/2以上)4/1以下(最好2/1以下),同时进行共蒸镀,从而设为对由有机化合物组成的基质中分散导电性微粒的状态。依据本方法,使无机化合物蒸镀时的重量比率接近有机化合物,具有重量比的控制性(晶体振子监测上的控制性)提高的优点。另外,依据本形成方法,具有在蒸镀组分即有机化合物和导电性无机化合物以外不存在杂质的真空容器中,可形成导电性无机化合物的微粒与有机化合物的极为洁净的接触界面的优点。
在图3示出用上述的第二方法制作的有机器件用电极的剖面TEM照片。这是按照“Al/有机器件用电极/Al”的顺序层叠的结构,将作为导电性无机化合物使用的Mg的蒸镀速率固定为0.1(nm/s),并使作为有机化合物使用的Alq3也蒸发,调整总蒸镀速率为0.2(nm/s)并进行Mg和Alq3的共蒸镀。即,设定Mg和Alq3的比率按重量比成为1∶1的条件。但是,实际上两组分在蒸发初期Mg组分具有蒸镀速率变大的倾向,与在衬底上形成的Al薄膜最近的一侧,Mg的供给过剩。在该剖面TEM照片中,在衬底侧Al薄膜正上方的电极层上观测到粒径为数nm~十数nm左右的阴影。由于呈现不均匀的对比度,认为它是金属的结晶。因而,确认可通过共蒸镀在有机化合物的基质上分散形成Mg的微晶(即导电性微粒)。还有,在观察到不均匀的对比度的部分之上方,不能直接观察到Mg微粒,但估计在该部分形成有粒径在数nm以下的Mg微粒。
(有机器件结构例1)
接着,作为采用上述有机器件用电极而构成的有机器件的结构例1,说明对有机EL元件的适用例。在图4(a)示出该元件结构。
图4(a)示出将具有电子注入功能的有机器件用电极(上述的图2(a)的类型)作为电子注入电极导入的公知的有机EL元件,其中,201为阳极、202为阴极、203为电致发光层、204为电子注入电极。还有,电致发光层203是包含可电致发光或可通过载流子注入来发光的有机化合物的层。
(有机EL元件的实施例1)
作为上述有机EL元件的电子注入电极,说明适用本发明的有机器件用电极的有机EL元件的制作例。
首先,用乙醇煮沸清洗用作阳极201的ITO被图案化的玻璃衬底,再用臭氧等离子体清洗机清洗衬底表面。将该清洗后的衬底与蒸镀的材料置于真空蒸镀装置内,然后使容器内减压到10-4(Pa)左右。
在达到目标真空度后,首先,以0.2~0.4(nm/s)左右的速率蒸镀TPD,成膜70(nm)。接着,以0.2~0.4(nm/s)左右的速率蒸镀Alq3,成膜60(nm)。以上成为电致发光层203。
接着,将Mg的蒸镀速率固定为0.1(nm/s),并使Alq3也蒸发,从而进行Mg与Alq3的共蒸镀。这时,调整总蒸镀速率成为0.2(nm/s),因此Mg与Alq3的比率按重量比成为1∶1。因而,可得到与图3中观察到的本发明有机器件用电极相同的结构。另外,使用功函数为4.2(eV)以下的导电性无机化合物即Mg作为导电性微粒,因此作为电子注入电极205起作用。还有,该电子注入电极205形成为10(nm)。接着以0.2~0.4(nm/s)左右的蒸镀速率,将Al成膜80(nm),作为阴极202。
在图5(图中的实施例1)示出上述那样制作的有机EL元件的元件特性。还有,横轴表示电流密度(V),纵轴表示外部量子效率(%:外部取出的光子数/注入的载流子数)。发光时外部量子效率为0.6~1.1%左右。
(有机器件结构例2)
作为利用上述的有机器件用电极构成的有机器件的结构例2,说明对其它有机EL元件的适用例。在图4(b)示出该元件结构。
图4(b)示出将一并具有电子注入功能和空穴注入功能的有机器件用电极(将上述图2(c)所示类型的电极或图2(a)所示类型与图2(b)所示类型层叠的结构的电极)作为内部电极导入的公知的有机EL元件(MPE元件),其中,201为阳极、202为阴极、203a为第一电致发光层、203b为第二电致发光层、205为由电子注入电极层205a和空穴注入电极层205b构成的电荷发生层。还有,第一电致发光层203a与第二电致发光层203b是包含可电致发光或可通过载流子注入来发光的有机化合物的层。另外,电荷发生层205并不与外部电路连接,成为浮置状的内部电极。
在上述结构的有机EL元件中,在阳极201与阴极202之间施加电压V时,从电荷发生层205的电子注入电极层205a向第一电致发光层203a注入电子,且从电荷发生层205的空穴注入电极层205b向第二电致发光层203b注入空穴。另一方面,从外部电路看,从阳极201向第一电致发光层203a注入空穴,且从阴极202向第二电致发光层203b注入电子,因此在第一电致发光层203a与第二电致发光层203b两方引起载流子的再耦合,达至发光。这时,若流过电流I,则在第一电致发光层203a和第二电致发光层203b均能释放与电流I对应量的光子。因而,与电致发光层只有一层的有机EL元件相比,具有以相同电流可释放二倍量的光的优点。
还有,本结构例中,将二层的电致发光层层叠在电荷发生层,但可通过层叠更多的电致发光层(在各电致发光层之间分别插入电荷发生层),提高电流效率为几倍,理论上,伴随电流效率的提高,也可期待显著改善元件寿命。但是,如果电致发光层的层叠数增加,为使相同电流I流过,需要高电压。
(有机EL元件的实施例2)
作为上述的有机EL元件(MPE元件)中的电荷发生层,说明适用本发明的有机器件用电极的有机EL元件的制作例。
首先,用乙醇煮沸清洗用作阳极201的ITO被图案化的玻璃衬底,再用臭氧等离子体清洗机清洗衬底表面。将该清洗后的衬底与蒸镀的材料置于真空蒸镀装置内,然后使容器内减压至10-4Pa左右。
在达到目标真空度后,首先,以0.2~0.4nm/s左右的速率蒸镀TPD,成膜70nm。接着,以0.2~0.4nm/s左右的速率蒸镀Alq3,成膜60nm。以上成为第一电致发光层203a。
接着,将Mg的蒸镀速率固定为0.1nm/s,使Alq3也蒸发,从而进行Mg与Alq3的共蒸镀。这时,调整总蒸镀速率成为0.2nm/s,因此Mg与Alq3的比率按重量比成为1∶1。还有,该共蒸镀层形成为10nm厚度。另外,将Au的蒸镀速率固定为0.1nm/s,并使TPD也蒸发,从而进行Au与TPD的共蒸镀。这时,调整总蒸镀速率成为0.2nm/s,因此Au与TPD的比率按重量比成为1∶1。还有,该共蒸镀层形成为10nm厚度。以上总共20nm的共蒸镀层就是本发明的有机器件用电极,作为电荷发生层205起作用。
在这样形成的电荷发生层205上,与第一电致发光层203a同样,形成层叠TPD(70nm)和Alq3(60nm)的第二电致发光层203b。另外,通过与上述同样的方法,使Mg与Alq3按重量比成为1∶1地进行共蒸镀,形成10nm的共蒸镀层,接着以0.2~0.4nm/s左右的蒸镀速率,将Al成膜80nm,作为阴极202。
在图5(图中的实施例2)示出采用上述那样形成的本发明的有机器件用电极的多光子发射元件(ITO/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg∶Alq3(10nm)/Au∶TPD(10nm)/TPD(70nm)/Alq3(60nm)/Mg∶Alq3(10nm)/Al(80nm))的特性。发光时外部量子效率为1.2~1.6%左右。
由该结果可知作为上述实施例2表示的元件与实施例1的元件相比,提升了驱动电压,但外部量子效率在实施例1的元件以上,且作为多光子发射元件工作。因而,清楚通过在本发明的有机器件用电极上采用上述实施例2那样的结构,作为电荷发生层起作用,并可注入空穴和电子两种载流子。
(有机器件结构例3)
接着,作为采用上述各实施例的有机器件用电极构成的有机器件的结构例3,说明对有机场效应晶体管的适用例。在图6示出该元件结构。
图6(a)示出将电荷发生层作为内部电极导入的有机场效应晶体管,它由以下部分构成:衬底301、第一栅电极302、第一栅极绝缘膜303、第一源电极304a、第一漏电极304b、使用电子传输性有机化合物的电子传输层305a、使用空穴传输性有机化合物的空穴传输层305b、电荷发生层306、第二漏电极307a、第二源电极307b、第二栅极绝缘膜308以及第二栅电极309。还有,以下将电子传输层305a和空穴传输层305b统称为有机半导体层。
在该结构中,对第一栅电极302施加Vg1(>0),对第二栅电极309施加Vg2(<0),则如图3(a)所示,根据场效应,从电荷发生层306向电子传输层305a注入电子,并向空穴传输层305b注入空穴。另一方面,由于存在第一栅极绝缘膜303及第二栅极绝缘膜308,从第一栅电极302或第二栅电极309不会向有机半导体层中注入载流子。因而,在第一栅极绝缘膜303表面附近的有机半导体层中存储电子,第二栅极绝缘膜308表面附近的有机半导体层中存储空穴,形成电子和空穴的各电荷存储沟道层。
这时,如图3(b)所示,在第一源电极304a与第一漏电极304b之间施加Vsd1(>0),而在第二源电极307b与第二漏电极307a之间施加Vsd2(<0)。这样,第一栅极绝缘膜303附近的电子存储沟道层的电子和第二栅极绝缘膜308附近的空穴存储沟道层的空穴使各源极-漏极电路上有电流流过。
一般,有机场效应晶体管中,流过源极-漏电极的电流量确定从源电极注入的电荷量,这成为有机场效应晶体管的高速控制性、控制电流大小的限制因素。利用上述的电荷发生层的有机场效应晶体管中,利用从电荷发生层因施加电场而发生的电荷,而不是从源电极注入的电荷,因此具有可对较大电流量高速进行控制的优点。为此,电荷发生层必须具备对图6中的上方向注入空穴、对下方向注入电子的功能。即,将本发明的有机器件用电极作为电荷发生层306(内部电荷发生电极)使用时,可实现上述的有机场效应晶体管。
说明了采用本发明的有机器件用电极的有机场效应晶体管,但本发明的有机器件用电极可搭载于电子设备上。作为电子设备,例如有:便携电话、个人计算机、监视器、摄像机、数码相机、护目镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏设备、移动计算机、便携型游戏机、电子书,具备记录媒体的图像再现装置等。在图7(a)~(g)中示出这些电子设备的具体例。
图7(a)表示显示装置的一实施例,包含框体1001、支持座1002、显示部1003、扬声器部1004、视频输入端子1005等。本发明的有机器件用电极搭载于上述显示部1003等。还有,作为搭载有机器件用电极的显示装置,包含计算机用、TV播放接收用、广告显示用等信息显示用装置。
图7(b)表示笔记本型个人计算机的一实施例,包含本体1201、框体1202、显示部1203、键盘1204、外部连接端口1205、指示鼠标1206等。本发明的有机器件用电极载于上述显示部1203等。
图7(c)表示移动计算机的一实施例,包含本体1301、显示部1302、开关1303、操作键1304、红外线端口1305等。本发明的有机器件用电极搭载于上述显示部1302等。
图7(d)表示具备记录媒体的便携型图像再现装置(具体地说DVD再现装置)的一实施例,包含本体1401、框体1402、显示部1403、显示部1404、记录媒体(DVD等)读取部1405、操作键1406、扬声器部1407等。显示部1403主要显示图像信息,显示部1404主要显示文字信息,但本发明的有机器件用电极搭载于这些显示部1403、1404等。还有,具备记录媒体的图像再现装置还包含家用游戏设备等。
图7(e)表示护目镜型显示器的一实施例,包含本体1501、显示部1502、臂部1503。本发明的有机器件用电极搭载于上述显示部1502等。
图7(f)表示摄像机的一实施例,包含本体1601、显示部1602、框体1603、外部连接端口1604、遥控接收部1605、受像部1606、电池1607、声音输入部1608、操作键1609、目镜部1610等。本发明的有机器件用电极搭载于显示部1602等。
这里,图7(g)表示便携电话的一实施例,包含本体1701、框体1702、显示部1703、声音输入部1704、声音输出部1705、操作键1706、外部连接端口1707、天线1708等。本发明的有机器件用电极制作成用于该显示部1703等。还有,显示部1703可通过在黑色背景上显示白色文字来抑制便携电话的耗电。
如上述那样,本发明的有机器件用电极的适用范围极广,通过将该有机器件用电极搭载于所有领域的电子设备上,扩大其通用性。

Claims (6)

1.一种有机器件用电极(100),在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用,其特征在于:
使用由一种或多种有机化合物(101)组成的基质上分散将导电性无机化合物作成微粒状的导电性微粒(102)的复合材料。
2.如权利要求1所述的有机器件用电极,其特征在于:上述导电性微粒的粒径在1(nm)~100(nm)。
3.如权利要求1或2所述的有机器件用电极,其特征在于:上述导电性微粒的导电率为10-5(S/m)以上。
4.一种电子设备,设有权利要求1所述的所述有机器件用电极,所述电子设备是从便携电话、个人计算机、监视器、摄像机、数码相机、护目镜型显示器、导航系统、组合音响、汽车音响、游戏设备、移动计算机、便携型游戏机、电子书以及具备记录媒体的图像再现装置组成的组中选择的一种。
5.一种在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用的有机器件用电极的形成方法,其特征在于:
将有机化合物和微粒状导电性无机化合物即导电性微粒分散到同一溶剂中,将它湿式涂敷到有机器件用电极形成面,从而形成有机器件用电极。
6.一种在利用了有机化合物的性质的功能元件即有机器件上使用的有机器件用电极的形成方法,其特征在于:
将可蒸镀的有机化合物和可蒸镀的导电性无机化合物,控制其重量比在4∶1~1∶4范围的同时共蒸镀到有机器件用电极形成面,使过剩的导电性无机化合物成为微粒状导电性微粒而分散到由有机化合物组成的基质中,形成有机器件用电极。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109390149A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 钰邦科技股份有限公司 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法
CN109671577A (zh) * 2017-10-13 2019-04-23 钰邦科技股份有限公司 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法
CN111244307A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG176316A1 (en) * 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
KR101215860B1 (ko) 2004-05-21 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그 소자를 사용하는 발광 장치
KR101205192B1 (ko) * 2004-10-01 2012-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 발광 장치
US20070262693A1 (en) 2004-10-29 2007-11-15 Satoshi Seo Composite Material, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof
US8026531B2 (en) 2005-03-22 2011-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060244373A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method for manufacturing thereof
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
KR101351816B1 (ko) * 2005-07-06 2014-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 및 전자 기기
US8659008B2 (en) * 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
EP1784055A3 (en) 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
US8008851B2 (en) * 2006-01-19 2011-08-30 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display
KR101294845B1 (ko) 2006-01-19 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자와 그 제조방법
EP1981898B2 (en) 2006-02-10 2019-04-10 Universal Display Corporation Metal complexes of imidazo[1,2-f]phenanthridine ligands for use in OLED devices
US20070194321A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
EP1821579A3 (en) * 2006-02-17 2008-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic appliance
US7528418B2 (en) * 2006-02-24 2009-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US8247801B2 (en) * 2006-03-31 2012-08-21 Imec Organic semi-conductor photo-detecting device
JP2008108530A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
CN101836307A (zh) * 2007-08-17 2010-09-15 西北大学 p型半导体镍氧化物在体相异质结太阳能电池中作为增效阳极界面层
JP5347377B2 (ja) * 2007-08-31 2013-11-20 大日本印刷株式会社 縦型有機トランジスタ、その製造方法及び発光素子
EP2276087A4 (en) * 2008-04-28 2015-04-29 Dainippon Printing Co Ltd DEVICE WITH LOCHINJECTION / TRANSPORT COAT, METHOD OF PRODUCTION THEREOF AND INK FOR PRODUCING THE LOCHINJECTION / TRANSPORT COAT
US8288187B2 (en) 2010-01-20 2012-10-16 Universal Display Corporation Electroluminescent devices for lighting applications
JP2012038541A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Asahi Glass Co Ltd プラズモン共鳴型光電変換素子の製造方法、およびプラズモン共鳴型光電変換素子
US9525152B2 (en) 2011-08-26 2016-12-20 Sumitomo Chemical Company Limited Permeable electrodes for high performance organic electronic devices
US9386657B2 (en) 2012-03-15 2016-07-05 Universal Display Corporation Organic Electroluminescent materials and devices
US9540329B2 (en) 2012-07-19 2017-01-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9252363B2 (en) 2012-10-04 2016-02-02 Universal Display Corporation Aryloxyalkylcarboxylate solvent compositions for inkjet printing of organic layers
US9196860B2 (en) 2012-12-04 2015-11-24 Universal Display Corporation Compounds for triplet-triplet annihilation upconversion
US8716484B1 (en) 2012-12-05 2014-05-06 Universal Display Corporation Hole transporting materials with twisted aryl groups
US9653691B2 (en) 2012-12-12 2017-05-16 Universal Display Corporation Phosphorescence-sensitizing fluorescence material system
US10400163B2 (en) 2013-02-08 2019-09-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP6156797B2 (ja) * 2013-08-22 2017-07-05 国立大学法人山形大学 有機電子デバイス
US9876173B2 (en) 2013-12-09 2018-01-23 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9864248B2 (en) * 2013-12-27 2018-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and display device
US9450198B2 (en) 2014-04-15 2016-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9929361B2 (en) 2015-02-16 2018-03-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11056657B2 (en) 2015-02-27 2021-07-06 University Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US9859510B2 (en) 2015-05-15 2018-01-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10418568B2 (en) 2015-06-01 2019-09-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11127905B2 (en) 2015-07-29 2021-09-21 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672996B2 (en) 2015-09-03 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20170229663A1 (en) 2016-02-09 2017-08-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10236456B2 (en) 2016-04-11 2019-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10672997B2 (en) 2016-06-20 2020-06-02 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11482683B2 (en) 2016-06-20 2022-10-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10862054B2 (en) 2016-06-20 2020-12-08 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10608186B2 (en) 2016-09-14 2020-03-31 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680187B2 (en) 2016-09-23 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11196010B2 (en) 2016-10-03 2021-12-07 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11011709B2 (en) 2016-10-07 2021-05-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20180130956A1 (en) 2016-11-09 2018-05-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10680188B2 (en) 2016-11-11 2020-06-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780865B2 (en) 2017-01-09 2023-10-10 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10844085B2 (en) 2017-03-29 2020-11-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10944060B2 (en) 2017-05-11 2021-03-09 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US12098157B2 (en) 2017-06-23 2024-09-24 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11228010B2 (en) 2017-07-26 2022-01-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11744142B2 (en) 2017-08-10 2023-08-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20190161504A1 (en) 2017-11-28 2019-05-30 University Of Southern California Carbene compounds and organic electroluminescent devices
EP3492480B1 (en) 2017-11-29 2021-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11937503B2 (en) 2017-11-30 2024-03-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20200075870A1 (en) 2018-08-22 2020-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN111269711A (zh) * 2018-12-04 2020-06-12 香港大学 过渡金属发光配合物和使用方法
US12116378B2 (en) 2018-12-04 2024-10-15 The University Of Hong Kong Transition metal luminescent complexes and methods of use
US11737349B2 (en) 2018-12-12 2023-08-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11780829B2 (en) 2019-01-30 2023-10-10 The University Of Southern California Organic electroluminescent materials and devices
US20200251664A1 (en) 2019-02-01 2020-08-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2020158491A (ja) 2019-03-26 2020-10-01 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス
US20210032278A1 (en) 2019-07-30 2021-02-04 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210047354A1 (en) 2019-08-16 2021-02-18 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210135130A1 (en) 2019-11-04 2021-05-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20210217969A1 (en) 2020-01-06 2021-07-15 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220336759A1 (en) 2020-01-28 2022-10-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP3937268A1 (en) 2020-07-10 2022-01-12 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
KR102392914B1 (ko) * 2020-08-24 2022-04-29 고려대학교 산학협력단 유기발광소자용 전극 및 그 전극을 포함하는 유기발광소자
US20220158096A1 (en) 2020-11-16 2022-05-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220162243A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220165967A1 (en) 2020-11-24 2022-05-26 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220271241A1 (en) 2021-02-03 2022-08-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4060758A3 (en) 2021-02-26 2023-03-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4059915A3 (en) 2021-02-26 2022-12-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298192A1 (en) 2021-03-05 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298190A1 (en) 2021-03-12 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220298193A1 (en) 2021-03-15 2022-09-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20220340607A1 (en) 2021-04-05 2022-10-27 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4075531A1 (en) 2021-04-13 2022-10-19 Universal Display Corporation Plasmonic oleds and vertical dipole emitters
US20220352478A1 (en) 2021-04-14 2022-11-03 Universal Display Corporation Organic eletroluminescent materials and devices
US20220407020A1 (en) 2021-04-23 2022-12-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230006149A1 (en) 2021-04-23 2023-01-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230133787A1 (en) 2021-06-08 2023-05-04 University Of Southern California Molecular Alignment of Homoleptic Iridium Phosphors
EP4151699A1 (en) 2021-09-17 2023-03-22 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240343970A1 (en) 2021-12-16 2024-10-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4231804A3 (en) 2022-02-16 2023-09-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230292592A1 (en) 2022-03-09 2023-09-14 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230337516A1 (en) 2022-04-18 2023-10-19 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20230389421A1 (en) 2022-05-24 2023-11-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
EP4293001A1 (en) 2022-06-08 2023-12-20 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240016051A1 (en) 2022-06-28 2024-01-11 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240107880A1 (en) 2022-08-17 2024-03-28 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240180025A1 (en) 2022-10-27 2024-05-30 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188316A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188319A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240188419A1 (en) 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240196730A1 (en) 2022-10-27 2024-06-13 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US20240247017A1 (en) 2022-12-14 2024-07-25 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4552927A (en) * 1983-09-09 1985-11-12 Rockwell International Corporation Conducting organic polymer based on polypyrrole
JP2846503B2 (ja) 1990-06-14 1999-01-13 出光興産株式会社 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
US5364654A (en) * 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
JP3224829B2 (ja) * 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JP3243311B2 (ja) 1992-12-15 2002-01-07 キヤノン株式会社 電界発光素子
JPH08259843A (ja) * 1995-03-17 1996-10-08 Daiken Kagaku Kogyo Kk 複合被覆無機粉体およびその製造法
JP3631845B2 (ja) * 1996-06-11 2005-03-23 セイコープレシジョン株式会社 有機el素子
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5757139A (en) * 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
JPH1115408A (ja) 1997-06-20 1999-01-22 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその駆動方法
JP3333130B2 (ja) * 1998-01-28 2002-10-07 松下電器産業株式会社 複合電極、その製造方法、およびリチウム二次電池
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機el発光素子およびそれを用いた発光装置
US6657300B2 (en) * 1998-06-05 2003-12-02 Lumileds Lighting U.S., Llc Formation of ohmic contacts in III-nitride light emitting devices
JP3937113B2 (ja) * 1998-06-05 2007-06-27 日産化学工業株式会社 有機−無機複合導電性ゾル及びその製造法
CN1941453A (zh) * 1998-06-26 2007-04-04 出光兴产株式会社 发光器件
JP3125763B2 (ja) * 1998-09-04 2001-01-22 日本電気株式会社 電池用電極、二次電池、及びそれらの製造方法
JP2000260572A (ja) 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2000315581A (ja) * 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6486413B1 (en) * 1999-11-17 2002-11-26 Ebara Corporation Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof
JP3823245B2 (ja) * 2000-09-12 2006-09-20 独立行政法人科学技術振興機構 金属微粒子の導電性材料表面への光析出・固定方法
JP2002170687A (ja) * 2000-09-22 2002-06-14 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US6841932B2 (en) * 2001-03-08 2005-01-11 Xerox Corporation Display devices with organic-metal mixed layer
AU2002304247A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-02 Showa Denko K.K. Method for producing composite material for electrode comprising quinoxaline based polymer, such material, electrode and battery using the same
JP4611578B2 (ja) 2001-07-26 2011-01-12 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4634670B2 (ja) * 2001-09-12 2011-02-16 三井化学株式会社 複合修飾金属カルコゲン化物超微粒子
JP4054631B2 (ja) * 2001-09-13 2008-02-27 シャープ株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、ledランプ並びにled表示装置
JP2003095656A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体微粒子の製造方法
JP3983037B2 (ja) * 2001-11-22 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
SG176316A1 (en) * 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4334907B2 (ja) * 2002-05-21 2009-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機電界効果トランジスタ
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
JP4493951B2 (ja) 2002-08-09 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1388903B1 (en) * 2002-08-09 2016-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TWI272874B (en) * 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US6717358B1 (en) * 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
KR101236235B1 (ko) * 2002-12-26 2013-02-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US20040124505A1 (en) * 2002-12-27 2004-07-01 Mahle Richard L. Semiconductor device package with leadframe-to-plastic lock
JP4394890B2 (ja) * 2003-03-10 2010-01-06 株式会社Kri 導電性組成物、導電膜、樹脂複合材料
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7511421B2 (en) 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109390149A (zh) * 2017-08-11 2019-02-26 钰邦科技股份有限公司 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法
CN109390149B (zh) * 2017-08-11 2020-08-11 钰邦科技股份有限公司 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法
CN109671577A (zh) * 2017-10-13 2019-04-23 钰邦科技股份有限公司 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法
CN111244307A (zh) * 2018-11-29 2020-06-05 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111244307B (zh) * 2018-11-29 2021-10-22 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5089750B2 (ja) 2012-12-05
WO2005027587A1 (ja) 2005-03-24
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