CN109671577A - 多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法。薄膜电容器的制作方法包括：提供一承载基板；形成多个第一材料层以及多个第二材料层，多个第一材料层与多个第二材料层交替堆叠在承载基板上，以形成一多层式堆叠结构；以及，形成两个端电极结构，以分别包覆多层式堆叠结构的两相反侧端部。第一材料层与第二材料层两者其中一的内部混入随机分布的多个导电颗粒。导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构。借此，本发明能提升多层式堆叠结构与薄膜电容器的介电常数。
Description
技术领域
本发明涉及一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法，特别是涉及一种用于提升介电常数的多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法。
背景技术
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、计算机主板及其周边、电源供应器、通讯产品、及汽车等的基本组件，其主要的作用包括：滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等。是电子产品中不可缺少的组件之一。电容器依照不同的材质及用途，有不同的型态。包括铝质电解电容、钽质电解电容、积层陶瓷电容、薄膜电容等。现有技术所制作出的薄膜电容器的整体结构过于复杂而需要改善，并且现有技术所制作出的薄膜电容器所能提供的介电常数过低而需要改善。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种薄膜电容器的制作方法，其包括：提供一承载基板；形成多个第一材料层以及多个第二材料层，其中，多个所述第一材料层与多个所述第二材料层交替堆叠在所述承载基板上，以形成一多层式堆叠结构；以及，形成两个端电极结构，以分别包覆所述多层式堆叠结构的两相反侧端部。其中，每一个所述第一材料层由一第一材料层成型设备所形成，且每一个所述第二材料层由一第二材料层成型设备所形成。其中，所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部混入随机分布的多个导电颗粒，且所述导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构。
更进一步地，所述导电颗粒在混入所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部之前，所述导电颗粒所使用的材料为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，其中，所述导电颗粒通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，且融熔状态的所述导电颗粒由于具有低熔点与高表面能而缩成所述球状结构或者近球状结构，其中，所述第一材料层成型设备与所述第二材料层成型设备两者其中之一为一共蒸镀设备或者一依序蒸镀设备，所述共蒸镀设备通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层，且所述依序蒸镀设备通过依序蒸镀的方式分别提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层。
更进一步地，所述第一材料层为一金属材料层，且所述第二材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，其中，所述第一材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备，所述第二材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，且所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成。
更进一步地，所述金属材料层成型设备包括一用于提供金属材料的金属材料成型模块以及一邻近所述金属材料成型模块的第一烘烤模块，且所述金属材料通过所述第一烘烤模块的烘烤而形成所述金属材料层，其中，所述共蒸镀设备包括一用于提供所述绝缘材料的绝缘材料蒸镀模块、一用于提供所述导电材料的导电材料蒸镀模块以及一邻近所述绝缘材料蒸镀模块与所述导电材料蒸镀模块的第二烘烤模块，所述绝缘材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述绝缘材料层，且所述导电材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述导电颗粒，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
更进一步地，所述金属材料层成型设备包括一用于成形所述金属材料层的金属材料成型模块，且所述共蒸镀设备包括一用于成形所述绝缘材料层的绝缘材料蒸镀模块以及一用于成形所述导电颗粒的导电材料蒸镀模块，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
更进一步地，所述第一材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，且所述第二材料层为一金属材料层，其中，所述第一材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成，且所述第二材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备。
为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种多层式堆叠结构的制作设备，其包括：一可旋转承载台、一第一材料层成型设备以及一第二材料层成型设备。所述可旋转承载台用于承载一承载基板。所述第一材料层成型设备邻近所述可旋转承载台而设置。所述第二材料层成型设备邻近所述可旋转承载台而设置。其中，多个第一材料层由所述第一材料层成型设备所形成，且多个第二材料层由所述第二材料层成型设备所形成。其中，所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部混入随机分布的多个导电颗粒，且所述导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构。其中，多个所述第一材料层与多个所述第二材料层交替堆叠在所述承载基板上，以形成所述多层式堆叠结构。
更进一步地，所述导电颗粒在混入所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部之前，所述导电颗粒所使用的材料为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，其中，所述导电颗粒通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，且融熔状态的所述导电颗粒由于具有低熔点与高表面能而缩成所述球状结构或者近球状结构，其中，所述第一材料层成型设备与所述第二材料层成型设备两者其中之一为一共蒸镀设备，且所述共蒸镀设备通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层，其中，所述第一材料层为一金属材料层，且所述第二材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，其中，所述第一材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备，所述第二材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，且所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成，其中，所述金属材料层成型设备包括一用于提供金属材料的金属材料成型模块以及一邻近所述金属材料成型模块的第一烘烤模块，且所述金属材料通过所述第一烘烤模块的烘烤而形成所述金属材料层，其中，所述共蒸镀设备包括一用于提供所述绝缘材料的绝缘材料蒸镀模块、一用于提供所述导电材料的导电材料蒸镀模块以及一邻近所述绝缘材料蒸镀模块与所述导电材料蒸镀模块的第二烘烤模块，所述绝缘材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述绝缘材料层，且所述导电材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述导电颗粒，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
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本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法，其能通过“所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部混入随机分布的多个导电颗粒”以及“所述导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构”的技术方案，以提升所述多层式堆叠结构与所述薄膜电容器的介电常数或者介电系数。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明的薄膜电容器的制作方法的流程图。
图2为本发明第一实施例的多层式堆叠结构的制作设备的示意图。
图3为本发明第一实施例的薄膜电容器的制作方法中形成金属材料的加工示意图。
图4为本发明第一实施例的薄膜电容器的制作方法中形成金属材料层的加工示意图。
图5为本发明第一实施例的薄膜电容器的制作方法中形成第一部分的绝缘材料与导电材料的加工示意图。
图6为本发明第一实施例的薄膜电容器的制作方法中形成第二部分的绝缘材料的加工示意图。
图7为本发明第一实施例的薄膜电容器的制作方法中形成内部混入多个导电颗粒的绝缘材料层的加工示意图。
图8为本发明第一实施例的薄膜电容器的示意图。
图9为本发明第一实施例的其中一种薄膜电容器封装结构的示意图。
图10为本发明第一实施例的另外一种薄膜电容器封装结构的示意图。
图11为本发明第二实施例的多层式堆叠结构的制作设备的示意图。
图12为本发明第二实施例的薄膜电容器的制作方法中形成第一部分的绝缘材料与导电材料的加工示意图。
图13为本发明第二实施例的薄膜电容器的制作方法中形成第二部分的绝缘材料的加工示意图。
图14为本发明第二实施例的薄膜电容器的制作方法中形成内部混入多个导电颗粒的绝缘材料层的加工示意图。
图15为本发明第二实施例的薄膜电容器的制作方法中形成金属材料的加工示意图。
图16为本发明第二实施例的薄膜电容器的制作方法中形成金属材料层的加工示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
第一实施例
请参阅图1至图8所示，本发明第一实施例提供一种多层式堆叠结构的制作设备，其包括：一可旋转承载台R、一第一材料层成型设备D1以及一第二材料层成型设备D2。
更进一步来说，可旋转承载台R能用于承载一承载基板10，第一材料层成型设备D1邻近可旋转承载台R而设置，并且第二材料层成型设备D2邻近可旋转承载台R而设置。另外，多个第一材料层L1可由第一材料层成型设备D1所形成，多个第二材料层L2可由第二材料层成型设备D2所形成，并且第一材料层成型设备D1与第二材料层成型设备D2两者其中之一为一共蒸镀设备V。此外，共蒸镀设备V能通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料M2与导电材料M3，以形成第一材料层L1与第二材料层L2两者其中之一层。借此，多个第一材料层L1与多个第二材料层L2会交替堆叠在承载基板10上，以形成多层式堆叠结构1(如图8所示)。
举例来说，本发明所提供的一种多层式堆叠结构的制作设备可以被放置在一真空的环境下操作，或者是非真空的环境下操作。另外，共蒸镀设备V的加热方式可为电子束加热、高周波加热或者雷射加热等等，然而本发明不以此举例为限。
请参阅图1至图8所示，本发明提供一种薄膜电容器的制作方法，其至少可包括下例步骤：首先，提供一承载基板10(S100)；接着，形成多个第一材料层L1以及多个第二材料层L2，其中，多个第一材料层L1与多个第二材料层L2交替堆叠在承载基板10上，以形成一多层式堆叠结构1(S102)；然后，形成两个端电极结构2，以分别包覆多层式堆叠结构1的两相反侧端部20P(S104)，以完成薄膜电容器Z的制作(如图8所示)。举例来说，承载基板10可为一由任何的导电材料(例如铜、铝等)所制成的导电基板，或者一由任何的绝缘材料(例如PMMA、PP、PET等)所制成的绝缘基板。
更进一步来说，每一个第一材料层L1可由一第一材料层成型设备D1所形成，每一个第二材料层L2可由一第二材料层成型设备D2所形成，并且第一材料层成型设备D1与第二材料层成型设备D2两者其中之一为一共蒸镀设备V。另外，共蒸镀设备V能通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料M2与导电材料M3，以形成第一材料层L1与第二材料层L2两者其中之一层。
举例来说，第一材料层L1可为一金属材料层11，并且第二材料层L2可为一内部混入多个导电颗粒120的绝缘材料层12，也就是说，多个导电颗粒120是以随机分布的方式所形成而呈现非均匀的排列。另外，第一材料层成型设备D1可为一用于形成金属材料层11的金属材料层成型设备F，并且第二材料层成型设备D2可为共蒸镀设备V。此外，绝缘材料层12可由共蒸镀设备V所提供的绝缘材料M2所形成，并且导电颗粒120可由共蒸镀设备V所提供的导电材料M3所形成。值得注意的是，由于每一个绝缘材料层12的内部混有多个导电颗粒120，所以能够提升薄膜电容器Z及其多层式堆叠结构1的介电常数或者介电常数。
举例来说，金属材料层成型设备F包括一用于提供金属材料M1的金属材料成型模块F1以及一邻近金属材料成型模块F1的第一烘烤模块F2，并且金属材料M1能通过第一烘烤模块F2的烘烤而形成金属材料层11。更进一步来说，配合图2、图3以及图4所示，首先，金属材料M1(例如铜、铝等)会先通过金属材料成型模块F1先通过而形成在承载基板10上，然后金属材料M1再通过第一烘烤模块F2的烘烤而形成金属材料层11。值得注意的是，金属材料成型模块F1可以通过涂布(coating)、喷涂(spraying)或印刷(printing)等方式来提供金属材料M1，然而本发明不以此举例为限。
举例来说，共蒸镀设备V包括一用于提供绝缘材料M2的绝缘材料蒸镀模块V1、一用于提供导电材料M3的导电材料蒸镀模块V2以及一邻近绝缘材料蒸镀模块V1与导电材料蒸镀模块V2的第二烘烤模块V3。另外，绝缘材料M2能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成绝缘材料层12，并且导电材料M3能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成导电颗粒120。更进一步来说，配合图2以及图5至图7所示，首先，第一部分的绝缘材料M2(例如PMMA、PP、PET、mylar、polystyrene、polycarbonate、acrylate等)会通过绝缘材料蒸镀模块V1而形成在金属材料层11上，并且导电材料M3(例如铜、铝、铟等)会通过导电材料蒸镀模块V2而形成在绝缘材料M2上；然后，第二部分的绝缘材料M2再通过绝缘材料蒸镀模块V1而形成在第一部分的绝缘材料M2上以覆盖导电材料M3；最后，绝缘材料M2能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成绝缘材料层12，并且导电材料M3能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成导电颗粒120。也就是说，第一材料层L1与第二材料层L2两者其中一的内部能够混入随机分布的多个导电颗粒120。然而，本发明不以此举例为限。
值得一提的是，导电颗粒120在混入第一材料层L1与第二材料层L2两者其中之一的内部之前，导电颗粒120可做为蒸镀材料，并且导电颗粒120所使用的材料可为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，而导电颗粒120所提供的高表面能也能有效降低导电颗粒120的熔点。举例来说，导电颗粒120所使用的材料可为任何的低熔点金属或者合金，例如铟金属、铟合金等等。
值得一提的是，如图5所示，导电颗粒120能通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，并且融熔状态的导电颗粒120由于具有低熔点与高表面能的特性而缩成一球状结构或者近球状结构。也就是说，导电颗粒120能够以不高于高分子裂解的温度进行加热，而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构。借此，具有高表面能且能够呈现的球状结构或者近球状结构的导电颗粒120将有助于提升多层式堆叠结构1的介电常数或者介电系数。
值得一提的是，配合图6与图7所示，“导电颗粒120的尺寸”以及“多个导电颗粒120占绝缘材料层12的百分比”均可由绝缘材料M2与导电材料M3在共蒸镀时的蒸发量(evaporation)所决定。举例来说，盛装绝缘材料M2的蒸发皿的开口面积大小会影响绝缘材料M2在共蒸镀时的蒸发量，并且盛装导电材料M3的蒸发皿的开口面积大小会影响导电材料M3在共蒸镀时的蒸发量。再者，绝缘材料层12的绝缘材料M2与导电材料M3的比例可以由绝缘材料层12的阻抗值来决定。举例来说，绝缘材料层12的阻抗值在大幅降低时，可以得到绝缘材料层12的绝缘材料M2与导电材料M3的比例的最大值。
举例来说，如图8所示，每一个端电极结构2包括一用于包覆多层式堆叠结构1的侧端部20P的第一包覆层21、一用于包覆第一包覆层21的第二包覆层22以及一用于包覆第二包覆层22的第三包覆层23。另外，第一包覆层21、第二包覆层22以及第三包覆层23可以分别为银层、镍层以及锡层，然而本发明不以此举例为限。举例来说，每一个端电极结构2也可以只使用一层包覆层即可，而非限定使用三层包覆层。
举例来说，配合图8以及图9所示，薄膜电容器Z可以先通过一封装胶体P(可由绝缘材料所制成)进行封装，然后再将电性连接于薄膜电容器Z的两个导电引脚L从薄膜电容器Z延伸至封装胶体P的外部，借此以完成其中一种薄膜电容器封装结构的制作。另外，配合图8以及图10所示，薄膜电容器Z可以先通过一封装胶体P进行封装，然后再将被封装胶体P所封装的薄膜电容器Z容置在一金属壳体H(例如铝壳)内，最后再将电性连接于薄膜电容器Z的两个导电引脚L从薄膜电容器Z延伸至金属壳体H的外部，借此以完成另一种薄膜电容器封装结构的制作。也就是说，多层式堆叠结构1以及两个端电极结构2都会被一封装胶体P所包覆，且两个导电引脚L可分别电性接触两个端电极结构2且从封装胶体P裸露而出。然而，本发明的薄膜电容器封装结构不以上述所举的例子为限。
值得注意的是，本发明第一实施例也可以省略第一烘烤模块F2与第二烘烤模块V3的使用。也就是说，金属材料层成型设备F包括一可直接用于成形金属材料层11的金属材料成型模块F1，并且共蒸镀设备V包括一可直接用于成形绝缘材料层12的绝缘材料蒸镀模块V1以及一可直接用于成形导电颗粒120的导电材料蒸镀模块V2。
第二实施例
请参阅图11至图16所示，本发明第二实施例提供一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法。由图11～16与图2～7的比较可知，本发明第二实施例与第一实施例最大的差别在于：
首先，在第二实施例中，第一材料层L1可为一内部混入多个导电颗粒120的绝缘材料层12，并且第二材料层L2可为一金属材料层11。另外，第一材料层成型设备D1可为共蒸镀设备V，并且第二材料层成型设备D2可为一用于形成金属材料层11的金属材料层成型设备F。此外，绝缘材料层12可由共蒸镀设备V所提供的绝缘材料M2所形成，并且导电颗粒120可由共蒸镀设备V所提供的导电材料M3所形成。
此外，在第二实施例中，共蒸镀设备V包括一用于提供绝缘材料M2的绝缘材料蒸镀模块V1、一用于提供导电材料M3的导电材料蒸镀模块V2以及一邻近绝缘材料蒸镀模块V1与导电材料蒸镀模块V2的第二烘烤模块V3。另外，绝缘材料M2能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成绝缘材料层12，并且导电材料M3能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成导电颗粒120。更进一步来说，配合图11以及图12至图14所示，首先，第一部分的绝缘材料M2(例如PMMA、PP、PET等)会通过绝缘材料蒸镀模块V1而形成在承载基板10上，并且导电材料M3(例如铜、铝等)会通过导电材料蒸镀模块V2而形成在绝缘材料M2上；然后，第二部分的绝缘材料M2再通过绝缘材料蒸镀模块V1而形成在第一部分的绝缘材料M2上以覆盖导电材料M3；最后，绝缘材料M2能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成绝缘材料层12，并且导电材料M3能通过第二烘烤模块V3的烘烤而形成导电颗粒120。然而，本发明不以此举例为限。
再者，在第二实施例中，金属材料层成型设备F包括一用于提供金属材料M1的金属材料成型模块F1以及一邻近金属材料成型模块F1的第一烘烤模块F2，并且金属材料M1能通过第一烘烤模块F2的烘烤而形成金属材料层11。更进一步来说，配合图11、图15以及图16所示，首先，金属材料M1(例如铜、铝等)会先通过金属材料成型模块F1先通过而形成在绝缘材料层12上，然后金属材料M1再通过第一烘烤模块F2的烘烤而形成金属材料层11。值得注意的是，金属材料成型模块F1可以通过涂布(coating)、喷涂(spraying)或印刷(printing)等方式来提供金属材料M1，然而本发明不以此举例为限。
值得注意的是，本发明第二实施例也可以省略第一烘烤模块F2与第二烘烤模块V3的使用。也就是说，金属材料层成型设备F包括一可直接用于成形金属材料层11的金属材料成型模块F1，并且共蒸镀设备V包括一可直接用于成形绝缘材料层12的绝缘材料蒸镀模块V1以及一可直接用于成形导电颗粒120的导电材料蒸镀模块V2。
值得一提的是，本发明第一实施例与第二实施例都是以“共蒸镀设备V”为例子来作说明，然而本发明不以此举例为限。举例来说，共蒸镀设备V也可以替换成依序蒸镀设备。也就是说，依据不同的使用需求，第一材料层成型设备D1与第二材料层成型设备D2两者其中之一可为一共蒸镀设备或者一依序蒸镀设备。如果实施例是使用共蒸镀设备V，共蒸镀设备V能通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料M2与导电材料M3，以形成第一材料层L1与第二材料层L2两者其中之一层。如果实施例是使用依序蒸镀设备，依序蒸镀设备能通过依序蒸镀的方式分别提供绝缘材料M2与导电材料M3，以形成第一材料层L1与第二材料层L2两者其中之一层。
实施例的有益效果
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的一种多层式堆叠结构的制作设备以及薄膜电容器的制作方法，其能通过“第一材料层L1与第二材料层L2两者其中一的内部混入随机分布的多个导电颗粒120”以及“导电颗粒120以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构”的技术方案，以提升多层式堆叠结构1与提升薄膜电容器Z的介电常数或者介电常数。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。
Claims (9)
1.一种薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述薄膜电容器的制作方法包括：
提供一承载基板；
形成多个第一材料层以及多个第二材料层，其中，多个所述第一材料层与多个所述第二材料层交替堆叠在所述承载基板上，以形成一多层式堆叠结构；以及
形成两个端电极结构，以分别包覆所述多层式堆叠结构的两相反侧端部；
其中，每一个所述第一材料层由一第一材料层成型设备所形成，且每一个所述第二材料层由一第二材料层成型设备所形成；
其中，所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一者的内部混入随机分布的多个导电颗粒，且所述导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构。
2.根据权利要求1所述的薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述导电颗粒在混入所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一者的内部之前，所述导电颗粒所使用的材料为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，其中，所述导电颗粒通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，且融熔状态的所述导电颗粒由于具有低熔点与高表面能而缩成所述球状结构或者近球状结构，其中，所述第一材料层成型设备与所述第二材料层成型设备两者其中之一为一共蒸镀设备或者一依序蒸镀设备，所述共蒸镀设备通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层，且所述依序蒸镀设备通过依序蒸镀的方式分别提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层。
3.根据权利要求2所述的薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述第一材料层为一金属材料层，且所述第二材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，其中，所述第一材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备，所述第二材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，且所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成。
4.根据权利要求3所述的薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述金属材料层成型设备包括一用于提供金属材料的金属材料成型模块以及一邻近所述金属材料成型模块的第一烘烤模块，且所述金属材料通过所述第一烘烤模块的烘烤而形成所述金属材料层，其中，所述共蒸镀设备包括一用于提供所述绝缘材料的绝缘材料蒸镀模块、一用于提供所述导电材料的导电材料蒸镀模块以及一邻近所述绝缘材料蒸镀模块与所述导电材料蒸镀模块的第二烘烤模块，所述绝缘材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述绝缘材料层，且所述导电材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述导电颗粒，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
5.根据权利要求3所述的薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述金属材料层成型设备包括一用于成形所述金属材料层的金属材料成型模块，且所述共蒸镀设备包括一用于成形所述绝缘材料层的绝缘材料蒸镀模块以及一用于成形所述导电颗粒的导电材料蒸镀模块，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
6.根据权利要求2所述的薄膜电容器的制作方法，其特征在于，所述第一材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，且所述第二材料层为一金属材料层，其中，所述第一材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成，且所述第二材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备。
7.一种多层式堆叠结构的制作设备，其特征在于，所述多层式堆叠结构的制作设备包括：
一可旋转承载台，所述可旋转承载台用于承载一承载基板；
一第一材料层成型设备，所述第一材料层成型设备邻近所述可旋转承载台而设置；以及
一第二材料层成型设备，所述第二材料层成型设备邻近所述可旋转承载台而设置；
其中，多个第一材料层由所述第一材料层成型设备所形成，且多个第二材料层由所述第二材料层成型设备所形成；
其中，所述第一材料层与所述第二材料层两者其中一者的内部混入随机分布的多个导电颗粒，且所述导电颗粒以不高于高分子裂解的温度进行加热而形成一具有低熔点与高表面能的球状结构或者近球状结构；
其中，多个所述第一材料层与多个所述第二材料层交替堆叠在所述承载基板上，以形成所述多层式堆叠结构。
8.根据权利要求7所述的多层式堆叠结构的制作设备，其特征在于，所述导电颗粒在混入所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一者的内部之前，所述导电颗粒所使用的材料为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，其中，所述导电颗粒通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，且融熔状态的所述导电颗粒由于具有低熔点与高表面能而缩成所述球状结构或者近球状结构，其中，所述第一材料层成型设备与所述第二材料层成型设备两者其中之一为一共蒸镀设备，且所述共蒸镀设备通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层，其中，所述第一材料层为一金属材料层，且所述第二材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，其中，所述第一材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备，所述第二材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，且所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成，其中，所述金属材料层成型设备包括一用于提供金属材料的金属材料成型模块以及一邻近所述金属材料成型模块的第一烘烤模块，且所述金属材料通过所述第一烘烤模块的烘烤而形成所述金属材料层，其中，所述共蒸镀设备包括一用于提供所述绝缘材料的绝缘材料蒸镀模块、一用于提供所述导电材料的导电材料蒸镀模块以及一邻近所述绝缘材料蒸镀模块与所述导电材料蒸镀模块的第二烘烤模块，所述绝缘材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述绝缘材料层，且所述导电材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述导电颗粒，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
9.根据权利要求7所述的多层式堆叠结构的制作设备，其特征在于，所述导电颗粒在混入所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一的内部之前，所述导电颗粒所使用的材料为一具有低熔点与高表面能的纳米化颗粒或者不规则形状颗粒，其中，所述导电颗粒通过一电阻加热器或者一光束加热器进行加热而形成一融熔状态，且融熔状态的所述导电颗粒由于具有低熔点与高表面能而缩成所述球状结构或者近球状结构，其中，所述第一材料层成型设备与所述第二材料层成型设备两者其中之一为一共蒸镀设备，且所述共蒸镀设备通过共蒸镀的方式同时提供绝缘材料与导电材料，以形成所述第一材料层与所述第二材料层两者其中之一层，其中，所述第一材料层为一内部混入多个所述导电颗粒的绝缘材料层，且所述第二材料层为一金属材料层，其中，所述第一材料层成型设备为所述共蒸镀设备，所述绝缘材料层由所述共蒸镀设备所提供的所述绝缘材料所形成，所述导电颗粒由所述共蒸镀设备所提供的所述导电材料所形成，且所述第二材料层成型设备为一用于形成所述金属材料层的金属材料层成型设备，其中，所述金属材料层成型设备包括一用于提供金属材料的金属材料成型模块以及一邻近所述金属材料成型模块的第一烘烤模块，且所述金属材料通过所述第一烘烤模块的烘烤而形成所述金属材料层，其中，所述共蒸镀设备包括一用于提供所述绝缘材料的绝缘材料蒸镀模块、一用于提供所述导电材料的导电材料蒸镀模块以及一邻近所述绝缘材料蒸镀模块与所述导电材料蒸镀模块的第二烘烤模块，所述绝缘材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述绝缘材料层，且所述导电材料通过所述第二烘烤模块的烘烤而形成所述导电颗粒，其中，所述导电颗粒的尺寸以及多个所述导电颗粒占所述绝缘材料层的百分比由所述绝缘材料与所述导电材料在共蒸镀时的蒸发量所决定。
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