CN1812115A - 固态成像器件及制造其的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种固态成像器件及其制造方法，所述固态成像器件包括：多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上，且其将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，以围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。

Description

固态成像器件及制造其的方法
技术领域
本发明涉及一种其中每个单元像素的光电转换效率得到改进的固态成像器件，和用于制造该固态成像器件的方法。
背景技术
在固态成像器件中，每个单元像素的光电转换效率已经通过提高单元像素中的开口率或者通过提高微透镜的光收集效率而提高。
最近，在固态成像器件中，已经进一步提高了像素数目，导致每个单元像素面积的减小，因此期望光电转换效率的进一步提高。因此，例如光电二极管的情况，在PN结结构中，在各个区域中的杂质浓度提高了，且因此光电转换效率提高了(参考Kazuya Yonemoto，“CCD/CMOS imeji sensa no kisoto oyo(CCD/CMOS图像传感器的基础及应用)”，CQ Publishing Co.，pp.92-94)。
发明内容
然而，在公知的固态成像器件中及其制造方法中，如果光电转换元件的杂质区的杂质浓度过分增加，缺陷像素例如白点经常发生，引起问题。
期望提供一种其中每单元像素的光电转换效率可以改进的固态成像器件及这种固态成像器件的制造方法。
根据本发明的实施例，固态成像器件包括二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中的多个像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；元件隔离层，其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上并将各个像素彼此电隔离；和扩散层，其设置在所述元件隔离层下面，并将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度，其中每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
根据本发明的另一实施例，在用于制造固态成像器件的方法中，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，该方法包括如下步骤：在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离；形成扩散层以围绕各个电荷聚集区并在所述元件隔离层下将各个像素彼此电隔离；和对所述阱区内的每个像素形成光电转换部分，所述光电转换部分被元件隔离层和扩散层彼此电隔离。所述光电转换部分的形成步骤包括如下子步骤：在所述阱区中注入杂质离子，用于形成每个电荷聚集区；和对通过形成每个电荷聚集区的离子注入子步骤而在阱区中注入的离子进行热扩散，使得电荷聚集区在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
根据本发明的另一实施例，在用于制造固态成像器件的方法中，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，该方法包括如下步骤：在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离；形成扩散层以围绕各个电荷聚集区并在所述元件隔离层下将各个像素彼此电隔离；和对所述阱区内的每个像素形成光电转换部分，所述光电转换部分被元件隔离层和扩散层彼此电隔离。所述光电转换部分的形成步骤包括如下子步骤：在所述阱区内注入第一杂质离子，用于形成每个光电转换部分的电荷聚集区；在所述第一离子注入子步骤之后，在电荷聚集区上设置掩模；以及在设置掩模子步骤之后，通过元件隔离层在每个电荷聚集区周边注入不同于在第一离子注入子步骤中使用的杂质的第二杂质离子，以形成电荷聚集延伸从而与扩散层形成接触或与其紧邻。
根据本发明的另一实施例，在用于制造固态成像器件的方法中，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，该方法包括如下步骤：形成扩散层以围绕各个电荷聚集区并将各个像素彼此电隔离；在阱区中形成每个像素的光电转换部分，所述光电转换部分被所述扩散层彼此电隔离，所述光电转换部分形成步骤包括在阱区中注入用于形成每个电荷聚集区的杂质，使得所述电荷聚集区与扩散层形成接触或与其紧邻的子步骤；和在所述离子注入子步骤之后，在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离，扩散层位于元件隔离层下面。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图；
图2是示出根据本发明第一实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图；
图3是示出根据本发明第二实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图；
图4是示出根据本发明第二实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图；
图5是示出根据本发明第三实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图；
图6是示出根据本发明第三实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的截面图。
具体实施方式
根据本发明实施例中任何一个的固态成像器件特征在于，每个光电转换部分的电荷聚集区形成以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。优选地，在通过离子注入来形成光电转换部分的电荷聚集区之后，电荷聚集区被允许在元件隔离层下通过热扩散延伸。作为选择，在通过第一离子注入工艺形成光电转换部分的电荷聚集区之后，相应于围绕有元件隔离层的电荷聚集区的阱区表面形成掩模，然后将与第一离子注入工艺中的杂质不同的杂质离子注入到电荷聚集区周边以形成电荷聚集延伸区。作为选择，在元件隔离层形成之前，光电转换部分的电荷聚集区通过离子注入形成。
在这种结构的任何一种中，可能增加在每个像素中的光电转换部分电荷聚集区(面积)，且可以提高每单元像素的光电转换效率。
第一实施例
下面将参照附图描述根据第一实施例的固态成像器件及制造其的方法。
图1是示出根据本发明第一实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图，且图2也是示出根据本发明第一实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图。
根据本发明第一实施例的固态成像器件10包括第一导电类型的半导体衬底，例如n型硅衬底11，且第二导电类型的半导体阱区，例如p型半导体阱区12设置在衬底11上。多个像素20二维地排列在p型半导体阱区12中，每个像素20包括用作光电转换部分的光电二极管PD和用于提取聚集在光电二极管PD中的信号电荷的晶体管(未示出)。元件隔离层13设置在p型半导体阱区12表面上，元件隔离层13将各个像素20彼此电隔离。p型扩散层14设置在元件隔离层13下面的阱区12中，以围绕各个电荷聚集区，扩散层14将各个像素20彼此电隔离。参考标号15代表设置在p型半导体阱区12表面上的绝缘膜。
每个光电二极管PD包括p型半导体阱区12和聚集信号电荷的第一导电类型即n型的电荷聚集区17。在此实施例中，光电二极管PD还包括设置在n型电荷聚集区17表面上的第二导电类型P+聚集层16。这种光电二极管PD构成具有空穴聚集二极管(HAD)结构的传感器。
在光电二极管PD中，P+聚集层16抑制了由界面态引起并导致白点的暗电流。p型扩散层14还具有在深度方向将光电二极管PD彼此隔离的功能。
现在将参照图1和2描述用于制造固态成像器件10的方法。
首先，如图1所示，在n型硅衬底11上形成p型半导体阱区12。随后，采用光刻，通过在p型半导体阱区12上构图来形成隔离图案，该隔离图案将每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，然后通过在深度方向上进行一次或多次离子注入形成p型扩散层14。在这种情况下，在离子注入过程中的剂量为约1×1012cm-2，且p型扩散层14的宽度d1为约0.05到10μm。通过将p型扩散层14的宽度d1设置在上述范围内，且使其为加工能力所允许的尽可能的小，使得宽度d1小于元件隔离层13的线宽度d2，在每个像素中，在元件隔离层13被p型扩散层14所围绕的位置下面的p型半导体阱区12中产生延伸区18，该延伸区18显著地扩大了n型电荷聚集区17的电荷聚集面积。
随后，采用光刻，通过在p型半导体阱区12表面上构图，形成元件隔离图案，该元件隔离图案将每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，且因此形成例如由SiO2构成的元件隔离层13。然后，通过元件隔离层13的每个开口13A，将离子注入到p型半导体阱区12中，例如以约1×1012cm-2的剂量。因此，形成了具有相应于开口13A的面积的n型电荷聚集区17。随后，具有高浓度例如5×1017cm-3或以上的p型离子被注入到n型电荷聚集区17的表面，随后扩散，因此形成P+聚集层16。
随后，具有图1所示结构的固态成像器件10被放置在热扩散炉(未示出)中并在例如900℃的预定温度的氛围下加热例如约10分钟的预定时间，以热扩散在p型半导体阱区12中的n型电荷聚集区17。因此，如图2所示n型电荷聚集区17在光电二极管PD的深度方向及垂直于该深度的方向上、至少在垂直于光电二极管PD的深度方向上扩大，使得n型电荷聚集区17的周边部分接触或紧邻在元件隔离层13下面的p型扩散层14。此处，术语“紧邻”意味着n型电荷聚集区17朝向p型扩散层14延伸了至少延伸区18宽度的一半。
在根据第一实施例的固态成像器件10及制造其的方法中，在形成用作光电转换部分的光电二极管PD的步骤中，在通过离子注入形成光电二极管PD的电荷聚集区17之后，允许电荷聚集区17在元件隔离层13下面延伸且与扩散层14形成接触或与其紧邻。因此，电荷聚集区17也可以在元件隔离层13下面容易地形成。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
第二实施例
下面将参照图3和4描述根据本发明第二实施例的固态成像器件及制造其的方法。
图3是示出根据本发明第二实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图，且图4也是示出根据本发明第二实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图。
如在第一实施例中一样，根据第二实施例的固态成像器件30包括第一导电类型的半导体衬底，例如n型硅衬底11，且第二导电类型的半导体阱区，例如p型半导体阱区12，且第二导电类型的半导体阱区，例如p型半导体阱区12设置在衬底11上。多个像素20二维地排列在p型半导体阱区12中，每个像素20包括用作光电转换部分的光电二极管PD。元件隔离层13设置在p型半导体阱区12表面上，元件隔离层13将各个像素20彼此电隔离。p型扩散层14设置在元件隔离层13下面的阱区12中，以围绕各个电荷聚集区，扩散层14将各个像素20彼此电隔离。参考标号15代表设置在p型半导体阱区12表面上的绝缘膜。
每个光电二极管PD包括p型半导体阱区12和聚集信号电荷的第一导电类型即n型的电荷聚集区17。在此实施例中，光电二极管PD还包括设置在n型电荷聚集区17表面上的第二导电类型P+聚集层16。这种光电二极管PD构成具有HAD结构的传感器。
在光电二极管PD中，P+聚集层16抑制了由界面态引起并导致白点的暗电流。p型扩散层14还具有在深度方向将光电二极管PD彼此隔离的功能。
现在将参照图3和4描述用于制造固态成像器件30的方法。
首先，参照图3，如在第一实施例中一样，在n型硅衬底11上形成p型半导体阱区12。随后，采用光刻，通过在p型半导体阱区12上构图形成隔离图案，该隔离图案把每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，然后通过在深度方向上进行一次或多次离子注入形成p型扩散层14。在这种情况下，在离子注入过程中的剂量为约1×1012cm-2，且p型扩散层14的宽度d1为约0.05到10μm。通过将p型扩散层14的宽度d1设置在上述范围内，且使其为加工能力所允许的尽可能的小，使得宽度d1小于元件隔离层13的线宽度d2，在每个像素中，在元件隔离层13被p型扩散层14所围绕的位置下面的p型半导体阱区12中产生延伸区18，该延伸区18显著地扩大了n型电荷聚集区17的电荷聚集面积。
随后，与在第一实施例中一样，采用光刻，通过在p型半导体阱区12表面上构图，形成元件隔离图案，该元件隔离图案将每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，且因此形成例如由SiO2构成的元件隔离层13。然后，通过元件隔离层13的每个开口13A，将离子注入到p型半导体阱区12中，例如以约1×1012cm-2的剂量。因此，形成了具有相应于开口13A的面积的n型电荷聚集区17。随后，具有高浓度例如5×1017cm-3或以上的p型离子被注入到n型电荷聚集区17的表面，随后扩散，因此形成P+聚集层16。
随后，如图4所示，在完成用于形成n型电荷聚集区17的离子注入步骤之后，将相应于被元件隔离层13所围绕的开口13A的光电二极管PD的表面区域用抗蚀剂膜21遮掩。然后，将与用于n型电荷聚集区17的离子注入的杂质不同的杂质离子通过元件隔离层13注入到位于n型电极聚集区17的外周边与p型扩散层14的内周边之间的延伸区18中。因此，形成电荷聚集延伸19从而与n型扩散层14的内周边形成接触或与其紧邻，电荷聚集延伸19显著扩大了n型电荷聚集区17的电荷聚集面积。此处，术语“紧邻”意味着型电荷聚集延伸19朝向p型扩散层14延伸了至少延伸区18宽度的一半。
在根据第二实施例的固态成像器件30及制造其的方法中，在形成用作光电转换部分的光电二极管PD的步骤中，在通过离子注入形成光电二极管PD的电荷聚集区17之后，将相应于被元件隔离层13所围绕的开口13A的光电二极管PD的表面区域用抗蚀剂膜21遮掩，且然后将与用于n型电荷聚集区17的离子注入的杂质不同的杂质离子通过元件隔离层13注入到面对n型电荷聚集区17的外周边的延伸区18中，以形成电荷聚集延伸19，从而与扩散层14形成接触或与其紧邻。因此，电荷聚集区17也可以在元件隔离层13下面容易地形成。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
第三实施例
下面将参照图5和6描述根据本发明第三实施例的固态成像器件及制造其的方法。
图5是示出根据本发明第三实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图，且图6也是示出根据本发明第三实施例的固态成像器件的重要部分及其制造工艺步骤的示意性截面图。
如在第一实施例中一样，根据第三实施例的固态成像器件40包括第一导电类型的半导体衬底，例如n型硅衬底11，和第二导电类型的半导体阱区，例如p型半导体阱区12，且第二导电类型的半导体阱区，例如p型半导体阱区12设置在衬底11上。多个像素20二维地排列在p型半导体阱区12中，每个像素20包括用作光电转换部分的光电二极管PD。元件隔离层13设置在p型半导体阱区12表面上，元件隔离层13将各个像素20彼此电隔离。p型扩散层14设置在元件隔离层13下面的阱区12中，以围绕各个电荷聚集区，扩散层14将各个像素20彼此电隔离。参考标号15代表设置在p型半导体阱区12表面上的绝缘膜。
每个光电二极管PD包括p型半导体阱区12和聚集信号电荷的第一导电类型即n型电荷聚集区17。在此实施例中，光电二极管PD还包括设置在n型电荷聚集区17表面上的第二导电类型P+聚集层16。这种光电二极管PD构成具有HAD结构的传感器。
在光电二极管PD中，P+聚集层16抑制了由界面态引起并导致白点的暗电流。p型扩散层14还具有在深度方向将光电二极管PD彼此隔离的功能。
现在将参照图5和6描述用于制造固态成像器件40的方法。
首先，参照图5，如在第一实施例中一样，在n型硅衬底11上形成p型半导体阱区12。随后，采用光刻，通过在p型半导体阱区12上构图形成隔离图案，该隔离图案将每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，然后通过在深度方向上进行一次或多次离子注入形成p型扩散层14。在这种情况下，在离子注入过程中的剂量为约1×1012cm-2，且p型扩散层14的宽度d1为约0.05到10μm。通过将p型扩散层14的宽度d1设置在上述范围内，且使其为加工能力所允许的尽可能的小，使得宽度d1小于元件隔离层13的线宽度d2，在每个像素中，在元件隔离层13下面的p型半导体阱区12中被p型扩散层14所围绕的位置产生延伸区，该延伸区显著地扩大了n型电荷聚集区17的电荷聚集面积。
随后，在元件隔离层13形成之前，以约1×1012cm-2的剂量在每个像素的p型半导体阱区12表面注入离子，因此形成具有能与p型扩散层14的内周边形成接触或与其紧邻的尺寸的n型电荷聚集区17。随后，具有例如5×1017cm-3的高浓度的p型离子注入到n型电荷聚集区17的表面，然后扩散，且因此形成P+聚集层16。
随后，采用光刻，通过在p型半导体阱区12表面上构图，形成元件隔离图案，该元件隔离图案将每个都包括用作光电转换部分的光电二极管PD的各个像素20隔离，且因此在p型半导体阱区12上形成例如由SiO2构成的元件隔离层13。
在根据第三实施例的固态成像器件40及制造其的方法中，在形成用作光电转换部分的光电二极管PD的步骤中，在元件隔离层13形成之前，形成具有能与p型扩散层14的内周边形成接触或与其紧邻的尺寸的n型电荷聚集区17。在电荷聚集区17形成之后，形成元件隔离层13。因此，电荷聚集区17也可以在元件隔离层13下面容易地形成。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
在上述第一到第三实施例的每个中，光电二极管PD用作具有空穴聚集二极管(HAD)结构的传感器，在HAD结构中，P+聚集层16设置在n型电荷聚集区17上。然而，本发明不局限于此。光电二极管PD可以具有没有P+聚集层16的结构。
本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素，可以在权利要求及其等同物所限定的范畴内进行各种改进、组合、子组合及变化。
在根据本发明实施例的固态成像器件中，由于每个光电转换部分的电荷聚集区设置以在元件隔离层下面延伸且与扩散层形成接触或与其紧邻，可能增加每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
在根据本发明的实施例之一用于制造固态成像器件的方法中，在光电转换部分形成步骤中，在由离子注入形成每个光电转换部分的电荷聚集区之后，允许电荷聚集区在元件隔离层下面延伸并通过热扩散与扩散层形成接触或与其紧邻。因此，电荷聚集区也可以容易地形成在元件隔离层下面。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
在根据本发明的实施例之一用于制造固态成像器件中，在光电转换部分形成步骤中，在每个光电转换部分的电荷聚集区通过第一离子注入子步骤形成之后，相应于被元件隔离层所围绕的每个电荷聚集区的半导体衬底表面区域被掩盖，且在这种状态中，将与用在第一离子注入子步骤中的杂质不同的杂质离子注入到电荷聚集区的周边，以形成电极聚集延伸，从而与扩散层形成接触或者与其紧邻。因此电荷聚集区也可以容易地形成在元件隔离层下面。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。
在根据本发明的实施例之一用于制造固态成像器件的方法中，在光电转换部分形成步骤中，在元件隔离层形成步骤之前，通过离子注入形成每个光电转换部分的电荷聚集区，且在电荷聚集区形成之后，形成元件隔离层。因此，电荷聚集区也可以容易地形成在元件隔离层下面。因此，可能增加在每个像素中的光电转换部分的电荷聚集区(面积)，且能增加每单元像素的光电转换效率。此外，不需要像过去所需要的那样增加光电转换元件的杂质区的杂质浓度，且因此可能减少缺陷像素例如白点的发生。

Claims (6)

1、一种固态成像器件，包括：
多个像素，二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分；
元件隔离层，设置在沿各个电荷聚集区周边的所述阱区表面上，且将各个像素彼此电隔离；和
扩散层，设置在所述元件隔离层下面，从而围绕各个电荷聚集区，且将各个像素彼此电隔离，所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度，
其中每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
2、根据权利要求1所述的固态成像器件，其中所述光电转换部分包括设置在所述电荷聚集区上的空穴聚集层。
3、一种用于制造固态成像器件的方法，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，所述方法包括如下步骤：
在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离；
形成扩散层，从而围绕各个电荷聚集区，并在所述元件隔离层下将各个像素彼此电隔离；和
对所述阱区内的每个像素形成光电转换部分，所述光电转换部分被元件隔离层和扩散层彼此电隔离，
其中所述光电转换部分的形成步骤包括如下子步骤：
在所述阱区中注入杂质离子，用于形成每个电荷聚集区；和
对通过形成每个电荷聚集区的离子注入子步骤而在阱区中注入的离子进行热扩散，使得所述电荷聚集区在元件隔离层下延伸并与所述扩散层形成接触或与其紧邻。
4、一种用于制造固态成像器件的方法，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，所述方法包括如下步骤：
在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离；
形成扩散层，从而围绕各个电荷聚集区，并在所述元件隔离层下将各个像素彼此电隔离；和
对所述阱区内的每个像素形成光电转换部分，所述光电转换部分被元件隔离层和扩散层彼此电隔离，
其中所述光电转换部分的形成步骤包括如下子步骤：
在所述阱区内注入第一杂质离子，用于形成每个光电转换部分的电荷聚集区；
在所述第一离子注入子步骤之后，在电荷聚集区上设置掩模；和
在设置掩模子步骤之后，通过元件隔离层在每个电荷聚集区周边注入与第一离子注入子步骤中使用的杂质不同的第二杂质离子，以形成电荷聚集延伸区从而与扩散层形成接触或与其紧邻。
5、一种用于制造固态成像器件的方法，所述固态成像器件包括多个二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区内的像素，每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分，所述方法包括如下步骤：
形成扩散层以围绕各个电荷聚集区并将各个像素彼此电隔离；
在所述阱区中形成每个像素的光电转换部分，所述光电转换部分由所述扩散层彼此电隔离，所述光电转换部分形成步骤包括在阱区中注入用于形成每个电荷聚集区的杂质，使得所述电荷聚集区与所述扩散层形成接触或与其紧邻的子步骤；和
在所述离子注入子步骤之后，在所述阱区表面上形成元件隔离层，所述元件隔离层将各个像素彼此电隔离，所述扩散层位于所述元件隔离层下面。
6、根据权利要求3、4或5的任何一个的用于制造所述固态成像器件的方法，其中所述光电转换部分包括设置在所述电荷聚集区上的空穴聚集层。
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