CN1812114A - 固态成像装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种固态成像装置包括具有光电检测器部分(15)的半导体衬底(1)。光电检测器部分(15)包括形成在半导体衬底(1)中的p型第一杂质区(表面反型层)(6)和形成在表面反型层(6)下面的n型第二杂质区(光电转换区)(4)。通过将n型杂质引入到半导体衬底(1)中形成光电转换区(4)。通过将铟引入到形成光电转换区(4)的半导体衬底(1)的区域中形成表面反型层(6)。

Description

固态成像装置及其制造方法
发明领域
本发明涉及一种固态成像装置及其制造方法。
背景技术
目前，使用用于读出信号电荷的CCD(电荷耦合器件)的CCD固态成像装置处于主流地位。而且，在固态成像装置中，随着像素变得越来越精细，像素数量有了相当大的增长，并且成像元件的尺寸大大减小。
一般情况下，在视频照相机、数字静物照相机等中使用的固态成像装置包括光电检测器部分(光电二极管)、垂直转移CCD部分(垂直CCD)以及水平转移CCD部分(水平CCD)，它们都形成在硅衬底上。光电检测器部分执行光电转换，并且根据接收到的光积累信号电荷。垂直转移CCD部分读出在光电检测器中积累的信号电荷，并将其在垂直方向上转移。水平转移CCD部分(水平CCD)将被垂直转移CCD部分转移的信号电荷在水平方向上进行转移。
在硅衬底上，经过绝缘膜形成构成垂直转移CCD部分或水平转移CCD部分的转移栅电极。此外，在硅衬底上，依次存在层间绝缘膜、在光电检测器部分的上方具有开口的光屏蔽膜、以及表面保护膜。此外，根据需要，依次层叠(layer)平坦化膜、滤色器和显微透镜。
有多个光电检测器部分，它们在水平和垂直方向上设置成矩阵。关于光电检测器部分的每个垂直行设置垂直转移CCD部分，从而与该行平行。在行间(interline)转移的情况下，光电检测器部分的垂直行和垂直转移CCD部分交替地设置。一个光电检测器部分和垂直转移CCD部分与该光电检测器部分相邻并与其对应的部分构成一个像素。
在这种结构中，当将预定的信号电压施加到转移栅电极以便驱动各个CCD部分时，由入射到光电检测器部分上的光所产生的信号变化被依次转移到垂直转移CCD部分和水平转移CCD部分。信号电荷最终作为图像信号从与水平CCD连接的输出电路输出。
在有些固态成像装置中，即使当入射光完全被屏蔽时，也可以观察到输出信号。这是一种被称为暗电流或白色缺陷(white flaw)的噪声信号。已知这种噪声信号随着温度成指数增加。
目前，一般情况下，掩埋光电二极管用作光电检测器部分的结构，以便抑制暗电流和白色缺陷的产生。掩埋光电二极管如下构成：具有相反导电类型的半导体区(表面反型层)设置在形成在硅衬底上的光电转换区(半导体区)上。
该掩埋光电二极管通过表面反型层抑制了由光电二极管和表面氧化物膜(绝缘膜)之间的界面状态所产生的暗电流和白色缺陷或者在光电二极管的表面附近形成的晶体缺陷。该掩埋光电二极管例如通过以下方式制造。当光电二极管具有n型表面(光电转换区)时，将p型杂质(硼(B))离子注入到该表面的浅深度中，以便形成p型表面反型层。离子注入之后，进行诸如退火的热处理，以便修补由离子注入在硅衬底上形成的晶体缺陷。以这种方式制造的掩埋光电二极管允许热激活的电子与由p型杂质形成的空穴复合，由此减少暗电流和白色缺陷。
然而，在掩埋光电二极管中，当在离子注入期间由于杂质的浓度的变化而减少了最上的表面上的杂质浓度时，降低了表面反型层抑制暗电流和白色缺陷的能力。此外，当为了抑制最上的表面上的杂质浓度的减小而增加用于表面反型层的离子注入的剂量时，在离子注入的剂量超过最佳水平时，离子注入增加了硅衬底上的晶体缺陷。结果，再次增加了白色缺陷的数量。此外，即使当用于表面反型层的离子注入的剂量是最佳值时，也不能将白色缺陷的产生减少到某一水平或以下。
为了解决上述问题，JP 6(1994)-163971A提出了一种制造方法，其中在形成表面反型层时，在常规表面反型层的表面侧上形成具有与常规表面反型层相同的导电类型和比常规表面反型层高的杂质浓度的层。利用在上述文献中所述的制造方法，认为可以抑制由于在离子注入期间杂质的变化而导致的最上的表面上的杂质浓度的减少。此外，可以抑制在离子注入期间在硅衬底上形成晶体缺陷，并相应地可以抑制由于离子注入的剂量增加而导致的晶体缺陷的增加。另外，认为可以进一步减少白色缺陷在离子注入的剂量为最佳时的产生。
然而，进行离子注入用于形成表面反型层的硼(B)很可能受热扩散。因而，当在形成表面反型层期间引入硼(B)时，通过热处理使硼(B)向光电转换区扩散。因而，难以以高浓度的方式(concentratedmanner)将p型杂质分布在光电二极管表面的浅深度上。而且，硼(B)的扩散使光电转换区变窄。
由于这些原因，根据包括在上述文献中所述方法的常规制造方法，存在由光电二极管产生的少量施主，并且不可能增加饱和电荷(最大存储电荷)。
此外，即使利用在上述文献中所述的制造方法，也不可能有效地抑制由于离子注入的剂量增加而在硅衬底上产生的晶体缺陷的增加。此外，也不可能有效地减少白色缺陷在离子注入的剂量为最佳时的产生。因此，需要进一步抑制在离子注入期间晶体缺陷在硅衬底上的形成和进一步减少白色缺陷的产生。
本发明的目的是提供一种固态成像装置及其制造方法，该固态成像装置解决了上述问题，与常规例子相比减少了暗电流和白色缺陷的产生并增加了光电二极管的饱和电荷。
发明内容
为了实现上述目的，根据本发明的固态成像装置包括具有光电检测器部分的半导体衬底，该光电检测器部分包括形成在半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在第一杂质区下面的n型第二杂质区，其中第一杂质区含有作为杂质的铟。
此外，为了实现上述目的，根据本发明的方法是用于制造包括具有光电检测器部分的半导体衬底的固态成像装置，该光电检测器部分包括形成在半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在第一杂质区下面的n型第二杂质区。该方法包括以下步骤：(a)通过将n型杂质引入到半导体衬底中，形成n型第二杂质区；和(b)通过将铟引入到半导体衬底中，形成p型第一杂质区。
如上所述，根据本发明的固态成像装置及其制造方法，将成为掩埋光电二极管的表面反型层的第一杂质区含有铟作为杂质。铟具有比硼大的质量数和比硼低的扩散系数，所述硼用于形成常规表面反型层。
因此，在第一杂质区(表面反型层)中，即使在离子注入之后进行热处理之后，也保持急剧的杂质分布。因此，根据本发明的固态成像装置及其制造方法，可以获得具有表面反型层的掩埋光电二极管，其中以高浓度的方式将杂质分布在光电二极管表面的浅深度上。结果，可以增加光电二极管的饱和电荷并抑制暗电流和白色缺陷的产生，从而获得与常规固态成像装置相比具有优异的输出图像质量的固态成像装置。
在引入铟作为杂质的情况下，已经被引入铟的半导体衬底的区域可以做成非晶的，与引入硼的情况不同。这是因为铟具有比硼更大的质量数。因此，当作为杂质引入铟时，与只引入硼的情况相比，通过诸如退火的热处理更容易修补晶体缺陷。因而，与常规例子相比，根据本发明的固态成像装置及其制造方法，可以有效地抑制由半导体衬底上的晶体缺陷产生的暗电流和白色缺陷的增加。
附图简述
图1是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的结构的剖面图；
图2是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的制造方法中的连续主要步骤的剖面图；图2A至2D示出一系列的主要步骤；
图3是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的制造方法中的连续主要步骤的剖面图；图3A至3D示出图2D所示步骤之后的一系列主要步骤；
图4是示出其中发现白色缺陷或暗电流的固态成像装置的数量和用于形成表面反型层的离子注入的剂量之间的关系的曲线图；
图5是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的光电检测器部分中的杂质浓度分布的曲线图。
发明的详细说明
根据本发明的固态成像装置包括具有光电检测器部分的半导体衬底，该光电检测器部分包括形成在半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在第一杂质区下面的n型第二杂质区。第一杂质区含有作为杂质的铟。
硼和铟的受主水平的激活能量分别为0.045mV和0.16mV。暗电流和白色缺陷随着温度成指数增加。引起暗电流和白色缺陷的晶体缺陷、金属杂质等具有在能带隙中心附近的能级，并且其激活能量为大约0.4到0.6mV。
如上所述，尽管铟的受主水平比硼深，但是可以有效地比引起暗电流和白色缺陷的晶体缺陷、金属杂质等的能级浅。此外，尽管铟在室温下的激活率比硼低，但是它随着温度成指数增加。因而，通过将作为杂质的铟引入到第一杂质区中从而使其成为表面反型层，可以有效地抑制由于温度升高导致白色缺陷的产生。
在根据本发明的固态成像装置中，优选地半导体衬底是硅衬底，并且第一杂质区还含有作为杂质的硼。利用这种结构，可以抑制由于杂质的引入而导致的晶体变形，并减少了由此引起的暗电流和白色缺陷的产生。结果，可以进一步提高输出图像的质量。
更具体地讲，铟、硼和硅分别具有1.44埃(1.23)、0.88埃(0.75)、和1.17埃(1.00)的原子半径(在各个原子半径之后的圆括号中的数字是与硅的原子半径的比)。在将铟和硼引入到硅衬底中的情况下，其原子半径大于硅的原子半径的铟允许将压缩应力施加到周围的晶体。另一方面，在这种情况下其原子半径小于硅的原子半径的硼允许将拉伸应力施加到周围的晶体。
因此，当除了铟之外还将硼作为杂质引入掩埋光电二极管的表面反型层中时，与只引入铟的情况和只引入硼的情况相比，可以减少由于应力导致的晶体变形。
在上述结构中，优选地在第一杂质区中，铟的量N1与铟和硼的总量N的比(N1/N)不小于0.4且不大于0.6。当该比值设置在这个范围内时，可以使由于应力而引起的晶体变形最小，从而进一步减少由晶体变形导致的暗电流和白色缺陷的产生。
根据本发明的方法是用于制造包括具有光电检测器部分的半导体衬底的固态成像装置，该光电检测器部分包括形成在半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在第一杂质区下面的n型第二杂质区。该方法包括以下步骤：(a)通过将n型杂质引入到半导体衬底中，形成n型第二杂质区；以及(b)通过将铟引入到半导体衬底中，形成p型第一杂质区。
在根据本发明的固态成像装置的制造方法中，优选地半导体衬底是硅衬底，并且在步骤(b)中，通过离子注入以不小于5×1013(离子/cm2)的剂量注入铟。利用这种结构，可以进一步加速使其中已经引入(离子注入)铟的半导体衬底(硅衬底)的区域成为非晶的反应，并且因此可以通过退火更容易地修补晶体缺陷。
当离子注入具有小质量数的硼时，不会发生使半导体衬底成为非晶的反应。因此，为了修补由离子注入引起的晶体缺陷，必须在不低于800℃的高温条件下进行热处理，如退火。另一方面，在上述结构中，由于加速了使半导体衬底成为非晶的反应，因此可以只利用诸如在大约450℃至550℃的低温条件下进行退火的热处理来修补晶体缺陷。通过这种方式，利用上述结构，可以使离子注入之后的用于热处理的温度低于在常规例子中的温度，并且因此可以抑制杂质区中的杂质的热扩散。结果，可以进一步增加光电二极管的饱和电荷，由此进一步提高了输出图像的质量。
在根据本发明的固态成像装置的制造方法中，优选地半导体衬底是硅衬底，并且在步骤(b)中，还引入硼(B)，并且通过离子注入引入铟和硼。利用这种结构，如关于固态成像装置所述的那样，可以抑制由杂质的引入而引起的晶体变形。相应地，在制造的固态成像装置中，可以减少由晶体变形引起的暗电流和白色缺陷，并由此进一步提高了输出图像的质量。
在上述结构中，优选地执行步骤(b)，使得在第一杂质区中铟(In)的量N1与铟(In)和硼(B)的总量N的比(N1/N)不小于0.4且不大于0.6。当该比值设置在这个范围内时，如关于固态成像装置所述的那样，使由于应力而引起的晶体变形最小，从而进一步减少由于晶体变形导致的暗电流和白色缺陷的产生。
在上述结构中，优选地在步骤(b)中，在离子注入铟之后，离子注入硼。在这种情况下，在已经通过离子注入铟使半导体衬底为非晶之后，离子注入硼。因此，与只离子注入硼的情况相比，可以使离子注入之后的用于诸如退火的热处理的温度变得更低。因此，可以抑制硼的热扩散。
作为用于以高浓度的方式将硼分布到浅深度以形成掩埋光电二极管的表面反型层的方法，通常已知下述方法。就是说，在离子注入硼之前，离子注入硅，从而预先使硅衬底的表面为非晶。然而，由于硅不是p型杂质，因此必须将硼的剂量设置成高于本发明中的剂量用于形成表面反型层。结果，尽管通过离子注入硅使衬底为非晶而可以降低用于热处理的温度，但是，由于大量的硼被热扩散，因此与本发明相比，难以增加饱和电荷。
而且在离子注入铟之后离子注入硼的情况下，优选地铟的剂量设置为不小于5×1013(离子/cm2)，如上所述。在这种情况下，只利用诸如在大约450℃至550℃的低温条件下进行退火的热处理就可以修补晶体缺陷。在离子注入硅的情况下，大约5×1013(离子/cm2)的剂量不足以使半导体衬底为非晶，相应地，与离子注入铟的情况相比硅的剂量必须设置得相当高。结果，进行离子注入的成本很高。
在根据本发明的固态成像装置及其制造方法中，优选地在光电检测器部分上方，即在要成为表面反型层的第一杂质区上方，形成防反射膜。在这种情况下，可以抑制入射在光电检测器部分上的光的光学损失。防反射膜可以包括氮化硅膜。
在使用氮化硅膜作为防反射膜的情况下，优选地通过在其中进行铟的离子注入而使防反射膜含有铟作为杂质。利用这种结构，可以减少在氮化硅膜中产生的应力，并且因此可以抑制由应力引起的暗电流和白色缺陷。
具有致密晶体结构的氮化硅膜可以在其中具有高应力。在这种情况下，可能在由氮化硅膜形成的防反射膜的阶梯部分等中产生应力集中。如果半导体衬底的表面受到这种应力集中的影响，则可能产生白色缺陷。然而，当在防反射膜中离子注入铟时，可以使氮化硅膜中的键断开，从而可以减少氮化硅膜中的应力。
通过离子注入砷而不是铟也可以使氮化硅膜中的键断开。然而，由于砷是n型杂质，因此在离子注入期间取决于杂质浓度的变化它可能渗入到掩埋光电二极管的表面反型层。在这种情况下，减少了光电二极管的表面反型层上的杂质浓度，并减小了表面反型层抑制暗电流和白色缺陷的能力。另一方面，即使作为p型杂质的铟渗入到掩埋光电二极管的表面反型层，它也不会减小表面反型层抑制暗电流和白色缺陷的能力
实施例1
下面，将参照图1至3说明根据本发明实施例1的固态成像装置及其制造方法。首先，将说明根据实施例1的固态成像装置的结构。图1是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的结构的剖面图。这里应该注意，图1示出固态成像装置的一部分，或者具体地讲，是构成该装置的多个像素中的单个像素。该单个像素包括光电检测器部分15和垂直CCD部分16。在两维上(以矩阵形式)设置多个像素，从而构成固态成像装置。
如图1所示，根据实施例1的固态成像装置包括具有光电检测器部分15的半导体衬底1。光电检测器部分15包括形成在半导体衬底1中的p型第一杂质区6和形成在第一杂质区6下面的n型第二杂质区4。
第一杂质区6是表面反型层，其形成得减少由光电检测器部分15和表面氧化物膜(绝缘膜8)之间的界面状态(Si/SiO2界面状态)或者在光电检测器部分15的表面附近形成的晶体缺陷所引起的暗电流和白色缺陷的影响。第二杂质区4是光电二极管的光电转换区。在下面的说明中，分别将这些区称为“表面反型层6”和“光电转换区4”。
在实施例1中，半导体衬底1是n型硅衬底。如图1所示，半导体衬底1包括垂直CCD部分16。尽管图中未示出，半导体衬底1还包括水平CCD部分(未示出)。绝缘膜8形成在半导体衬底1的表面上。在实施例1中，绝缘膜8是氧化硅膜(SiO2膜)。在半导体衬底1中，形成p型阱2，并且在形成p型阱2的区域中形成光电检测器部分15和垂直CCD部分16。
垂直CCD部分16包括p型区7、形成在p型区7上的n型区3和经绝缘膜8设置的转移栅电极9。绝缘膜8的一部分用作转移栅电极9的栅极绝缘膜。N型区3是垂直CCD部分16的掩埋沟道。在实施例1中，转移栅电极9由多晶硅形成。此外，转移栅电极9用层间绝缘膜11覆盖。
图1示出两个垂直CCD部分16，其中一个用于读出在光电检测器部分15中积累的电荷，另一个用于读出在未示出的另一光电检测器部分中积累的电荷。此外，如图1所示，在半导体衬底1中的每个垂直CCD部分16和光电检测器部分15之间的区域中，形成用于元件隔离的p型区5
此外，如图1所示，在半导体衬底1上，设置在光电检测器部分15上方具有开口部分10a的光屏蔽膜10，以便允许光只入射在光电检测器部分15上。在实施例1中，光屏蔽膜10由钨(W)形成。在光电检测器部分15上方的开口部分10a内部的区域中，形成防反射膜12。防反射膜12抑制入射在Si/SiO2界面上的光的光学损失。在实施例1中，防反射膜12是氮化硅膜(SiN)。此外，在实施例1中，还形成表面保护膜13，以便完全覆盖固态成像装置。
如上所述，根据实施例1的固态成像装置具有光电检测器部分15和垂直CCD部分16，光电检测器部分15包括光电转换区4和表面反型层6，与常规固态成像装置一样。然而，在实施例1中，与只含有硼(B)作为杂质的常规固态成像装置的表面反型层相反，表面反型层6含有铟(In)作为杂质。铟(In)具有比硼(B)大的质量数和比硼(B)低的扩散系数。
由于铟的上述特性，在表面反型层6中，与常规表面反型层相比，即使在离子注入之后进行的热处理之后也可保持急剧的杂质分布，并且以高浓度的方式将杂质分布在光电二极管表面的浅深度上。因而，根据实施例1的固态成像装置，与常规固态成像装置相比，可以增加光电检测器部分(光电二极管)15的饱和电荷，由此可以提高输出图像的质量。
接着，将参照图2和3说明根据图1所示实施例1的固态成像装置的制造方法。图2和3是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的制造方法中的连续主要步骤的剖面图。图2A至2D示出一系列主要步骤，而图3A至3D示出图2D所示步骤之后的一系列主要步骤。在图2和3中，只示出了出现在剖面上的线。
首先，如图2A所示，在半导体衬底(n型硅衬底)1的表面上形成将要成为保护氧化物膜14的氮化硅膜(SiN)，并且从氮化硅膜上方离子注入硼(B)，从而形成p型阱2。此外，形成适合于形成光电转换区4的抗蚀剂图形(未示出)，然后离子注入砷(As)，由此形成光电转换区4。砷(As)的离子注入是利用例如550Kev的加速能量和2.6×1012离子/cm2的剂量进行的。之后，除去抗蚀剂图形，并且例如在900℃至1100℃特别是1000℃的温度下、在氮气氛中对半导体衬底进行退火30秒至40分钟，特别是20分钟。
随后，如图2B所示，形成适合于将n型区3形成为掩埋沟道的抗蚀剂图形(未示出)，然后依次进行硼(B)和砷(As)的离子注入。结果，形成了p型区7和要成为掩埋沟道的n型区3。然后，除去抗蚀剂图形。
然后，如图2C所示，在除去保护氧化物膜14之后，通过执行热氧化方法，在半导体衬底1的表面上形成由大约30nm厚的氧化硅膜(SiO2)形成的绝缘膜8。此外，形成适合于形成用于元件隔离的p型区5的抗蚀剂图形(未示出)，然后进行硼(B)的离子注入，由此形成p型区5。结果，通过p型区5使将要成为光电检测器部分15的光电转换区4和将要成为垂直CCD部分16的掩埋沟道的n型区3彼此隔离。之后，除去抗蚀剂图形。
然后，如图2D所示，通过CVD(化学汽相沉积)法生长多晶硅膜(250nm)，并通过干法蚀刻将其形成为转移栅电极9。此外，利用转移栅电极9作为掩模，离子注入铟(In)，由此在光电转换区4的表面上形成p型表面反型层6。
优选地在该步骤中，铟(In)的离子注入是例如利用50Kev的加速能量和不小于5×1013离子/cm2的剂量、特别是1×1014离子/cm2的剂量进行的。铟的离子注入优选以不小于5×1013离子/cm2的剂量进行，以便加速使半导体衬底(硅衬底)1的离子注入区成为非晶的反应，由此可以通过随后的退火更容易地修补晶体缺陷。
之后，在氮化物气氛中进行退火。在这个步骤中，已经离子注入了铟，并且在离子注入区中使硅成为非晶的。因此，这个步骤中的退火温度可以比离子注入硼的其它步骤中的退火温度低。在这个步骤中，退火可以在例如450至550℃的温度下进行20分钟。通过这种方式，由于可以将退火温度设得低，因此可以抑制杂质在表面反型层6中的扩散。
然后，如图3A所示，通过进行热氧化法，用由氧化硅膜(SiO2)形成的层间绝缘膜11覆盖转移栅电极9。之后，如图3B所示，通过溅射法形成厚度为200nm的钨(W)膜，然后通过干法蚀刻除去光电检测器部分15上方将要被打开的部分。结果，形成在光电检测器部分15上方具有开口部分10a的光屏蔽膜10。
然后，如图3C所示，通过低压CVD法形成厚度为60nm的氮化硅膜，然后通过湿法蚀刻法除去开口部分10a中的氮化硅膜以外的氮化硅膜。结果，在开口部分10a内部形成防反射膜12。
形成防反射膜12的蚀刻方法不受特别限制，并且可以使用干法蚀刻法来代替湿法蚀刻法。在图1、3C和3D所示的例子中，防反射膜12只形成在光电检测器部分15的上方。然而，本发明不限于此，例如，也可以形成防反射膜12使其在转移栅电极9的上方或下方延伸或者覆盖光屏蔽膜10。
然后，如图3D所示，通过CVD法形成表面保护膜13以便覆盖半导体衬底1的整个表面。表面保护膜13可以是氧化硅膜(SiO2)。通过执行图2A至3D的步骤获得图1所示的固态成像装置。
参照图4和5评估根据实施例1的固态成像装置的性能。首先，对于根据图1所示实施例1的固态成像装置的输出屏幕和常规固态成像装置的输出屏幕，在60℃的条件下测量在这些屏幕上产生的白色缺陷和暗电流。作为常规固态成像装置，使用具有通过离子注入硼(B)形成的p型表面反型层的固态成像装置。在该常规固态成像装置中，利用10Kev的加速能量和1×1014离子/cm2的剂量进行用于形成表面反型层的硼的离子注入。
结果，在常规固态成像装置的输出屏幕上，在3000000个像素中的5个像素中发现白色缺陷，并且暗电流平均为1mV。另一方面，在根据实施例1的固态成像装置中，没有发现白色缺陷，并且暗电流平均为0.5mV。从这个结果可以确定，与常规例子相比，根据实施例1可以减少白色缺陷和暗电流。
图4是示出其中发现白色缺陷或暗电流的固态成像装置的数量和用于形成表面反型层的离子注入的剂量[离子/cm2]之间的关系的曲线图。其中发现白色缺陷或暗电流的固态成像装置的数量代表在60℃的条件下满足产生白色缺陷和暗电流不小于1mV的条件中的至少一个的固态成像装置的数量。
图4中的虚线表示具有通过离子注入硼(B)形成的p型表面反型层的常规固态成像装置。图4中的实线表示具有通过离子注入铟(In)形成的p型表面反型层的根据实施例1的固态成像装置。
从图4可以看出，在具有通过离子注入硼(B)形成的表面反型层的常规固态成像装置的情况下，在离子注入剂量超过预定水平时，有缺陷的固态成像装置的数量随着离子注入剂量的增加而增加。其原因是：在离子注入剂量超过预定水平时，硅衬底上的晶体缺陷增加。
另一方面，在具有通过离子注入铟(In)形成的表面反型层的根据实施例1的固态成像装置的情况下，即使当离子注入剂量超过在常规例子中有缺陷的固态成像装置的数量开始增加的水平时，有缺陷的固态成像装置的数量仍然降低。此外，在离子注入铟(In)的实施例1中，随着离子注入剂量的增加，有缺陷的固态成像装置的数量的降低比常规例子更明显。
上述结果的原因是：在引入铟(In)作为杂质的情况下，与只引入硼(B)的情况相比，通过诸如退火的热处理更容易修补晶体缺陷。因而，与常规例子相比，根据实施例1，可以抑制由于离子注入剂量增加而导致的半导体衬底上的晶体缺陷的增加，并减少了白色缺陷的产生。
图5是示出根据本发明实施例1的固态成像装置的光电检测器部分中的杂质浓度分布的曲线图。图5还示出常规固态成像装置的光电检测器部分的表面反型层中的杂质浓度分布。图5中的虚线表示在常规固态成像装置中通过离子注入硼(B)形成的表面反型层中的杂质浓度分布。图5中的实线表示在具有通过离子注入铟(In)形成的表面反型层的根据实施例1的固态成像装置中的光电检测器部分中的杂质浓度分布。
如图5所示，与通过只离子注入硼(B)而形成的常规表面反型层相比，在实施例1中获得的表面反型层中，以高浓度的方式将杂质分布在光电检测器部分表面的浅深度上。因此，根据实施例1，可以减少由界面状态或者由离子注入形成的晶体缺陷所引起的暗电流和白色缺陷的产生，并抑制光电二极管的饱和电荷的减少。因而，与常规固态成像装置相比，根据实施例1的固态成像装置可以提高输出图像的质量。
实施例2
接着，将说明根据本发明实施例2的固态成像装置及其制造方法。根据实施例2的固态成像装置及其制造方法与实施例1中的相同，除了下述不同之处之外。在下面的说明中，适当地参照在实施例1中所示的图1至3。
在根据实施例2的固态成像装置中，位于构成光电检测器部分15的光电转换区(n型区)4上方的表面反型层6除了铟(In)之外还含有作为杂质的硼(B)。因而，在图2D所示的步骤中，离子注入铟和硼。
因而，根据实施例2，可以抑制由于在表面反型层6上产生的应力引起的晶体缺陷和减少由此引起的暗电流和白色缺陷的产生。结果，根据实施例2，与实施例1相比可以进一步提高输出图像的质量。
在实施例2中，优选地表面反型层6中的铟(In)的量(杂质浓度)N1[原子/cm3]与铟和硼(B)的总量(杂质浓度)N[原子/cm3]的比(N1/N)不小于0.4且不大于0.6。当该比值设置在这个范围内时，使由于应力而引起的晶体缺陷最小，从而可以进一步减少由晶体缺陷引起的暗电流和白色缺陷的产生。
在实施例2中，可以通过分别调整铟(In)和硼(B)的离子注入剂量来设置比值(N1/N)。例如，分别调整铟(In)和硼(B)的剂量，使得铟(In)的剂量与铟(In)和硼(B)的总剂量的比变为所希望的比(N1/N)。在这种情况下，可以考虑杂质的扩散系数而校正各个剂量。例如可以通过使用次级离子质谱(SIMS)法检查杂质浓度分布来确定比值(N1/N)是否在0.4至0.6范围内。
在实施例2中，优选地铟(In)的离子注入是例如利用50Kev的加速能量和不小于5×1013离子/cm2的剂量、特别是1×1014离子/cm2的剂量进行的，原因与实施例1相同。此外，优选地硼(B)的离子注入是例如利用10Kev的加速能量和5×1013离子/cm2的剂量进行的。
此外，在实施例2中，优选地在铟(In)的离子注入之后进行硼(B)的离子注入。在这种情况下，在已经通过离子注入铟(In)使半导体衬底成为非晶之后，离子注入硼(B)。结果，与只离子注入硼(B)的情况相比，用于在离子注入之后进行诸如退火的热处理的温度可以变得更低，因此可以抑制硼(B)的热扩散。
关于根据实施例2的固态成像装置的输出屏幕，在60℃的条件下测量在输出屏幕上产生的白色缺陷和暗电流。结果，与实施例1的固态成像装置一样没有发现白色缺陷。此外，暗电流为0.5mV。从这个结果可以确定，与常规例子相比，实施例2也可以减少白色缺陷和暗电流。
实施例3
接着，将说明根据本发明实施例3的固态成像装置及其制造方法。根据实施例3的固态成像装置及其制造方法与实施例1的相同，除了下述不同之处之外。在下面的说明中，适当地参照在实施例1中所示的图1至3。
在根据实施例3的固态成像装置中，由氮化硅膜(SiN)形成的防反射膜12含有作为杂质的铟(In)。相应地，在图3C所示的步骤中，在形成要成为防反射膜12的氮化硅膜(SiN)之后，在氮化硅膜(SiN)中离子注入铟。之后，通过湿法蚀刻或干法蚀刻法除去光屏蔽膜10的开口部分10a中的氮化硅膜以外的氮化硅膜。
如上所述，在实施例3中，由于将作为杂质的铟(In)引入到防反射膜12中，因此可以减少可能由氮化硅膜的晶体结构引起的内部应力。因此，可以抑制由内部应力引起的暗电流和白色缺陷的产生。
优选地进行铟(In)的离子注入，以便不允许铟(In)穿透防反射膜12到达半导体衬底1。原因是：当铟(In)穿透防反射膜12时，不能充分地减少在防反射膜12上产生的内部应力。鉴于此，在要成为防反射膜12的氮化硅膜(SiN)中的铟(In)的离子注入例如是利用10Kev的加速能量和1×1014离子/cm2的剂量进行的。
如果铟(In)穿透防反射膜12到达半导体衬底1，尽管减小了减少防反射膜12上的内部应力的效果，但是增加了p型表面反型层6的表面附近的杂质浓度。因此，对表面反型层没有负面影响，而是使抑制Si/SiO2界面状态的影响的效果增加。
关于根据实施例3的固态成像装置的输出屏幕，在60℃的条件下测量在输出屏幕上产生的白色缺陷和暗电流。结果，与实施例1的固态成像装置一样没有发现白色缺陷。此外，暗电流为0.3mV。从这个结果可以确定，与常规例子相比，实施例3也可以减少白色缺陷和暗电流。
在上述实施例1至3中，已经作为例子对n型硅衬底1用作半导体衬底1的情况进行了说明。然而，本发明不限于此，p型硅衬底也可以用作半导体衬底1。当p型硅衬底用作半导体衬底1时，不必在半导体衬底1中形成如图1所示的p型阱2，并且p型硅衬底的半导体区可以用作p型阱。
此外，在上述实施例1至3中，将CCD固态成像装置作为固态成像装置的例子进行了说明。然而，本发明不限于此，根据本发明的固态成像装置可以是MOS固态成像装置或除此之外的固态成像装置。
根据本发明，可以获得实现优异质量输出图像和大饱和电荷的固态成像装置。这种固态成像装置具有可用于视频照相机、数字静物照相机等的工业应用性。
在不脱离本发明的精神或实质特征的情况下本发明可以以其他形式实施。本申请中所公开的实施例被认为只是说明性的，并非限制性的。本发明的范围由所附权利要求书限定而不是由前面的说明限定，并且落入权利要求书的等效含义和范围内的所有改化都旨在包含在本发明的范围内。

Claims (14)

1、一种固态成像装置，其包括具有光电检测器部分的半导体衬底，该光电检测器部分包括形成在所述半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在所述第一杂质区下面的n型第二杂质区，
其中所述第一杂质区含有作为杂质的铟。
2、根据权利要求1所述的固态成像装置，其中所述半导体衬底是硅衬底，并且所述第一杂质区还含有作为杂质的硼。
3、根据权利要求2所述的固态成像装置，其中在所述第一杂质区中，铟的量N1与铟和硼的总量N的比(N1/N)不小于0.4且不大于0.6。
4、根据权利要求1所述的固态成像装置，其中防反射膜形成在所述光电检测器部分的上方。
5、根据权利要求4所述的固态成像装置，其中所述防反射膜包括氮化硅膜。
6、根据权利要求5所述的固态成像装置，其中所述防反射膜含有作为杂质的铟。
7、一种制造固态成像装置的方法，该固态成像装置包括具有光电检测器部分的半导体衬底，该光电检测器部分包括形成在所述半导体衬底中的p型第一杂质区和形成在所述第一杂质区下面的n型第二杂质区，该方法包括以下步骤：
(a)通过将n型杂质引入到所述半导体衬底中，形成所述n型第二杂质区；以及
(b)通过将铟引入到所述半导体衬底中，形成所述p型第一杂质区。
8、根据权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，
其中所述半导体衬底是硅衬底，并且
在步骤(b)中，通过以不小于5×1013(离子/cm2)的剂量进行的离子注入引入铟。
9、根据权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，
其中所述半导体衬底是硅衬底，并且
在步骤(b)中，还引入硼，并且通过离子注入引入铟和硼。
10、根据权利要求9所述的制造固态成像装置的方法，其中执行步骤(b)，使得在第一杂质区中铟的量N1与铟和硼的总量N的比(N1/N)不小于0.4且不大于0.6。
11、根据权利要求9所述的制造固态成像装置的方法，其中在步骤(b)中，在离子注入铟之后进行硼的离子注入，并且以不小于5×1013(离子/cm2)的剂量进行铟的离子注入。
12、根据权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，其中在步骤(b)之后，是在450℃至550℃的条件下对所述半导体衬底进行热处理的步骤。
13、根据权利要求7所述的制造固态成像装置的方法，还包括以下步骤：在所述光电检测器部分上方由氮化硅膜形成防反射膜。
14、根据权利要求13所述的制造固态成像装置的方法，还包括以下步骤：在所述防反射膜中进行铟的离子注入。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728016A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 佳能株式会社 光电转换器件、其制造方法和装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201091A (ja) * 2006-01-25 2007-08-09 Fujifilm Corp 固体撮像素子の製造方法
JP5199545B2 (ja) * 2006-03-03 2013-05-15 セイコーインスツル株式会社 イメージセンサおよびその製造方法
JP2008135636A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP5296406B2 (ja) * 2008-04-02 2013-09-25 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
WO2010035544A1 (ja) * 2008-09-29 2010-04-01 シャープ株式会社 フォトダイオードおよびその製造方法ならびにフォトダイオードを備えた表示装置
JP5185207B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
JP2013065912A (ja) * 2009-02-24 2013-04-11 Hamamatsu Photonics Kk フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード
JP5185205B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JP5185208B2 (ja) 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオード及びフォトダイオードアレイ
JP2010212641A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Panasonic Corp 固体撮像素子およびその製造方法
JP5493430B2 (ja) * 2009-03-31 2014-05-14 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP2010283225A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011054904A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Panasonic Corp 固体撮像体装置及びその製造方法
US8284293B2 (en) * 2010-07-07 2012-10-09 Aptina Imaging Corporation Image sensors with graded refractive index microlenses
JP6048483B2 (ja) * 2014-12-10 2016-12-21 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536935A (en) * 1978-09-06 1980-03-14 Hitachi Ltd Manufacturing of semiconductor device
JPH06163971A (ja) 1992-11-27 1994-06-10 Sharp Corp 固体撮像装置の製造方法
JP3284986B2 (ja) * 1998-12-04 2002-05-27 日本電気株式会社 光電変換素子およびそれを用いた固体撮像装置
JP3425896B2 (ja) * 1999-06-15 2003-07-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR100424254B1 (ko) * 1999-08-06 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 표시 장치용 광학 필터
JP2002124659A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
JP4157698B2 (ja) * 2001-11-26 2008-10-01 ユーディナデバイス株式会社 半導体受光素子およびその駆動方法
US7122408B2 (en) * 2003-06-16 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Photodiode with ultra-shallow junction for high quantum efficiency CMOS image sensor and method of formation
US7105793B2 (en) * 2003-07-02 2006-09-12 Micron Technology, Inc. CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same
US7115923B2 (en) * 2003-08-22 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Imaging with gate controlled charge storage
US7105906B1 (en) * 2003-11-19 2006-09-12 National Semiconductor Corporation Photodiode that reduces the effects of surface recombination sites

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728016A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 佳能株式会社 光电转换器件、其制造方法和装置
CN109728016B (zh) * 2017-10-27 2023-03-17 佳能株式会社 光电转换器件、其制造方法和装置

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Publication number Publication date
JP4674894B2 (ja) 2011-04-20
TW200640004A (en) 2006-11-16
US7589366B2 (en) 2009-09-15
US20060138481A1 (en) 2006-06-29
JP2006186262A (ja) 2006-07-13
KR20060076212A (ko) 2006-07-04

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