CN1773842A - Cr振荡电路 - Google Patents

Abstract

一种CR振荡电路，包括：第一和第二逻辑元件、电容元件和电阻元件。该第一逻辑元件连接在第一节点和第二节点之间。该第二逻辑元件连接在该第二节点和第三节点之间。该电容元件连接在该第一节点和该第二节点之间。该电阻元件连接在该第一节点和该第三节点之间。该电容元件包括井、扩散层、栅极和栅氧化膜。该电容元件具有电压依赖特性，以使其电容值根据电源电压的变化而变化。在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电容元件的电容值减小。

Description

CR振荡电路

相关申请的交叉参考

本申请要求2004年11月10日递交的日本专利申请No.2004-326221和2005年9月27日递交的日本专利申请No.2005-280419的优先权，在此将其全部内容并入作为参考。

技术领域

本发明涉及一种CR振荡电路，产生具有根据电阻值和电容值确定的频率的时钟脉冲。

背景技术

图12示出常规CR振荡电路的结构。CR振荡电路包括反相器(inverter)91、92和93、电容元件94以及电阻元件95。此电路输出时钟脉冲CLK，该时钟脉冲CLK具有根据电容元件94的电容值和电阻元件95的电阻值的乘积确定的频率(例如，参见日本未决专利公开No.5-206731和日本未决专利公开No.7-131301)。

例如，由CR振荡电路产生的时钟脉冲CLK可以用作驱动提供在诸如液晶面板等显示面板上的显示元件的显示控制时钟。众所周知，如果显示控制时钟的频率发生变化，驱动显示元件的定时也会变化，因此显示面板的画面就会出现闪烁。

然而，为了尽可能地保持时钟脉冲CLK的频率不变，希望电容元件94使用这样的材料来形成，该材料即使在电源电压变化的情况下，其电容值也仅有小的变化(具有小电压依赖特性的材料)。例如，将多晶硅间(interpolysilicon，多晶硅到多晶硅)电容或金属间(金属到金属)电容用作电容元件94。希望电阻元件95使用这样的材料来形成，该材料即使在电源电压变化的情况下，其电阻值也仅有小的变化(具有小电压依赖特性的材料)，并且即使在温度变化的情况下，其电阻值也仅有小的变化(具有小温度依赖特性的材料)。例如将多晶硅电阻用作电阻元件95。

然而，由于多晶硅电阻具有小的温度依赖特性，时钟脉冲CLK的频率根据包含该CR振荡电路的半导体集成电路装置的运行温度或环境温度的变化而变化。

在使用多晶硅间电容或金属间电容的情况下，用于在半导体集成电路中形成电容的额外步骤(用于形成第二层电容的单独的多晶硅形成步骤或用于形成金属间电容的单独的金属形成步骤)是必需的。这样就增加了半导体集成电路的成本。

反相器91、92和93中包含的晶体管同样具有电压依赖特性，因此，时钟脉冲CLK的频率由于电源电压的变化而变化。结果，显示画面出现闪烁。

发明内容

考虑到以上所述，本发明的目的是抑制由于电压变化或温度变化而引起的时钟脉冲的频率变化。

根据本发明的一个方面，CR振荡电路包括第一逻辑元件、第二逻辑元件、电容元件和电阻元件。该第一逻辑元件具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子。该第二逻辑元件具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子。该电容元件与该第一逻辑元件被并联连接在该第一节点和第二节点之间。该电阻元件与该第一和第二逻辑元件被并联连接在该第一节点和第三节点之间。该电容元件包括井(well)、扩散层、栅极和栅氧化膜。该井被形成在半导体衬底中。该扩散层被形成在该井中，并被电连接到该第一节点和第二节点中的任意一个上。该栅极被形成在该井和扩散层上，并被电连接到该第一节点和第二节点中的另外一个上。该栅氧化膜被形成在该井和栅极之间。该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有电压依赖特性，以致其导通电阻根据电源电压的变化而变化。该电容元件具有电压依赖特性，以致其电容值根据电源电压的变化而变化。在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电容元件的电容值减小。

在上述的CR振荡电路中，该第一和第二逻辑元件的电压依赖特性被该电容元件的电压依赖特性抑制，藉此抑制时钟脉冲频率的变化。

根据本发明的另一方面，CR振荡电路包括第一逻辑元件、第二逻辑元件、电容元件和电阻元件。该第一逻辑元件具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子。该第二逻辑元件具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子。该电容元件与该第一逻辑元件被并联连接在该第一节点和第二节点之间。该电阻元件与该第一和第二逻辑元件被并联连接在该第一节点和第三节点之间。该电阻元件包括扩散电阻。该扩散电阻被形成在半导体衬底中，并被电连接到该第一节点和第三节点中的每一个上。该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有电压依赖特性，以致其导通电阻根据电源电压的变化而变化。该电阻元件具有电压依赖特性，以致其电阻值根据电源电压的变化而变化。在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电阻元件的电阻值减小。

在上述CR振荡电路中，该第一和第二逻辑元件的电压依赖特性被该电阻元件的电压依赖特性抑制，藉此抑制时钟脉冲频率的变化。

根据本发明的又一方面，CR振荡电路包括第一逻辑元件、第二逻辑元件、电容元件和电阻元件。该第一逻辑元件具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子。该第二逻辑元件具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子。该电容元件与该第一逻辑元件被并联连接在该第一节点和第二节点之间。该电阻元件与该第一和第二逻辑元件被并联连接在该第一节点和第三节点之间。该电阻元件包括扩散电阻。该扩散电阻被形成在半导体衬底中，并被电连接到该第一节点和第三节点中的每一个上。该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有温度依赖特性，以致其导通电阻根据温度变化而变化。该电阻元件具有温度依赖特性，以便其电阻值根据温度变化而变化。在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据温度变化而增大时，该电阻元件的电阻值减小。

在上述CR振荡电路中，该第一和第二逻辑元件的温度依赖特性被该电阻元件的温度依赖特性抑制，藉此抑制时钟脉冲频率的变化。

附图说明

图1为示出根据本发明实施例1的CR振荡电路结构的电路图。

图2A为图1中所示的电容元件的俯视图。

图2B为图2A中所示的电容元件的横截面图。

图2C示出电容元件的特性。

图3A为示出图1中所示反相器的电压依赖特性的图。

图3B为示出图1中所示电容元件的电压依赖特性的图。

图4A为在栅极中形成开口的电容元件的俯视图。

图4B为图4A中所示电容元件的横截面图。

图4C示出电容元件的特性。

图5A为栅极具有带形形状的电容元件的俯视图。

图5B为图5A中所示电容元件的横截面图。

图6为示出根据本发明实施例2的CR振荡电路结构的电路图。

图7示出图6中所示的电阻元件。

图8A为示出图6中所示反相器的电压依赖特性的图。

图8B为示出图6中所示电阻元件的电压依赖特性的图。

图9A为示出图6中所示反相器的温度依赖特性的图。

图9B为示出图6中所示电阻元件的温度依赖特性的图。

图10A-10C示出图6中所示电阻元件的结构的示例。

图11A为示出节点N4处电压变化的图。

图11B为示出节点N4处电压变化的图。

图12为示出常规CR振荡电路结构的电路图。

具体实施方式

以下，将参照附图详细说明本发明的实施例。贯穿附图，相同或相等部分以同一附图标记表示，因此，不重复其详细描述。

(实施例1)

<结构>

图1为根据本发明实施例1的CR振荡电路的电路图。此电路包括反相器11、12和13、电容元件14以及电阻元件15。反相器11、12和13串联在节点N1和节点N3之间。电容元件14与反相器11和12并联连接在节点N1和节点N2之间，节点N2是反相器12和反相器13之间的连接节点。电阻元件15与反相器11、12和13并联连接在节点N1和节点N3之间。电容元件15例如是多晶硅电阻。

在具有这种结构的CR振荡电路中，众所周知，从其中输出的时钟脉冲CLK的频率可以由公式“1/(2.2×C×R)”来计算，其中C是电容元件14的电容值而R是电阻元件15的电阻值。应该注意到，在电线和衬底之间产生的各种寄生电容必须被包括在该公式的“C”中，而反相器11、12和13中包含的晶体管的导通电阻等必须被包括在该公式的“R”中。

通常，反相器11、12和13中包含的晶体管的导通电阻在施加于反相器11、12和13的电源电压增大时增大或减小。也就是说，反相器11、12和13具有导通电阻的电阻值根据电源电压的变化而变化的特性(电压依赖特性)。在本说明书中，关于反相器11、12和13，导通电阻的电阻值根据电源电压的增大而减小的特性被称为“负电压依赖特性”，而导通电阻的电阻值根据电源电压的增大而增大的特性被称为“正电压依赖特性”。

例如，在反相器11、12和13具有负电压依赖特性的情况下，时钟脉冲频率根据电源电压的增大而增大。

<电容元件>

图2A为图1中所示的电容元件14的俯视图。图2B为电容元件14的横截面图。在电容元件14中，半导体衬底101包括井102。井102包括扩散层103。在井102和扩散层103上提供栅氧化膜104。在栅氧化膜104上提供栅极105。扩散层103电连接到节点N1上。栅极105由诸如多晶硅形成并且电连接到节点N2上。半导体衬底101还包括扩散层106。扩散层106通过电阻107连接到地电位。应该注意到，在图2A中仅示出了扩散层103和栅极105。在图2A和图2B中，半导体衬底101和扩散层106为“P-型”，而井102、扩散层103和栅极105为“N-型”。

接下来，参见图2C说明电容元件14中产生的电容成分。这里，井102和栅极105之间产生的电容成分为栅电容Cg。

栅电容Cg呈现“正电压依赖特性”或“负电压依赖特性”。在电容元件14中，“正电压依赖特性”意指电容元件14的电容值根据电源电压的增大而增大的特性，而“负电压依赖特性”意指电容元件14的电容值根据电源电压的增大而减小的特性。

通过调整电容元件14结构中的各种条件(参数)和半导体制造过程来设置栅电容Cg呈现的电压依赖特性的极性，以便唯一地具有“正电压依赖特性”和“负电压依赖特性”中的任意一个。例如，已经被证实，在一定的制造条件下，如果扩散层103为“N-型”且井102为“N-型”，则栅电容Cg呈现“正电压依赖特性”，反之，如果扩散层103为“P-型”且井102为“P-型”，则栅电容Cg呈现“负电压依赖特性”

同时，在扩散层103和栅极105之间产生边缘电容(edge capacitance)Cf。边缘电容Cf包括叠加电容(overlap capacitance)和端电容(fringecapacitance)。边缘电容Cf几乎不呈现电压依赖特性。

可以通过调整栅电容Cg和边缘电容Cf之间的比率来任意设置关于电容元件14的电压依赖特性的变化量(根据电源电压的变化量确定的电容元件14的电容值的变化量)。例如，如果栅电容Cg比边缘电容Cf占据更大的部分，则电容元件14的电压依赖特性的变化量增加。栅电容Cg和边缘电容Cf之间的比率由栅极105和扩散层103的相对位置决定。

在图3A所示的反相器11、12和13具有“负电压依赖特性”的情况下，如图3B所示，将电容元件14形成为具有“正电压依赖特性”。通过根据反相器11、12和13的电压依赖特性的变化量(根据电源电压的变化量确定的导通电阻的变化量)来调整栅电容Cg和边缘电容Cf之间的比率，可以抵消反相器11、12和13的负电压依赖特性。

这样，可以抑制反相器11、12和13的电压依赖特性，从而也可以抑制时钟脉冲频率的变化。如此，例如当上述CR振荡电路用于驱动提供在显示装置上的显示元件时，可以在统一的定时下驱动连接到多个显示元件上的多个驱动器线，以便防止显示装置上画面的闪烁。

应该注意到，电容元件14的各个半导体衬底、井、扩散层和栅极都可以是“N-型”和“P-型”中的任意一个。

<调整电容元件的特性>

现在，在下面说明调整电容元件14中的栅电容Cg和边缘电容Cf之间比率的方法的两个例子。

<<矩形开口>>

首先，参见图4A到图4C，说明通过在栅极中形成矩形开口来调整电容比率的例子。

如图4A和图4B所示，在图2A和图2B的栅极105中形成矩形开口时，栅极105的面积减少。因此，栅极105和井102之间产生的栅电容Cg减小。因此，由栅电容Cg所表现的电压依赖特性的变化量减小，从而电容元件14的电压依赖特性的变化量也减小。如果在井102中形成新扩散层103α，就会在栅极105和扩散层103α之间产生新边缘电容Cf。如此，在电容元件14中产生的边缘电容Cf增加。这样就改变了栅电容Cg和边缘电容Cf之间的比率。

这里，通过根据关于反相器11、12和13的电压依赖特性的变化量调整在栅极105中形成的开口的数目，反相器11、12和13的电压依赖特性可以被电容元件14的电压依赖特性抵消。

应该注意到，在栅极105中形成的开口的形状不限于矩形。

<<带形栅极>>

接下来，参见图5A到图5B，说明通过形成带形栅极来调整电容比率的例子。

图5A为本例中电容元件14的俯视图。图5B为本例中电容元件14的横截面图。在本例中，电容元件14包括栅极105-1到105-4以及扩散层103-1到103-5，代替图2A和图2B中所示的栅极105和扩散层103。该结构的其它部分与图2A和图2B中所示的相同。应该注意到，图5B示出包括扩散层103-1到103-3的部分。

在栅极105-1到105-4中的每一个与井102之间产生的是栅电容Cg。在栅极105-1与扩散层103-1和103-2中的每一个之间产生的是边缘电容Cf。对于栅极105-2到105-4中的每一个，与栅极105-1一样，在其栅极和与其对应的扩散层之间都产生边缘电容Cf。也就是说，为每个栅极都产生栅电容Cg和边缘电容Cf。如此，可以通过中断向栅极供应电压或固定栅极电位以消除栅电容Cg来改变栅电容Cg和边缘电容Cf之间的比率。

这里，通过根据反相器11、12和13的电压依赖特性的变化量调整向其供应电压的栅极的数目，反相器11、12和13的电压依赖特性可以被电容元件14的电压依赖特性抵消。

应该注意到，图5A和图5B中所示的结构包括4个栅极和5个扩散层，但是本发明不局限于这些数目。

<扩散层106和电阻107的作用>

接下来说明图2B中所示的扩散层106和电阻107的作用。在扩散层106和电阻107被形成为如图2B中所示时，提供给半导体衬底101的电位的阻抗较高。如此，抑制了在半导体衬底101和井102之间产生的寄生电容的作用。结果，可以进一步抑制时钟脉冲频率的变化。

在图2B中，半导体衬底101为“P-型”且井102为“N-型”，将电连接到“P-型”扩散层106上的电阻107连接到地电位。然而，如果半导体衬底101为“N-型”且井102为“P-型”，只要将电连接到“N-型”扩散层106上的电阻107连接到电源电位，就可以获得相同效果。

(实施例2)

<结构>

图6示出了根据本发明实施例2的CR振荡电路的结构。实施例2的CR振荡电路包括电容元件24和电阻元件25，代替图1的电容元件14和电阻元件15。该CR振荡电路进一步包括P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N。该结构的其它部分与图1中的相同。例如，电容元件24可以是诸如多晶硅间电容或金属间电容之类的夹层电容，或可替代地为图2、图4或图5中所示的电容元件(栅氧化膜电容)。P-型MOS晶体管26-P连接在节点N4和电源节点之间，并且P-型MOS晶体管26-P的源极和栅极彼此相连。N-型MOS晶体管26-N连接在节点N4和地节点之间，并且N-型MOS晶体管26-N的源极和栅极彼此相连。

<电阻元件>

参见图7，说明图6中所示的电阻元件25。电阻元件25是在半导体衬底101中形成的扩散电阻。

扩散电阻201具有“正电压依赖特性”或“负电压依赖特性”。在电阻元件25中，“正电压依赖特性”意指电阻元件25的电阻值根据电源电压的增大而增大的特性，而“负电压依赖特性”意指电阻元件25的电阻值根据电源电压的增大而减小的特性。可以通过调整扩散过程来任意设置扩散电阻201所具有的电压依赖特性的极性。例如，如果扩散电阻201为“P-型”，则扩散电阻201具有“正电压依赖特性”；反之，如果扩散电阻201为“N-型”，则扩散电阻201具有“负电压依赖特性”。也可以通过调整扩散过程来任意设置扩散电阻201的电压依赖特性的变化量。

扩散电阻201具有“正温度依赖特性”或“负温度依赖特性”。在电阻元件25中，“正温度依赖特性”意指电阻元件25的电阻值根据温度的增加而增大的特性，而“负温度依赖特性”意指电阻元件25的电阻值根据温度的增加而减小的特性。如同对电压依赖特性那样，可以通过调整扩散过程来任意设置扩散电阻201的温度依赖特性的极性和温度依赖特性的变化量。

如图8A所示，在反相器11、12和13具有“负电压依赖特性”的情况下，如图8B所示，电阻元件25被形成为具有“正电压依赖特性”。通过根据反相器11、12和13的电压依赖特性的变化量调整电阻元件25的电压依赖特性的变化量，反相器11、12和13的电压依赖特性可以被电阻元件25的电压依赖特性抵消。结果，可以抑制时钟脉冲频率的变化。

如图9A所示，在反相器11、12和13具有“负温度依赖特性”的情况下，如图9B所示，电阻元件25被形成为具有“正温度依赖特性”。通过根据反相器11、12和13的温度依赖特性的变化量调整电阻元件25的温度依赖特性的变化量，反相器11、12和13的温度依赖特性可以被电阻元件25的温度依赖特性抵消。结果，可以抑制时钟脉冲频率的变化。

<电阻元件的特性的调整>

现在说明调整电阻元件25的电压依赖特性(或温度依赖特性)的变化量的方法。可以通过结合组成电阻元件25的多个电阻来调整电阻元件25的电压依赖特性(或温度依赖特性)。此调整的典型例子显示在图10A到图10C中。

在图10A的例子中，电阻元件25包括图7中所示的扩散电阻201和电阻202。扩散电阻201和电阻202串联连接在节点N1和节点N3之间。在图10B的例子中，扩散电阻201和电阻202并联连接在节点N1和节点N3之间。电阻202具有与扩散电阻201相反的电压依赖特性(或温度依赖特性)。例如，如果扩散电阻201为“N-型”，则电阻202为“P-型”扩散电阻。可选地，电阻202可以是多晶硅电阻。

如此，可以利用电阻202削弱扩散电阻201的特性，从而可以任意调整电阻元件25的特性。

在图10C的例子中，电阻元件25包括电阻203-1、203-2和203-3。电阻203-1和电阻203-2并联连接在节点N3和电阻203-3之间。电阻203-3连接在节点N1和电阻203-1和203-2之间。电阻203-1、203-2和203-3中的至少一个是扩散电阻201，而其余电阻中的每一个都是电阻202(具有与扩散电阻201相反特性的电阻)。

通过结合各种电阻，可以任意调整电阻元件25的电压依赖特性(或温度依赖特性)的变化量。

<晶体管26-P和26-N的作用>

接下来参见图11A和图11B的波形图，说明图6中所示的P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N的作用。

图11A为不包括P-型MOS晶体管26-P或N-型MOS晶体管26-N的CR振荡电路的波形图。在此情况下，节点N4处的电压振幅大约为电源电压的2倍(≈2×VDD)。如此，有可能由于CR振荡电路的振荡运行特性导致节点N4过电压。

图11B为P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N中的每一个都连接到节点N4上的波形图。在此情况下，节点N4处的电压振幅大约为VDD+2×Vt，其中“Vt”是P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N的门限(threshold)电平。也就是说，节点N4处的电压振幅与图11A的例子比起来相对较小。

如上所述，通过把每一个中的栅极和源极都彼此相连的P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N连接到节点N4，减少节点N4处的过电压。如此，可以防止反相器输入处的电压阻抗击穿(breakdown)。

应该注意到，在把P-型MOS晶体管26-P和N-型MOS晶体管26-N连接到图1的CR振荡电路上时，也可以获得同样的效果。

本发明的CR振荡电路可以抑制由于电压变化或温度变化引起的时钟脉冲变化并且可以用于要求时钟脉冲的稳定供应的高分辨率画面显示装置。

Claims (17)

1、一种CR振荡电路，包括：

第一逻辑元件，具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子；

第二逻辑元件，具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子；

电容元件，与该第一逻辑元件并联连接在该第一节点和该第二节点之间；和

电阻元件，与该第一和第二逻辑元件并联连接在该第一节点和该第三节点之间，

其中该电容元件包括：

被形成在半导体衬底中的井，

被形成在该井中的扩散层，该扩散层被电连接到该第一节点和该第二节点中的任意一个上，

被形成在该井和该扩散层上的栅极，该栅极被电连接到该第一节点和该第二节点中的另外一个上，和

被形成在该井和栅极之间的栅氧化膜，

该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有电压依赖特性，以致其导通电阻根据电源电压的变化而变化，

该电容元件具有电压依赖特性，以致其电容值根据电源电压的变化而变化，并且

在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电容元件的电容值减小。

2、如权利要求1所述的CR振荡电路，其中通过在该栅极中形成至少一个开口，根据电源电压的变化量确定的该电容元件电容值的变化量被增大或减小。

3、如权利要求1所述的CR振荡电路，其中：

该栅极由多个电极形成；并且

通过调整所述多个电极的数目，根据电源电压的变化量确定的该电容元件电容值的变化量被增大或减小。

4、如权利要求1所述的CR振荡电路，其中该电容元件进一步包括：

被形成在该半导体衬底中的电位固定的扩散层；和

被连接在该电位固定的扩散层和预定的固定电位之间的电阻元件。

5、一种CR振荡电路，包括：

第一逻辑元件，具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子；

第二逻辑元件，具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子；

电容元件，与该第一逻辑元件并联连接在该第一节点和该第二节点之间；和

电阻元件，与该第一和第二逻辑元件并联连接在该第一节点和该第三节点之间，

其中该电阻元件包括被形成在半导体衬底中的扩散电阻，该扩散电阻被电连接到该第一节点和该第三节点中的每一个上，

该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有电压依赖特性，以致其导通电阻根据电源电压的变化而变化，

该电阻元件具有电压依赖特性，以致其电阻值根据电源电压的变化而变化，并且

在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电阻元件的电阻值减小。

6、如权利要求5所述的CR振荡电路，其中：

该电阻元件进一步包括电阻，该电阻具有电压依赖特性以致其电阻值根据电源电压的变化而变化；并且

在该扩散电阻的电阻值根据电源电压的变化而增大时，该电阻的电阻值减小。

7、如权利要求5所述的CR振荡电路，其中：

该电容元件包括：

被形成在半导体衬底中的井，

被形成在该井中的扩散层，该扩散层被电连接到该第一节点和该第二节点中的任意一个上，

被形成在该井和该扩散层上的栅极，该栅极被电连接到该第一节点和该第二节点中的另外一个上，和

被形成在该井和该栅极之间的栅氧化膜；

该电容元件具有电压依赖特性，以使其电容值根据电源电压的变化而变化；并且

在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电容元件的电容值减小。

8、一种CR振荡电路，包括：

第一逻辑元件，具有被连接到第一节点上的输入端子和被连接到第二节点上的输出端子；

第二逻辑元件，具有被连接到该第二节点上的输入端子和被连接到第三节点上的输出端子；

电容元件，与该第一逻辑元件并联连接在该第一节点和该第二节点之间；和

电阻元件，与该第一和第二逻辑元件并联连接在该第一节点和该第三节点之间，

其中该电阻元件包括被形成在半导体衬底中的扩散电阻，该扩散电阻被电连接到该第一节点和该第三节点中的每一个上，

该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有温度依赖特性，以致其导通电阻根据温度变化而变化，

该电阻元件具有温度依赖特性，以致其电阻值根据温度变化而变化，并且

在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据温度变化而增大时，该电阻元件的电阻值减小。

9、如权利要求8所述的CR振荡电路，其中：

该电阻元件进一步包括电阻，该电阻具有温度依赖特性，以致其电阻值根据温度的变化而变化；并且

在该扩散电阻的电阻值根据温度的变化而增大时，该电阻的电阻值减小。

10、如权利要求8所述的CR振荡电路，其中：

该电容元件包括：

被形成在半导体衬底中的井，

被形成在该井中的扩散层，该扩散层被电连接到该第一节点和该第二节点中的任意一个上，

被形成在该井和该扩散层上的栅极，该栅极被电连接到该第一节点和该第二节点中的另外一个上，和

被形成在该井和该栅极之间的栅氧化膜；

该第一和第二逻辑元件中的每一个都具有电压依赖特性，以致其导通电阻根据电源电压的变化而变化；

该电容元件具有电压依赖特性，以致其电容值根据电源电压的变化而变化；并且

在该第一和第二逻辑元件的导通电阻根据电源电压的变化而增大时，该电容元件的电容值减小。

11、如权利要求5所述的CR振荡电路，其中该扩散电阻为被形成在该半导体衬底中的P-型或N-型扩散层。

12、如权利要求5所述的CR振荡电路，其中该扩散电阻为被形成在该半导体衬底中的P-型或N-型井。

13、如权利要求1所述的CR振荡电路，进一步包括：

P-型MOS晶体管，被连接在电源节点和第四节点之间，该第四节点位于该第一节点和该第一逻辑元件的输入之间，该P-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接；和

N-型MOS晶体管，被连接在该第四节点和地节点之间，该N-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接。

14、如权利要求8所述的CR振荡电路，其中该扩散电阻为被形成在该半导体衬底中的P-型或N-型扩散层。

15、如权利要求8所述的CR振荡电路，其中该扩散电阻为被形成在该半导体衬底中的P-型或N-型井。

16、如权利要求5所述的CR振荡电路，进一步包括：

P-型MOS晶体管，被连接在电源节点和第四节点之间，该第四节点位于该第一节点和该第一逻辑元件的输入之间，该P-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接；和

N-型MOS晶体管，被连接在该第四节点和地节点之间，该N-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接。

17、如权利要求8所述的CR振荡电路，进一步包括：

P-型MOS晶体管，被连接在电源节点和第四节点之间，该第四节点位于该第一节点和该第一逻辑元件的输入之间，该P-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接；和

N-型MOS晶体管，被连接在该第四节点和地节点之间，该N-型MOS晶体管的源极和栅极被彼此连接。

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