JPH07131301A - Ｃｒ発振回路 - Google Patents
Ｃｒ発振回路Info
- Publication number
- JPH07131301A JPH07131301A JP27360293A JP27360293A JPH07131301A JP H07131301 A JPH07131301 A JP H07131301A JP 27360293 A JP27360293 A JP 27360293A JP 27360293 A JP27360293 A JP 27360293A JP H07131301 A JPH07131301 A JP H07131301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- stage
- circuit
- point
- inverting circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第一段の反転回路の入力部に電源電位より高
い電圧や接地電位より低い電圧が発生することを防止
し、発振周期が理論式に合い、発振周期の温度特性およ
び電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供することであ
る。 【構成】 直列に接続された奇数個の反転回路１１〜１
３と、第一段の反転回路１１の入力部と最終段の反転回
路１３の出力部とを接続する抵抗１４と、第一段の反転
回路１１の入力部と偶数段目の反転回路１２の出力部と
を接続する第一の容量１５と、第一段の反転回路１１の
入力部と接地電位または電源電位とを接続する第二の容
量１６と、第一段の反転回路１１の入力部と電源電位と
を逆方向に接続する第一の入力保護ダイオード１７と、
第一段の反転回路１１の入力部と接地電位とを逆方向に
接続する第二の入力保護ダイオード１８とを有する。
い電圧や接地電位より低い電圧が発生することを防止
し、発振周期が理論式に合い、発振周期の温度特性およ
び電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供することであ
る。 【構成】 直列に接続された奇数個の反転回路１１〜１
３と、第一段の反転回路１１の入力部と最終段の反転回
路１３の出力部とを接続する抵抗１４と、第一段の反転
回路１１の入力部と偶数段目の反転回路１２の出力部と
を接続する第一の容量１５と、第一段の反転回路１１の
入力部と接地電位または電源電位とを接続する第二の容
量１６と、第一段の反転回路１１の入力部と電源電位と
を逆方向に接続する第一の入力保護ダイオード１７と、
第一段の反転回路１１の入力部と接地電位とを逆方向に
接続する第二の入力保護ダイオード１８とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＲ発振回路に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のＣＲ発振回路の一例を示
した回路図である。ここで、４１は第一段の反転回路、
４２は第二段の反転回路、４３は最終段の反転回路、４
４は抵抗（抵抗値Ｒ）、４５は容量（容量値Ｃ）であ
る。４６は第一段の反転回路４１の入力ゲートを保護す
る第一の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路
４１の入力部（ａ点）と電源電位との間に逆方向に接続
されている。４７は第一段の反転回路４１の入力ゲート
を保護する第二の入力保護ダイオードであり、第一段の
反転回路４１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方
向に接続されている。４８は入力端子、４９は出力端子
である。尚、抵抗４４以外は集積回路化されており、抵
抗４４だけが、入力端子４８と出力端子４９との間に外
付けされている。
した回路図である。ここで、４１は第一段の反転回路、
４２は第二段の反転回路、４３は最終段の反転回路、４
４は抵抗（抵抗値Ｒ）、４５は容量（容量値Ｃ）であ
る。４６は第一段の反転回路４１の入力ゲートを保護す
る第一の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路
４１の入力部（ａ点）と電源電位との間に逆方向に接続
されている。４７は第一段の反転回路４１の入力ゲート
を保護する第二の入力保護ダイオードであり、第一段の
反転回路４１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方
向に接続されている。４８は入力端子、４９は出力端子
である。尚、抵抗４４以外は集積回路化されており、抵
抗４４だけが、入力端子４８と出力端子４９との間に外
付けされている。
【０００３】図５の（ａ）および（ｃ）は、それぞれ、
図４の第一段の反転回路４１の入力部（ａ点）と最終段
の反転回路４３の出力部（ｃ点）における電位の時間変
化を示したものである。ここで、ＶTHは第一段の反転回
路４１のしきい値電圧、ＶDDは電源電位、０は接地電
位、ＶF は第一の入力保護ダイオードおよび第二の入力
保護ダイオードの順方向電圧である。
図４の第一段の反転回路４１の入力部（ａ点）と最終段
の反転回路４３の出力部（ｃ点）における電位の時間変
化を示したものである。ここで、ＶTHは第一段の反転回
路４１のしきい値電圧、ＶDDは電源電位、０は接地電
位、ＶF は第一の入力保護ダイオードおよび第二の入力
保護ダイオードの順方向電圧である。
【０００４】次に、図４および図５に従って、従来のＣ
Ｒ発振回路の動作を説明する。
Ｒ発振回路の動作を説明する。
【０００５】反転回路４１〜４３の電源を投入すると、
このＣＲ発振回路は発振を開始する。この状態におい
て、最終段の反転回路４３の出力部（ｃ点）の電位をＨ
ｉｇｈレベル（以下、“Ｈ”と称する。）と仮定する
と、抵抗４４を介して容量４５が充電される。第一段の
反転回路４１の入力部（ａ点）の電位は、容量４５が充
電されるにつれて上昇し、やがて第一段の反転回路４１
のしきい値電圧（図５（ａ）のＶTH）を超える。する
と、第二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の電位が
“Ｈ”になるが、第一の入力保護ダイオード４６によ
り、第一の入力保護ダイオードの順方向電圧ＶF より高
い電圧はクランプされるため、第一段の反転回路４１の
入力部（ａ点）の電位は、図５（ａ）に示すように、Ｖ
DD＋ＶF となる。ここで、第二段の反転回路４２の出力
部（ｂ点）の電位が“Ｈ”になると、最終段の反転回路
４３の出力部（ｃ点）の電位がＬｏｗレベル（以下、
“Ｌ”と称する。）になるため、抵抗４４を介して容量
４５に蓄えられた電荷が放電される。第一段の反転回路
４１の入力部（ａ点）の電位は、容量４５が放電される
につれて下降し、やがて第一段の反転回路４１のしきい
値電圧（図５（ａ）のＶTH）より低くなる。すると、第
二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の電位が“Ｌ”に
なるが、第二の入力保護ダイオード４７により、第二の
入力保護ダイオードの順方向電圧ＶF より低い電圧はク
ランプされるため、第一段の反転回路４１の入力部（ａ
点）の電位は、図５（ａ）に示すように、−ＶF とな
る。ここで、第二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の
電位が“Ｌ”になると、最終段の反転回路４３の出力部
（ｃ点）の電位が“Ｈ”になる。以下この繰り返し動作
を行うことによって、このＣＲ発振回路は発振し、ＶF
≦ＶTH≦ＶDD−ＶF の場合における発振周期は、 ＴOSC1＝−ＣＲ（ｌｎ（ＶTH／（ＶDD＋ＶF ）） ＋ｌｎ（（ＶDD＋ＶF −ＶTH）／（ＶDD＋ＶF ））） と表わされる。
このＣＲ発振回路は発振を開始する。この状態におい
て、最終段の反転回路４３の出力部（ｃ点）の電位をＨ
ｉｇｈレベル（以下、“Ｈ”と称する。）と仮定する
と、抵抗４４を介して容量４５が充電される。第一段の
反転回路４１の入力部（ａ点）の電位は、容量４５が充
電されるにつれて上昇し、やがて第一段の反転回路４１
のしきい値電圧（図５（ａ）のＶTH）を超える。する
と、第二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の電位が
“Ｈ”になるが、第一の入力保護ダイオード４６によ
り、第一の入力保護ダイオードの順方向電圧ＶF より高
い電圧はクランプされるため、第一段の反転回路４１の
入力部（ａ点）の電位は、図５（ａ）に示すように、Ｖ
DD＋ＶF となる。ここで、第二段の反転回路４２の出力
部（ｂ点）の電位が“Ｈ”になると、最終段の反転回路
４３の出力部（ｃ点）の電位がＬｏｗレベル（以下、
“Ｌ”と称する。）になるため、抵抗４４を介して容量
４５に蓄えられた電荷が放電される。第一段の反転回路
４１の入力部（ａ点）の電位は、容量４５が放電される
につれて下降し、やがて第一段の反転回路４１のしきい
値電圧（図５（ａ）のＶTH）より低くなる。すると、第
二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の電位が“Ｌ”に
なるが、第二の入力保護ダイオード４７により、第二の
入力保護ダイオードの順方向電圧ＶF より低い電圧はク
ランプされるため、第一段の反転回路４１の入力部（ａ
点）の電位は、図５（ａ）に示すように、−ＶF とな
る。ここで、第二段の反転回路４２の出力部（ｂ点）の
電位が“Ｌ”になると、最終段の反転回路４３の出力部
（ｃ点）の電位が“Ｈ”になる。以下この繰り返し動作
を行うことによって、このＣＲ発振回路は発振し、ＶF
≦ＶTH≦ＶDD−ＶF の場合における発振周期は、 ＴOSC1＝−ＣＲ（ｌｎ（ＶTH／（ＶDD＋ＶF ）） ＋ｌｎ（（ＶDD＋ＶF −ＶTH）／（ＶDD＋ＶF ））） と表わされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）に示すよう
に、従来のＣＲ発振回路では、第一段の反転回路４１の
入力部（ａ点）に電源電位より高い電圧や０Ｖ（接地電
位）より低い電圧が発生してしまうという問題点があっ
た。
に、従来のＣＲ発振回路では、第一段の反転回路４１の
入力部（ａ点）に電源電位より高い電圧や０Ｖ（接地電
位）より低い電圧が発生してしまうという問題点があっ
た。
【０００７】また、第一の入力保護ダイオード４６およ
び第二の入力保護ダイオード４７により、第一段の反転
回路の入力部（ａ点）に発生する電源電位より高い電圧
や０Ｖ（接地電位）より低い電圧がクランプされるた
め、ダイオード特性の影響を受け、発振周期が理論式と
合いにくいという問題点があった。
び第二の入力保護ダイオード４７により、第一段の反転
回路の入力部（ａ点）に発生する電源電位より高い電圧
や０Ｖ（接地電位）より低い電圧がクランプされるた
め、ダイオード特性の影響を受け、発振周期が理論式と
合いにくいという問題点があった。
【０００８】さらに、ダイオードの温度特性約−２ｍＶ
／℃の影響を受けるため、発振周期の温度特性が悪いと
いう問題点があった。また、発振周期の電圧特性が悪い
という問題点もあった。
／℃の影響を受けるため、発振周期の温度特性が悪いと
いう問題点があった。また、発振周期の電圧特性が悪い
という問題点もあった。
【０００９】本発明の第一の目的は、第一段の反転回路
の入力部に電源電位より高い電圧や接地電位より低い電
圧が発生することを防止することである。また、本発明
の第二の目的は、発振周期が理論式に合い、発振周期の
温度特性および電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供す
ることである。
の入力部に電源電位より高い電圧や接地電位より低い電
圧が発生することを防止することである。また、本発明
の第二の目的は、発振周期が理論式に合い、発振周期の
温度特性および電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供す
ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第一の発明におけるＣＲ
発振回路は、直列に接続された奇数個の反転回路と、前
記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、第一段の
反転回路の入力部と最終段の反転回路の出力部とを接続
する抵抗と、前記直列に接続された奇数個の反転回路の
うち、前記第一段の反転回路の入力部と偶数段目の反転
回路の出力部とを接続する第一の容量と、前記直列に接
続された奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回
路の入力部と接地電位または電源電位とを接続する第二
の容量とを有することを特徴とするものである。また、
第二の発明におけるＣＲ発振回路は、直列に接続された
奇数個の反転回路と、前記直列に接続された奇数個の反
転回路のうち、第一段の反転回路の入力部と最終段の反
転回路の出力部とを接続する抵抗と、前記直列に接続さ
れた奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回路の
入力部と偶数段目の反転回路の出力部とを接続する第一
の容量と、前記直列に接続された奇数個の反転回路のう
ち、前記第一段の反転回路の入力部と接地電位または電
源電位とを接続する第二の容量と、前記直列に接続され
た奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回路の入
力部と前記電源電位とを逆方向に接続する第一の入力保
護ダイオードと、前記直列に接続された奇数個の反転回
路のうち、前記第一段の反転回路の入力部と前記接地電
位とを逆方向に接続する第二の入力保護ダイオードとを
有することを特徴とするものである。
発振回路は、直列に接続された奇数個の反転回路と、前
記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、第一段の
反転回路の入力部と最終段の反転回路の出力部とを接続
する抵抗と、前記直列に接続された奇数個の反転回路の
うち、前記第一段の反転回路の入力部と偶数段目の反転
回路の出力部とを接続する第一の容量と、前記直列に接
続された奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回
路の入力部と接地電位または電源電位とを接続する第二
の容量とを有することを特徴とするものである。また、
第二の発明におけるＣＲ発振回路は、直列に接続された
奇数個の反転回路と、前記直列に接続された奇数個の反
転回路のうち、第一段の反転回路の入力部と最終段の反
転回路の出力部とを接続する抵抗と、前記直列に接続さ
れた奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回路の
入力部と偶数段目の反転回路の出力部とを接続する第一
の容量と、前記直列に接続された奇数個の反転回路のう
ち、前記第一段の反転回路の入力部と接地電位または電
源電位とを接続する第二の容量と、前記直列に接続され
た奇数個の反転回路のうち、前記第一段の反転回路の入
力部と前記電源電位とを逆方向に接続する第一の入力保
護ダイオードと、前記直列に接続された奇数個の反転回
路のうち、前記第一段の反転回路の入力部と前記接地電
位とを逆方向に接続する第二の入力保護ダイオードとを
有することを特徴とするものである。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の実施例を示した回路図であ
る。ここで、１１は第一段の反転回路、１２は第二段の
反転回路（偶数段目の反転回路）、１３は最終段の反転
回路、１４は抵抗（抵抗値Ｒ）、１５は第一の容量（容
量値Ｃ１）、１６は第二の容量（容量値Ｃ２）である。
１７は第一段の反転回路１１の入力ゲートを保護する第
一の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路１１
の入力部（ａ点）と電源電位との間に逆方向に接続され
ている。１８は第一段の反転回路１１の入力ゲートを保
護する第二の入力保護ダイオードであり、第一段の反転
回路１１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方向に
接続されている。１９は入力端子、２０は出力端子であ
る。尚、抵抗１４以外は集積回路化されており、抵抗１
４だけが、入力端子１９と出力端子２０との間に外付け
されている。図１の実施例が図４の従来例と異なる点
は、第一段の反転回路１１の入力部（ａ点）と接地電位
との間に第二の容量１６を付加したことである。
る。ここで、１１は第一段の反転回路、１２は第二段の
反転回路（偶数段目の反転回路）、１３は最終段の反転
回路、１４は抵抗（抵抗値Ｒ）、１５は第一の容量（容
量値Ｃ１）、１６は第二の容量（容量値Ｃ２）である。
１７は第一段の反転回路１１の入力ゲートを保護する第
一の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路１１
の入力部（ａ点）と電源電位との間に逆方向に接続され
ている。１８は第一段の反転回路１１の入力ゲートを保
護する第二の入力保護ダイオードであり、第一段の反転
回路１１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方向に
接続されている。１９は入力端子、２０は出力端子であ
る。尚、抵抗１４以外は集積回路化されており、抵抗１
４だけが、入力端子１９と出力端子２０との間に外付け
されている。図１の実施例が図４の従来例と異なる点
は、第一段の反転回路１１の入力部（ａ点）と接地電位
との間に第二の容量１６を付加したことである。
【００１２】図２の（ａ）および（ｃ）は、それぞれ、
図１の第一段の反転回路１１の入力部（ａ点）と最終段
の反転回路１３の出力部（ｃ点）における電位の時間変
化を示したものである。ここで、ＶTHは第一段の反転回
路１１のしきい値電圧、ＶDDは電源電位、０は接地電位
である。
図１の第一段の反転回路１１の入力部（ａ点）と最終段
の反転回路１３の出力部（ｃ点）における電位の時間変
化を示したものである。ここで、ＶTHは第一段の反転回
路１１のしきい値電圧、ＶDDは電源電位、０は接地電位
である。
【００１３】次に、図１および図２に従い、本実施例の
ＣＲ発振回路の動作を説明する。
ＣＲ発振回路の動作を説明する。
【００１４】反転回路１１〜１３の電源を投入すると、
このＣＲ発振回路は発振を開始する。この状態におい
て、最終段の反転回路１３の出力部（ｃ点）の電位を
“Ｈ”と仮定すると、抵抗１４を介して第一の容量１５
および第二の容量１６が充電される。第一段の反転回路
１１の入力部（ａ点）の電位は、第一の容量１５および
第二の容量１６が充電されるにつれて上昇し、やがて第
一の反転回路１１のしきい値電圧（図２（ａ）のＶTH）
を超える。すると、第二段の反転回路１２の出力部（ｂ
点）の電位が“Ｈ”になるが、第一の容量１５と第二の
容量１６とで分圧されるため、第一段の反転回路１１の
入力部（ａ点）の電位は、ＶTH＋ＶDD×Ｃ２／（Ｃ１＋
Ｃ２）となる。ここで、第二の反転回路１２の出力（ｂ
点）の電位が“Ｈ”になると、最終段の反転回路１３の
出力（ｃ点）の電位が“Ｌ”になるため、抵抗１４を介
して第一の容量１５および第二の容量１６に蓄えられた
電荷が放電される。第一段の反転回路１１の入力部（ａ
点）の電位は、第一の容量１５および第二の容量１６が
放電されるにつれて下降し、やがて第一の反転回路１１
のしきい値電圧（図２（ａ）のＶTH）より低くなる。す
ると、第二段の反転回路１２の出力部（ｂ点）の電位が
“Ｌ”になるが、第一の容量１５と第二の容量１６とで
分圧されるため、第一段の反転回路１１の入力部（ａ
点）の電位は、ＶTH−ＶDD×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）とな
る。ここで、第二の反転回路１２の出力（ｂ点）の電位
が“Ｌ”になると、最終段の反転回路１３の出力（ｃ
点）の電位は“Ｈ”になる。以下この繰り返し動作を行
うことによって本実施例のＣＲ発振回路は発振し、発振
周期は、 ＴOSC2＝−ＣＲ（ｌｎ（ＶTH／（ＶTH＋ＶDD・Ｃ１／Ｃ）） ＋ｌｎ（（ＶTH−ＶDD）／（ＶTH−ＶDD・Ｃ１／Ｃ−ＶDD）） ただし、Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２ と表わされる。
このＣＲ発振回路は発振を開始する。この状態におい
て、最終段の反転回路１３の出力部（ｃ点）の電位を
“Ｈ”と仮定すると、抵抗１４を介して第一の容量１５
および第二の容量１６が充電される。第一段の反転回路
１１の入力部（ａ点）の電位は、第一の容量１５および
第二の容量１６が充電されるにつれて上昇し、やがて第
一の反転回路１１のしきい値電圧（図２（ａ）のＶTH）
を超える。すると、第二段の反転回路１２の出力部（ｂ
点）の電位が“Ｈ”になるが、第一の容量１５と第二の
容量１６とで分圧されるため、第一段の反転回路１１の
入力部（ａ点）の電位は、ＶTH＋ＶDD×Ｃ２／（Ｃ１＋
Ｃ２）となる。ここで、第二の反転回路１２の出力（ｂ
点）の電位が“Ｈ”になると、最終段の反転回路１３の
出力（ｃ点）の電位が“Ｌ”になるため、抵抗１４を介
して第一の容量１５および第二の容量１６に蓄えられた
電荷が放電される。第一段の反転回路１１の入力部（ａ
点）の電位は、第一の容量１５および第二の容量１６が
放電されるにつれて下降し、やがて第一の反転回路１１
のしきい値電圧（図２（ａ）のＶTH）より低くなる。す
ると、第二段の反転回路１２の出力部（ｂ点）の電位が
“Ｌ”になるが、第一の容量１５と第二の容量１６とで
分圧されるため、第一段の反転回路１１の入力部（ａ
点）の電位は、ＶTH−ＶDD×Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２）とな
る。ここで、第二の反転回路１２の出力（ｂ点）の電位
が“Ｌ”になると、最終段の反転回路１３の出力（ｃ
点）の電位は“Ｈ”になる。以下この繰り返し動作を行
うことによって本実施例のＣＲ発振回路は発振し、発振
周期は、 ＴOSC2＝−ＣＲ（ｌｎ（ＶTH／（ＶTH＋ＶDD・Ｃ１／Ｃ）） ＋ｌｎ（（ＶTH−ＶDD）／（ＶTH−ＶDD・Ｃ１／Ｃ−ＶDD）） ただし、Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２ と表わされる。
【００１５】図３は、本発明の他の実施例を示した回路
図である。ここで、２１は第一段の反転回路で、２入力
ＮＡＮＤである。１２は第二段の反転回路（偶数段目の
反転回路）、１３は最終段の反転回路、１４は抵抗（抵
抗値Ｒ）、１５は第一の容量（容量値Ｃ１）、１６は第
二の容量（容量値Ｃ２）、１７は第一段の反転回路２１
の第一の入力ゲートを保護する第一の入力保護ダイオー
ドであり、第一段の反転回路２１の第一の入力部（ａ
点）と電源電位との間に逆方向に接続されている。１８
は第一段の反転回路２１の第一の入力ゲートを保護する
第二の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路２
１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方向に接続さ
れている。１９は第一の入力端子、２０は出力端子であ
る。２２は第一段の反転回路２１の第二の入力ゲートを
保護する第三の入力保護ダイオードであり、第一段の反
転回路２１の第二の入力部（ｄ点）と電源電位との間に
逆方向に接続されている。２３は第一段の反転回路２１
の第二の入力ゲートを保護する第四の入力保護ダイオー
ドであり、第一段の反転回路２１の第二の入力部（ｄ
点）と接地電位との間に逆方向に接続されている。２４
は第二の入力端子である。尚、抵抗１４以外は集積回路
化されており、抵抗１４だけが、第一の入力端子１９と
出力端子２０との間に外付けされている。図３の他の実
施例が図１の実施例と異なる点は、第一の反転回路を、
インバータから２入力ＮＡＮＤに変更し、第二の入力端
子を設けたことである。この場合、第二の入力端子２４
に“Ｈ”を入力すると発振を開始させ、“Ｌ”を入力す
ると発振を停止させるという発振制御機能を付加するこ
とが可能となる。
図である。ここで、２１は第一段の反転回路で、２入力
ＮＡＮＤである。１２は第二段の反転回路（偶数段目の
反転回路）、１３は最終段の反転回路、１４は抵抗（抵
抗値Ｒ）、１５は第一の容量（容量値Ｃ１）、１６は第
二の容量（容量値Ｃ２）、１７は第一段の反転回路２１
の第一の入力ゲートを保護する第一の入力保護ダイオー
ドであり、第一段の反転回路２１の第一の入力部（ａ
点）と電源電位との間に逆方向に接続されている。１８
は第一段の反転回路２１の第一の入力ゲートを保護する
第二の入力保護ダイオードであり、第一段の反転回路２
１の入力部（ａ点）と接地電位との間に逆方向に接続さ
れている。１９は第一の入力端子、２０は出力端子であ
る。２２は第一段の反転回路２１の第二の入力ゲートを
保護する第三の入力保護ダイオードであり、第一段の反
転回路２１の第二の入力部（ｄ点）と電源電位との間に
逆方向に接続されている。２３は第一段の反転回路２１
の第二の入力ゲートを保護する第四の入力保護ダイオー
ドであり、第一段の反転回路２１の第二の入力部（ｄ
点）と接地電位との間に逆方向に接続されている。２４
は第二の入力端子である。尚、抵抗１４以外は集積回路
化されており、抵抗１４だけが、第一の入力端子１９と
出力端子２０との間に外付けされている。図３の他の実
施例が図１の実施例と異なる点は、第一の反転回路を、
インバータから２入力ＮＡＮＤに変更し、第二の入力端
子を設けたことである。この場合、第二の入力端子２４
に“Ｈ”を入力すると発振を開始させ、“Ｌ”を入力す
ると発振を停止させるという発振制御機能を付加するこ
とが可能となる。
【００１６】尚、上記実施例および上記他の実施例で
は、第二の容量を第一の反転回路の入力部と接地電位と
の間に設けたが、これに限るものではなく、第二の容量
を第一の反転回路の入力部と電源電位との間に設けても
構わない。
は、第二の容量を第一の反転回路の入力部と接地電位と
の間に設けたが、これに限るものではなく、第二の容量
を第一の反転回路の入力部と電源電位との間に設けても
構わない。
【００１７】また、上記実施例および上記他の実施例で
は、ａ点とｂ点との間に反転回路を２個設けたが、これ
に限るものではなく、偶数個であれば構わない。
は、ａ点とｂ点との間に反転回路を２個設けたが、これ
に限るものではなく、偶数個であれば構わない。
【００１８】さらに、上記実施例および上記他の実施例
では、ａ点とｃ点との間に反転回路を１個設けたが、こ
れに限るものではなく、奇数個であれば構わない。
では、ａ点とｃ点との間に反転回路を１個設けたが、こ
れに限るものではなく、奇数個であれば構わない。
【００１９】さらに、上記実施例および上記他の実施例
では、抵抗１４を外付けとしたが、抵抗１４を集積回路
内に内蔵し、拡散抵抗で構成しても構わない。この場
合、この拡散抵抗による寄生ダイオードの影響を受ける
ことなく、温度および電気的特性が良好なＣＲ発振回路
を提供することができる。
では、抵抗１４を外付けとしたが、抵抗１４を集積回路
内に内蔵し、拡散抵抗で構成しても構わない。この場
合、この拡散抵抗による寄生ダイオードの影響を受ける
ことなく、温度および電気的特性が良好なＣＲ発振回路
を提供することができる。
【００２０】
【発明の効果】第一の発明のＣＲ発振回路では、容量の
充放電の切り替え時において、第一段の反転回路の入力
部の電位の変化を２個の容量で分圧するため、第一段の
反転回路の入力部に電源電圧より高い電圧や接地電位よ
り低い電圧が発生することを防止できる。また、第二の
発明のＣＲ発振回路では、入力保護ダイオードの影響を
受けないため、発振周期が理論式に合い、発振周期の温
度特性および電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供する
ことができる。
充放電の切り替え時において、第一段の反転回路の入力
部の電位の変化を２個の容量で分圧するため、第一段の
反転回路の入力部に電源電圧より高い電圧や接地電位よ
り低い電圧が発生することを防止できる。また、第二の
発明のＣＲ発振回路では、入力保護ダイオードの影響を
受けないため、発振周期が理論式に合い、発振周期の温
度特性および電圧特性が良好なＣＲ発振回路を提供する
ことができる。
【図１】本発明の実施例を示した回路図である。
【図２】図１のａ点とｃ点における電位の時間変化を示
した図である。
した図である。
【図３】本発明の他の実施例を示した回路図である。
【図４】従来のＣＲ発振回路を示した回路図である。
【図５】図４のａ点とｃ点における電位の時間変化を示
した図である。
した図である。
１１………第一段の反転回路（インバータ） ２１………第一段の反転回路（２入力ＮＡＮＤ） １２………第二段の反転回路（偶数段目の反転回路） １３………最終段の反転回路 １４………抵抗 １５………第一の容量 １６………第二の容量 １７………第一の保護ダイオード １８………第二の保護ダイオード
Claims (2)
- 【請求項１】 直列に接続された奇数個の反転回路と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、第一段
の反転回路の入力部と最終段の反転回路の出力部とを接
続する抵抗と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と偶数段目の反転回路の出力部
とを接続する第一の容量と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と接地電位または電源電位とを
接続する第二の容量とを有するＣＲ発振回路。 - 【請求項２】 直列に接続された奇数個の反転回路と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、第一段
の反転回路の入力部と最終段の反転回路の出力部とを接
続する抵抗と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と偶数段目の反転回路の出力部
とを接続する第一の容量と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と接地電位または電源電位とを
接続する第二の容量と、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と上記電源電位とを逆方向に接
続する第一の入力保護ダイオードと、 上記直列に接続された奇数個の反転回路のうち、上記第
一段の反転回路の入力部と上記接地電位とを逆方向に接
続する第二の入力保護ダイオードとを有するＣＲ発振回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27360293A JPH07131301A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Ｃｒ発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27360293A JPH07131301A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Ｃｒ発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131301A true JPH07131301A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17530055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27360293A Pending JPH07131301A (ja) | 1993-11-01 | 1993-11-01 | Ｃｒ発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131301A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08116239A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-05-07 | Samsung Electron Co Ltd | 無安定マルチバイブレータ |
| JP2007214645A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denso Corp | 発振回路 |
| US7271670B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | CR oscillation circuit |
| JP2009159369A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Denso Corp | 発振回路 |
| JP2012085163A (ja) * | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 可変抵抗回路および発振回路 |
-
1993
- 1993-11-01 JP JP27360293A patent/JPH07131301A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08116239A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-05-07 | Samsung Electron Co Ltd | 無安定マルチバイブレータ |
| US7271670B2 (en) | 2004-11-10 | 2007-09-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | CR oscillation circuit |
| JP2007214645A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denso Corp | 発振回路 |
| JP4735300B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | 発振回路 |
| JP2009159369A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Denso Corp | 発振回路 |
| JP2012085163A (ja) * | 2010-10-13 | 2012-04-26 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 可変抵抗回路および発振回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890005227B1 (ko) | 지연 소자를 갖춘 인버터 루우프를 사용한 발진회로 | |
| US4395774A (en) | Low power CMOS frequency divider | |
| EP0856935B1 (en) | Charge pump circuit | |
| JPS6122397B2 (ja) | ||
| JP3619318B2 (ja) | モストランジスタ駆動用チャージングポンプ回路 | |
| EP0463890A2 (en) | Emitter coupled logic device | |
| JPH07131301A (ja) | Ｃｒ発振回路 | |
| US4283690A (en) | Low power CMOS oscillator | |
| US6838928B2 (en) | Boosting circuit configured with plurality of boosting circuit units in series | |
| JPS61222318A (ja) | パワ−オンリセツト回路 | |
| JP3422928B2 (ja) | チャージポンプ式駆動回路 | |
| US20040189358A1 (en) | Power-on reset circuit and method for low-voltage chips | |
| US3883825A (en) | Integrated circuit relaxation oscillator having minimal external pads | |
| EP0745921A1 (en) | Transistor current generator stage for integrated analog circuits | |
| KR20030072527A (ko) | 직류-직류 컨버터의 발진기 | |
| KR100384203B1 (ko) | 링오실레이터및발진방법 | |
| JP4735300B2 (ja) | 発振回路 | |
| US6181214B1 (en) | Voltage tolerant oscillator input cell | |
| EP0432472A2 (en) | Signal output circuit having bipolar transistor in output stage and arranged in CMOS semiconductor integrated circuit | |
| KR100231139B1 (ko) | 리세트 신호 발생 회로 | |
| JP4833455B2 (ja) | 定電圧発生回路および半導体装置 | |
| JPS5914832B2 (ja) | 電圧センス回路 | |
| JPH0677781A (ja) | 発振回路 | |
| JPH11146634A (ja) | チャージポンプ回路 | |
| KR800000915B1 (ko) | 발진회로 |