CN1770950A - 低电感等离子室的设备及其方法 - Google Patents
低电感等离子室的设备及其方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1770950A CN1770950A CNA2005101132600A CN200510113260A CN1770950A CN 1770950 A CN1770950 A CN 1770950A CN A2005101132600 A CNA2005101132600 A CN A2005101132600A CN 200510113260 A CN200510113260 A CN 200510113260A CN 1770950 A CN1770950 A CN 1770950A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- plasma chamber
- room part
- chamber
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 18
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 7
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 58
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 55
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 28
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
在某些方案中，本发明提供一种等离子室，它具有：(1)尺寸至少为1.8米×2.0米的室；(2)感抗不大于12欧姆至15欧姆的有效电感。该等离子室可以用于，例如，加工平板显示器的衬底。本发明还提供其他多种方案。
Description
本申请要求美国临时专利申请号为60/587,195，申请日为2004年7月12日的美国专利优先权，名称为“低电感等离子室的设备及其方法和/或与低电感等离子室一起使用的固定阻抗转换网络”，在此其全部内容作参考引用。
技术领域
本申请涉及一种电子仪器设备的制造方法，更确切的说是一种低电感等离子室的设备及其方法。
背景技术
等离子室通常用于制造衬底，如半导体晶片，玻璃板，聚合物衬底等等。等离子室包括很多导电元件，它们在被射频(RF)信号激励后可以象电感器，如线圈或扼流圈，和/或电容器一样工作。这些有效电感和/或有效电容在被RF信号驱动后，在等离子室及其元件构成的电路中形成电抗元件。这些电抗元件能够实质上增加与等离子室相关的阻抗，和驱动等离子室所需的电压值。结果是，该等离子室的效率被降低，并且可能产生可靠性问题。
发明概要
在本发明的某些方案中，提供一种等离子室，它具有：
(1)其尺寸至少大约为1.8米×2.0米的腔室；(2)其具有电抗值不大于12欧姆-15欧姆的有效电感。
在本发明的某些方案中，提供一种方法，包括：提供一种等离子室，该等离子室具有：(1)其尺寸至少大约为1.8米×2.0米的腔室；和(2)其具有电抗值不大于12欧姆-15欧姆的有效电感。该方法同时也还包括使用该等离子室制造用于平板显示器的衬底。
在本发明的某些方案中，提供一种等离子室提供，它包括(1)具有内表面的第一室部分；(2)与第一室部分结合以能确定内腔室区域的第二室部分；(3)与第一室部分间隔第一距离的第一电极；(4)第二电极，位于第一电极与第二室部分之间，以能在第一与第二电极之间限定等离子区；(5)导电片，位于第一室部分与第一电极之间并与第一室部分连接以能产生用来减少等离子室有效电感的电流路径。
在本发明的某些方案中，提供一种等离子室提供，它包括(1)具有内表面的第一室部分；(2)与第一室结合以能确定内室区域的第二室部分；(3)与第一室部分间隔第一距离的第一电极；(4)第二电极，位于第一电极与第二室部分之间以能在第一与第二电极之间限定等离子区。
第一室部分的厚度被增加，从而创建了一个用来减少等离子室有效电感的电流路径。还提供了其它许多中方案。
本发明的其他特征和方案将在以下的详细描述、所附权利要求和附图中变得更加清楚。
附图说明
图1表示本发明低电感等离子室的一个具体实施方式；和
图2表示本发明低电感等离子室的另一个具体实施方式。
详细描述
本发明提供一种低电感等离子室，它的操作更有效更可靠，并且能够用较低的电压进行驱动或激励。
图1表示本发明低电感等离子室的一个具体实施方式，通常用参考标号100表示。参考图1，该低电感等离子室100包括一个真空室封装102。在图1的具体实施方式中，真空室封装102可以是任意合适的室封装，例如是那些用在AKT有限公司产品上的等离子室型号为20K，25K和/或25KA的腔室。
真空室封装102可以用任意合适的材料制造，该材料与使用在本发明仪器和方法中用作连接的材料相一致。在一个具体的实施例中，真空室封装102及其元件是由铝制造的。
在图1给出的具体实施方式中，真空室封装102包括一个上部真空室封装104和一个下部真空室封装106。上部真空室封装104和下部真空室封装106通过任意适当和/或相配的方式连接或密封，如图所示，形成了低电感等离子室100的真空室封装102。例如，一个密封元件像O型环(图中未显示)可以用来将上真空室封装104相对于下真空室封装106密封。
上真空室封装104的内壁和下真空室封装106的内壁包含导电材料以便电流可以沿着相同的导电材料在此中描述的等离子室100内部传导。在一个具体实施方式中，上真空室封装104的内壁和下真空室封装106的内壁是由铝制造的。在其他具体实施例中，上真空室封装104的内壁和/或下真空室封装106的内壁可以由任意合适的导电材料制造，比方说任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
参照图1，该等离子室100还包括一对电极，包括一个上电极108和一个下电极110，安放于等离子室100的内部。在具体实施方式中，下电极110可以用来支撑将要在等离子室100中加工的衬底。上电极108有一个与下电极110面对的下表面108A和一个与上真空室封装104内顶壁面对的上表面108B。下电极110有一个与上电极108面对且支持加工过程中衬底的上表面110A和与下真空室封装106内底壁面对的下表面110B。
如上所述，在一个具体实施方式中，下电极110适用于支撑将要加工的衬底。下电极也能包括一个图1剖视图所示的内部区域或者室110C，和至少一个加热元件或者加热系统110D。该加热元件或者加热系统110D可以是一个耐热加热元件或者耐热加热元件系统，或者是任意其他合适的加热元件或系统，用来加热由下电极110支撑的衬底。在一个具体实施方式中，下电极110也可以在低电感等离子室100的内部被接地。
上电极108和下电极110彼此之间被间隔预定的距离以便在他们之间形成缝隙。在一个实施例中，预定的距离可以是0.5英寸-1.5英寸，但是其他的距离也可以被使用。正如将要在这里描述的，组成在相应电子设备和/或衬底加工步骤中使用的加工气体的等离子或者等离子体111形成于缝隙处或者位于上电极108和下电极110之间的等离子区域112。在一个具体实施中，可以被利用的加工气体和/或等离子111可以包括硅烷、氨、氢、氮、氩或者任意其他合适的加工气体或者气体混合物。
上电极108和下电极110可以是，例如，AKT公司产品所利用的类型，等离子室型号为20K，25K和/或25KA或者与其相当的产品。在一个具体实施方式中，上电极108和下电极110都可以用铝来制造。上电极108和下电极110也可以由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
上电极108可以是一个空心喷头型的电极，其具有一个位于其中的用于接收加工气体的储存器108C和一连串穿过下表面108A用于喷射这里描述的加工气体的孔径或者喷射器114。例如，上电极108可以是AKT公司产品利用的任意一种上电极，等离子室型号为20K，25K和/或25KA或者与其相当的产品。在一个具体实施方式中，上电极108，根据其应用和尺寸，可以有超过50,000个尺寸上近似相等的孔径114，以便通过每一个孔径114获得相等的气体流量。其他数量的喷射器或孔径也可以使用。
上电极108可以接收被用于加工操作的相应加工气体，该气体通过与上电极108连接的气体输送管道116来自于气体供应源150，如图1所示。在至少一个实施方式中，气体输送管道116可以与上电极108电连接，并且由导电材料制成。例如，气体输送管道可以由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
来自气体供应源150的加工气体可以在压力下通过气体输送管道116提供到上电极108内部的储存器108C中，并且通过喷射器114喷射到上电极108和下电极110之间的缝隙112中以便在缝隙112中形成等离子体111。在一个具体实施方式中，储存器108C中加工气体的压力大约为10托，而等离子体111中等离子的压力大约也为1托。也可以使用其他压力。在储存器108C中通过利用更高的气体压力，可以在孔径114获得更大的加工气体流量。
低电感等离子室100也可以包括一个支撑柱118，该支撑柱连接并支撑在下真空室封装106密封下部分的下电极110，如图所示。在图1的具体实施方式中，支撑柱118可以由铝来制造，并且可以是任意合适的支撑柱，比方说，但不仅限于此，象那种被用在AKT公司产品上的支撑柱，等离子室型号为20K，25K和/或25KA或其他相当的产品。支撑柱118也可以由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
下真空室封装106密封的下部区域120包含一个柔性连接122。该柔性连接122可以用与本发明的设备100中使用相一致的任意合适的方式由铝和/或其它任意合适的材料来制造。在一个具体实施方式中，柔性连接122可以是任意的柔性连接，比方说，但不仅限于此，象那种被用在AKT公司产品上的柔性连接，等离子室型号为20K，25K和/或25KA或其他相当的产品。该柔性连接122也可以由任意合适的导电材料制造，比方说，但不仅限于此，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料。
低电感等离子室100也可以包括一个与上真空室封装104顶部连接的射频输出保护盒124，如图所示。该射频输出保护盒124也可以与上真空室封装104的内壁电连接。射频输出盒124，在一个具体实施方式中，可以适用于从射频信号供应器160到气体输送管道116之间提供一个交变电流信号或者一个射频信号流，并且提供一个从低电感等离子室100到射频信号源160的交流或者射频电流的回路。
射频输出保护盒124可以由铝制造或者由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料。在一个具体实施方式中，射频输出保护盒124可以是任意合适的电传输保护盒装置，比方说，但不仅限于此，象那种被用在AKT公司产品上的射频传输保护盒装置，等离子室型号为20K，25K和/或25KA或其他相当的产品。
低电感等离子室100也可以包括一个导电元件，比方说一个与上真空室封装104的内顶壁连接或粘接的盘型结构126，如图所示。盘型结构126为导电元件。在图1的一个具体实施方式中，盘型结构126可以由铝制造。盘型结构126也由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。盘型结构126的尺寸和形状可以通过适当的方式来制造，这取决于真空室封装102和/或上真空室封装104的尺寸和形状。在一个具体实施方式中，盘型结构126是由铝形成的，其厚度大约为0.125英寸，高度大约为3英寸，宽度大约为1.8米，长度大约为2米以便适应于加工1.8米×2米的等离子室衬底。其他盘状、尺寸和/或材料也可以使用。
盘型结构126可以放置于与上电极108的第二表面108B间隔一预定距离的地方。该盘型结构126与上电极108的第二表面108B之间的预定距离限定了各自部件之间的缝隙。在一个实施方式中，盘型结构126与上电极108的第二表面108B之间的距离是大约1.5英寸或者更小，但是其他距离也可以被使用。作为另一个例子，一个大约0.5英寸至大约2英寸的距离也可以被使用，并且更适宜的是大约1英寸至2英寸。
当期望利用图1中的低电感等离子室100在一个衬底上来执行加工操作或步骤时，可以实现下面具体的加工操作。当一个交变电流或射频信号流从射频信号源160提供到气体输送管道116的外表面时，加工气体可以在合适的压力下从气体供应源150提供到气体输送管道116。
加工气体在气体输送管道116中流动并且流入上电极108内部的储存器108C中。随后加工气体通过上电极108上表面108A上的一系列孔径114被压出，并喷入形成等离子体111的缝隙112中。
为了清楚理解和有效阐述，以下关于射频信号流的电流流动的描述将描述相同循环的正半周。
进入气体输送管道116外表面的射频信号流，如电流箭头130所示，依箭头131所指，向下流入上电极108的上表面108B。射频信号流继续从气体输送管道116的外部径向流到上电极108的上表面108B并沿着其上方流动，如电流箭头132所示。在上电极108的外周界上，射频信号流沿着上电极108的边缘流动并且与缝隙112内的等离子体111电容性连接。在一个具体实施方式中，射频信号流的频率大约是13.56MHz左右。在另一个实施方式中，使用的频率大约是27MHz。然而，需要明白的是任何适当或者合适的射频信号频率都可以被使用，只是取决于所使用的等离子室、其尺寸和所执行的操作。
然后射频信号流从等离子体111的底部到下电极110的上表面110A被电容性连接。接着射频信号流穿过下电极110的上表面110A径向外流。随后射频信号流沿着下电极110的外边缘流动，并流向其下表面110B，在那里它径向向内流向支撑柱118，如流动箭头所示。射频信号流然后沿着支撑柱118的外表面向下流动。在支撑柱118的底部，射频信号流向上转向，并沿着柔性连接122流动，沿着下真空室封装106密封的内壁径向外流。射频信号流继续沿着下真空室封装106和上真空室封装104的各自垂直内壁向上流动。
射频信号流然后沿着上真空室封装104的内顶壁流动同时沿着盘型结构126的底表面126A流动，如图所示。射频信号流，如流动箭头133所示，沿着盘型结构126的底表面126A流向射频输出保护盒124的内部并且回到射频信号源160，如流动箭头135所示。射频信号流的流动和方向，通过低电感等离子室100后，将为了下一个循环，或者说是射频信号的负的半个循环而反向。
再次参考图1，在没有盘型结构126的情况下，沿着上真空室封装104内壁流动的射频信号流将沿着上真空室封装104的内顶壁流动，如虚线箭头140所示，并流入射频输出保护盒124的内部。
如图1所示，射频信号流在第一个方向上沿着上电极108的顶表面108B流动，如流动箭头132所示，同时射频信号流在相反的方向沿着盘型结构126的表面126A流动，如流动箭头133所示。两个导体的附近，也就是，在低电感等离子室100之间的上电极108的上表面108B和盘型结构126的盘表面126A，和在彼此相反的方向上面各自电流的流动，在低电感等离子室100里形成了一个平行平面传输线。因此，上电极108的上表面108B和盘型结构126的盘表面126A，作为具有“有效”电感的电感器，其电感大小直接与缝隙的尺寸和上电极108的上表面108B和盘型结构126的盘表面126A之间间距值成比例。彼此靠近的各自载流导体108B和126A的位置，如图1中的具体实施方式所示，由于盘型结构126的使用而被实现的，用于减少存在于低电感等离子室100中电路的“有效”电感和由其引起的感抗。
由上电极108的上表面108B和盘型结构126的盘表面126A形成的平行平面传输线产生的“有效”电感与低电感等离子室100的“有效”电阻串联，该电阻包含与等离子体111和与低电感等离子室100任意元件相关的任意其他电阻。
通过减少电感和低电感等离子室100内部的一系列电路的感抗，电路中的电抗，以及总阻抗能被减小。因此，驱动低电感等离子室100所需的电压被减小。需要驱动低电感等离子室100的输入电压的减小将会减小射频信号源和/或低电感等离子室100的其他元件部分上或内部的应力，并且在操作的同时提高了效率和可靠性。
在本发明的另一个具体实施方式中，一个导体元件可以由低电感等离子室的内壁形成，因此不需要使用一个单独的盘型结构。例如，图2给出了本发明的低电感等离子室或仪器的第二个具体实施方式，其附图标记为200。参考图2，低电感等离子室200包含一个真空室封装202。
真空室封装202可以由任意与本发明中装置和方法一起使用的相一致的材料来制造。在一个具体实施方式中，真空室封装202和其元件是用铝制造的。
参照图2，真空室封装202包含一个上真空室封装204和一个下真空室封装206。上部真空室封装204和下部真空室封装206通过任意适当和/或相配的方式连接或密封，如图所述，形成了低电感等离子室200的真空室封装202。例如，一个密封元件像O型环(图中未显示)可以用来将上真空室封装204相对于下真空室封装206密封。
上真空室封装204的内壁和下真空室封装206的内壁包含导电材料以便电流可以沿着相同的导电材料在此中描述的等离子室200内部传导。例如，上真空室封装204的内壁和下真空室封装206的内壁是由铝制造的。在其他实施例中，上真空室封装204的内壁和/或下真空室封装206的内壁可以由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
该等离子室200也包括一对电极，包括一个上电极208和一个下电极210，安放于等离子室200的内部。在具体实施方式中，下电极210可以用来支撑将要在等离子室200中加工的衬底。上电极208有一个与下电极210面对的下表面208A和一个与上真空室封装204内顶壁面对的上表面208B。下电极210有一个与上电极208面对且支持加工过程中衬底的上表面210A和与下真空室封装206内底壁面对的下表面210B。
如上所述，在一个具体实施方式中，下电极210适用于支撑将要加工的衬底。例如，下电极也能包括一个如图2所示的剖视图中的内部区域或者室210C，和至少一个加热元件或者加热系统210D。该加热元件或者加热系统210D可以是一个耐热加热元件或者耐热加热元件系统，或者是任意其他相配的加热元件或系统，用来加热由下电极210支持的衬底。下电极210，在一个具体实施方式中，也可以在低电感等离子室200的内部被接地。
上电极208和下电极210彼此之间间隔预定的距离以便在他们之间形成一缝隙。在一个具体实施例中，电极208和210间隔的距离是0.5英寸-1.5英寸，但是其他的距离也可以被使用。正如将要在这里描述的，组成用于各自衬底加工步骤的加工气体的等离子或者等离子体211形成于缝隙处或者位于上电极208和下电极210之间的等离子区域212。在一个具体实施方式中，可以被利用的加工气体和/或等离子211可包括硅烷、氨、氢、氮、氩或者任意其他适宜的加工气体或者气体混合物。
上电极208和下电极210可以是，例如，由铝来制造。上电极208和下电极210也可以由任意合适的导电材料制造，比方说，但不仅限于此，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料。
上电极208可以是一个空心喷头型的电极，其具有一个位于其中的用于接收加工气体的储存器208C和一连串穿过下表面208A的孔径或者喷射器214用于喷射这里描述的加工气体。在一个具体实施方式中，上电极208，取决于其应用和尺寸，比如，可以有超过70,000个在尺寸上近似相等孔径214，以便通过每一个孔径214获得相等的气体流量。其他数量的喷射器或孔径也可以使用。
上电极208可以接收被用于单独加工操作的相应加工气体，该气体通过与上电极208连接的气体输送管道216来自于气体供应源250，如图2所示。在一个具体实施方式中，气体输送管道216可以与上电极208电连接。气体输送管道216可以由导电材料制造，例如铝或者其他任意合适的导电材料，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
来自气体供应源250的加工气体可以在压力下通过气体输送管道216提供到上电极208内部的储存器208C中，并且通过喷射器214喷射到上电极208和下电极210之间的缝隙中以便在等离子区域212中形成等离子体211。在任意具体实施方式中，储存器208C中加工气体的压力大约为10托，而等离子体211中等离子的压力大约为1托。也可以使用其他压力。在通过利用储存器208C中更高的气体压力，可以在孔径214获得更大的加工气体流量。
低电感等离子室200也可以包括一个支撑柱218，该支撑柱在下真空室封装206下部分连接并支撑下电极210，如图所示。在图2的具体实施方式中，支撑柱218可以由铝来制造。支撑柱218可以是任意合适的支撑柱，并且也可以由任意其他合适的导电材料制造比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。
下真空室封装206密封的下部区域220包含一个柔性连接222。在一个具体实施方式中，该柔性连接222可以用与本发明中装置200使用相一致的任意合适的方式由铝来制造，和/或由其他任意合适的材料(比如，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料)。该柔性连接222与图1中的该柔性连接122相似。
低电感等离子室200也可以包括一个与上真空室封装204顶部连接的射频输出保护盒224，如图所示。该射频输出保护盒224也可以与上真空室封装204的内壁电连接。射频输出盒224，在一个具体实施方式中，可以适用于从射频信号供应器260到气体输送管道216之间提供一个交变电流信号或者一个射频信号流，并且提供一个从低电感等离子室200到射频信号源260的交变电流或者射频信号流的回路。
射频输出保护盒224可以由任意适合的材料，包括导电材料比方说，例如铝来制造，和/或由任意其他有色金属，黄铜，或者镍合金导电材料。在本具体实施方式中，射频输出保护盒224使用的导电材料是铝。在一个具体实施方式中，射频输出保护盒224可以是任意合适的电传输保护盒装置，并且与图1中的射频传输保护盒装置124相似。
低电感等离子室200也可以包括一个形成为上真空室封装204的内顶壁，在其内，一起，和/或在其上的导电元件226，如图2所示。在图2的一个具体实施方式中，导电元件226可以由铝制造。导电元件226也由任意合适的导电材料制造，比方说，任意的有色金属，黄铜，或者其他合适的镍合金材料，但不仅限于此。导电元件226的尺寸和形状可以通过适当的方式来制造，这取决于真空室封装202和/或上真空室封装204的尺寸和形状。在一个具体实施方式中，导电元件226被形成和平行放置于，或者实质上平行放置于距上电极208的第二表面208B一预定距离的地方。该导电部件226与上电极208的第二表面208B之间的预定距离决定了各自部件之间的缝隙。在至少一个实施方式中，导电部件226与上电极208的第二表面208B之间的距离是大约1.5英寸至2英寸，优选值是1.75英寸，但是其他距离也可以被使用。作为另一个例子，一个大约0.25英寸至大约2英寸的距离也可以被使用，并且更适宜的是大约1英寸至2英寸。
当期望利用图2中的低电感等离子室200在一个衬底上来执行加工操作或步骤时，可以实现下面具体的加工操作。当一个交变电流或射频信号流从射频信号源260提供到气体输送管道216的外表面时，加工气体可以在合适的压力下从气体供应源250提供到气体输送管道216。
加工气体在气体输送管道216中流动并且流入上电极208内部的储存器208C中。随后加工气体通过上电极208上表面208A上的一系列孔径214被喷入缝隙212形成等离子体211。
为了清楚理解和有效阐述，以下关于射频信号流的电流流动的描述将描述相同循环的正半周。
进入气体输送管道216外表面的射频信号流，如电流箭头230所示，依箭头231所指，向下流入上电极208的上表面208B。射频信号流继续从气体输送管道216的外部径向流到上电极208的上表面208B并沿着其上方流动，如电流箭头232所示。在上电极208的外周界上，射频信号流沿着上电极208的边缘流动并且与缝隙212内的等离子体211电容性连接。在一个具体实施方式中，射频信号流的频率大约是13.56MHz左右。然而，需要明白的是任何适当或者合适的射频信号频率都可以被使用，只是取决于所使用的等离子室、其尺寸和所执行的操作。
然后射频信号流从等离子体211的底部到下电极210的上表面210A被电容性连接。接着射频信号流穿过下电极210的上表面210A径向外流。随后射频信号流沿着下电极210的外边缘流动，并流向其下表面210B，在那里它径向向内流向支撑柱218，如流动箭头所示。射频信号流然后沿着支撑柱218的外表面向下流动。在支撑柱218的底部，射频信号流向上转向，并沿着柔性连接222流动，沿着下真空室封装206密封的内壁径向外流。射频信号流继续沿着下真空室封装206和上真空室封装204的各自垂直内壁向上流动。
射频信号流然后沿着上真空室封装204的内顶壁流动同时沿着导电元件226的表面226A流动，如图所示。射频信号流，如流动箭头233所示，沿着导电元件226的表面226A流向射频输出保护盒224的内部并且回到射频信号源260，如流动箭头235所示。射频信号流的流动和方向，通过低电感等离子室200后，将为了下一个循环，或者说是射频信号的负的半个循环而反向。
如图2所示，射频信号流在第一个方向上沿着上电极208的顶表面208B流动，如流动箭头232所示，同时射频信号流在相反的方向沿着导电元件226的表面226A流动，如电流箭头233所示。两个导体的附近，也就是，在低电感等离子室200之间的上电极208的上表面208B和导电元件226的盘表面226A，和在彼此相反的方向上面各自电流的流动，在低电感等离子室200里形成了一个平行平面传输线。
因此，上电极208的上表面208B和导电元件226的盘表面226A，作为具有“有效”电感的电感器，其电感大小直接与缝隙的尺寸和上电极208的上表面208B和导电元件226的表面226A之间间距值成比例。彼此靠近的各自载流导体208B和226A的位置，用于减少存在于低电感等离子室200中电路的“有效”电感和由其引起的感抗。
由上电极208的上表面208B和导电元件226的表面226A形成的平行平面传输线产生的“有效”电感与低电感等离子室200的“有效”电阻串联，该电阻包含与等离子体211和与低电感等离子室200任意元件相关的任意其他电阻。
通过减少电感和低电感等离子室200内部的一系列电路的感抗，电路中的电抗，以及总阻抗能被减小。因此，驱动低电感等离子室200所需的电压被减小。需要驱动低电感等离子室200的输入电压的减小将会减小射频信号源和/或低电感等离子室200的其他元件部分上或内部的应力，并且在操作的同时提高了效率和可靠性。
在一个具体实施方式中，低电感等离子室100或200的尺寸可以产生一个具有大约为12欧姆至15欧姆(感性)的“有效”电感和一个大约是0.3欧姆至2.0欧姆的“有效”电阻，这是对于一个尺寸是1.8米×2.0米或更大的室来说的。
上述描述给出的仅仅是本发明的具体实施方式。落入本发明范围之内的上述公开的装置和方法的修改对于本领域的普通技术人员来说是显而易见的。例如，在本发明的至少一个具体实施方式中，提供一种方法，包括下列步骤：提供等离子室，它具有：(1)尺寸至少是1.8米×2.0米的室；和(2)具有感抗不大于12欧姆至15欧姆的有效电感。该方法更进一步包括使用该等离子室制造用于平板显示器衬底的步骤。该等离子室也具有不大于0.3欧姆至2.0欧姆的有效电阻。
因此，虽然本发明结合其具体实施方式已经作了披露，但是应该明白：其他实施方式可能落入如下面权利要求所确定的本发明的精神和范围之中。
Claims (36)
1.一种等离子室，包括：
尺寸至少为1.8米×2.0米的室；
和一感抗不大于12欧姆至15欧姆的有效电感。
2.如权利要求1所述的等离子室，其特征在于，还具有一不大于0.3欧姆至2.0欧姆的有效电阻。
3.如权利要求1所述的等离子室，其特征在于，该等离子室适用于加工用于平板显示器的衬底。
4.如权利要求1所述的等离子室，其特征在于，它包含：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来限定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间用来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
位于第一室部分和第一电极之间并且与第一室部分连接以便生成电流路径来减少等离子室有效电感的导电片。
5.如权利要求4所述的等离子室，其中导电片与第一电极大体上平行，并且其长度和宽度与第一电极相同。
6.如权利要求4所述的等离子室，其中导电片由铝制成。
7.如权利要求4所述的等离子室，其中导电片与第一电极的距离大约是0.5英寸至2.0英寸。
8.如权利要求4所述的等离子室，其中导电片与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
9.如权利要求4所述的等离子室，其中第一电极是上电极。
10.如权利要求1所述的等离子室，其中等离子室包括：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
其中第一室部分的厚度被增加，以便生成电流路径来减少等离子室的有效电感。
11.如权利要求10所述的等离子室，其中第一室部分的内表面与第一电极的距离是0.5英寸至2.0英寸。
12.如权利要求10所述的等离子室，其中第一室部分的内表面与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
13.如权利要求10所述的等离子室，其中第一电极是上电极。
14.一种方法包括：
提供一个等离子室，它具有：
尺寸至少为1.8米×2.0米的室；
感抗不大于12欧姆至15欧姆的有效电感；
用该等离子室加工用于平板显示器的衬底。
15.如权利要求14所述的方法，其中等离子室具有不大于0.3欧姆至2.0欧姆的有效电阻。
16.一种等离子室，它包括：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
位于第一室部分和第一电极之间并且与第一室部分连接以便生成电流路径来减少等离子室有效电感的导电片。
17.如权利要求16所述的等离子室，其中导电片与第一电极大体上平行，并且其长度和宽度与第一电极相同。
18.如权利要求16所述的等离子室，其中导电片由铝制成。
19.如权利要求16所述的等离子室，其中导电片与第一电极的距离大约是0.5英寸至2.0英寸。
20.如权利要求16所述的等离子室，其中导电片与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
21.如权利要求16所述的等离子室，其中第一电极是上电极。
22.如权利要求16所述的等离子室，其中等离子室具有一个尺寸为1.8米×2.0米的室。
23.一种等离子室，包括：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
其中第一室部分的厚度被增加，以便生成电流路径来减少等离子室的有效电感。
24.如权利要求23所述的等离子室，其中第一室部分的内表面与第一电极的距离大约是0.5英寸至2.0英寸。
25.如权利要求23所述的等离子室，其中第一室部分的内表面与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
26.如权利要求23所述的等离子室，其中第一电极是上电极。
27.如权利要求23所述的等离子室，其等离子室为一个尺寸为1.8米×2.0米的室。
28.一种与等离子室一起使用的装置，该等离子室包括：具有一内表面的第一室部分，与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分，与第一室部分间隔第一距离的第一电极，和位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极，该装置包括：
一适用于位于第一室部分和第二电极之间并且与第一室部分连接以便生成电流路径来减少等离子室有效电感的导电片。
29.如权利要求28所述的等离子室，其中导电片适用于与第一电极大体上平行，并且其长度和宽度与第一电极相同。
30.如权利要求28所述的等离子室，其中导电片由铝构成。
31.如权利要求28所述的等离子室，其中导电片适用于与第一电极的距离大约是0.5英寸至2.0英寸。
32.如权利要求28所述的等离子室，其中导电片适用于与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
33.一种等离子室，包括：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
其中第一室部分的厚度被增加，以便生成电流路径来减少等离子室的有效电感；
其中第一室部分的内表面位于第一电极之上大约0.5英寸至2.0英寸之处；和
其中等离子室具有一个尺寸大约为1.8米×2.0米的室。
34.如权利要求33所述的等离子室，其中第一室部分的内表面与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
35.一种等离子室，包括：
具有内表面的第一室部分；
与第一室部分连接来确定内室区域的第二室部分；
与第一室部分间隔第一距离的第一电极；
位于第一电极和第二室部分之间来确定第一和第二电极之间等离子区域的第二电极；
位于第一室部分和第一电极之间并且与第一室部分连接以便生成电流路径来减少等离子室有效电感的导电片；
其中导电片与第一电极的距离大约是0.5英寸至2.0英寸；
和其中等离子室具有一个尺寸大约为1.8米×2.0米的室。
36.如权利要求35所述的等离子室，其中导电片与第一电极的距离大约是1.5英寸至1.75英寸。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US58719504P | 2004-07-12 | 2004-07-12 | |
| US60/587,195 | 2004-07-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1770950A true CN1770950A (zh) | 2006-05-10 |
| CN100426941C CN100426941C (zh) | 2008-10-15 |
Family
ID=35898855
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101132615A Expired - Fee Related CN100511357C (zh) | 2004-07-12 | 2005-07-12 | 与等离子体腔室连接的固定的阻抗变换网络的装置和方法 |
| CNB2005101132600A Expired - Fee Related CN100426941C (zh) | 2004-07-12 | 2005-07-12 | 低电感等离子室的设备、制造方法、及与之一起使用的装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005101132615A Expired - Fee Related CN100511357C (zh) | 2004-07-12 | 2005-07-12 | 与等离子体腔室连接的固定的阻抗变换网络的装置和方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20060027327A1 (zh) |
| JP (3) | JP2006101480A (zh) |
| KR (2) | KR100648336B1 (zh) |
| CN (2) | CN100511357C (zh) |
| TW (2) | TWI303954B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114121581A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060027327A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-02-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for a low inductance plasma chamber |
| US20070080141A1 (en) * | 2005-10-07 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Low-voltage inductively coupled source for plasma processing |
| CN101374381B (zh) * | 2007-08-20 | 2011-07-27 | 清华大学 | 实现射频阻抗匹配的方法及射频阻抗匹配系统 |
| US20100139562A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| KR101617781B1 (ko) * | 2009-02-13 | 2016-05-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 챔버 전극을 위한 ｒｆ 버스 및 ｒｆ 리턴 버스 |
| US9305750B2 (en) * | 2009-06-12 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems |
| US9039864B2 (en) * | 2009-09-29 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Off-center ground return for RF-powered showerhead |
| BR112014029509B1 (pt) * | 2012-06-01 | 2020-11-10 | Dsm Ip Assets B.V | micela no núcleo do complexo coacervado contendo metal, processo para fabricação, uso e bebida compreendendo a dita micela |
| JP2015162266A (ja) * | 2014-02-26 | 2015-09-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR20190003815A (ko) * | 2016-05-27 | 2019-01-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 정전 척 임피던스 평가 |
| US20180175819A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | Lam Research Corporation | Systems and methods for providing shunt cancellation of parasitic components in a plasma reactor |
| JP7330182B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2023-08-21 | エヴァテック・アーゲー | 真空プラズマ処理へのｒｆパワーの伝送 |
| CN207811869U (zh) * | 2018-01-09 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Pecvd设备 |
| CN116015318A (zh) | 2018-12-29 | 2023-04-25 | 华为技术有限公司 | 一种多频段射频前端器件，多频段接收机及多频段发射机 |
| US11508563B1 (en) * | 2021-05-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate using improved shield configurations |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61174633A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Ulvac Corp | スパッタエッチング装置 |
| JP3101420B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ドライエッチング装置 |
| US5815047A (en) * | 1993-10-29 | 1998-09-29 | Applied Materials, Inc. | Fast transition RF impedance matching network for plasma reactor ignition |
| US5695619A (en) * | 1995-05-25 | 1997-12-09 | Hughes Aircraft | Gaseous pollutant destruction method using self-resonant corona discharge |
| US5907221A (en) * | 1995-08-16 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops |
| US6252354B1 (en) * | 1996-11-04 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control |
| US5654679A (en) * | 1996-06-13 | 1997-08-05 | Rf Power Products, Inc. | Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance |
| US5952896A (en) * | 1997-01-13 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Impedance matching network |
| JP3710081B2 (ja) * | 1997-11-30 | 2005-10-26 | アルプス電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4467667B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2010-05-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| DE60043505D1 (de) | 1999-05-06 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | Apparat für die plasma-behandlung |
| US6363882B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-02 | Lam Research Corporation | Lower electrode design for higher uniformity |
| JP3377773B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2003-02-17 | 三菱重工業株式会社 | 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法 |
| WO2001073814A2 (en) | 2000-03-28 | 2001-10-04 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode |
| TW502264B (en) | 2000-08-26 | 2002-09-11 | Samsung Electronics Co Ltd | RF matching unit |
| KR100842947B1 (ko) | 2000-12-26 | 2008-07-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP4024053B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-12-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置 |
| JP3977114B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | プラズマ処理装置 |
| JP3966788B2 (ja) | 2002-08-30 | 2007-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP4753276B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP4553247B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20060027327A1 (en) | 2004-07-12 | 2006-02-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for a low inductance plasma chamber |
-
2005
- 2005-07-11 US US11/179,035 patent/US20060027327A1/en not_active Abandoned
- 2005-07-11 JP JP2005202144A patent/JP2006101480A/ja active Pending
- 2005-07-11 KR KR1020050062065A patent/KR100648336B1/ko active IP Right Grant
- 2005-07-11 JP JP2005202150A patent/JP2006032954A/ja active Pending
- 2005-07-11 US US11/179,036 patent/US7570130B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-12 TW TW094123644A patent/TWI303954B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-12 CN CNB2005101132615A patent/CN100511357C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-12 TW TW094123646A patent/TWI356656B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-12 KR KR1020050062758A patent/KR100767812B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-07-12 CN CNB2005101132600A patent/CN100426941C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-15 JP JP2010232873A patent/JP5670694B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114121581A (zh) * | 2020-08-27 | 2022-03-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
| CN114121581B (zh) * | 2020-08-27 | 2024-04-05 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060050086A (ko) | 2006-05-19 |
| KR20060050031A (ko) | 2006-05-19 |
| US7570130B2 (en) | 2009-08-04 |
| JP2006101480A (ja) | 2006-04-13 |
| TW200608841A (en) | 2006-03-01 |
| US20060017386A1 (en) | 2006-01-26 |
| CN1770238A (zh) | 2006-05-10 |
| JP2011066907A (ja) | 2011-03-31 |
| TWI356656B (en) | 2012-01-11 |
| TWI303954B (en) | 2008-12-01 |
| JP5670694B2 (ja) | 2015-02-18 |
| TW200608842A (en) | 2006-03-01 |
| CN100426941C (zh) | 2008-10-15 |
| JP2006032954A (ja) | 2006-02-02 |
| CN100511357C (zh) | 2009-07-08 |
| KR100648336B1 (ko) | 2006-11-23 |
| US20060027327A1 (en) | 2006-02-09 |
| KR100767812B1 (ko) | 2007-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1770950A (zh) | 低电感等离子室的设备及其方法 | |
| CN1311538C (zh) | 静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法 | |
| US7662253B2 (en) | Apparatus for the removal of a metal oxide from a substrate and methods therefor | |
| CN101273439B (zh) | 用于从基片上去除边缘聚合物的装置 | |
| CN102208322B (zh) | 等离子体处理装置和半导体装置的制造方法 | |
| CN1312727C (zh) | 改进蚀刻率均一性的设备和方法 | |
| CN101533764B (zh) | 喷淋头和基板处理装置 | |
| CN201465987U (zh) | 等离子体处理装置 | |
| US6632323B2 (en) | Method and apparatus having pin electrode for surface treatment using capillary discharge plasma | |
| US20030070760A1 (en) | Method and apparatus having plate electrode for surface treatment using capillary discharge plasma | |
| CN1323444A (zh) | 半导体工艺舱电极及其制作方法 | |
| CN1822317A (zh) | 电极组件 | |
| CN101477944B (zh) | 等离子体处理装置及其使用的电极和电极制造方法 | |
| CN1438692A (zh) | 半导体布线形成方法及装置、器件制造方法及装置和晶片 | |
| CN1178392A (zh) | 静电吸盘和应用了静电吸盘的样品处理方法及装置 | |
| CN1705079A (zh) | 等离子体处理装置和阻抗调整方法 | |
| CN101504927B (zh) | 等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置 | |
| CN1228820C (zh) | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 | |
| US20040244688A1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH0850998A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN101042991A (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN1230045C (zh) | 等离子体处理装置 | |
| JP2002129320A (ja) | スパッタ方法及びスパッタ装置 | |
| CN1294637C (zh) | 设有夹头及匹配箱的装置 | |
| JP2000328269A (ja) | ドライエッチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: American California Patentee after: Applied Materials Inc. Address before: American California Patentee before: Applied Materials Inc. |
|
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20081015 Termination date: 20120712 |