TWI303954B - Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber - Google Patents

Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber Download PDF

Info

Publication number
TWI303954B
TWI303954B TW094123644A TW94123644A TWI303954B TW I303954 B TWI303954 B TW I303954B TW 094123644 A TW094123644 A TW 094123644A TW 94123644 A TW94123644 A TW 94123644A TW I303954 B TWI303954 B TW I303954B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
matching network
plasma chamber
active
network
load
Prior art date
Application number
TW094123644A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200608841A (en
Inventor
Carl A Sorensen
John M White
Suhail Anwar
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of TW200608841A publication Critical patent/TW200608841A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI303954B publication Critical patent/TWI303954B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

1303954 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及電子元件製造，尤其是用於與電漿室連接 的固定的阻抗轉換網路的裝置和方法。 【先前技術】
電漿室典型地用於處理基材，例如半導體晶片、玻璃 板、聚合物基材等。電漿室可包含導電元件，當被射頻（RF ) 信號激發時，該導電元件具有電感器的性質，例如線圈或 扼流器（c h 〇 k e s)和/或具有電容的性質。當被R F信號驅動 時，這些“有效”的電感和/或“有效”的電容在電漿室和 其元件限定的電路中産生電抗分量。這些電抗分量基本上 能增加與電漿室相連的電阻抗和驅動所需的電壓量。因 而，將使電漿室無效且面臨可靠性問題。 【發明内容】 在本發明的特定實施例中，提供用於驅動電漿室的固 定的阻抗轉換網路的裝置包括：適合於在主動式RF匹配 網路和與電漿室相連的電漿室負載之間連接的預匹配網 路。預匹配網路包括（1 )第一電容性元件；（2 )與第一電 容性元件並聯連接以形成並聯電路的電感性元件，並聯電 路給出主動式RF匹配網路的輸出的增加阻抗以使驅動電 漿室負載所需的電壓減小；（3 )連接到並聯電路和適合連 接電漿室負載的第二電容性元件。第二電容性元件至少部 分減小或消除對應於與電漿室負載相連的電感的電抗。 在本發明的特定實施例中，提供用於驅動電漿室的固 定的阻抗轉換網路的方法包括（1 )在主動式RF匹配網路 5 1303954 和與電漿室相連的電漿室負載之間連接預匹配網路；（2 ) 用預匹配網路的第一電路元件部分地減小和/或消除電漿 室負載的電抗；（3 )用預匹配網路的第二電路元件逐步增 加由主動式RF匹配網路的輸出引起的（seen )阻抗。
在特定實施例中，用於提供用於驅動電漿室的固定的 阻抗轉換網路的裝置包括適應於在主動式RF匹配網路和 與電漿室相連的電漿室負載之間連接的預匹配網路。預匹 配網路適合於（1 )至少部分地減小或消除了對應於與電漿 室負載相連的電感的電抗；（2 )對主動式RF匹配網路的 輸出呈現步進阻抗，以使驅動電漿室負載所需的電壓減 小。本發明亦提供多個其他態樣。 從以下的詳細描述、附加申請專利範圍和附圖，本發 明的其他的特徵和態樣將變得更顯而易見。 【實施方式】 本發明提供了固定的阻抗轉換網路或用於連接主動式 RF匹配網路和電漿室的預匹配網路，以使（1 )增加通過 主動式RF匹配網路的輸出引起的阻抗；和/或（2 )減小所 需的驅動電漿室的電壓或功率。 根據本發明預匹配網路可以用來減小電漿室負載的電 抗分量，以減小在驅動電漿室所需的電壓和電流之間的相 角（phase angle)和增加網路的功率係數，因此導致驅動電 漿室負載所需電壓的減小。本發明的預匹配網路也可用於 呈現在主動式RF匹配網路的輸出中被引起的高或“步進 (stepped-up)” 阻抗。因而，主動式RF匹配電路可在低電 壓下驅動電漿室負載。這導致主動式RF匹配網路的運行 更有效和可靠，且主動式RF匹配網路的所需運行範圍可 以被減小。 6 1303954
第1圖說明了根據本發明的示範性固定元件阻抗轉換 網路或預匹配網路。參考第i圖，通常用參考數位3〇〇代 表的本發明的裝置包括RF信號産生器3〇2、RF傳輸線3〇4 和主動式RF匹配網路306。通過RF傳輸線3〇4將由RF 信號産生器3 02産生的RF信號傳輸到主動式RF匹配網路 306 〇
RF仏號産生為302可爲適應於給電漿室負載提供RF 4吕號的任何適合的RF信號産生器。主動式rf匹配網路 3 06可爲適合於爲與由本發明的裝置3〇〇驅動的電漿室相 連的電漿至負載320&供阻抗匹配的任何主動式電路。下 文參考附第2圖說明示範性主動式rf匹配網路，儘管可 以使用任何適合的主動式RF匹配網路。 裝置300還包括預匹配網路308，該預匹配網路包括 所示的與電感的元件（例如，電感3 1 2 )並聯的第一電容 性元件（例如，第一電容3 10 )，在第1圖的實施例中該電 感的元件是抽頭的扼流器。在另一個實施例中電感3 1 2是 線圈。 顯示的與電容3 1 0/電感3 1 2電路串聯的第二電容性的 元件（例如，第二電容3 14 )，且是預匹配網路3 0 8的輸出 電容。電容310的電容值和電感312的電感值可選擇爲與 提供的所需阻抗匹配裝置3 00或同樣的元件（如下面進一 步描述的）一致的任何適合的值。 裝置300還包括電感316,該電感是與預匹配網路308 連接的電漿室（參看，例如，第3圖）的電漿負載320的 “有效的”電感和電漿室負載的320的“有效”電阻 3 1 8。如所示電感3 1 6和電阻3 1 8與預匹配網路3 0 8的輸出 串聯。 電漿室負載（plasma chamber load)320可是與任何電 7 1303954 漿室相連的使用具有該電漿室的裝置300的負載。在另一 個實施例中，電漿室負載320可以是任何集成的元件電漿 室負載。 電漿室負載320的“有效”阻抗包括在操作和同樣使 用期間在電漿室中形成的各自電漿群的阻抗和/或各自電 漿室的任何元件的其他阻抗。
作爲例子，電漿室的尺寸（未示出）可導致“有效的” 電感或具有約1 2 — 1 5歐姆（電感性的）的電感性電抗的電 感3 1 6的值和“有效”電阻或電阻3 1 8的值約0 · 3 — 2 · 0歐 姆，如前述合併參照的美國專利臨時申請號第 60/5 8 7,1 95(2 004年7月12日所申請）的專利。在該實施例 中，儘管可以使用其他值，但第一電容310可具有約200 皮法的電容量，電感312可具有約0.729微亨的電感量和 第二電容314可具有約1250的電容量。 預匹配網路3 0 8可被用於減小主動式RF匹配網路3 0 6 輸出的電壓和電流。例如，當通過施加從主動式RF匹配 網路306提供的RF信號時，第二電容314産生容抗，該 容抗起到部分消除或減小由電漿負載3 2 0的電感3 1 6産生 的感抗的作用。電漿負載部件感抗的減小導致用於驅動電 漿室負載320的電壓和電流之間的相角Θ的減小和提供增 加功率因素，或電壓和電流之間0的佘弦值，該余弦值是 必須的以驅動或向各自的電漿室負載3 2 0供電。 預匹配網路308也可用於增加通過主動式RF匹配網 路引起的負載的阻抗，以便將相同使變換爲“改進的”負 載（例如，通過第一電容3 1 0和電感3 1 2的平行配合。 在示範性實施例中，選擇第一電容3 1 0以使其與電感 3 1 2以選擇的工作頻率産生共振。在示範性實施例中選擇 的工作頻率是或大約是13.56MHz，第一電容310和電感 8 1303954
的平行配合可呈現高的或“步進的，，阻抗到主動式RF t配衾固狄 ’ 306的輸出。引起的在主動式RF匹配網路306 燕J出0^7古n 一 裝室巧勺或步進”的阻抗起到減小所需驅動各自的電 所=負裁320的電壓量的作用。驅動各自的電漿室負載320 而電壓的減少提供了主動式Rf匹配網路3 〇 6的更有效 和可靠的工作。 六 在實施例中，預匹配網路308的部件（例如，第一電 各3 1 〇、哲
進比第二電容314和/或電感312)能被選擇以提供步
率大約爲3 · 1的阻抗。在另一個實施例中，預匹配網 3 0 R AA ^ 、。卩件能被選擇以提供步進比率大約爲4 : 1的阻 抗例如，電感3 1 2可放大阻抗的有效部分（通過抽頭的 疋位）和第二電容3 1 4可防止阻抗的虛數部分變得太高。 在該方式’預匹配網路308可將由主動式rf匹配網路306 引起的阻抗放置在適合主動式RF匹配網路306工作的正 常的或預期的範圍之内。 前面的描述僅公開了發明的示範性實施例。落入本發 明的範圍的上述公開裝置和方法的修改對於本領域的技術 人員是顯而易見的。例如，在另一個示範性實施例中，設 計主動式RF匹配網路3 0 6以使預匹配網路3 0 8的部件一 起集成或同樣的集成到一起。 第2圖說明集成的主動式RF匹配/預匹配網路3 22的 上述示範性實施例。集成的匹配網路3 2 2包括所示的連接 到預匹配網路3 08的主動式RF匹配網路3〇6。在第2圖的 示範性實施例中’主動式RF匹配網路3 0 6包括可調的旁 路電容3 2 4和可調的串聯電容3 2 6。控制器3 2 8連接到每 個可調電容324、326且可周期的拙樣通過主動式rf匹配 網路3 06 (例如’在點3 3 0 )引起的負載阻抗以及基於負載 阻抗的變化調整可調電容3 2 4、3 2 6。例如，控制器3 2 8可 9 1303954 每秒十次調整改變負載阻抗，或以一些其他的時間間隔。 因爲主動式RF匹配網路3 06可具有工作的有限範圍，預 匹配網路308可被應用於在主動式RF匹配網路306的工 作範圍内設置負載阻抗。 第3圖說明根據本發明提供的第一示範性電漿處理系 統350。參考第3圖，第一處理系統350包括：包括以預 定距離離開基材支架3 5 6設置的噴頭3 5 4的電漿室3 5 2。
基材支架3 5 6在電漿室3 52内處理期間適應於支援基材 S。通過RF功率源3 5 8和經過使用的主動式RF匹配網路 3 06和預匹配網路3 08 (前面描述的）將RF功率傳送到電 漿室3 5 2。RF外殼箱3 6 0，例如法拉第氏罩，可被應用以 阻止在RF功率傳送到電漿室3 5 2 (例如，在特定實施例中 2 0 — 2 5 KW，儘管可以使用其他的功率範圍）期間不希望的 輻射的分散。 通過適合的氣體流到電漿室3 52内（通過噴頭3 54 ) 和通過經RF功率源3 5 8，主動式RF匹配網路306和預匹 配網路308將RF功率傳送到噴頭354在電漿室352内産 生電漿。在第3圖所示的實施例中，預匹配網路位於RF 外殼箱360之内。很清楚，可以另外的設置預匹配網路 3 0 8。例如，第4圖說明根據本發明提供的第二示範性電漿 處理系統3 7 0，其中預匹配網路3 0 8位於電漿室3 5 2之内。 第5圖說明根據本發明提供的第三示範性電漿處理系統 380,其中預匹配網路308位於電漿室352之内或與主動式 RF匹配網路306集成。 因此，雖然公開了與實施例有關的本發明，然應清楚 的是其他實施例亦可能落入本發明的精神和範圍内，如下 面申請專利範圍所限定者。 10 1303954 【圖式簡單說明】 第1圖說明本發明的示範性實施例，其提供了阻抗轉 換網路或用於連接用於驅動電漿室的主動式RF匹配網路 的預匹配網路。 第2圖說明根據本發明提供的集成的主動式RF匹配/ 預匹配網路的示範性實施例。 第3圖說明根據本發明提供的第一示範性電漿處理系 統。
第4圖說明根據本發明提供的第二示範性電漿處理系 統。 第5圖說明根據本發明提供的第三示範性電漿處理系 統。 【主要元件符號說明】 300 裝置 302 RF信號產生器 304 RF傳輸線 306 主動 式RF匹配網路 308 預匹配網路 3 10 第一 電容 3 12 電感 3 14 第二 電容 3 16 電感 3 18 電阻 320 網路 電漿室負載 322 主動 式RF匹配/預匹配 324 旁路電容 326 串聯 電容 328 控制器 350 第一 處理系統 352 電漿室 354 喷頭 356 360 基材支架 RF外殼箱 358 RF功率源 11 1303954 370 第二示範性電漿處理系統 3 80 第三示範性電漿處理系統
12

Claims (1)

1303954 π年7月孓曰修(叉)正替換頁 第 ^ 月修正 备:、攀請專利範圍 1一種提供一用於驅動一電聚室之固定限抗轉換網路的方 法，包括： 在一主動式RF匹配網路和一與電漿室相連的電漿室 負載之間連接一預匹配網路； 以預匹配網路的第一電路元件至少部分地減小和/或 消除電漿室負載的電抗；和 藉由具有預匹配網路之第二電路元件的主動式RF匹 配網路的輸出引起阻抗的步進。 2·如申請專利範圍第1項所述之方法，進一步包括： 將預匹配網路與主動式匹配網路集成或將預匹配 網路集成到主動式RF匹配網路上。 3 ·如申請專利範圍第 將預匹配網路與 漿室上。 1項所述之方法，進一步包括： 電殽室集成或將預匹配網路集成到 電 4·如申請專利範圍 將預匹配網路 預匹配網路集成到 第1項所述之方法，進一步包括： 與和電漿室相連的RF傳送箱集成或將 和電聚室相連的RF傳送箱上。 5·種提供用於驅動一 置’包括： 電漿室 的固定阻抗轉換網路之裝 一預匹配網路，摘 —盥雷將hi 《耦接在一主動式RF匹配網路和 ，、更漿室相連的電漿 於： 乂至負载之間，其中該預匹配網路適 ^ 4刀減小或消除對應於與電漿室負載相連之 13 1303954 月f日修ct)正替换頁I 電感的電抗，和 對主動式RF匹配網路的輸出呈現步進（step-up)阻 抗，以使驅動電漿室負載所需的電壓減小。 6.如申請專利範圍第5項所述之裝置，其中預匹配網路包 括： 一第一電容性元件； 一電感性元件，與第一電容性元件並聯以形成平行電 路；以及 一第二電容性元件，連接並聯電路且適於連接電漿室 負載。 7. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中該第一電容性 元件和該第二電容性元件中至少一個包括電容器。 8. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中電感性元件包 括線圈。 9. 如申請專利範圍第6項所述之裝置，其中電感性元件包 括抽頭扼流器（tapped choke)。 1 0.如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中預匹配網 路提供約爲3 : 1阻抗步進比（step-up ratio)。 11. 如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中預匹配網 路提供約爲4 : 1阻抗步進比。 12. 如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中預匹配網 14 1303954 啊年7月斗日修(取正替換頁 路與主動式RF匹配網路係集成或集成到主動式RF匹配網 路上。 1 3 ·如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中預匹配網 路與電漿室係集成或集成到電漿室上。 14 ·如申請專利範圍第5或6項所述之裝置，其中預匹配網 路與和電漿室相連的RF傳送箱集成或集成到RF傳送箱 上。 1 5. —種提供用於驅動電漿室的固定阻抗轉換網路的系 統，包括： 一 RF功率源； 一主動式RF匹配網路，連接到RF功率源且適於從 RF功率源接收RF信號； 一電漿室，具有電漿室負載；及 一預匹配網路，連接在主動式RF匹配網路和電漿室 負載之間，其中該預匹配網路適於： 至少部分減小或消除對應於一與電漿室負載相連之 電感的電抗；以及 對主動式RF匹配網路的輸出呈現步進阻抗，以使 驅動電漿室負載所需的電壓減小。 1 6.如申請專利範圍第1 5項所述之系統，其中預匹配網路 包括： 一第一電容性元件； 一電感性元件，與第一電容性元件並聯以形成平行電 路；和 15 1303954 一第二電容性元件，連接並聯電路且適於連接電漿室 負载。 17.如申請專利範圍第16項所述之系統，其中第一電容性 元件和第二電容性元件中至少一個包括電容。 1 8.如申請專利範圍第1 6項所述之系統，其中電感性元件 包括線圈。 19.如申請專利範圍第16項所述之系統，其中電感性元件 包括抽頭扼流器。 20·如申請專利範圍第1 5項所述之系統，其中預匹配網路 提供約爲3 : 1阻抗步進比。 2 1 ·如申請專利範圍第1 5項所述之系統，其中預匹配網路 提供約爲4 : 1阻抗步進比。 22·如申請專利範圍第1 5項所述之系統，其中預匹配網路 與主動式RF匹配網路係集成或集成到主動式RF匹配網路 上。 2 3.如申請專利範圍第15項所述之系統，其中預匹配網路 與電漿室集成或集成到電漿室上。 24·如申請專利範圍第1 5項所述之系統，其中預匹配網路 與一和電漿室相連的RF傳送箱係集成或集成到RF傳送箱 上0 16
TW094123644A 2004-07-12 2005-07-12 Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber TWI303954B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US58719504P 2004-07-12 2004-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200608841A TW200608841A (en) 2006-03-01
TWI303954B true TWI303954B (en) 2008-12-01

Family

ID=35898855

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094123644A TWI303954B (en) 2004-07-12 2005-07-12 Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber
TW094123646A TWI356656B (en) 2004-07-12 2005-07-12 Apparatus and methods for a low inductance plasma

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094123646A TWI356656B (en) 2004-07-12 2005-07-12 Apparatus and methods for a low inductance plasma

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20060027327A1 (zh)
JP (3) JP2006101480A (zh)
KR (2) KR100648336B1 (zh)
CN (2) CN100511357C (zh)
TW (2) TWI303954B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060027327A1 (en) 2004-07-12 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for a low inductance plasma chamber
US20070080141A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Low-voltage inductively coupled source for plasma processing
CN101374381B (zh) * 2007-08-20 2011-07-27 清华大学 实现射频阻抗匹配的方法及射频阻抗匹配系统
US20100139562A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate treatment apparatus
KR101617781B1 (ko) * 2009-02-13 2016-05-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 챔버 전극을 위한 ｒｆ 버스 및 ｒｆ 리턴 버스
US9305750B2 (en) * 2009-06-12 2016-04-05 Lam Research Corporation Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems
US9039864B2 (en) * 2009-09-29 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Off-center ground return for RF-powered showerhead
BR112014029509B1 (pt) * 2012-06-01 2020-11-10 Dsm Ip Assets B.V micela no núcleo do complexo coacervado contendo metal, processo para fabricação, uso e bebida compreendendo a dita micela
JP2015162266A (ja) * 2014-02-26 2015-09-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR20190003815A (ko) * 2016-05-27 2019-01-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 정전 척 임피던스 평가
US20180175819A1 (en) * 2016-12-16 2018-06-21 Lam Research Corporation Systems and methods for providing shunt cancellation of parasitic components in a plasma reactor
JP7330182B2 (ja) * 2017-11-17 2023-08-21 エヴァテック・アーゲー 真空プラズマ処理へのｒｆパワーの伝送
CN207811869U (zh) * 2018-01-09 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 Pecvd设备
CN116015318A (zh) 2018-12-29 2023-04-25 华为技术有限公司 一种多频段射频前端器件，多频段接收机及多频段发射机
CN114121581B (zh) * 2020-08-27 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置
US11508563B1 (en) * 2021-05-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate using improved shield configurations

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61174633A (ja) * 1985-01-29 1986-08-06 Ulvac Corp スパッタエッチング装置
JP3101420B2 (ja) * 1992-04-28 2000-10-23 東京エレクトロン株式会社 ドライエッチング装置
US5815047A (en) * 1993-10-29 1998-09-29 Applied Materials, Inc. Fast transition RF impedance matching network for plasma reactor ignition
US5695619A (en) * 1995-05-25 1997-12-09 Hughes Aircraft Gaseous pollutant destruction method using self-resonant corona discharge
US5907221A (en) * 1995-08-16 1999-05-25 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma reactor with an inductive coil antenna having independent loops
US6252354B1 (en) * 1996-11-04 2001-06-26 Applied Materials, Inc. RF tuning method for an RF plasma reactor using frequency servoing and power, voltage, current or DI/DT control
US5654679A (en) * 1996-06-13 1997-08-05 Rf Power Products, Inc. Apparatus for matching a variable load impedance with an RF power generator impedance
US5952896A (en) * 1997-01-13 1999-09-14 Applied Materials, Inc. Impedance matching network
JP3710081B2 (ja) * 1997-11-30 2005-10-26 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置
JP4467667B2 (ja) * 1999-05-21 2010-05-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
DE60043505D1 (de) 1999-05-06 2010-01-21 Tokyo Electron Ltd Apparat für die plasma-behandlung
US6363882B1 (en) * 1999-12-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Lower electrode design for higher uniformity
JP3377773B2 (ja) * 2000-03-24 2003-02-17 三菱重工業株式会社 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法
WO2001073814A2 (en) 2000-03-28 2001-10-04 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode
TW502264B (en) 2000-08-26 2002-09-11 Samsung Electronics Co Ltd RF matching unit
KR100842947B1 (ko) 2000-12-26 2008-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
JP4024053B2 (ja) * 2002-02-08 2007-12-19 キヤノンアネルバ株式会社 高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置
JP3977114B2 (ja) * 2002-03-25 2007-09-19 株式会社ルネサステクノロジ プラズマ処理装置
JP3966788B2 (ja) 2002-08-30 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4753276B2 (ja) * 2002-11-26 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JP4553247B2 (ja) * 2004-04-30 2010-09-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US20060027327A1 (en) 2004-07-12 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for a low inductance plasma chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060050086A (ko) 2006-05-19
KR20060050031A (ko) 2006-05-19
US7570130B2 (en) 2009-08-04
JP2006101480A (ja) 2006-04-13
CN1770950A (zh) 2006-05-10
TW200608841A (en) 2006-03-01
US20060017386A1 (en) 2006-01-26
CN1770238A (zh) 2006-05-10
JP2011066907A (ja) 2011-03-31
TWI356656B (en) 2012-01-11
JP5670694B2 (ja) 2015-02-18
TW200608842A (en) 2006-03-01
CN100426941C (zh) 2008-10-15
JP2006032954A (ja) 2006-02-02
CN100511357C (zh) 2009-07-08
KR100648336B1 (ko) 2006-11-23
US20060027327A1 (en) 2006-02-09
KR100767812B1 (ko) 2007-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI303954B (en) Apparatus and methods for a fixed impedance transformation network for use in connection with a plasma chamber
US20230170190A1 (en) Rf grounding configuration for pedestals
TWI839393B (zh) 用於調變電漿的電漿處理系統及操作其之方法
TWI403219B (zh) 複合射頻波形用之匹配電路
KR101974268B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TW202131379A (zh) 用於電漿系統的奈秒級脈衝產生器射頻隔離
JP5290579B2 (ja) プラズマ生成方法、及びプラズマ生成に用いる高周波生成器の製造方法
US7994872B2 (en) Apparatus for multiple frequency power application
TWI358198B (en) High ac current high rf power ac-rf decoupling fil
KR100700763B1 (ko) 정합기 및 플라즈마처리장치
TWI339413B (en) Plasma processing unit and high-frequency electric power supplying unit
CN1871373A (zh) 等离子体生成设备和方法以及具有可调工作周期的rf驱动电路
JP2005527078A (ja) 負荷不整合信頼性および安定性のあるｖｈｆプラズマ処理のための方法および装置
TW200307989A (en) Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system
TW200405660A (en) Fixed matching network with increased match range capabilities
US20220102179A1 (en) Power supply signal conditioning for an electrostatic chuck
US6879870B2 (en) Method and apparatus for routing harmonics in a plasma to ground within a plasma enhanced semiconductor wafer processing chamber
CN104754851B (zh) 多频匹配器及等离子体装置
JP4676189B2 (ja) 高周波給電装置及びプラズマ処理装置
TW200409567A (en) Simultaneous discharging apparatus
JPH0888097A (ja) プラズマ装置用マッチング回路
US20230253232A1 (en) Substrate treatment apparatus
TWM344669U (en) Independently tunable voltage-mode CCII-based low-pass filter structure

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees