KR20060050086A

KR20060050086A - 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버를 위한 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20060050086A
Application number: KR1020050062758A
Authority: KR
Inventors: 에이. 소렌슨 칼; 엠. 화이트 존; 수하일 앤워
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2004-07-12
Filing date: 2005-07-12
Publication date: 2006-05-19
Also published as: TWI303954B; US7570130B2; TW200608842A; CN1770238A; KR100767812B1; TWI356656B; CN1770950A; JP5670694B2; US20060027327A1; CN100426941C; KR20060050031A; TW200608841A; CN100511357C; US20060017386A1; KR100648336B1; JP2006032954A; JP2006101480A; JP2011066907A

Abstract

임의의 특징으로서, (1) 적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기; 및 (2) 대략 12-15 오옴보다 크지 않은 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스를 갖는 플라즈마 챔버가 제공된다. 예컨대 플라즈마 챔버는 평판 디스플레이에 사용되는 기판을 처리하는데 사용될 수 있다. 다양한 특징들이 제공된다.

Description

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버를 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHODS FOR A LOW INDUCTANCE PLASMA CHAMBER}

도 1은 본 발명의 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버의 실시예를 나타낸 도면이다.

도 2는 본 발명의 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버의 또 다른 실시예를 나타낸 도면이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *

100: 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버 102: 진공 챔버 밀봉부

104: 상부 진공 밀봉부 106: 하부 진공 밀봉부

108: 상부 전극 110: 하부 전극

124: RF 전달 박스 160: RF 신호 공급부

본 출원은 "APPARATUS AND METHOD FOR A LOW INDUCTANCE PLASMA CHAMBER AND/OR A FIXED IMPEDANCE TRANSFORMATION NETWORK FOR USE IN CONNECTION WITH THE SAME"이라는 명칭으로 2004년 7월 12일 출원된 미국 가출원 시리즈 번호 60/587,195를 우선권으로 청구하며, 본 명세서에서 참조된다.

본 발명은 전자 장치 제조에 관한 것으로, 특히 낮은 인덕턴스 플라즈마를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.

플라즈마 챔버는 통상적으로 반도체 웨이퍼, 유리 플레이트, 폴리머 기판 등과 같은 기판의 처리에 사용된다. 플라즈마 챔버는 무선 주파수(RF) 신호에 의해 에너지를 받으면, 코일 또는 초크같은 인덕터, 및/또는 커패시터처럼 동작하는 도전성 소자를 포함할 수도 있다. RF 신호에 의해 구동될 경우, 이러한 "유효" 인덕턴스 및/또는 "유효" 커패시턴스는 플라즈마 챔버 및 그 구성 소자에 의해 한정된 전기 회로에 리액턴스 성분을 생성한다. 이러한 리액턴스 성분은 실질적으로 플라즈마 챔버와 관련한 전기적 임피던스 및 플라즈마 챔버를 구동하기 위해 요구되는 전압의 양을 증가시킨다. 그 결과, 플라즈마 챔버는 비효율적이고 신뢰성에 문제가 될 수 있다.

본 발명의 일 특징에서, (1) 적어도 1.8×2.0의 챔버 크기; 및 (2) 12-15오옴 이하의 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스를 가진 플라즈마 챔버가 제공된다.

본 발명의 또 다른 특징에서, (1) 적어도 1.8×2.0의 챔버 크기; 및 (2) 12-15오옴 이하의 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스를 가진 플라즈마 챔버를 제공하는 단계가 포함된 방법이 제공된다. 상기 방법은 또한 평판 디스플레이에 사 용된 기판을 처리하는 플라즈마 챔버를 사용하는 것을 포함한다.

본 발명의 또 다른 특징에서, (1) 내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분; (2) 내부 챔버 영역을 한정하기 위해 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분; (3) 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극; (4) 제 1 전극과 제 2 플라즈마 부분 사이에 위치하여 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극; 및 (5) 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 생성하기 위해 제 1 챔버에 결합하고, 제 1 챔버 부분과 제 1 전극 부분 사이에 위치한 도전성 부분을 포함하는 플라즈마 챔버가 제공된다.

본 발명의 또 다른 특징에서, (1) 내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분; (2) 내부 챔버 영역을 한정하기 위해 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분; (3) 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극; 및 (4) 제 1 전극과 제 2 플라즈마 부분 사이에 위치하여 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극을 포함하는 플라즈마 챔버가 제공된다. 제 1 챔버 부분은 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 생성하는 증가된 두께를 갖는다. 다양한 다른 특징이 제공된다.

본 발명의 다른 특징 및 특성은 이하의 상세한 설명, 첨부된 도면, 및 청구항을 참조하여 더욱 상세히 설명된다.

본 발명은 더욱 효율적이고 신뢰성 있게 동작할 수 있으며 낮은 전압으로 구동되고 동력이 전달될 수 있는 낮은 인덕턴스 플라즈마를 제공한다.

도 1은 일반적으로 참조 번호(100)로 표기된 본 발명의 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버의 제 1 실시예를 도시한다. 도 1을 참조하면, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)는 진공 챔버 밀봉부(102)를 포함한다. 도 1의 실시예에서, 진공 챔버 밀봉부(102)는 AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA와 같은 적절한 챔버 밀봉부일 수 있다.

진공 챔버 밀봉부(102)는 본 발명의 방치 및 방법과 관련하여 용도에 부합하는 적절한 재료로 생산될 수 있다. 실시예에서, 진공 챔버(102) 및 구성 요소는 알루미늄으로부터 제조된다.

도 1의 실시예에서, 진공 챔버 밀봉부(102)는 상부 진공 밀봉부(104) 및 하부 진공 밀봉부(106)를 포함한다. 상부 진공 밀봉부(104) 및 하부 진공 밀봉부(106)는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)의 진공 챔버(102)를 형성하기 위해 도시된 바와 같이 적합한 및/또는 적절한 방식으로 함께 커플링 또는 밀봉된다. 예를 들어, 0-링(미도시)과 같은 밀봉 소자는 하부 진공 밀봉부(106)와 관련하여 상부 진공 밀봉부(104)를 밀봉하는데 사용될 수도 있다.

상부 진공 밀봉부(104)의 내벽 및 하부 진공 밀봉부(106)의 내벽은 설명된 바와 같이 플라즈마 챔버(100) 내에 전류의 도전성을 용이하게 하기 위해 전기적으로 도전성인 물질을 포함한다. 실시예에서, 상부 진공 밀봉부(104)의 내벽 및 하부 진공 밀봉부(106)의 외벽은 알루미늄으로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 상부 진공 밀봉부(104)의 내벽 및/또는 하부 진공 밀봉부(106)의 내벽은 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제 조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

도 1을 참조하면, 플라즈마 챔버(100)는 또한 플라즈마 챔버(100)에 위치된 한 쌍의 전극, 즉 상부 전극(108) 및 하부 전극(110)을 포함한다. 실시예에서, 하부 전극(110)은 플라즈마 챔버(100)에서 처리될 기판을 지지하는데 사용될 수 있다. 상부 전극(108)은 하부 전극(110)과 마주하는 하부면(108) 및 상부 진공 밀봉부(104)의 상부 내벽과 마주하는 상부면(108B)을 갖는다. 하부 전극(110)은 상부 전극과 마주하며, 하부 진공 밀봉부(106)의 하부 내벽과 마주하는 하부면(110)을 처리하는 동안 기판을 지지하는 상부면(110A)을 갖는다.

전술한 바와 같이, 실시예에서, 하부 전극(110)은 처리될 기판을 지지하기 위해 적용된다. 하부 전극은 도 1로부터 단면 형태로 도시된 내부 영역 또는 챔버, 및 적어도 하나의 가열 부재 또는 가열 부재 시스템(110D)을 포함할 수 있다. 가열 부재 또는 가열 부재 시스템은 저항성 가열 부재 또는 가열 부재 시스템, 도는 다른 적절한 가열 부재 또는 가열 부재 시스템일 수 있으며, 이들은 하부 전극(110) 상에 지지된 기판을 가열하는데 사용될 수 있다. 실시예에서, 하부 전극(110)은 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100) 내에 전기적으로 접지될 수 있다.

상부 전극(108) 및 하부 전극(110)은 이들 사이에 갭을 형성하기 위해 서로로부터 예정된 거리 만큼 이격된다. 일 실시예에서, 예정된 거리는 0.5-1.5인치이며, 다른 거리가 사용될 수도 있다. 설명되겠지만, 각각의 전자 소자 및/또는 기판 처리 단계에서 사용된 처리 가스로 구성된 플라즈마 또는 플라즈마 바디(111)는 상부 전극(108)과 하부 전극(110) 사이에 위치된 갭 또는 플라즈마 영역(112)에 형 성될 것이다. 실시예에서, 사용될 수 있는 처리 가스 및/또는 플라즈마(111)는 실란, 암모니아, 수소, 질소, 아르곤 또는 다른 적절한 처리 가스 또는 가스 혼합물일 수 있다.

상부 전극(108) 및 하부 전극(110)은 예를 들어 AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA 또는 다른 등가의 장치일 수 있다. 실시예에서, 상부 전극(108) 및 하부 전극(110)은 알루미늄으로부터 생성될 수 있다. 상부 전극(108) 및 하부 전극(110)은 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

상부 전극(108)은 처리 가스를 수용하기 위해 내부에 배치된 저장부(108C)를 갖는 중공의 샤워헤드 타입 전극일 수 있으며, 일련의 개구 또는 스프레이 분출구(114)는 설명된 처리 가스를 하부면(108A)을 통해 분배한다. 예를 들어, 상부 전극은 AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA에 사용된 상부 전극 중 하나일 수 있다. 실시예에서, 응용예 및 크기에 따라, 상부 전극(108)은 각각의 개구(114)로부터 동일한 가스 흐름을 달성하기 위한 크기와 거의 동일한 50,000개 이상의 개구(114)를 가질 수 있다. 다른 수의 스프레이 분출구 또는 개구가 사용될 수도 있다.

상부 전극(108)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상부 전극에 결합된 가스 공급 튜브(116)를 통해 가스 공급부로부터 처리 작업에 사용되는 각각의 처리 가스를 수용할 수 있다. 적어도 하나의 실시예에서, 가스 공급 튜브(116)는 전기적으로 상부 전극(108)에 결합가능하고, 전기적으로 도전성인 물질로부터 제조될 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 튜브는 알루미늄 또는 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

가스 공급부(150)로부터의 처리 가스는 상부 전극(108)의 내부 저장부(108C)로 가스 공급 튜브(116)를 통해 압력을 가하여 제공되고, 갭(112)에 플라즈마 바디(111)를 형성하기 위해 상부 전극(108) 및 하부 전극(110) 사이의 갭(112)으로 개구(114)를 통해 분배될 수 있다. 실시예에서, 저장부(108C)의 처리 가스의 압력은 약 10Torr인 반면, 플라즈마 바디(111)의 플라즈마의 압력은 약 1 Torr일 수 있다. 다른 압력이 사용가능하다. 저장부(108C)에서 더 높은 가스 압력을 사용함으로써, 개구(114)를 통해 더 큰 처리 가스의 흐름이 얻어질 수 있다.

하부 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)는 도시된 바와 같이, 하부 진공 챔버의 하부에서 하부 전극(110)에 결합되고 이를 지지하는 지지 컬럼(118)을 포함할 수 있다. 도 1의 실시예에서, 지지 컬럼(118)은 알루미늄으로부터 제조되며, AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA 또는 등가물에서 사용되는 지지 컬럼과 같은 적절한 지지 컬럼일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 지지 컬럼(118)은 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

하부 진공 밀봉부(106)의 하부 영역(120)은 가요성 커플링(122)을 포함한다. 가요성 커플링(122)은 본 발명의 장치(100)의 용도에 부합하는 적절한 방식으로 알루미늄 및/또는 다른 적절한 재료로 제조된다. 실시예에서, 가요성 커플링(122)은 AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA 또는 등가물에서 사용되는 가요성 커플링과 같은 소정의 가요성 커플링일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 가요성 커플링(122)은 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)는 도시된 바와 같이, 상부 진공 밀봉부(104)의 상부에 연결될 수 있는 RF 전달 커버 박스(124)를 포함할 수 있다. RF 전달 커버 박스(124)는 또한 하부 진공 밀봉부(104)의 내벽과 전기적으로 연결될 수 있다. 실시예에서, RF 전달 박스(124)는 RF 신호 공급부(160)로부터 가스 공급 튜브(116)로 교류 신호 또는 RF 신호 전류를 공급하고, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)로부터 RF 신호 소스(160)로 교류 또는 RF 전류의 복귀 라인을 제공하는데 적용될 수 있다.

RF 전달 커버 박스(124)는 알루미늄 또는 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 실시예에서, RF 전달 커버 박스(124)는 AKT사의 플라즈마 챔버 모델 20K, 25K, 및/또는 25KA 또는 등가물에서 사용되는 RF 전달 커버 박스와 같은 소정의 RF 전달 커버 박스(124)일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)는 또한 도시된 바와 같이 상부 진공 밀봉부의 상부 내벽에 결합, 또는 부착된 팬 구조(126)와 같은 도전성 소자를 포함한다. 팬 구조(126)는 도전성 소자이다. 도 1의 실시예에서, 팬 구조(126)는 알루미늄으로부터 제조될 수 있다. 팬 구조(126)는 적절한 비철 재료, 황동, 또는 적 절한 니켈 합금 재료와 같은 전기적 도전성 재료로부터 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 팬 구조(126)는 진공 챔버 밀봉부(102) 및/또는 상부 진공 챔버 밀봉부(104)의 크기 및 형태에 따라 적절한 방식으로 크기 설정 및 형상화될 수 있다. 실시예에서, 팬 구조(126)는 알루미늄으로 형성되며, 1.8미터×2미터 기판을 처리하도록 적용된 플라즈마 챔버를 위해 약 0.125인치의 두께, 약 3인치의 높이, 약 1.8미터의 폭 및 약 2미터의 길이를 갖는다. 다른 팬 형상, 크기 및/또는 재료가 사용될 수 있다.

팬 구조(126)는 상부 전극(108)의 제 2 표면(108B)으로부터 예정된 거리에 위치될 수 있다. 팬 구조(126)와 상부 전극(108)의 제 2 표면(108B) 사이의 예정된 거리는 각각의 소자들 사이의 갭을 한정한다. 일 실시예에서, 팬 구조(126)와 상부 전극(108)의 제 2 표면(108B) 사이의 거리는 약 1.5인치 이하이며, 다른 거리가 사용될 수도 있다. 다른 예로서, 0.5 내지 2인치의 간격이 사용될 수도 있으며, 더욱 바람직하게는 1-2인치의 간격이 사용될 수 있다.

기판 상에 처리 작업 또는 단계를 실행하기 위해 도 1의 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)를 사용하는 것이 바람직한 경우, 이하의 예의 프로세싱이 실행될 수 있다. 처리 가스는 가스 공급부(150)로부터 가스 공급 튜브(116)로 제공될 수 있는 반면, 교류 또는 RF 신호 전류는 RF 신호 공급부(160)로부터 가스 공급 튜브(116)의 외부 표면으로 제공될 수 있다.

처리 가스는 공급 튜브(116) 내부로, 그리고 상부 전극(108)의 내부의 저장부(108C)로 흐른다. 이어 처리 가스는 상부 전극(108)의 표면(108A)의 일련의 개 구(114)를 통해 플라즈마 바디(111)를 형성하는 갭(112)으로 배출된다.

설명의 용이한 이해를 위해, RF 신호 전류의 전류 흐름은 양의 절반 주기로 설명될 것이다.

전류 화살표(130)로 도시된 바와 같이 가스 공급 튜브(116)의 외부 표면에 도입된 RF 신호 전류는 화살표(113)로 도시된 바와 같이 상부 전극(108)의 상부면을 향해 하부로 흐른다. RF 신호 전류는 전류 화살표(132)로 도시된 바와 같이 상부 전극(108)의 상부면(108B)으로 그리고 이를 따라 가스 공급 튜브(116)의 기저부로부터 상부 방향으로 방사상으로 연속하여 흐른다. 상부 전극(108)의 외부 둘레에서, RF 신호 전류는 상부 전극의 에지 주위로 흐르며 갭(112)의 플라즈마 바디(111)로 용량적으로 결합된다. 일 실시예에서, RF 신호 전류는 약 13.56 Mhz의 주파수가 사용될 수도 있다. 다른 실시예에서, 약 27Mhz의 주파수가 사용될 수도 있다. 그러나, 사용된 플라즈마 챔버, 그 크기 및 실행될 작업에 따라 소정의 적절하거나 적합한 RF 신호 주파수가 사용될 수 있다.

이어 RF 신호 전류는 플라즈마 바디(111)의 하부로부터 하부 전극(110)의 상부면(110A)으로 용량적으로 결합된다. 이어 RF 신호 전류는 하부 전극(110)의 상부면(110A) 전체에 상향으로 방사상으로 흐른다. 이어 RF 신호 전류는 하부 전극(110)의 외부 에지 주위 및 하부면으로 흐르는데, 전류 화살표로 나타낸 바와 같이 지지 컬럼(118)을 향해 방사상으로 내부를 향해 그리고 지지 컬럼으로 흐른다. 이어 RF 신호 전류는 지지 컬럼(118)의 외부 표면을 따라 그리고 하부로 흐른다. 지지 컬러(118)의 하부에서, RF 신호 전류는 가요 커플링(122)을 따라 상향으로 회전 하고, 하부 진공 밀봉부(106)의 내벽을 따라 방사상으로 외부로 흐른다. RF 신호 전류는 각각의 하부 진공 챔버 밀봉부(106) 및 상부 진공 챔버 밀봉부(104)의 수직한 내벽을 따라 상향으로 계속하여 흐른다.

이어 RF 신호 전류는 도시된 바와 같이, 상부 진공 밀봉부(104)의 내벽의 상부 및 팬 구조(126)의 하부면을 따라 흐른다. 전류 화살표(133)로 도시된 바와 같이, RF 신호 전류는 팬 구조(126)의 하부면을 따라 RF 전달 박스 커버(124)의 내부로 흐르며, 전류 화살표(135)로 도시된 바와 같이, RF 신호 공급부로부터 복귀된다. RF 신호 전류의 방향 및 흐름은, 비록 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(110)이지만, RF 신호의 다음, 또는 음의 반주기를 위해 반전된다.

도 1을 다시 참조하면, 팬 구조(126) 없이, 상부 진공 밀봉부(126)의 내벽을 따라 흐르는 RF 신호 전류는 점선의 화살표(140)로 표시된 바와 같이, 상부 진공 밀봉부(104)의 상부벽을 따라 RF 전달 커버 박스(124)의 내부로 흐른다.

도 1에 도시된 바와 같이, RF 신호 전류는 전류 화살표(132)로 도시된 바와 같이, 제 1 방향으로 상부 전극(108)의 상부면(108B)을 따라 흐르는 반면, 전류는 전류 화살표(133)로 도시된 바와 같이 상부 방향의 팬 구조(126)의 표면(126A)을 따라 흐른다. 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)에서 서로에 대한 두 개의 도전체들, 소위 상부 전극(108)의 상부면(108B) 및 팬 구조(126)의 팬 표면(126A)의 근접성, 및 서로에 대해 대향하는 방향에서 각각 상에 또는 이를 따르는 각각의 전류의 흐름은 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)에서 평행한 플레인 전송 라인을 생성한다. 그 결과, 상부 전극(108)의 상부면(108B) 및 팬 구조(126)의 팬 표면(126A)은 갭의 크기 또는 상부 전극(108)의 상부면(108B)과 팬 구조(126)의 표면(126A)의 이격 정도에 직접적으로 비례하는 "유효" 인덕턴스를 갖는 인덕터로서 작용한다. 도 1의 실시예에 도시되고, 팬 구조(126)의 사용에 의해 실현된 바와 같이, 서로에 대해 근접한 각각의 전류 전달 도전체(108B 및 126A)의 배치는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)에 존재하는 전기 회로의 "유효" 인덕턴스, 및 최종 유도성 리액턴스를 감소시키는 작용을 한다.

팬 구조(126)의 표면(126A) 및 상부 전극(108)의 상부면(108B)에 의해 형성된 평행한 전송 라인에 의해 생성된 "유효" 인덕턴스는 플라즈마 바디(111)의 저항 및 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)의 소정의 성분과 관련된 다른 저항에 영향을 미치는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)의 "유효" 저항과 전기적으로 직렬이다.

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100) 내의 이러한 직렬 전기 회로의 저항 및 유도성 리액턴스를 감소시킴으로써, 전기 회로의 저항 및 전체 임피던스가 감소된다. 그 결과, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)를 구동시키는데 필요한 입력 전압이 감소된다. 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)를 구동시키기 위해 요구되는 입력 전압의 감소는 RF 신호 공급부에 또는 그에 대한, 및/또는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100)의 다른 성분에서의 스트레스 또는 스트레스들을 감소시키며 증가된 유효성 및 동일한 동작에서의 신뢰성을 제공한다.

본 발명의 다른 실시예에서, 도전성 소자는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버의 내벽으로부터 형성될 수 있으며, 그로 인해 독립된 팬 구조의 사용을 필요로 하지 않는다. 예를 들어, 도 2는 도면 번호(200)로 일반적으로 표시된 본 발명의 장치 또는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버의 제 2 실시예를 도시한다. 도 2를 참조하면, 낮은 임피던스 플라즈마 챔버(200)는 진공 챔버 밀봉부(202)를 포함한다.

진공 챔버 밀봉부(202)는 본 발명의 장치 및 방법과 관련한 용도와 부합하는 적절한 재료로 구성될 수 있다. 실시예에서, 진공 챔버(202) 및 그 구성 요소는 알루미늄으로부터 제조된다.

도 2를 참조하면, 진공 챔버 밀봉부(202)는 상부 진공 밀봉부(204) 및 하부 진공 밀봉부(206)를 포함한다. 상부 진공 밀봉부(204) 및 하부 진공 밀봉부(206)는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)를 형성하기 위해, 도시된 바와 같이, 소정의 적절한 및/또는 적합한 방식으로 서로 커플링 또는 밀봉된다. 예를 들어, O-링(미도시)과 같은 밀봉 소자는 하부 진공 밀봉부(206)에 대해 상부 진공 밀봉부(204)를 밀봉하는데 사용될 수도 있다.

상부 진공 밀봉부(204)의 내벽 및 하부 진공 밀봉부(206)의 내벽은 설명된 바와 같이 플라즈마 챔버(200) 내에서 자신을 따라 전류의 도전성을 용이하게 하기 위해 전기적으로 도전성인 재료를 포함한다. 예를 들어, 상부 진공 밀봉부(204)의 내벽 및 하부 진공 밀봉부(206)의 내벽은 알루미늄으로 제조될 수 있다. 다른 실시예에서, 상부 진공 밀봉부(204)의 내벽 및 하부 진공 밀봉부(206)의 내벽은 적절한 비철 재료, 황동 또는 소정의 적절한 니켈 합금 재료와 같은 적절한 전기 도전성 재료로 제조될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다.

플라즈마 챔버(200)는 또한 플라즈마 챔버(200)의 내부에 배치된, 상부 전극(208) 및 하부 전극(200)을 포함하는 한 쌍의 전극들을 포함한다. 실시예에서, 하 부 전극(210)은 플라즈마 챔버(200)에서 처리될 기판을 지지하기 위해 사용될 수 있다. 상부 전극(208)은 하부 전극(210)과 대향하는 하부면(208) 및 상부 진공 밀봉부(204)의 상부 내벽과 대향하는 상부면(208B)을 갖는다. 하부 전극(210)은 상부 전극(208)과 대향하고 처리 동안 기판을 지지하는 상부면(210A),및 하부 진공 밀봉부(206)의 하부 내벽과 대향하는 하부면을 갖는다.

상기 언급한 바와 같이, 예시적인 실시예에서, 하부 전극(210)은 처리될 기판을 지지하기에 적합하다. 예컨대, 하부 전극은 도 2에서 절개 형태로 도시된 내부 영역 또는 챔버(210C), 및 적어도 하나의 가열 부재 또는 가열 부재 시스템(210D)을 포함한다. 가열 부재 또는 가열 부재 시스템(210D)은 저항성 가열 부재 또는 가열 부재 시스템이거나, 하부 전극(210) 상에 지지된 기판을 가열시키는데 사용될 수 있는 임의의 다른 적합한 가열 부재 또는 가열 부재 시스템일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 하부 전극(210)은 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200) 내에 전기적으로 접지될 수 있다.

상부 전극(208)과 하부 전극(210)은 서로 예정된 거리로 이격되어 전극들 간에 갭을 형성한다. 일 실시예에서, 전극(208,210)은 약 0.5-1.5 인치만큼 이격될 수 있으며, 다른 이격 거리도 가능하다. 여기서 설명되겠지만, 각각의 기판 공정 단계에서 사용된 처리 가스로 이루어진 플라즈마 또는 플라즈마 바디(211)는 상부 전극(208)과 하부 전극(210) 사이에 위치한 갭 또는 플라즈마 영역(212)에 형성된다. 예시적인 실시예에서, 사용될 수 있는 처리 가스 및/또는 플라즈마 또는 플라즈마 바디는 실란, 암모니아, 하이드로겐, 나이트로겐 아르곤 또는 임의의 다른 적 합한 처리 가스 또는 가스 혼합물을 포함할 수 있다.

예컨대 상부 전극(208)과 하부 전극(210)은 알루미늄으로 제조될 수 있다. 또한 상부 전극(208)과 하부 전극(210)은 임의의 다른 적합한 도전성 재료로 제조될 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 다른 적합한 비철 재료, 황동, 또는 임의의 적합한 니켈 합금 재료로 제조될 수 있다.

상부 전극(208)은 처리 가스를 수용하기 위해 내부에 위치한 저장부(208C) 및 여기서 설명한 바와 같은 처리 가스를 분배시키기 위해 하부면(208A)을 관통하는 일련의 개구 또는 스프레이 분출구(214)를 갖는 중공 샤워헤드 타입의 전극일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상부 전극(208)은 전극의 적용 및 크기에 따라 예컨대 각각의 개구(214)로부터 가스가 동일하게 흐를 수 있도록 대략 동일한 크기를 갖는 70,000 이상의 개구(214)를 갖는다. 다른 갯수의 스프레이 분출구 또는 개구를 사용할 수 있다.

상부 전극(208)은 도 2에 도시된 것처럼 가스 공급부(250)로부터 상부 전극(208)에 결합된 가스 공급 튜브(216)를 통해 각각의 처리 동작에 사용되는 각각의 처리 가스를 수용할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 가스 공급 튜브(216)는 상부 전극(208)에 전기적으로 결합될 수 있다. 가스 공급 튜브(216)는 알루미늄과 같은 전기 도전 재료 또는 임의의 다른 적합한 전기 도전 재료로 제조될 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 임의의 적합한 비철 재료, 황동, 또는 임의 적합한 니켈 합금 재료로 제조될 수 있다.

가스 공급부(250)로부터의 처리 가스는 소정의 압력 하에서 가스 공급 튜브 (250)를 통해 상부 전극(208)의 내부 저장부(208C)로 제공되고 플라즈마 영역(212)에 플라즈마 바디(211)를 형성하기 위해 개구(214)를 통해 상부 전극(208)과 하부 전극(210) 사이의 갭으로 분산된다. 예시적인 실시예에서, 저장부(208C)의 처리 가스 압력은 약 10 Torr이지만 플라즈마 바디(211)의 플라즈마 압력은 약 1 Torr 일 수 있다. 다른 압력이 사용될 수 있다. 저장부(208C)에 더 높은 가스 압력을 사용함으로써, 처리 가스는 개구(214)를 더 큰 속도로 흐를 수 있다.

또한, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)는 결합된 지지 컬럼(218)을 포함하고 도시된 것처럼 하부 진공 밀봉부(206)의 하부에서 낮은 전극(210)을 지지한다. 도 2의 예시적인 실시예에서, 지지 컬럼(218)은 알루미늄으로 제조된다. 지지 컬럼(218)은 임의의 적합한 지지 컬럼일 수 있으며, 임의의 다른 적합한 도전 재료로 제조될 수 있으며, 이에 제한되지 않고, 임의의 적합한 비철 재료, 황동, 또는 임의의 적합한 니켈 합금 재료로 제조될 수 있다.

하부 진공 밀봉부(206)의 하부 영역(220)은 가요성 커플링(222)을 포함한다. 예시적인 실시예에서, 가요성 커플링(222)은 알루미늄 및/또는 본 발명의 개구부(200)와 함께 사용되는 적합한 방식으로 임의의 다른 접합한 재료(들)(즉, 임의의 적합한 비철 재료, 황동, 또는 임의의 적합한 니켈 합금 재료)로 제조될 수 있다. 가요성 커플링(222)은 도 1의 가요성 커플링(122)과 유사할 수 있다.

또한 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)는 도시된 것처럼 상부 진공 밀봉부(204)의 상부에 연결될 수 있는 RF 전달 커버 박스(224)를 포함할 수 있다. 또한 RF 전달 커버 박스(224)는 상부 진공 밀봉부(204)의 내벽에 전기적으로 결합될 수 있다. 예시적인 실시예에서, RF 전달 박스(224)는 RF 신호 공급부(260)로부터의 교류 전류 신호 또는 RF 신호 전류를 가스 공급 튜브(216)에 제공하고 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)로부터의 교류 전류 또는 RF 전류를 RF 신호 소스(260)로 제공하는 복귀 라인(return line)을 제공할 수 있다.

RF 전달 커버 박스(224)는 예컨대, 알루미늄과 같은 도전 재료를 포함하는 임의의 적합한 재료 및/또는 임의의 기타 비철 재료, 황동, 또는 니켈 합금 도전 재료로 제조될 수 있다. 예시적인 실시예에서, RF 전달 커버 박스(224)에 사용된 도전 재료는 알루미늄일 수 있다. 예시적인 실시예에서, RF 전달 커버 박스(224)는 임의의 적합한 전기 전달 커버 박스 장치일 수 있으며, 도 1의 RF 전달 커버 박스(124)와 유사할 수 있다.

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)는 도 2에 도시된 것처럼, 상부 진공 밀봉부(204)의 상부 내벽 안에, 함께, 및/또는 위에 형성된 도전 부재(226)를 포함한다. 도 2의 예시적인 실시예에서, 도전 부재(226)는 알루미늄으로 제조될 수 있다. 또한 도전 부재(226)는 임의의 적합한 도전 재료로 제조될 수 있지만, 이에 제한되지 않고, 임의의 적합한 비철 재료, 황동, 또는 임의의 적합한 니켈 합금 재료로 제조될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 도전 부재(226)는 상부 전극(208)의 제 2 표면(208B)과 평행하게 위치하여 형성되거나 또는 거의 평행하게 예정된 거리에 위치한다. 도전 부재(226)는 진공 챔버 밀봉부(202) 및/또는 상부 진공 챔버 밀봉부(204)의 크기 및 모양에 따라 적절한 방식으로 모양을 갖출 수 있다. 도전 부재(226) 및 상부 전극(208)의 제 2 표면(208B) 사이의 예정된 거리는 각각의 부 재들 사이의 갭을 형성한다. 적어도 하나의 실시예에서, 도전 부재(226)와 상부 전극(208)의 제 2 표면(208B) 사이의 거리는 약 1.5-2 인치이고, 바람직하게는 약 1.75 인치이지만, 다른 거리가 사용될 수 있다. 또 다른 예에서, 약 0.25 내지 약 2 인치의 이격이 사용될 수 있고 바람직하게는 약 1-2 인치의 이격이 사용될 수 있다.

기판에 공정 작업 또는 단계를 수행하기 위해 도 2의 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)를 이용하는 것이 바람직할 때, 하기 예시적인 공정이 수행될 수 있다. 처리 가스는 적절한 압력 하에서 가스 공급부(250)로부터 가스 공급 튜브(216)로 공급될 수 있지만, 교류 전류 또는 RF 신호 전류는 RF 신호 공급부(260)로부터 가스 공급 튜브(216)의 외부 표면으로 제공될 수 있다.

처리 가스는 가스 공급 튜브(216) 내부로 흐르고 상부 전극(208) 내부의 저장부(208C)로 흐른다. 처리 가스는 상부 전극(208)의 표면(208A) 내의 일련의 개구부(214)를 통해 배출되는 힘을 받아 플라즈마 영역(212)으로 흘러들어가 플라즈마 바디(211)를 형성한다.

이해를 용이하게 하고 예시를 위해, 이하에서는 RF 신호 전류의 전류 흐름을 전류의 양성의 절반 주기에 대해 설명한다.

전류 화살표(230)로 도시된 것처럼, 가스 공급 튜브(216)의 외부 표면으로 유입되는 RF 신호 전류는 화살표(231)로 도시된 것처럼 상부 전극(208)의 상부면(208B)으로 하향으로 흐른다. RF 신호 전류는 전류 화살표(232)로 도시된 것처럼, 가스 공급 튜브(216)의 베이스로부터 상부 전극(208)의 상부면(208B)의 위를 따라 외부로 방사형으로 계속해서 흐른다. 상부 전극(208)의 외주에서, RF 신호 전류는 상부 전극(208)의 에지 주위를 흐르고 플라즈마 영역(212)의 플라즈마 바디(211) 안으로 용량적으로 결합된다. 예시적인 실시예에서, RF 신호 전류는 13.56 MHz의 주파수 또는 이에 근사한 주파수를 갖는다. 그러나, 임의의 적절한 또는 적합한 RF 신호 주파수가 사용되는 플라즈마 챔버, 크기, 및 수행될 작업(들)에 따라서 사용될 수 있다.

RF 신호 전류는 플라즈마 바디(211)의 하부로부터 하부 전극(210)의 상부면(210A)까지 용량적으로 결합된다. RF 신호 전류는 하부 전극(210)의 상부면(210A)에 걸쳐 방사형으로 외부로 흐른다. RF 신호 전류는 하부 전극(210)의 외부 에지 주위에서 하부 전극의 하부면(210B) 위로 흐르며 전류는 전류 화살표로 도시된 것처럼 지지 컬럼(218)을 향해 방사형 내부로 흐른다. 다음에 RF 신호 전류는 하향으로 지지 컬럼(218)을 따라 흐른다. 지지 컬럼(218)의 하부에서, RF 신호 전류는 상향으로 터닝하고 가요성 커플링(222)을 따라 흐르며 하부 진공 밀봉부(206)의 내벽을 따라 방사형으로 외부로 흐른다. RF 신호 전류는 각각의 하부 진고 챔버 밀봉부(206) 및 상부 진공 챔버 밀봉부(204)의 내부 수직 벽을 따라 상향으로 계속해서 흐른다.

다음에 RF 신호 전류는 도시된 것처럼 상부 진공 밀봉부(204)의 내벽 상부 및 도전 부재(226)의 표면(226A)을 따라 흐른다. 전류 화살표(233)로 도시된 것처럼, RF 신호 전류는 도전 부재(226)의 표면(226A)을 따라 RF 전달 박스 커버(224)의 내부로 흐르고 화살표(235)로 도시된 것처럼 RF 신호 공급부(260)로 복귀한다. 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)를 통과하는 RF 신호 전류의 방향과 흐름은 RF 신호의 다음 사이클, 또는 음의 절반 사이클 동안 역전된다.

도 2에 도시된 것처럼, RF 신호 전류는 전류 화살표(232)로 도시된 것처럼 제 1 방향으로 상부 전극(208)의 상부면(208B)을 따라 흐르지만 전류는 전류 화살표(233)로 도시된 것처럼 반대 방향으로 도전 부재(226)의 표면(226A)을 따라 흐른다. 두 개의 도전체의 인접부, 즉, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)의 서로에 대해 상부 전극(208)의 상부면(208B)과 도전 부재(226)의 표면(226A), 및 서로에 대해 반대 방향으로 각각을 따라 또는 그 위에서의 각각의 전류 흐름은 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)의 평행판 전달 라인을 형성한다.

그 결과, 상부 전극(208)의 상부면(208B)과 도전 부재(226)의 표면(226A)은 상부 전극(208)의 상부면(208B)과 도전 부재(226)의 표면(226A) 사이의 갭 또는 이격 양의 크기에 직접 비례하는 "유효" 인덕턴스를 갖는 인덕터로서 작용한다. 서로에 대한 각각의 전류 이송 도전체(208B 및 226A)의 배치는 "유효" 인덕턴스 및 이로써 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)에 존재하는 전기 회로의 유도성 리액턴스를 감소시키는 기능을 한다.

도전 부재(226)의 표면(226A) 및 상부 전극(208)의 상부면(208B)에 의해 형성된 평행 전송 라인에 의해 형성된 "유효" 인덕턴스는 플라즈마 바디(211)의 저항과 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)의 임의의 부품과 관련된 임의의 다른 저항을 포함한 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)의 "유효" 저항과 직렬로 전기적으로 연결된다.

낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200) 내부의 직렬 전기 회로의 인덕턴스 및 유도성 리액턴스를 감소시킴으로써, 전기 회로의 리액턴스 뿐만 아니라 전체 임피던스가 감소된다. 그 결과, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)를 구동시키는데 필요한 입력 전압이 감소된다. 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)를 구동시키는데 필요한 입력 전압의 감소는 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(200)의 RF 신호 공급부 및/또는 기타 부품들 상에서의 스트레스를 감소시키고 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버 동작의 효율과 신뢰도를 증가시킨다.

예시적인 실시예에서, 낮은 인덕턴스 플라즈마 챔버(100 또는 200)의 치수는 대략 12-15 오옴 (유도성)의 유도성 리액턴스를 갖는 "유효" 인덕턴스 및 약 1.8 미터 × 2.0 미터 또는 그 이상의 챔버 크기에서 대략 0.3 내지 2.0 오옴의 "유효" 저항을 형성할 수 있다.

상기 설명은 본 발명의 예시적인 실시예들만 개시한다. 본 발명의 범위에 속하는 상기 개시된 장치와 방법의 변형은 당업자에 용이하게 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 적어도 하나의 실시예에서, (1) 적어도 약 1.8 미터 × 2.0 미터의 챔버 크기; 및 (2) 약 12-15 오옴보다 크지 않은 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스를 갖는 플라즈마 챔버를 제공하는 단계들을 포함하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 평판 디스플레이에 사용된 기판을 처리하기 위해 플라즈마 챔버를 사용하는 단계를 더 포함한다. 또한, 플라즈마 챔버는 약 0.3 내지 2.0 오옴보다 크지 않은 유효 저항을 가질 수 있다.

따라서, 본 발명은 예시적인 실시예와 함께 설명되었지만 다른 실시예들이 이하 청구항에 한정된 것처럼 본 발명의 사상과 범위에 속할 수 있다.

본 발명의 실시에 의해 플라즈마 챔버는 낮은 전압으로 구동되고 동력이 전달될 수 있는 낮은 인덕턴스 플라즈마를 제공하며, 이로써 플라즈마 챔버는 더욱 효율적이고 신뢰성 있게 동작할 수 있다.

Claims

적어도 대략 1.8 미터 × 2.0 미터의 챔버 크기; 및

대략 12-15 오옴보다 크지 않은 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스

를 갖는 플라즈마 챔버.
제 1 항에 있어서, 약 0.3 내지 2.0 오옴보다 크지 않은 유효 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 평판 디스플레이들에 사용된 기판들을 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 1 항에 있어서,

내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극;

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극; 및

상기 제 1 챔버 부분과 상기 제 1 전극 사이에 위치하고 상기 플라즈마 챔버 의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 도전성 피스

를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 4 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극과 대략 평행하고 상기 제 1 전극과 대략 동일한 길이와 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 4 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 4 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 4항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 4 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 1 항에 있어서,

내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극; 및

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극을 포함하며,

상기 제 1 챔버 부분은 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하는 증가된 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기, 및 대략 12-15 오옴보다 크지 않은 유도성 리액턴스를 갖는 유효 인덕턴스를 갖는 플라즈마 챔버를 제공하는 단계; 및

평판 디스플레이들에 사용된 기판들을 처리하기 위해 상기 플라즈마 챔버를 사용하는 단계

를 포함하는 방법.
제 14 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 대략 0.3 내지 2.0 오옴보다 크지 않은 유효 저항을 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극;

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극; 및

상기 제 1 챔버 부분과 상기 제 1 전극 사이에 위치하고 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 도전성 피스

를 포함하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극과 대략 평행하고 상 기 제 1 전극과 대략 동일한 길이와 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 16 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 형성하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극; 및

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극을 포함하고,

상기 제 1 챔버 부분은 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하는 증가된 두께를 갖는 플라즈마 챔버.
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 23 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상부 전극인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 23 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분, 내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 챔버 부분 사 이에 위치하여 상기 제 1 전극 및 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극을 갖는 플라즈마 챔버를 이용하기 위한 장치로서,

상기 제 1 챔버 부분 및 상기 제 2 전극 사이에 위치하고 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 도전성 피스를 포함하는 플라즈마 챔버를 이용하기 위한 장치.
제 28 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극에 대략 평행하고 상기 제 1 전극과 대략 동일한 길이와 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 28 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 28 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
제 28 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극; 및

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극을 포함하며,

상기 제 1 챔버 부분은 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하는 증가된 두께를 가지며, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극 위로 대략 0.5 내지 2.0 인치에 위치하고, 상기 플라즈마 챔버는 적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기를 갖는 플라즈마 챔버.
제 33 항에 있어서, 상기 제 1 챔버 부분의 내부 표면은 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 내지 1.75 인치에 위치한 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.
내부 표면을 갖는 제 1 챔버 부분;

내부 챔버 영역을 한정하기 위해 상기 제 1 챔버 부분에 결합된 제 2 챔버 부분;

상기 제 1 챔버 부분으로부터 제 1 거리에 위치한 제 1 전극;

상기 제 1 전극과 상기 제 2 챔버 부분 사이에 위치하여 상기 제 1 전극과 자신의 사이에 플라즈마 영역을 한정하는 제 2 전극; 및

상기 제 1 챔버 부분과 상기 제 1 전극 사이에 위치하고 상기 플라즈마 챔버의 유효 인덕턴스를 감소시키는 전류 경로를 형성하기 위하여 상기 제 1 챔버 부분 에 결합된 도전성 피스를 포함하며,

상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 0.5 내지 2.0 인치 이격되며, 상기 플라즈마 챔버는 적어도 대략 1.8 × 2.0 미터의 챔버 크기를 갖는 플라즈마 챔버.
제 35 항에 있어서, 상기 도전성 피스는 상기 제 1 전극으로부터 대략 1.5 인치 내지 1.75 인치 이격된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버.