TWI356656B - Apparatus and methods for a low inductance plasma - Google Patents

Description

1356656 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種電子元件的製造方法 說是一種低電感電漿室的設備及其方法。 ，更確切的

【先前技術】 電漿室通常用於製造基材，如半導體晶片， 聚合物基材等等。電漿室包括很多導電元件， 頻（RF )信號激發後可以像電感器（如線g (chokes))和/或電容器一樣工作。這些有效電感 電容在被RF信號驅動後，在電漿室及其元件 中形成電抗元件。這些電抗元件能夠實質上增 相關的阻抗，和驅動電漿室所需的電壓值。因 電漿室的效率降低，並且可能産生可靠性問題 玻璃基板， 它們在被射 3或扼流圈 和/或有效 構成的電路 加與電漿室 而，將使該

【發明内容】 在本發明的特定態樣中，提供一種電漿室 (1 )其尺寸至少大約爲1 · 8米x2 · 0米的腔 具有電抗值不大於12歐姆-15歐姆的有效電感 在本發明的特定態樣中，提供一種方法， 一種電漿室，該電漿室具有：（1)其尺寸至少 米x2_0米的腔室；和（2)其具有電抗值不大於 歐姆的有效電感。該方法同時也還包括使用該 用於平板顯示器的基材。 在本發明的特定態樣中，提供一種電漿室 括（1)具有内表面的第一室部分；（2)與第一 以能界定内腔室區域的第二室部分；（3)與第 ，它具有： 室；（2 )其 〇 包括：提供 大約爲1.8 12歐姆-15 電漿室製造 提供，它包 室部分結合 一室部分間 5 1356656 隔第一距離的第一電極；（4)第二電極，位於第一電極與 第二室部分之間，以能在第一與第二電極之間限定電漿 區；（5)導電件，位於第一室部分與第一電極之間並與第 一室部分連接以能産生用以減少電漿室有效電感的電流路 徑。

在本發明的特定態樣中，提供一種電漿室提供，它包 括（1)具有内表面的第一室部分；（2)與第一室結合以能 界定内室區域的第二室部分；（3)與第一室部分間隔第一 距離的第一電極；（4)第二電極，位於第一電極與第二室 部分之間以能在第一與第二電極之間限定電漿區。 f 一室部分的厚度被增加，從而形成一個可減少電漿-室有效電感的電流路徑。本發明還提供其他許多態樣。 本發明的其他特徵和態樣將在以下的詳細描述、所附 申請專利範圍和附圖中變得更加清楚。 【實施方式】 本發明提供一種低電感電漿室，它的操作更有效更可 靠，並且能夠用較低的電壓進行驅動或激發。

第1圖表示本發明低電感電漿室的一個具體實施方 式，通常用參考標號100表示。參考第1圖，該低電感電 漿室100包括一個真空室封裝102。在第1圖的具體實施 方式中，真空室封裝102可以是任意合適的室封裝，例如 是那些用在AKT有限公司産品上的電漿室型號爲20K， 25K和/或25KA的腔室。 真空室封裝102可以用任意合適的材料製造，該材料 與使用在本發明儀器和方法中用作連接的材料相一致。在 一個具體的實施例中，真空室封裝1 02及其元件是由鋁製 造的。 6 1356656 在第1圓給出的具體實施方式中，真空室封裝102包 括一個上部真空室封裝104和一個下部真空室封裝106。 上部真空室封裝104和下部真空室封裝106通過任意適當 和/或相配的方式連接或密封，如圖所示，形成了低電感電 漿室100的真空室封裝102。例如，一個密封元件像Ο型 環（圖中未顯示）可以用以將上真空室封裝104相對於下 真空室封裝106密封。

上真空室封裝104的内壁和下真空室封裝106的内壁 包含導電材料以便電流可以沿著相同的導電材料在此中描 述的電漿室100内部傳導。在一個具體實施方式中，上真 空室封裝104的内壁和下真空室封裝106的内壁是由鋁製 造的。在其他具體實施例中，上真空室封裝104的内壁和/ 或下真空室封裝106的内壁可以由任意合適的導電材料製 造，比方說任意的有色金屬，黃銅，或者其他合適的鎳合 金材料，但不僅限於此。

參照第1圖，該電漿室100還包括一對電極，包括一 個上電極108和一個下電極110，安放於電漿室100的内 部。在具體實施方式中，下電極110可以用以支撐將要在 電漿室100中處理的基材。上電極108有一個與下電極110 面對的下表面108A和一個與上真空室封裝104内頂壁面 對的上表面108B。下電極110有一個與上電極108面對且 支援處理過程中基材的上表面11 0A和與下真空室封裝 106内底壁面對的下表面110B。 如上所述，在一個具體實施方式中，下電極110適用 於支撐將要處理的基材。下電極也能包括一個第1圖剖視 圖所示的内部區域或者室110C，和至少一個加熱元件或者 加熱系統1 1 0D。該加熱元件或者加熱系統Π 0D可以是一 個耐熱加熱元件或者耐熱加熱元件系統，或者是任意其他 7 1356656 合適的加熱元件或系統，用以加熱由下電極110支撐的基 材。在一個具體實施方式中，下電極110也可以在低電感 電漿室100的内部被接地。

上電極108和下電極110彼此之間被間隔預定的距離 以便在他們之間形成缝隙。在一個實施例中，預定的距離 可以是0.5英吋-1 . 5英吋，但是其他的距離也可以被使用。 正如將要在這裡描述的，組成在相應電子設備和/或基材處 理步驟中使用的製程氣體的電漿或者電漿體111形成於缝 隙處或者位於上電極 108和下電極 110之間的電漿區域 112。在一個具體實施中，可以被利用的製程氣體和/或電 漿111可以包括矽烷、氨、氫、氮、氬或者任意其他合適 的製程氣體或者氣體混合物。 上電極108和下電極110可以是，例如，AKT公司産 品所利用的類型，電漿室型號爲20K，25K和/或25KA或 者與其相當的産品。在一個具體實施方式中，上電極108 和下電極110都可以用鋁來製造。上電極108和下電極110 也可以由任意合適的導電材料製造，比方說，任意的有色 金屬，黃銅，或者其他合適的鎳合金材料，但不僅限於此。

上電極108可以是一個空心喷頭型的電極，其具有一 個位於其中的用於接收製程氣體的記憶體108C和一連串 穿過下表面108A用於喷射這裡描述的製程氣體的孔徑或 者喷射器114。例如，上電極108可以是AKT公司産品利 用的任意一種上電極，電漿室型號爲2 0K，25K和/或25KA 或者與其相當的産品。在一個具體實施方式中，上電極 108，根據其應用和尺寸，可以有超過50，000個尺寸上近 似相等的孔徑1 1 4，以便通過每一個孔徑11 4獲得相等的 氣體流量。其他數量的噴射器或孔徑也可以使用。 上電極 108可以接收被用於製程操作的相應製程氣 8 1356656 · 體’該氣體通過與上電極108連接的氣體輸送管道116來 自於氣體供應源150’如第1圖所示。在至少一個實施方 式中’氣體輸送管道丨丨6可以與上電極1〇8電連接，並且 由導電材料製成。例如，氣體輪送管道可以由任意合適的 導電材料製造’比方說，任意的有色金屬，黃銅，或者其 他合適的鎳合金材料’但不僅限於此。

來自氣體供應源150的製程氣體可以在壓力下通過氣 體輸送管道116提供到上電極108内部的記憶體108C中， 並且通過喷射器114噴射到上電極108和下電極11()之間 的縫隙1 1 2令以便在縫隙11 2中形成電漿體11 1。在一個 具體實施方式中，記憶體108C中製程氣體的壓力大約爲 10托耳（To or)，而電漿體111中電漿的壓力大約也爲1托 耳。也可以使用其他壓力。在記憶體108C中通過利用更 高的氣體壓力，可以在孔徑114獲得更大的製程氣體流量。 低電感電漿室100也可以包括一個支撐柱118，該支 撐柱連接並支撐在下真空室封裝106密封下部分的下電極 110，如圖所示。在第1圖的具體實施方式中，支撐柱118 可以由鋁來製造，並且可以是任意合適的支撐枉’比方說， 但不僅限於此，如那種被用在AKT公司産品上的支撐枉， 電漿室型號爲20K，25K和/或25KA或其他相當的産品。 支撐柱118也可以由任意合適的導電材料製造，比方說， 任意的有色金屬，黃銅，或者其他合適的鎳合金材料，但 不僅限於此。 下真空室封裝106密封的下部區域120包含一個可彎 曲（flexible)稱接件122»該可彎曲麵接件122可以用與本 發明的設備100中使用相一致的任意合適的方式由鋁和/ 或其他任意合適的材料來製造。在一個具體實施方式中， 可彎曲耦接件1 22可以是任意的可彎曲耦接件，比方說， 9 1356656 但不僅限於此，如那種被用在AKT公司産品上的可彎曲耦 接件，電漿室型號爲20Κ，25Κ和/或25ΚΑ或其他相當的 産品。該可彎曲耦接件122也可以由任意合適的導電材料 製造，比方說，但不僅限於此，任意的有色金屬，黃銅， 或者其他合適的鎮合金材料。

低電感電漿室 100也可以包括一個與上真空室封裝 104頂部連接的射頻輸出保護盒124,如圖所示。該射頻輸 出保護盒124也可以與上真空室封裝104的内壁電連接。 射頻輸出盒124，在一個具體實施方式中，可以適用於從 射頻信號供應器160到氣體輸送管道116之間提供一個交 變電流信號或者一個射頻信號流，並且提供一個從低電感 電漿室1 00到射頻信號源1 60的交流或者射頻電流的回路。 射頻輸出保護盒124可以由鋁製造或者由任意合適的 導電材料製造，比方說，任意的有色金屬，黃銅，或者其 他合適的鎳合金材料。在一個具體實施方式中，射頻輸出 保護盒1 2 4可以是任意合適的電傳輸保護盒裝置，比方 說，但不僅限於此，如那種被用在ΑΚΤ公司産品上的射頻 傳輸保護盒裝置，電漿室型號爲2 0Κ，25Κ和/或25ΚΑ或 其他相當的産品。

低電感電漿室100也可以包括一個導電元件，比方說 一個與上真空室封裝104的内頂壁連接或粘接的盤型結構 126，如圖所示。盤型結構126爲導電元件。在第1圖的一 個具體實施方式中，盤型結構126可以由鋁製造。盤型結 構126也由任意合適的導電材料製造，比方說，任意的有 色金屬，黃銅，或者其他合適的錄合金材料，但不僅限於 此。盤型結構126的尺寸和形狀可以通過適當的方式來製 造，這取決於真空室封裝102和/或上真空室封裝104的尺 寸和形狀。在一個具體實施方式中，盤型結構126是由鋁 10 1356656 形成的，其厚度大約爲0.125英吋，高度大約爲3英吋， 寬度大約爲1 .8米，長度大約爲2米以便適應於處理1.8 米x2米的電漿室基材。其他盤狀、尺寸和/或材料也可以 使用。

盤型結構 126可以放置於與上電極 108的第二表面 108B間隔一預定距離的地方。該盤型結構 126與上電極 108的第二表面108B之間的預定距離限定了各自部件之間 的缝隙。在一個實施方式中，盤型結構126與上電極108 的第二表面1 0 8 B之間的距離是大約1 · 5英吋或者更小，但 是其他距離也可以被使用。作爲另一個例子，一個大約0,5 英吋至大約2英吋的距離也可以被使用，並且更適宜的是· 大約1英吋至2英吋。 當期望利用第1圖中的低電感電漿室100在一個基材 上來執行製程操作或步驟時，可以實現下面具體的製程操 作。當一個交變電流或射頻信號流從射頻信號源1 60提供 到氣體輸送管道116的外表面時，製程氣體可以在合適的 壓力下從氣體供應源150提供到氣體輸送管道116。

製程氣體在氣體輸送管道116中流動並且流入上電極 108内部的記憶體108C中。隨後製程氣體通過上電極108 上表面108A上的一系列孔徑114被壓出，並喷入形成電 漿體1 11的缝隙11 2中。 爲了清楚理解和有效闡述，以下關於射頻信號流的電 流流動的描述將描述相同迴圈的正半周。 進入氣體輸送管道116外表面的射頻信號流，如電流 箭頭130所示，依箭頭131所指，向下流入上電極108的 上表面108B。射頻信號流繼續從氣體輸送管道116的外部 徑向流到上電極1 0.8的上表面1 08B並沿著其上方流動， 如電流箭頭132所示。在上電極108的外周界上，射頻信 11 1356656 號流沿著上電極1 Ο 8的邊緣流動並且與缝隙1 1 2内的電漿 體11 1電容性連接。在一個具體實施方式中，射頻信號流 的頻率大約是13.56 MHz左右。在另一個實施方式中，使 用的頻率大約是27MHz。然而，需要明白的是任何適當或 者合適的射頻信號頻率都可以被使用，只是取決於所使用 的電漿室、其尺寸和所執行的操作。 然後射頻信號流從電漿體111的底部到下電極11 〇的 上表面1 1 OA被電容性連接。接著射頻信號流穿過下電極 I 1 0的上表面1 1 Ο A徑向外流。隨後射頻信號流沿著下電極

II 0的外邊緣流動，並流向其下表面11 OB，在那裡它徑向 向内流向支撐柱 1 1 8，如流動箭頭所示。射頻信號流然後 沿著支撐柱1 1 8的外表面向下流動。在支撐柱11 8的底部， 射頻信號流向上轉向，並沿著可彎曲耦接件1 2 2流動，沿 著下真空室封裝1 06密封的内壁徑向外流。射頻信號流繼 續沿著下真空室封裝106和上真空室封裝104的各自垂直 内壁向上流動。

射頻信號流然後沿著上真空室封裝1 04的内頂壁流動 同時沿著盤型結構1 2 6的底表面1 2 6 A流動，如圖所示。 射頻信號流，如流動箭頭1 3 3所示，沿著盤型結構1 26的 底表面126A流向射頻輸出保護盒124的内部並且回到射 頻信號源1 60，如流動箭頭1 3 5所示。射頻信號流的流動 和方向，通過低電感電漿室100後，將爲了下一個迴圈， 或者說是射頻信號的負的半個迴圈而反向。 再次參考第1圖，在沒有盤型結構12 6的情況下，沿 著上真空室封裝1 04内壁流動的射頻信號流將沿著上真空 室封裝104的内頂壁流動，如虛線箭頭140所示，並流入 射頻輸出保護盒124的内部。 如第1圖所示，射頻信號流在第一個方向上沿著上電 12 1356656

極108的頂表面108B流動，如流動箭頭132所示，同時 射頻信號流在相反的方向沿著盤型結構 1 2 6的表面1 2 6 A -流動，如流動箭頭133所示。兩個導體的附近，也就是，_ 在低電感電漿室100之間的上電極108的上表面108B和 盤型結構126的盤表面126A，和在彼此相反的方向上面各 自電流的流動，在低電感電漿室100裡形成了 一個平行平’ 面傳輸線。因此，上_電極108的上表面108B和盤型結構― 126的盤表面126A，作爲具有“有效”電感的電感器，其' 電感大小直接與缝隙的尺寸和上電極 108的上表面108B — 和盤型結構1 2 6的盤表面1 2 6 A之間間距值成比例。彼此 靠近的各自載流導體108B和126A的位置，如第1圖中的 具體實施方式所示，由於盤型結構 126的使用而被實現 的，用於減少存在於低電感電漿室100中電路的“有效” 電感和由其引起的感抗u ‘ 由上電極108的上表面108B和盤型結構126的盤表 面126A形成的平行平面傳輸線產生的“有效”電感與低 電感電漿室1〇〇的“有效”電阻串聯，該電阻包含與電漿 體1 1 1和與低電感電漿室1 0 0任意元件相關的任意其他電 阻。

通過減少電感和低電感電漿室1 0 0内部的一系列電路 的感抗，電路中的電抗，以及總阻抗能被減小。因此，驅 動低電感電漿室100所需的電壓被減小。需要驅動低電感 電漿室1 00的輸入電壓的減小將會減小射頻信號源和/或 低電感電漿室100的其他元件部分上或内部的應力，並且 在操作的同時提高了效率和可靠性。 在本發明的另一個具體實施方式中，一個導體元件可 以由低電感電漿室的内壁形成，因此不需要使用一個單獨 的盤型結構。例如，第2圖給出了本發明的低電感電漿室 13 1356656

於支撐將要處理的基材。例如，下電極也能包括一個 2圖所示的剖視圖中的内部區域或者室210C，和至少 加熱元件或者加熱系統 210D。該加熱元件或者加熱 2 1 0D可以是一個耐熱加熱元件或者耐熱加熱元件系海 者是任意其他相配的加熱元件或系統，用以加熱由下 210支援的基材。下電極210,在一個具體實施方式中 可以在低電感電漿室200的内部被接地。 上電極208和下電極210彼此之間間隔預定的距 便在他們之間形成一缝隙。在一個具體實施例中，電極 和210間隔的距離是0.5英吋-1.5英吋，但是其他的 也可以被使用。正如將要在這裡描述的，組成用於各 材製程步驟的製程氣體的電漿或者電漿體211形成於 處或者位於上電極 208和下電極 210之間的電漿 212。在一個具體實施方式中，可以被利用的製程氣$ 或電漿211可包括矽烷、氨、氫、氮、氬或者任意其 宜的製程氣體或者氣體混合物。 上電極208和下電極210可以是，例如，由鋁來絮 上電極208和下電極210也可以由任意合適的導電材 造，比方說，但不僅限於此，任意的有色金屬，黃銅 者其他合適的錄合金材料。 上電極208可以是一個空心噴頭型的電極，其具 個位於其中的用於接收製程氣體的記憶體208C和一 穿過下表面208A的孔徑或者喷射器214用於喷射這 述的製程氣體。在一個具體實施方式中，上電極208 決於其應用和尺寸，比如，可以有超過70，000個在 上近似相等扎徑2 1 4，以便通過每一個孔徑2 1 4獲得 的氣體流量。其他數量的喷射器或孔徑也可以使用。 上電極2 0 8可以接收被用於單獨製程操作的相應 如第 一個 系統 L，或 電極 ，也 離以 208 距離 自基 缝隙 區域 豐和/ 他適 .造。 料製 ，或 有一 連串 裡描 ，取 尺寸 相等 製程 15

1356656 204頂部連接的射頻輸出保護盒224,如圖所示。該射 出保護盒224也可以與上真空室封裝204的内壁電連 射頻輸出盒224，在一個具體實施方式中，可以適用 射頻信號供應器260到氣體輸送管道216之間提供一 變電流信號或者一個射頻信號流，並且提供一個從低 電漿室200到射頻信號源260的交變電流或者射頻信 的回路。 射頻輸出保護盒224可以由任意適合的材料，包 電材料比方說，例如鋁來製造，和/或由任意其他有 屬，黃銅，或者鎳合金導電材料。在本具體實施方式 射頻輸出保護盒224使用的導電材料是鋁。在一個具 施方式中，射頻輸出保護盒224可以是任意合適的電 保護盒裝置，並且與第1圖中的射頻傳輸保護盒裝置 相似。 低電感電漿室200也可以包括一個形成爲上真空 裝204的内頂壁，在其内，一起，和/或在其上的導電 226，如第2圖所示。在第2圖的一個具體實施方式中 電元件226可以由鋁製造。導電元件226也由任意合 導電材料製造，比方說，任意的有色金屬，黃銅，或 他合適的錄合金材料，但不僅限於此。導電元件226 寸和形狀可以通過適當的方式來製造，這取決於真空 裝202和/或上真空室封裝204的尺寸和形狀。在一個 實施方式中，導電元件226被形成和平行放置於，或 質上平行放置於距上電極208的第二表面208B —預 離的地方。該導電部件22 6與上電極208的第二表面 之間的預定距離決定了各自部件之間的縫隙。在至少 實施方式中，導電部件226與上電極208的第二表面 之間的距離是大約1 .5英吋至2英吋，優選值是1 .7 5 ; 頻輪 接。 於從 個交 電感 號流 括導 色金 中， 體實 傳輸 124 室封 元件 ，導 適的 者其 的尺 室封 具體 者實 定距 208B 一個 208B 备口寸， 17

1356656 但是其他距離也可以被使用。作爲另一個例子， 0.25英吋至大約2英吋的距離也可以被使用，並 的是大約1英吋至2英吋。 當期望利用第2圖中的低電感電漿室2 00在 上來執行製程操作或步驟時，可以實現下面具體 作。當一個交變電流或射頻信號流從射頻信號源 到氣體輸送管道216的外表面時，製程氣體可以 壓力下從氣體供應源250提供到氣體輸送管道21 製程氣體在氣體輸送管道216中流動並且流 208内部的記憶體208C中。隨後製程氣體通過上 上表面2 0 8 A上的一系列孔徑2 1 4被喷入縫隙2 ] 漿體21 1。 爲了清楚理解和有效闡述，以下關於射頻信 流流動的描述將描述相同迴圈的正半周。 進入氣體輸送管道216外表面的射頻信號流 箭頭230所示，依箭頭231所指，向下流入上電 上表面208B。射頻信號流繼續從氣體輸送管道2 徑向流到上電極208的上表面208B並沿著其上 如電流箭頭232所示。在上電極208的外周界上 號流沿著上電極2 0 8的邊緣流動並且與缝隙2 1 2 體211電容性連接。在一個具體實施方式中，射 的頻率大約是13.56MHz左右。然而，需要明白 適當或者合適的射頻信號頻率都可以被使用，只 所使用的電漿室、其尺寸和所執行的操作。 然後射頻信號流從電漿體2 1 1的底部到下電 上表面2 1 0 A被電容性連接。接著射頻信號流穿 2 1 0的上表面2 1 0 A徑向外流。隨後射頻信號流沿 2 1 0的外邊緣流動，並流向其下表面2 1 0B，在那 一個大約 且更適宜 一個基材 的製程操 260提供 在合適的 6 ° 入上電極 電極208 .2形成電 號流的電 ，如電流 極208的 丨6的外部 方流動， ，射頻信 内的電漿 頻信號流 的是任何 是取決於 極210的 過下電極 著下電極 裡它徑向 18 1356656 . 向内流向支撐柱 2 1 8，如流動箭頭所示。射頻信號流然後. 沿著支撐柱218的外表面向下流動。在支撐柱218的底部，二 射頻信號流向上轉向，並沿著可彎曲耦接件2 2 2流動，沿_ 著下真空室封裝206密封的内壁徑向外流。射頻信號流繼-續沿著下真空室封裝206和上真空室封裝204的各自垂直二 内壁向上流動。，

射頻信號流然後沿著上真空室封裝2 04的内頂壁流動’ 同時沿著導電元件226的表面226A流動，如圖所示。射 頻信號流.，如流動箭頭23 3所示，沿著導電元件226的表 面226A流向射頻輸出保護盒224的内部並且回到射頻信 號源2 6 0，如流動箭頭2 3 5所示。射頻信號流的流動和方 向，通過低電感電漿室2 00後，將爲了下一個迴圈，或者 說是射頻信號的負的半個迴圈而反向。 如第2圖所示，射頻信號流在第一個方向上沿著上電 極208的頂表面208B流動，如流動箭頭232所示，同時 射頻信號流在相反的方向沿著導電元件226的表面 226A 流動，如電流箭頭2 3 3所示。兩個導體的附近，也就是，’ 在低電感電漿室200之間的上電極208的上表面208B和/ 導電元件226的盤表面226A，和在彼此相反的方向上面各 自電流的流動，在低電感電漿室200裡形成了一個平行平. 面傳輸線。_ 因此，上電極208的上表面208B和導電元件226的 盤表面226A，作爲具有“有效”電感的電感器，其電感大 小直接與縫隙的尺寸和上電極208的上表面208B和導電·' 元件2 2 6的表面2 2 6 A之間間距值成比例。彼此靠近的各· 自載流導體208B和226A的位置，用於減少存在於低電感… 電漿室200中電路的“有效”電感和由其引起的感抗。二一 由上電極208的上表面208B和導電元件226的表面 19 1356656 第1圖表示本發明低電感電漿室的一個具體實施方 式；和 第2圖表示本發明低電感電漿室的另一個具體實施方 式。

【主要元件农 F號說明】 100 低 電 感 電 漿 室 102 真 空 室 封 裝 1 04 上 部 真 空 室 封 裝 106 下 部 真 空 室 封 裝 108 上 電 極 110 下 電 極 110A 基 材 上 表 面 1 1 0B 下 表 面 1 1 0C 處 理 室 1 1 0D 加 熱 系 統 111 電 漿 體 112 縫 隙 114 孔. 徑 116 輸 送 管 道 118 支 撐 柱 120 下 部 區 域 122 可 彎 曲 輕 接 件 124 射 頻 輸 出 保 護 盒 126 盤 型 結 構 150 氣 體 供 應 源 160 射 頻 訊 號 控 制 器 200 低 電 感 電 漿 室 202 真 空 室 封 裝 204 上 部 真 空 室 封 裝 206 下 真 空 室 封 裝 208 上 電 極 210 下 電 極 2 11 電 漿 212 電 漿 區 域 214 喷 射 器 2 16 氣 體 輸 送 管 道 220 下 部 區 域 222 可 彎 曲 輕 接 件 224 射 頻 輸 出 保 護 盒 250 氣 體 供 應 源 260 射 頻 信 號 供 應 器 21

Claims (1)

1356656 苐彳屮號專利案〆I年T月修生 ‘、申請專利範圍：

1. 一種電漿室，其包括： 一具有一内表面的第一室部分； 一第二室部分，與該第一室部分連接，以界定一内室 區域； 一第一電極，與該第一室部分間隔一第一距離； 一第二電極，位於該第一電極和該第二室部分之間， 以界定該第一和第二電極之間的一電漿區域；

一導電件，位於該第一室部分和該第一電極之間，且 與該第一室部分連接以便生成可減少該電漿室有效電感的 一電流路徑。 2.如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該電漿室有 效電感具有一不大於約12歐姆至15歐姆的感抗（inductive reactance) ° 3.如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該導電件與 該第一電極大體上平行，並且其長度和寬度與該第一電極 大致相同。 4.如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該導電件至 少包含鋁。 5.如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該導電件與 該第一電極的距離大約是0 · 5英吋至2 · 0英吋。 6.如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該導電件與 該第一電極的距離大約是1.5英吋至1.75英吋。 22 1356656 · 7. 如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該第一電極 是一上電極。 8. 如申請專利範圍第1項所述的電漿室，其中該電漿室具 有一尺寸至少約爲1.8米x2.0米的室。 9. 一種電漿室，包括： 一具有一内表面的第一室部分； Φ 一第二室部分，與該第一室部分連接以界定一内室區 域； 一第一電極，與該第一室部分間隔一第一距離； 一第二電極，位於該第一電極和該第二室部分之間， - 以界定該第一和第二電極之間的一電漿區域； 其中該第一室部分的厚度被增加，以便生成可減少該 電漿室有效電感的一電流路徑。 10. 如申請專利範圍第9項所述的電漿室，其中該電漿室有 效電感具有一不大於約12歐姆至15歐姆的感抗。

11.如申請專利範圍第9項所述的電漿室，其中該第一室部 分的内表面與該第一電極的距離大約是0.5英吋至2.0英 P寸 〇 12.如申請專利範圍第9項所述的電漿室，其中該第一室部 分的内表面與該第一電極的距離大約是1.5英吋至1.75英 口寸 ° 23 1356656 · 13. 如申請專利範圍第9項所述的電漿室，其中該第一 是一上電極。 14. 如申請專利範圍第9項所述的電漿室，其中該電漿 一尺寸至少約爲1.8米x2.0米的室。 電極 室爲

15.—種與一電漿室一起使用的設備，該電漿室包括： 有一内表面的第一室部分；一與該第一室部分連接以 一該内室區域的第二室部分；一與第一室部分間隔一 距離的第一電極；以及一位於該第一電極和該第二室 之間以界定該第一和第二電極之間之一電漿區域的第 極，該設備包括： 一導電件，適於設於該第一室部分和該第二電極 且與該第一室部分連接以便生成可減少該電漿室有效 的一電流路徑。 一具 界定 第一 部分 二電 之間 電感 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述的設備，其中該導電 於與該第一電極大體上平行，且其長度和寬度大致與 一電極相同。 件適 該第

1 7.如申請專利範圍第1 5項所述的設備，其中該導電 括銘。 件包 18.如申請專利範圍第15項所述的設備，其中該導電 於與該第一電極相隔約0 · 5英吋至2 · 0英吋。 件適 1 9.如申請專利範圍第1 5項所述的設備，其中該導電 於與該第一電極相隔約1. 5英吋至1 · 7 5英吋。 件適 24 1356656 V 20.—種電漿室，其至少包括： 一具有一内表面的第一室部分； 一第二室部分，與該第一室部分連接以界定一内室區 域； 一第一電極，與該第一室部分間隔一第一距離； 一第二電極，位於該第一電極和該第二室部分之間以 界定該第一和第二電極之間的一電漿區域；

其中該第一室部分的厚度被增加，以便生成可減少該 電漿室有效電感的一電流路徑； 其中該第一室部分的内表面位於該第一電極之上大約 0.5英吋至2.0英吋之處；且 其中該電漿室具有一尺寸至少約1.8米X2.0米的室。 2 1.如申請專利範圍第20項所述的電漿室，其中該第一室 部分的内表面與該第一電極的距離大約是1.5英吋至1.75 英吋。 22.—種電漿室，包括： φ 一具有一内表面的第一室部分； 一第二室部分，與該第一室部分連接以界定一内室區 域； - 一第一電極，與該第一室部分間隔一第一距離； . 一第二電極，位於該第一電極和該第二室部分之間以 界定該第一和第二電極之間的一電漿區域； 一導電件，位於該第一室部分和該第一電極之間且該 與第一室部分連接，以便生成可減少該電漿室有效電感的 一電流路徑； 25 1356656

其中該導電件與該第一電極的距離大約是 2.0英吋；且 其中該電漿室具有一尺寸至少約1.8米x2. 23. 如申請專利範圍第22項所述的電漿室，其 與該第一電極的距離大約是1.5英吋至1.75英 24. —種處理一基材之方法，其至少包括： 應用申請專利範圍第16項或23項任何一項 處理平板顯示器所用之基材》 2 5.如申請專利範圍第24項所述的方法，其中 有一感抗不大於約12歐姆至15歐姆的一有效 26.如申請專利範圍第24項所述的方法，其中 有一不大於約0.3歐姆至2.0歐姆的有效電阻 0.5英吋至 0米的室。 中該導電件 〇 之電漿室來 該電漿室具 電感。 該電漿室具

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