KR100648336B1 - 플라즈마 챔버와 관련하여 사용되는 고정 임피던스 변형 네트워크 장치 및 방법 - Google Patents

플라즈마 챔버와 관련하여 사용되는 고정 임피던스 변형 네트워크 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에서, 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크를 제공하는 장치는, 액티브 RF 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드(load) 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함한다. 예비 매칭 네트워크는 (1) 제 1 용량성 부재 ; (2) 플라즈마 챔버를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록, 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된 임피던스를 제공하는 병렬 회로를 형성하기 위해 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속된 유도성 부재; 및 (3) 병렬 회로에 결합되고 플라즈마 챔버 로드에 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함한다. 제 2 용량성 부재는 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거한다. 또다른 다양한 면이 제공된다.

Description

플라즈마 챔버와 관련하여 사용되는 고정 임피던스 변형 네트워크 장치 및 방법{APPARATUS AND METHODS FOR A FIXED IMPEDANCE TRANSFORMATION NETWORK FOR USE IN CONNECTION WITH A PLASMA CHAMBER}
도 1은 플라즈마 챔버를 구동시키는데 사용되는 액티브 RF 매칭 네트워크와 관련하여 사용되는 임피던스 변형 네트워크 또는 예비-매칭 네트워크를 제공하는 본 발명의 실시예를 나타내는 도면;
도 2는 본 발명에 따라 제공되는 통합된 액티브 RF 매칭/예비-매칭 네트워크의 실시예를 나타내는 도면;
도 3은 본 발명에 따라 제공되는 플라즈마 처리 시스템의 제 1 실시예를 나타내는 도면;
도 4는 본 발명에 따라 제공되는 플라즈마 처리 시스템의 제 2 실시예를 나타내는 도면;
도 5는 본 발명에 따라 제공되는 플라즈마 처리 시스템의 제 3 실시예를 나타내는 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 간단한 설명 *
302; RF 신호 발생기 304; RF 전송 라인
306; 액티브 RF 매칭 네트워크 308: 예매-매칭 네트워크
320; 플라즈마 챔버 로드
본 출원은 "APPARATUS AND METHOD FOR A LOW INDUCTANCE PLASMA CHAMBER AND/OR A FIXED IMPEDANCE TRANSFORMATION NETWORK FOR USE IN CONNECTION WITH THE SAME"이란 명칭으로 2004년 7월 12일자로 출원된 US 가특허 출원 번호 60/587,195호의 우선권을 청구하며, 이는 본 명세서에서 참조된다.
본 발명은 전자 디바이스 제조에 관한 것으로, 특히, 플라즈마 챔버와 관련하여 사용되는 고정 임피던스 변형 네트워크용 장치 및 방법에 관한 것이다.
전형적으로 플라즈마 챔버는 반도체 웨이퍼, 글래스 플레이트, 폴리머 기판 등과 같은 기판을 처리하는데 사용된다. 플라즈마 챔버는 무선 주파수(RF) 신호에 의해 활성화되는 경우, 코일 또는 초크와 같은 인덕터 및/또는 캐패시터 처럼 작용하는 도전 부재를 포함할 수 있다. RF 신호에 의해 구동되는 경우 이들 "유효(effective)" 인덕턴스 및/또는 "유효(effective)" 캐패시턴스는 플라즈마 챔버 및 그의 부품에 의해 한정되는 전기 회로에 리액턴스 성분을 발생시킨다. 이들 리액턴스 성분은 플라즈마 챔버와 관련된 전기적 임피던스 및 구동에 필요한 전압 양을 증가시킬 수 있다. 결과적으로, 플라즈마 챔버는 비효율적이게 되며 신뢰성 문제를 고려해야 한다.
본 발명의 실시예에서, 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크를 제공하는 장치는, 액티브 RF 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드(load) 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함한다. 예비 매칭 네트워크는 (1) 제 1 용량성 부재 ; (2) 플라즈마 챔버를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록, 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된 임피던스를 제공하는 병렬 회로를 형성하기 위해 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속된 유도성 부재; 및 (3) 병렬 회로에 결합되고 플라즈마 챔버 로드에 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함한다. 제 2 용량성 부재는 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거한다.
본 발명의 실시예에서, 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크를 제공하는 방법은, (1) 액티브 RF 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드 사이에 예비-매칭 네트워크를 결합하는 단계; (2) 예비-매칭 네트워크의 제 1 회로 부재로 플라즈마 챔버 로드의 리액턴스를 부분적으로 적어도 감소시키고 제거하는 단계; 및 (3) 예비-매칭 네트워크의 제 2 회로 부재로 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 의해 나타나는 임피던스를 증가시키는 단계를 포함한다.
실시예에서, 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크를 제공하는 장치는 액티브 RF 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함한다. 예비-매칭 네트워크는, (1) 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대응하는 리액턴스를 적어도 부분적 으로 감소 또는 제거하며; (2) 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록, 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된 임피던스를 제공한다. 다양한 다른 면이 제공된다.
본 발명의 또다른 특징들은 하기의 상세한 설명, 첨부된 청구항 및 도면을 참조로 보다 명확해질 것이다.
본 발명은 액티브 RF 매칭 네트워크와 플라즈마 챔버와 관련하여 사용되는 고정 임피던스 변형 네트워크를 제공하여, (1) 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 의해 나타나는 임피던스의 증가; 및/또는 (2) 플라즈마 챔버를 구동시키거나 전력을 공급시키는데 요구되는 전압 양의 감소가 이루어진다.
본 발명에 따른 예비-매칭 네트워크는 플라즈마 챔버 로드의 리액턴스 성분을 감소시켜, 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 필요한 전압과 전류 사이의 위상 각도를 감소시키고 네트워크의 전력 팩터(factor)를 증가시켜, 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되는 전압을 감소시킨다. 또한, 본 발명의 예비-매칭 네트워크는 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에서 나타나는 높은 또는 "증가된(stepped-up)" 임피던스를 제공할 수 있다. 결과적으로, 액티브 RF 매칭 회로는 낮은 전압에서 플라즈마 챔버 로드를 구동시킬 수 있다. 이는 액티브 RF 매칭 네트워크의 보다 효율적이고 신뢰성 있는 동작을 야기시키며, 액티브 RF 매칭 네트워크의 요구되는 동작 범위를 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 예시적인 고정 부품 임피던스 변형 네트워크 또는 예 비-매칭 네트워크를 나타낸다. 도 1을 참조로, 참조번호 300으로 도시된 본 발명의 장치는 RF 신호 발생기(302), RF 전송 라인(304), 및 액티브 RF 매칭 네트워크(306)를 포함한다. RF 신호 발생기(302)에 의해 발생된 RF 신호는 RF 전송 라인(304)을 통해 액티브 RF 매칭 네트워크(306)에 전송된다.
RF 신호 발생기(302)는 플라즈마 챔버 로드에 RF 신호를 제공하는 임의의 적절한 RF 신호 발생기일 수 있다. 액티브 RF 매칭 네트워크(306)는 본 발명의 장치(300)에 의해 구동되는 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드(320)에 대한 임피던스 매칭을 제공하는 임의의 액티브 회로일 수 있다. 도 2를 참조로 하기에서 예시적인 액티브 RF 매칭 네트워크를 개시하지만, 임의의 적절한 액티브 RF 매칭 네트워크가 사용될 수 있다.
또한, 장치(300)는 도 1의 실시예에서 탭 초크(tapped choke)인 유도성 부재(예를 들어, 인덕터(312))와 병렬로 접속되게 도시된 제 1 용량성 부재(예를 들어, 제 1 캐패시터(310))를 포함하는 예비-매칭 네트워크(308)를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 인덕터(312)는 코일일 수 있다.
제 2 용량성 부재(예를 들어, 제 2 캐패시터(314))는 캐패시터(310)/인덕터(312) 회로와 직렬 연결되는 것으로 도시되며 예비-매칭 네트워크(308)에 대한 출력 캐패시터이다. 캐패시터(310, 314)의 용량성 값 및 인덕터(312)의 인덕턴스값은 장치(300) 또는 유사한 부품(하기에 설명됨)에 대해 원하는 임피던스 매칭을 제공하는 임의의 적절한 값(들)이 되게 선택될 수 있다.
또한, 장치(300)는 예비-매칭 네트워크(308)와 결합되는 플라즈마 챔버의 플 라즈마 챔버 로드(320)의 "유효" 인덕턴스가 되는 인덕터(316), 및 플라즈마 챔버 로드(320)의 "유효" 레지스턴스가 되는 레지스터(318)를 포함한다. 인덕터(316) 및 레지스터(318)는 도시된 것처럼, 예비-매칭 네트워크(308)의 출력과 직렬로 접속된다.
플라즈마 챔버 로드(320)는 장치(300)가 이용되는 임의의 플라즈마 챔버와 관련된 로드일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 플라즈마 챔버 로드(320)는 임의의 집중-성분(lumped-component) 플라즈마 챔버 로드일 수 있다.
플라즈마 챔버 로드(320)의 "유효" 레지스턴스는 개별 플라즈마 챔버의 임의의 부품의 임의의 다른 레지스턴스 및/또는 동일한 레지스턴스의 동작 및 사용 동안 플라즈마 챔버에 형성되는 개별 플라즈마 바디의 레지스턴스를 포함할 수 있다.
예로서, 플라즈마 챔버(미도시)의 치수는, 2004년 7월 12일자로 출원된 앞서 개시된 US 가특허 출원번호 60/587,195호에서 개시된 것처럼, 약 12-15 옴(유도성)의 유도성 리액턴스를 갖는 인덕터(316)의 값 또는 "유효" 인덕턴스 및 약 0.3 내지 2.0 옴의 레지스터(318)의 값 또는 "유효" 레지스턴스를 형성할 수 있다. 이러한 실시예에서, 제 1 캐패시터(310)는 약 200 피코패러드의 캐패시턴스를 가지며, 인덕터(312)는 약 0.729 미크로헨리의 인덕턴스를 가질 수 있고 제 2 캐패시터(314)는 약 1220 피코패러드의 캐패시턴스를 가질 수 있지만, 다른 값들이 사용될 수도 있다.
예비-매칭 네트워크(308)는 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 출력에서 전압 및 전류 모두를 감소시키는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 캐패시터(314)는, 액티브 RF 매칭 네트워크(306)로부터 제공되는 RF 신호에 의해 활성되는 경우, 플라즈마 챔버 로드(320)의 인덕터(316)에 의해 발생된 유도성 리액턴스를 부분적으로 제거 또는 감소시키는 용량성 리액턴스를 형성한다. 플라즈마 챔버 로드의 유도성 리액턴스 성분의 감소는 플라즈마 챔버 로드를 구동시키기 위해 사용되는 전압과 전류 사이의 위상각(θ)의 감소를 야기시켜 전력 팩터, 또는 개별 플라즈마 챔버 로드(320)를 구동시키거나 전력을 제공하는데 요구되는 전압과 전류 사이의 코사인 θ 값 증가를 제공한다.
또한, 예비-매치 네트워크(308)는 액티브 RF 매칭 네트워크에 의해 나타나는 로드 임피던스를 증가시켜, (예를 들어, 제 1 캐패시터(310) 및 인덕터(312)의 병렬 조합을 통해) "개선된" 로드로 유사하게 변형된다.
실시예에서, 제 1 캐패시터(310)는 선택된 동작 주파수에서 인덕터(312)와 공명하도록 선택될 수 있다. 실시예에서는 약 13.56 MHz인 선택된 동작 주파수에서, 제 1 캐패시터(310)와 인덕터(312)의 병렬 조합은 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 출력에 높은 또는 "증가된" 임피던스를 제공할 수 있다. 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 출력에서 나타나는 이러한 높은 또는 "증가된" 임피던스는 개별 플라즈마 챔버 로드(320)를 구동시키는데 필요한 전력량을 감소시킨다. 개별 플라즈마 챔버 로드(320)를 구동시키는데 필요한 전압 감소는 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 보다 효율적이고 신뢰성 있는 동작을 제공한다.
실시예에서, 예비-매칭 네트워크(308) 성분들(예를 들어, 제 1 캐패시터(310), 제 2 캐패새터(314) 및/또는 인덕터(312))은 약 3:1의 임피던스 증가(step- up) 비율을 제공하도록 선택될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 예비-매칭 네트워크(308)의 성분은 약 4:1의 임피던스 증가 비율을 제공하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, 인덕터(312)는 임피던스의 실수부를 (탭의 위치를 통해) 증가시키고 제 2 캐패시터(314)는 임피던스의 허수부가 너무 높아지는 것을 방지한다. 이런 방식으로, 예비-매칭 네트워크(308)는 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 적절한 동작을 위한 정규 또는 예상 범위 내에서 액티브 RF 매칭 네트워크(306)에 의해 나타나는 임피던스를 제공한다.
지금까지의 설명은 단지 본 발명의 실시예에 관한 것이다. 상기 개시된 장치 및 방법의 변형을 본 발명의 범주 내에서 구현할 수 있다는 것을 당업자는 알 것이다. 이를 테면, 또 다른 실시예에서, 액티브 RF 매칭 네트워크(306)는 예비-매칭 네트워크(306)의 성분이 집적되거나 통합될 수 있도록 설계된다.
도 2는 집적된 액티브 RF 매칭/예비-매칭 네트워크(322)의 실시예를 나타낸다. 집적된 매칭 네트워크(322)는 도시된 바와 같이 예비-매칭 네트워크(308)에 결합된 액티브 RF 매칭 네트워크(306)를 포함한다. 도 2의 실시예에서, 액티브 RF 매칭 네트워크(306)는 튜너블 분기 캐패시터(tunable shunt capacitor)(324) 및 튜너블 직렬 캐패시터(tunable series capacitor)(326)를 포함한다. 또한, 제어기(328)가 각각의 튜너블 캐패시터(324, 326)에 결합되어 액티브 RF 매칭 네트워크(306)(예를 들어, 노드(330)에서)에 의해 나타나는 로드 임피던스를 주기적으로 샘플링하고 로드 임피던스 편차를 기초로 턴테이블 캐패시터(324, 326)를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어기(328)는 제 2 10번째마다 또는 소정의 다른 시간 간격에 서 로드 임피던스의 변화를 조절할 수 있다. 액티브 RF 매치 네트워크(306)는 제한된 동작 범위에서 동작하기 때문에, 예비-매칭 네트워크(308)는 액티브 RF 매칭 네트워크(306)의 동작 범위 내에서 로드 임피던스를 제공하는데 사용될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따라 제공되는 플라즈마 처리 시스템(350)의 제 1 실시예를 나타낸다. 도 3을 참조로, 제 1 처리 시스템(350)은 예정된 간격에 의해 기판 지지체(356)로부터 이격된 샤워 헤드(354)를 포함하는 플라즈마 챔버(352)를 포함한다. 기판 지지체(356)는 플라즈마 챔버(352)내에서의 처리과정 동안 기판(S)을 지지한다. RF 전력은 RF 전력원(358)을 경유하여 액티브 RF 매칭 네트워크(306) 및 예비-매칭 네트워크(308)(앞서 개시됨)의 사용을 통해 플라즈마 챔버(352)에 전달될 수 있다. 패러데이 케이지와 같은 RF 커버 박스(360)가 플라즈마 챔버(352)에 RF 전력(예를 들어, 소정 실시예에서는 20-25kW지만, 다른 전력 범위가 사용될 수 있다)을 전달하는 동안 방사의 원치않는 분산을 방지하도록 사용된다.
플라즈마는 (샤워 헤드(354)를 통해) 플라즈마 챔버(352)로 적절한 가스를 흘려보내고, RF 전력원(358), 액티브 RF 매칭 네트워크(306) 및 예비-매칭 네트워크(308)를 경유하여 샤워 헤드(354)에 RF 전력을 전달함으로써, 플라즈마 챔버(352)내에서 발생된다. 도 3에 도시된 실시예에서, 예비-매칭 네트워크는 RF 커버 박스(360)내에 위치된다. 예비-매칭 네트워크(308)가 다르게 위치될 수 있다는 것을 알것이다. 예를 들어, 도 4는 플라즈마 챔버(352)내에 예비-매칭 네트워크(308)가 위치되는 본 발명에 따라 제공되는 플라즈마 처리 시스템(370)의 제 2 실시예를 나타낸다. 도 5는 예비-매칭 네트워크(308)가 액티브 RF 매칭 네트워크 (306)내에 위치되거나 또는 집적되는 본 발명에 따라 제공된 플라즈마 처리 시스템(380)의 제 3 실시예를 나타낸다.
지금까지 본 발명을 실시예와 관련하여 개시하였지만, 본 발명의 범주 및 개념을 이탈하지 않는한 다른 실시예가 구현될 수 있음을 인식할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 플라즈마 챔버는 효율적이며 신뢰성이 높다.

Claims (37)

  1. 플라즈마 챔버를 구동시키기 위한 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치로서,
    액티브 RF 매칭 네트워크와 상기 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함하며,
    상기 예비-매칭 네트워크는,
    제 1 용량성 부재;
    상기 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록 상기 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된 임피던스를 제공하는 병렬 회로를 형성하기 위해 상기 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속된 유도성 부재; 및
    상기 병렬 회로 및 상기 플라즈마 챔버 로드에 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함하며,
    상기 제 2 용량성 부재는 상기 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대응하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거하는, 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 용량성 부재 및 제 2 용량성 부재중 적어도 하나는 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 탭 초크(tapped choke)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 3:1의 임피던스 증가(step-up) 비율을 제공하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 4:1의 임피던스 증가 비율을 제공하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크와 통합되거나 또는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 통합되거나 또는 상기 플라즈마 챔버에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 관련된 RF 전달 박스와 통합되거나 또는 상기 RF 전달 박스에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  10. 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 방법으로서,
    액티브 RF 매칭 네트워크와 상기 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드 사이에 예비-매칭 네트워크를 결합하는 단계;
    상기 예비-매칭 네트워크의 제 1 회로 부재로 상기 플라즈마 챔버 로드의 리액턴스를 부분적으로 적어도 감소시키고 제거하는 단계; 및
    상기 예비-매치 네트워크의 제 2 회로 부재로 상기 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 의해 나타나는 임피던스를 증가시키는 단계를 포함하는, 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 액티브 RF 매칭 네트워크와 또는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크에 상기 예비-매칭 네트워크를 통합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버와 또는 상기 플라즈마 챔버에 상기 예비-매칭 네트워크를 통합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 플라즈마 챔버와 관련된 RF 전달 박스와 또는 상기 RF 전달 박스에 상기 예비-매칭 네트워크를 통합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 방법.
  14. 플라즈마 챔버를 구동시키는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치로서,
    액티브 RF 매칭 네트워크와 상기 플라즈마 챔버와 관련된 플라즈마 챔버 로드 사이를 결합시키는 예비-매칭 네트워크를 포함하며, 상기 예비-매칭 네트워크는,
    상기 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대응하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거하며; 상기 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록, 상기 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된(stepped-up) 임피던스를 제공하는, 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는,
    제 1 용량성 부재;
    병렬 회로를 형성하도록 상기 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속되는 유도성 부재; 및
    상기 병렬 회로 및 상기 플라즈마 챔버 로드에 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 용량성 부재 및 상기 제 2 용량성 부재중 저어도 하나는 캐패시터인 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  18. 제 15 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 탭 초크(tapped choke)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 3:1의 임피던스 증가(step-up) 비율을 제공하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  20. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 4:1의 임피던스 증가 비율을 제공하는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  21. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크와 또는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  22. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 또는 상기 플라즈마 챔버에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  23. 제 14 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 관련된 RF 전달 박스와 또는 상기 RF 전달 박스에 통합되는 것을 특징으로 하는 고정 임피던스 변형 네트워크 제공 장치.
  24. RF 전원;
    상기 RF 전원에 결합되고 상기 RF 전원으로부터의 RF 신호를 수신하는 액티브 RF 매칭 네트워크;
    플라즈마 챔버 로드를 갖는 플라즈마 챔버; 및
    상기 액티브 RF 매칭 네트워크 및 상기 플라즈마 챔버 로드 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함하며, 상기 예비-매칭 네트워크는,
    상기 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대응하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거하며; 상기 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되 는 전압이 감소되도록, 상기 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된 임피던스를 제공하는, 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는,
    제 1 용량성 부재;
    병렬 회로를 형성하도록 상기 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속된 유도성 부재; 및
    상기 병렬 회로 및 상기 플라즈마 챔버 로드와 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 제 1 용량성 부재와 상기 제 2 용량성 부재중 적어도 하나는 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  28. 제 25 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 탭 초크(tapped choke)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  29. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 3:1의 임피던스 증가 비 율을 제공하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  30. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 약 4:1의 임피던스 증가 비율을 제공하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  31. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크와 또는 상기 액티브 RF 매칭 네트워크에 통합되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  32. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 또는 상기 플라즈마 챔버에 통합되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  33. 제 24 항에 있어서, 상기 예비-매칭 네트워크는 상기 플라즈마 챔버와 관련된 RF 전달 박스와 또는 상기 RF 전달 박스에 통합되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  34. RF 전원;
    상기 RF 전원에 결합되고 상기 RF 전원으로부터의 RF 신호를 수신하는 액티브 RF 매칭 네트워크;
    플라즈마 챔버 로드를 갖는 플라즈마 챔버; 및
    상기 액티브 RF 매칭 네트워크와 상기 플라즈마 챔버 로드 사이에 결합되는 예비-매칭 네트워크를 포함하며,
    상기 예비-매칭 네트워크는,
    제 1 용량성 부재;
    상기 플라즈마 챔버 로드를 구동시키는데 요구되는 전압이 감소되도록 상기 액티브 RF 매칭 네트워크의 출력에 증가된(stepped-up) 임피던스를 제공하는 병렬 회로를 형성하기 위해 상기 제 1 용량성 부재와 병렬로 접속되는 유도성 부재; 및
    상기 병렬 회로 및 상기 플라즈마 챔버 로드에 결합되는 제 2 용량성 부재를 포함하며,
    상기 제 2 용량성 부재는 상기 플라즈마 챔버 로드와 관련된 인덕턴스에 대응하는 리액턴스를 적어도 부분적으로 감소 또는 제거하는, 시스템.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 제 1 용량성 부재와 상기 제 2 용량성 부재중 적어도 하나는 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  36. 제 34 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  37. 제 34 항에 있어서, 상기 유도성 부재는 탭 초크(tapped choke)를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
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