CN1705079A - 等离子体处理装置和阻抗调整方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，可调整等离子体源侧的阻抗，可消除装置间或清洗循环间的阻抗误差。该等离子体处理装置在分割成内侧电极(38)和外侧电极(36)的上部电极(34)与下部电极(16)之间生成等离子体，并在晶片(W)上施行等离子体处理，包括以高频电流向内侧电极38流入的方式形成的谐振电路(101)；设在向内侧电极(38)的供电线上的可变电容器(78)；检测下部电极(16)的偏压(VPP)的检测器(89)；和在形成等离子体的状态下，一边改变可变电容器(78)的电容，一边检测来自检测器(89)的信号而探出谐振电路(101)的谐振点，把谐振点处的可变电容器(78)的电容调整成成为基准的值的控制器(102)。

Description

等离子体处理装置和阻抗调整方法
技术领域
本发明涉及在半导体基板等基板上施行等离子体处理的等离子体处理装置和等离子体处理装置中的阻抗调整方法。
背景技术
例如在半导体器件的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片，多用蚀刻或溅射、CVD(化学气相淀积)等的等离子体处理。
虽然作为用来进行这种等离子体处理的等离子体处理装置，使用各种各样的装置，但是其中电容结合型平行平板等离子体处理装置是主流。
电容结合型平行平板等离子体处理装置在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，把处理气体引入腔室内，并且把高频施加于电极的一方在电极间形成高频电场，靠此高频电场形成处理气体的等离子体而对半导体晶片施行等离子体处理。
具体地说，把等离子体形成用的高频施加于上部电极而形成等离子体，通过把引入离子用的高频施加于下部电极，形成适当的等离子体状态的等离子体处理装置是公知的，把这种等离子体处理装置运用于蚀刻的场合，可以进行高选择比且再现性高的蚀刻处理(例如专利文献1)。
可是，这种等离子体处理装置因零件的尺寸公差或安装误差等，装置间或每个清洗循环中等离子体源侧的阻抗中存在着微小的差。但是，以往的等离子体处理装置没有消除这种阻抗的随机误差的装置，成为装置间或每个清洗循环的处理特性有偏差的原因。
专利文献1：特开2000-173993号公报
发明内容
本发明是鉴于这种情况而做成的，其目的在于提供一种可以调整等离子体源侧的阻抗，可以消除装置间或清洗循环间的阻抗误差的等离子体处理装置。此外，目的在于提供一种可以简易地实现这种阻抗的调整的等离子体处理装置中的阻抗调整方法。
为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种等离子体处理装置，具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体而在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，其中还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构，上述阻抗调整机构包括：以高频电流向上述第一电极流入的方式形成的谐振电路、设在上述第一电极的供电线上的可变阻抗部、检测用来掌握上述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器、以及在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变阻抗部的值，一边检测上述检测器的装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值的控制部。
在本发明的第二观点中，提供一种等离子体处理装置，具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，其中上述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，上述等离子体处理装置还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构，上述阻抗调整机构包括：以高频电流向上述第一电极的上述内侧电极流入的方式形成的谐振电路、设在向上述第一电极的内侧电极的供电线或向外侧电极的供电线上的可变阻抗部、检测用来掌握上述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器、以及在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变阻抗部的值，一边检测来自上述检测器的装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值的控制部。
在本发明的第3观点中，提供一种等离子体处理装置，具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体而在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，其中上述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，上述等离子体处理装置还具备调整等离子体源侧的阻抗的阻抗调整机构，上述阻抗调整机构包括：以高频电流向上述第一电极的上述内侧电极流入的方式形成的谐振电路、设在向上述第一电极的内侧电极的供电线上的可变电容器、检测用来掌握上述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器、以及在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变电容器的电容，一边检测来自上述检测器的装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变电容器的电容调整成成为基准的值的控制部。
如果用本发明的第4观点，则提供一种等离子体处理装置中的阻抗调整方法，该等离子体处理装置具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体而在被处理基板上施行等离子体处理，在该阻抗调整方法，其特征在于，其中在上述第一电极的供电线上设置可变阻抗部，设置检测用来掌握以高频电流向上述第一电极流入的方式形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变阻抗部的值，一边由上述检测器检测装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变阻抗部的值调整为成为基准的值而调整等离子体源侧的阻抗。
如果用本发明的第5观点，则提供一种等离子体处理装置的阻抗调整方法，该等离子体处理装置具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，上述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体而在被处理基板上施行等离子体处理，在阻抗调整方法，其特征在于，其中在向上述第一电极的内侧电极的供电线或向外侧电极的供电线上设置可变阻抗部，设置检测用来掌握以高频电流向上述第一电极的内侧电极流入的方式形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变阻抗部的值，一边由上述检测器检测装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变阻抗部的值调整为成为基准的值而调整等离子体源侧的阻抗。
在本发明的第6观点中，提供一种等离子体处理装置的阻抗调整方法，该等离子体处理装置具备：容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；把等离子体形成用的高频电力供给到上述第一电极的高频电力供给机构；以及把处理气体供给到上述处理容器内的处理气体供给机构，上述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，在上述第一电极和上述第二电极之间生成处理气体的等离子体而在被处理基板上施行等离子体处理，在阻抗调整方法，其特征在于，其中在向上述第一电极的内侧电极的供电线上设置可变电容器，设置检测用来掌握以高频电流向上述第一电极的内侧电极流入的方式形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了上述等离子体的状态下，一边变更上述可变电容器的电容，一边由上述检测器检测装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变电容器的电容的值调整为成为基准的值而调整等离子体源侧的阻抗。
如果用本发明，则由于设置谐振电路、设置于上述第一电极的供电线上的可变阻抗部、以及检测用来掌握上述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成上述等离子体的状态下，一边变更上述可变阻抗部的值，一边检测上述检测器的装置状态的信号，探出上述谐振电路的谐振点，把上述谐振点处的可变阻抗部的值调整为成为基准的值而调整等离子体源侧的阻抗，所以可以把因零件的尺寸公差或安装误差等产生的装置间或每个清洗循环的等离子体源侧的阻抗的差抑制到最小限度。此外，由于可以在生成了等离子体的状态下进行调整，所以阻抗的调整精度高。进而，由于没有使用特别的测定机器或测定工具，有利于节约成本，并且，由于可以自动地进行调整，所以没有人为的差错。
此外，在把第一电极分割成内侧电极和外侧电极，在内侧电极的供电线或外侧电极的供电线上设置可变阻抗部，在第一电极的等离子体接触面处靠内侧部分与外侧部分来控制电场而得到提高等离子体空间分布均一性的效果的等离子体处理装置中，利用此装置所备有的可变阻抗部，和以高频电流向内侧电极流入的方式形成的谐振电路，可以进行阻抗调整。特别是，通过在内侧电极的供电线上设置可变电容器，可以更有效地进行阻抗调整。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体蚀刻装置的概略剖视图。
图2是表示图1的等离子体蚀刻装置的局部的构成的局部放大剖视图。
图3是用来说明本发明的一个实施方式的等离子体蚀刻装置的阻抗调整机构的概略构成图。
图4是表示图1的等离子体蚀刻装置中的等离子体生成机构的局部的等效电路的电路图。
图5是表示图1的等离子体蚀刻装置中的可变电容器的电容与电场强度比率的关系的图。
图6是用来详细地说明图1的等离子体蚀刻装置中的阻抗调整机构的谐振电路的图。
图7是表示图1的等离子体蚀刻装置中的阻抗调整机构的可变电容器的CPI值与下部电极的偏压VPP的关系的图。
图8是用来说明图1的等离子体蚀刻装置中的阻抗调整机构的阻抗调整顺序的流程图。
图9是表示图1的等离子体蚀刻装置中的阻抗调整机构的可变电容器的CPI值与下部电极的偏压VPP的关系的基准波形与测定波形的图
图10是表示实际进行阻抗调整时的可变电容器的CPI值与下部电极的偏压VPP的关系的图。
图11是表示图1的等离子体蚀刻装置中的连接于第一高频电源的匹配器的概略构成的图。
图12是表示作为装置状态用连接于第一高频电源的匹配器的电容器时的可变电容器的CPI值与匹配器的电容器的值的关系的图。
符号说明：10腔室(处理容器)；16基座(下部电极)；34上部电极；36外侧上部电极；38内侧上部电极；46、88匹配器；46供电棒；50供电筒；52第一高频电源；66处理气体供给源；78可变电容器(可变阻抗部)；84排气装置；89偏压Vpp监视器；90第二高频电源；100阻抗调整机构；101谐振电路；102控制器；W半导体晶片(被处理基板)。
具体实施方式
下面，参照附图具体说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体蚀刻装置的概略剖视图。
此等离子体蚀刻装置作为电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置而构成，具有例如由表面进行了阳极氧化处理的铝制成的大致圆筒状的腔室(处理容器)10。此腔室10被安全接地。
在腔室10的底部，经由由陶瓷等制成的绝缘板12配置圆柱状的基座支撑台14，在此基座支撑台14之上设有例如由铝制成的基座16。基座16构成下部电极，在其上放置作为被处理基板的半导体晶片W。
在基座16的上面上，设有靠静电力吸附保持半导体晶片W的静电夹具18。此静电夹具18具有由一对绝缘层或绝缘片夹着由导电膜组成的电极20的结构，在电极20上电连接直流电源22。而且，半导体晶片W通过由来自直流电源22的直流电压产生的库仑力等静电力吸附保持在静电夹具18上。
在静电夹具18的周围，基座16的上面上，为提高蚀刻的均匀性配置例如由硅组成的聚焦环24。在基座16和基座支撑台14的侧面上，设有例如由石英组成的圆筒状的内壁部件26。
在基座支撑台14的内部，例如在圆周上设有冷却剂室28。在上述冷却剂室中，由设在外部的图示中未标出的冷却单元经由配管30a、30b循环供给规定温度的冷却剂，例如冷却水，可以通过冷却剂的温度控制基座上的半导体晶片W的处理温度。
进而，来自图中未标出的传热气体供给机构的传热气体，例如He气经由供给线32供给到静电夹具18的上面与半导体晶片W的背面之间。
在作为下部电极的基座16的上方，与基座16对向平行地设置上部电极34。而且，上部和下部电极34、16间的空间成为等离子体生成空间。上部电极34形成与作为下部电极的基座16上的半导体晶片W相对向且接触等离子体生成空间的面，也就是对向面。
上部电极34由以规定的间隔与基座16对向配置的环状或圆环状的外侧上部电极36、和以绝缘状态配置于此外侧上部电极36的半径方向内侧的圆板状的内侧上部电极38构成。这些，有关等离子体生成以外侧上部电极36为主，内侧上部电极38有辅助的关系。
如图2中放大示出该等离子体蚀刻装置的局部，在外侧上部电极36与内侧上部电极38之间，形成例如0.25～2.0mm的环状缝隙(间隙)，在此间隙中设有例如由石英组成的电介质40。在此间隙中还设有陶瓷部件96。陶瓷部件96也可以省略。隔着此电介质40而在两个电极36与38之间形成电容器。此电容器的电容C40可以根据间隙的尺寸与电介质40的介电常数选定或调整成期望的值。在外侧上部电极36与腔室10的侧壁之间气密地安装着例如由氧化铝(Al2O3)组成的环形的绝缘性遮挡部件42。
外侧上部电极36优选由焦耳热少的低电阻的导电体或半导体，例如硅构成。在外侧上部电极36上，经由匹配器44、上部供电棒46、连接器48和供电筒50，电连接于第一高频电源52上。第一高频电源52输出13.56MHz以上的高频，例如60MHz的高频电力。匹配器44使负载阻抗与第一高频电源52的内部(或输出)阻抗匹配，在腔室10内生成等离子体时第一高频电源52的输出阻抗与负载阻抗表观上一致地发挥功能。匹配器44的输出端子连接于上部供电棒46的上端。
供电筒50由圆筒状或圆锥状或者近似这些形状的导电板例如铝板或铜板组成，下端在周围方向上连续地连接于外侧上部电极36，上端通过连接器48电连接于上部供电棒46的下端部。在供电筒50的外侧，腔室10的侧壁从上部电极34的高度位置向上方继续延伸而构成圆筒状的接地导体10a。在此圆筒状接地导体10a的上端部通过筒状的绝缘部件54与上部供电棒46电绝缘。在这种构成中，在从连接器48看的负载电路中，由供电筒50和外侧上部电极36与圆筒状接地导体10a，形成以供电筒50和外侧上部电极36为波导路的同轴路径。
如图1中所示，内侧上部电极38包括具有多个气体的气体喷出孔56a的、例如由硅、碳化硅等半导体材料组成的电极板56；和能够装拆地支撑此电极板56的由导电材料、例如表面进行了阳极氧化处理的铝组成的电极支撑体58。在电极支撑体58的内部设有例如由O环形圈组成的环状隔壁部件60所分割的中心气体导入室62与周边气体导入室64。由中心气体导入室62与设在其下面的多个气体喷出孔56a构成中心浇淋头，由周边气体导入室64与设在其下面的多个气体喷出孔56a构成周边浇淋头。
在两个气体导入室62、64中，处理气体从共同的处理气体供给源66以期望的流量比供给。也就是说，来自处理气体供给源66的气体供给管68在中途分支成两个而连接于气体导入室62、64，在各自的分支管68a、68b上设有流量控制阀70a、70b，由于从处理气体供给源66到气体导入室62、64的流路的流导相等，所以可以通过流量控制阀70a、70b任意地调整供给到中心气体导入室62与周边气体导入室64的处理气体的流量比。在气体供给管68上设有质量流量控制器(MFC)72和开关阀74。这样，通过调整导入中心气体导入室62与周边气体导入室64的处理气体的流量比，可以任意地调整从中心浇淋头所喷出的处理气体的流量FC与从周边浇淋头所喷出的处理气体的流量FE的比率(FC/FE)。再者，也可以使从中心浇淋头和周边浇淋头分别喷出的处理气体的每单位面积的流量不同。进而能够独立地或个别地选定从中心浇淋头和周边浇淋头分别喷出的处理气体的气体种类或气体混合比。
在内侧上部电极38的电极支撑体58上，经由匹配器44、上部供电棒46、连接器48和下部供电筒76电连接于上述第一高频电源上。在下部供电筒76的中途，设有可以可变调整电容的可变电容器78。此可变电容器78，如后所述，具有调整外侧电场强度与内侧电场强度的平衡的功能，并且作为调整装置的等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构的一部分发挥功能。
虽然省略了图示，但是在外侧上部电极和内侧上部电极38上还设有适当的冷却剂室或冷却套，通过来自外部冷却单元的冷却剂可以进行这些电极的温度控制。
在腔室10的底部设有排气口80，排气装置84经由排气管82连接于此排气口80上。排气装置84具有涡轮分子泵等真空泵，可以使腔室10内减压到期望的真空度。此外，在腔室10的侧壁上设有半导体晶片W的搬入搬出口85，通过门阀86，此搬入搬出口85能够开闭。
在作为下部电极的基座16上，第二高频电源90经由匹配器88电连接。通过高频电力从此第二高频电源90供给到下部电极基座16，将离子导入半导体晶片W侧。第二高频电源90输出2～27MHz的范围内的频率，例如输出2MHz的高频电力。由于匹配器88把负载阻抗匹配成高频电源90的内部(或输出)阻抗，所以发挥功能使腔室10内生成等离子体时高频电源90的内部阻抗与负载阻抗表观上看上去一致。再者，在匹配器88中，内藏着成为后述的阻抗调整机构的一部分的VPP监视器89(电压检测器)。以下，所谓Vpp表示高频电压波形的峰值间的电位差。
在内侧上部电极38上，电连接不使来自第一高频电源52的高频(60MHz)通过，而使来自第二高频电源90的高频(2MHz)通向接地的低通滤波器(LPF)92。此低通滤波器(LPF)92优选是由LR滤波器或LC滤波器来构成，由于即使仅一根导线也可以对来自第一高频电源52的高频(60MHz)赋予十分大的电抗，所以这也就够了。另一方面，在作为下部电极的基座16上，电连接着用来使来自第一高频电源52的高频(60MHz)通地的高通滤波器(HPF)94。
如图3中所示，本实施方式的等离子体蚀刻装置，具有阻抗调整机构100。阻抗调整机构100包括构成可变阻抗部的上述可变电容器78；由流入上述内侧上部电极38的电流所形成的谐振电路101；上述VPP监视器89；以及在装置内生成等离子体之际，一边使上述可变电容器78的电容变化，一边基于由VPP监视器89检测到的下部电极(基座16)的偏压VPP的值，探出上述谐振电路101的谐振点，使谐振点处的可变电容器的电容的值调整为成为基准的值的控制器102。借此可以进行等离子体源侧的阻抗的调整。另外，由VPP监视器89检测到的下部电极的偏压VPP，换句话说，是由VPP监视器89检测到的对来自第二高频电源90的高频电力的VPP。
在像这样所构成的等离子体蚀刻装置中进行蚀刻处理之际，首先，把门阀86设成打开状态，经由搬入搬出口85把作为蚀刻对象的半导体晶片W搬入到腔室10内，放置于基座16上。然后，以规定的流量和流量比从处理气体供给源66把用来蚀刻的处理气体导入中心气体导入室62和周边气体导入室64，通过排气装置84给腔室10内排气，使其中的压力成为例如0.1～150Pa的范围内的设定值。这里，作为处理气体，可以采用以往所用的种种物质，例如可以优选碳氟化合物气体(CxFy)之类含有卤族元素的气体。进而，也可以含有Ar气或O2气等其他气体。
在像这样把蚀刻气体导入腔室10内的状态下，从第一高频电源52以规定的功率把等离子体生成用的高频电力(60MHz)施加于上部电极34上，并且由第二高频电源90以规定的功率把离子导入用的高频(2MHz)施加于作为下部电极的基座16上。此外，从直流电源22把直流电压施加于静电夹具18的电极20上，把半导体晶片W固定于基座16上。
从内侧上部电极38的气体喷出孔56a所喷出的蚀刻气体，在由高频电力产生的在上部电极34与作为下部电极的基座16间的电晕放电中等离子体化，半导体晶片W的被处理面通过在此等离子体中生成的自由基或离子而被蚀刻。
在此等离子体蚀刻装置中，由于将高频领域(离子不动的5～10MHz以上)的高频电力供给上部电极34，所以可以以最佳的离解状态使等离子体高密度化，即使在更低压的条件下也可以形成高密度等离子体。
此外，由于在上部电极34处，把与半导体晶片W正面对向的内侧上部电极38取为浇淋头兼用型，通过中心浇淋头与周边浇淋头可以任意地调整气体喷出流量的比率，所以可以在径向控制气体分子或自由基的密度的空间分布，还可以任意地控制主要由于自由基引起的蚀刻特性的空间分布特性。
另一方面，如后所述，由于在上部电极34处，作为等离子体生成用的高频电极，以外侧上部电极36为主，以内侧上部电极38为副，靠这些电极36、38能够调整它们正下方的给予电子的电场强度的比率，所以可以在径向控制等离子体密度的空间分布，可以任意而精细地控制反应性离子蚀刻的空间特性。
这里，通过在外侧上部电极36与内侧上部电极38之间使电场强度或投入电力的比率可变而进行的等离子体密度空间分布的控制，实质上不影响通过在中心浇淋头与周边浇淋头之间使处理气体的流量或气体密度或气体混合比的比率可变而进行的自由基密度空间分布的控制。也就是说，因为从中心浇淋头与周边浇淋头所喷出的处理气体的离解在内侧上部电极38正下方的区域内进行，故即使在内侧上部电极38与外侧上部电极36之间改变电场强度的平衡，也因为中心浇淋头与周边浇淋头处于内侧上部电极38内、处于同一区域内，所以它们之间的自由基生成量或密度的平衡不受影响。因而，实质上可以独立地控制等离子体密度的空间分布与自由基密度的空间分布。
此外，本实施方式的等离子体蚀刻装置，外侧上部电极36为主，在其正下方生成等离子体的大部分或过半而扩散到内侧上部电极38的正下方。因此，在兼作浇淋头的内侧上部电极38处，因为从等离子体的离子受到的冲击少，故有效地抑制作为更换零件的电极板56的气体喷出口56a的溅射，可以大幅度地延长电极板56的寿命。另一方面，生成等离子体的大部分或过半的外侧上部电极36，因为没有电场集中的气体喷出孔，故离子的冲击少，寿命不会缩短。
接下来，参照图2和图4，更详细地进行说明在外侧上部电极36与内侧上部电极38之间通过使电场强度或投入电力可变而进行的等离子体密度空间分布的控制。图2，如上所述，表示本实施方式的等离子体蚀刻装置的局部，特别是构成等离子体生成机构的局部的构成，图4表示等离子体生成机构的局部的等效电路。再者，在图2中省略了浇淋头部的结构，在图4中省略了各部的电阻。
如上所述，在从连接器48看的负载电路中，靠外侧上部电极36和供电筒50与圆筒状接地导体10a，形成以外侧上部电极36和供电筒50为波导路JO的同轴线路。这里，令供电筒50的半径(外径)为aO，令圆筒状接地导体10a的半径为b，则此同轴线路的特性阻抗或电感LO可以由以下的式(1)来近似表示。
LO＝K·ln(b/aO)    (1)
式中，K是取决于波导路的载体的移动度和介电常数的常数。
另一方面，在从连接器48看的负载电路中，在下部供电棒76与圆筒状接地导体10a之间也形成以下部供电棒76为波导路Ji的同轴线路。虽然内侧上部电极38也处于下部供电棒76的延长线上，但是因为直径大不相同，故下部供电棒76的阻抗成为支配的。这里，令下部供电棒76的半径(外径)为ai，则此同轴线路的特性阻抗或电感Li可以由以下的式(2)来近似表示。
Li＝K·ln(b/ai)    (2)
从上述式(1)、(2)可以理解，把高频传到内侧上部电极38的内侧波导路Ji赋予与以往的一般高频系统同样的电感Li，与此相反把高频传到外侧上部电极36的外侧波导路JO可以赋予仅按外径大的量显著减小的电感LO。借此，从匹配器44看在连接器48前的负载电路中，在低阻抗的外侧波导路JO处高频容易传播(电压降小)，把相对大的高频电力PO供给到外侧上部电极36，在外侧上部电极36的下面(等离子体接触面)处可以得到强的电场强度EO。另一方面，在高阻抗的内侧波导路Ji处高频难以传播(电压降大)，将小于供给到外侧上部电极36的高频电力PO的高频电力Pi供给到内侧上部电极38，可以使在内侧上部电极38的下面(等离子体接触面)处所得到的电场强度Ei小于外侧上部电极36侧的电场强度EO。
这样，在上部电极34处，在外侧上部电极36的正下方处由相对强的电场EO使电子加速，同时在内侧上部电极38的正下方处由相对地弱的电场Ei使电子加速，借此在外侧上部电极36的正下方处生成等离子体P的大部分或过半，在内侧上部电极38的正下方处辅助地生成等离子体P的一部分。而且，通过在外侧上部电极36的正下方处所生成的高密度的等离子体向径向的内侧与外侧的扩散，在上部电极34与基座16之间的等离子体处理空间中等离子体密度在径向均匀化。
由外侧上部电极36和供电筒50与圆筒状接地导体10a所形成的同轴线路处的最大传送电力Pmax依存于供电筒50的半径aO与圆筒状接地导体10a的半径b，可由以下的式(3)给出。
Pmax/EOmax 2＝aO 2〔ln(b/aO)〕2/2ZO    (3)
式中，ZO是从匹配器44侧看的该同轴线路的输入阻抗，EOmax是RF传送系统的最大电场强度。
在上述式(3)中，最大传送电力Pmax在b/aO1.65时成为极大值。因此，为了提高外侧波导路JO的电力传送效率，优选构成为圆筒状接地导体10a的径向尺寸对供电筒50的径向尺寸之比(b/aO)为1.65，优选构成为至少在1.2～2.0的范围内。更优选为1.5～1.7的范围。
为了任意而精细地控制等离子体密度的空间分布，优选调整外侧上部电极36正下方的外侧电场强度EO(或者向外侧上部电极36侧的投入电力PO)与内侧上部电极38正下方的内侧电场强度Ei(或者向内侧上部电极38侧的投入电力Pi)的比率也就是平衡，作为其方法在下部供电棒76的中途插入可变电容器78。可变电容器78的电容C78与向内侧上部电极38侧的投入电力Pi对总体的投入电力的比率的关系如图5中所示。从此图可以看出，通过改变可变电容器78的电容C78，使内侧波导路Ji的阻抗或电抗增减，可以改变外侧波导路JO的电压降与内侧波导路Ji的电压降的相对比率，进而可以调整外侧电场强度EO(外侧投入电力PO)与内侧电场强度Ei(内侧投入电力Pi)的比率。
再者，赋予等离子体的电位降的离子层的阻抗一般来说是电容性的。在图4的等效电路中，假设外侧上部电极36正下方处的层阻抗的电容为CPO，内侧上部电极38正下方处的层阻抗的电容为CPi。此外，在外侧上部电极36与内侧上部电极38之间所形成的电容器的电容C40，与可变电容器78的电容C78组合起来左右上述那种外侧电场强度EO(外侧投入电力PO)与内侧电场强度Ei(内侧投入电力Pi)的平衡，优选选定或者调整成可以使可变电容器78引起的电场强度(投入电力)平衡调整功能最佳化的值。
可是，这种等离子体处理装置，由于零件的尺寸公差或安装误差等，装置间或每个清洗循环中等离子体源侧的阻抗中存在着微小的差异，致使处理特性偏差。
因此，在本实施方式中，如上所述的，通过含有由可变电容器78作为可变阻抗部的阻抗调整机构100可以生成等离子体的状态预先进行阻抗调整，该可变电容器78的作用是调整外侧电场强度EO(外侧投入电力PO)与内侧电场强度Ei(内侧投入电力Pi)的比率。阻抗调整机构100，利用上述可变电容器78产生的阻抗可变功能，和由流入上述上部电极34的内侧上部电极38的电流所形成的谐振电路101，由VPP监视器89探出该谐振电路的谐振点，使谐振点处的可变阻抗部的值，也就是可变电容器78的电容的值调整成成为基准的值。
具体地说，在装置内生成等离子体时，一边使上述可变电容器78的电容变化，一边由VPP监视器89检测下部电极的偏压VPP的值，由控制器102，基于此一下部电极的偏压VPP的值，探出由流入上述内侧上部电极38的电流所形成的谐振电路101的谐振点，使谐振点处的可变电容器78的电容的值调整成成为基准的值。借此能够调整等离子体源侧的阻抗。这里，本实施方式中，所谓等离子体源侧的阻抗，是图4的PI所示的范围内的电路的阻抗。
如果更详细地说明谐振电路101，则成为如图6中所示。即，谐振电路101，由从供电棒46经由连接器48、供电于外侧上部电极36的供电筒50、和通过外侧上部电极36流到内侧上部电极38的图6(a)的实线所示的线，和从供电棒46通过连接器48、供电到外侧上部电极的供电筒50、外侧上部电极36、供电筒50、可变电容器78流到内侧上部电极38的图6(b)的虚线所示的线形成。在像这样构成的谐振电路中，在谐振点处流到内侧上部电极38的高频电流成为最大。再者，如图6中所示，高频电流在导电体中流过其表面。
如上述图5中所示，因为通过使可变电容器78的电容变化，可以使来自内侧上部电极38的内侧电场强度Ei的比率变化，所以通过使可变电容器78的电容变化可以探出谐振电路101的谐振点。
此时的流到内侧上部电极38的高频电流，反映于装置状态，例如作为下部电极的基座16的偏压Vpp，在最大的高频电流流到内侧上部电极的谐振点处时，VPP的值表现出极小值。也就是说，如图7中所示，如果在生成了等离子体的状态下增减可变电容器78的步幅(CPI值)，使电容变化，则VPP监视器89检测的下部电极的偏压VPP的值变化，在某个CPI值处VPP的值表现出极小值。在像这样VPP的值表现出极小值的场合，上述谐振电路就表现出谐振点。再者，CPI值是指把可变电容器78的电容的变化幅度分割成规定数的步幅的值，对应于实际的电容的值。
在本实施方式中利用这一点，由阻抗调整机构100的控制器102，按以下的顺序进行阻抗调整。参照图8的流程图详细地说明此时的顺序。
首先，把模拟晶片搬入等离子体蚀刻装置内，供电到第一高频电源52而生成等离子体，取得可变电容器78的初期步幅(CPI值)下的下部电极(基座16)的偏压VPP的值(步骤1)。此时的VPP求出多个例如20个数据的平均值。此时，判断VPP是否因等离子体不稳定或异常放电等而表现出异常值(步骤2)。具体地说，在多个VPP数据的振幅超过例如50V时，作为可能存在等离子体不稳定或者异常放电的情况要求再次尝试。
此步骤2，通过监视VPP的变化量，例如像以下这样进行。
多个VPP数据当中的最初的三点像以下这样进行比较。
-50＜VPP(i+1)-VPP(i)＜50    (i＝0、1、2)
从第4点起及其余各点，像以下这样用移动平均进行比较。
-50＜VPP(i)-{(VPP(i-1)+VPP(i-2)+VPP(i-3))/3}＜50  (3＜i＜19)
在各个VPP的值正常时，判定平均VPP值是否是最小值(步骤3)。此判定由控制器102像以下这样来进行。即，由于可变电容器78的步幅值(CPI值)与(平均)VPP值的关系如上述图7中所示，所以计算VPP(j+1)-VPP(j)(其中，j：是CPI值，VPP(j)：是CPI值j中的平均VPP值)，
在VPP(j+1)-VPP(j)＜0
时，判定成VPP(j)不是最小值，在
VPP(j+1)-VPP(j)＞0
时，判定成VPP(j)是极小值。
再者，在采用判定上述平均VPP值是否为极小值的方法时，最初实行上述步骤1～3之际的CPI值(初期CPI值)有必要设定成小于谐振点附近的CPI值的CPI值。
而且，在求出的平均VPP值不是极小值的情况下，把CPI值加1(步骤4)，再次进行上述步骤1～3。再者，在重复上述操作把CPI值增加10以上而没有谐振点时，因为存在着CPI值超过谐振点的可能性，故在此时逐1减小CPI值而探寻VPP值成为极小值的点。
另一方面，在求出的VPP值是极小值时，以此CPI值作为谐振点，把此谐振点的CPI值与成为基准的CPI值之差作为偏移量计算(步骤5)。也就是说，计算偏移量＝(基准CPI值)-(当前的谐振点的CPI值)。这里，成为基准的CPI值是清洗前的谐振电路101的谐振点处的CPI值，或者阻抗被调整后的同一结构的其他装置的谐振电路101的谐振点处的CPI值。再者，谐振点在控制器102中作为参数被设定。此偏移量，如图9中所示，是对应于对VPP的基准波形(谐振点处的CPI值为基准值的场合)的偏差量，通过像这样掌握谐振点处的CPI值的偏差，可以掌握从阻抗值的基准值的偏差。
此偏移量在例如装置画面上显示，用户可以从此画面确认所计算的偏移值(步骤6)。然后，由用户的操作实施偏移命令(步骤7)，由此从控制器102向可变电容器78的控制盒(未标出)发送指令，可变电容器78的控制盒被初始化的同时，可变电容器78的谐振点的CPI值按对应于如上所述所计算的偏移值的值被偏移(步骤8)。然后，判定此初始化命令是否被正常地实施(步骤9)，在判定成正常地执行时，实施上述步骤1～3，用户确认谐振点是否被修正(步骤10)，如果被修正则结束阻抗调整，如果未被修正则进行阻抗调整。
这样，由于利用谐振电路101的谐振点可以把可变电容器78的电容的值调整成成为基准的值，所以可以把因零件的尺寸公差或安装误差而产生的装置间或每个清洗循环的等离子体源侧的阻抗之差抑制到最小限度。此外，由于可以在生成了等离子体的状态下进行调整，所以阻抗的调整精度高。进而，特别是由于不用测定元件或测定工具，所以在成本上是有利的。再有，由于几乎可以自动地进行调整，所以也几乎没有人为的差错。再者，虽然在上述中，说明了把模拟晶片搬入等离子体蚀刻装置内而进行阻抗调整的顺序，但是即使不搬入模拟晶片，也可以按同样的方法进行阻抗调整。
图10中表示的像以上这样实际进行阻抗调整的例子。在此例子中，成为基准的谐振点处的CPI值为63，调整前的谐振点处的CPI值为64。因此，按照上述顺序，调整成谐振点处的CPI值成为63。
虽然在上述例子中，用下部电极处的偏压VPP掌握谐振电路101的谐振点，但是也可以用图11中所示的上部电极的匹配器44的两个电容器C1和C2的电容掌握。借此掌握谐振点，实际进行阻抗调整的结果如图12所示。C1在谐振点处表示极小值，C2在谐振点处表示极大值。在此例子中，成为基准的CPI值为65，调整前的CPI值为66。在此时同样，按照上述顺序，可以调整成C1的极小值和C2的极大值成为65而进行阻抗调整。
另外，在上部电极侧设置VI探头(可检测电流、电压、相位、对某频率的高频波等的检测器)时，在下部电极侧设置VI探头时，用其电压值或电流值也可以掌握谐振电路101的谐振点。
再者，本发明不限定于上述实施方式，可以进行种种变形。例如，虽然在上述实施方式中，用可变电容器作为可变阻抗部，但是不限于此，也可以用可变线圈或可变电阻等其他电路。此外，虽然在上述实施方式中，把可变阻抗部设在向内侧上部电极的供电线上，但是也可以设在向外侧上部电极的供电线上。进而，虽然就表示了把等离子体生成用的高频电力施加于上部电极的等离子体处理装置，但是也可以是施加于下部电极的等离子体处理装置。再有，虽然就表示了把等离子体生成用的高频电力所施加的电极取为分割电极的例子，但是也可以不分割。再有，虽然作为装置状态的监视器举例表示了下部电极的偏压VPP、、上部电极的匹配器中含有的电容器的电容、VI探头检测的电压值或电流值，但是不限于此，只要是可以掌握谐振电路的谐振点者就没有特别限定。再有，虽然在上述实施方式中以等离子体蚀刻装置为例进行了说明，但是本发明当然也能够运用于CVD成膜装置或溅射装置等其他等离子体处理装置。

Claims (23)

1.一种等离子体处理装置，具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；以及
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，
还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构，
所述阻抗调整机构包括：
以高频电流向所述第一电极流入的方式形成的谐振电路；
设在所述第一电极的供电线上的可变阻抗部；
检测用来掌握所述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器；和
控制部，在形成所述等离子体的状态下，一边变更所述可变阻抗部的值，一边检测所述检测器的装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值。
2.如权利要求1中所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中
所述可变阻抗部为可变电容器。
3.一种等离子体处理装置，具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；和
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，
所述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，
所述等离子体处理装置还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构，
所述阻抗调整机构包括：
以高频电流向所述第一电极的所述内侧电极流入的方式形成的谐振电路；
设在向所述第一电极的内侧电极的供电线或向外侧电极的供电线上的可变阻抗部；
检测用来掌握所述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器；和
控制部，在形成了所述等离子体的状态下，一边变更所述可变阻抗部的值，一边检测来自所述检测器的装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
成为所述基准的可变阻抗部的值是清洗前的所述谐振电路的谐振点处的可变阻抗部的值，或者阻抗被调整后的同一结构的其他装置的所述谐振电路的谐振点处的可变阻抗部的值。
5.一种等离子体处理装置，具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；和
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，其特征在于，其中
所述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，
所述等离子体处理装置还具备调整等离子体源侧阻抗的阻抗调整机构，
所述阻抗调整机构包括：
以高频电流向所述第一电极的所述内侧电极流入的方式形成的谐振电路；
设在向所述第一电极的内侧电极的供电线上的可变电容器；
检测用来掌握所述谐振电路的谐振点的装置状态的检测器；和
控制部，在形成了所述等离子体的状态下，一边变更所述可变电容器的电容，一边检测来自所述检测器的装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变电容器的电容调整成成为基准的值。
6.如权利要求5中所述的等离子体处理装置，其特征在于，
成为所述基准的可变电容器的电容是清洗前的所述谐振电路的谐振点处的可变电容器的电容，或者阻抗被调整后的同一结构的其他装置的所述谐振电路的谐振点处的可变电容器的电容。
7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述谐振电路，包括：高频电流从向所述外侧电极的供电线向所述内侧电极流动的线；和高频电流依次通过向所述外侧电极的供电线、所述外侧电极、向所述外侧电极的供电线、所述可变阻抗部而向所述内侧电极流动的线。
8.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中检测所述装置状态的检测器是设在所述第二电极侧的电压检测器。
9.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，
所述高频电力供给机构包括高频电源、使负载阻抗与所述高频电源的内部阻抗或输出阻抗匹配的匹配器，检测所述装置状态的检测器检测所述匹配器的电容器的电容。
10.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中检测所述装置状态的检测器是设在所述第一电极侧或所述第二电极侧、检测等离子体的电流或电压的VI探头。
11.如权利要求1至权利要求10中的任何一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中所述第二电极是支撑被处理基板的支撑电极，还包括用来把离子导入到所述第二电极的高频电力供给机构。
12.如权利要求11中所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中所述用来导入离子的高频电力供给机构包括高频电源、使负载阻抗与所述高频电源的内部阻抗或输出阻抗匹配的匹配器。
13.如权利要求12中所述的等离子体处理装置，其特征在于，其中检测所述装置状态的检测器是设在所述第二电极侧的所述匹配器上的电压检测器。
14.一种等离子体处理装置的阻抗调整方法，其特征在于，
该等离子体处理装置具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；以及
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，
在该阻抗调整方法中，
在所述第一电极的供电线上设置可变阻抗部，设置检测用来掌握以高频电流向所述第一电极流入的方式形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了所述等离子体的状态下，一边变更所述可变阻抗部的值，一边由所述检测器检测装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值，调整等离子体源侧的阻抗。
15.如权利要求14中所述的阻抗调整方法，其特征在于，
所述可变阻抗部是可变电容器。
16.一种等离子体处理装置的阻抗调整方法，其特征在于，
该等离子体处理装置具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；以及
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
所述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，
在该阻抗调整方法中，
在向所述第一电极的内侧电极的供电线或向外侧电极的供电线上设置可变阻抗部，设置检测用来掌握以高频电流向所述第一电极的内侧电极流入的方式形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了所述等离子体的状态下，一边变更所述可变阻抗部的值，一边由所述检测器检测装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变阻抗部的值调整成成为基准的值，并调整等离子体源侧的阻抗。
17.如权利要求14至权利要求16中的任何一项所述的阻抗调整方法，其特征在于，其中成为所述基准的可变阻抗部的值是清洗前的所述谐振电路的谐振点处的可变阻抗部的值，或者阻抗被调整后的同一结构的其他装置的所述谐振电路的谐振点处的可变阻抗部的值。
18.一种等离子体处理装置的阻抗调整方法，其特征在于，
该等离子体处理装置具备：
容纳被处理基板，能够真空排气的处理容器；
在处理容器内对向配置的第一电极和第二电极；
把等离子体形成用的高频电力供给到所述第一电极的高频电力供给机构；以及
把处理气体供给到所述处理容器内的处理气体供给机构，
所述第一电极分割成内侧电极和外侧电极，
在所述第一电极和所述第二电极之间生成处理气体的等离子体，并在被处理基板上施行等离子体处理，
在该阻抗调整方法中，
在向所述第一电极的内侧电极的供电线上设置可变电容器，设置检测用来掌握以高频电流向所述第一电极的内侧电极流入的放时形成的谐振电路的谐振点的装置状态的检测器，在形成了所述等离子体的状态下，一边变更所述可变电容器的电容，一边由所述检测器检测装置状态的信号，探出所述谐振电路的谐振点，把所述谐振点处的可变电容器的电容的值调整成成为基准的值而调整等离子体源侧的阻抗。
19.如权利要求18中所述的阻抗调整方法，其特征在于，其中所述成为基准的可变电容器的电容是清洗前的所述谐振电路的谐振点处的可变电容器的电容，或者阻抗被调整后的同一结构的其他装置的所述谐振电路的谐振点处的可变电容器的电容。
20.如权利要求16所述的阻抗调整方法，其特征在于，其中所述谐振电路包括：高频电流从向所述外侧电极的供电线向所述内侧电极流动的线；和高频电流依次通过向所述外侧电极的供电线、所述外侧电极、向所述外侧电极的供电线、所述可变阻抗部向所述内侧电极流动的线。
21.如权利要求16所述的阻抗调整方法，其特征在于，其中检测所述装置状态的检测器是设在所述第二电极侧的电压检测器。
22.如权利要求16所述的阻抗调整方法，其特征在于，所述高频电力供给机构包括高频电源、和使负载阻抗与所述高频电源的内部阻抗或输出阻抗匹配的匹配器，所述检测装置状态的检测器检测所述匹配器的电容器的电容。
23.如权利要求16所述的阻抗调整方法，其特征在于，其中检测所述装置状态的检测器是设在所述第一电极侧或所述第二电极侧的、检测等离子体的电流或电压的VI探头。
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TW (1) TW200620454A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100595886C (zh) * 2008-09-26 2010-03-24 中国科学院微电子研究所 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
CN102479658A (zh) * 2010-11-25 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及处理系统

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4882824B2 (ja) 2007-03-27 2012-02-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
JP6078419B2 (ja) * 2013-02-12 2017-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
CN105591629B (zh) * 2014-10-22 2018-01-26 中微半导体设备(上海)有限公司 自动频率调谐阻抗匹配的匹配频率的获取方法和装置
GB201609119D0 (en) * 2016-05-24 2016-07-06 Spts Technologies Ltd A method of cleaning a plasma processing module
KR101813497B1 (ko) 2016-06-24 2018-01-02 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
JP6772117B2 (ja) 2017-08-23 2020-10-21 株式会社日立ハイテク エッチング方法およびエッチング装置
US11488811B2 (en) * 2019-03-08 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Chucking process and system for substrate processing chambers
WO2020217266A1 (ja) 2019-04-22 2020-10-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
WO2021255812A1 (ja) 2020-06-16 2021-12-23 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5874704A (en) * 1995-06-30 1999-02-23 Lam Research Corporation Low inductance large area coil for an inductively coupled plasma source
KR100234912B1 (ko) * 1997-01-23 1999-12-15 윤종용 직류 전압을 제어하기 위한 hdp cvd 설비의 세정 장치 및 방법
KR20000027767A (ko) * 1998-10-29 2000-05-15 김영환 플라즈마 장치
US6349670B1 (en) * 1998-11-30 2002-02-26 Alps Electric Co., Ltd. Plasma treatment equipment
JP4230029B2 (ja) * 1998-12-02 2009-02-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびエッチング方法
US6857387B1 (en) * 2000-05-03 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Multiple frequency plasma chamber with grounding capacitor at cathode
JP4514911B2 (ja) * 2000-07-19 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100396214B1 (ko) * 2001-06-19 2003-09-02 주성엔지니어링(주) 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치
JP4370789B2 (ja) 2002-07-12 2009-11-25 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び可変インピーダンス手段の校正方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100595886C (zh) * 2008-09-26 2010-03-24 中国科学院微电子研究所 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统
CN102479658A (zh) * 2010-11-25 2012-05-30 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及处理系统
CN102479658B (zh) * 2010-11-25 2014-06-25 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及处理系统

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