JP5731587B2 - プラズマ処理チャンバ - Google Patents
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Description
[形態1]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板を受けるように構成されたボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続され、前記基板を受けるボトム電極表面を有する、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離されたボトムエッジ電極であって、前記トップエッジ電極と向かい合い、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間には、前記基板が前記ボトム電極の上に配されて前記ボトムエッジ電極と前記トップエッジ電極との間に前記基板の前記ベベルエッジが露出されたときに前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマが生成され、前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極は、電気的地帰路を提供するために大地に電気的に接続される、ボトムエッジ電極と、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、を備え、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有し、
前記トップ絶縁リングおよび前記ボトム絶縁リングは、前記向かい合う電極表面と実質的に揃っている向かい合う露出表面を有する、プラズマ処理チャンバ。
[形態2]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間には、前記基板が前記ボトム電極の上に配されたときに前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記クリーニング用プラズマを閉じ込めるように構成された空間が形成される、プラズマ処理チャンバ。
[形態3]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の距離は、間隔距離を形成し、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の距離は、前記空間内への前記クリーニング用プラズマの閉じ込めを助けるためにほぼ同じ間隔距離を形成する、プラズマ処理チャンバ。
[形態4]
形態3に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の前記距離は、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の前記間隔にほぼ等しい、プラズマ処理チャンバ。
[形態5]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに前記基板に面する前記トップ絶縁リングの表面は、前記基板に面する前記トップエッジ電極の前記表面と揃っており、前記トップ絶縁リングに面する前記ボトム絶縁リングの前記表面は、前記トップエッジ電極に面する前記ボトムエッジ電極の前記表面と揃っている、プラズマ処理チャンバ。
[形態6]
形態5に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ絶縁リングおよび前記ボトム絶縁リングは、前記クリーニング用プラズマの閉じ込めを助ける、プラズマ処理チャンバ。
[形態7]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを供給するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備える、プラズマ処理チャンバ。
[形態8]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップ電極アセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップ電極アセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プロセス処理チャンバ。
[形態9]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
発生器は、約2MHzから約60MHzまでの間の周波数のRF電力を供給する、プラズマ処理チャンバ。
[形態10]
形態1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記絶縁体板に面する前記基板の前記表面と前記絶縁体板との間の距離は、約1.0mm未満である、プラズマ処理チャンバ。
[形態11]
プラズマ処理チャンバであって、
前記基板を受けるように構成された第1のレベルに支持表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続された、ボトム電極と、
前記第1のレベルよりも上方の第2のレベルに露出表面を有するトップエッジ電極であって、前記トップエッジ電極は、絶縁体板を取り囲み、前記ボトム電極と向かい合い、前記トップエッジ電極は、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
前記第1のレベルよりも下方の第3のレベルに露出表面を有するボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、電気的に接地され、前記ボトムエッジ電極は、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記ボトムエッジ電極の前記露出表面および前記トップエッジ電極の前記露出表面は、互いに向かい合うように配置され、前記トップエッジ電極の前記露出表面と前記ボトムエッジ電極の前記露出表面との間には、クリーニング用プラズマが生成されるように構成され、前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、動作中に電気的地帰路を提供する、ボトムエッジ電極と、
前記トップエッジ電極の周囲に配されたトップ絶縁リングであって、ほぼ前記第2のレベルに配された表面を有するトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極の周囲に配されたボトム絶縁リングであって、ほぼ前記第3のレベルに配された表面を有するボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態12]
形態11に記載のプラズマ処理チャンバであって、
空間内における前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の距離は、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の間隔にほぼ等しい、プラズマ処理チャンバ。
[形態13]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有する、トップエッジ電極と、
電気的に接地された前記ボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きである、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。
[形態14]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記ボトムエッジ電極は、実質的に平らであり、前記トップエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。
[形態15]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記基板が存在するときに該基板のエッジ付近に空間を形成する、プラズマ処理チャンバ。
[形態16]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔対前記第2の間隔は、約2:1の比を有する、プラズマ処理チャンバ。
[形態17]
形態16に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記比によってプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。
[形態18]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態19]
形態18に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有する、プラズマ処理チャンバ。
[形態20]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングは、実質的に互いに面する、プラズマ処理チャンバ。
[形態21]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態22]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。
[形態23]
形態13に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。
[形態24]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有し、前記基板が存在するときに前記絶縁体板に面する前記基板の前記表面と前記絶縁体板との間の距離は、約1.0mm未満である、トップエッジ電極と、
電気的に接地された前記ボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きである、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きく、
トップ絶縁リングが、前記トップエッジ電極を取り囲み、
ボトム絶縁リングが、前記ボトムエッジ電極を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
[形態25]
形態24に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ絶縁リングは、前記L字型の前記基線部分にほぼ等しい距離にわたり、前記ボトム絶縁リングは、前記ボトム電極にほぼ等しい距離にわたる、プラズマ処理チャンバ。
[形態26]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。
[形態27]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極は、実質的に平らであり、前記ボトムエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。
[形態28]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記基板が存在するときに該基板のエッジ付近に空間を形成する、プラズマ処理チャンバ。
[形態29]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔対前記第2の間隔は、約2:1の比を有する、プラズマ処理チャンバ。
[形態30]
形態29に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記比によってプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。
[形態31]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態32]
形態31に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有する、プラズマ処理チャンバ。
[形態33]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングは、実質的に互いに面する、プラズマ処理チャンバ。
[形態34]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態35]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。
[形態36]
形態26に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。
[形態37]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きく、
トップ絶縁リングが、前記トップエッジ電極を取り囲み、
ボトム絶縁リングが、前記ボトムエッジ電極を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。
[形態38]
基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有する、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記トップエッジ電極の前記L字型は、前記ボトムエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。
[形態39]
形態38に記載のプラズマ処理チャンバであって、
第1の間隔が、前記トップエッジ電極の前記L字型の前記縦線部分と前記ボトムエッジ電極の前記L字型の前記縦線部分との間に形成され、第2の間隔が、前記トップエッジ電極の前記L字型の前記基線部分と前記ボトムエッジ電極の前記L字型の前記基線部分との間に形成される、プラズマ処理チャンバ。
[形態40]
形態39に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。
[形態41]
形態40に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記L字型の前記縦線部分どうしの間にプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。
[形態42]
形態38に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態43]
形態38に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。
[形態44]
形態38に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。
[形態45]
形態38に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。
Claims (44)
- 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板を受けるように構成されたボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続され、前記基板を受けるボトム電極表面を有する、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離されたボトムエッジ電極であって、前記トップエッジ電極と向かい合い、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間には、前記基板が前記ボトム電極の上に配されて前記ボトムエッジ電極と前記トップエッジ電極との間に前記基板の前記ベベルエッジが露出されたときに前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマが生成され、前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極は、電気的地帰路を提供するために大地に電気的に接続される、ボトムエッジ電極と、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、を備え、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有し、
前記トップ絶縁リングおよび前記ボトム絶縁リングは、前記向かい合う電極表面と実質的に揃っている向かい合う露出表面を有し、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の距離は、間隔距離を形成し、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の距離は、空間内への前記クリーニング用プラズマの閉じ込めを助けるためにほぼ同じ間隔距離を形成する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間には、前記基板が前記ボトム電極の上に配されたときに前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記クリーニング用プラズマを閉じ込めるように構成された前記空間が形成される、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の前記距離は、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の前記間隔にほぼ等しい、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに前記基板に面する前記トップ絶縁リングの表面は、前記基板に面する前記トップエッジ電極の前記表面と揃っており、前記トップ絶縁リングに面する前記ボトム絶縁リングの前記表面は、前記トップエッジ電極に面する前記ボトムエッジ電極の前記表面と揃っている、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項4に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ絶縁リングおよび前記ボトム絶縁リングは、前記クリーニング用プラズマの閉じ込めを助ける、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを供給するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備える、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップ電極アセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップ電極アセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プロセス処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
発生器は、約2MHzから約60MHzまでの間の周波数のRF電力を供給する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項1に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記絶縁体板に面する前記基板の前記表面と前記絶縁体板との間の距離は、約1.0mm未満である、プラズマ処理チャンバ。 - プラズマ処理チャンバであって、
前記基板を受けるように構成された第1のレベルに支持表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続された、ボトム電極と、
前記第1のレベルよりも上方の第2のレベルに露出表面を有するトップエッジ電極であって、前記トップエッジ電極は、絶縁体板を取り囲み、前記ボトム電極と向かい合い、前記トップエッジ電極は、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
前記第1のレベルよりも下方の第3のレベルに露出表面を有するボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、電気的に接地され、前記ボトムエッジ電極は、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記ボトムエッジ電極の前記露出表面および前記トップエッジ電極の前記露出表面は、互いに向かい合うように配置され、前記トップエッジ電極の前記露出表面と前記ボトムエッジ電極の前記露出表面との間には、クリーニング用プラズマが生成されるように構成され、前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、動作中に電気的地帰路を提供する、ボトムエッジ電極と、
前記トップエッジ電極の周囲に配されたトップ絶縁リングであって、ほぼ前記第2のレベルに配された表面を有するトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極の周囲に配されたボトム絶縁リングであって、ほぼ前記第3のレベルに配された表面を有するボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項10に記載のプラズマ処理チャンバであって、
空間内における前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間の距離は、前記トップ絶縁リングと前記ボトム絶縁リングとの間の間隔にほぼ等しい、プラズマ処理チャンバ。 - 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有する、トップエッジ電極と、
電気的に接地された前記ボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きである、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記ボトムエッジ電極は、実質的に平らであり、前記トップエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記基板が存在するときに該基板のエッジ付近に空間を形成する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔対前記第2の間隔は、約2:1の比を有する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項15に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記比によってプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項17に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングは、実質的に互いに面する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項12に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。 - 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有し、前記基板が存在するときに前記絶縁体板に面する前記基板の前記表面と前記絶縁体板との間の距離は、約1.0mm未満である、トップエッジ電極と、
電気的に接地された前記ボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きである、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きく、
トップ絶縁リングが、前記トップエッジ電極を取り囲み、
ボトム絶縁リングが、前記ボトムエッジ電極を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項23に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ絶縁リングは、前記L字型の前記基線部分にほぼ等しい距離にわたり、前記ボトム絶縁リングは、前記ボトム電極にほぼ等しい距離にわたる、プラズマ処理チャンバ。 - 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極は、実質的に平らであり、前記ボトムエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記基板が存在するときに該基板のエッジ付近に空間を形成する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔対前記第2の間隔は、約2:1の比を有する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項28に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記比によってプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項30に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップエッジ電極および前記ボトムエッジ電極の各々は、前記ボトム電極表面から離された向かい合う電極表面を有する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記トップ誘電体リングおよび前記ボトム誘電体リングは、実質的に互いに面する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項25に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。 - 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離された、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記L字型は、前記トップエッジ電極と前記ボトムエッジ電極との間に第1の間隔および第2の間隔を形成し、
前記第1の間隔は、水平の向きであって前記ボトム誘電体リングに隣接する前記L字型の前記縦線部分によって定められ、
前記第2の間隔は、前記ボトム誘電体リングから半径方向外向きに離された前記L字型の前記基線部分によって定められ、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きく、
トップ絶縁リングが、前記トップエッジ電極を取り囲み、
ボトム絶縁リングが、前記ボトムエッジ電極を取り囲む、プラズマ処理チャンバ。 - 基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板を支持するためのボトム電極表面を有するボトム電極であって、高周波(RF)電源に接続される、ボトム電極と、
前記ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極であって、電気的に接地され、トップ誘電体リングによって前記絶縁体板から隔離され、前記トップエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分がボトムエッジ電極に面する向きである下向きのL字型を有する、トップエッジ電極と、
電気的に接地されたボトムエッジ電極であって、前記ボトム電極を取り囲み、ボトム誘電体リングによって前記ボトム電極から隔離され、前記トップエッジ電極と向かい合う向きであり、前記ボトムエッジ電極は、縦線部分が水平の向きであって基線部分が前記トップエッジ電極に面する向きである上向きのL字型を有する、ボトムエッジ電極と、を備え、
前記トップエッジ電極の前記L字型は、前記ボトムエッジ電極の前記L字型に面する、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項37に記載のプラズマ処理チャンバであって、
第1の間隔が、前記トップエッジ電極の前記L字型の前記縦線部分と前記ボトムエッジ電極の前記L字型の前記縦線部分との間に形成され、第2の間隔が、前記トップエッジ電極の前記L字型の前記基線部分と前記ボトムエッジ電極の前記L字型の前記基線部分との間に形成される、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項38に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記第1の間隔は、前記第2の間隔よりも大きい、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項39に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記基板が存在するときに該基板の前記ベベルエッジをクリーニングするように前記プラズマ処理チャンバが機能するときに、前記L字型の前記縦線部分どうしの間にプラズマが部分的に閉じ込められる、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項37に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記トップエッジ電極を取り囲むトップ絶縁リングと、
前記ボトムエッジ電極を取り囲むボトム絶縁リングと、
を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項37に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするためにプロセスガスを提供するために前記絶縁体板に埋め込まれたガス供給路を備えるプラズマ処理チャンバ。 - 請求項37に記載のプラズマ処理チャンバであって、さらに、
前記基板の前記ベベルエッジをクリーニングするために前記基板が存在するときに該基板の前記エッジ付近にプロセスガスを供給するためにトップアセンブリに埋め込まれた複数のガス流路を備え、前記トップアセンブリは、前記絶縁体板および前記トップエッジ電極を含む、プラズマ処理チャンバ。 - 請求項37に記載のプラズマ処理チャンバであって、
前記RF電源は、約2MHzから約60MHzまでの間に設定される、プラズマ処理チャンバ。
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