CN101533764B - 喷淋头和基板处理装置 - Google Patents

喷淋头和基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101533764B
CN101533764B CN2009101270416A CN200910127041A CN101533764B CN 101533764 B CN101533764 B CN 101533764B CN 2009101270416 A CN2009101270416 A CN 2009101270416A CN 200910127041 A CN200910127041 A CN 200910127041A CN 101533764 B CN101533764 B CN 101533764B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
gas
spray head
opposite face
platform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2009101270416A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101533764A (zh
Inventor
饭塚八城
切石史子
小宫山刚司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN101533764A publication Critical patent/CN101533764A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101533764B publication Critical patent/CN101533764B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow

Abstract

本发明提供一种能够实现处理的均匀性高于以往的喷淋头和基板处理装置。在该喷淋头(100)的中央部设置有多个用于供给处理气体的中央侧气体喷出孔(10)。另外，在喷淋头(100)的周边部设置有多个用于供给处理气体的周边侧气体喷出孔(11)。在中央侧气体喷出孔(10)和周边侧气体喷出孔(11)之间的区域设置有多个排气孔(30)。

Description

喷淋头和基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于基板的等离子体处理等的喷淋头和基板处理装置。
背景技术
以往，在例如半导体装置的制造工序中，作为处理半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃基板等的基板的处理装置，使用从与基板相对设置的喷淋头以喷淋状供给气体并同时进行基板的处理的基板处理装置。
例如已知下述这样的等离子体处理装置，在处理腔室内产生处理气体的等离子体，通过该等离子体进行配置在处理腔室内的基板的等离子体处理、例如蚀刻处理或成膜处理，在这样的等离子体处理装置中，其结构为，上述喷淋头构成与载置基板的载置台相对的相对电极，从喷淋头以喷淋状供给规定的处理气体，并且从载置台(基板)的周围向处理腔室的下方排气，与此同时，在喷淋头和载置台之间施加高频电力，产生处理气体的等离子体。
另外，也已知构成为从喷淋头的周围向处理腔室的上方进行排气的等离子体处理装置(例如参照专利文献1)。另外，也已知构成为从喷淋头的中央部排气的CVD装置(例如参照专利文献2)。
专利文献1：日本特许第2662365号公报
专利文献2：日本特开2004-339566号公报
在上述的以往的技术中，构成从载置台(基板)的周围向处理腔室的下方排气，或者从喷淋头的周围向处理腔室的上方排气的结构。因此，从喷淋头供给的气体形成从基板的中央部向周边部流动的流动，在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理的面内均匀性降低的问题。另外，在从喷淋头的中央部排气的技术中，从喷淋头供给的气体形成从基板的周边部向中央部流的流动，与上述情况相同，在基板的中央部和周边部，处理状态容易出现差异，存在处理的面内均匀性降低的问题。另外，上述那样的处理的面内均匀性的降低随着被处理基板例如半导体晶片等的大型化而存在愈加显著的趋势。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种能够实现处理的均匀性高于以往技术的喷淋头和基板处理装置。
本发明第一方面涉及一种喷淋头，其形成与载置台相对的相对面，从该相对面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所述基板的处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头包括：从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
本发明第二方面的喷淋头为，在第一方面的喷淋头中，形成与所述载置台相对的相对电极。
本发明第三方面涉及一种基板处理装置，其具有：在内部处理基板的处理腔室；设置于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台；形成与所述载置台相对的相对面，从该相对面向所述基板以喷淋状供给气体的喷淋头，在该基板处理装置中，所述喷淋头具备：从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
本发明第四方面的基板处理装置为，在第三方面的基板处理装置中，所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。
本发明第五方面的基板处理装置为，在第四方面的基板处理装置中，对所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子体，通过该等离子体进行所述基板的处理。
本发明第六方面的基板处理装置为，在第五方面的基板处理装置中，所述基板的处理为蚀刻处理。
根据本发明能够提供一种能够实现处理的均匀性高于以往技术的喷淋头和基板处理装置。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的喷淋头的结构图。
图2是图1的喷淋头的下表面的图。
图3是表示本发明的一实施方式的等离子体蚀刻装置的结构图。
图4是表示实施方式的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果的模拟图像照片。
图5是表示以往的等离子体蚀刻装置的气体流动的模拟结果的模拟图像照片。
附图标记说明
10：中央侧气体喷出孔；
11：周边侧气体喷出孔；
12：中央侧气体扩散空间；
13：周边侧气体扩散空间；
14：气体流路；
15：气体导入部；
30：排气孔；
31：排气用空间；
100：喷淋头；
101：下侧面(相对面)。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1、2是表示本实施方式的喷淋头的结构的图，图1示意地表示喷淋头100的剖面概略结构，图2示意地表示喷淋头100的下侧面101的外观概略结构。另外，图2所示的喷淋头100的下侧面101如后所示形成与载置基板的载置台相对的相对面。
喷淋头100由具有导电性的材料例如对表面实施了阳极氧化处理的铝等构成板状(本实施方式中为圆板状)。在该喷淋头100的中央部，如图2所示，设置有多个用于供给处理气体的中央侧气体喷出孔10。另外，在喷淋头100的周边部，如图2所示，设置有多个用于供给处理气体的周边侧气体喷出孔11。并且，在中央侧气体喷出孔10和周边侧气体喷出孔11之间的区域上设有多个排气孔30。这些排气孔30其口径形成例如3mm左右，用于处理10英寸直径的半导体晶片的喷淋头100的情况下，设置2800个左右。
如图1所示，在喷淋头100内的中央部形成有与上述的中央侧气体喷出孔10对应的中央侧气体扩散空间12，在喷淋头100内的周边部按照环形形成有与上述的周边侧气体喷出孔11对应的周边侧气体扩散空间13。并且，中央侧气体扩散空间12和周边侧气体扩散空间13由从喷淋头100的中央部到周边部以放射状设置的多个(例如四个)气体流路14连通。
另外，在上述中央侧气体扩散空间12上连接有气体导入部15。并且，如图1箭头所示，从气体导入部15供给中央侧气体扩散空间12的处理气体从中央侧气体喷出孔10喷出，并且通过气体流路14而导入周边侧气体扩散空间13，从周边侧气体喷出孔11喷出。另外，在本实施方式中构成为，气体导入部15仅设置于中央侧气体扩散空间12中，从中央侧气体扩散空间12通过气体流路14而将处理气体导入周边侧气体扩散空间13，但是也可以构成为在周边侧气体扩散空间13上也另外设置气体供给部，将处理气体分别导入中央侧气体扩散空间12和周边侧气体扩散空间13。通过这样的结构，能够独立控制气体从中央侧气体喷出孔10喷出的状态和气体从周边侧气体喷出孔11喷出的状态，也能够各自喷出相互不同种类的气体。
另外，在喷淋头100内的中央侧气体扩散空间12和周边侧气体扩散空间13之间的区域上设有与上述排气孔30连通的排气用空间31，如图1中箭头所示，经由该排气用空间31从排气孔30排气而构成。
如上所述，喷淋头100具备从设置于其下侧面(与基板的相对面)101的周边部的周边侧气体喷出孔11供给气体的周边侧气体供给部、从设置于中央部的中央侧气体喷出孔10供给气体的中央侧气体供给部、和从设置于外周侧气体供给部和中央侧气体供给部之间的多个排气孔30排气的排气部。
图3表示作为具备上述喷淋头100的基板处理装置的等离子体蚀刻装置200的结构。该等离子体蚀刻装置200作为电极板上下平行相对且连接等离子体形成用电源的电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置构成。
等离子体蚀刻装置200具有由例如表面被进行过阳极氧化处理的铝等构成而成形为圆筒形的处理腔室(处理容器)201，该处理腔室201接地。在处理腔室201的底部隔着陶瓷等的绝缘板202设有大致圆柱状的基座支承台(サセプタ支持台)203。另外，在该基座支承台203之上载置作为被处理基板的半导体晶片，并且设置构成下部电极的基座(载置台)204。在该基座204上连接未图示的高频电源等的高频电力施加装置。
在基座204的上侧设有用于在其上静电吸附半导体晶片的静电卡盘205。静电卡盘205在绝缘材料之间配置电极而构成，通过对该电极施加直流电压，而由库伦力静电吸附半导体晶片。
在基座204上设有未图示的冷却机构，能够对吸附在静电卡盘205上的半导体晶片进行温度调整直至规定温度。另外，在处理腔室201的侧壁部形成有用于将半导体晶片搬入处理腔室201内或者将半导体晶片从中搬出的开口206，在此设有用于气密闭塞开口206的未图示的开闭机构(门阀)。
在基座204的上方配置图1所示的喷淋头100，使其与基座204隔着规定间隔相对。并且，喷淋头100构成上部电极，基座204构成下部电极，从而构成一对相对电极。
在喷淋头100的气体导入部15上连接有气体供给配管210。气体供给配管210上从未图示的气体供给机构供给规定的处理气体(蚀刻气体)。
另外，在喷淋头100的上部设有排气部220，在该排气部220上隔着未图示的过滤机构连接有具有碳分子泵等的真空泵的排气系统。另外，由于对于处理腔室201的处理空间(喷淋头100和基座204之间的空间)向上方排气，过滤机构用于在处理腔室201的处理空间内产生的颗粒等被暂时导入排气部220内后，防止上述颗粒向处理腔室201的处理空间内逆流，并且防止颗粒等侵入真空泵等排气系统。
通过上述结构的等离子体蚀刻装置200，进行半导体晶片的等离子体蚀刻的情况下，首先，半导体晶片被从开口206向处理腔室201内搬入，载置于静电卡盘205上。并且，半导体晶片被静电吸附在静电卡盘205上。接着，关闭开口206，通过排气系统来将处理腔室201内抽真空到规定的真空度。
之后，规定流量的规定处理气体(蚀刻气体)从气体供给配管210供给喷淋头100的气体导入部15，该处理气体从喷淋头100的中央侧气体喷出孔10和周边侧气体喷出孔11以喷淋状供给到基座204上的半导体晶片上。
并且，处理腔室201内的压力维持为规定压力后，在基座204上施加规定频率、例如13.56MHz的高频电力。由此，在作为上部电极的喷淋头100和作为下部电极的基座204之间产生高频电场，蚀刻气体解离而等离子体化。通过该等离子体对半导体晶片进行规定的蚀刻处理。
在上述的蚀刻处理中，从喷淋头100的中央侧气体喷出孔10以喷淋状供给的处理气体在周边方向上扩散，同时从排气孔30排出。另外，从喷淋头100的周边侧气体喷出孔11以喷淋状供给的处理气体在中央方向上扩散，同时从排气孔30排出。这样，沿着半导体晶片的径方向，形成向双向的两个处理气体的流动，所以与以往那样形成从半导体晶片的中央部向周边部或从周边部向中央部的单方向的处理气体的流动的情况相比，能够使供给半导体晶片的处理气体更均匀化，能够对半导体晶片的各部分实施均匀的蚀刻处理。即，能够提高处理的面内均匀性。
并且，规定的等离子体蚀刻处理结束，则高频电力的供给和处理气体的供给停止，以与上述顺序相反的顺序，半导体晶片从处理腔室201内搬出。
上述结构的等离子体蚀刻装置200的气体流动的模拟结果示于图4。另外，为了进行比较，以往的从处理腔室的下部排气的类型的等离子体蚀刻装置的气体的流动的模拟结果示于图5。模拟的模型为扇形(θ10度)，气孔个数则再现上述实施方式，排气孔作为面排气设定开口率、传导系数。另外，在图4、图5中，上段表示气体流量为100sccm的情况，中段表示气体流量为500sccm的情况，下段表示气体流量为1000sccm的情况，设定为面积比为恒定量进行喷出，压力为4.0Pa(30mTorr)，温度为60℃。
如图4所示，在本实施方式中的等离子体蚀刻装置200中，气体流量即使变多，中央侧的流动和周边侧的流动也表示出大致相同的倾向。另外，气体在中央侧和周边侧以大致相同速度流动，在半导体晶片的相对面以较近的距离对称地排气，所以在半导体晶片面内的停留时间(residence time)在中央侧和周边侧大致相同。相对于此，如图5所示，在以往的等离子体蚀刻装置中，周边侧的气体的流动比中央侧的气体的流动多，供给中央侧的气体的流动比较缓慢，相对于此供给周边侧的气体显示快速流动的倾向。另外，在半导体晶片的中央侧和周边侧，气体的流动的距离也不同，半导体晶片面内的停留时间在中央侧和周边侧不同。如该模拟结果所示，根据本实施方式中的等离子体蚀刻装置200，与以往相比能够进行均匀的处理。
另外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如在上述的实施方式中，说明了关于本发明适用于等离子体蚀刻装置的情况，但是不限于等离子体蚀刻装置，也能够适用于CVD装置等的成膜装置或其他基板处理装置。另外，在上述的实施方式中，说明了喷淋头为接地电位的情况，但是也能够适用于对喷淋头施加高频电力的类型的装置。

Claims (6)

1.一种喷淋头，其形成有与载置台相对的相对面，用于从该相对面向基板以喷淋状供给气体，该载置台设置于在内部处理所述基板的处理腔室并用于载置所述基板，该喷淋头的特征在于，包括：
从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；
从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及
排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：
所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。
3.一种基板处理装置，其具有：在内部处理基板的处理腔室；设置于所述处理腔室内，用于载置所述基板的载置台；形成有与所述载置台相对的相对面，从该相对面向所述基板以喷淋状供给气体的喷淋头，该基板处理装置的特征在于，
所述喷淋头具备：
从所述相对面的中央部向所述基板供给气体的中央侧气体供给部；
从所述相对面的周边部向所述基板供给气体的周边侧气体供给部；以及
排气部，其具有设置于所述中央侧气体供给部和所述周边侧气体供给部之间的多个排气孔，从所述相对面进行排气。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述喷淋头形成与所述载置台相对的相对电极。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
对所述喷淋头和所述载置台之间施加高频电力而产生等离子体，通过该等离子体进行所述基板的处理。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：
所述基板的处理为蚀刻处理。
CN2009101270416A 2008-03-14 2009-03-13 喷淋头和基板处理装置 Expired - Fee Related CN101533764B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-065352 2008-03-14
JP2008065352 2008-03-14
JP2008065352A JP5202050B2 (ja) 2008-03-14 2008-03-14 シャワーヘッド及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101533764A CN101533764A (zh) 2009-09-16
CN101533764B true CN101533764B (zh) 2012-05-23

Family

ID=40953309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009101270416A Expired - Fee Related CN101533764B (zh) 2008-03-14 2009-03-13 喷淋头和基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8236106B2 (zh)
JP (1) JP5202050B2 (zh)
KR (1) KR101056219B1 (zh)
CN (1) CN101533764B (zh)
DE (1) DE102009012878B4 (zh)
TW (1) TWI411036B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5231117B2 (ja) * 2008-07-24 2013-07-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 成膜装置および成膜方法
US9243327B2 (en) * 2009-11-02 2016-01-26 Toray Industries, Inc. Plasma CVD device and method of manufacturing silicon thin film
JP5432686B2 (ja) * 2009-12-03 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2011144412A (ja) * 2010-01-13 2011-07-28 Honda Motor Co Ltd プラズマ成膜装置
FI124414B (fi) * 2010-04-30 2014-08-29 Beneq Oy Lähde ja järjestely substraatin käsittelemiseksi
JP5591585B2 (ja) * 2010-05-17 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8869742B2 (en) * 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
TWI507561B (zh) * 2010-12-10 2015-11-11 Ind Tech Res Inst 結合進氣和排氣的噴灑頭
TWI461566B (zh) 2011-07-01 2014-11-21 Ind Tech Res Inst 鍍膜用噴灑頭以及鍍膜裝置
US10066297B2 (en) * 2011-08-31 2018-09-04 Alta Devices, Inc. Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor
US9175393B1 (en) * 2011-08-31 2015-11-03 Alta Devices, Inc. Tiled showerhead for a semiconductor chemical vapor deposition reactor
US8900364B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Intermolecular, Inc. High productivity vapor processing system
JP6134191B2 (ja) * 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチａｌｄ装置
KR102156795B1 (ko) * 2013-05-15 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 증착 장치
US9490149B2 (en) * 2013-07-03 2016-11-08 Lam Research Corporation Chemical deposition apparatus having conductance control
JP6338462B2 (ja) 2013-09-11 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR101590897B1 (ko) * 2014-07-31 2016-02-03 세메스 주식회사 샤워 헤드 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2016036018A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びガス供給部材
JP6404111B2 (ja) * 2014-12-18 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10167552B2 (en) * 2015-02-05 2019-01-01 Lam Research Ag Spin chuck with rotating gas showerhead
CN105225914B (zh) * 2015-08-25 2018-01-23 沈阳拓荆科技有限公司 一种改善晶圆表面薄膜形貌的半导体等离子处理装置
US10403515B2 (en) * 2015-09-24 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Loadlock integrated bevel etcher system
CN106498368B (zh) * 2016-11-21 2019-04-23 南昌大学 一种用于mocvd设备的喷淋头
JP2018093148A (ja) 2016-12-07 2018-06-14 東京エレクトロン株式会社 給排気構造
KR102096700B1 (ko) * 2017-03-29 2020-04-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102577264B1 (ko) 2018-04-20 2023-09-11 삼성전자주식회사 샤워헤드 및 기판 처리 장치
KR102204883B1 (ko) 2019-05-09 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1830072A (zh) * 2003-09-03 2006-09-06 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
JPS61174388A (ja) * 1985-01-30 1986-08-06 Hitachi Ltd エツチング装置
EP0518524B1 (en) * 1991-05-30 1996-09-04 Hitachi, Ltd. Valve and semiconductor fabricating equipment using the same
US5453124A (en) * 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
JP2662365B2 (ja) 1993-01-28 1997-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置
US5744049A (en) * 1994-07-18 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same
US5728224A (en) * 1995-09-13 1998-03-17 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Apparatus and method for manufacturing a packaging material using gaseous phase atmospheric photo chemical vapor deposition to apply a barrier layer to a moving web substrate
JPH1027784A (ja) * 1996-05-08 1998-01-27 Tokyo Electron Ltd 減圧処理装置
US6537418B1 (en) * 1997-09-19 2003-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Spatially uniform gas supply and pump configuration for large wafer diameters
JPH11144891A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Toshiba Corp プラズマ処理装置
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
CN100371491C (zh) * 1999-08-17 2008-02-27 东京电子株式会社 脉冲等离子体处理方法及其设备
JP4487338B2 (ja) * 1999-08-31 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置及び成膜処理方法
WO2002008487A1 (en) * 2000-07-24 2002-01-31 The University Of Maryland, College Park Spatially programmable microelectronics process equipment using segmented gas injection showerhead with exhaust gas recirculation
US7169231B2 (en) * 2002-12-13 2007-01-30 Lam Research Corporation Gas distribution system with tuning gas
US7537662B2 (en) * 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
JP2004339566A (ja) 2003-05-15 2004-12-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US7408225B2 (en) 2003-10-09 2008-08-05 Asm Japan K.K. Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US7572337B2 (en) * 2004-05-26 2009-08-11 Applied Materials, Inc. Blocker plate bypass to distribute gases in a chemical vapor deposition system
JP2006019552A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2006165173A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
US7608549B2 (en) * 2005-03-15 2009-10-27 Asm America, Inc. Method of forming non-conformal layers
US7718030B2 (en) * 2005-09-23 2010-05-18 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling radical distribution
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1830072A (zh) * 2003-09-03 2006-09-06 东京毅力科创株式会社 气体处理装置和散热方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8236106B2 (en) 2012-08-07
DE102009012878B4 (de) 2014-04-30
DE102009012878A1 (de) 2009-09-17
JP2009224441A (ja) 2009-10-01
TWI411036B (zh) 2013-10-01
KR20090098727A (ko) 2009-09-17
KR101056219B1 (ko) 2011-08-11
US20090229754A1 (en) 2009-09-17
TW200949934A (en) 2009-12-01
JP5202050B2 (ja) 2013-06-05
CN101533764A (zh) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101533764B (zh) 喷淋头和基板处理装置
CN101540273B (zh) 喷淋头以及基板处理装置
CN101546685B (zh) 等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法
US8097120B2 (en) Process tuning gas injection from the substrate edge
US20170345626A1 (en) Localized Process Control Using A Plasma System
KR102454532B1 (ko) 전기적 아크 및 발광을 방지하고 프로세스 균일도를 개선하기 위한 피처들을 갖는 정전 척
TWI392043B (zh) A substrate holding member and a substrate processing apparatus
TWI633573B (zh) Plasma processing device and method
US9240307B2 (en) Plasma processing apparatus
TWI719377B (zh) 半導體裝置製造設備與製造方法
WO2007026889A1 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、これに用いられる誘電体窓及びその製造方法
KR20200051494A (ko) 배치대, 엣지 링의 위치 결정 방법 및 기판 처리 장치
US8545672B2 (en) Plasma processing apparatus
TW202141563A (zh) 電漿處理裝置
JP2018121051A (ja) プラズマ処理装置
TWI544106B (zh) Electrolyte processing device
CN109841476A (zh) 半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置
KR101702869B1 (ko) 원자층 식각장치
US20160293474A1 (en) Semiconductor processing system
KR20200051505A (ko) 배치대 및 기판 처리 장치
KR100712224B1 (ko) 냉각 유로
TWI731994B (zh) 用於介電蝕刻腔室之腔室填充物套組
US20040261714A1 (en) Plasma processing apparatus
KR100712225B1 (ko) 정전척
US20230317416A1 (en) Plasma showerhead with improved uniformity

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120523

Termination date: 20210313

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee