CN101273439B - 用于从基片上去除边缘聚合物的装置 - Google Patents
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Abstract
披露了一种产生用于从基片去除边缘聚合物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，其包括通电电极、第一介电层、以及设置于该通电电极和该第一介电层之间的第一金属丝网。该实施方式还包括接地电极组件，其相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层防护该第一金属丝网不受该等离子影响，该腔在一端具有出口，用于提供该等离子以去除该边缘聚合物。
Description
技术领域
本发明大体上涉及基片制造技术，更具体地，涉及用于从基片上去除边缘聚合物的装置及方法。
背景技术
在基片(例如，半导体基片或如在平板显示器制造中使用的玻璃板)处理中，经常使用等离子。例如，作为基片处理的一部分，基片被分为多个模片，或者矩形区域，其每个会成为一块集成电路。然后在一系列的步骤中处理基片，在这些步骤中材料被有选择性地去除(蚀刻)和沉积。在纳米级别上控制晶体管门临界尺寸(CD)是最优先考虑的，因为对目标门长度的每个纳米的偏离可直接影响这些器件的运行速度。
然后，硬化的乳胶区域被有选择地去除，使得下层的部分暴露在外。然后，将基片置于等离子处理室中的基片支撑结构上，该支撑结构包括单极或双极电极，称为卡盘或基架。然后，合适的蚀刻剂气体流入该室中并且被激发形成用于蚀刻该基片暴露区域的等离子。
在蚀刻处理过程中，在基片斜面区域的顶部和底部形成聚合物副产物(边缘聚合物)并非罕见的。斜面区域是指在基片周界上不存在模片的表面区域。通常，在蚀刻处理过程中，形成于基片斜面上的聚合物是有机物，并且可能由碳(C)、氧(O)、氮(N)、和/或氟(F)组成。但是，当因多种不同的蚀刻处理而导致接连不断的聚合物层沉积在斜面边缘区域上时，通常强健和有粘性的有机粘结剂将会最终变弱并且脱落或剥落，在运输中往往会落到另一个基片上。例如，基片通常经由充分干净的容器(通常称为匣子)成批地在等离子处理系统之间移动。当较高位置的基片重新置于该容器中时，部分聚合物层会落到存在有模片的较低的基片上，这潜在地影响了器件产量。
如通常所知道的那样，去除聚合物的相对简单且低成本的方法可以是使用大气压(或高压)等离子射流(APPJ)，该方法一般允许等离子集中在基片的特定位置上，由此最小化对基片上模片的潜在损坏。APPJ设备通常将大量的惰性气体(例如，He，等)与少量的反应性气体(例如，CF4、O2，等)在环形体积(例如，管筒、柱体，等)中相混合，该环形体积形成于rf-通电电极(沿该源的纵轴)和接地电极之间。然后，所产生的等离子通过由气体的流入(influx)(气体流入(influent))所产生的压力被压迫出该环形体积(等离子流出)的一端。可通过调节气体流入压力以及APPJ设备上排出孔的形状和大小来控制该等离子流出的形状和大小。
另外，APPJ还可与反应性离子蚀刻(RIE)相结合，以去除聚合物副产物。通常，RIE结合化学和离子处理以从基片去除材料。一般地，等离子中的离子通过撞击基片表面，以及破坏在该表面上原子的化学键以使它们更易与该化学处理的分子反应，从而增强化学处理。当在大气压力条件下运行时，大气压等离子与低压等离子相比是相对便宜的，因为低压等离子需要复杂的泵系统以在接近于真空条件下运行。APPJ设备还易受到电弧放电(arcing)的影响。
电弧通常是一种高功率密度的短路，其具有微型爆炸(miniatureexplosion)效应。当电弧发生在靶材或室固定装置(fixture)表面上或其表面附近时，可形成重大的破坏，例如局部熔化。等离子电弧通常由低等离子阻抗产生，该等离子阻抗可导致稳定增加的电流。如果电阻足够低，电流将会无限地增加(仅受电源和阻抗限制)，从而产生短路，其中发生全部能量转移。这可能会造成对基片以及等离子室的破坏。为抑制电弧放电，必须保持相对高的等离子阻抗。通常的解决方法可利用相对高流率的大体积的惰性气体来限制等离子中的离子化比率。另一种解决方法可沿该通电电极的纵轴设置具有相同电位的狭槽，从而减小电弧放电的可能性。
例如，在通常的大气压等离子配置中，rf功率在通电电极和一组接地电极之间产生放电，其使处理气体(例如O2)离子化。但是，随着等离子中带电物质(即，离子等)的密度增加(一般大于2％)，在暴露的电极处产生破坏性电弧的可能性也增加。因此，大部分大气压等离子处理一般还包括几乎不带电的(惰性)气体，例如He，其限制离子化。但是，在聚合物副产物去除应用中，大体积(高流量)的惰性气体可能会使大气压等离子的使用在经济上是不可行的。例如，从基片上仅5mm2表面区域大量去除聚合物可需要10slm(标准升每分钟)以上的惰性气体。对于单个一般的300mm基片，这对应于超过100升惰性气体的消耗。除了获得半导体级别惰性气体的花费外，在制造设备中存储如此大体积的气体可能是行不通的。另外，因为所需要的惰性气体处理设备可能较为昂贵，所以清洁和回收惰性气体可能是经济上不可行的。
现参考图1，示出大气压等离子射流设备的简化示意图，其中通电电极和接地电极均被配置在腔壁上。通常，惰性气体118(例如，He等)和处理气体116(例如，CF4等)流入到密封盒体114中以用于增压。这些气体转而通过气体流入115输入放电室腔110，在该腔中利用RF功率源108激发等离子并在腔110的一端从排出孔117产生等离子流出104，以清洁基片102。通常，排出孔117的形状和直径会影响沿横向和纵向轴的等离子流出104的相应形状(例如，横向窄且纵向深、横向宽且纵向浅，等)。但是，如前所述，可能需要大体积的惰性气体，以防止在通电电极106到接地电极112之间产生电弧105。
现参考图2，示出大气压等离子射流设备的简化示意图，其中通电电极配置为中心棒，而一个或多个接地电极配置在腔的内表面上。一般地，所前所述，惰性气体118(例如，He等)和处理气体116(例如，CF4等)流入到密封盒体114中以用于增压。这些气体转而通过气体流入115输入放电室腔110，在该腔中利用RF功率源108激发等离子104并在腔110的一端从排出孔117产生等离子流出104，以清洁基片102。通常，排出孔117的形状和直径会影响沿横向和纵向轴的等离子流出104的相应形状(例如，横向窄且纵向深、横向宽且纵向浅，等)。但是，如前所述，可能需要大体积的惰性气体，以防止在通电电极106到接地电极112之间产生电弧105。
现参考图3，示出基片的简化示意图，其中一组边缘聚合物已经沉积在平面背部上。如前所述，在蚀刻处理过程中，于基片上形成聚合物副产物(边缘聚合物)并非罕见。在该示例中，聚合物副产物已沉积在该平面背部上，也就是基片远离等离子那一侧。例如，聚合物厚度在约70°302处为约250nm，在约45°304处为约270nm，并且在约0°306处为约120nm。总体上说，聚合物的厚度越大，该聚合物的一部分移位并落在其它基片上的可能性就越高，这潜在地影响了制造产出。
综上所述，期望用于从基片去除边缘聚合物的装置和方法。
发明内容
在一个实施方式中，本发明涉及一种产生用于从基片去除边缘聚合物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，其包括通电电极、第一介电层、以及第一金属丝网，该第一金属丝网设置于该通电电极和该第一介电层之间。该实施方式还包括接地电极组件，其相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层将该第一金属丝网与该等离子屏蔽开，该腔在一端具有出口，用于提供该等离子以去除该边缘聚合物。
在一个实施方式中，本发明涉及一种产生用于从基片去除边缘聚合物的等离子的方法。该方法包括提供通电电极组件，该通电电极组件包括通电电极、第一介电层、以及第一金属丝网，该第一金属丝网设置于该通电电极和该第一介电层之间。该方法还包括提供接地电极组件，其相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔中产生等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层将该第一金属丝网与该等离子屏蔽开，该腔在一端具有出口，用于提供该等离子以去除该边缘聚合物。该方法进一步包括引入至少一种惰性气体和至少一种处理气体到该腔中，以及利用该通电电极对该腔施加rf场，以由该至少一种惰性气体和该至少一种处理气体产生该等离子。
在一个实施方式中，本发明涉及一种产生用于从基片去除边缘聚合物的等离子的方法。该方法包括提供通电电极组件，该通电电极组件包括通电电极、第一介电层、以及第一金属丝网，该第一金属丝网设置于该通电电极和该第一介电层之间。该方法进一部包括提供接地电极组件，其相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔中产生等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层将该第一金属丝网与该等离子屏蔽开，该腔在一端具有出口，用于提供该等离子以去除该边缘聚合物。该方法还包括利用该通电电极对该腔施加rf场，以由至少一种惰性气体和该至少一种处理气体产生该等离子。
在以下本发明的详细说明中，将结合附图对本发明的这些和其它特点进行更详细的描述。
附图说明
在附图中本发明通过示例而不是限制来说明，相似的参考标号表示类似的元件，其中：
图1示出了大气压等离子射流设备的简化示意图，其中通电电极和接地电极均配置在腔壁上；
图2示出了大气压等离子射流设备的简化示意图，其中通电电极配置为中心棒，并且一个或多个接地电极配置在腔壁上；
图3示出了基片的简化示意图，其中一组边缘聚合物已沉积到平面背部上；
图4示出了根据本发明一个实施方式的DWM-APPJ设备的简化示意图，其中通电电极和接地电极均配置在腔壁上；
图5示出了根据本发明的一个实施方式的DWM-APPJ设备的简化示意图，其中通电电极配置为中心棒，并且一个或多个接地电极配置在腔内表面上；
图6示出了根据本发明的一个实施方式，图5中所述的一组DWM-APPJ设备的简化示意图；
图7示出了根据本发明的一个实施方式，图6中所述的一组DWM-APPJ设备的具有额外的惰性气体喷嘴组的简化示意图；
图8示出了根据本发明的一个实施方式，DWM-APPJ设备的简化示意图，其中金属丝网介电套管组是可改变的；
图9示出了根据本发明的一个实施方式，利用DWM-APPJ设备从基片优化地去除边缘聚合物的简化的方法。
具体实施方式
以下将结合如附图说明的一些优选的实施方式详细描述本发明。在下面的描述中，阐述多个具体的细节以提供对本发明实施方式的彻底理解。然而，对于本领域技术人员来说，显然，本发明可不利用这些具体细节的某些或全部来实施。在其他情况下，公知的工艺步骤和/或结构将不会详细描述，以便不会不必要地混淆本发明。
虽然不希望局限于理论，发明人相信一种大气压力等离子射流设备可在相对低的(例如，小于约1slm)惰性气体流率来最小化电弧的产生，并由此可从基片有效去除边缘聚合物，在该设备中，介电阻挡层和金属丝网设置于至少一个电极和等离子(DWM-APPJ)之间。
通常，当过电压(over voltage)施加到电极间的放电间隙时，会产生电弧，从而电子雪崩达到临界阶段，该阶段中极其迅速的雪崩电子流(streamer)传播是可能的。其结果是，形成微放电通道。但是，因为介电阻挡层也往往作为电介体(通常是在其表面积累电荷的材料)，所以微放电通道穿过介电阻挡层进入表面放电(surfacedischarges)，其覆盖了比原始通道直径大得多的区域。因为在介电表面的电荷聚积，在微放电位置的场将会在击穿(breakdown)后的数纳秒内瓦解，从而终止在该位置的电流。但是，这样的击穿往往会导致等离子自身的瓦解。该金属丝网以有利的方式防止了这种瓦解。
通常，电磁波(例如由rf发生器产生)不穿过类似金属丝网的、导电表面的小于波长的孔。通过改变该金属丝网的孔的直径，可将产生的rf场削弱不同的量以及至不同的程度。据信，由具有适当孔径的金属丝网在该介电阻挡层的表面产生的次级电场有助于在相当小的惰性气体流率下保持等离子而没有电弧放电。由此，DWM-APPJ中，在电极和介电阻挡层之间增加至少一个金属丝网，允许以相对小的惰性气体流率(小于约1slm)产生等离子射流，大大去除在特定基片位置的聚合物副产物。另外，与以前的APPJ配置不同，DWM-APPJ不需要沿通电电极纵轴的狭槽。狭槽通常增加APPJ的尺寸、复杂性以及成本。
通常，rf的一个波长的公差被认为是满意性能和不满意性能之间的近似交叉点。但是，总的来说，金属丝网内的孔或表面变化通常必须小于一个波长的一部分，从而避免造成不可接受的性能降低。另外，金属丝网通常不接地，从而允许rf场穿透进入等离子中。
在一个实施方式中，介电阻挡层设置于单个的电极和等离子之间。在一个实施方式中，介电阻挡层设置于全部电极和等离子之间。在一个实施方式中，介电阻挡层设置于通电电极和等离子之间。在一个实施方式中，介电阻挡层设置于接地电极和等离子之间。在一个实施方式中，金属丝网设于该介电阻挡层和电极之间。在一个实施方式中，金属丝网设于各个介电阻挡层和电极之间。在一个实施方式中，金属丝网设于介电阻挡层和通电电极之间。在一个实施方式中，金属丝网设于介电阻挡层和接地电极之间。
在一个实施方式中，该金属丝网包括铜(Cu)。在一个实施方式中，该金属丝网包括不锈钢。在一个实施方式中，该金属丝网包括黄铜。在一个实施方式中，该金属丝网是镀锌(galvanized)的。在一个实施方式中，该金属丝网是单丝。在一个实施方式中，该金属丝网具有矩形编织。在一个实施方式中，该金属丝网具有六角形编织。在一个实施方式中，该电介质包括聚酯薄膜(Mylar)。在一个实施方式中，该电介质包括陶瓷。在一个实施方式中，该电介质包括聚四氟乙烯(Teflon)。
现参考图4，示出了根据本发明的一个实施方式，DWM-APPJ设备的简化示意图，其中通电电极和接地电极均配置在腔壁上。另外，与通常使用的配置不同，设置于通电电极406和介电阻挡层405之间的金属丝网407a，以及设置于接地电极432和介电阻挡层405之间的金属丝网407b，可允许在比通常所需的流率(例如，约10slm，等)小得多的惰性气体流率(小于约1slm)保持等离子而没有电弧放电。通常，惰性气体418和处理气体416流入到密封盒体414中以用于增压。该气体转而通过气体流入415输入放电室腔410，在该腔内利用RF功率源408激发等离子，并在腔410的一端从排出孔417产生等离子流出404，以清洁基片402。另外，尽管在此实施方式中，各电极配置为具有金属丝网，但其它的实施方式可仅在通电电极406或接地电极432上包括单个的金属丝网。在一个实施方式中，直径431在约0.5mm至约6mm之间。该实施方式的优点包括能够以相对小的惰性气体流率(小于约1slm)产生大大去除边缘聚合物副产物的等离子射流，从而避免了获得大体积的半导体级惰性气体的开销，或者也避免了购置昂贵的惰性气体回收设备。
现参考图5，示出了根据本发明的一个实施方式的DWM-APPJ设备的简化示意图，其中通电电极配置为中心棒，并且一个或多个接地电极配置在腔内表面上。另外，与现有技术不同，设置于通电电极506b和介电阻挡层505b之间的金属丝网507b，以及设置于接地电极532a-b和介电阻挡层505a之间的金属丝网507a，可允许以比通常所需的流率(例如，约10slm，等)大大减小的惰性气体流率(小于约1slm)保持等离子而没有电弧放电。如前所述，通常，惰性气体518和处理气体516流入到密封盒体514中以用于增压。该气体转而通过气体流入515输入放电室腔510，在该腔内利用RF功率源508激发等离子，并在腔510的一端从排出孔517产生等离子流出504，以蚀刻或清洁基片502。在一个实施方式中，直径531在约0.5mm至约6mm之间。该实施方式的优点包括能够以相对小的惰性气体流率(小于约1slm)产生基本上去除边缘聚合物副产物的等离子射流，从而避免了获得大体积的半导体级惰性气体的开销，或者也避免了购置昂贵的惰性气体回收设备。
例如，要利用DWM-APPJ设备去除斜面边缘聚合物，在1-20WRF功率的功率设定，在从约2MHz到约13.56MHz的频率，并在具有约100sccm至约500sccm的O2流量下，需要小于1slm的He流量以防止产生电弧。这大大低于利用一般使用的APPJ设备的可比较操作通常所要求的10slm He。
现参考图6，示出了根据本发明的一个实施方式，如图5所述一组DWM-APPJ设备的简化示意图。在该实施方式中，各DWM-APPJ设备在纵轴上设置，其中DWM-APPJ 601设置为从面向等离子的基片表面(也称作平面前部)去除聚合物副产物，并且DWM-APPJ 602设置为从面向卡盘的基片表面(也称作平面后侧)去除聚合物副产物。通过同时去除边缘聚合物，基片处理时间减少约50％，这增加了制造产量。
现参考图7，示出了根据本发明的一个实施方式，如图6中的一组DWM-APPJ设备的简化示意图，带有额外的惰性气体喷嘴组。在该配置中，惰性气体喷嘴组718可设置为从基片502排除任何由DWM-APPJ设备601和602产生的挥发性副产物，从而大大减少了对基片表面的任何进一步的污染。
现参考图8，示出了根据本发明的一个实施方式，DWM-APPJ设备的简化示意图，其中金属丝网介电套管是可改变的。如前所述，通过改变金属丝网孔的直径，rf场可被削弱不同的量以及至不同的程度。因此，允许多种每个具有不同金属丝网孔直径的金属丝网介电套管805a和805b，可允许为特定配置或制法而优化该DWM-APPJ设备。即，各个金属丝网介电套管805a和805b设置在合适的电极和等离子之间的DWM-APPJ中，以最小化电弧放电。在一个实施方式中，805a和805b对于任何给定的配置具有相同的孔直径。在一个实施方式中，805a和805b对于任何给定的配置具有不同的孔直径。
在一个实施方式中，金属丝网层夹在介电层之间。在一个实施方式中，金属丝网层利用粘结剂粘结到介电层，例如硅粘结剂。在一个实施方式中，金属丝网层利用压力(沿横轴)固定到介电层。在一个实施方式中，金属丝网层利用摩擦力(沿纵轴)固定到介电层。在一个实施方式中，金属丝网介电套管利用压力(沿横轴)固定到电极。在一个实施方式中，金属丝网介电套管利用摩擦力(沿纵轴)固定到介电层。
例如，对于给定配置(例如，处理气体流率、处理气体类型、rf功率，等)，减小惰性气体流率通常会增加电弧放电的可能性。但是，插入各具有较小孔直径的金属丝网套管组可在较低的惰性气体流率保持等离子而没有电弧放电。另外，也可使用不同的金属丝网材料(例如，复合金属、铂等)，并且不必重新设计该DWM-APPJ设备。
现参考图9，示出了根据本发明的一个实施方式，用于利用DWM-APPJ设备从基片最佳地去除边缘聚合物的简化的方法。开始，在902，提供通电电极组件，其包括通电电极、金属丝网和介电层。在一个实施方式中，金属丝网可包括铜、不锈钢、黄铜和镀锌金属中的一种。在一个实施方式中，介电层可包括二氧化硅、氮化硅、聚酯薄膜、陶瓷或聚四氟乙烯中的一种。接下来，在904，接地电极组件相对该通电电极组件设置，从而形成腔，在该腔内产生等离子。在一个实施方式中，该腔可以是环形体积。在一个实施方式中，该通电电极可以是配置在该腔内的纵向探针。接下来，在906，利用通电电极向该腔施加rf场，以由至少一种惰性气体和至少一种处理气体产生等离子。
本发明在多个方面显著区别于现有技术。例如，本发明将至少一个介电阻挡层和至少一个金属丝网与APPJ(DWM-APPJ)相结合，从而利用相对小的惰性气体流率(小于约1slm)产生基本上去除边缘聚合物副产物的等离子射流。另外，与一般的且复杂的APPJ设备构造不同，本发明并不是通过使用狭槽、高流速、和/或氧化铝盖来减少电弧放电。并且，本发明不要求任何专门的和/或设备以保持真空，不物理上接触基片从而使破坏性刮擦的可能性最小，并且因该最小的设备要求而相对容易地集成入现有的工艺中。
尽管本发明已根据多个优选的实施方式进行了描述，但是存在落入本发明范围内的改变、置换和等同方式。例如，尽管本发明关于Lam Research等离子处理系统(例如，ExelanTM、ExelanTMHP、ExelanTMHPT、2300TM、VersysTM Star等)进行描述，但也可使用其它的等离子处理系统。本发明也可用于多种直径的基片(例如，200mm、300mm、LCD，等)。另外，这里使用的词语“组”包括一个或多个该组中的指定元件。例如，“X”组指一个或多个“X”。
本发明的优点包括在相对低(小于约1slm)的惰性气体流率下，以最低限度的电弧放电，从基片去除边缘聚合物。其它的优点包括能够容易地将DWM-APPJ清洗设备集成入现场湿清洗工艺以及基片制造工艺的优化。
虽然已经披露了示例性的实施方式和最佳模式，但可在由所附权利要求限定的本发明的主题和精神内，对已披露的实施方式进行修改和变化。
Claims (20)
1.一种用于从基片去除边缘聚合物的装置，该装置包括：
通电电极；
第一介电层；
第一金属丝网，其设置于所述通电电极和所述第一介电层之间；
接地电极，设置在所述基片边缘上方，所述通电电极设置在接地电极的两个部分之间，所述接地电极包括位于所述接地电极一端的至少一个孔，用来提供等离子从而去除所述边缘聚合物；以及
惰性气体喷嘴，其位于所述基片表面位置的上方，所述位置远离所述基片的所述边缘，所述惰性气体喷嘴被设置为以某一方向提供惰性气体，以将由所述等离子产生的副产物以所述方向从所述基片吹走，所述方向相对所述基片表面呈一角度，所述角度小于90度且大于0度。
2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
第二介电层，当所述等离子存在时，其设置在所述接地电极和所述等离子之间；以及
第二金属丝网，其设置在所述接地电极和第二介电层之间。
3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二金属丝网不接地。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述接地电极为环形体积。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述通电电极为配置于所述接地电极中的纵向探针。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括电源，其中所述第一金属丝网的每个孔的直径都小于由所述电源提供的信号的波长。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括电源，其中所述的第一金属丝网每一表面变化都小于由所述电源提供的信号的波长。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属丝网布置在介电层之间。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属丝网被设置为用第一制法操作本装置，并且被配置为在用第二制法操作本装置时被第二金属丝网取代。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述惰性气体喷嘴设置在远离所述通电电极和所述接地电极的位置，并且所述惰性气体不通过所述接地电极来提供。
11.根据权利要求1所述的装置，还包括：
第二通电电极；
第二介电层；
第二金属丝网，其设置在所述第二通电电极和第二介电层之间；
第二接地电极，与所述接地电极相对设置，且设置在所述基片的边缘下方，所述第二通电电极设置在所述第二接地电极的两个部分之间，所述第二通电电极和所述第二接地电极被设置为产生第二等离子，所述第二等离子被设置为从所述第二接地电极凸出并到达所述基片；
其中所述通电电极和所述第二通电电极设置在所述基片的不同侧面。
12.一种用于从基片去除一种或多种聚合物沉积物的装置，该装置包括：
第一接地电极，其设置在所述基片边缘上方，所述第一接地电极形成第一腔，第一等离子被配置为在所述第一腔内产生，所述第一等离子被配置为凸出所述第一腔到达所述基片的第一侧；
第一通电电极，至少部分所述第一通电电极设置在所述第一腔中；
第一介电阻挡层，其设置在所述第一腔中，并环绕所述第一通电电极的所述部分；
第一金属丝网，设置在所述第一介电阻挡层和所述第一通电电极所述部分之间；以及
第一惰性气体喷嘴，其位于所述基片表面位置的上方，所述位置远离所述边缘，所述第一惰性气体喷嘴被配置为以某一方向提供惰性气体，以将由所述等离子产生的副产物以所述方向从基片上吹走，所述方向相对基片表面呈一角度，所述角度小于90度且大于0度。
13.根据权利要求12所述的装置，还包括：
第二介电阻挡层，其设置在所述第一腔中，并被所述第一接地电极包围；以及
第二金属丝网，其设置在所述第二介电阻挡层和所述第一接地电极之间。
14.根据权利要求13所述的装置，其中所述的第二金属丝网不接地，以及其中所述第二金属丝网中的每一表面变化都小于用来产生所述第一等离子的信号的波长。
15.根据权利要求12所述的装置，还包括第二介电阻挡层，其设置在所述第一介电阻挡层和所述第一通电电极的所述部分之间，其中所述第一金属丝网设置在所述第一介电阻挡层和所述第二介电阻挡层之间。
16.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一金属丝网粘接到所述第一介电阻挡层上。
17.根据权利要求12所述的装置，其中所述第一惰性气体喷嘴远离所述第一通电电极和所述第一接地电极，并且所述惰性气体不通过第一接地电极提供。
18.根据权利要求12所述的装置，还包括：
第二接地电极，所述第二接地电极形成第二腔，第二等离子被设置为在所述第二腔中产生，所述第二等离子被设置为从所述第二腔凸出，到达所述基片的第二侧，所述基片的所述第二侧与所述基片的所述第一侧相对；
第二通电电极，至少部分所述第二通电电极设置在所述第二腔中；
第二介电阻挡层，其设置在所述第二腔中并围绕所述第二通电电极的所述部分；以及
第二金属丝网，其设置在所述第二介电阻挡层和所述第二通电电极的所述部分之间。
19.根据权利要求18所述的装置，还包括：
第三介电阻挡层，其设置在所述第二腔中，并被所述第二接地电极围绕；以及
第三金属丝网，其设置在所述第二介电阻挡层和所述第二接地电极之间。
20.根据权利要求18所述的装置，还包括第三介电阻挡层，其设置在所述第二介电阻挡层和所述第二通电电极的所述部分之间，其中所述第二金属丝网设置在所述第二介电阻挡层和所述第三介电阻挡层之间。
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