TWI392000B - 自基材移除邊緣聚合物的設備與方法 - Google Patents

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Description

自基材移除邊緣聚合物的設備與方法
本發明大致關係於基材製造技術，更明確地說，關係於用以自一基材移除邊緣聚合物的設備及其所用之方法。
於處理例如一半導體基材或例如用於平面顯示器製造時所用的玻璃面板之基材時，經常使用電漿。作為基材處理的一部份，例如，基材被切割成多數晶粒，或矩形區域，每一個晶粒變成一積體電路。然後，基材在一連串步驟中被處理，其中，材料被選擇地移除(蝕刻)及沈積。電晶體閘極臨界尺寸(CD)的控制在約幾奈米為最優先事項，因為偏離開目標閘極長度的每一奈米將直接轉換為這些裝置的操作速度。
硬化的乳化液區域然後被選擇地移除，造成在下方之層的元件被曝露出來。基材然後被放入一電漿處理室內並在一基材支撐結構上，其包含一單極或雙極電極，這係被稱為一夾盤或托架。適當之蝕刻氣體然後被通入室中，並碰撞以形成電漿，以蝕刻基材的曝露區域。
於蝕刻製程中，聚合物副產物(邊緣聚合物)被形成在基材斜面區域的頂及底上，並非不常見。斜面區域表示在基材圓周上，沒有晶粒的表面積。一般而言，在蝕刻製程中，形成在基材斜面上之聚合物為有機並可能由碳(C)、氧(O)、氮(N)、及/或氟(F)所組成。然而，因 為由於幾個不同蝕刻製程，而使得連續聚合物層被沈積在斜面緣區域上，所以，正常為強壯及富黏性的有機鍵將最後被弱化並在傳送時剝離或剝落在另一基材上。例如，基材常經由通常稱為卡匣的實質清潔容器被移動於組之間。當較高位置的基材被放入容器中時，一部份的聚合物層可能落在可能出現有晶粒的下面基材上，因而可能影響裝置的良率。
一種已知相當簡單之低成本方法為使用大氣(或高壓)電漿噴流(APPJ)，其大致允許電漿被聚焦在基材的特定位置上，因而，最小化對基材上之晶粒的可能損壞。一種APPJ裝置大致混合大量之惰性氣體(例如He等)與少量之反應氣體(例如CF4 、O2 等)於一環狀容積內(例如管、圓柱等內)，該容積體係形成在RF供電之電極(沿著源的縱軸向)與一接地電極之間。該所產生之電漿然後可以藉由進入氣體通量(氣體感應)所造成之壓力，來被強迫流出環狀容積的一端(電漿流出)。電漿流出的形狀與大小可以藉由調整氣體流入壓力及在APPJ裝置上之排放孔的形狀與大小加以控制。
另外，APPJ可以組合以一反應離子蝕刻(RIE)，以移除聚合物副產物。一般而言，RIE組合化學與離子製程，以自基材移除材料。通常，在電漿中之離子藉由碰撞基材的表面，而加強化學製程，並破壞在表面上之原子的化學鍵，以使它們更容易與化學製程的分子作反應。操作在大氣壓力狀態時，相較於需要智慧抽氣系統，以操作於接 近真空狀態的低壓電漿，大氣電漿相對地便宜。然而，APPJ裝置也容易發弧。
發弧通常為高電力密度短路，其具有小型爆炸的作用。當發弧發生在靶材料或室夾具的表面上或接近表面時，可能發生相當的損害，例如局部熔化。電漿發弧大致為低電漿阻抗所造成，其造成穩定增加的電流。如果電阻足夠低，則電流將無限地增加(只為電源與阻抗所限制)，造成了短路，其中發生了所有能量的轉移。這可能對基材與電漿室造成損害。為了禁止發弧，通常必須維持相當高的電漿阻抗。一常用解決方案可以是藉由使用大量相當高流率的惰性氣體，而限制電漿中之離子化的比率。另一解決方案可以是將槽沿著以相同電位供電之電極的縱軸方向排列，以降低發弧的可能性。
例如，在常用大氣電漿架構中，RF功率在一供電電極與一組接地電極間建立電氣放電，以使得例如O2 的處理氣體離子化。然而，當在電漿中之帶電物種(即離子等)的密度增加(典型超出2%)，在曝露電極之破壞性發弧的可能也會增加。因此，多數大氣電漿處理典型也包含多數為未帶電荷(惰性)氣體，例如He，其限制離子化。然而，於聚合物副產物移除應用中，大量(高流量)的惰性氣體可以使得大氣電漿的使用變得不符經濟效益。例如，從基材上之5mm2 表面積顯著移除聚合物可能需要超出10slm(每分標準升)的惰性氣體。此相當於對於單一典型300mm基材，消耗了超出100升的惰性氣體。不說 取得半導體級惰性氣體的成本，儲存此大容積氣體於製造設施中也可能無法動作。另外，因為所需之惰性氣體處理設備可能成本很高，所以清洗及循環使用惰性氣體變得不符實用。
參考第1圖，顯示一大氣電漿噴流裝置的簡化圖，其中，供電電極與接地電極均各別裝置在腔壁上。通常，惰性氣體118(例如He等)及處理氣體116(例如CF4 等)係被流入密封箱114，用以加壓。該等氣體隨後經由氣體進口115被饋入至一放電室空腔110，其中，電漿被以RF電源108加以激發並在空腔110的一端自排放小孔117產生電漿流出物104，以清洗基材102。通常，排放小孔的形狀與直徑可能影響沿著橫軸與縱軸的電漿流出物104的相關形狀(例如，橫向窄縱向深、橫向寬縱向淺等)。然而，如前所述，可能需要大量的惰性氣體以防止電弧105發生在供電電極106與接地電極112之間。
現參考第2圖，顯示一大氣電漿噴流裝置的簡化圖，其中供電電極被架構為一中心棒及一接地電極被架構為在空腔內面上。如前所述，通常惰性氣體118(例如He等)及處理氣體116(例如CF4 等)被流入密封箱114，用以加壓。該等氣體隨後經由氣體進口115被饋入至一放電室空腔110，其中，電漿被以RF電源108加以激發並在空腔110的一端自排放小孔117產生電漿流出物104，以清洗基材102。通常，排放小孔的形狀與直徑可能影響沿著橫軸與縱軸的電漿流出物104的相關形狀(例如，橫向 窄縱向深、橫向寬縱向淺等)。然而，如前所述，可能需要大量的惰性氣體以防止電弧105發生在供電電極106與接地電極112之間。
現參考第3圖，顯示在平面背側上已經沈積有一組邊緣聚合物的基材之簡化圖。如前所述，在蝕刻製程中，在基材上，形成聚合物副產物(邊緣聚合物)並非不常用。在此例子中，聚合物副產物已經沈積在平面背側上，即，在基材遠離開電漿的那一側。例如，聚合物厚度可能在70度的302處約250nm，在約45度的304約270nm，及在0度的306處約120nm。通常，聚合物的厚度愈大，則聚合物的一部份被變位並落在另一基材上的可能性愈高，可能影響製造良率。
綜上所陳，有需要設備被用來從基材移除邊緣聚合物及其所用之方法。
本發明之一實施例關係於一種產生電漿用以自基材移除邊緣聚合物的設備。該實施例包含一供電電極組件，其包含一供電電極、一第一介電層及一第一線網，安置於該供電電極與該第一介電層之間。該實施例同時也包含一接地電極組件，安置相對於該供電電極，以形成一空腔，其中產生有電漿，當該電漿出現在該空腔中時，該第一線網與該電漿屏蔽隔開第一介電層，該空腔在一端具有一出口，用以提供電漿，以移除邊緣聚合物。
本發明之一實施例關係於一種產生電漿用以自基材移除邊緣聚合物的方法。該方法包含提供一供電電極組件，該供電電極組件包含一供電電極、一第一介電層及一第一線網，安置在該供電電極與第一介電層間。該方法同時也包含提供一接地電極組件，安置相反於該供電電極組件，以形成一空腔，其中產生有電漿，當電漿出現在該空腔時，該第一線網係藉由以該第一介電層屏蔽開該電漿，該空腔在一端具有出口，以提供電漿來移除邊緣聚合物。該方法更包含將至少一惰性氣體及至少一處理氣體引入該空腔，並使用該供電電極，以施加RF電場至該空腔，以由該至少一惰性氣體及至少一處理氣體產生電漿。
本發明之一實施例關係於一種產生用以自一基材移除邊緣聚合物的電漿。該方法更提供一供電電極組件，該供電電極組件包含一供電電極、一第一介電層、及一第一線網，安置於該供電電極與該第一介電層之間。該方法更包含提供一接地電極組件，安置在供電電極組件的相對面，以形成一產生電漿的空腔，當電漿出現在該空腔時，該第一線網係藉由該第一介電層屏蔽開該電漿，該空腔在一端具有出口，以供電漿移除邊緣聚合物。該方法更包含使用該供電電極，以施加RF電場至該空腔，以由至少一惰性氣體與至少一處理氣體產生電漿。
本發明之這些與其他特性將參考以下之本案詳細說明配合上附圖加以描述。
本發明將參考少數幾個實施例加以詳述，這些實施例係如附圖所示。於以下實施例中，各種特定細節係加以說明，以提供對本發明之全盤了解。然而，明顯地，熟習於本技藝者可知本發明可以在沒有部份或所有這些特定細節下加以實施。於其他情形下，並未詳細描述已知製程步驟及/或結構，以防止不必要地限制本發明。
雖然想要不被原理所阻礙，但本發明人相信大氣壓力電漿噴流裝置可以在相當低(低於約1slm)惰性氣體流速下，最小化發弧，因此，可以有效地自基材移除邊緣聚合物，該噴流裝置中，在至少一電極與一電漿(DWM-APPJ)間定位有一介電阻障層與一線網。
通常，當一過電壓被施加至電極間之放電間隙時會發弧，使得電子崩潰到達一臨界階段，而可能發生極快的射光傳遞。結果，形成微放電通道。然而，因為介電阻障層同時也傾向於作為一駐極體(通常為累積電荷於其表面上之材料)，該微放電通道分佈於整個介電阻障層上進入表面放電，覆蓋了遠大於原來通道直徑的區域。由於電荷累積在介電表面上，在微放電位置的電場在崩潰(breakdown)後幾奈秒內崩散(collapse)，因此，終止了此位置的電流。然而，經常此崩潰造成電漿本身的崩散。以較佳方式，該線網防止此崩散。
通常藉由一RF產生器所產生之電磁波並不會穿過例如線網之導電表面內之孔，其中之孔的直徑係少於一波長 。藉由改變線網孔的直徑，以不同量衰減所產生RF場，使其衰減至不同程度。我們相信以具有適當尺寸孔的線網，在介電阻障層之表面上建立二次電場可以在一明顯較小之惰性氣體流率下，協助維持一電漿，而不會有發弧。因此，在DWM-APPJ中之電極與介電阻障層間加入至少一線網允許電漿噴流可以被產生，以在相對較小惰性氣體流率下(低於約1slm)，實際移除在一特定基材位置處的聚合物副產物。另外，不同於先前之APPJ架構，DWM-APPJ在沿著供電電極之縱軸中，並不需要槽。槽通常會增加APPJ的尺寸、複雜度與成本。
通常，RF一波長的公差係被認為是於滿意與不滿意效能間之大約交叉點。然而，通常，在線網中之孔或表面變化必須少於波長之一小部份，以便不會造成不可接受的效能劣化。另外，線網大致未被接地，以允許RF場穿入電漿中。
於一實施例中，介電阻障層係位在單一電極與電漿之間。於一實施例中，介電阻障層係位在所有電極與電漿之間。於一實施例中，介電阻障層係位在一供電電極與電漿之間。在一實施例中，介電阻障層係位在接地電極與電漿之間。於一實施例中，線網係放置於介電阻障層與電極之間。在一實施例中，線網係放置於每一介電阻障層與電極之間。於一實施例中，線網係放置於介電阻障層與供電電極之間。於一實施例中，線網係放置於介電阻障層與接地電極之間。
於一實施例中，線網包含銅(Cu)。於一實施例中，線網包含不鏽鋼。於一實施例中，線網包含黃銅。於一實施例中，線網被鍍鋅。於一實施例中，線網為單絲。於一實施例中，線網具有矩形編織。於一實施例中，線網具有六角編織。在一實施例中，該介電體包含美拉(Mylar)。於一實施例中，該介電體包含陶瓷。在一實施例中，該介電體包含鐵氟龍。
現參考第4圖，顯示DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中供電電極與接地電極均依據本發明實施例被架構在一空腔壁上。另外，不同於常用之架構，線網407a係位在供電電極406與介電阻障層405之間，及線網407b係位在接地電極432與介電阻障層405之間，可以允許電漿在遠小於通常所需(例如約10slm等)之惰性氣體流率(低於約1slm)下被維持而不會發弧。通常，惰性氣體418與處理氣體416係被流入密封箱414，用以加壓。該等氣體隨後經由氣體進口415被饋入放電室空腔410，在該進口點RF電源408激發電漿，並在空腔410的一端，由放電小孔417產生電漿流出物404，以清洗基材402。另外，即使在本實施例每一電極係被架構以一線網，但其他實施例也可以只包含單一線網在供電電極406或接地電極432之上。於一實施例中，直徑431係約0.5mm及約6mm之間。此實施例的優點包含產生電漿噴流，其能以相當低惰性氣體流率(低於約1slm)實質移除邊緣聚合物副產物，避免取得大量的半導體級惰性氣體，或購買昂貴之惰性氣體循環 設備。
現參考第5圖，顯示一DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中，依據本發明實施例，供電電極係被架構為中心桿及接地電極被架構在腔內壁面上。另外，不同於先前技術，一個定位在供電電極506b與介電阻障層505b間之線網507b，以及，一個定位在接地電極523a-b與介電阻障層505b間之線網507a可以在遠較通常所需之惰性氣體流率(例如約10slm等)為低之惰性氣體流率(少於1slm)下，允許電漿予以維持，而不會發弧。通常，如前所述，惰性氣體518與處理氣體516係被流入密封箱514，用以加壓。該等氣體隨後經由氣體進口515被饋入放電室空腔510，在該進口點RF電源508激發電漿，並在空腔510的一端，由放電小孔517產生電漿流出物504，以蝕刻或清洗基材502。於一實施例中，直徑531係約0.5mm及約6mm之間。此實施例的優點包含產生電漿噴流，其能以相對較低惰性氣體流率(低於約1slm)實際移除邊緣聚合物副產物，避免取得大量的半導體級惰性氣體，或購買昂貴之惰性氣體循環設備。
例如，使用DWM-APPJ裝置，以移除斜面緣聚合物時，可能需要在1-20瓦RF功率的功率設定，及約2MHz至約13.56MHz的頻率，低於1slm的He流，以防止在約100sccm至約500sccm的O2 流的發弧。這遠低於以常用APPJ裝置操作所需之約10slm的He流。
現參考第6圖，如第5圖所述之一組DWM-APPJ裝置 的簡化圖係依據本發明實施例加以顯示。於此實施例中，每一DWM-APPJ被定位在縱軸上，DWM-APPJ601定位以自面向電漿的基材表面上，即平面前側，移除聚合物副產物，以及，DWM-APPJ602定位以自面向夾盤的基材表面，即平面背側，移除聚合物副產物。藉由同時移除邊緣聚合物，基材處理時間被降低約50%，即增加製造產量。
現參考第7圖，顯示出如第6圖所述之一組DWM-APPJ裝置的簡化圖，其依據本發明實施例，具有另一組惰性氣體噴流。於此架構中，該組惰性氣體噴流718可以被定位以將由DWM-APPJ裝置601及602所產生之揮發副產物推離開基材502，以同時顯示降低基材表面的其他污染。
參考第8圖，顯示一依據本發明實施例之DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中一組線網介電套管為可更換。如前所述，藉由改變線網孔的直徑，一RF場可衰減不同量，而衰減至不同程度。因此，允許各種線網介電套管805a及805b，每一套管具有不同線網孔直徑可以允許該DWM-APPJ裝置被最佳化為用於一特定架構或製程配方。因此，每一線網介電套管805a及805b係被定位在適當電極與電漿之間的DWM-APPJ中，以最小化發弧。於一實施例中，805a及805b對於任一給定架構，有相同孔徑。於一實施例中，805a及805b對於任何給定架構，有不同孔徑。
於一實施例中，一線網層被包夾在二個介電層間。在一實施例中，一線網層係以例如矽膠之黏劑黏結至一介電 層。於一實施例中，線網層係使用一壓力(沿著橫軸)固定至介電層上。在一實施例中，一線網層係使用一壓力(沿著縱軸)固定至一介電層。於一實施例中，一線網層係使用一磨擦力(沿著縱軸)固定至介電層。於一實施例中，一線網介電套管係使用一壓力(沿著橫軸)固定至一電極。於一實施例中，一線網介電套管係藉由使用一磨擦力(沿著縱軸)固定至一介電層。
例如，降低惰性氣體流率大致會增加給定架構(例如處理氣體流率、處理氣體類型、RF功率等等)下之發弧發生率。然而，將一組具有較小孔徑的線網套管插入可以在低惰性氣體流率下維持住電漿，而沒有發弧。另外，也可以使用不同線網材料(例如複合金屬、鉑等)，而不必重新設計DWM-APPJ裝置。
參考第9圖，顯示一種依據本發明實施例，以DWM-APPJ裝置，最佳地自基材移除邊緣聚合物的簡化方法。開始，在902，提供一供電電極組件，其包含供電電極、線網、及一介電層。在一實施例中，該線網可以包含銅、不鏽鋼、黃銅、及鍍鋅金屬之一。於一實施例中，該介電層可以包含二氧化矽、氮化矽、美拉、陶瓷、或鐵氟龍之一。再者，在904，一接地電極組件被安置於相向於供電電極組件，以形成其中產生有電漿的空腔。於一實施例中，空腔可以為環形容積。於一實施例中，供電電極為架構於該空腔中之縱長探針。再者，在906，使用供電電極，RF場被施加至該空腔，以由至少一惰性氣體與至少一處 理氣體產生電漿。
本發明與先前技術有幾個方面的實質不同。例如，本案組合至少一介電阻障體與至少一線網與APPJ(DWM-APPJ)，以產生一電漿噴流，其以相對較小惰性氣體流(低於1slm)，顯著移除邊緣聚合物副產物。另外，不像常見及更複雜的APPJ裝置架構，本案並未經由使用槽、高流速、及/或氧化鋁蓋，來降低發弧。再者，本發明並不需要任何特殊設備，以維持一真空，並不會實體接觸基材，因而，最小化損壞刮傷的可能性，並因為很少之設備要求，所以相對容易整合現行製程中。
雖然本發明已經以幾個較佳實施例加以說明，但仍有各種替代，置換、及等效仍在本案範圍內。例如，雖然本發明係有關於Lam研究電漿處理系統(例如ExelanTM 、Exelan HPTM 、Exelan HPTTM 、2300TM 、Versys StarTM 等)加以描述，但也可以使用其他電漿處理系統。本發明同時也使用於各種直徑之基材(例如200mm、300mm、LCD等)。再者，於此所用之名詞包含一或多數有名稱的元素組。例如，一組“X”表示一或多數“X”。
本發明之優點包含一邊緣聚合物由基材移除，以相當低惰性氣體流率(低於1slm)，及具有最小發弧。其他優點包含容易將一DWM-APPJ清洗裝置整合入內部濕清洗製程中，及基材製程的最佳化。
雖然已經揭示例示實施例與最佳模式，但也可以對所揭示之實施例作出各種修改與變化，同時，仍保持在以下 申請專利範圍所界定之本發明主體與精神內。
102‧‧‧基材
104‧‧‧電漿流出物
105‧‧‧電弧
106‧‧‧供電電極
108‧‧‧RF電源
110‧‧‧放電室空腔
112‧‧‧接地電極
114‧‧‧密封箱
115‧‧‧氣體進口
116‧‧‧處理氣體
117‧‧‧排放小孔
118‧‧‧惰性氣體
402‧‧‧基材
404‧‧‧電漿流出物
405‧‧‧介電阻障層
406‧‧‧供電電極
407a‧‧‧線網
407b‧‧‧線網
408‧‧‧RF電源
410‧‧‧放電室空腔
414‧‧‧密封箱
415‧‧‧氣體進口
416‧‧‧處理氣體
418‧‧‧惰性氣體
432‧‧‧接地電極
502‧‧‧基材
504‧‧‧電漿流出物
505a‧‧‧介電阻障層
505b‧‧‧介電阻障層
506‧‧‧供電電極
507a‧‧‧線網
507b‧‧‧線網
508‧‧‧RF電源
510‧‧‧放電室腔
514‧‧‧密封箱
515‧‧‧氣體進口
516‧‧‧處理氣體
517‧‧‧排放小孔
518‧‧‧惰性氣體
531‧‧‧直徑
532a‧‧‧接地電極
532b‧‧‧接地電極
601‧‧‧DWM-APPJ裝置
602‧‧‧DWM-APPJ裝置
718‧‧‧惰性氣體
805a‧‧‧線網介電套管
805b‧‧‧線網介電套管
第1圖為大氣電漿噴流裝置的簡化圖，其中，供電電極與接地電極均被架構在一空腔壁中；第2圖為大-氣電漿噴流裝置的簡化圖，其中，供電電極係被架構為中心及接地電極係被架構在空腔壁上；第3圖為一基材的簡化圖，其中，一組邊緣聚合物已經被沈積在平坦背側上；第4圖為DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中，供電電極與接地電極依據本發明實施例均被架構在空腔壁上；第5圖為DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中，依據本發明實施例，供電電極係被架構為中心及接地電極係被架構在空腔內面上；第6圖為依據本發明一實施例之一組如第5圖所述之DWM-APPJ裝置的簡化圖；第7圖為依據本發明之一實施例之如第6圖所述之一組DWM-APPJ裝置的簡化圖，其具有另一組的惰性氣體噴流；第8圖為DWM-APPJ裝置的簡化圖，其中依據本發明實施例，一組線網介電套管係可更換的；及第9圖為依據本發明實施例之以DWM-APPJ裝置選用地自一基材移除邊緣聚合物的簡化圖。
402‧‧‧基材
404‧‧‧電漿流出物
405‧‧‧介電阻障層
406‧‧‧供電電極
407a‧‧‧線網
407b‧‧‧線網
408‧‧‧RF電源
410‧‧‧放電室空腔
414‧‧‧密封箱
415‧‧‧氣體進口
416‧‧‧處理氣體
417‧‧‧放電小孔
418‧‧‧惰性氣體
431‧‧‧直徑
432‧‧‧接地電極

Claims (14)

  1. 一種自基材移除邊緣聚合物的設備，包含：一供電電極；一第一介電層；一第一線網，安置於該供電電極與該第一介電層之間，該第一線網圍繞該供電電極，該第一介電層圍繞該第一線網；一第二介電層，安置於該第一介電層與該供電電極之間，其中，該第一線網係夾在該第一介電層與該第二介電層之間；一接地電極，安置於該基板之一邊緣的上方，該供電電極安置於該供電電極的二個部分之間，該供電電極在其一端包括有至少一孔洞，用以提供移除該邊緣聚合物的電漿；一惰性氣體噴流，定位於該基板之一表面上之一區位的上方，該區位係遠離該基板的該邊緣，該惰性氣體噴流用以在一方向提供惰性氣體，以在該方向將由該電漿所產生之副產物從該基板推擠開。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，其中該接地電極為一環形容積。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，其中該供電電極為一被架構在該接地電極內之縱向探針。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物 的設備，更包含一電源，其中，該第一線網的各孔直徑係小於該電源所提供之一信號的波長。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，更包含一電源，其中，該第一線網的各表面變化係小於該電源所提供之一信號的波長。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，其中，該第一線網係用以利用一第一配方來操作該設備，並可由利用一第二配方來操作該設備的一第二線網所置換。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，其中，該定位的惰性氣體噴流係定位於遠離該供電電極與該接地電極之處，且該惰性氣體係不經過該接地電極而提供。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之自基材移除邊緣聚合物的設備，更包含：一第二供電電極；一第三介電層；一第二線網，安置於該第二供電電極與該第三介電層之間；及一第二接地電極，安置於相向於該接地電極之處，且安置於該基板之該邊緣下方，該第二供電電極安置於該第二接地電極的二個部分之間，該第二供電電極及該第二接地電極用以產生第二電漿，該第二電漿係從該第二接地電極突起而到達該基板， 其中，該供電電極及該第二供電電極安置於該基板的不同側。
  9. 一種自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，包含：一第一接地電極，安置於該基板之一邊緣上方，該第一接地電極形成一第一空腔，一第一電漿係用以產生在該第一空腔中，該第一電漿係從該第一空腔突起而到達該基板的一第一側；一第一供電電極，該第一供電電極的至少一部分係安置於該第一空腔中；一第一介電阻障層，安置於該第一空腔中，並圍繞該第一供電電極的該部分；一第一線網，安置於該第一介電阻障層與該第一供電電極的該部分之間，該第一線網圍繞該第一供電電極的該部分，該第一介電阻障層圍繞該第一線網；一第二介電阻障層，安置於該第一介電層與該第一供電電極之間，其中，該第一線網係夾在該第一介電阻障層與該第二介電阻障層之間；及一第一惰性氣體噴流，定位於該基板之一表面上的一區位上方，該區位係遠離該邊緣，該第一惰性氣體噴流用以在一方向提供惰性氣體，以在該方向將由該電漿所產生之副產物從該基板推擠開。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，其中，該第二介電阻障層係安置於 該第一介電阻障層與該第一供電電極的該部分之間。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，其中，該第一線網係黏接至該第一介電阻障層。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，其中，該第一惰性氣體噴流係定位在遠離該第一供電電極與該第一接地電極之處，且該惰性氣體係不經過該第一接地電極而提供。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，更包含：一第二接地電極，該第二接地電極形成一第二空腔，一第二電漿係用以產生在該第二空腔中，該第二電漿係從該第二空腔突起而到達該基板的一第二側，該基板的該第二側係相向於該基板的該第一側；一第二供電電極，該第二供電電極的至少一部分係安置於該第二空腔中；一第三介電阻障層，安置於該第二空腔中，並圍繞該第二供電電極的該部分；及一第二線網，安置於該第三介電阻障層與該第二供電電極的該部分之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之自基材移除一或更多個聚合物沉積物的設備，更包含一第四介電阻障層，該第四介電阻障層安置於該第三介電阻障層與該第二供電電極的該部分之間，其中，該第二線網係夾在該第三介電阻障 層與該第四介電阻障層之間。
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