CN1764992A - 复合电子元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种复合电子元件，其通过改变内层电容电极部的重叠面积，可以调整该中间夹有介电层的内层电容电极部的重叠所获得的电容量，且在该复合电子元件中，安置低于积层体的外电极高度的识别标记，从而该复合电子元件电容量容易调整，并且由于该识别标记不突出，可以改善用吸嘴吸着来安装该复合电子元件时的安装性能。

Description

复合电子元件
技术领域
本发明涉及复合电子元件。
背景技术
常规复合电子元件在不同于积层体中心部位的部分设置一方向识别标记，从而可以在积层体最外层确定积层体的侧面或端面。如在日本专利申请2000-353620号公报所公开的，这个方向识别标记是用树脂或电导体印制形成，且从积层体最外层的面突出。
复合电子元件形状变得越小，所印制的方向识别标记越易于偏离预定位置。再者，具有偏离预定位置的方向识别标记的复合电子元件，在用吸嘴等吸着来安装到安装基板时，由于方向识别标记突出在最外层上，因此存在不能被吸嘴吸着的问题。作为对策，如果方向识别标记很薄，并且由于为避免片状元件的角剥落而研磨成柱体时会削掉该方向识别标记，则存在如下问题，使得安装片状元件时无法识别方向来进行安装。
发明内容
本发明的复合电子元件，通过改变内层电容电极部的重叠面积，可以调整该中间夹有介电层的内层电容电极部的重叠所获得的电容量；此外，由于有低于积层体的外电极高度的识别标记，且识别标记不突出于该复合电子元件的最外层，所以可以改善用吸嘴吸着来安装该复合电子元件时的安装性能。
附图说明
图1是本发明一实施例中的复合电子元件的斜视图。
图2是本发明一实施例中的复合电子元件的部分被切除的斜视图。
图3是本发明一实施例中的复合电子元件的分解斜视图。
图4A是本发明一实施例中的复合电子元件主要部分的说明图。
图4B是图4A中沿X3-X4线的剖面图。
图4C是图4A中沿Y3-Y4线的剖面图。
图5A是本发明另一实施例中的复合电子元件主要部分的说明图。
图5B是图5A中沿X3-X4线的剖面图。
图5C是图5A中沿Y3-Y4线的剖面图。
图6A是本发明又一实施例中的复合电子元件主要部分的说明图。
图6B是图6A中沿X3-X4线的剖面图。
图6C是图6A中沿Y3-Y4线的剖面图。
图7A是本发明再一实施例中的复合电子元件主要部分的说明图。
图7B是图7A中沿X3-X4线的剖面图。
图7C是图7A中沿Y3-Y4线的剖面图。
具体实施方式
参照附图说明本发明一示范性实施例中的复合电子元件。在图1和图3中，为清晰地表示位置关系，标示出了长度方向X1和X2、宽度方向Y1和Y2、以及中心部位Z。
如图1、图2和图3所示，本发明该示范性实施例中的复合电子元件具有：积层体1；安置在该积层体1最外层Y1方向侧的上面、侧面和底面之上的第一外电极2和第二外电极3；安置在该最外层Y2方向侧的上面、侧面和底面之上的第三外电极4和第四外电极5；以及识别标记11。
这里，第三外电极4和第四外电极5分别与第一外电极2和第二外电极3关于长度方向X1-X2相对形成，且积层体1被夹在相对的电极之间。此外，识别标记11形成在积层体1的上面，其高度低于第一、第二、第三和第四外电极2、3、4和5的高度，并且与积层体1最外层安置在同一平面上(在同一平面和以同一高度)。
积层体1在其内部从底面侧起具有第一电容部21，电感部22和第二电容部23。
第一电容部21是玻璃陶瓷等构成的第一介电层31和第二介电层34的积层结构。在第一介电层31的上表面上，从宽度方向Y1侧的端部向中心位置，印制形成包含银或铜等的第一内层电容电极部32和第二内层电容电极部33。在第一介电层31的上方，有与第一介电层31相同构成的第二介电层34。在第二介电层34的上表面上，从宽度方向Y2侧的端部向中心位置，印制形成由铜或银等构成的第三内层电容电极部35和第四内层电容电极部36。第一内层电容电极部32与第四内层电容电极部36，以及第二内层电容电极部33与第三内层电容电极部35，间隔着第二介电层34彼此相对设置，且通过调整重叠部分的面积(重叠量)，可以获得所期望的电容的电容量。
其次，电感部22安置在第一电容部21上部，并由多个第三介电层41组成，该第三介电层41上印有由银或铜等构成的螺旋状内部导体42。这些螺旋状内部导体42通过安置在第三介电层41里的通路电极43电连接。通过设定具有这些螺旋状内部导体42的第三介电层41的层数、螺旋圈数或内部导体42的线宽等，可以获得所期望的电感量。
此外，为调整电感部22和第三内层电容电极35或第四内层电容电极36之间的杂散电容(stray capacitance)，安置一片或多片由玻璃陶瓷等制成的第四介电层44。
此外，从第一介电层31向最外层侧(图3的下部)，安置多片第四介电层44。
第二电容部23具有与第一电容部21类似的构成，并且安置在电感部22的上面。同一附图标记应用于与第一电容部21类似的构成部分，并将其说明予以省略。
如图1和图2所示，第一外电极2与第一电容部21的第二内层电容电极部33、电感部22的一螺旋状内部导体42以及第二电容部23的第二内层电容电极部33电连接。第二外电极3与第一电容部21的第一内层电容电极部32、电感部22的另一螺旋状内部导体42以及第二电容部23的第一内层电容电极部32电连接。第三外电极4与第一电容部21的第三内层电容电极部35和第二电容部23的第三内层电容电极部35电连接。此外，第四外电极5与第一电容部21的第四内层电容电极部36和第二电容部23的第四内层电容电极部36电连接。
再者，识别标记11使用主要构成与第五介电层45相同的玻璃制成，并与第五介电层45在同一平面和同一厚度上。识别标记11偏离积层体1的中心部位Z制作，由此确定了积层体1的端面或侧面。这就是，在设置识别标记11的一侧，即从上面看积层体1四边中与识别标记11最近的边所在的侧面，可以标识为表示所希望方向的端面。在图1所示的本发明一示范性实施例中，由于识别标记11安置在Y1侧，从而可以识别出电感部22与Y1侧的外电极相连，即与第一外电极2和第二外电极3相连。在积层体1四侧，距离设置识别标记11的位置最近一侧的面，可以识别为表示所希望方向的端面。
此外，虽然本发明一示范性实施例用圆形识别标记11作说明，但本发明的识别标记11可以以任意形状构成，而并不限于圆形。
就以上那样构成的复合电子元件，以下将参照附图解释其电容部的电容量调整。
图4A说明了在作为本发明一示范性实施例的复合电子元件主要部分的第一电容部21中第一内层电容电极部32和第四内层电容电极部36之间的重叠，以及第二内层电容电极部33和第三内层电容电极部35之间的重叠。图4B是图4A中沿X3-X4线的剖面图。图4C是图4A中沿Y3-Y4线的剖面图。
如图4A到图4C所示，作为复合电子元件主要部分的第一电容部21的电容量，由第一内层电容电极部32和第四内层电容电极部36之间的重叠面积，以及第二内层电容电极部33和第三内层电容电极部35之间的重叠面积决定。
如图5A到图5C中一实施例所示，将第三内层电容电极部35和第四内层电容电极部36相对于第一内层电容电极部32和第二内层电容电极部33移位，可以改变电极之间的重叠面积。这样，相对于图4A到图4C所示的电容量，这样可以任意地在小范围内调整第一电容部21的电容量。
图6A到图6C表示涉及本发明的示范性实施例的另一实施例。通过把第二内层电容电极部33和第一内层电容电极部32相对第三内层电容电极部35和第四内层电容电极部36倾斜设置，可以改变电极之间的重叠面积。相对于图4A到图4C所示的电容量，即使这样作仍可以任意地在小范围内调整第一电容部21的电容量。
以下，用图7A到图7C说明涉及本发明的示范性实施例的再一实施例。即，第一电容部21的电容量调整，是通过在上下重叠的内层电容电极部之间，使一电极的宽度或长度异于另一电极而实现的。在图7A中，举例说明通过改变第二内层电容电极部33的宽度和长度，使其小于第三内层电容电极部35的面积。由于此本方法能适用于各种重叠电极，可以精确地实现电容量的调整。
在以上的实施例里，虽然说明了调整第一电容部21电容量的手段，无庸赘言，所述实施例也适用于第二电容部23。也就是说，本发明可只应用于第一电容部21和第二电容部23的任一个，或可同时应用于两者。
如上所述，本发明的复合电子元件，通过改变内层电容电极部的重叠面积，可以调整该中间夹有介电层的内层电容电极部的重叠所获得的电容量。
此外，由于识别标记设置得比积层体1的外电极的高度低，所以该识别标记不突出于复合电子元件的最外层。从而，改善用吸嘴吸着来安装该复合电子元件时的安装性能。
还有，由于嵌入积层体1最外层的识别标记与该最外层处于同一平面，而且积层体1的最外层和识别标记是由主要构成成分相同的玻璃制成，所以即使它变薄，也不会有缺少识别标记发生，从而可以提高识别方向时进行安装的安装产率。
工业应用
本发明提供的复合电子元件，在用吸嘴吸着来安装时的安装性能良好，并且可用简单方法调整所述电容部的电容量。

Claims (14)

1.复合电子元件，包括：
积层体，其内部具有电感部和电容部；
外电极，形成在所述积层体的外面，且与所述电感部和所述电容部电连接；以及
识别标记，表示所述积层体的方向，
其特征在于：
所述识别标记的高度低于所述外电极的高度，
所述电容部具有介电层和间隔所述介电层彼此相对设置的至少一对内层电容电极，以及
通过调整所述一对内层电容电极相对的面积，来调整所述电容部的电容量。
2.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述识别标记形成与所述积层体的最外层形成在同一平面和同一高度。
3.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述积层体的最外层和所述识别标记由主要构成是相同材料的玻璃组成。
4.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述电容部具有第一电容部和第二电容部，且所述电感部设置于所述第一电容部和所述第二电容部之间。
5.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述一对内层电容电极包括由第一长方体组成的第一内层电容电极和由第二长方体组成的第二内层电容电极，并且
所述调整相对的面积是将所述第一长方体和所述第二长方体的长边或短边中的至少一边缩短。
6.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述一对内层电容电极包括由第一长方体组成的第一内层电容电极和由第二长方体组成的第二内层电容电极，并且
所述第一长方体和所述第二长方体形状相同，且所述调整相对的面积是将长边方向倾斜预定角度。
7.根据权利要求1所述的复合电子元件，其特征在于：
所述一对内层电容电极包括由第一长方体组成的第一内层电容电极和由第二长方体组成的第二内层电容电极，并且
所述第一长方体和所述第二长方体是形状相似，且所述调整相对的面积是使所述第一长方体小于所述第二长方体。
8.一种制造复合电子元件的方法，该复合电子元件包括：
积层体，其内部具有电感部和电容部；
外电极，形成在所述积层体的外面，且与所述电感部和所述电容部电连接；以及
识别标记，表示所述积层体的方向，
所述电容部的制造方法包括重叠所述介电层的步骤，在所述介电层的一个面上已经形成了内层电容电极，其特征在于所述重叠步骤包括调整形成在相邻介电层上的所述内层电容电极的重叠的步骤。
9.根据权利要求8所述的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述识别标记以与构成所述积层体的最外层的所述介电层的相同的厚度生成。
10.根据权利要求8所述的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述最外层的介电层和所述识别标记使用其主要构成是相同材料的玻璃制成。
11.根据权利要求8所述的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述电感部夹在所述电容部之间。
12.根据权利要求8所述的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述调整所述内层电容电极重叠的步骤，是将所述介电层沿所述积层体的长度方向移动的步骤。
13.根据权利要求8的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述调整所述内层电容电极重叠的步骤，是将所述介电层沿所述积层体长度方向彼此倾斜的步骤。
14.根据权利要求8所述的制造复合电子元件的方法，其特征在于：
所述调整所述内层电容电极重叠的步骤，包括把形成在所述相邻介电层上的所述内层电容电极的形成为互不相同的形状的步骤。
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