CN1745497A - 介电线及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种介电线，其具有足够的强度，并适于批量生产，以及提供了一种该介电线的制造方法。该制造方法是一种用于制造介电线的制造方法，该介电线具有介电带和介电层，介电带位于两个大致相互平行的导电板之间，并且介电带具有比导电板窄的宽度，介电层填充在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分，该介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。该介电线(NRD波导)通过下列步骤制成：使用介电原材料在导电板之一上形成薄膜的薄膜成形步骤；将介电原材料的上述薄膜的一部分暴露到预定的光线、光束以及蒸汽下的带暴露步骤，其中该部分具有相应于介电带的形状；以及使得介电原材料整个薄膜多孔的孔成形步骤。

Description

介电线及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种介电线以及该介电线的制造方法，该介电线具有优越的强度特性和高频信号的传输特性，并且适合批量生产。
背景技术
至今，微波带状线路、介电线、波导线以及类似线路已经被用于集成电路，该集成电路需要传输毫米波带的高频信号。尤其是，由于无辐射介电线(NRD波导)可以抑制能量的辐射损失，所以可以获得优越的高频信号传输特性，其中无辐射介电线是介电线的一种，并且已经被日本已审查的专利申请No.1-51202公开。
图7示出了普通NRD波导10的结构。传统和普通的NRD波导10具有这样的结构，其中两个导电板1和2相互之间大致平行，介电带4夹在导电板1和2之间，其中介电带4的宽度比导电板1和2的宽度窄。除了介电带4以外的两个导电板1和2之间的部分3是空(空气)的。如上所述，在传统的NRD波导10中，由于介电带4的宽度比导电板1和2的宽度窄，并且其间的接触区域小，所以当操作NRD波导10时，很难确保保持上述结构的强度。确保NRD波导10的强度的技术已经被日本未审查专利申请Nos.3-270401，6-45807以及8-65015公开。
例如，在日本未审查专利申请No.3-270401中，为了增加导电板和介电带之间的接触区域，公开了一种技术，其中介电带形成为具有H形横截面。另外，在日本未审查专利申请No.6-45807中，已经公开了一种沿着介电带为导电板提供保护坝的技术；并且在日本未审查专利申请No.8-65015中，已经公开了一种技术，其中在介电带的表面提供凸起，以与导电板相接合并且被埋设在其中。因此，当介电带和导电板相互接合时，可以容易地校准，并且可以防止接合部分的移位。
另外，在日本未审查专利申请No.6-260814中，公开了这样一种技术，其中为了改进NRD波导的成品率，顶部和底部被单独制造并且随后被安装在NRD波导中，在日本未审查专利No.2001-7611中，公开了这样一种技术，其中使用抗蚀处理来作为适合批量制造NRD波导的方法。
但是，根据传统的结构以及上述的NRD波导的制造方法，导电板和介电带必须使用不同的加工步骤，结果是，带来了上述方法不适合应用于批量生产的问题。
另外，通过两个导电板和介电带之间的接合部分来保证强度是有限的，并因此具有不能获得足够强度的问题。
因此，本发明考虑到上述的情况而完成，本发明的一个目的是提供一种介电线以及该介电线的制造方法，该介电线能够保证足够的强度并且适合批量生产。
发明内容
为了达到上述的目的，本发明提供一种介电线，该介电线具有位于两个大致平行的导电板之间的介电带，并且介电带具有比导电板窄的宽度。在上述的这种介电线中，介电带由多孔材料组成，并且在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分被介电层填充，该介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。
在上述的介电线中，介电带的介电常数最好是介电层的介电常数的1.5倍或更多。
通过上述的结构，与除了介电带以外的部分是空(空气)的传统介电线(参见图7)相比，由于介电带和介电层被填充在两个导电板之间，所以介电带不可能被替代，结果是，强度被大大增加，从而形成稳定的结构。
另外，由于多孔材料被用于介电带和介电层，通过增加其的气孔率，介电常数和介电损耗会明显的减少，结果是，可以很高传输效率(低损耗)的传输高频信号。
另外，也可以考虑这种情况，其中介电带和介电层由实质相同的材料形成并且具有彼此不同的气孔率。在这种情况下，当两个导电板之间的距离形成为介电层中信号波长的一半或更少时，其中该信号通过介电线传输，NRD波导(无辐射介电线)可以形成，其中不会发生传输信号的不必要的辐射。从而，可以执行更有效的信号传输。
为了保证无辐射特性(介电带的密闭效应)，介电带和介电层之间的介电常数的差值是很重要的。在普通的介电体中，介电常数具有一个预定的值，该值由介电体的材料决定；因此，当调整介电常数的差时，必须使用多个介电材料。但是，在多孔电介体中，即使使用相同的材料，它们的介电常数也是取决于气孔率(气孔率越高，介电常数越低)；因此，通过调整气孔率，可以形成介电带和介电层。术语“相同”基本上意味着主要的材料相互相同，并且由不同的生产条件(干燥条件和类似条件)引起的元件之间的微小差异也基本上包括在“相同”的范围内(以下，上述术语就像上面那样来解释)。如上所述，当通过改变气孔率调整介电常数时，介电带和介电层可以由一种材料形成，所以可以容易地进行生产(生产成本降低)。除了上面所描述的，与通过机械方法或类似方法制造三维结构的传统情况相比，由于该生产过程使用图案化处理来进行，所以，可以适当的进行批量生产，并且也可以制造出复杂的形状。进而，由于气孔率可以被自由决定，所以可以得到可选的介电常数。结果是，由于具有可选的介电常数的介电带可以形成在一个基底(导电板)上，所以能够响应不同频率传输信号的NRD波导可以形成在一个基底上。(至今，必须布置多种相互具有不同介电常数的介电材料，并且在一些情况下，由于不存在具有期望介电常数的介电材料，所以不能形成响应于特定传输信号频率的NRD波导。)因此，设计NRD波导的自由度明显增加。
另外，例如气凝胶材料可以作为一种用于介电带和介电层的材料。
另外，本发明还提供一种用于制造上述介电线的方法。也就是，该方法是用于制造介电线和介电层的方法，其中，介电线具有位于大致平行的两个导电板之间的介电带，介电带具有比导电板的宽度窄的宽度，而介电层被填充在导电板之间介电带以外的部分，并且介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。上述的方法具有薄膜成形步骤、带暴露步骤以及孔成形步骤，其中薄膜成形步骤是使用介电原材料在导电板之一上形成薄膜，带暴露步骤是将介电原材料的薄膜的一部分暴露到预定的光线、光束以及蒸汽下，该暴露部分具有相应于介电带的形状，而孔成形步骤是制造介电原材料孔的整个薄膜。
因此，与由暴露步骤处理的那部分相比，也就是，与具有相应于介电带的形状的那部分相比，未被暴露步骤处理的其它部分(也就是，相应于介电层的部分)具有高的气孔率，结果是，介电带和介电层可以形成为具有良好平衡的介电常数，这就是介电线所需要的。
在上述的薄膜成形步骤中形成的薄膜中，在执行带暴露步骤之前，材料本身的化学键基本上不形成，因此薄膜处于不完整的状态。当带暴露步骤在上述状态的薄膜中进行时，与未暴露的部分相比，化学反应(聚合反应和类似反应)在被暴露的部分能够被促进。因此，密度的差异发生在具有相应于介电带的形状的部分以及其它部分(相应于介电层的部分)之间，其中在前的那部分由带暴露步骤处理，结果是，通过随后的孔成形步骤，在它们之间出现气孔率的差异。气孔率的差异产生了介电常数的差异，结果是，形成介电线。另外，在执行带暴露步骤之后，即使当包括除了介电带以外的部分的整个薄膜的化学反应(化学键接)由热处理促进时，由热处理产生的化学反应与由带暴露步骤产生的化学反应相比是适度的，因此密度的差异也发生在具有相应于介电带的形状的部分和其它部分之间。
另外，不像传统的制造方法那样，其中组成元件单独形成，随后进行这些元件的组装，本发明可以通过图案化进行制造，因此适于进行介电线的批量生产。
作为上述的带暴露步骤，可以采用这样一个步骤，其中具有相应于介电带的形状的那部分被暴露到紫外线、电子束、X射线或者离子束下，在这种情况下，介电原材料可以包含感光材料。可选的是，作为带暴露步骤，可以采用这样一个步骤，其中具有相应于介电带的形状的那部分被暴露到湿蒸汽、包含酸性材料的蒸汽、包含原材料的蒸汽或者包含介电原材料的蒸汽当中。根据上述的方法中的任何一个，在孔成形步骤之后可以获得气孔率的差异。
另外，在制造上述的介电线的方法中，实质相同的材料被用于介电带以及介电层；但是，本发明并不限制于此，在一些情况下，也会使用不同的材料。
例如，提供一种用于制造介电线的方法，其中该介电线具有介电带和介电层，介电带位于大致平行的两个导电板之间，并且具有比导电板的宽度窄的宽度，介电层填充在导电板之间介电带以外的部分，并且由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。上述的方法具有第一薄膜成形步骤、薄膜去除步骤、第二薄膜成形步骤以及孔成形步骤，其中第一薄膜成形步骤是使用第一介电原材料在导电板之一上形成第一薄膜的步骤，薄膜去除步骤是去除除了具有相应于介电带的形状的那部分之外的第一薄膜的步骤，第二薄膜成形步骤是使用第二介电原材料在由薄膜去除步骤中处理的所述两个导电板之一上形成第二薄膜的步骤，并且孔成形步骤是使得第一和第二介电原材料的整个薄膜多孔的步骤。
因此，在第一介电原材料的第一薄膜形成为具有第一薄膜成形步骤和薄膜去除步骤中的介电带的形状之后，相应于介电层的部分由第二薄膜成形步骤中的第二介电原材料的第二薄膜而形成。通过上述的制造方法，也可以形成介电线。
另外，作为薄膜去除步骤，例如，可以采用这样一个步骤，其中，在第一介电原材料的第一薄膜中，在具有相应于介电带的形状的部分被暴露到预定的光线或光束下之后，随后进行显影处理，具有相应于介电带的形状的部分之外的其它部分被去除。
如上所述，在上述薄膜成形步骤中形成的薄膜中，在执行带暴露步骤之前基本不形成化学键，并且薄膜处于不完整状态。也就是，由于具有低分子量，薄膜在多种溶剂中被溶解(有机溶剂和碱性溶剂)。因此，在具有相应于介电带的形状的部分被暴露到上述的光线或者光束下以有利于化学键的成形之后，除了具有相应于介电带的形状的部分(暴露到光线或者光束下的部分)以外的部分可以有选择的被显影处理去除。
在这种情况下，当第一介电原材料包含感光材料时，是最好的，这是由于可以容易的获得在薄膜去除步骤中在光线或光束下的暴露效果。
当然，具有充足的能量的光线和光束可以被用来促进薄膜中的分子的化学反应(聚合反应)；但是，当感光材料如上述那样被使用，光线和光束的暴露量会减少，结果是，可以获得许多好处，比如，用于处理的时间减少以及使用简单设备能够容易处理。
另外，例如光致酸生成剂可以被用作感光材料。
例如包含有机金属材料的原材料可以被用作介电原材料。金属醇盐可以通过示例的方式被用作该有机金属材料。
另外，包含表面活性剂的原材料也可以被用作介电原材料。
如上所述，当包含表面活性剂时，形成有规则的位于介电薄膜中的表面活性剂胶束。通过执行上述的介电薄膜的孔成形步骤(也就是，去除薄膜的表面活性剂的步骤)，形成规则排列的孔。结果是，多孔结构的机械强度增加，因此薄膜的可加工性被改进。
另外，例如暴露介电原材料到超临界流体下的步骤可以被用作孔成形步骤。
例如暴露薄膜到具有高极性的乙醇基有机溶剂下的步骤被用作孔成形步骤(移去薄膜中的表面活性剂的步骤)；但是，通过暴露薄膜到具有低表面张力的超临界流体下的步骤，超临界流体可以被扩散到十分细微的区域，结果是，即使在十分细微的区域中，表面活化剂也可以被有效的去除。
在上述的情况下，例如二氧化碳、乙醇、甲醇、水、氨以及氟化碳材料可以被单独使用或者相结合来作为超临界流体。
进而，当孔成形步骤包括热处理的步骤时，该热处理的步骤在暴露介电原材料到超临界流体下之后执行，可以稳定薄膜质量。
在上述的情况下，例如，孔成形步骤中的热处理可以在200℃或更高的温度下被执行。
因此，例如，当薄膜由硅石材料(介电原材料的一个例子)形成时，Si-O结合键被增强。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的介电线X的结构的透视图。
图2是多孔材料的气孔率和相对介电常数之间的关系的曲线图。
图3是根据本发明的一个实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图。
图4是本发明的第一实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图。
图5是本发明的第二实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图。
图6是本发明的第三实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图。
图7是示出传统的普通NRD波导的结构的透视图。
具体实施方式
以下，本发明的实施例和例子将被描述，以便于理解本发明。本发明的以下的实施例和例子将通过例子来描述，并且可以自然的理解本发明并不限制于此。
在这个实施例中，图1是根据本发明的一个实施例的介电线X的结构的透视图；图2是示出多孔材料的气孔率和相对介电常数之间的关系的曲线图；图3是示出根据本发明的一个实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图；图4是示出根据本发明的第一实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图；图5是示出根据本发明的第二实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图；图6是示出根据本发明的第三实施例的介电线X的制造方法的过程的流程图；以及图7是示出传统的普通NRD波导的结构的透视图。
首先，参考图1，根据本发明的实施例的介电线X的结构将被描述。
如图1所示，介电线X具有这样的结构，其中该结构由两个导电板1和2以及介电带40组成，该介电带位于其间并且具有比导电板1和2窄的宽度，上述的结构与图7所示的传统介电线(NRD波导)相同；但是，不同点在下面。也就是，介电带40由多孔材料形成，并且在导电板1和2之间而不是介电带40的部分被介电层30填充，介电层30由介电常数比介电带40的介电常数小的多孔材料组成。
由于介电带40和介电层30被填充在上述的两个导电板1和2之间，与之前已经被使用的介电线相比(如图7所示，其中除了介电带之外的部分是空(空气)的)，介电带40的移位不会发生，并且强度被大大增加，从而形成稳定的结构。
另外，由于多孔材料被用于介电带40和介电层30，，通过增加其气孔率，介电常数和介电损耗会被大量的减小，结果是，可以很高传输效率(低损耗)的传输高频信号。进而，通过任意的选择多孔材料的气孔率，可以实现所期望的介电常数(见图2)，因此设计的自由度被显著增加。
图2是示出了介电薄膜的气孔率与介电常数之间的关系的曲线图，其中介电薄膜由金属醇盐(tetramethoxysilane)形成作为原材料，介电薄膜是多孔材料的一个例子。如图2所示，应当理解，当气孔率增加时，相对介电常数线性地接近1.00。也就是，当多孔材料的气孔率极限增加到100％时，可以获得某特性(相对介电常数和介电损耗)，该特性无限地接近空气的特性。
另外，两个导电板1和2之间的距离(也就是，介电带40的厚度以及介电层30的厚度)形成为介电层30中的信号的波长一半或更少，信号通过介电线X传输。因此，介电线X形成NRD波导(无辐射介电线)，其中不会发生传输信号的不必要的辐射。因此，可以执行没有辐射损耗的有效信号传输。
接下来，参考图3所示的流程图，图1所示的介电线X的制造方法的一个例子将被描述。以下，S11、S12…分别表示过程步骤(步骤)中的序数。
首先，介电原材料A被施加到基底上，从而具有预定的厚度，其中介电原材料是预定的介电原材料，基底是上述两个导电板之一的导电板1(S11)。这个厚度是介电层30中的信号的波长的一半或更少，该信号通过介电线X传输。
介电原材料A是由下面的过程准备的一种溶液。也就是，在混合并搅拌2g的四甲基氧化硅烷(tetramethoxysilane)(金属醇盐)Si(CH3)O4、10g乙醇、2g丁醇、1g甲基3-甲氧基丙酸盐(methoxypropionate)以及1.2g的PH值为3的水之后，将混合物维持在60℃大约6小时以利于它们之间的化学反应，从而形成一种溶液，然后通过混合上述具有IBCF(由SanwaChemical Co.，Ltd制造)的溶液来准备一种透明溶液，该溶液是光致酸生成剂，具有0.05％的比例(重量百分比)，随后将0.2g的十六碳烷三甲基铵氯化物(表面活性剂的一个例子)与10cc的上述溶液混合，然后搅拌。
接下来，被上述的介电原材料A覆盖的部分通过在80℃的空气中加热而被干燥，因此介电原材料A的薄膜形成(S12)。这个加热过程执行足够的时间段(例如接近1至5分钟)以除去过剩的溶剂(覆盖所需但其后不需要)，并通过增加薄膜的粘度稳定基底上的薄膜，其中过剩的溶剂例如是包含在原材料溶液中的乙醇。在这个实施例中，S11和S12是薄膜成形步骤的一个例子。
随后，上述介电原材料A的薄膜的仅仅一部分，其具有相应于介电带40的形状，被电子束照射(也就是，具有相应于介电带40的形状的部分被暴露在电子束下)(S13)。例如加速电压为50KeV并且用量为10μC/cm2的电子束被用作电子束。
因此，由四甲基氧化硅烷(tetramethoxysilane)形成的Si-OH结合键形成为Si-O结合键(所谓交联反应)。
也就是，在电子束辐射之前形成的薄膜没有理想的硅石结构，并且仍然具有一些未反应的部分(尤其是，Si-OH结合键)。当上述的状态中的薄膜被电子束照射时，未反应的部分被交联，结果是，作为硅石的碳质页岩可以被逐渐的增强。另外，同时，由表面活化剂形成的胶束结构被破坏，交联反应继续进行，从而可以形成更高的密集结构。
接着，在空气中对介电原材料A以100℃进行加热(烘烤)(S14)。该步骤便于那些没有辐射电子束的部分进行交联反应，并进行例如大约1至5分钟。
接着，通过采用80℃、15Mpa的超临界CO2(超临界流体的一个例子)，对表面活性剂十六碳烷三甲基铵氯化物进行萃取处理，从而残留在介电原材料中的有机成分(表面活性剂)被该超临界萃取去除(S15)。
在该步骤中，例如，在介电原材料填充到预定压力的容器当中之后，接着引入未处于超临界状态的CO2到该压力容器中，增加温度和/或压力，从而CO2处于超临界状态。此外，处于超临界状态的流体可以填充到介电材料的压力容器当中。
接着，被上述萃取处理过的介电原材料在空气中被加热到200℃(S16)。该加热进行例如大约5至30分钟。在该实施例中，S15和S16构成上述孔成形步骤的一个示例。
通过上述步骤，在介电原材料A的那一层中，由于之前存在有机成分但是已经将这些成分去除的那些部分被形成为孔，所以，由多孔材料制成的一层形成在基底上(也就是，两个导电板之一，导电板1)。此外，相比于接受了电子束辐射的部分(也就是，相应于介电带40的部分)，其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)具有高气孔率。当通过上述步骤形成的多孔材料层的相对介电常数被测量时，被电子束辐射的部分(也就是，相应于介电带40的部分)的相对介电常数是2.0，而其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)的相对介电常数是1.5。如上所述，介电带40和介电层30具有良好平衡的介电常数，这就是介电线所需要的。该实施例中形成的介电带40和介电层30是具有不同气孔率的气凝胶材料(干燥气凝胶材料)。
另一个导电板2粘附到这样形成的介电带40和介电层30上，从而形成介电线X。
根据上述制造方法，不同于组成元件单独形成然后进行装配的传统制造方法，本发明的制造方法通过图案化来进行，因此，上述方法能够合适的用于批量生产。
此外，在步骤13中，替代上述电子束的辐射，当X射线(例如，具有1GeV电子能量)或离子束(比如，200keV能量、1e13到1e14/cm2的离子量的Be2+辐射)进行辐射时，也可以获得类似的结果。
作为用于步骤S15中的萃取处理的超临界流体，可以采用包含两种或更多种材料的混合物，其中上述两种或更多种材料中的至少一种选自下面的材料构成的组：二氧化碳、乙醇、甲醇、水、氨以及氟化碳材料。
除了上述材料，还可以加入溶剂，以改进萃取处理的性能。作为在这种情况下使用的溶剂，考虑到CO2的兼容性，最好使用有机溶剂。作为可用的有机溶剂，例如，可以采用乙醇基溶剂、酮基溶剂、氨基溶剂。
作为特定的乙醇基溶剂，例如，可以采用甲醇、乙醇、n-丙醇二酸、异丙醇、n-丁醇、异丁醇、sec-丁醇、t-丁醇、n-戊醇、异戊醇、2-甲基丁醇、sec-戊醇、t-戊醇、3-甲氧基丁醇、n-己醇、2-甲基戊醇、sec-己醇、以及2-乙烷基丁醇。
作为特定的酮基溶剂，例如，可以采用丙酮、甲基乙基酮、甲基n-丙基酮、甲基n-丁基酮、二乙基酮、甲基i-丁基酮、甲基n-戊基酮、乙基n-丁基酮、甲基n-己基酮、二n-丁基酮。
作为特定的氨基溶剂，例如，可以采用甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N′-二甲基甲酰胺、N-乙基甲酰胺、N，N′-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N，N′-二甲基乙酰胺、N-乙基乙酰胺、N，N′-二乙基乙酰胺、N-甲基丙酸胺、以及N-甲基吡咯烷酮。
作为上述的表面活性剂，可以采用公知的材料，比如非离子式表面活性剂以及阳离子表面活性剂。作为非离子式表面活性剂，例如，可以采用乙撑氧衍生物以及环氧丙烷衍生物。
作为阳离子表面活性剂，例如，可以采用具有8-24个炭原子的烷基族季铵盐，比如CnH2n+1(CH3)3N+X-，CnH2n+1(C2H5)3N+X-，CnH2n+1NH2，以及H2N(CH2)nNH2。
此外，除了上述材料，还可以采用所谓的二价染色体表面活性剂，其在一个分子中具有多个亲水族和多个憎水族，比如CnH2n+1X2N+M-、(CH3)5N+M-X2CmH2m+1(n，m＝5-20)。在上述结构中，X表示阴离子(特别是，Cl-，Br-等等)，M表示氢原子或更低的烃基族(特别是，CH3，C2H5等等)。
上述表面活性剂可以单独使用也可以结合使用。
作为介电原材料，无机材料在热稳定性、加工性能以及机械强度方面是优越的。例如，可以采用氧化钛、硅、铝、硼、锗、镧、镁、铌、磷化合物、钽、锡、钒以及锆。在这些材料当中，当上述金属的金属醇盐用作原材料时，在薄膜成形步骤中，最好进行和表面活性剂之间的混合。作为特定的金属醇盐，可以采用四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四甲氧基钛、四n-丁氧基钛、四乙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四-n-丁氧基硅烷、三乙氧基氟硅烷、三乙氧基硅烷、三异丙氧基氟硅烷、三甲氧基氟硅烷、三甲氧基硅烷、三n-丁氧基氟硅烷、三n-丙氧基氟硅烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三甲基氯硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基二乙氧基氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、三甲氧基乙氧基乙烯基硅烷、三乙氧基铝、三异丁氧基铝、三异丙氧基铝、三甲氧基铝、三-n-丁氧基铝、三-n-丙氧基铝、三-sec-丁氧基铝、三-tert-丁氧基铝、三乙氧基硼、三异丁氧基硼、三异丙氧基硼、三甲氧基硼、三-n-丁氧基硼、三-sec-丁氧基硼、四乙氧基锗、四异丙氧基锗、四甲氧基锗、四-n-丁氧基锗、三甲氧基乙氧基镧、二甲氧基乙氧基镁、五乙氧基铌、五异丁氧基铌、五甲氧基铌、五-n-丁氧基铌、五-n-丙氧基铌、三乙基磷酸盐、三乙基磷酸盐、三异丙氧基磷酸盐、三异丙氧基亚磷酸盐、三-n-丁基磷酸盐、三-n-丁基亚磷酸盐、三-n-丙基磷酸盐、三-n-丙基亚磷酸盐、五乙氧基钽、五异丙氧基钽、五甲氧基钽、四-tert-丁氧基锡、锡醋酸盐、三异丙氧基-n-丁基锡、三乙氧基钒、三-n-丙氧基氧化钒、三乙酰丙酮化钒、四异丙氧基锆、四-n-丁氧基锆、以及四-tert-丁氧基锆。在上述材料中，通过示例的方式，以下材料可以选作最优的材料：四异丙氧基钛、四-n-丁氧基钛、四乙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四-n-丁氧基硅烷、三异丁氧基铝以及三异丙氧基铝。这些金属醇盐可以单独使用，也可以结合使用。作为无机材料，最好采用主要由硅石构成的材料，这是因为这样可以获得低介电常数的层。
此后，参照特定的实施例，将描述本发明的优越效果。
(实施例1)
下面，参照图4中的流程图，将描述用于制造图1所示的介电线X的方法的第一实施例。
首先，作为预定介电原材料的介电原材料B被施加到基底，该基底为上述两个导电板之一，即导电板1，从而获得一个预定厚度(S21)。
通过下面的过程获得介电原材料B。将2g四乙氧基硅烷(金属醇盐)Si(CH3O)4，其是有机金属材料的一种，和10g乙醇、2g丁醇、1g甲基3-甲氧基丙酸盐以及1.2gPH值3的水混合并搅拌后，在60℃保持该混合物达大约6小时，以便于反应生成一种溶液，然后通过将上述溶液和IBCF(由Sanwa Chemical Co.，Ltd制造)的溶液混合来准备一种透明溶液，该溶液是光致酸生成剂，具有0.05％的比例(重量百分比)，随后将0.2g的十六碳烷三甲基铵氯化物(表面活性剂的一个例子)与10cc的上述溶液混合，然后搅拌。接着通过在200℃下进行加热(烘烤)处理，从而形成介电原材料B。
接下来，被上述的介电原材料B覆盖的部分通过在80℃的空气中加热(烘烤)而被干燥，因此介电原材料B的薄膜形成(S22)。这个加热过程执行足够的时间段(例如接近1至5分钟)，以通过增加薄膜的粘度稳定基底上的薄膜。在这个实施例中，S21和S22是薄膜成形步骤的一个例子。
随后，上述介电原材料B的薄膜的仅仅一部分，其具有相应于介电带40的形状，被紫外线照射(也就是，具有相应于介电带40的形状的部分被暴露在紫外线下)(S23)。
因此，通过交联反应形成Si-O结合键。
接着，在100℃的空气中对介电原材料B的薄膜进行加热(烘烤)(S24)。该步骤也便于那些没有辐射紫外线的部分进行交联反应，并进行例如大约1至5分钟。
接着，通过采用80℃、15Mpa的超临界CO2(超临界流体的一个例子)，对表面活性剂十六碳烷三甲基铵氯化物进行萃取处理，从而残留在介电原材料中的有机成分被去除(S25，孔成形步骤的一个例子)。
另一个导电板2粘附到这样形成的介电带40和介电层30上(S26)，从而形成介电线X。
通过上述步骤，相比于接受了紫外线辐射的部分(也就是，相应于介电带40的部分)，其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)具有高气孔率。当通过上述步骤形成的多孔材料层的相对介电常数被测量时，相应于介电带40的部分的相对介电常数是2.0，而其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)的相对介电常数是1.5。
(实施例2)
下面，参照图5中的流程图，将描述用于制造图1所示的介电线X的方法的第二实施例。
首先，作为预定介电原材料的介电原材料C被施加到基底，该基底为上述两个导电板之一，即导电板1，从而获得一个预定厚度(S31)。
通过下面的过程获得介电原材料C。将2g四乙氧基硅烷(金属醇盐)Si(CH3O)4，其是有机金属材料的一种，和10g乙醇、2g丁醇、1g甲基3-甲氧基丙酸盐以及1.2gPH值3的水混合并搅拌后，在60℃保持该混合物达大约6小时，以便于反应生成一种透明溶液，随后将0.2g的十六碳烷三甲基铵氯化物(表面活性剂的一个例子)与10cc的上述溶液混合，然后搅拌。
接下来，被上述的介电原材料C覆盖的部分通过在80℃的空气中加热(烘烤)而被干燥，因此介电原材料C的薄膜形成(S32)。这个加热过程执行足够的时间段(例如接近1至5分钟)，以通过增加薄膜的粘度稳定基底上的薄膜。在这个实施例中，S31和S32是薄膜成形步骤的一个例子。
随后，上述介电原材料C的薄膜的仅仅一部分，其具有相应于介电带40的形状，暴露到蒸汽中(S33)。在该步骤中，例如，上述部分经一个掩模暴露到蒸汽中，该掩模具有一个相应于介电带40的形状的窗口(开口)，从而，除了该具有相应于介电带40的形状的部分的其它部分未暴露到蒸汽中。
因此，通过交联反应形成Si-O结合键。
接着，在该掩模被去除后，通过采用80℃、15Mpa的超临界CO2(超临界流体的一个例子)，对表面活性剂十六碳烷三甲基铵氯化物进行萃取处理，从而残留在介电原材料中的有机成分被去除(S34)，并且在200℃的空气中进行进一步加热(S35)。该加热例如进行大约5至30分钟。在该实施例中，步骤34和35是孔成形步骤的一个例子。
另一个导电板2粘附到这样形成的介电带40和介电层30上(S36)，从而形成介电线X。
通过上述步骤，相比于暴露到蒸汽中的部分(也就是，相应于介电带40的部分)，其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)具有高气孔率。当通过上述步骤形成的多孔材料层的相对介电常数被测量时，相应于介电带40的部分的相对介电常数是2.0，而其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)的相对介电常数是1.5。
此外，在步骤33中，替代暴露到四乙氧基硅烷蒸汽，例如，还可以暴露到比如四甲氧基硅烷的硅醇盐蒸汽当中、暴露到潮湿蒸汽(比如100℃、1大气压的潮湿蒸汽)当中、暴露到另一种酸性材料蒸汽(比如，23C、1大气压的饱和含水盐酸溶液蒸汽)当中、暴露到原始材料蒸汽(比如，23C、1大气压的饱和含水铵溶液蒸汽)当中，并将获得类似上述的结果。
(实施例3)
下面，参照图6中的流程图，将描述用于制造图1所示的介电线X的方法的第三实施例。
首先，作为预定介电原材料的介电原材料E被施加到基底，该基底为上述两个导电板之一，即导电板1，从而获得一个预定厚度(S41)。
通过下面的过程获得介电原材料E。将2g四乙氧基硅烷(金属醇盐)Si(CH3O)4，其是有机金属材料的一种，和10g乙醇、2g丁醇、1g甲基3-甲氧基丙酸盐以及1.2gPH值3的水混合并搅拌后，在60℃保持该混合物达大约6小时，以便于反应生成一种溶液，然后通过将上述溶液和IBCF(由Sanwa Chemical Co.，Ltd制造)的溶液混合来准备一种透明溶液D，该溶液是光致酸生成剂，具有0.05％的比例(重量百分比)，随后将0.2g的烷基三甲基铵氯化物CH3(CH2)nN(CH3)3Cl(表面活性剂的一个例子)(其中满足n＝12)与10cc的上述透明溶液D混合，然后搅拌。
接下来，被上述的介电原材料E覆盖的部分通过在80℃的空气中加热(烘烤)而被干燥，因此介电原材料E的薄膜形成(S42)。这个加热过程执行足够的时间段(例如接近1至5分钟)，以通过增加薄膜的粘度稳定基底上的薄膜。在这个实施例中，S41和S42是薄膜成形步骤的一个例子。
随后，上述介电原材料E的薄膜的仅仅一部分，其具有相应于介电带40的形状，被电子束照射(也就是，具有相应于介电带40的形状的部分被暴露在电子束下)(S43)，如该实施例所描述的那样。电子束照射强度为10μC/cm2。
因此，通过交联反应形成Si-O结合键。
接着，对于介电原材料E的薄膜，进行显影处理(膜去除步骤的一个例子)，该处理采用比如有机溶剂的溶剂或者碱性溶液(比如，四甲基铵氢氧化物的含水溶液)。通过该处理，在介电原材料E的薄膜中，化学键未形成的未照射部分(也就是，除了具有相应于介电带形状的那部分的其它部分)被选择性去除。
接着，作为预定介电原材料的介电原材料F被施加到基底，从而获得一个预定厚度(S45)，基底上薄膜所处区域的那部分被去除。
介电原材料F是一种溶液，通过混合和搅拌10cc的溶液D和0.2g的烷基三甲基铵氯化物CH3(CH2)nN(CH3)3Cl(表面活性剂的一个例子)(其中满足n＝12)，来制备该溶液。
接着，在100℃的空气中对介电原材料F的薄膜进行加热(烘烤)(S46)。该步骤便于介电原材料F的交联反应，并进行例如大约1至5分钟。
接着，通过采用80℃、15Mpa的超临界CO2(超临界流体的一个例子)，对表面活性剂十六碳烷三甲基铵氯化物进行萃取处理，从而残留在介电原材料E和F的薄膜(整个薄膜)中的有机成分被去除(S47)。在该萃取处理中，在200℃的空气中进行进一步加热(S48)。该加热例如进行大约5至30分钟。在该实施例中，步骤47和48是孔成形步骤的一个例子。
另一个导电板2粘附到这样形成的介电带40和介电层30上(S49)，从而形成介电线X。
通过上述步骤，相比于介电原材料E的薄膜部分(也就是，相应于介电带40的部分)，介电原材料F的薄膜部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)具有高气孔率。当通过上述步骤形成的多孔材料层的相对介电常数被测量时，相应于介电带40的部分的相对介电常数是2.0，而其它部分(也就是，相应于介电层30的那些部分)的相对介电常数是1.5。
此外，除了电子束照射强度设置为5μC/cm2，介电线通过上述相同的方法和条件形成。在上述情况中，相应于介电层30的那些部分的相对介电常数是1.8。如上所述，通过改变电子束照射强度，相应于介电层30的那些部分的相对介电常数可以被调整到所需值。
此外，通过采用表面活性剂(烷基三甲基铵氯化物)，其中满足n＝14，可以通过上述相同的方法和条件来形成介电线。在上述情况中，相应于介电层30的那些部分的相对介电常数是1.8。如上所述，可以改变相应于介电层30的那些部分的相对介电常数。
工业应用
根据本发明，如上所述，与除了介电带以外的部分是空(空气)的传统介电线(参见图7)相比，由于两个导电板之间的空间填充了介电带和介电层，所以本发明的介电带不可能被移位，从而强度被大大增加，以形成稳定的结构。
另外，由于多孔材料被用于介电带和介电层，通过增加其气孔率，介电常数和介电损耗会明显的减少。结果是，可以很高传输效率(低损耗)的传输高频信号。
此外，根据本发明，由于可以通过调整气孔率，使得介电带和介电层由实质相同的多孔材料形成，所以，介电带和介电层可以由一种材料形成，所以可以容易地进行生产(生产成本降低)。此外，与通过机械方法制造三维结构的传统情况相比，由于该生产过程使用图案化处理来进行，所以，可以适当的进行批量生产，并且也可以制造出复杂的形状。进而，由于具有可选的介电常数的多个介电带可以形成在一个基底(导电板)上，所以，能够响应不同频率传输信号的NRD波导可以形成在一个基底上。因此，设计NRD波导的自由度明显增加。

Claims (18)

1.一种介电线，包括：位于两个大致相互平行的导电板之间的介电带，并且介电带具有比导电板窄的宽度，其特征在于，
介电带由多孔材料组成，以及
在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分被介电层填充，该介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。
2.根据权利要求1所述的介电线，其特征在于，介电带和介电层由实质相同的材料形成并且具有彼此不同的气孔率。
3.根据权利要求1所述的介电线，其特征在于，两个导电板之间的距离是介电层中信号波长的一半或更少，该信号通过介电线传输。
4.根据权利要求1所述的介电线，其特征在于，介电带和介电层由气凝胶材料构成。
5.一种用于制造介电线的方法，所述介电线具有介电带和介电层，介电带位于两个大致相互平行的导电板之间，并且介电带具有比导电板窄的宽度，介电层填充在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分，介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成，所述方法包括：
使用介电原材料在导电板之一上形成薄膜的薄膜成形步骤；
将介电原材料的薄膜的一部分暴露到预定的光线、光束以及蒸汽下的带暴露步骤，所述部分具有相应于介电带的形状；以及
使得介电原材料整个薄膜多孔的孔成形的步骤。
6.根据权利要求5所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，
所述带暴露步骤是将具有相应于介电带的形状的那部分被暴露到紫外线、电子束、X射线或者离子束的步骤，以及
介电原材料可以包含感光材料。
7.根据权利要求5所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，
所述带暴露步骤是将具有相应于介电带的形状的那部分被暴露到湿蒸汽、包含酸性材料的蒸汽、包含基本材料的蒸汽或者包含介电原材料的蒸汽当中的步骤。
8.根据权利要求6所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述感光材料包括光致酸生成剂。
9.根据权利要求5所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述介电原材料包括有机金属材料。
10.根据权利要求9所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述有机金属材料包括金属醇盐。
11.根据权利要求5所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述介电原材料包括表面活性剂。
12.一种用于制造介电线的方法，所述介电线具有介电带和介电层，介电带位于大致相互平行的两个导电板之间，并且具有比导电板的宽度窄的宽度，介电层填充在导电板之间介电带以外的部分，并且由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成，所述方法包括：
使用第一介电原材料在导电板之一上形成第一薄膜的第一薄膜成形步骤；
去除除了具有相应于介电带的形状的那部分之外的第一薄膜的薄膜去除步骤；
使用第二介电原材料在由薄膜去除步骤中处理的所述两个导电板之一上形成第二薄膜的第二薄膜成形步骤；以及
使得第一和第二介电原材料的整个薄膜多孔的孔成形步骤。
13.根据权利要求12所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，
所述薄膜去除步骤包括，暴露第一介电原材料的第一薄膜到预定的光线或光束下，其中该部分具有相应于介电带的形状，随后进行显影处理，以去除具有相应于介电带的形状的部分之外的第一薄膜。
14.根据权利要求12所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述第一介电原材料包括感光材料。
15.根据权利要求14所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述感光材料包括光致酸生成剂。
16.根据权利要求12所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述介电原材料包括有机金属材料。
17.根据权利要求16所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，所述有机金属材料包括金属醇盐。
18.根据权利要求12所述的用于制造介电线的方法，其特征在于，介电原材料包括表面活性剂。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104347920A (zh) * 2013-08-02 2015-02-11 Tdk株式会社 电介质线路以及电子部件
JP2015156713A (ja) * 2015-04-24 2015-08-27 Tdk株式会社 電子部品
JP2019510434A (ja) * 2016-03-28 2019-04-11 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 電磁波信号伝送のための導波管
CN111670495A (zh) * 2018-01-25 2020-09-15 株式会社村田制作所 具有嵌入的多孔电介质的电子产品、相关的半导体产品及其制造方法
JP2021517774A (ja) * 2018-04-06 2021-07-26 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 電磁波信号伝送のための導波管

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7696625B2 (en) * 2004-11-30 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7985677B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7732349B2 (en) * 2004-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of insulating film and semiconductor device
JP4887342B2 (ja) * 2008-10-06 2012-02-29 株式会社日立製作所 誘電体導波路及びその製造方法
FR2980040B1 (fr) * 2011-09-14 2016-02-05 Commissariat Energie Atomique Transistor organique a effet de champ
WO2018125227A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Intel Corporation Waveguide design techniques to enhance channel characteristics
CN111149253B (zh) 2017-09-29 2024-09-03 英特尔公司 多管芯半导体封装中的经由波导的半导体管芯间通信
JP6948904B2 (ja) * 2017-09-29 2021-10-13 株式会社Ｓｏｋｅｎ 内燃機関用のスパークプラグ
US11329359B2 (en) * 2018-05-18 2022-05-10 Intel Corporation Dielectric waveguide including a dielectric material with cavities therein surrounded by a conductive coating forming a wall for the cavities
CN114464970A (zh) * 2022-02-10 2022-05-10 南京信息工程大学 一种基于sagnac环的太赫兹带阻滤波器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2085660A (en) * 1980-10-16 1982-04-28 Marconi Co Ltd Waveguides
JPS57166701A (en) * 1981-04-03 1982-10-14 Shigeo Nishida Dielectric line
JPS58215804A (ja) * 1982-06-09 1983-12-15 Seki Shoji Kk 誘電体線路
JPS6451202A (en) 1987-08-20 1989-02-27 Sumitomo Electric Industries Cutting tool covered with diamond
JPH0254602A (ja) 1988-08-19 1990-02-23 Junkosha Co Ltd 高周波伝送回路
JP2692328B2 (ja) 1990-03-20 1997-12-17 株式会社村田製作所 Ｎｒｄガイド
JP3125164B2 (ja) 1992-07-24 2001-01-15 本田技研工業株式会社 非放射性誘電体線路
JP3123293B2 (ja) 1993-03-05 2001-01-09 株式会社村田製作所 非放射性誘電体線路およびその製造方法
JPH0865015A (ja) 1994-08-25 1996-03-08 Honda Motor Co Ltd Ｎｒｄガイドおよびｎｒｄガイド回路素子
JPH08228105A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Sumitomo Electric Ind Ltd マイクロストリップ基板
US5736425A (en) * 1995-11-16 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Glycol-based method for forming a thin-film nanoporous dielectric
JP3377932B2 (ja) * 1997-06-30 2003-02-17 京セラ株式会社 高周波用多層配線基板の製造方法
JP3356120B2 (ja) 1999-06-24 2002-12-09 株式会社村田製作所 誘電体線路の製造方法
JP2001237617A (ja) * 1999-12-13 2001-08-31 Tdk Corp 伝送線路
JP3407710B2 (ja) 2000-04-26 2003-05-19 株式会社村田製作所 誘電体線路の製造方法
JP2002076717A (ja) * 2000-09-05 2002-03-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 誘電体複合磁器及びそれを用いた高周波回路素子及び高周波回路部品
JP2003115705A (ja) 2001-07-31 2003-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd マイクロストリップ基板
JP2003089585A (ja) 2001-09-13 2003-03-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 多孔質セラミックスとその製造方法
JP2002308678A (ja) 2001-02-08 2002-10-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 多孔質セラミックスおよびその製造方法
EP1359133A4 (en) * 2001-02-08 2007-03-07 Sumitomo Electric Industries POROUS CERAMIC, PREPARATION METHOD, AND MICROBAND SUBSTRATE
TW594416B (en) * 2001-05-08 2004-06-21 Shipley Co Llc Photoimageable composition

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104347920A (zh) * 2013-08-02 2015-02-11 Tdk株式会社 电介质线路以及电子部件
JP2015156713A (ja) * 2015-04-24 2015-08-27 Tdk株式会社 電子部品
JP2019510434A (ja) * 2016-03-28 2019-04-11 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 電磁波信号伝送のための導波管
CN111670495A (zh) * 2018-01-25 2020-09-15 株式会社村田制作所 具有嵌入的多孔电介质的电子产品、相关的半导体产品及其制造方法
JP2021517774A (ja) * 2018-04-06 2021-07-26 コリア アドバンスト インスティチュート オブ サイエンス アンド テクノロジー 電磁波信号伝送のための導波管
JP7255953B2 (ja) 2018-04-06 2023-04-11 ポイントツー テクノロジー インコーポレイテッド 電磁波信号伝送のための導波管

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