JP3377932B2 - 高周波用多層配線基板の製造方法 - Google Patents
高周波用多層配線基板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等も高周波帯で用いられる高周波用の多層配線基板の
製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来技術】マイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波で用い
られる高周波回路の伝送線路には小型で伝送損失が小さ
いことが求められる。従来、伝送線路としては同軸線
路、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレ
ナー線路、導波管、ＮＲＤガイド等が知られている。 【０００３】同軸線路、ストリップ線路、マイクロスト
リップ線路、コプレナー線路は誘電体と導体層からなる
信号線路と地板（グランド層）で構成されており、信号
線路と地板の周囲の空間および誘電体中を電磁波が伝播
するものである。 【０００４】この時、同軸線路、ストリップ線路、マイ
クロストリップ線路、コプレナー線路は誘電体と導体層
からなる信号線路と地板（グランド層）で構成されてお
り、高誘電率の誘電体を用いれば、回路全体を小型に形
成できるが、誘電体損失と導体損失が大きい場合は、高
周波になるほど伝送損失が大きくなるという問題があっ
た。 【０００５】更に、マイクロストリップ線路とコプレナ
ー線路は信号線路が地板で完全に囲まれていないため、
放射による損失が大きいという問題があった。また、導
波管は金属製の壁で囲まれた空間を電磁波が伝播する構
造となっており、高周波での伝送損失が小さく、放射損
失も小さいが、サイズが大きくなるという問題があっ
た。 【０００６】一方、ＮＲＤガイドは、特開平８−６５０
１５号公報に提案されているように、誘電体からなる誘
電体線路を地板である金属平板２枚で狭持した構造を有
し、平板間の誘電体線路以外の部分には空気が満たされ
ている。このＮＲＤガイドによれば、誘電体線路の比誘
電率が空気より大きいと、誘電体線路中の波長は空気中
の波長より短くなるため、金属平板の間隔が空気中で半
波長以下、誘電体線路中で半波長以上に相当する場合は
平板間の空気（比誘電率１）中では波は伝播せずに誘電
体線路中のみを波が伝播する。 【０００７】従って、ＮＲＤガイドは、他の高周波線路
に比較して誘電体線路から周囲への電磁波の漏れがほと
んどなく無く、また誘電体線路として誘電損失の小さい
誘電体材料を用いれば低損失の伝送線路を形成できる点
で有利である。そこで、従来からＮＲＤガイドにおける
誘電体線路は、主にテフロン等の樹脂で作製されてい
る。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＮ
ＲＤガイドを高周波用、特に配線基板における高周波用
の伝送線路として適用させる場合、ＮＲＤガイドの寸法
を小さくする必要があるが、従来のＮＲＤガイド構造
は、金属平板で誘電体線路を狭持した構造となっている
ため、基板内部に形成することが難しく、しかも従来か
ら用いられているテフロンを誘電体として用いると、屈
曲部等の加工が難しいという問題があった。 【０００９】 【００１０】従って、本発明は、多層配線基板内にＮＲ
Ｄガイド構造の高周波線路を容易に形成することができ
る製造方法を提供することを目的とするものである。 【００１１】 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、複数の低誘電
体からなる絶縁層を積層してなる絶縁基板に、幅Ｌ1の
高誘電体部と、該高誘電体部の上下面に形成され、前記
幅Ｌ1よりも大きい幅Ｌ2をもって線路方向に形成された
一対の導体層とからなる伝送線路を配設した高周波用の
多層配線基板を製造するための方法として、低誘電体か
らなる第１の絶縁層に幅Ｌ1の貫通溝を形成する工程
と、低誘電体からなる第２の絶縁層の上面に、前記貫通
溝を全面にわたって塞ぐような位置に、前記幅Ｌ1より
も大きい幅Ｌ2からなる第１の導体層を形成する工程
と、前記第１の絶縁層の下面に前記第２の絶縁層の上面
を前記第１の導体層によって前記貫通溝を塞ぐような位
置にて積層する工程と、前記第１の導体層により塞がれ
た前記貫通溝内に高誘電体を埋め込む工程と、前記第１
の絶縁層の上面および前記高誘電体部の露出面に、前記
幅Ｌ2からなる第２の導体層を形成する工程と、を具備
することを特徴とするものである。 【００１３】 【発明の実施の形態】本発明の高周波用多層配線基板の
概略配置図を図１に示した。図１によれば、本発明の多
層配線基板１は、低誘電体からなる絶縁層２を複数層積
層して絶縁基板３が形成されるとともに、配線基板内に
は、信号の伝達を行うための伝送線路が形成されてい
る。一般に、高周波用として適用する場合、伝送線路と
しては、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コ
プレナー線路などが知られているが、これらの線路は、
その性質を活かし、配線基板内の所定の箇所に所定の線
路を形成することができるが、本発明によれば、その伝
送線路の１つとして、ＮＲＤガイド構造の伝送線路を有
するものである。また、本発明の多層配線基板は、特に
１ＧＨｚ以上、特に３０ＧＨｚ以上のマイクロ波、ミリ
波の信号伝送用に用いられるものである。 【００１４】本発明におけるＮＲＤガイド構造の伝送線
路は、絶縁基板３を構成する絶縁層のうち少なくとも１
層の絶縁層２に対して、幅Ｌ1 をもって絶縁層２を形成
する誘電体材料よりも高誘電率を有する高誘電体部４
が、線路方向に幅Ｌ1 、厚みｔをもって埋設されてい
る。そして、その高誘電体部４の上下面には、高誘電体
部４の幅Ｌ1 よりも大きい幅Ｌ2 をもって一対の導体層
５、６が高誘電体部４を挟持するように線路方向にわた
って形成されている。 【００１５】かかる構造において、高誘電体部４とその
両側に低誘電体からなる絶縁層２が形成され、その高誘
電体部４の上下面に一対の導体層５、６によりＮＲＤガ
イド構造の線路が形成され、この線路により信号の伝送
を行うことができる。 【００１６】ここで用いられる低誘電体からなる絶縁層
２の比誘電率εｒ1 と、高誘電体部４の比誘電率εｒ2
とは、εｒ2 ／εｒ1 ≧２であればよく、その差が大き
いほど、伝送線路として、許容し得る信号周波数幅を広
げることができる。例えば、εｒ＝４、εｒ1 ＝２、ｔ
＝０．８８ｍｍの時、６０ＧＨｚ〜８４．８ＧＨｚの周
波数の信号を伝送することができ、εｒ2 、εｒ1 の差
がこれより大きいと、さらに幅広い周波数の信号を伝送
することができる。 【００１７】また、高誘電体部４の幅Ｌ1 および厚みｔ
は、ｔ／２≦Ｌ1 ≦ｔ、ｔ＝Ｃ／｛２ｆｃ（εｒ2 ）
1/2 ｝（Ｃ：光速，ｆｃ：遮断周波数，εｒ2 ：高誘電
体部の比誘電率）の関係を満足するように設定される。 【００１８】また、導体層５，６の幅Ｌ2 は、高誘電体
部４の幅Ｌ1 よりも大きいことが必要で、Ｌ1 ＝Ｌ2 で
は、信号のもれが発生するためである。好適には、Ｌ2
は、Ｌ1 の５倍以上、特に７倍以上であるのがよい。こ
のＮＲＤガイド構造の伝送線路は、多層配線基板１の内
部または表面のいずれに形成されていてもよい。 【００１９】次に、かかる多層配線基板において、ＮＲ
Ｄガイド構造の伝送線路を形成する方法について図２を
もとに説明する。図２によれば、まず、（ａ）に示すよ
うに、単一層の厚みを調整するか、または積層して、前
記の関係を満足する厚みｔを有する絶縁層１０を形成す
る。次に、図２（ｂ）に示すように、その絶縁層１０に
おける線路方向に絶縁層１０を貫通する幅Ｌ1 の貫通溝
１１を形成する。 【００２０】一方、図２（ｃ）に示すように、他の絶縁
層１２の上面の絶縁層１０に形成した貫通溝１１を線路
方向に全面にわたって塞ぐような位置に、前記幅Ｌ1 よ
りも大きい幅Ｌ2 からなる帯状の導体層１３を形成す
る。 【００２１】そして、図２（ｄ）に示すように、貫通溝
１１が形成された絶縁層１０の下面と、導体層１３が形
成された絶縁層１２の上面とを、貫通溝１１が導体層１
３によって完全に塞がれるように配置して積層する。こ
れにより、貫通溝１１の一方の開放端が塞がれることに
より、凹構造となる。 【００２２】次に、図２（ｅ）に示すように、凹構造と
なった貫通溝１１内に、高誘電体を埋め込み高誘電体部
１４を形成する。この埋め込みは、例えば、貫通溝１１
内に高誘電体を含有するスラリーを流し込む方法、凹構
造形状に整合した高誘電体からなるブロックを埋設する
方法などがある。 【００２３】その後、図２（ｆ）により貫通溝１１内に
埋め込まれた高誘電体部１４の露出面に、幅Ｌ2 からな
る導体層１５を形成する。この導体層１５の形成は、例
えば、絶縁層１１における高誘電体部１４の露出面に導
体を印刷する方法、別途、絶縁層の表面に高誘電体部１
４の露出面に対向する場所に導体層を形成し、絶縁層１
１の表面に、導体層１５を形成した絶縁層を積層すれば
よい。 【００２４】このように、図２（ａ）〜（ｆ）の工程に
より、高誘電体部１４と、一対の導体層１３、１５によ
り、ＮＲＤガイド構造の伝送線路を具備する配線層を形
成することができる。そして、この配線層を他の配線層
と適宜位置合わせして積層することにより、図１に示し
たような多層配線基板を作製することができる。 【００２５】上記の製造方法においては、絶縁層は、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ガラスセラミックス、ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 な
どの周知のセラミック材料、またはエポキシ樹脂などの
有機樹脂を含む絶縁材料からなるものであってもよい。 【００２６】例えば、上記セラミック材料からなる場合
には、焼成前のセラミックグリーンシートに対して、図
２（ａ）〜（ｆ）の工程を施した後に、絶縁層、高誘電
体部および一対の導体層を一括して同時焼成することに
より作製できる。その場合、導体層の形成は、それぞれ
のセラミック材料と同時焼成可能な導体ペーストを印刷
することにより形成される。例えば、セラミック材料
が、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3Ｎ4 、ＡｌＮの場合には、Ｗ，
Ｍｏなどの導体が、またガラス、ガラスセラミックスの
場合には、銅、銀、金などが用いられる。また、高誘電
体としては、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ
3 、ＺｎＴｉＯ3 などの周知の高誘電率化合物やこれら
の化合物を含むセラミック材料を用いて形成することが
できる。 【００２７】一方、有機樹脂からなる場合には、例え
ば、未硬化または半硬化状態の絶縁層の段階で、図２
（ａ）〜（ｅ）の工程を施した後に、絶縁層、高誘電体
部および一対の導体層を一括して熱処理して完全硬化す
ることにより作製できる。その場合、導体層の形成は、
銅、金、銀などの導体を含むペーストを印刷したり、銅
などの金属箔を貼り付けたり、メッキ法などにより形成
することも可能である。また、高誘電体部は、前記高誘
電率化合物や、これらの化合物と有機樹脂との複合材料
などを用いて形成することができる。 【００２８】 【実施例】ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 系ガラスにＡｌ2 Ｏ3 を添加してなり、焼成後の
比誘電率が５、誘電正接が０．００３となるガラスセラ
ミックスからなる厚み１．２ｍｍのグリーンシートＡに
幅Ｌ1 ＝１．０ｍｍの貫通溝を長さ３０ｍｍにわたって
形成した。そして、他のグリーンシートＢの上面に、幅
Ｌ2 ＝７ｍｍ、長さ４０ｍｍの帯状の導体層を銅メタラ
イズペーストを印刷して形成した。その後、グリーンシ
ートＡとグリーンシートＢとを貫通溝が導体層により塞
がれるように位置合わせして積層圧着した。 【００２９】次に、上記ガラスセラミックス組成物に対
して、ＳｒＴｉＯ3 を添加混合して、焼成後の比誘電率
が１０、誘電正接が０．００１の高誘電体材料からなる
セラミックスラリーを貫通溝内に流しこんで乾燥させ
た。その後、高誘電体スラリーを流しこんだ貫通溝およ
びグリーンシートＡの表面に、幅Ｌ2 ＝７ｍｍ、長さ４
０ｍｍの帯状の導体層を銅メタライズペーストを印刷し
て形成した。 【００３０】このようにして作製した積層成形体を、脱
脂後、９５０℃で焼成し、ＮＲＤガイド構造の伝送線路
を有する配線基板を作製した。 【００３１】そして、この伝送線路に対して、エアコプ
レーナプローブを取付け、ネットワークアナライザによ
り伝送特性を測定した。その結果、図３に示すように、
遮断周波数がｆｏ＝３９．５ＧＨｚであり、それ以上の
周波数では、信号が透過しており、ＮＲＤガイド特有の
伝送特性が得られていることがわかった。 【００３２】 【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用多
層配線基板によれば、高周波領域において、電磁波の漏
れがほとんどなく、低損失の伝送線路として利用できる
ＮＲＤガイドを伝送線路として多層配線基板内に形成す
ることできる結果、高周波用としての多層配線基板の信
頼性を高めることができる。
波等も高周波帯で用いられる高周波用の多層配線基板の
製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来技術】マイクロ波帯、ミリ波帯等の高周波で用い
られる高周波回路の伝送線路には小型で伝送損失が小さ
いことが求められる。従来、伝送線路としては同軸線
路、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コプレ
ナー線路、導波管、ＮＲＤガイド等が知られている。 【０００３】同軸線路、ストリップ線路、マイクロスト
リップ線路、コプレナー線路は誘電体と導体層からなる
信号線路と地板（グランド層）で構成されており、信号
線路と地板の周囲の空間および誘電体中を電磁波が伝播
するものである。 【０００４】この時、同軸線路、ストリップ線路、マイ
クロストリップ線路、コプレナー線路は誘電体と導体層
からなる信号線路と地板（グランド層）で構成されてお
り、高誘電率の誘電体を用いれば、回路全体を小型に形
成できるが、誘電体損失と導体損失が大きい場合は、高
周波になるほど伝送損失が大きくなるという問題があっ
た。 【０００５】更に、マイクロストリップ線路とコプレナ
ー線路は信号線路が地板で完全に囲まれていないため、
放射による損失が大きいという問題があった。また、導
波管は金属製の壁で囲まれた空間を電磁波が伝播する構
造となっており、高周波での伝送損失が小さく、放射損
失も小さいが、サイズが大きくなるという問題があっ
た。 【０００６】一方、ＮＲＤガイドは、特開平８−６５０
１５号公報に提案されているように、誘電体からなる誘
電体線路を地板である金属平板２枚で狭持した構造を有
し、平板間の誘電体線路以外の部分には空気が満たされ
ている。このＮＲＤガイドによれば、誘電体線路の比誘
電率が空気より大きいと、誘電体線路中の波長は空気中
の波長より短くなるため、金属平板の間隔が空気中で半
波長以下、誘電体線路中で半波長以上に相当する場合は
平板間の空気（比誘電率１）中では波は伝播せずに誘電
体線路中のみを波が伝播する。 【０００７】従って、ＮＲＤガイドは、他の高周波線路
に比較して誘電体線路から周囲への電磁波の漏れがほと
んどなく無く、また誘電体線路として誘電損失の小さい
誘電体材料を用いれば低損失の伝送線路を形成できる点
で有利である。そこで、従来からＮＲＤガイドにおける
誘電体線路は、主にテフロン等の樹脂で作製されてい
る。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＮ
ＲＤガイドを高周波用、特に配線基板における高周波用
の伝送線路として適用させる場合、ＮＲＤガイドの寸法
を小さくする必要があるが、従来のＮＲＤガイド構造
は、金属平板で誘電体線路を狭持した構造となっている
ため、基板内部に形成することが難しく、しかも従来か
ら用いられているテフロンを誘電体として用いると、屈
曲部等の加工が難しいという問題があった。 【０００９】 【００１０】従って、本発明は、多層配線基板内にＮＲ
Ｄガイド構造の高周波線路を容易に形成することができ
る製造方法を提供することを目的とするものである。 【００１１】 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明は、複数の低誘電
体からなる絶縁層を積層してなる絶縁基板に、幅Ｌ1の
高誘電体部と、該高誘電体部の上下面に形成され、前記
幅Ｌ1よりも大きい幅Ｌ2をもって線路方向に形成された
一対の導体層とからなる伝送線路を配設した高周波用の
多層配線基板を製造するための方法として、低誘電体か
らなる第１の絶縁層に幅Ｌ1の貫通溝を形成する工程
と、低誘電体からなる第２の絶縁層の上面に、前記貫通
溝を全面にわたって塞ぐような位置に、前記幅Ｌ1より
も大きい幅Ｌ2からなる第１の導体層を形成する工程
と、前記第１の絶縁層の下面に前記第２の絶縁層の上面
を前記第１の導体層によって前記貫通溝を塞ぐような位
置にて積層する工程と、前記第１の導体層により塞がれ
た前記貫通溝内に高誘電体を埋め込む工程と、前記第１
の絶縁層の上面および前記高誘電体部の露出面に、前記
幅Ｌ2からなる第２の導体層を形成する工程と、を具備
することを特徴とするものである。 【００１３】 【発明の実施の形態】本発明の高周波用多層配線基板の
概略配置図を図１に示した。図１によれば、本発明の多
層配線基板１は、低誘電体からなる絶縁層２を複数層積
層して絶縁基板３が形成されるとともに、配線基板内に
は、信号の伝達を行うための伝送線路が形成されてい
る。一般に、高周波用として適用する場合、伝送線路と
しては、ストリップ線路、マイクロストリップ線路、コ
プレナー線路などが知られているが、これらの線路は、
その性質を活かし、配線基板内の所定の箇所に所定の線
路を形成することができるが、本発明によれば、その伝
送線路の１つとして、ＮＲＤガイド構造の伝送線路を有
するものである。また、本発明の多層配線基板は、特に
１ＧＨｚ以上、特に３０ＧＨｚ以上のマイクロ波、ミリ
波の信号伝送用に用いられるものである。 【００１４】本発明におけるＮＲＤガイド構造の伝送線
路は、絶縁基板３を構成する絶縁層のうち少なくとも１
層の絶縁層２に対して、幅Ｌ1 をもって絶縁層２を形成
する誘電体材料よりも高誘電率を有する高誘電体部４
が、線路方向に幅Ｌ1 、厚みｔをもって埋設されてい
る。そして、その高誘電体部４の上下面には、高誘電体
部４の幅Ｌ1 よりも大きい幅Ｌ2 をもって一対の導体層
５、６が高誘電体部４を挟持するように線路方向にわた
って形成されている。 【００１５】かかる構造において、高誘電体部４とその
両側に低誘電体からなる絶縁層２が形成され、その高誘
電体部４の上下面に一対の導体層５、６によりＮＲＤガ
イド構造の線路が形成され、この線路により信号の伝送
を行うことができる。 【００１６】ここで用いられる低誘電体からなる絶縁層
２の比誘電率εｒ1 と、高誘電体部４の比誘電率εｒ2
とは、εｒ2 ／εｒ1 ≧２であればよく、その差が大き
いほど、伝送線路として、許容し得る信号周波数幅を広
げることができる。例えば、εｒ＝４、εｒ1 ＝２、ｔ
＝０．８８ｍｍの時、６０ＧＨｚ〜８４．８ＧＨｚの周
波数の信号を伝送することができ、εｒ2 、εｒ1 の差
がこれより大きいと、さらに幅広い周波数の信号を伝送
することができる。 【００１７】また、高誘電体部４の幅Ｌ1 および厚みｔ
は、ｔ／２≦Ｌ1 ≦ｔ、ｔ＝Ｃ／｛２ｆｃ（εｒ2 ）
1/2 ｝（Ｃ：光速，ｆｃ：遮断周波数，εｒ2 ：高誘電
体部の比誘電率）の関係を満足するように設定される。 【００１８】また、導体層５，６の幅Ｌ2 は、高誘電体
部４の幅Ｌ1 よりも大きいことが必要で、Ｌ1 ＝Ｌ2 で
は、信号のもれが発生するためである。好適には、Ｌ2
は、Ｌ1 の５倍以上、特に７倍以上であるのがよい。こ
のＮＲＤガイド構造の伝送線路は、多層配線基板１の内
部または表面のいずれに形成されていてもよい。 【００１９】次に、かかる多層配線基板において、ＮＲ
Ｄガイド構造の伝送線路を形成する方法について図２を
もとに説明する。図２によれば、まず、（ａ）に示すよ
うに、単一層の厚みを調整するか、または積層して、前
記の関係を満足する厚みｔを有する絶縁層１０を形成す
る。次に、図２（ｂ）に示すように、その絶縁層１０に
おける線路方向に絶縁層１０を貫通する幅Ｌ1 の貫通溝
１１を形成する。 【００２０】一方、図２（ｃ）に示すように、他の絶縁
層１２の上面の絶縁層１０に形成した貫通溝１１を線路
方向に全面にわたって塞ぐような位置に、前記幅Ｌ1 よ
りも大きい幅Ｌ2 からなる帯状の導体層１３を形成す
る。 【００２１】そして、図２（ｄ）に示すように、貫通溝
１１が形成された絶縁層１０の下面と、導体層１３が形
成された絶縁層１２の上面とを、貫通溝１１が導体層１
３によって完全に塞がれるように配置して積層する。こ
れにより、貫通溝１１の一方の開放端が塞がれることに
より、凹構造となる。 【００２２】次に、図２（ｅ）に示すように、凹構造と
なった貫通溝１１内に、高誘電体を埋め込み高誘電体部
１４を形成する。この埋め込みは、例えば、貫通溝１１
内に高誘電体を含有するスラリーを流し込む方法、凹構
造形状に整合した高誘電体からなるブロックを埋設する
方法などがある。 【００２３】その後、図２（ｆ）により貫通溝１１内に
埋め込まれた高誘電体部１４の露出面に、幅Ｌ2 からな
る導体層１５を形成する。この導体層１５の形成は、例
えば、絶縁層１１における高誘電体部１４の露出面に導
体を印刷する方法、別途、絶縁層の表面に高誘電体部１
４の露出面に対向する場所に導体層を形成し、絶縁層１
１の表面に、導体層１５を形成した絶縁層を積層すれば
よい。 【００２４】このように、図２（ａ）〜（ｆ）の工程に
より、高誘電体部１４と、一対の導体層１３、１５によ
り、ＮＲＤガイド構造の伝送線路を具備する配線層を形
成することができる。そして、この配線層を他の配線層
と適宜位置合わせして積層することにより、図１に示し
たような多層配線基板を作製することができる。 【００２５】上記の製造方法においては、絶縁層は、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ガラスセラミックス、ＡｌＮ，Ｓｉ3 Ｎ4 な
どの周知のセラミック材料、またはエポキシ樹脂などの
有機樹脂を含む絶縁材料からなるものであってもよい。 【００２６】例えば、上記セラミック材料からなる場合
には、焼成前のセラミックグリーンシートに対して、図
２（ａ）〜（ｆ）の工程を施した後に、絶縁層、高誘電
体部および一対の導体層を一括して同時焼成することに
より作製できる。その場合、導体層の形成は、それぞれ
のセラミック材料と同時焼成可能な導体ペーストを印刷
することにより形成される。例えば、セラミック材料
が、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3Ｎ4 、ＡｌＮの場合には、Ｗ，
Ｍｏなどの導体が、またガラス、ガラスセラミックスの
場合には、銅、銀、金などが用いられる。また、高誘電
体としては、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ
3 、ＺｎＴｉＯ3 などの周知の高誘電率化合物やこれら
の化合物を含むセラミック材料を用いて形成することが
できる。 【００２７】一方、有機樹脂からなる場合には、例え
ば、未硬化または半硬化状態の絶縁層の段階で、図２
（ａ）〜（ｅ）の工程を施した後に、絶縁層、高誘電体
部および一対の導体層を一括して熱処理して完全硬化す
ることにより作製できる。その場合、導体層の形成は、
銅、金、銀などの導体を含むペーストを印刷したり、銅
などの金属箔を貼り付けたり、メッキ法などにより形成
することも可能である。また、高誘電体部は、前記高誘
電率化合物や、これらの化合物と有機樹脂との複合材料
などを用いて形成することができる。 【００２８】 【実施例】ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＺｎＯ−Ｂ
2 Ｏ3 系ガラスにＡｌ2 Ｏ3 を添加してなり、焼成後の
比誘電率が５、誘電正接が０．００３となるガラスセラ
ミックスからなる厚み１．２ｍｍのグリーンシートＡに
幅Ｌ1 ＝１．０ｍｍの貫通溝を長さ３０ｍｍにわたって
形成した。そして、他のグリーンシートＢの上面に、幅
Ｌ2 ＝７ｍｍ、長さ４０ｍｍの帯状の導体層を銅メタラ
イズペーストを印刷して形成した。その後、グリーンシ
ートＡとグリーンシートＢとを貫通溝が導体層により塞
がれるように位置合わせして積層圧着した。 【００２９】次に、上記ガラスセラミックス組成物に対
して、ＳｒＴｉＯ3 を添加混合して、焼成後の比誘電率
が１０、誘電正接が０．００１の高誘電体材料からなる
セラミックスラリーを貫通溝内に流しこんで乾燥させ
た。その後、高誘電体スラリーを流しこんだ貫通溝およ
びグリーンシートＡの表面に、幅Ｌ2 ＝７ｍｍ、長さ４
０ｍｍの帯状の導体層を銅メタライズペーストを印刷し
て形成した。 【００３０】このようにして作製した積層成形体を、脱
脂後、９５０℃で焼成し、ＮＲＤガイド構造の伝送線路
を有する配線基板を作製した。 【００３１】そして、この伝送線路に対して、エアコプ
レーナプローブを取付け、ネットワークアナライザによ
り伝送特性を測定した。その結果、図３に示すように、
遮断周波数がｆｏ＝３９．５ＧＨｚであり、それ以上の
周波数では、信号が透過しており、ＮＲＤガイド特有の
伝送特性が得られていることがわかった。 【００３２】 【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用多
層配線基板によれば、高周波領域において、電磁波の漏
れがほとんどなく、低損失の伝送線路として利用できる
ＮＲＤガイドを伝送線路として多層配線基板内に形成す
ることできる結果、高周波用としての多層配線基板の信
頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用多層配線基板の概略配置図で
ある。 【図２】本発明のＮＲＤガイド構造の伝送線路を基板内
に形成するための工程図である。 【図３】本発明の実施例におけるＮＲＤガイド構造の伝
送線路の伝送特性図である。 【符号の説明】 １ 多層配線基板 ２ 絶縁層 ３ 絶縁基板 ４ 高誘電体部 ５，６ 導体層 １０ （第１の）絶縁層 １１ 貫通溝 １２ （第２の）絶縁層 １３ （第１の）導体層 １４ 高誘電体部 １５ （第２の）導体層
ある。 【図２】本発明のＮＲＤガイド構造の伝送線路を基板内
に形成するための工程図である。 【図３】本発明の実施例におけるＮＲＤガイド構造の伝
送線路の伝送特性図である。 【符号の説明】 １ 多層配線基板 ２ 絶縁層 ３ 絶縁基板 ４ 高誘電体部 ５，６ 導体層 １０ （第１の）絶縁層 １１ 貫通溝 １２ （第２の）絶縁層 １３ （第１の）導体層 １４ 高誘電体部 １５ （第２の）導体層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01P 3/16
H01P 11/00
H05K 3/46
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】低誘電体からなる第１の絶縁層に幅Ｌ1の
貫通溝を形成する工程と、低誘電体からなる第２の絶縁
層の上面に、前記貫通溝を全面にわたって塞ぐような位
置に、前記幅Ｌ1よりも大きい幅Ｌ2からなる第１の導体
層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の下面に前記第
２の絶縁層の上面を前記第１の導体層によって前記貫通
溝を塞ぐような位置にて積層する工程と、前記第１の導
体層により塞がれた前記貫通溝内に高誘電体を埋め込む
工程と、前記第１の絶縁層の上面および前記高誘電体部
の露出面に、前記幅Ｌ2からなる第２の導体層を形成す
る工程と、を具備することを特徴とする高周波用多層配
線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17383897A JP3377932B2 (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 高周波用多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17383897A JP3377932B2 (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 高周波用多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1127010A JPH1127010A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3377932B2 true JP3377932B2 (ja) | 2003-02-17 |
Family
ID=15968103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17383897A Expired - Fee Related JP3377932B2 (ja) | 1997-06-30 | 1997-06-30 | 高周波用多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3377932B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3862633B2 (ja) * | 2002-08-14 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 非放射性誘電体線路の製造方法 |
| JP3886459B2 (ja) | 2003-01-28 | 2007-02-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 誘電体線路の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-30 JP JP17383897A patent/JP3377932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1127010A (ja) | 1999-01-29 |
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