JP2002325004A - 高周波用配線基板 - Google Patents
高周波用配線基板Info
- Publication number
- JP2002325004A JP2002325004A JP2001129801A JP2001129801A JP2002325004A JP 2002325004 A JP2002325004 A JP 2002325004A JP 2001129801 A JP2001129801 A JP 2001129801A JP 2001129801 A JP2001129801 A JP 2001129801A JP 2002325004 A JP2002325004 A JP 2002325004A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- line
- line conductor
- frequency
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 貫通導体の長さおよび貫通導体間の距離によ
る高周波信号の共振により、特性インピーダンスの不整
合が生じ、反射損失および伝送損失が増大して高周波信
号の伝送特性が劣化するという問題点があった。 【解決手段】 第１の線路導体３の貫通導体５との接続
部のうち最も第２の線路導体４の一端側にある接続部Ａ
と第２の線路導体４の貫通導体５との接続部のうち最も
第１の線路導体３の一端側にある接続部Ｂとの信号伝送
経路における距離をＬ、第１の線路導体３と貫通導体５
および第２の線路導体４を伝送する高周波信号の波長を
λとしたとき、Ｌ＜λ／２である。
る高周波信号の共振により、特性インピーダンスの不整
合が生じ、反射損失および伝送損失が増大して高周波信
号の伝送特性が劣化するという問題点があった。 【解決手段】 第１の線路導体３の貫通導体５との接続
部のうち最も第２の線路導体４の一端側にある接続部Ａ
と第２の線路導体４の貫通導体５との接続部のうち最も
第１の線路導体３の一端側にある接続部Ｂとの信号伝送
経路における距離をＬ、第１の線路導体３と貫通導体５
および第２の線路導体４を伝送する高周波信号の波長を
λとしたとき、Ｌ＜λ／２である。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、高周波帯域で使用
されるＩＣ，ＬＳＩ等の高周波集積回路素子または高周
波回路装置を接続し搭載するための高周波用配線基板に
関し、特に高周波信号の伝送特性を改善した信号伝送用
の貫通導体を有する高周波用配線基板に関する。
されるＩＣ，ＬＳＩ等の高周波集積回路素子または高周
波回路装置を接続し搭載するための高周波用配線基板に
関し、特に高周波信号の伝送特性を改善した信号伝送用
の貫通導体を有する高周波用配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高性能で高集積のＩＣ，ＬＳＩ等
の高周波集積回路素子を搭載するための高周波用配線基
板には、絶縁性および放熱性に優れ、高周波信号を高速
に伝送でき、かつ入出力端子を多端子化および狭ピッチ
化することが可能であることが要求されてきている。こ
のような要求特性を満足する高周波用配線基板として、
例えばセラミック配線基板が知られている。
の高周波集積回路素子を搭載するための高周波用配線基
板には、絶縁性および放熱性に優れ、高周波信号を高速
に伝送でき、かつ入出力端子を多端子化および狭ピッチ
化することが可能であることが要求されてきている。こ
のような要求特性を満足する高周波用配線基板として、
例えばセラミック配線基板が知られている。
【０００３】このセラミック配線基板は、一般に、多層
セラミック基板との同時焼結により形成された内部導体
層を用いた信号線路が設けられている。この内部導体層
を同時焼結法で形成するには、まずセラミックグリーン
シートに配線パターン間を上下方向で接続するための貫
通導体に応じてスルーホールを形成し、このスルーホー
ル内にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高
融点金属を含む導電性ペーストを充填すると共に、セラ
ミックグリーンシート上にも配線パターンに応じて導電
性ペーストを印刷する。このセラミックグリーンシート
を必要枚数重ね、一定の圧力で圧着し積層した後、セラ
ミックグリーンシートと導体ペーストの同時焼成および
脱脂を行う。このようにしてセラミックス配線基板から
成る高周波用配線基板が得られる。
セラミック基板との同時焼結により形成された内部導体
層を用いた信号線路が設けられている。この内部導体層
を同時焼結法で形成するには、まずセラミックグリーン
シートに配線パターン間を上下方向で接続するための貫
通導体に応じてスルーホールを形成し、このスルーホー
ル内にタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の高
融点金属を含む導電性ペーストを充填すると共に、セラ
ミックグリーンシート上にも配線パターンに応じて導電
性ペーストを印刷する。このセラミックグリーンシート
を必要枚数重ね、一定の圧力で圧着し積層した後、セラ
ミックグリーンシートと導体ペーストの同時焼成および
脱脂を行う。このようにしてセラミックス配線基板から
成る高周波用配線基板が得られる。
【０００４】ところで、近年、高周波集積回路素子の高
性能化や高集積化に伴って、入出力信号数が増加する傾
向にある。そこで、高周波集積回路素子を搭載する高周
波用配線基板には、入出力信号数の増加に対応するため
に、内部信号配線となる内部導体層の配線密度を高密度
化することが求められている。さらに、高周波集積回路
素子の動作周波数は、動作速度の高速化を図るために漸
次高周波化しており、このためセラミック配線基板には
高周波信号の伝送特性の向上が求められている。
性能化や高集積化に伴って、入出力信号数が増加する傾
向にある。そこで、高周波集積回路素子を搭載する高周
波用配線基板には、入出力信号数の増加に対応するため
に、内部信号配線となる内部導体層の配線密度を高密度
化することが求められている。さらに、高周波集積回路
素子の動作周波数は、動作速度の高速化を図るために漸
次高周波化しており、このためセラミック配線基板には
高周波信号の伝送特性の向上が求められている。
【０００５】しかしながら、上記の同時焼結による内部
導体層を信号線路として用いたセラミック配線基板から
成る高周波用配線基板の場合、ＷやＭｏから成る内部導
体層自体の電気抵抗が比較的大きいことから、配線密度
の増大を図るために配線幅を狭くすると、信号線路の電
気抵抗がさらに増大し伝送損失が増大するという問題を
招いてしまう。即ち、配線密度を高めるために信号線路
の幅を狭くした場合、一般的に厚さも薄くなるため、信
号線路の断面積が大幅に減少してしまい、配線抵抗が急
増することとなる。そこで、信号線路の断面積を確保す
る構成として、信号線路を厚く形成して断面の縦横比
（アスペクト比）を増大させることが考えられるが、ス
クリーン印刷法等の印刷法による場合単純に縦横比を増
大させることは困難であり、また信号線路が厚くなると
セラミック層が層間で剥離し易くなり、高周波用配線基
板の積層信頼性も低下してしまう。
導体層を信号線路として用いたセラミック配線基板から
成る高周波用配線基板の場合、ＷやＭｏから成る内部導
体層自体の電気抵抗が比較的大きいことから、配線密度
の増大を図るために配線幅を狭くすると、信号線路の電
気抵抗がさらに増大し伝送損失が増大するという問題を
招いてしまう。即ち、配線密度を高めるために信号線路
の幅を狭くした場合、一般的に厚さも薄くなるため、信
号線路の断面積が大幅に減少してしまい、配線抵抗が急
増することとなる。そこで、信号線路の断面積を確保す
る構成として、信号線路を厚く形成して断面の縦横比
（アスペクト比）を増大させることが考えられるが、ス
クリーン印刷法等の印刷法による場合単純に縦横比を増
大させることは困難であり、また信号線路が厚くなると
セラミック層が層間で剥離し易くなり、高周波用配線基
板の積層信頼性も低下してしまう。
【０００６】さらに、動作周波数を高周波化していく
と、信号線路表面のみを高周波信号が伝送する表皮効果
により信号線路の抵抗が増大することから、抵抗増大に
よる問題が顕著になる。また、表皮効果による信号線路
の抵抗およびインダクタンスの増加は、伝送特性の劣化
のみならず、高周波集積回路素子の誤動作等の発生原因
となる。
と、信号線路表面のみを高周波信号が伝送する表皮効果
により信号線路の抵抗が増大することから、抵抗増大に
よる問題が顕著になる。また、表皮効果による信号線路
の抵抗およびインダクタンスの増加は、伝送特性の劣化
のみならず、高周波集積回路素子の誤動作等の発生原因
となる。
【０００７】このようなことから、従来の高周波用配線
基板においては、信号線路の高密度化を行なったうえ
で、抵抗やインダクタンスの増大を抑制することが課題
とされてきた。
基板においては、信号線路の高密度化を行なったうえ
で、抵抗やインダクタンスの増大を抑制することが課題
とされてきた。
【０００８】そこで、上記の課題を解決する高周波用配
線基板として、例えば図１１に示す高周波用配線基板２
１が提案されている（特許２８２２８１１号公報参
照）。これは、複数の誘電体層が積層された誘電体基板
２２の内部信号線路２３は、隣接する少なくとも２本以
上で形成され、それぞれの内部信号線路２３を信号用貫
通導体２５で電気的に接続するものである。これによ
り、並列接続された信号線路となり、信号線路のトータ
ルの抵抗およびインダクタンスが低減される。また図１
２に示すような構成とすることもでき、この場合、隣接
する内部信号線路２３を複数の信号用貫通導体２５で接
続することにより、さらに信号線路のトータルの抵抗お
よびインダクタンスが低減される。このようにして高周
波信号の伝送特性が改善できる。
線基板として、例えば図１１に示す高周波用配線基板２
１が提案されている（特許２８２２８１１号公報参
照）。これは、複数の誘電体層が積層された誘電体基板
２２の内部信号線路２３は、隣接する少なくとも２本以
上で形成され、それぞれの内部信号線路２３を信号用貫
通導体２５で電気的に接続するものである。これによ
り、並列接続された信号線路となり、信号線路のトータ
ルの抵抗およびインダクタンスが低減される。また図１
２に示すような構成とすることもでき、この場合、隣接
する内部信号線路２３を複数の信号用貫通導体２５で接
続することにより、さらに信号線路のトータルの抵抗お
よびインダクタンスが低減される。このようにして高周
波信号の伝送特性が改善できる。
【０００９】また、図１３に示すような、高周波集積回
路素子を搭載した高周波用パッケージ３１が提案されて
おり、この高周波用パッケージ３１においては、誘電体
基板２２の上面と下面に信号線路２３が形成され、側面
と内部に２つの信号用貫通導体２５が形成されており、
上下面の信号線路２３は信号用貫通導体２５を介して電
気的に接続されている。この構成によれば、信号用貫通
導体２５を２つ形成し、それぞれ信号線路２３に対して
並列接続した構造となり、高周波信号を伝送する信号線
路のトータルの抵抗およびインダクタンスを低減でき
る。この構成により、さらに伝送特性が改善できる（特
開平７−５０３６２号公報参照）。
路素子を搭載した高周波用パッケージ３１が提案されて
おり、この高周波用パッケージ３１においては、誘電体
基板２２の上面と下面に信号線路２３が形成され、側面
と内部に２つの信号用貫通導体２５が形成されており、
上下面の信号線路２３は信号用貫通導体２５を介して電
気的に接続されている。この構成によれば、信号用貫通
導体２５を２つ形成し、それぞれ信号線路２３に対して
並列接続した構造となり、高周波信号を伝送する信号線
路のトータルの抵抗およびインダクタンスを低減でき
る。この構成により、さらに伝送特性が改善できる（特
開平７−５０３６２号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１３
に示した上記従来の高周波用配線基板３１においては、
高周波化されるにつれて、信号用貫通導体２５の長さと
信号用貫通導体２５間の間隔による共振により、電磁波
の漏洩が生じてしまう。その結果、高周波信号の伝送特
性が劣化するという問題点があった。
に示した上記従来の高周波用配線基板３１においては、
高周波化されるにつれて、信号用貫通導体２５の長さと
信号用貫通導体２５間の間隔による共振により、電磁波
の漏洩が生じてしまう。その結果、高周波信号の伝送特
性が劣化するという問題点があった。
【００１１】また、図１１，図１２の高周波用配線基板
２１においては、信号線路のトータルの抵抗およびイン
ダクタンスは低減されるが、高周波化するにつれて２本
以上の内部信号線路２３間の間隔による共振及び信号用
貫通導体２５の間隔による共振により、電磁波の漏洩が
生じてしまう。その結果、高周波信号の伝送特性が劣化
するという問題点があった。
２１においては、信号線路のトータルの抵抗およびイン
ダクタンスは低減されるが、高周波化するにつれて２本
以上の内部信号線路２３間の間隔による共振及び信号用
貫通導体２５の間隔による共振により、電磁波の漏洩が
生じてしまう。その結果、高周波信号の伝送特性が劣化
するという問題点があった。
【００１２】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたものであり、その目的は、信号用貫通導体の長さと
信号用貫通導体間の間隔による共振をなくし、また高周
波信号を伝送する信号用の貫通導体の抵抗およびインダ
クタンスを低減させて特性インピーダンスを整合させる
ことにより、電磁波の漏洩を抑制することである。その
結果、マイクロ波帯からミリ波帯にわたって高周波信号
の伝送特性を良好なものとした高周波用配線基板を提供
することにある。
れたものであり、その目的は、信号用貫通導体の長さと
信号用貫通導体間の間隔による共振をなくし、また高周
波信号を伝送する信号用の貫通導体の抵抗およびインダ
クタンスを低減させて特性インピーダンスを整合させる
ことにより、電磁波の漏洩を抑制することである。その
結果、マイクロ波帯からミリ波帯にわたって高周波信号
の伝送特性を良好なものとした高周波用配線基板を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用配線基
板は、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一つ
の誘電体層の主面に一端が前記一つの誘電体層の主面内
に存在するように形成された第１の線路導体と、他の誘
電体層の主面に一端を前記第１の線路導体の一端と上下
方向で重ねて前記第１の線路導体と略平行に一直線上に
形成された第２の線路導体と、前記第１の線路導体の一
端および前記第２の線路導体の一端を電気的に接続する
とともに線路方向にずらせて配置された複数の貫通導体
と、異なる誘電体層の主面にそれぞれ形成された接地導
体層と、該接地導体層同士を電気的に接続する接地貫通
導体とを具備した高周波用配線基板において、前記第１
の線路導体の前記貫通導体との接続部のうち最も前記第
２の線路導体の一端側にある接続部と前記第２の線路導
体の前記貫通導体との接続部のうち最も前記第１の線路
導体の一端側にある接続部との信号伝送経路における距
離をＬ、前記第１の線路導体と前記貫通導体および前記
第２の線路導体を伝送する高周波信号の波長をλとした
とき、Ｌ＜λ／２であることを特徴とする。
板は、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一つ
の誘電体層の主面に一端が前記一つの誘電体層の主面内
に存在するように形成された第１の線路導体と、他の誘
電体層の主面に一端を前記第１の線路導体の一端と上下
方向で重ねて前記第１の線路導体と略平行に一直線上に
形成された第２の線路導体と、前記第１の線路導体の一
端および前記第２の線路導体の一端を電気的に接続する
とともに線路方向にずらせて配置された複数の貫通導体
と、異なる誘電体層の主面にそれぞれ形成された接地導
体層と、該接地導体層同士を電気的に接続する接地貫通
導体とを具備した高周波用配線基板において、前記第１
の線路導体の前記貫通導体との接続部のうち最も前記第
２の線路導体の一端側にある接続部と前記第２の線路導
体の前記貫通導体との接続部のうち最も前記第１の線路
導体の一端側にある接続部との信号伝送経路における距
離をＬ、前記第１の線路導体と前記貫通導体および前記
第２の線路導体を伝送する高周波信号の波長をλとした
とき、Ｌ＜λ／２であることを特徴とする。
【００１４】本発明は、第１の線路導体の貫通導体との
接続部のうち最も第２の線路導体の一端側にある接続部
と第２の線路導体の貫通導体との接続部のうち最も第１
の線路導体の一端側にある接続部との信号伝送経路にお
ける距離ＬをＬ＜λ／２とすることにより、貫通導体間
での高周波信号の共振の発生を防ぎ、また高周波信号を
伝送する信号用の貫通導体の抵抗およびインダクタンス
を低減させて特性インピーダンスを整合させことで電磁
波の放射を抑制することができる。その結果、広帯域に
わたって伝送特性の良好な高周波用配線基板となる。
接続部のうち最も第２の線路導体の一端側にある接続部
と第２の線路導体の貫通導体との接続部のうち最も第１
の線路導体の一端側にある接続部との信号伝送経路にお
ける距離ＬをＬ＜λ／２とすることにより、貫通導体間
での高周波信号の共振の発生を防ぎ、また高周波信号を
伝送する信号用の貫通導体の抵抗およびインダクタンス
を低減させて特性インピーダンスを整合させことで電磁
波の放射を抑制することができる。その結果、広帯域に
わたって伝送特性の良好な高周波用配線基板となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の高周波用配線基板につい
て以下に詳細に説明する。図１、図２は、本発明の高周
波用配線基板について実施の形態の一例を示す断面図お
よび平面図である。これらの図において、１は高周波用
配線基板、２は複数の誘電体層を積層して成るセラミッ
クス等から成る誘電体基板であり、例えば誘電体基板２
の上下の主面に接地導体層６が形成され、上下の主面の
接地導体層６は複数の接地貫通導体７で電気的に接続さ
れる。また、３は第１の線路導体、４は第２の線路導体
であり、第１の線路導体３および第２の線路導体４間
が、線路方向でずらせて配置された２本の信号用の貫通
導体５で電気的に接続される。これにより、第１の線路
導体３、第２の線路導体４および接地導体層６とによっ
て、２本の貫通導体５で一端同士が接続されたストリッ
プ線路を構成する。
て以下に詳細に説明する。図１、図２は、本発明の高周
波用配線基板について実施の形態の一例を示す断面図お
よび平面図である。これらの図において、１は高周波用
配線基板、２は複数の誘電体層を積層して成るセラミッ
クス等から成る誘電体基板であり、例えば誘電体基板２
の上下の主面に接地導体層６が形成され、上下の主面の
接地導体層６は複数の接地貫通導体７で電気的に接続さ
れる。また、３は第１の線路導体、４は第２の線路導体
であり、第１の線路導体３および第２の線路導体４間
が、線路方向でずらせて配置された２本の信号用の貫通
導体５で電気的に接続される。これにより、第１の線路
導体３、第２の線路導体４および接地導体層６とによっ
て、２本の貫通導体５で一端同士が接続されたストリッ
プ線路を構成する。
【００１６】そして、本発明の高周波用配線基板１の基
本構成は、誘電体基板２の一つの誘電体層の主面に一端
がその主面内に存在するように形成された第１の線路導
体３と、他の誘電体層の主面に一端を第１の線路導体３
の一端と上下方向で重ねて第１の線路導体３と略平行に
上方からみて一直線上に形成された第２の線路導体４
と、第１の線路導体３の一端および第２の線路導体４の
一端を電気的に接続するとともに線路方向にずらせて配
置された複数の貫通導体５と、異なる誘電体層の主面に
それぞれ形成された接地導体層６と、接地導体層６同士
を電気的に接続する接地貫通導体７とを具備したもので
ある。
本構成は、誘電体基板２の一つの誘電体層の主面に一端
がその主面内に存在するように形成された第１の線路導
体３と、他の誘電体層の主面に一端を第１の線路導体３
の一端と上下方向で重ねて第１の線路導体３と略平行に
上方からみて一直線上に形成された第２の線路導体４
と、第１の線路導体３の一端および第２の線路導体４の
一端を電気的に接続するとともに線路方向にずらせて配
置された複数の貫通導体５と、異なる誘電体層の主面に
それぞれ形成された接地導体層６と、接地導体層６同士
を電気的に接続する接地貫通導体７とを具備したもので
ある。
【００１７】そして、本発明の高周波用配線基板1にお
いては、図１、図２に示すように、第１の線路導体３の
貫通導体５との接続部のうち最も第２の線路導体４の一
端側にある接続部Ａと第２の線路導体４の貫通導体５と
の接続部のうち最も第１の線路導体３の一端側にある接
続部Ｂとの信号伝送経路における距離をＬ、第１の線路
導体３と貫通導体５および第２の線路導体４を伝送する
高周波信号の波長をλとしたとき、Ｌ＜λ／２である。
なお、距離Ｌは、貫通導体５の長さL１と２本の貫通導
体５間の距離L２の和になる。
いては、図１、図２に示すように、第１の線路導体３の
貫通導体５との接続部のうち最も第２の線路導体４の一
端側にある接続部Ａと第２の線路導体４の貫通導体５と
の接続部のうち最も第１の線路導体３の一端側にある接
続部Ｂとの信号伝送経路における距離をＬ、第１の線路
導体３と貫通導体５および第２の線路導体４を伝送する
高周波信号の波長をλとしたとき、Ｌ＜λ／２である。
なお、距離Ｌは、貫通導体５の長さL１と２本の貫通導
体５間の距離L２の和になる。
【００１８】そして、上記の構成により、マイクロ波帯
さらにはミリ波帯という高い周波数帯域で問題になる貫
通導体５の抵抗およびインダクタンスを低減することが
でき、特性インピーダンスの整合がとれ、かつ、貫通導
体５の長さと貫通導体５間の距離によって生じる高周波
信号の共振をなくすことができる。その結果、貫通導体
５を有する線路部での良好な高周波信号の伝送特性が実
現できる。
さらにはミリ波帯という高い周波数帯域で問題になる貫
通導体５の抵抗およびインダクタンスを低減することが
でき、特性インピーダンスの整合がとれ、かつ、貫通導
体５の長さと貫通導体５間の距離によって生じる高周波
信号の共振をなくすことができる。その結果、貫通導体
５を有する線路部での良好な高周波信号の伝送特性が実
現できる。
【００１９】次に、図３〜図８に、本発明の高周波用配
線基板1について実施の形態の他の例を断面図および平
面図で示す。なお、図３〜図８において、図１および図
２と同様の箇所には同じ符号を付してある。これらの図
において、1は高周波用配線基板、２は誘電体基板、３
は第１の線路導体、４は第２の線路導体、５は第１の線
路導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する貫通導
体、６は誘電体基板２の上下の主面や内部に形成される
接地導体層、７は接地導体層６間を電気的に接続する接
地貫通導体である。
線基板1について実施の形態の他の例を断面図および平
面図で示す。なお、図３〜図８において、図１および図
２と同様の箇所には同じ符号を付してある。これらの図
において、1は高周波用配線基板、２は誘電体基板、３
は第１の線路導体、４は第２の線路導体、５は第１の線
路導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する貫通導
体、６は誘電体基板２の上下の主面や内部に形成される
接地導体層、７は接地導体層６間を電気的に接続する接
地貫通導体である。
【００２０】図３、図４の高周波配線基板1は、第１の
線路導体３が誘電体基板２の層間に、第２の線路導体４
が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、また誘
電体基板２の上下の主面および内部に接地導体層６が形
成され、誘電体基板２の下側主面では第２の線路導体４
の周囲を取り囲むように接地導体層６が形成されてい
る。接地導体層６間を電気的に接続する接地貫通導体７
も接地導体層６と同様に第２の線路導体４の周囲を取り
囲むように形成されている。２本の貫通導体５は、誘電
体基板２の内部と下面にそれぞれ形成された第１の線路
導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する。
線路導体３が誘電体基板２の層間に、第２の線路導体４
が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、また誘
電体基板２の上下の主面および内部に接地導体層６が形
成され、誘電体基板２の下側主面では第２の線路導体４
の周囲を取り囲むように接地導体層６が形成されてい
る。接地導体層６間を電気的に接続する接地貫通導体７
も接地導体層６と同様に第２の線路導体４の周囲を取り
囲むように形成されている。２本の貫通導体５は、誘電
体基板２の内部と下面にそれぞれ形成された第１の線路
導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する。
【００２１】そして、上記の構成により、第１の線路導
体３と第２の線路導体４を貫通導体５で電気的に接続す
る貫通導体５の長さＬ１と貫通導体５間の距離Ｌ２によ
る高周波信号の共振をなくし、高周波信号が伝送する貫
通導体５の抵抗およびインダクタンスを低減させ、特性
インピーダンスの整合がとれる。また、第２の線路導体
４を接地導体層６と接地貫通導体７とで取り囲むように
形成することによりコプレーナ線路を構成しており、こ
れにより電磁波の放射が抑制される。従って、貫通導体
５で接続されたストリップ線路部とコプレーナ線路部に
よって、良好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
体３と第２の線路導体４を貫通導体５で電気的に接続す
る貫通導体５の長さＬ１と貫通導体５間の距離Ｌ２によ
る高周波信号の共振をなくし、高周波信号が伝送する貫
通導体５の抵抗およびインダクタンスを低減させ、特性
インピーダンスの整合がとれる。また、第２の線路導体
４を接地導体層６と接地貫通導体７とで取り囲むように
形成することによりコプレーナ線路を構成しており、こ
れにより電磁波の放射が抑制される。従って、貫通導体
５で接続されたストリップ線路部とコプレーナ線路部に
よって、良好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
【００２２】図５、図６の高周波配線基板1は、第１の
線路導体３が誘電体基板２の上側主面に、第２の線路導
体４が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、ま
た誘電体基板２の上下の主面の接地導体層６が第１，第
２の線路導体３，４の周囲を取り囲むように形成され、
接地導体層６間を電気的に接続する接地貫通導体７も接
地導体層６と同様に第１の線路導体３および第２の線路
導体４の周囲を取り囲むように形成されている。第１の
線路導体３と第２の線路導体４を接続する２本の貫通導
体５は、誘電体基板２の上下の主面に形成された第１の
線路導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する。
線路導体３が誘電体基板２の上側主面に、第２の線路導
体４が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、ま
た誘電体基板２の上下の主面の接地導体層６が第１，第
２の線路導体３，４の周囲を取り囲むように形成され、
接地導体層６間を電気的に接続する接地貫通導体７も接
地導体層６と同様に第１の線路導体３および第２の線路
導体４の周囲を取り囲むように形成されている。第１の
線路導体３と第２の線路導体４を接続する２本の貫通導
体５は、誘電体基板２の上下の主面に形成された第１の
線路導体３と第２の線路導体４を電気的に接続する。
【００２３】そして、上記の構成により、第１の線路導
体３と第２の線路導体４を接続する貫通導体５の長さＬ
１と貫通導体５間の距離Ｌ２によって生じる高周波信号
の共振をなくし、高周波信号を伝送する貫通導体５の抵
抗およびインダクタンスを低減させ、特性インピーダン
スの整合がとれる。また、第１の線路導体３および第２
の線路導体４を接地導体層６と接地貫通導体７で取り囲
むように形成することによりコプレーナ線路を構成して
おり、これにより電磁波の放射が抑制される。従って、
貫通導体５で接続されたコプレーナ線路部によって、良
好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
体３と第２の線路導体４を接続する貫通導体５の長さＬ
１と貫通導体５間の距離Ｌ２によって生じる高周波信号
の共振をなくし、高周波信号を伝送する貫通導体５の抵
抗およびインダクタンスを低減させ、特性インピーダン
スの整合がとれる。また、第１の線路導体３および第２
の線路導体４を接地導体層６と接地貫通導体７で取り囲
むように形成することによりコプレーナ線路を構成して
おり、これにより電磁波の放射が抑制される。従って、
貫通導体５で接続されたコプレーナ線路部によって、良
好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
【００２４】図７、図８の高周波配線基板1は、第１の
線路導体３が誘電体基板２の層間に、第２の線路導体４
が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、また接
地導体層６が第２の線路導体４の周囲を取り囲むように
形成され、接地導体層６間を接続する接地貫通導体７も
接地導体層６と同様に第１，第２の線路導体３，４の周
囲を取り囲むように形成されている。２本の貫通導体５
は、第１の線路導体３と第２の線路導体４を電気的に接
続する。第１の線路導体３の上層側には誘電体層が積層
されている。
線路導体３が誘電体基板２の層間に、第２の線路導体４
が誘電体基板２の下側主面にそれぞれ形成され、また接
地導体層６が第２の線路導体４の周囲を取り囲むように
形成され、接地導体層６間を接続する接地貫通導体７も
接地導体層６と同様に第１，第２の線路導体３，４の周
囲を取り囲むように形成されている。２本の貫通導体５
は、第１の線路導体３と第２の線路導体４を電気的に接
続する。第１の線路導体３の上層側には誘電体層が積層
されている。
【００２５】そして、上記の構成により、第１の線路導
体３と第２の線路導体４を接続する貫通導体５の長さＬ
１と貫通導体５間の距離Ｌ２によって生じる高周波信号
の共振をなくし、高周波信号を伝送する貫通導体５の抵
抗およびインダクタンスを低減させ、特性インピーダン
スの整合がとれる。また、第１の線路導体３および第２
の線路導体４を接地導体層６と接地貫通導体７で取り囲
むように形成することによりコプレーナ線路を構成して
おり、かつ第１の線路導体３の上層側に誘電体層が積層
されているので、さらに電磁波の放射が抑制される。従
って、貫通導体５で接続されたコプレーナ線路部によっ
て、良好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
体３と第２の線路導体４を接続する貫通導体５の長さＬ
１と貫通導体５間の距離Ｌ２によって生じる高周波信号
の共振をなくし、高周波信号を伝送する貫通導体５の抵
抗およびインダクタンスを低減させ、特性インピーダン
スの整合がとれる。また、第１の線路導体３および第２
の線路導体４を接地導体層６と接地貫通導体７で取り囲
むように形成することによりコプレーナ線路を構成して
おり、かつ第１の線路導体３の上層側に誘電体層が積層
されているので、さらに電磁波の放射が抑制される。従
って、貫通導体５で接続されたコプレーナ線路部によっ
て、良好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
【００２６】このように、第１の線路導体３、第２の線
路導体４、貫通導体５、誘電体基板２、接地導体層６お
よび接地貫通導体７の配置、形状は様々に形成すること
ができる。
路導体４、貫通導体５、誘電体基板２、接地導体層６お
よび接地貫通導体７の配置、形状は様々に形成すること
ができる。
【００２７】本発明の高周波用配線基板における誘電体
基板２の材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミッ
クスやムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミック
ス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機
系材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエ
チレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重
合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹
脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−
パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦ
Ａ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリフェニ
レンエーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の
樹脂系材料などが用いられる。また、誘電体基板２の形
状、寸法（厚み、幅、長さ）は、使用される高周波信号
の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定され
る。
基板２の材料としては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）セラミッ
クスやムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）セラミック
ス等のセラミックス材料やガラスセラミックス等の無機
系材料、四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエ
チレン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重
合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹
脂；ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアル
コキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−
パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦ
Ａ）等のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリフェニ
レンエーテル樹脂，液晶ポリエステル，ポリイミド等の
樹脂系材料などが用いられる。また、誘電体基板２の形
状、寸法（厚み、幅、長さ）は、使用される高周波信号
の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定され
る。
【００２８】本発明の第１の線路導体３および第２の線
路導体４は、高周波信号伝送用として適した金属材料の
導体層から成り、例えばＣｕ層、Ｍｏ−Ｍｎ層、W層、
Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメ
ッキ層を被着させたもの、Ｗメタライズ層上にＮｉメッ
キ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｔａ2Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ
合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、または
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着
させたものから成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形
成法やメッキ処理法などにより形成される。その厚みや
幅も伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダン
スなどに応じて設定される。
路導体４は、高周波信号伝送用として適した金属材料の
導体層から成り、例えばＣｕ層、Ｍｏ−Ｍｎ層、W層、
Ｍｏ−Ｍｎメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメ
ッキ層を被着させたもの、Ｗメタライズ層上にＮｉメッ
キ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ
合金層、Ｃｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｔａ2Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ
合金層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上
にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの、または
Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着
させたものから成り、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形
成法やメッキ処理法などにより形成される。その厚みや
幅も伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダン
スなどに応じて設定される。
【００２９】また、接地導体層６は第１の線路導体３お
よび第２の線路導体４と同様の材料で同様の方法により
形成すればよく、第１の線路導体３および第２の線路導
体４と接地導体層６との上下方向での間隔は、伝送され
る高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じ
て設定される。また、接地貫通導体７は接地導体層６同
士を接続するように形成され、例えばスルーホール導体
やビアホール導体を形成することにより、あるいは金属
板、金属棒または金属パイプ等を埋設することにより設
けることができる。また、複数の貫通導体５は、第１の
線路導体３と第２の線路導体４とを電気的に接続するよ
うに形成され、例えばスルーホール導体やビアホール導
体を形成することにより、あるいは金属板、金属棒また
は金属パイプ等を埋設することにより設けることができ
る。
よび第２の線路導体４と同様の材料で同様の方法により
形成すればよく、第１の線路導体３および第２の線路導
体４と接地導体層６との上下方向での間隔は、伝送され
る高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じ
て設定される。また、接地貫通導体７は接地導体層６同
士を接続するように形成され、例えばスルーホール導体
やビアホール導体を形成することにより、あるいは金属
板、金属棒または金属パイプ等を埋設することにより設
けることができる。また、複数の貫通導体５は、第１の
線路導体３と第２の線路導体４とを電気的に接続するよ
うに形成され、例えばスルーホール導体やビアホール導
体を形成することにより、あるいは金属板、金属棒また
は金属パイプ等を埋設することにより設けることができ
る。
【００３０】なお、複数の貫通導体５の本数は２〜４本
が好ましい。４本より多くなると、貫通導体５の形成領
域である第１の線路導体３と第２の線路導体との接続部
の面積が大きくなり、誘電体基板２の面積も大きくな
り、その結果高周波集積回路素子や高周波回路装置の小
型化が困難になる。１本では、貫通導体５の導体抵抗お
よびインダクタンスが大きくなるため、インピーダンス
の不整合が生じる。
が好ましい。４本より多くなると、貫通導体５の形成領
域である第１の線路導体３と第２の線路導体との接続部
の面積が大きくなり、誘電体基板２の面積も大きくな
り、その結果高周波集積回路素子や高周波回路装置の小
型化が困難になる。１本では、貫通導体５の導体抵抗お
よびインダクタンスが大きくなるため、インピーダンス
の不整合が生じる。
【００３１】本発明の高周波用配線基板１の作製は以下
のように行なう。例えば誘電体基板２がアルミナセラミ
ックスからなる場合、まず誘電体基板２となるアルミナ
セラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の
打ち抜き加工を施して貫通導体５および接地貫通導体７
となる貫通孔を形成する。その後、スクリーン印刷法に
よりＷやＭｏなどの導体ペーストを貫通孔に充填すると
ともに、第１の線路導体３と第２の線路導体４となる導
体パターン、およびその他の導体層の導体パターンを印
刷塗布する。次に、１６００℃で焼成を行い、最後に各
導体層上にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。
のように行なう。例えば誘電体基板２がアルミナセラミ
ックスからなる場合、まず誘電体基板２となるアルミナ
セラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の
打ち抜き加工を施して貫通導体５および接地貫通導体７
となる貫通孔を形成する。その後、スクリーン印刷法に
よりＷやＭｏなどの導体ペーストを貫通孔に充填すると
ともに、第１の線路導体３と第２の線路導体４となる導
体パターン、およびその他の導体層の導体パターンを印
刷塗布する。次に、１６００℃で焼成を行い、最後に各
導体層上にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。
【００３２】本発明において、高周波信号の周波数は３
０ＧＨｚ程度以上がよく、その場合に上記本発明の効果
が得られ易いものとなる。
０ＧＨｚ程度以上がよく、その場合に上記本発明の効果
が得られ易いものとなる。
【００３３】
【実施例】本発明の高周波用配線基板の実施例を以下に
説明する。
説明する。
【００３４】（実施例）図１、図２に示した本発明の高
周波用配線基板1として、比誘電率が８．６のアルミナ
セラミックスからなり、厚みが０．８ｍｍの誘電体基板
２の上下の主面のほぼ全面に、Ｗメタライズ層上にＮｉ
メッキ層およびＡｕメッキ層を被着させて成る接地導体
層６を形成した。誘電体基板２の異なる誘電体層の主
面、即ち内部の異なる層間に、第１の線路導体３および
第２の線路導体４として０．１ｍｍの線幅のＷメタライ
ズから成る線路導体をそれぞれ形成した。
周波用配線基板1として、比誘電率が８．６のアルミナ
セラミックスからなり、厚みが０．８ｍｍの誘電体基板
２の上下の主面のほぼ全面に、Ｗメタライズ層上にＮｉ
メッキ層およびＡｕメッキ層を被着させて成る接地導体
層６を形成した。誘電体基板２の異なる誘電体層の主
面、即ち内部の異なる層間に、第１の線路導体３および
第２の線路導体４として０．１ｍｍの線幅のＷメタライ
ズから成る線路導体をそれぞれ形成した。
【００３５】第１の線路導体３の一端と第２の線路導体
４の一端とを接続する２本の貫通導体５は、Ｗメタライ
ズから成り、横断面形状が直径０．１ｍｍの略円形であ
り、長さＬ１は０．４ｍｍであった。また、２本の貫通
導体５間の距離Ｌ２は０．３ｍｍとした。即ち、第１の
線路導体３の接続部のうち最も第２の線路導体４の一端
側にある接続部Ａと第２の線路導体４の接続部のうち最
も第１の線路導体３の一端側にある接続部Ｂとの信号伝
送経路における距離Ｌは０．７ｍｍであった。これによ
り、本発明の高周波用配線基板1の試料Ａを得た。
４の一端とを接続する２本の貫通導体５は、Ｗメタライ
ズから成り、横断面形状が直径０．１ｍｍの略円形であ
り、長さＬ１は０．４ｍｍであった。また、２本の貫通
導体５間の距離Ｌ２は０．３ｍｍとした。即ち、第１の
線路導体３の接続部のうち最も第２の線路導体４の一端
側にある接続部Ａと第２の線路導体４の接続部のうち最
も第１の線路導体３の一端側にある接続部Ｂとの信号伝
送経路における距離Ｌは０．７ｍｍであった。これによ
り、本発明の高周波用配線基板1の試料Ａを得た。
【００３６】一方、比較例として、図１０の構成のもの
を、試料Ａと同様にして誘電体基板１２、第１の線路導
体１３、第２の線路導体１４、貫通導体１５、接地導体
層１６を形成した。ただし、２本の貫通導体１５間の距
離Ｌ２は１．６mmとした。即ち、第１の線路導体３の接
続部Ａと第２の線路導体４の接続部Ｂとの信号伝送経路
における距離Ｌは２ｍｍであった。これにより、比較例
の高周波用配線基板１１である試料Ｂを得た。
を、試料Ａと同様にして誘電体基板１２、第１の線路導
体１３、第２の線路導体１４、貫通導体１５、接地導体
層１６を形成した。ただし、２本の貫通導体１５間の距
離Ｌ２は１．６mmとした。即ち、第１の線路導体３の接
続部Ａと第２の線路導体４の接続部Ｂとの信号伝送経路
における距離Ｌは２ｍｍであった。これにより、比較例
の高周波用配線基板１１である試料Ｂを得た。
【００３７】本発明および比較例の高周波配線基板1，
１１の試料Ａ，Ｂのそれぞれについて、ネットワークア
ナライザを用いて高周波信号に対する伝送損失の測定を
行った。その結果を図９に示す。図９は、試料Ａ，Ｂに
おける伝送損失を示すグラフであり、横軸は周波数（Ｇ
Ｈｚ）、縦軸は伝送損失（ｄＢ）を表わしている。ま
た、特性曲線のうち実線は試料Ａ、破線は試料Ｂの伝送
損失の周波数特性を示している。これらの結果より、試
料Ｂにおいては、２５ＧＨｚ、５０ＧＨｚ付近で伝送損
失が劣化し、その値は−３ｄＢを超えているが、試料Ａ
においては、図示した周波数範囲で上記のような特性劣
化は見られず、良好な特性が得られた。
１１の試料Ａ，Ｂのそれぞれについて、ネットワークア
ナライザを用いて高周波信号に対する伝送損失の測定を
行った。その結果を図９に示す。図９は、試料Ａ，Ｂに
おける伝送損失を示すグラフであり、横軸は周波数（Ｇ
Ｈｚ）、縦軸は伝送損失（ｄＢ）を表わしている。ま
た、特性曲線のうち実線は試料Ａ、破線は試料Ｂの伝送
損失の周波数特性を示している。これらの結果より、試
料Ｂにおいては、２５ＧＨｚ、５０ＧＨｚ付近で伝送損
失が劣化し、その値は−３ｄＢを超えているが、試料Ａ
においては、図示した周波数範囲で上記のような特性劣
化は見られず、良好な特性が得られた。
【００３８】これにより、本発明の高周波用配線基板1
によれば、第１の線路導体３の接続部Ａと第２の線路導
体４の接続部Ｂとの信号伝送経路における距離Ｌと、第
１の線路導体３、第２の線路導体４および貫通導体５を
伝送する高周波信号の波長λとの関係をＬ＜λ／２、例
えばＬを３０〜８０ＧＨｚで１．７〜０．６４ｍｍに設
定したことにより、マイクロ波帯さらにはミリ波帯とい
う高い周波数帯域で問題になる貫通導体５の抵抗および
インダクタンスを低減することができ、特性インピーダ
ンスの整合がとれる。また、貫通導体５の長さと貫通導
体５間の距離によって生じる高周波信号の共振をなく
し、貫通導体５を有する線路部での良好な高周波信号の
伝送特性が実現できることを確認できた。
によれば、第１の線路導体３の接続部Ａと第２の線路導
体４の接続部Ｂとの信号伝送経路における距離Ｌと、第
１の線路導体３、第２の線路導体４および貫通導体５を
伝送する高周波信号の波長λとの関係をＬ＜λ／２、例
えばＬを３０〜８０ＧＨｚで１．７〜０．６４ｍｍに設
定したことにより、マイクロ波帯さらにはミリ波帯とい
う高い周波数帯域で問題になる貫通導体５の抵抗および
インダクタンスを低減することができ、特性インピーダ
ンスの整合がとれる。また、貫通導体５の長さと貫通導
体５間の距離によって生じる高周波信号の共振をなく
し、貫通導体５を有する線路部での良好な高周波信号の
伝送特性が実現できることを確認できた。
【００３９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更を行っても差し支えない。例えば、上記実施例では
貫通導体５を２本形成した例を示したが、接続部Ａと接
続部Ｂとの距離ＬがＬ＜λ／２であれば貫通導体５が３
本以上であっても良い。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更を行っても差し支えない。例えば、上記実施例では
貫通導体５を２本形成した例を示したが、接続部Ａと接
続部Ｂとの距離ＬがＬ＜λ／２であれば貫通導体５が３
本以上であっても良い。
【００４０】
【発明の効果】本発明は、第１の線路導体の貫通導体と
の接続部のうち最も第２の線路導体の一端側にある接続
部と第２の線路導体の貫通導体との接続部のうち最も第
１の線路導体の一端側にある接続部との信号伝送経路に
おける距離をＬ、第１の線路導体と貫通導体および第２
の線路導体を伝送する高周波信号の波長をλとしたと
き、Ｌ＜λ／２であることにより、貫通導体の長さおよ
び貫通導体間の距離によって生じる高周波信号の共振の
発生を防ぎ、また高周波信号を伝送する貫通導体の抵抗
およびインダクタンスを低減させて特性インピーダンス
を整合させることで電磁波の損失を抑制することができ
る。その結果、広帯域にわたって伝送特性の良好な高周
波用配線基板となる。
の接続部のうち最も第２の線路導体の一端側にある接続
部と第２の線路導体の貫通導体との接続部のうち最も第
１の線路導体の一端側にある接続部との信号伝送経路に
おける距離をＬ、第１の線路導体と貫通導体および第２
の線路導体を伝送する高周波信号の波長をλとしたと
き、Ｌ＜λ／２であることにより、貫通導体の長さおよ
び貫通導体間の距離によって生じる高周波信号の共振の
発生を防ぎ、また高周波信号を伝送する貫通導体の抵抗
およびインダクタンスを低減させて特性インピーダンス
を整合させることで電磁波の損失を抑制することができ
る。その結果、広帯域にわたって伝送特性の良好な高周
波用配線基板となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図２】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の例を示す平面図である。
の例を示す平面図である。
【図３】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
【図４】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。
の他の例を示す平面図である。
【図５】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
【図６】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。
の他の例を示す平面図である。
【図７】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す断面図である。
の他の例を示す断面図である。
【図８】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。
の他の例を示す平面図である。
【図９】本発明の実施例および比較例の高周波用配線基
板について高周波信号の伝送損失を示すグラフである。
板について高周波信号の伝送損失を示すグラフである。
【図１０】従来の高周波用配線基板の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１１】従来の高周波用配線基板の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１２】従来の高周波用配線基板の例を示す断面図で
ある。
ある。
【図１３】従来の高周波用配線基板の例を示す断面図で
ある。
ある。
１：高周波用配線基板 ２：誘電体基板 ３：第１の線路導体 ４：第２の線路導体 ５：貫通導体 ６：接地導体層 ７：接地貫通導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB02 BB04 BB06 BB07 BB11 BB16 FF27 HH01 HH06 5J011 DA11 DA12 5J014 CA41 CA42
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層して成る誘電体基
板の一つの誘電体層の主面に一端が前記一つの誘電体層
の主面内に存在するように形成された第１の線路導体
と、他の誘電体層の主面に一端を前記第１の線路導体の
一端と上下方向で重なて前記第１の線路導体と略平行に
一直線上に形成された第２の線路導体と、前記第１の線
路導体の一端および前記第２の線路導体の一端を電気的
に接続するとともに線路方向でずらせて配置された複数
の貫通導体と、異なる誘電体層の主面にそれぞれ形成さ
れた接地導体層と、該接地導体層同士を電気的に接続す
る接地貫通導体とを具備した高周波用配線基板におい
て、前記第１の線路導体の前記貫通導体との接続部のう
ち最も前記第２の線路導体の一端側にある接続部と前記
第２の線路導体の前記貫通導体との接続部のうち最も前
記第１の線路導体の一端側にある接続部との信号伝送経
路における距離をＬ、前記第１の線路導体と前記貫通導
体および前記第２の線路導体を伝送する高周波信号の波
長をλとしたとき、Ｌ＜λ／２であることを特徴とする
高周波用配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129801A JP4462782B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 高周波用配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001129801A JP4462782B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 高周波用配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002325004A true JP2002325004A (ja) | 2002-11-08 |
| JP4462782B2 JP4462782B2 (ja) | 2010-05-12 |
Family
ID=18978279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001129801A Expired - Fee Related JP4462782B2 (ja) | 2001-04-26 | 2001-04-26 | 高周波用配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4462782B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086554A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Nec Corporation | Via transmission lines for multilayer printed circuit boards |
| JP2008283622A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波伝送線路 |
| WO2009054201A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nec Corporation | 高周波基板および、これを用いた高周波モジュール |
| WO2011122311A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 高周波回路基板 |
| WO2019172336A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
-
2001
- 2001-04-26 JP JP2001129801A patent/JP4462782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086554A1 (en) * | 2004-03-09 | 2005-09-15 | Nec Corporation | Via transmission lines for multilayer printed circuit boards |
| JP2007528589A (ja) * | 2004-03-09 | 2007-10-11 | 日本電気株式会社 | 多層印刷回路基板用バイア伝送線路 |
| US7868257B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-01-11 | Nec Corporation | Via transmission lines for multilayer printed circuit boards |
| JP2008283622A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波伝送線路 |
| WO2009054201A1 (ja) * | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Nec Corporation | 高周波基板および、これを用いた高周波モジュール |
| JP2011216957A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波回路基板 |
| WO2011122311A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | 古河電気工業株式会社 | 高周波回路基板 |
| CN102804365A (zh) * | 2010-03-31 | 2012-11-28 | 古河电气工业株式会社 | 高频电路基板 |
| EP2555236A1 (en) * | 2010-03-31 | 2013-02-06 | Furukawa Electric Co., Ltd. | High-frequency circuit board |
| EP2555236A4 (en) * | 2010-03-31 | 2013-12-25 | Furukawa Electric Co Ltd | HIGH FREQUENCY PRINTED CIRCUIT BOARD |
| US9082785B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-07-14 | Furukawa Electric Co., Ltd. | High-frequency circuit board |
| WO2019172336A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| JPWO2019172336A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2021-03-25 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
| JP7136884B2 (ja) | 2018-03-08 | 2022-09-13 | 京セラ株式会社 | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4462782B2 (ja) | 2010-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3366552B2 (ja) | 誘電体導波管線路およびそれを具備する多層配線基板 | |
| JP2003204209A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| US20030151863A1 (en) | Power splitter having counter rotating circuit lines | |
| JP2003224408A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP2003133814A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP5323435B2 (ja) | 差動伝送用多層配線基板 | |
| JP3347607B2 (ja) | 積層型導波管線路 | |
| JP2002252505A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP3659284B2 (ja) | 高周波用多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP4462782B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP2004064174A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| WO2009119849A1 (ja) | 複合配線基板 | |
| JP2006042098A (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP2006279199A (ja) | 高周波線路−導波管変換器 | |
| JP2004259960A (ja) | 配線基板 | |
| JP4377725B2 (ja) | 高周波用配線基板 | |
| JP2001016007A (ja) | 伝送線路を有する配線基板 | |
| JP2004259959A (ja) | 配線基板 | |
| JP3784185B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板 | |
| JP2004120291A (ja) | バラントランス | |
| JP4177849B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板および電子装置 | |
| JP2000077808A (ja) | 配線基板 | |
| JP3784188B2 (ja) | 電子部品搭載用配線基板 | |
| JP3921079B2 (ja) | 配線基板 | |
| JP2001077498A (ja) | セラミック基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090330 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100119 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100216 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4462782 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |