JP2000077808A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

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JP2000077808A
JP2000077808A JP10244287A JP24428798A JP2000077808A JP 2000077808 A JP2000077808 A JP 2000077808A JP 10244287 A JP10244287 A JP 10244287A JP 24428798 A JP24428798 A JP 24428798A JP 2000077808 A JP2000077808 A JP 2000077808A
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Japan
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conductor
signal
insulating layer
grounding
layer
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Masaru Nomoto
勝 野本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号用配線導体および信号用貫通導体に高周
波信号を正確に伝播させることができず、搭載される電
子部品を正常に高速作動させることができない。 【解決手段】 第1の絶縁層1と、その上面の第1の信
号用配線導体4および下面の第2の信号用配線導体5
と、第1の信号用配線導体4と第2の信号用配線導体5
とを接続する信号用貫通導体6と、第1の絶縁層1の上
面の第2の絶縁層2および下面の第3の絶縁層3と、第
2の絶縁層2の上面の第1の接地用導体層7および第3
の絶縁層3の下面の第2の接地用導体層8と、信号用貫
通導体6に隣接して配置され、第1〜第3の絶縁層1〜
3を貫通して第1と第2の接地用導体層7・8に接続さ
れた接地用貫通導体9とを具備して成り、第1および第
2の接地用導体層7・8の信号用貫通導体6と対向する
領域に信号用貫通導体6の断面積以上の面積の開口7a
・8aが形成されている配線基板である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高速作動の半導体素
子等の電子部品を搭載するための配線基板に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子等の電子部品を搭載す
るための多層配線基板は、上面および/または下面に配
線導体が配設された酸化アルミニウム質焼結体等の電気
絶縁材料から成る多数の絶縁層を上下に積層することに
より形成されている。そして、各絶縁層を挟んで上下に
位置する配線導体同士を絶縁層を貫通する貫通導体を介
して接続することにより3次元配線を可能とし、これに
より小型で高密度の配線基板を得るようになっている。
【0003】このような多層配線基板の例を図2(a)
に部分断面図で、図2(b)に部分上面図または下面図
で示す。
【0004】この例においては、中央の絶縁層11の上下
面にそれぞれ絶縁層12・13が積層されている。そして、
中央の絶縁層11の上下面には帯状の信号用配線導体14・
15がそれぞれ互いの一端部を対向させるようにして配設
されている。これらの信号用配線導体14・15は、絶縁層
11を貫通して設けられた信号用貫通導体16により互いに
電気的に接続されている。また、絶縁層12の上面および
絶縁層13の下面にはそれぞれ広面積の接地用導体層17・
18が配設されている。これらの接地用導体層17・18 は、
絶縁層11・12・13を貫通して信号用貫通導体16に隣接す
るような配置で設けられた接地用貫通導体19でもって互
いに接続されている。
【0005】このような配線基板においては、信号用配
線導体14・15は、接地用導体層17および18との間の電磁
カップリングにより、例えば50Ωの特性インピーダンス
となるように設計されている。また、信号用貫通導体16
は、接地用貫通導体19との間の電磁カップリングにより
50Ωの特性インピーダンスとなるように設計されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、信号用
配線導体14と信号用貫通導体16との接続部では、この接
続部と接地用貫通導体19との間の電磁カップリングおよ
び接地用導体層17との間の電磁カップリングによる作用
が重畳してしまうこととなる。また、信号用配線導体15
と信号用貫通導体16との接続部では、この接続部と接地
用貫通導体19との間の電磁カップリングおよび接地用導
体層18との間の電磁カップリングによる作用が重畳して
しまうこととなる。その結果、これらの接続部分におけ
る電磁カップリングが大きくなり過ぎて過多となり、こ
れらの接続部において局部的に特性インピーダンスが小
さなものとなってしまうために、特性インピーダンスの
不整合が発生するという問題点があった。
【0007】このように信号用配線導体14・15と信号用
貫通導体16との接続部において局部的に発生する特性イ
ンピーダンスの不整合は、この信号用配線導体14・15お
よび信号用貫通導体16を伝播する信号の周波数がそれほ
ど高くない場合にはほとんど問題となることはないが、
信号用配線導体14・15および信号用貫通導体16を伝播す
る信号の周波数が例えば1GHz以上の高周波になる
と、これらの特性インピーダンスの不整合箇所において
信号が大きく反射するようになって問題となる。
【0008】そのため、信号用配線導体14・15および信
号用貫通導体16に所定の高周波信号を正確に伝播させる
ことができず、配線基板に搭載される半導体素子等の電
子部品を正常に作動させることができなくなるという問
題点を誘発していた。
【0009】本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案
出されたものであり、その目的は、信号用配線導体と信
号用貫通導体との接続部における特性インピーダンスの
不整合を緩和し、これにより信号用配線導体および信号
用貫通導体を伝播する信号が例えば1Hz以上の高周波
の信号であったとしても信号用配線導体および信号用貫
通導体を伝播する信号に大きな反射を起こすことがな
く、信号用配線導体および信号用貫通導体に所定の信号
を正確に伝播させ、搭載される半導体素子等の電子部品
を正常に作動させることが可能な配線基板を提供するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、第
1の絶縁層と、この第1の絶縁層の上面に配設された第
1の信号用配線導体および下面に配設された第2の信号
用配線導体と、前記第1の絶縁層を貫通して前記第1の
信号用配線導体と前記第2の信号用配線導体とを接続す
る信号用貫通導体と、前記第1の絶縁層の上面に積層さ
れた第2の絶縁層および下面に積層された第3の絶縁層
と、前記第2の絶縁層の上面に被着された第1の接地用
導体層および前記第3の絶縁層の下面に被着された第2
の接地用導体層と、前記信号用貫通導体に隣接して配置
され、前記第1乃至第3の絶縁層を貫通して前記第1お
よび第2の接地用導体層に接続された接地用貫通導体と
を具備して成り、前記第1および第2の接地用導体層の
前記信号用貫通導体と対向する領域に前記信号用貫通導
体の断面積以上の面積の開口が形成されていることを特
徴とするものである。
【0011】本発明の配線基板によると、第1の接地用
導体層および第2の接地用導体層の信号用貫通導体と対
向する部位に、その面積が信号用貫通導体の断面積以上
の開口が形成されていることから、信号用貫通導体と第
1および第2の信号用配線導体との接続部においては接
地用導体層との電磁カップリングが小さいものとなって
接地用貫通導体のみとの間で強い電磁カップリングを生
じるので、この部分における電磁カップリングが過多と
なることはなくなり、この部分において特性インピーダ
ンスの大きな不整合が発生することを有効に防止するこ
とができる。
【0012】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。
【0013】図1(a)は本発明の配線基板の実施の形
態の一例を示す部分断面図、図1(b)は図1(a)に
対応した部分上面図または部分下面図である。
【0014】図1(a)および(b)に示す実施の形態
の一例においては、中央部に配置された第1の絶縁層1
の上下面に第2の絶縁層2および第3の絶縁層3をそれ
ぞれ積層一体化している。
【0015】第1の絶縁層1および第2の絶縁層2・第
3の絶縁層3は、例えば酸化アルミニウム質焼結体や窒
化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素
質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等の
電気絶縁材料から形成されている。これら第1〜第3の
絶縁層1〜3は、酸化アルミニウム質焼結体から成る場
合であれば、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック
スとなる原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤を添
加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のド
クターブレード法を採用してシート状に形成してそれぞ
れ第1の絶縁層1および第2の絶縁層2・第3の絶縁層
3となるセラミックグリーンシートを得て、しかる後、
これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともに所定の順に積層してセラミックグリー
ンシート積層体となし、最後にこのセラミックグリーン
シート積層体を高温で焼成することによって上下に積層
一体化される。
【0016】また、第1の絶縁層1の上下面にはそれぞ
れ帯状の第1の信号用配線導体4および第2の信号用配
線導体5が互いの一端部同士を対向させるようにして配
設されている。そして、これらの第1の信号用配線導体
4と第2の信号用配線導体5とは、互いに対向する一端
部間において第1の絶縁層1を貫通する信号用貫通導体
6により互いに電気的に接続されている。
【0017】第1および第2の信号用配線導体4・5な
らびに信号用貫通導体6は、配線基板に搭載される半導
体素子等の電子部品に信号を入出力するための伝達路と
して機能し、これらにより例えば1GHz以上の高周波
信号が伝達される。
【0018】また、第2の絶縁層2の上面および第3の
絶縁層3の下面には、それぞれ広面積の第1の接地用導
体層7および第2の接地用導体層8が配設されている。
これら第1の接地用導体層7と第2の接地用導体層8と
は、第1の絶縁層1および第2の絶縁層2・第3の絶縁
層3を貫通して信号用貫通導体6に隣接するような配置
で設けられた接地用貫通導体9でもって互いに電気的に
接続されている。
【0019】第1および第2の接地用導体層7・8なら
びに接地用貫通導体9は、配線基板に搭載される半導体
素子等の電子部品に接地電位を提供するための導電路と
して機能し、外部の接地電位に電気的に接続される。
【0020】これら第1の信号用配線導体4および第2
の信号用配線導体5・信号用貫通導体6・第1の接地用
導体層7・第2の接地用導体層8・接地用貫通導体9
は、例えばタングステン粉末やモリブデン粉末・銀粉末
・銅粉末等の金属粉末焼結体から成る。信号用配線導体
4・5あるいは接地用導体層7・8を形成する場合であ
れば、タングステン粉末や銅粉末等の金属粉末に適当な
有機バインダおよび溶剤を添加混合して得た導体ペース
トを各絶縁層1〜3となるセラミックグリーンシートの
上面および/または下面に必要に応じて所定のパターン
に印刷塗布される。また、信号用貫通導体6や接地用貫
通導体9を形成する場合であれば、各絶縁層1〜3とな
るセラミックグリーンシートの所定位置に予め貫通孔を
設けておくとともに、この貫通孔内に前出の導体ペース
トを充填し、これらの導体ペーストを各絶縁層1〜3と
なるセラミックグリーンシートとともに焼成することに
よって所定の位置に所定のパターンに形成される。
【0021】そして、第1の信号用配線導体4および第
2の信号用配線導体5は、第1の接地用導体層7および
第2の接地用導体層8との間の電磁カップリングにより
その特性インピーダンスが例えば50Ωとなるように設計
されている。このような第1の信号用配線導体4および
第2の信号用配線導体5の特性インピーダンスは、第1
〜第3の絶縁層1〜3の厚みおよび誘電率、さらには第
1および第2の信号用配線導体4・5の線幅等により決
定される。
【0022】また、信号用貫通導体6は、接地用貫通導
体9との間の電磁カップリングによりその特性インピー
ダンスが例えば50Ωとなるように設計されている。この
ような信号用貫通導体6の特性インピーダンスは、第1
の絶縁層1の誘電率や信号用貫通導体6および接地用貫
通導体9の直径、ならびに信号用貫通導体6と接地用貫
通導体9との距離・接地用貫通導体9の数等により決定
される。
【0023】さらに、本発明においては、第1の接地用
導体層7および第2の接地用導体層8に対して、信号用
貫通導体6と対向する領域に、信号用貫通導体6の断面
積以上の面積の開口7a・8aが形成されていることが
重要である。
【0024】開口7a・8aは、例えば円柱状の信号用
貫通導体6に対してその中心が信号用貫通導体6の中心
軸と一致した円形である。これら開口7a・8aは、第
1の絶縁層2および第2の絶縁層3となるセラミックグ
リーンシートに第1の接地用導体層7や第2の接地用導
体層8となる導体ペーストを印刷する際に、開口7a・
8aとなる部分を除いて導体ペーストを印刷しておくこ
とによって所定の大きさ・形状に形成される。
【0025】第1の接地用導体層7および第2の接地用
導体層8には、信号用貫通導体6と対向する領域に開口
7a・8aが形成されていることから、第1の信号用配
線導体4と信号用貫通導体6との接続部においては、第
1の接地導体層7との間の電磁カップリングが大きく減
少する。また、第2の信号用配線導体5と信号用貫通導
体6との接続部においては、第2の接地導体層8との間
の電磁カップリングが大きく減少する。従って、これら
の接続部においてはほとんどが接地用貫通導体6のみと
の電磁カップリングとなり、電磁カップリングが大きく
なり過ぎて過多となることがないので、特性インピーダ
ンスの不整合が大きく低減される。その結果、第1の信
号用配線導体4および第2の信号用配線導体5ならびに
信号用貫通導体6に例えば周波数が1GHz以上の高周
波信号を伝播させてもこの信号が大きく反射するような
ことはなくなり、信号を正確に伝播させ、配線基板に搭
載される半導体素子等の電子部品を正常に作動させるこ
とが可能となる。
【0026】なお、第1の接地用導体層7および第2の
接地用導体層8に形成される開口7aおよび8aの大き
さは、開口7a・8aの直径をそれぞれD1・D2と
し、信号用貫通導体6の直径をD3・第2の絶縁層2の
厚みをT1・第3の絶縁層3の厚みをT2としたとき、
D1がD3より小さいものとなると、第1の信号用配線
導体4と信号用貫通導体6との接続部における第1の接
地用導体層7との電磁カップリングが大きくなり、これ
が接地用貫通導体9との電磁カップリングと重畳してこ
の部分において特性インピーダンスの不整合が顕著とな
る傾向にある。また、D1がD3+0.5 T1より大きな
ものとなると、第1の信号用配線導体4で信号用貫通導
体6との接続部の近傍において第1の接地用導体層7と
の電磁カップリングが小さいものとなり、この部分で特
性インピーダンスが大きくなって特性インピーダンスの
不整合を引き起こしてしまい易い傾向にある。
【0027】また同様に、D2がD3より小さいものと
なると、第2の信号用配線導体5と信号用貫通導体6と
の接続部における第2の接地用導体層8との電磁カップ
リングが大きくなり、これが接地用貫通導体9との電磁
カップリングと重畳してこの部分において特性インピー
ダンスの不整合が顕著となる傾向にある。また、D2が
D3+0.5 T2より大きなものとなると、第2の信号用
配線導体5で信号用貫通導体6との接続部の近傍におい
て第2の接地用導体層8との電磁カップリングが小さい
ものとなり、この部分で特性インピーダンスが大きくな
って特性インピーダンスの不整合を引き起こしてしまい
易い傾向にある。
【0028】従って、第1の接地用導体層7および第2
の接地用導体層8に形成される開口7a・8aの大きさ
は、開口7a・8aの直径をそれぞれD1・D2とし、
信号用貫通導体6の直径をD3・第2の絶縁層2の厚み
をT1・第3の絶縁層3の厚みをT2としたとき、D3
≦D1≦D3+0.5 T1、D3≦D2≦D3+0.5 T2
の範囲であることが好ましい。
【0029】なお、本発明は上述の実施の形態の一例に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲であれば種々の変更は可能である。
【0030】例えば、上述の実施の形態の一例では第1
の接地導体層7および第2の接地用導体層8に形成され
た開口7a・8aは円形であったが、開口7a・8aは
円形に限られず、例えば正方形等の多角形であってもよ
い。
【0031】また、第1〜第3の絶縁層1〜3は、それ
ぞれ複数の絶縁層により形成されていてもよい。
【0032】
【実施例】比誘電率が10(常温、1MHz)で厚みが0.
6 mmの酸化アルミニウム質焼結体から成る第1の絶縁
層の上下面にそれぞれ第1の絶縁層と同じ酸化アルミニ
ウム質焼結体からなる厚みが0.3 mmの第2の絶縁層お
よび第3の絶縁層を積層するとともに、第1の絶縁層の
上下面にそれぞれ幅が0.6 mm・厚みが15μmのタング
ステンメタライズ層から成る第1の信号用配線導体およ
び第2の信号用配線導体を配設した。次いで、第2の絶
縁層の上面および第3の絶縁層の下面にそれぞれ厚みが
15μmのタングステンメタライズ層から成る広面積の第
1の接地用導体層および第2の接地用導体層を配設し
た。そして、第1の信号用配線導体と第2の信号用配線
導体とを第1の絶縁層を貫通して設けた直径が0.6 mm
のタングステンメタライズから成る貫通導体で接続する
とともに、第1の接地用導体層と第2の接地用導体層と
を第1〜第3の絶縁層を貫通して信号用貫通導体を取り
囲むようにして設けた、直径が0.6 mmのタングステン
メタライズ導体から成る4本の接地用貫通導体で接続し
た。なお、信号用貫通導体と接地用貫通導体との距離は
3.3 mmとした。
【0033】そして、第1および第2の接地用導体層の
信号用貫通導体と対向する領域にそれぞれ直径が0.6 m
mの円形の開口を設けた第1の試料と、直径が0.75mm
の円形の開口を設けた第2の試料と、一辺の長さが0.75
mmの正方形の開口を設けた第3の試料とを作製して、
本発明の試料1〜3とした。また、本発明との比較のた
め、従来の試料として第1および第2の接地用導体層に
開口を設けない第4の試料を用意した。
【0034】そして、これらの試料について1GHz・
10GHz・30GHzの信号を入力し、市販のネットワー
クアナライザを用いて信号の反射損失を調べた。その結
果を表1に示す。
【0035】
【表1】
【0036】表1に示すように、本発明の試料である試
料番号1〜3の試料は、いずれの周波数においても比較
例の試料である試料番号4の試料より反射損失が5dB
以上小さいことが分かる。
【0037】これにより、本発明の配線基板によれば、
信号用配線導体および信号用貫通導体を伝播する高周波
信号に大きな反射を起こすことがなく、所定の高周波信
号を正確に伝播させることができることが確認できた。
【0038】
【発明の効果】本発明の配線基板によると、第1の接地
用導体層および第2の接地用導体層の信号用貫通導体と
対向する部位の領域に信号用貫通導体の断面積以上の面
積の開口が形成されていることから、信号用貫通導体と
第1および第2の信号用配線導体との接続部においては
接地用導体層との電磁カップリングが小さいものとな
り、接地用貫通導体のみとの間で強い電磁カップリング
を生じるものとなる。そのため、この部分における電磁
カップリングが過多となることはなく、この部分におい
て特性インピーダンスの大きな不整合が発生することを
有効に防止することができる。その結果、第1の信号用
配線導体および第2の信号用配線導体ならびに信号用貫
通導体に例えば周波数が1GHz以上の高周波信号を正
確に伝播させることができ、配線基板に搭載される半導
体素子等の電子部品を正常に作動させることが可能とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の配線基板の実施の形態の一例
を示す部分断面図であり、(b)は(a)に対応する部
分上面図または部分下面図である。
【図2】(a)は従来の配線基板を示す部分断面図であ
り、(b)は(a)に対応する部分上面図または部分下
面図である。
【符号の説明】
1・・・・・・第1の絶縁層 2・・・・・・第2の絶縁層 3・・・・・・第3の絶縁層 4・・・・・・第1の信号用配線導体 5・・・・・・第2の信号用配線導体 6・・・・・・信号用貫通導体 7・・・・・・第1の接地用導体層 8・・・・・・第2の接地用導体層 9・・・・・・接地用貫通導体 7a、8a・・開口

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上面
    に配設された第1の信号用配線導体および下面に配設さ
    れた第2の信号用配線導体と、前記第1の絶縁層を貫通
    して前記第1の信号用配線導体と前記第2の信号用配線
    導体とを接続する信号用貫通導体と、前記第1の絶縁層
    の上面に積層された第2の絶縁層および下面に積層され
    た第3の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上面に被着され
    た第1の接地用導体層および前記第3の絶縁層の下面に
    被着された第2の接地用導体層と、前記信号用貫通導体
    に隣接して配置され、前記第1乃至第3の絶縁層を貫通
    して前記第1および第2の接地用導体層に接続された接
    地用貫通導体とを具備して成り、前記第1および第2の
    接地用導体層の前記信号用貫通導体と対向する領域に前
    記信号用貫通導体の断面積以上の面積の開口が形成され
    ていることを特徴とする配線基板。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7339260B2 (en) 2004-08-27 2008-03-04 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring board providing impedance matching
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