JP2003133814A - 高周波用配線基板 - Google Patents
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Abstract
線路導体の一端間を接続する貫通導体との接続部近傍に
おいて広くしたことにより、電磁波の不要輻射が生じ、
伝送特性が劣化するという問題点があった。 【解決手段】 線路導体3の所定の特性インピーダンス
を有する線路導体の部分である線路幅をW1、線路導体
3の一端の貫通導体5との接続部近傍の線路導体の導体
幅をW2、線路導体3の線路幅がW1の部分と同一面接
地導体6との間隔をS1、線路導体3の一端の貫通導体
5との接続部近傍における同一面接地導体6との間隔を
S2としたとき、W1>W2およびS1≧S2とした高
周波用配線基板1である。線路導体3と貫通導体5との
接続部での特性インピーダンスの整合を図るとともに、
線路導体3と同一面接地導体6との間からの電磁波の不
要輻射を抑制することができる。
Description
波帯等の高周波帯域で使用されるIC,LSI等の高周
波集積回路または高周波回路装置を接続し搭載するため
の高周波用配線基板に関し、特に高周波信号の伝送特性
を改善した信号伝送用の貫通導体を有する高周波用配線
基板に関するものである。
号を伝送する高周波用配線基板には、例えば図8に断面
図で、また図9に平面図で示すようなものがあった。
線基板、12は誘電体層であり、誘電体層12の上下面に第
1の線路導体13および第2の線路導体14を有し、第1お
よび第2の線路導体13・14の一端間を貫通導体15で電気
的に接続される。また、誘電体層12の上下面に同一面接
地導体16を有し、同一面接地導体16間を複数の接地用貫
通導体17で電気的に接続される。
は、第1および第2の線路導体13・14と貫通導体15との
接続部における浮遊容量により、特性インピーダンスの
不整合が生じてしまい、その結果、高周波信号の反射損
失が増大して伝送特性が劣化するという欠点があった。
特性インピーダンスを整合する技術として、例えば、線
路導体とその周囲の同一面接地導体との間隔を貫通導体
との接続部近傍において広くすることにより、浮遊容量
を低減し、線路導体と貫通導体との接続部の特性インピ
ーダンスの整合をとることができて高周波信号の伝送特
性を改善できるというものが提案されている(特開2000
−100993号公報参照)。
従来の高周波用配線基板においては、線路導体と周囲の
同一面接地導体との間隔を貫通導体との接続部近傍にお
いて広くした場合には、マイクロ波,ミリ波帯等の周波
数帯域においてはその高周波信号の波長が短く、かつ線
路導体と貫通導体との接続部が電磁界モードの変換部で
あることから、線路導体と同一面接地導体との間から電
磁波の不要輻射が生じ、その結果、周波数が高くなるに
従って伝送特性が大きく劣化するという問題があった。
であり、その目的は、線路導体と貫通導体との接続部で
の特性インピーダンスの整合を図るとともに、線路導体
と同一面接地導体との間からの電磁波の不要輻射を抑制
することができ、マイクロ波,ミリ波帯等の高周波帯域
であっても高周波信号の良好な伝送特性が得られる高周
波用配線基板を提供することにある。
板は、複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一つ
の誘電体層の主面に一端が前記一つの誘電体層の主面内
に存在するように形成された第1の線路導体と、他の誘
電体層の主面に一端が前記第1の線路導体の一端と上下
方向で重なるように前記第1の線路導体と略平行に一直
線上に形成された第2の線路導体と、前記誘電体層を貫
通して形成された、前記第1の線路導体の一端および前
記第2の線路導体の一端を電気的に接続する貫通導体
と、前記第1および/または第2の線路導体の周囲に所
定の間隔をもって形成された同一面接地導体とを具備し
た高周波用配線基板において、前記同一面接地導体が周
囲に形成された前記第1および/または第2の線路導体
の線路幅をW1、前記第1および/または第2の線路導
体の一端の前記貫通導体との接続部近傍の導体幅をW
2、前記第1および/または第2の線路導体の前記線路
幅がW1の部分と前記同一面接地導体との間隔をS1、
前記第1および/または第2の線路導体の一端の前記貫
通導体との接続部近傍における前記同一面接地導体との
間隔をS2としたとき、W1>W2およびS1≧S2で
あることを特徴とするものである。
の構成により、線路導体と貫通導体との接続部近傍の線
路導体においては、線路導体の一端の導体幅すなわち線
路の幅W2が所定の特性インピーダンスを有する線路部
分の線路幅W1より狭いことにより、線路導体の一端と
貫通導体との接続部における浮遊容量を低減させること
ができ、線路導体と貫通導体との接続部の特性インピー
ダンスを整合することができる。また、線路導体の一端
と貫通導体との接続部近傍における線路導体の一端と同
一面接地導体との間隔S2が線路導体が所定の特性イン
ピーダンスを有する線路幅がW1の部分との間隔S1以
下と狭いことにより、電磁界モードの変換部である接続
部での電磁界を閉じ込めることができるため、線路導体
の一端と貫通導体との接続部近傍における線路導体と同
一面接地導体との間からの電磁波の不要輻射を抑制する
ことができる。その結果、マイクロ波,ミリ波帯等の高
周波帯域において高周波信号の良好な伝送特性が実現で
きる。
構成において、前記第1および/または第2の線路導体
の一端と前記貫通導体との接続部近傍の導体幅がW2で
ある部分の導体長さLが前記第1および第2の線路導体
により伝送される高周波信号の波長の4分の1以下であ
り、かつW1≦2×W2であることを特徴とするもので
ある。
体との接続部での特性インピーダンス整合部の長さを高
周波信号の波長に対して十分に短くし、かつ線路導体の
線路の幅のW1からW2への変化を所定の範囲内に抑え
ることによって、高周波信号の反射等による伝送特性の
劣化を抑制することができる。その結果、マイクロ波,
ミリ波帯等の高周波帯域であっても高周波信号の良好な
伝送特性が実現できる。
を図面に基づいて説明する。
基板の実施の形態の一例を示す断面図および平面図であ
る。これらの図において、1は高周波用配線基板、2は
誘電体基板を構成する誘電体層であり、この例では、1
層の誘電体層2から成る誘電体基板の上下面に第1の線
路導体3および第2の線路導体4を有し、これら第1の
線路導体3および第2の線路導体4はその一端同士が上
下方向で重なるように略平行に一直線上に形成されてお
り、第1の線路導体3の一端および第2の線路導体4の
一端間が貫通導体5で電気的に接続されている。また、
誘電体層2の上下面には第1および第2の線路導体3・
4の周囲に所定の間隔をもって形成された同一面接地導
体6を有しており、上下面の同一面接地導体6間は複数
の接地用貫通導体7で電気的に接続されている。なお、
ここでは図2は第1の線路導体3側を示す平面図であ
る。
いては、図2に示すように、第1の線路導体3の所定の
特性インピーダンスを有する線路導体の部分の線路幅を
W1、第2の線路導体3の一端の貫通導体5との接続部
近傍の部分の線路導体の導体幅をW2、第1の線路導体
3の所定の特性インピーダンスを有する線路幅がW1の
線路導体の部分と同一面接地導体6との間隔をS1、第
1の線路導体3の一端の貫通導体5との接続部近傍にお
ける導体幅がW2の部分と同一面接地導体6との間隔を
S2としたとき、W1>W2およびS1≧S2であるこ
とを特徴としている。
面に形成された第2の線路導体4および貫通導体5とそ
の周囲の同一面接地導体6とについても同様の構成とさ
れている。
波,ミリ波帯等の高周波帯域において問題になる第1の
線路導体3および第2の線路導体4とそれらの一端間を
接続する貫通導体5との接続部における浮遊容量につい
ては、第1および第2の線路導体3・4の一端の貫通導
体5との接続部近傍の導体幅すなわち線路導体の線路の
幅W2が所定の特性インピーダンスを有する線路導体の
部分の線路幅W1よりも狭いことにより、接続部におけ
る浮遊容量を低減することができる。また、第1および
第2の線路導体3・4と同一面接地導体6との間からの
電磁波の不要輻射については、第1および第2の線路導
体3・4の一端の貫通導体5との接続部近傍における同
一面接地導体6との間隔S2が、線路幅がW1の部分の
同一面接地導体6との間隔S1以下と狭いことにより、
電磁界モードの変換部である接続部での電磁界を閉じ込
めることができるため、第1および第2の線路導体3・
4の一端と貫通導体5との接続部近傍における第1およ
び第2の線路導体3・4と同一面接地導体6との間から
の電磁波の不要輻射を抑制することができる。その結
果、マイクロ波,ミリ波帯等の高周波帯域であっても高
周波信号の良好な伝送特性が実現できる。
の一端の貫通導体5との接続部近傍の導体幅がW2であ
る部分の導体長さLが、第1および第2の線路導体3・
4により伝送される高周波信号の波長の4分の1以下で
あり、かつW1≦2×W2であることが好ましい。この
ような構成により、第1および第2の線路導体3・4の
一端と貫通導体5との接続部での特性インピーダンス整
合部の長さを高周波信号の波長に対して十分に短くし、
かつ第1および第2の線路導体3・4の線路の幅のW1
からW2への変化を所定の範囲内に抑えることによっ
て、高周波信号の反射等による伝送特性の劣化を抑制す
ることができる。
配線基板の実施の形態の他の例を断面図または平面図で
示す。
同様の箇所には同じ符号を付してある。これらの図にお
いて、1は高周波用配線基板、2は誘電体層、3および
4は第1および第2の線路導体、5は第1の線路導体3
の一端と第2の線路導体4の一端とを電気的に接続する
貫通導体、6は第1および/または第2の線路導体3,
4と同一面に形成される同一面接地導体である。また、
8は接地導体、7は同一面接地導体6間および/または
同一面接地導体6と接地導体8とを電気的に接続する接
地用貫通導体である。
形態の他の例を示す断面図である。1は高周波用配線基
板、2は誘電体基板を構成する複数の誘電体層であり、
この例では、2層の誘電体層2から成る誘電体基板の上
下面に第1の線路導体3および第2の線路導体4を有
し、これら第1の線路導体3および第2の線路導体4は
その一端同士が上下方向で重なるように略平行に一直線
上に形成されており、第1の線路導体3の一端および第
2の線路導体4の一端間が貫通導体5で電気的に接続さ
れる。また、誘電体基板の上下面には第1および第2の
線路導体3・4の周囲に所定の間隔をもって形成された
同一面接地導体6を、2層の誘電体層2の層間に接地導
体8を有しており、上下面の同一面接地導体6および内
層の接地導体8は複数の接地用貫通導体7で電気的に接
続されている。
波,ミリ波帯等の高周波帯域において問題になる第1お
よび第2の線路導体3・4とそれらの一端間を接続する
貫通導体5との接続部における浮遊容量については、第
1および第2の線路導体3・4の一端の貫通導体5との
接続部近傍の導体幅すなわち線路導体の線路の幅W2が
所定の特性インピーダンスを有する線路導体の部分の線
路幅W1よりも狭いことにより、接続部における浮遊容
量を低減することができる。また、第1および第2の線
路導体3・4と同一面接地導体6との間からの電磁波の
不要輻射については、第1および第2の線路導体3・4
の一端の貫通導体5との接続部近傍における同一面接地
導体6との間隔S2が、線路幅がW1の部分の同一面接
地導体6との間隔S1以下と狭いことにより、電磁界モ
ードの変換部である接続部での電磁界を閉じ込めること
ができるため、第1および第2の線路導体3・4の一端
と貫通導体5との接続部近傍における第1および第2の
線路導体3・4と同一面接地導体6との間からの電磁波
の不要輻射を抑制することができる。その結果、マイク
ロ波,ミリ波帯等の高周波帯域であっても高周波信号の
良好な伝送特性が実現できる。
用配線基板の実施の形態の他の例を示す断面図および平
面図である。これらの図1において、1は高周波用配線
基板、2は誘電体基板を構成する複数の誘電体層であ
り、この例では、2層の誘電体層2から成る誘電体基板
の上面に第1の線路導体3を、2層の誘電体層2の層間
に第2の線路導体4を有し、これら第1の線路導体3お
よび第2の線路導体4はその一端同士が上下方向で重な
るように略平行に一直線上に形成されており、第1の線
路導体3の一端および第2の線路導体4の一端間が貫通
導体5で電気的に接続されている。また、誘電体基板の
上面には第1の線路導体3の周囲に所定の間隔をもって
形成された同一面接地導体6を、誘電体基板の下面に接
地導体8を有しており、同一面接地導体6と接地導体8
との間は複数の接地用貫通導体7で電気的に接続されて
いる。なお、ここでは図5は第2の線路導体4が形成さ
れた誘電体層2の上面を示す平面図であり、第1の線路
導体3およびその周囲の同一面接地導体6については、
図2に示した例と同様の構成である。
波,ミリ波帯等の高周波帯域において問題になる第1の
線路導体3とその一端に接続された、第2の線路導体4
の一端との間を接続する貫通導体5との接続部における
浮遊容量については、第1の線路導体3の一端の貫通導
体5との接続部近傍の導体幅すなわち線路導体の線路の
幅W2が所定の特性インピーダンスを有する線路導体の
部分の線路幅W1よりも狭いことにより、接続部におけ
る浮遊容量を低減することができる。また、第1の線路
導体3と同一面接地導体6との間からの電磁波の不要輻
射については、第1の線路導体3の一端の貫通導体5と
の接続部近傍における同一面接地導体6との間隔S2
が、線路幅がW1の部分の同一面接地導体6との間隔S
1以下と狭いことにより、電磁界モードの変換部である
接続部での電磁界を閉じ込めることができるため、第1
の線路導体3と同一面接地導体6との間からの電磁波の
不要輻射を抑制することができる。その結果、マイクロ
波,ミリ波帯等の高周波帯域であっても高周波信号の良
好な伝送特性が実現できる。
においては、第1の線路導体3,第2の線路導体4,貫
通導体5,誘電体層2,同一面接地導体層6,接地用貫
通導体7および接地導体8の配置や形状は、様々な形態
に形成することができる。
体基板を構成する誘電体層2の材料としては、アルミナ
(Al2O3)セラミックス,ムライト(3Al2O3・2
SiO2)セラミックス等のセラミックス材料やガラス
セラミックス等の無機系材料、四ふっ化エチレン樹脂
(ポリテトラフルオロエチレン;PTFE),四ふっ化
エチレン−エチレン共重合樹脂(テトラフルオロエチレ
ン−エチレン共重合樹脂;ETFE),四ふっ化エチレ
ン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂(テト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合樹脂;PFA)等のフッ素樹脂,ガラスエポ
キシ樹脂,ポリフェニレンエーテル樹脂,液晶ポリエス
テル,ポリイミド等の樹脂系材料等が用いられる。ま
た、高周波用配線基板1の形状・寸法(厚み・幅・長
さ)は、使用される高周波信号の周波数や特性インピー
ダンス等に応じて設定される。
の線路導体3および第2の線路導体4は、高周波信号伝
送用として適した金属材料の導体層から成り、例えばC
u層,Mo−Mn層,W層,Mo−Mnメタライズ層上
にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたもの,
Wメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッキ層を
被着させたもの,Cr−Cu合金層,Cr−Cu合金層
上にNiメッキ層およびAuメッキ層を被着させたも
の,Ta2N層上にNi−Cr合金層およびAuメッキ
層を被着させたもの,Ti層上にPt層およびAuメッ
キ層を被着させたもの,またはNi−Cr合金層上にP
t層およびAuメッキ層を被着させたものから成り、厚
膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法やメッキ処理法等に
より形成される。その厚みや幅も伝送される高周波信号
の周波数や特性インピーダンス等に応じて設定される。
は、第1の線路導体3および第2の線路導体4と同様の
材料で同様の方法により形成すればよく、第1の線路導
体3および第2の線路導体4と同一面接地導体6との間
隔は、伝送される高周波信号の周波数や特性インピーダ
ンス等に応じて設定される。また、貫通導体5は、第1
の線路導体3と第2の線路導体4とを電気的に接続する
ように形成され、例えばスルーホール導体やビアホール
導体を形成することにより、あるいは金属板,金属棒ま
たは金属パイプ等を埋設することにより設けることがで
きる。また、接地用貫通導体7は、同一面接地導体6同
士および接地導体8とを接続するように形成され、例え
ばスルーホール導体やビアホール導体を形成することに
より、あるいは金属板,金属棒または金属パイプ等を埋
設することにより設けることができる。
例えば誘電体層2がガラスセラミックスから成る場合で
あれば、まず誘電体層2となるガラスセラミックスのグ
リーンシートを準備し、これに所定の打ち抜き加工を施
し、スクリーン印刷法等によりCuやAg等の導体ペー
ストを第1および第2の線路導体3・4,貫通導体5,
同一面接地導体6,接地用貫通導体7,接地導体8の各
導体パターンに応じてそれぞれ塗布する。次に約1000℃
で焼成を行ない、最後に各導体層上にNiメッキおよび
Auメッキを施す。
以下に説明する。
ガラスセラミックスから成る厚みが0.2mmの誘電体層
2の上下面に、第1の線路導体3および第2の線路導体
4として、線路幅W1が0.28mm、導体幅W2が0.12m
mのCuメタライズ層上にNiメッキ層およびAuメッ
キ層を被着させて成る線路導体をそれぞれ形成した。ま
た、誘電体層2の上下面に同一面接地導体6としてほぼ
全面にCuメタライズ層からなる導体を形成した。な
お、第1の線路導体3および第2の線路導体4と同一面
接地導体6との間隔S1は0.11mmとし、S2は0.1m
mとした。第1の線路導体3の一端と第2の線路導体4
の一端とを接続する貫通導体5は、Cuメタライズから
成る、横断面形状が直径0.075mmの略円形のものとし
た。これにより、本発明の高周波用配線基板1の試料A
を得た。
す構成のものについて、試料Aと同様にして誘電体層1
2,第1の線路導体13,第2の線路導体14,貫通導体1
5,同一面接地導体16,接地用貫通導体17を形成した。
ただし、第1の線路導体13および第2の線路導体14の線
路幅W1’および導体幅W2’はともに0.28mm、第1
の線路導体13および第2の線路導体14と同一面接地導体
16との間隔S1’は0.11mm、S2’は0.2mmとし
た。これにより、比較例の高周波用配線基板11の試料B
を得た。
波用配線基板の試料AおよびBについて、ウェハープロ
ーブを用いてネットワークアナライザに接続し、高周波
信号に対する反射損失および伝送損失の測定を行なっ
た。反射特性の結果を図6に示し、伝送特性の結果を図
7に示す。
波信号の反射損失の周波数特性を示すグラフであり、横
軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は反射損失(単
位:dB)を表している。また、特性曲線のうち実線は
試料Aの、破線は試料Bの反射損失の周波数特性をそれ
ぞれ示している。
る試料Aにおいては、周波数110GHz迄、反射損失が
−13dB以下の良好な周波数特性を実現していることが
分かる。これに対し、比較例の試料Bにおいては40GH
z付近および100GHz付近の周波数で反射損失が増大
しており、その値は−10dBを超えている。本発明の実
施例である試料Aにおいては、図示した周波数範囲にお
いてそのような特性劣化は見られず、良好な特性が得ら
れた。
高周波信号の伝送損失の周波数特性を示すグラフであ
り、横軸は周波数(単位:GHz)を、縦軸は伝送損失
(単位:dB)を表している。また、特性曲線のうち実
線は試料Aの、破線は試料Bの伝送損失の周波数特性を
それぞれ示している。
いては40GHz付近および80GHz付近以上において伝
送損失が急激に増加するが、本発明の実施例である試料
Aにおいては、広帯域にわたって良好かつ平坦な特性が
得られていることが分かる。
ば、線路導体の所定の特性インピーダンスを有する線路
導体の部分の線路幅をW1、線路導体の一端の貫通導体
との接続部近傍の線路導体の導体幅をW2、線路導体の
所定の特性インピーダンスを有する線路導体の部分と同
一面接地導体との間隔をS1、線路導体の一端の貫通導
体との接続部近傍における同一面接地導体との間隔をS
2としたとき、W1>W2およびS1≧S2としたこと
により、マイクロ波,ミリ波帯の高周波信号においても
特性インピーダンスの変化や不要輻射が少なく、広帯域
にわたって良好な伝送特性が実現できることを確認でき
た。
の貫通導体との接続部近傍の導体幅がW2である部分の
導体長さLを、線路導体を伝送する高周波信号の波長の
4分の1以下であり、かつW1≦2×W2としたとこ
ろ、反射損失が−15dB以下の良好な周波数特性であっ
た。
定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
であれば種々の変更は可能である。例えば、上記の実施
例では、第1の線路導体3はいずれも誘電体層2の上面
に形成したが、この第1の線路導体3を複数の誘電体層
2の内層に形成しても構わない。
数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の一つの誘電体
層の主面に一端が前記一つの誘電体層の主面内に存在す
るように形成された第1の線路導体と、他の誘電体層の
主面に一端が前記第1の線路導体の一端と上下方向で重
なるように前記第1の線路導体と略平行に一直線上に形
成された第2の線路導体と、前記誘電体層を貫通して形
成された、前記第1の線路導体の一端および前記第2の
線路導体の一端を電気的に接続する貫通導体と、前記第
1および/または第2の線路導体の周囲に所定の間隔を
もって形成された同一面接地導体とを具備した高周波用
配線基板において、前記同一面接地導体が周囲に形成さ
れた前記第1および/または第2の線路導体の線路幅を
W1、前記第1および/または第2の線路導体の一端の
前記貫通導体との接続部近傍の導体幅をW2、前記第1
および/または第2の線路導体の前記線路幅がW1の部
分と前記同一面接地導体との間隔をS1、前記第1およ
び/または第2の線路導体の一端の前記貫通導体との接
続部近傍における前記同一面接地導体との間隔をS2と
したとき、W1>W2およびS1≧S2であることか
ら、線路導体と貫通導体との接続部近傍の線路導体にお
いては、線路導体の一端の導体幅すなわち線路の幅W2
が所定の特性インピーダンスを有する線路部分の線路幅
W1より狭いことにより、線路導体の一端と貫通導体と
の接続部における浮遊容量を低減させることができ、線
路導体と貫通導体との接続部の特性インピーダンスを整
合することができる。また、線路導体の一端と貫通導体
との接続部近傍における線路導体の一端と同一面接地導
体との間隔がS2が線路導体が所定の特性インピーダン
スを有する線路幅がW1の部分との間隔S1以下と狭い
ことにより、電磁界モードの変換部である接続部での電
磁界を閉じ込めることができるため、線路導体の一端と
貫通導体との接続部近傍における線路導体と同一面接地
導体との間からの電磁波の不要輻射を抑制することがで
きる。その結果、マイクロ波,ミリ波帯等の高周波帯域
において良好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
ば、上記構成において、前記第1および/または第2の
線路導体の一端と前記貫通導体との接続部近傍の導体幅
がW2である部分の導体長さLが前記第1および第2の
線路導体により伝送される高周波信号の波長の4分の1
以下であり、かつW1≦2×W2としたときには、線路
導体と貫通導体との接続部での特性インピーダンス整合
部の長さを高周波信号の波長に対して十分に短くし、か
つ線路導体の線路の幅のW1からW2への変化を所定の
範囲内に抑えることによって、高周波信号の反射等によ
る伝送特性の劣化を抑制することができる。その結果、
マイクロ波,ミリ波帯等の高周波帯域であってもより良
好な高周波信号の伝送特性が実現できる。
の貫通導体を有する高周波用配線基板において、線路導
体と貫通導体との接続部での特性インピーダンスの整合
を図るとともに、線路導体と同一面接地導体との間から
の電磁波の不要輻射を抑制することができ、マイクロ
波,ミリ波帯等の高周波帯域であっても良好な伝送特性
で高周波信号を伝送できる高周波用配線基板を提供する
ことができた。
を示す断面図である。
を示す平面図である。
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
例を示す平面図である。
板について高周波信号の反射損失の周波数特性を示すグ
ラフである。
板について高周波信号の伝送損失の周波数特性を示すグ
ラフである。
る。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 複数の誘電体層を積層して成る誘電体基
板の一つの誘電体層の主面に一端が前記一つの誘電体層
の主面内に存在するように形成された第1の線路導体
と、他の誘電体層の主面に一端が前記第1の線路導体の
一端と上下方向で重なるように前記第1の線路導体と略
平行に一直線上に形成された第2の線路導体と、前記誘
電体層を貫通して形成された、前記第1の線路導体の一
端および前記第2の線路導体の一端を電気的に接続する
貫通導体と、前記第1および/または第2の線路導体の
周囲に所定の間隔をもって形成された同一面接地導体と
を具備した高周波用配線基板において、前記同一面接地
導体が周囲に形成された前記第1および/または第2の
線路導体の線路幅をW1、前記第1および/または第2
の線路導体の一端の前記貫通導体との接続部近傍の導体
幅をW2、前記第1および/または第2の線路導体の前
記線路幅がW1の部分と前記同一面接地導体との間隔を
S1、前記第1および/または第2の線路導体の一端の
前記貫通導体との接続部近傍における前記同一面接地導
体との間隔をS2としたとき、W1>W2およびS1≧
S2であることを特徴とする高周波用配線基板。 - 【請求項2】 前記第1および/または第2の線路導体
の一端の前記貫通導体との接続部近傍の前記導体幅がW
2である部分の導体長さLが前記第1および第2の線路
導体により伝送される高周波信号の波長の4分の1以下
であり、かつW1≦2×W2であることを特徴とする請
求項1記載の高周波用配線基板。
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