JP2002252505A - 高周波用配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コプレーナ線路構造を有する高周波配線基板
において、信号線路と貫通導体との間の不要なキャパシ
タンス成分により、信号線路の特性インピーダンスが低
下してその不整合を生じ、高周波信号の反射損失および
伝送特性が劣化するという問題点があった。 【解決手段】 単層以上の誘電体層から成る誘電体基板
２の下面及び／又は誘電体層間に形成された接地導体３
と、誘電体基板２の上面の信号線路４と、信号線路４の
両側及び周囲に所定の間隔をもって形成された同一面接
地導体５と、接地導体３及び同一面接地導体５を電気的
に接続する貫通導体６とを具備し、信号線路４と接地導
体３との最小間隔をＨ、信号線路４と同一面接地導体５
との間隔をＳ、同一面接地導体５の信号線路４側の端と
貫通導体６との間隔をＬとした場合、Ｈ＞ＳかつＨ−Ｓ
＜Ｌ＜λ／４（λは高周波信号の波長）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、ＧＨｚ帯域等の高
周波帯域で使用されるＩＣ，ＬＳＩ等の高周波回路部
品，高周波回路装置と駆動回路，制御回路等との間にあ
ってそれらを接続するための高周波用配線基板に関し、
特に高周波信号の伝送特性を改善したコプレーナ線路構
造を有する高周波用配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高周波回路部品実装用の高周波用
配線基板としては、ＩＣ，ＬＳＩ等の高周波回路部品に
おける動作速度の高速化、高周波化に伴い、高周波信号
の反射損失及び伝送損失が少ない配線基板が求められて
いる。

【０００３】従来、高周波の電気信号を伝送する配線基
板としては、マイクロストリップ線路構造及びコプレー
ナ線路構造が多く用いられている。特に、低反射損失、
低伝送損失を求められていることから、コプレーナ線路
構造を有する高周波用配線基板を用いることが一般的で
ある。コプレーナ線路構造を有する高周波用配線基板と
は、誘電体基板の上面に信号線路を形成し、その両側に
所定の間隔だけはなして同一面接地導体を形成したもの
である。また、コプレーナ構造を有する高周波用配線基
板の下面側にも接地導体を形成し、上下面の同一面接地
導体と接地導体とを貫通導体で電気的に接続した下面
（裏面）接地導体付きコプレーナ線路もよく用いられ、
導電性接続部材を介して高周波回路部品や高周波回路装
置に接続される。このコプレーナ線路構造は、マイクロ
ストリップ線路構造に比べて反射損失及び伝送損失が小
さいため、３０ＧＨｚ以上のミリ波のような高周波帯で
多用されるようになってきたが、反射損失及び伝送損失
がまだ十分小さいとは言い得ないのが現状である。

【０００４】このような従来のコプレーナ線路構造を有
する高周波用配線基板を図９に示す。同図の高周波用配
線基板１１においては、３０ＧＨｚ以上のミリ波帯にな
ると、信号線路１４に沿って信号線路１４の両側に形成
された同一面接地導体１５と接地導体１３とを電気的に
接続する貫通導体１６間の間隔L２、または、信号線路
１４の両側に形成された貫通導体１６間の間隔L３によ
る共振が生じ、反射損失及び伝送損失が大きくなるとい
う問題点があった。

【０００５】そこで、高周波用配線基板１１において信
号線路１４両側に形成される貫通導体１６間の間隔Ｌ３
による共振を無くす技術として、例えば、間隔L３を信
号線路１４を伝送する高周波信号の波長の２分の１より
小さくすることにより、貫通導体１６間の間隔による共
振をなくすことができ、コプレーナ線路構造のミリ波帯
における伝送損失を改善できるものが提案されている
（特開平２０００−２１６６０３号公報参照）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示した従来のコプレーナ線路構造を有する高周波用配線
基板１１においては、周波数が高くなるにつれて、信号
線路１４の両側に形成される貫通導体１６間の間隔Ｌ３
を短かくする必要があるが、そうすると信号線路１４と
貫通導体１６との間に不要なキャパシタンス成分が発生
し、信号線路１４の特性インピーダンスが下がってしま
い、特性インピーダンスの不整合を生じるという問題が
あった。

【０００７】また、間隔Ｌ３を短かくするに伴い、信号
線路１４と同一面接地導体１５の間隔が狭まってしま
い、信号線路１４の両側とそれに対向する同一面接地導
体１５の端に電界が集中してしまい、高周波抵抗が増加
する。その結果、高周波信号の反射損失及び伝送損失が
増大し、伝送特性が劣化するという問題点があった。ま
た、間隔Ｌ３が短かすぎると、誘電体基板１２自身の強
度が低下し、クラックを起こし易いという問題もあっ
た。

【０００８】従って、本発明は、上記問題点に鑑みて案
出されたものであり、その目的は、コプレーナ線路構造
を有する高周波用配線基板において、誘電体基板の強度
を保持して、信号線路と貫通導体との間に不要なキャパ
シタンス成分が生じるのをなくし、信号線路の特性イン
ピーダンスを整合させ、また信号線路の両側に電界が集
中するのを防いで高周波信号の反射損失及び伝送損失を
低減することである。そして、マイクロ波帯からミリ波
帯にわたって高周波信号の伝送特性を良好とした高周波
用配線基板を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波用配線基
板は、単層の誘電体層から成るかまたは複数の誘電体層
を積層して成る誘電体基板の下面および／または前記誘
電体層間に形成された接地導体と、前記誘電体基板の上
面に形成された高周波信号伝送用の信号線路と、該信号
線路の両側および周囲に所定の間隔をもって形成された
同一面接地導体と、前記接地導体および前記同一面接地
導体を電気的に接続する貫通導体とを具備した高周波用
配線基板において、前記信号線路と前記接地導体との最
小間隔をＨ、前記信号線路と前記同一面接地導体との間
隔をＳ、前記同一面接地導体の前記信号線路側の端と前
記貫通導体との間隔をＬとした場合、Ｈ＞ＳかつＨ−Ｓ
＜Ｌ＜λ／４（λは信号線路を伝送する高周波信号の波
長）であることを特徴とする。

【００１０】本発明は、上記の構成により、誘電体基板
の強度を保持できるためクラック等が生じることがな
く、また信号線路と貫通導体との間に不要なキャパシタ
ンス成分が生じるの防いで特性インピーダンスを整合さ
せ、その結果高周波信号の反射損失及び伝送損失を低減
できる。従って、マイクロ波帯からミリ波帯にわたって
高周波信号の伝送特性が良好とされた高周波用配線基板
となる。

【００１１】本発明の高周波配線基板において、好まし
くは、Ｈ／２＜Ｓ＜λ／４であることを特徴とする。

【００１２】このような構成により、信号線路の両側に
電界が集中することなくなり、高周波信号の反射損失及
び伝送損失を低減できる。その結果、マイクロ波帯から
ミリ波帯にわたってさらに高周波信号の伝送特性が良好
な高周波用配線基板となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波用配線基板
を図面に基づいて説明する。図１〜図３は、本発明の高
周波用配線基板の実施の形態の一例を示す斜視図、平面
図および断面図である。これらの図において、１は高周
波用配線基板、２は単層の誘電体層から成るかまたは複
数の誘電体層を積層して成る誘電体基板であり、下面お
よび／または内層に接地導体３を有している。また、４
は信号線路、５は信号線路４の両側に所定の間隔をもっ
て形成された同一面接地導体、６は、同一面接地導体５
と接地導体３とを接続する貫通導体である。これによ
り、信号線路４と同一面接地導体５と接地導体３とでコ
プレーナ線路を構成する。

【００１４】そして、本発明の高周波用配線基板1にお
いては、図１〜図３に示すように、信号線路４と接地導
体３との最小間隔Ｈと、信号線路４と同一面接地導体５
との間隔Ｓと、同一面接地導体５の信号線路４側の端と
貫通導体６との最小間隔Ｌとが、Ｈ＞ＳかつＨ−Ｓ＜Ｌ
＜λ／４である。

【００１５】Ｈ＜Ｓの場合、信号線路４と同一面接地導
体５および貫通導体６との間のキャパシタンス成分より
も、信号線路４とその直下にある接地導体３との間のキ
ャパシタンス成分の方が大きく支配的となる。その結
果、信号線路４の特性インピーダンスは、信号線路４の
伝送方向に垂直な断面において貫通導体６の有る部分と
無い部分での差が殆ど生じず、伝送特性が劣化しない。

【００１６】しかし、近年の高密度配線化に対応するた
めに、信号線路４と同一面接地導体５との間隔Sを狭く
すると信号線路４と接地導体３との最小間隔Hすなわち
誘電体基板２の厚みが薄くなり、その結果、製造が非常
に困難になる。

【００１７】Ｈ＞Ｓの場合、信号線路４とその直下にあ
る接地導体３との間のキャパシタンス成分よりも、信号
線路４と同一面接地導体５および貫通導体６との間のキ
ャパシタンス成分の方が大きく支配的となる。その結
果、高周波信号が伝送される信号線路４の伝送方向に垂
直な断面において貫通導体６の有る部分と無い部分で特
性インピーダンスに差が生じ、伝送特性が劣化し易くな
る。しかし、信号線路４と接地導体３との最小間隔Hと
信号線路４と同一面接地導体５との間隔Sとの差である
Ｈ−Ｓが、同一面接地導体５の信号線路４側の端と貫通
導体６との最小間隔Ｌ程度よりも小さい、すなわち、Ｈ
−Ｓ＜Ｌとすると、上記のような特性インピーダンスの
差が生じず、伝送特性が劣化しない。

【００１８】さらに、H＞Ｓであるため、近年の高密度
配線化に対応するために、信号線路４と同一面接地導体
５との間隔Ｓを狭くしても、信号線路４と接地導体３と
の最小間隔Ｈすなわち誘電体基板２の厚みを薄くする必
要が無く、その結果、容易に製造が可能となる。

【００１９】また、同一面接地導体５の信号線路４側の
端と貫通導体６との最小間隔Ｌは、信号線路４を伝送す
る高周波信号の波長の４分の１より小さくしないとスタ
ブによる共振が生じてしまう。従って、高密度配線化に
対応し、かつ、良好な高周波信号の伝送特性を得るに
は、Ｈ−Ｓ＜Ｌ＜λ／４とする必要がある。

【００２０】さらに伝送特性を向上させるには、信号線
路４と接地導体３との最小間隔Ｈと、信号線路４と同一
面接地導体５との間隔Ｓとが、Ｈ／２＜Ｓ＜λ／４の関
係となるように設定するのが好ましい。信号線路４と同
一面接地導体５との間隔Ｓを信号線路４と接地導体３と
の最小間隔Ｈの２分の１より大きくすることにより、信
号線路４の両側に電界が集中することがなく、高周波信
号の反射損失及び伝送損失を低減出来る。また、信号線
路４と同一面接地導体５との間隔Sは、信号線路４を伝
送する高周波信号の波長の４分の１より小さくしないと
放射による共振が生じてしまう。よって、良好な高周波
信号の伝送特性を得るには、Ｈ／２＜Ｓ＜λ／４とする
必要がある。

【００２１】次に、図４〜図６に、本発明の高周波用配
線基板について実施の形態の他の例を平面図で示す。こ
れらの図において、図３と同様の箇所には同じ符号を付
しており、１は高周波用配線基板、２は誘電体基板、４
は誘電体基板２の上面に形成された信号線路、５は信号
線路４の両側に所定間隔をもって形成された同一面接地
導体、６は同一面接地導体５と接地導体３（図示せず）
とを電気的に接続する貫通導体である。信号線路４と同
一面接地導体５とで形成されたコプレーナ線路部により
高周波回路部品や高周波回路装置との接続が行われる。

【００２２】図４の高周波配線基板1では、同一面接地
導体５を信号線路４の周囲を取り囲むように形成し、接
地導体３と同一面接地導体５とを接続する貫通導体６も
同一面接地導体５と同様に信号線路４の周囲に取り囲む
ように形成されている。

【００２３】そして、上記の構成により、貫通導体6を
信号線路４の周囲に取り囲むように形成していることに
より、信号線路４からの電磁波の放射が抑制され、コプ
レーナ線路部での良好な高周波信号の伝送特性が実現で
きる。

【００２４】図５の高周波配線基板１では、同一面接地
導体５を信号線路４の周囲に取り囲むように形成し、接
地導体３と同一面接地導体５とを接続する貫通導体６も
同一面接地導体５と同様に信号線路４の周囲を取り囲む
ように形成されている。さらに、貫通導体6は、信号線
路４に対して内側と外側に略２重に配列されているとと
もに、内側と外側のそれぞれの側が相手側のピッチ間隔
の略中心の位置に形成されている。

【００２５】そして、上記の構成により、高周波信号の
放射をより抑えるために貫通導体6を１重構造にしてピ
ッチ間隔を狭くする必要がなくなり、高周波配線基板１
の強度の低下を防ぐことができる。よって、図５のよう
な貫通導体６の位置により、高周波用配線基板1の強度
を保ったまま、電磁波の放射がさらに抑制される。その
結果、コプレーナ線路部での良好な高周波信号の伝送特
性が実現される。

【００２６】図６の高周波配線基板１では、貫通導体６
の一部を、高周波配線基板1の入出力端部の誘電体基板
２側面に上下面を貫通する切欠部を形成し、その切欠部
にメタライズ層等の導体層を形成したキャスタレーショ
ン導体を形成したものとした構成である。このように、
貫通導体６は、断面が円形等の貫通孔に限らず、誘電体
基板２の上下面を貫通するように側面を切り欠き、その
切欠部の内面に導体層を形成したものでもよい。また、
同一面接地導体５内に信号線路４の線路方向に略平行な
方向に配列するように他の貫通導体６を形成している。

【００２７】そして、上記の構成により、キャスタレー
ション導体から成る貫通孔６が、他の貫通導体６よりも
径が小さい貫通導体２０，２１を形成した場合と同様の
効果を奏する。即ち、貫通導体２０，２１により高周波
配線基板１の入出力部におけるインピーダンス制御を高
精度に行うことと同様の効果を得られる。また径の小さ
な貫通導体２０，２１を入出力部といった狭い領域に形
成することは、高周波配線基板１の強度を保持する上で
困難であることから、図６の構成により、高周波用配線
基板１の強度を保持して高精度のインピーダンス制御を
行うことができる。よって、高周波用配線基板１の強度
を保ったまま、高周波用配線基板１の入出力部近傍での
特性インピーダンスの精密な整合ができる。

【００２８】また、誘電体基板２側面に形成された貫通
導体６は、幅を容易に調整することができ、例えば幅を
大きくして導体抵抗およびインダクタンス成分を低減す
ることができる。その結果、コプレーナ線路部での良好
な高周波信号の伝送特性が実現できる。

【００２９】本発明の誘電体基板２としては、例えばア
ルミナセラミックスやムライトセラミックス等のセラミ
ックス材料やガラスセラミックス等の無機系材料、ある
いは四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレ
ン；ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹
脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂；Ｅ
ＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシ
エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフ
ルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂；ＰＦＡ）等
のフッ素樹脂，ガラスエポキシ樹脂，ポリイミド等の樹
脂系材料などが用いられる。これら誘電体基板２の形
状、寸法（厚みや幅、長さ）は、使用される高周波信号
の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定され
る。

【００３０】本発明の信号線路４は高周波信号伝送用の
金属材料の導体層、例えばＣｕ層、Ｍｏ−Ｍｎのメタラ
イズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着させ
たもの、Ｗのメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を被着させたもの、Ｃｒ−Ｃｕ合金層、Ｃｒ−
Ｃｕ合金層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を被着
させたもの、Ｔａ₂Ｎ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡ
ｕメッキ層を被着させたもの、Ｔｉ層上にＰｔ層および
Ａｕメッキ層を被着させたもの、またはＮｉ−Ｃｒ合金
層上にＰｔ層およびＡｕメッキ層を被着させたもの等を
用いて、厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成方法やメッ
キ法などにより形成される。その厚みや幅も伝送される
高周波信号の周波数や特性インピーダンスなどに応じて
設定される。

【００３１】また、同一面接地導体５は信号線路４と同
様の材料で同様の方法により形成すればよく、信号線路
４と同一面接地導体５との間隔は伝送される高周波信号
の周波数や特性インピーダンスなどに応じて設定され
る。

【００３２】接地導体３は、信号線路４や同一面接地導
体５と同様の材料を用いて同様の方法により被着形成す
ればよい。なお、導体層として形成する場合の他に、他
の導電性部材、例えば金属板や金属ブロックを取着する
ことにより形成してもよい。

【００３３】また、貫通導体６は、例えばスルーホール
導体やビアホール導体を形成することにより、あるいは
金属板，金属棒，金属パイプ等を埋設することにより形
成すればよい。

【００３４】本発明の高周波用配線基板1の作製にあた
っては、例えば誘電体基板２がアルミナセラミックスか
らなる場合であれば、まず誘電体基板２となるアルミナ
セラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の
打ち抜き加工を施して貫通導体６となる貫通孔を形成し
た後、スクリーン印刷法によりＷやＭｏなどの導体ペー
ストを貫通孔に充填するとともに、所定の信号線路４の
パターン、およびその他の導体層のパターンを印刷塗布
する。次に、１６００℃で焼成を行い、最後に各導体層
上にＮｉメッキおよびＡｕメッキを施す。

【００３５】本発明の高周波用配線基板１は、信号線路
４と同一面接地導体５とを、高周波回路部品および高周
波回路装置と接続して使用されるものであり、例えば外
部の駆動回路，制御回路等と、高周波回路部品および高
周波回路装置とのインピーダンス整合用として機能す
る。

【００３６】かくして、本発明は、広帯域において良好
な高周波伝送ができるという作用効果を有する。

【００３７】

【実施例】本発明の高周波用配線基板の実施例について
以下に説明する。

【００３８】（実施例）図１〜図３に示した本発明の高
周波用配線基板1として、比誘電率が８．６のアルミナ
セラミックスからなり、厚みがそれぞれ０．４ｍｍの２
層の誘電体層を積層して成る誘電体基板２を用いた。こ
の誘電体基板２の内層にはＷメタライズ層からなる接地
導体３、また誘電体基板２の下面のほぼ全面にはＷメタ
ライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を順次被
着させたものからなる接地導体３をそれぞれ形成した。
誘電体基板２の上面には信号線路４として、０．１５ｍ
ｍの線幅のＷメタライズ層上にＮｉメッキ層およびＡｕ
メッキ層を順次被着させたものからなる線路導体を形成
した。信号線路４の長さは１０mmとした。

【００３９】信号線路４の両側に０．１ｍｍの間隔をも
って同一面接地導体５を形成した。貫通導体６はＷメタ
ライズからなり、断面形状が直径０．１ｍｍの円形で、
高周波信号の伝送方向に平行に左右に並べて配列形成し
た。同一面接地導体５の信号線路４側の端と貫通導体６
との最小間隔Ｌは０．３５mmとした。これにより、本発
明の高周波用配線基板１の試料Ａ１を得た。

【００４０】また、試料Ａ１と同様に、比誘電率が８．
６のアルミナセラミックスからなり、厚みがそれぞれ
０．２ｍｍの２層の誘電体層を積層した誘電体基板２を
用い、その内層にはＷメタライズ層からなる接地導体
３、またその下面のほぼ全面にはＷメタライズ層，Ｎｉ
メッキ層およびＡｕメッキ層を順次被着させた接地導体
３をそれぞれ形成した。誘電体基板２の上面には信号線
路４として、０．１５ｍｍの線幅のＷメタライズ層上に
Ｎｉメッキ層およびＡｕメッキ層を順次被着させたもの
からなる線路導体を形成した。信号線路４の長さは、１
０mmとした。

【００４１】信号線路４の両側に０．１８ｍｍの間隔を
もって同一面接地導体５を形成した。貫通導体６はＷメ
タライズからなり、断面形状が直径０．１ｍｍの円形
で、高周波信号の伝送方向に平行に左右に並べて配列形
成した。同一面接地導体５の信号線路４側の端と貫通導
体６との最小間隔Ｌは０．３５mmに配置した。これによ
り、本発明の高周波用配線基板1の試料Ａ２を得た。

【００４２】一方、比較例として、図９に示すものを以
下のようにして構成した。試料Ａ１と同様にして、誘電
体基板１２，信号線路１４，接地導体１３，同一面接地
導体１５を形成した。貫通導体１６はＷメタライズから
なり、断面形状が０．１ｍｍの直径を有する円形である
ものとした。同一面接地導体１５の信号線路１４側の端
と貫通導体１６との最小間隔Ｌは０．１０mmとし、試料
Ｂを作製した。

【００４３】これらの試料Ａ１と試料Ａ２および試料Ｂ
について、ウェハプローブを用いてネットワークアナラ
イザに接続し、各試料について高周波信号に対する反射
損失及び伝送損失の測定を行った。反射損失の結果を図
７に示し、伝送損失の結果を図８に示す。

【００４４】図７は、試料Ａ１および試料Ｂにおける反
射損失を示すグラフであり、横軸は周波数（ＧＨｚ）
を、縦軸は反射損失（ｄＢ）を表わしている。また、特
性曲線のうち実線は試料Ａ１、破線は試料Ｂの反射損失
の周波数特性をそれぞれ示している。

【００４５】図７の結果より、本発明の試料Ａ１は、周
波数７０ＧＨｚまでの全帯域で反射損失が−２０ｄＢ以
下と低損失を実現している。比較例の試料Ｂは、７０Ｇ
Ｈｚまでの全帯域で反射損失が大きくなっており、その
値は−２０ｄＢを超えている。従って、本発明の試料Ａ
は、図７の全帯域において反射損失の劣化は見られず、
良好な特性が得られた。

【００４６】また、図８は、試料Ａ１，Ａ２における伝
送損失を示すグラフであり、横軸は周波数（ＧＨｚ）
を、縦軸は伝送損失（ｄＢ）を表わしている。また、特
性曲線のうち実線は試料Ａ２、破線は試料Ａ１の伝送損
失の周波数特性をそれぞれ示している。

【００４７】図８の結果より、本発明の試料Ａ２は、周
波数７０ＧＨｚまでの全帯域で約−１．２ｄＢよりも伝
送損失が小さかった。試料Ａ１は、周波数約５５ＧＨｚ
までの帯域で約−１．２ｄＢよりも伝送損失が小さく、
約５５ＧＨｚを超えると伝送損失が大きくなった。

【００４８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の
変更を行っても差し支えない。例えば、上記実施例では
２層の誘電体層から成る誘電体基板２を有する高周波配
線基板１を示したが、誘電体基板２は単層または３層以
上であってもよく、接地導体３も同様である。

【００４９】

【発明の効果】本発明は、単層の誘電体層から成るかま
たは複数の誘電体層を積層して成る誘電体基板の下面お
よび／または誘電体層間に形成された接地導体と、誘電
体基板の上面に形成された高周波信号伝送用の信号線路
と、信号線路の両側および周囲に所定の間隔をもって形
成された同一面接地導体と、接地導体および同一面接地
導体を電気的に接続する貫通導体とを具備し、信号線路
と接地導体との最小間隔をＨ、信号線路と同一面接地導
体との間隔をＳ、同一面接地導体の信号線路側の端と貫
通導体との間隔をＬとした場合、Ｈ＞ＳかつＨ−Ｓ＜Ｌ
＜λ／４（λは信号線路を伝送する高周波信号の波長）
であることにより、誘電体基板の強度を保持できるため
クラック等が生じることがなく、また信号線路と貫通導
体との間に不要なキャパシタンス成分が生じるの防いで
特性インピーダンスを整合させ、その結果高周波信号の
反射損失及び伝送損失を低減できる。従って、マイクロ
波帯からミリ波帯にわたって高周波信号の伝送特性が良
好とされた高周波用配線基板となる。

【００５０】また本発明は、好ましくはＨ／２＜Ｓ＜λ
／４であることにより、信号線路の両側に電界が集中す
ることなくなり、高周波信号の反射損失及び伝送損失を
低減できる。その結果、マイクロ波帯からミリ波帯にわ
たってさらに高周波信号の伝送特性が良好な高周波用配
線基板となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の例を示す斜視図である。

【図２】図１の高周波用配線基板の平面図である。

【図３】図１の高周波用配線基板の断面図である。

【図４】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。

【図５】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。

【図６】本発明の高周波用配線基板について実施の形態
の他の例を示す平面図である。

【図７】本発明の高周波用配線基板と従来の高周波用配
線基板の反射損失をそれぞれ示すグラフである。

【図８】本発明の高周波用配線基板における伝送損失を
示すグラフである。

【図９】従来の高周波用配線基板の例を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１：高周波用配線基板 ２：誘電体基板 ３：接地導体 ４：信号線路 ５：同一面接地導体 ６：貫通導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E338 AA03 AA18 BB13 BB23 CC06 CD13 EE11 5E346 AA13 AA42 AA52 BB03 BB04 BB06 CC17 CC21 CC36 CC37 CC38 DD22 HH03 HH06

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単層の誘電体層から成るかまたは複数の
   誘電体層を積層して成る誘電体基板の下面および／また
   は前記誘電体層間に形成された接地導体と、前記誘電体
   基板の上面に形成された高周波信号伝送用の信号線路
   と、該信号線路の両側および周囲に所定の間隔をもって
   形成された同一面接地導体と、前記接地導体および前記
   同一面接地導体を電気的に接続する貫通導体とを具備し
   た高周波用配線基板において、前記信号線路と前記接地
   導体との最小間隔をＨ、前記信号線路と前記同一面接地
   導体との間隔をＳ、前記同一面接地導体の前記信号線路
   側の端と前記貫通導体との最小間隔をＬとした場合、Ｈ
   ＞ＳかつＨ−Ｓ＜Ｌ＜λ／４（λは信号線路を伝送する
   高周波信号の波長）であることを特徴とする高周波用配
   線基板。
2. 【請求項２】 Ｈ／２＜Ｓ＜λ／４であることを特徴と
   する請求項１記載の高周波用配線基板。