JPH0697708A - マイクロ波伝送線路 - Google Patents
マイクロ波伝送線路Info
- Publication number
- JPH0697708A JPH0697708A JP4242837A JP24283792A JPH0697708A JP H0697708 A JPH0697708 A JP H0697708A JP 4242837 A JP4242837 A JP 4242837A JP 24283792 A JP24283792 A JP 24283792A JP H0697708 A JPH0697708 A JP H0697708A
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- Japan
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- dielectric substrate
- line
- transmission line
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波伝送線路に関し、小型化を図ると
ともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板２と、誘電体基板２の下面に形成
されたグラウンド用導体３と、誘電体基板２の上面側の
所定の高さ位置に設けられた隔離導体１とからなるマイ
クロ波伝送線路であって、隔離導体１の幅を、誘電体基
板２の上面に設けられるストリップ導体４の幅よりも広
く設定するとともに、隔離導体１を、誘電体基板２の上
面との間の空間部分に空気が存在するブリッジ線路の状
態に形成したものである。また、誘電体基板２と隔離導
体１との間には支持体６を伝播波の４分の１波長以下の
間隔で配置し、隔離導体１とストリップ導体４との接続
部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導体５
を用いている。
ともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。 【構成】 誘電体基板２と、誘電体基板２の下面に形成
されたグラウンド用導体３と、誘電体基板２の上面側の
所定の高さ位置に設けられた隔離導体１とからなるマイ
クロ波伝送線路であって、隔離導体１の幅を、誘電体基
板２の上面に設けられるストリップ導体４の幅よりも広
く設定するとともに、隔離導体１を、誘電体基板２の上
面との間の空間部分に空気が存在するブリッジ線路の状
態に形成したものである。また、誘電体基板２と隔離導
体１との間には支持体６を伝播波の４分の１波長以下の
間隔で配置し、隔離導体１とストリップ導体４との接続
部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導体５
を用いている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波伝送線路に
関し、特に誘電体基板と、この誘電体基板の下面に形成
されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面側の
所定の高さ位置に設けられている隔離導体とからなり、
この隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したマイ
クロ波伝送線路に関する。
関し、特に誘電体基板と、この誘電体基板の下面に形成
されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面側の
所定の高さ位置に設けられている隔離導体とからなり、
この隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したマイ
クロ波伝送線路に関する。
【０００２】一般に、周波数が数百ＭHzから数万Hzの電
磁波（マイクロ波）の伝送線路、とりわけ小型できわめ
て広い動作周波数範囲を持つマイクロ波半導体素子の伝
送線路としては誘電体基板やストリップ導体などからな
る小型軽量のマイクロストリップ線路が用いられてい
る。
磁波（マイクロ波）の伝送線路、とりわけ小型できわめ
て広い動作周波数範囲を持つマイクロ波半導体素子の伝
送線路としては誘電体基板やストリップ導体などからな
る小型軽量のマイクロストリップ線路が用いられてい
る。
【０００３】そして、このような小型軽量のマイクロ波
伝送線路においては、その電流密度が高くなるのを抑え
て伝送損失を少なくすることが要請されており、本発明
はこのような要請に応えるものである。
伝送線路においては、その電流密度が高くなるのを抑え
て伝送損失を少なくすることが要請されており、本発明
はこのような要請に応えるものである。
【０００４】
【従来の技術】従来のマイクロストリップ線路は、図３
に示すように、周波数特性のよい誘電体基板22の下面に
グラウンド用導体23を、また誘電体基板22の上面にスト
リップ導体24をそれぞれ蒸着技術などにより形成した構
造となっており、この誘電体基板としてはＧａＡｓ，Ｓ
ｉ，ＩｎＰ，セラミックなどが用いられ、また導体とし
てはＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどが用いられている。
に示すように、周波数特性のよい誘電体基板22の下面に
グラウンド用導体23を、また誘電体基板22の上面にスト
リップ導体24をそれぞれ蒸着技術などにより形成した構
造となっており、この誘電体基板としてはＧａＡｓ，Ｓ
ｉ，ＩｎＰ，セラミックなどが用いられ、また導体とし
てはＡｕ，Ａｇ，Ｃｕなどが用いられている。
【０００５】また、このマイクロストリップ線路は、他
のマイクロ波伝送線路である同軸線路や導波管に比べて
構造が簡単、プリント配線が可能、半導体素子との結合
が容易などといった利点をもっており、マイクロ波回路
をＩＣ化するさいの伝送線路として広く利用されてい
る。
のマイクロ波伝送線路である同軸線路や導波管に比べて
構造が簡単、プリント配線が可能、半導体素子との結合
が容易などといった利点をもっており、マイクロ波回路
をＩＣ化するさいの伝送線路として広く利用されてい
る。
【０００６】そして、マイクロストリップ線路を構成す
る誘電体基板22の種類や厚さおよびストリップ導体24の
厚さや幅などの値は、この線路についての特性インピー
ダンスが所定の設定値、例えば50オームになるように決
められている。
る誘電体基板22の種類や厚さおよびストリップ導体24の
厚さや幅などの値は、この線路についての特性インピー
ダンスが所定の設定値、例えば50オームになるように決
められている。
【０００７】すなわち、マイクロストリップ線路の特性
インピーダンスＺo は、 Ｚo ＝（Ｌ／Ｃ）1/2 （ただし、Ｌは線路の単位長あたりのインダクタンス、
Ｃは線路の単位長あたりのキャパシタンスとする）で表
され、このインダクタンスＬやキャパシタンスＣの値を
決定する誘電体基板22やストリップ導体24の厚さや幅な
どが、例えばＺo ＝50となるように設定されている。
インピーダンスＺo は、 Ｚo ＝（Ｌ／Ｃ）1/2 （ただし、Ｌは線路の単位長あたりのインダクタンス、
Ｃは線路の単位長あたりのキャパシタンスとする）で表
され、このインダクタンスＬやキャパシタンスＣの値を
決定する誘電体基板22やストリップ導体24の厚さや幅な
どが、例えばＺo ＝50となるように設定されている。
【０００８】また、キャパシタンスＣの値は、 Ｃ＝ε×Ｓ／ｄ （ただし、εは誘電体基板22の誘電率、Ｓはグラウンド
用導体23と対向しているストリップ導体24の幅、ｄは誘
電体基板22の厚みとする）で表される。
用導体23と対向しているストリップ導体24の幅、ｄは誘
電体基板22の厚みとする）で表される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のマ
イクロストリップ線路では、誘電体基板22の下面にグラ
ウンド用導体23を、また上面にはストリップ導体24をそ
れぞれ設けるといった構造をとっているため、誘電体基
板22が小型化（薄膜化）されて先のｄの値が小さくなる
とそれに応じて先のＳの値、すなわちストリップ導体24
の幅も小さくしなければならず、その結果、電流密度が
高くなって伝送損失が大きくなるという問題点があっ
た。
イクロストリップ線路では、誘電体基板22の下面にグラ
ウンド用導体23を、また上面にはストリップ導体24をそ
れぞれ設けるといった構造をとっているため、誘電体基
板22が小型化（薄膜化）されて先のｄの値が小さくなる
とそれに応じて先のＳの値、すなわちストリップ導体24
の幅も小さくしなければならず、その結果、電流密度が
高くなって伝送損失が大きくなるという問題点があっ
た。
【００１０】そこで、本発明では、ストリップ導体に相
当する導体部分を、誘電体基板の上面から所定高さの位
置に配置した隔離導体で構成し、この隔離導体と誘電体
基板との間には空気層からなる第２の誘電体部分を形成
して、この隔離導体の幅を従来のストリップ導体の幅よ
りも広く設定した状態で誘電体基板の薄膜化を図れるよ
うにすることにより、マイクロ波伝送線路の小型化を図
るとともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。
当する導体部分を、誘電体基板の上面から所定高さの位
置に配置した隔離導体で構成し、この隔離導体と誘電体
基板との間には空気層からなる第２の誘電体部分を形成
して、この隔離導体の幅を従来のストリップ導体の幅よ
りも広く設定した状態で誘電体基板の薄膜化を図れるよ
うにすることにより、マイクロ波伝送線路の小型化を図
るとともに伝送損失の抑制を図ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１の実施例を用いて本
発明の基本構成を説明する。本発明は、基本的には隔離
導体１、誘電体基板２およびグラウンド用導体３からな
るマイクロ波伝送線路であり、線路としての隔離導体１
とグラウンド用導体３との間には、従来と同様の誘電体
基板２の上部に空気層からなる誘電体部分が新たに付加
されたものになっている。
発明の基本構成を説明する。本発明は、基本的には隔離
導体１、誘電体基板２およびグラウンド用導体３からな
るマイクロ波伝送線路であり、線路としての隔離導体１
とグラウンド用導体３との間には、従来と同様の誘電体
基板２の上部に空気層からなる誘電体部分が新たに付加
されたものになっている。
【００１２】また、隔離導体１の幅は従来の回路で用い
られていたストリップ導体４の幅よりも広く形成され、
このストリップ導体４と隔離導体１との接続部分には前
者と同じ幅の接続導体５が設けられている。
られていたストリップ導体４の幅よりも広く形成され、
このストリップ導体４と隔離導体１との接続部分には前
者と同じ幅の接続導体５が設けられている。
【００１３】また、原理的には、誘電体基板２から所定
高さだけ離れた状態の隔離導体１をその両端部、すなわ
ち前記接続導体５で支持すればよいが、隔離導体１と誘
電体基板２との間の空気層部分に支持体６を設けること
により両者の位置関係をより確実なものにしている。
高さだけ離れた状態の隔離導体１をその両端部、すなわ
ち前記接続導体５で支持すればよいが、隔離導体１と誘
電体基板２との間の空気層部分に支持体６を設けること
により両者の位置関係をより確実なものにしている。
【００１４】
【作用】本発明は、このように、マイクロ波の伝送線路
においてグラウンド用導体３と対になる導体部分とし
て、誘電体基板２から所定高さだけ離れた位置に設けた
幅広の隔離導体１を用い、かつこの隔離導体１と誘電体
基板２の間の空間部分を空気層とすることにより、この
伝送線路の電流密度が高くならないようにして伝送損失
を抑えようとするものである。
においてグラウンド用導体３と対になる導体部分とし
て、誘電体基板２から所定高さだけ離れた位置に設けた
幅広の隔離導体１を用い、かつこの隔離導体１と誘電体
基板２の間の空間部分を空気層とすることにより、この
伝送線路の電流密度が高くならないようにして伝送損失
を抑えようとするものである。
【００１５】ここで、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスは、誘電体基板２と先の空気層部分とを直列接続し
たときの静電容量、すなわち従来の誘電体基板２の静電
容量と今回新たに付加された空気層部分の静電容量との
直列静電容量として求められる。
ンスは、誘電体基板２と先の空気層部分とを直列接続し
たときの静電容量、すなわち従来の誘電体基板２の静電
容量と今回新たに付加された空気層部分の静電容量との
直列静電容量として求められる。
【００１６】そして、この空気層部分の誘電率は誘電体
基板２のそれよりも小さく（例えば１／１３）、また誘
電体基板２と当該空気層部分とが直列接続の状態になっ
ているため、隔離導体１の幅を従来のストリップ導体４
の幅より広くしても、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスの値を従来の線路と同じにすることができる。
基板２のそれよりも小さく（例えば１／１３）、また誘
電体基板２と当該空気層部分とが直列接続の状態になっ
ているため、隔離導体１の幅を従来のストリップ導体４
の幅より広くしても、線路の単位長あたりのキャパシタ
ンスの値を従来の線路と同じにすることができる。
【００１７】
【実施例】図１〜図２を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明のマイクロ波伝送線路を示す説明
図であり、また図２は、図１のマイクロ波伝送線路の各
部分の寸法を示す説明図である。
する。図１は、本発明のマイクロ波伝送線路を示す説明
図であり、また図２は、図１のマイクロ波伝送線路の各
部分の寸法を示す説明図である。
【００１８】図１において、隔離導体１、グラウンド用
導体３、ストリップ導体４および接続導体５としては従
来と同様の導体が、誘電体基板２としてはＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ、セラミック、アルミナ、サファイアなどが、また
支持体６としてはＡｕ、Ａｌなどの金属がそれぞれ用い
られている。
導体３、ストリップ導体４および接続導体５としては従
来と同様の導体が、誘電体基板２としてはＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ、セラミック、アルミナ、サファイアなどが、また
支持体６としてはＡｕ、Ａｌなどの金属がそれぞれ用い
られている。
【００１９】ここで、隔離導体１や支持体６の作成プロ
セスは、例えば次のようになっている。すなわち， 誘電体基板２の表面に樹脂を塗布する。 支持体６を形成するためのマスクをこの塗布面にセッ
トした状態でエッチング処理を行ない、窓をあける。 この窓部分にＡｕ、Ａｌなどの金属を蒸着、メッキ処
理して支持体６を作成する。 これからの支持体６および樹脂の表面に金属導体を蒸
着、メッキ処理する。 隔離導体１を形成するためのマスクをこの金属導体表
面にセットした状態でエッチング処理を行なう。このと
き、隔離導体１の部分が残ることになる。 先ので塗布した樹脂を有機溶媒で除去する。 といったプロセスにより、隔離導体１と支持体６とを誘
電体基板２に作成している。
セスは、例えば次のようになっている。すなわち， 誘電体基板２の表面に樹脂を塗布する。 支持体６を形成するためのマスクをこの塗布面にセッ
トした状態でエッチング処理を行ない、窓をあける。 この窓部分にＡｕ、Ａｌなどの金属を蒸着、メッキ処
理して支持体６を作成する。 これからの支持体６および樹脂の表面に金属導体を蒸
着、メッキ処理する。 隔離導体１を形成するためのマスクをこの金属導体表
面にセットした状態でエッチング処理を行なう。このと
き、隔離導体１の部分が残ることになる。 先ので塗布した樹脂を有機溶媒で除去する。 といったプロセスにより、隔離導体１と支持体６とを誘
電体基板２に作成している。
【００２０】そして、隔離導体１の幅Ｗは、空気層部分
の高さ（３μｍ）とストリップ導体４の幅（36μｍ）と
に基づいて決まるもので、図２の場合には、例えば72μ
ｍに設定されている。
の高さ（３μｍ）とストリップ導体４の幅（36μｍ）と
に基づいて決まるもので、図２の場合には、例えば72μ
ｍに設定されている。
【００２１】また、隔離導体１の長さは570 μｍ、スト
リップ導体４の長さは15μｍ、誘電体基板２の高さは50
μｍ、支持体６の設置間隔は30μｍ、支持体６の長さは
3μｍにそれぞれ設定されている。
リップ導体４の長さは15μｍ、誘電体基板２の高さは50
μｍ、支持体６の設置間隔は30μｍ、支持体６の長さは
3μｍにそれぞれ設定されている。
【００２２】なお、支持体６の設置間隔は、この支持体
部分でのマイクロ波の反射などによって伝送損失が増加
するのを防止するために１／４波長以下の値に設定さ
れ、また、同様の理由のため接続導体５の幅はストリッ
プ導体４と同じ幅に設定されている。
部分でのマイクロ波の反射などによって伝送損失が増加
するのを防止するために１／４波長以下の値に設定さ
れ、また、同様の理由のため接続導体５の幅はストリッ
プ導体４と同じ幅に設定されている。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、このように、マイクロ波の伝
送線路において基板導体と対になる導体部分として、誘
電体基板から所定の高さだけ離れた位置に設けた隔離導
体を用い、かつこの隔離導体と誘電体基板との間の空間
部分を空気層とすることにより、当該隔離導体の幅を従
来の誘電体基板上のストリップ導体よりも広いものとし
ているため、この隔離導体からなる伝送線路の電流密度
が高くなるのを抑えて伝送損失を少なくすることができ
る。
送線路において基板導体と対になる導体部分として、誘
電体基板から所定の高さだけ離れた位置に設けた隔離導
体を用い、かつこの隔離導体と誘電体基板との間の空間
部分を空気層とすることにより、当該隔離導体の幅を従
来の誘電体基板上のストリップ導体よりも広いものとし
ているため、この隔離導体からなる伝送線路の電流密度
が高くなるのを抑えて伝送損失を少なくすることができ
る。
【図１】本発明の、マイクロ波伝送線路を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】本発明の、マイクロ波伝送線路の各部分の寸法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図３】従来の、マイクロストリップ線路を示す説明図
である。
である。
図１において、 １・・・隔離導体 ２・・・誘電体基板 ３・・・グラウンド用導体 ４・・・ストリップ導体 ５・・・接続導体 ６・・・支持体
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体基板と、この誘電体基板の下面に
形成されたグラウンド用導体と、前記誘電体基板の上面
側の所定の高さ位置に設けられた隔離導体とからなるマ
イクロ波伝送線路であって、 前記隔離導体の幅を、前記誘電体基板の上面に設けられ
るストリップ導体の幅よりも広く設定し、 前記隔離導体を、前記誘電体基板の上面との間の空間部
分に空気が存在するブリッジ線路の状態に形成したこと
を特徴とするマイクロ波伝送線路。 - 【請求項２】 前記誘電体基板と前記隔離導体との間
に、支持体を伝播波の４分の１波長以下の間隔で配置し
たことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波伝送線
路。 - 【請求項３】 前記隔離導体と前記ストリップ導体との
接続部分として、このストリップ導体と同じ幅の接続導
体を用いるようにしたことを特徴とする請求項１または
２記載のマイクロ波伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242837A JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4242837A JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697708A true JPH0697708A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17095034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4242837A Withdrawn JPH0697708A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マイクロ波伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697708A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6041245A (en) * | 1994-12-28 | 2000-03-21 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
| JP2010114502A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
| JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
| KR101438125B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2014-09-12 | 한국원자력연구원 | 고주파용 직류차단기 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP4242837A patent/JPH0697708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6041245A (en) * | 1994-12-28 | 2000-03-21 | Com Dev Ltd. | High power superconductive circuits and method of construction thereof |
| JP2010114502A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | バイアス回路 |
| JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
| KR101438125B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2014-09-12 | 한국원자력연구원 | 고주파용 직류차단기 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |