JP2000315901A - 電子ストリップ線路構成部分を製造する方法 - Google Patents

電子ストリップ線路構成部分を製造する方法

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レーブル ハンス−ペーター
Oppen Paul Van
ファン オッペン ポール
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クレー マレイケ
Martin Fleuster
フロイスター マルティン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 少なくとも1つのストリップ線路を具える電
子薄膜構成部分を製造する方法を提供する。 【解決手段】 最初に金属ベース層(2)を基板層
(1)上に堆積し、フォトレジスト層(3)をこの金属
ベース層(2)上に塗布し、形成すべきストリップ線路
に従って構造化する。導電層(4)を金属ベース層
(2)の露出した領域上に堆積する。その後、フォトレ
ジスト(3)を除去し、金属ベース層(2)をエッチン
グする。この方法は、他の薄膜方法と比較して、少ない
金属しか必要としないという利点を有する。前記ストリ
ップ線路の重なりを、ブリッジ(13)によって、容易
に、経済的に、小さい電流容量で形成することができ
る。この方法によれば、高周波用途用の薄膜連結器また
は薄膜コイルのような受動構成部分を容易に得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも1つの
ストリップ線路を具える電子構成部分を製造する方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】複数の設計におけるストリップ線路は、
VHF範囲およびマイクロ波範囲と、高速ディジタル回
路とにおける回路技術に最も頻繁に使用されている線路
であり、きわめて低い減衰レベルまたは高いパワー伝送
を考慮する特別な要求に限っては、同軸線路または導波
管の使用を必要としない。前記ストリップ線路設計は、
コイルまたは連結器のような受動構成部分を容易に実現
できるようにもする。
【0003】連結器は、とりわけ、自動車電話または基
地局用の高周波構成部分として使用され、出力増幅器の
出力部およびアンテナ間のHF信号の減結合を可能にす
る。減結合された信号を使用し、前記増幅器の出力パワ
ーを制御する。このような連結器は、例えば、2つの連
結器ループをそなえ、これらのループのうち一方は、伝
送信号をできる限り少ない損失で伝送するメインループ
である。補助ループと一般的に呼ばれる第2ループは、
前記伝送信号とほとんど関係しない信号を減結合する。
【0004】これらのような連結器の異なった実施形態
が既知である。一方において、セラミック多層連結器が
存在する。これらのセラミック連結器において、電極構
造はセラミック箔上に印刷され、前記箔は堆積され、構
成部分に燒結される。この印刷プロセスの欠点は、前記
電極の粒子の粗い構造において与えられ、これにより電
気抵抗がより大きくなる。他の欠点は、前記印刷プロセ
スの低い精度である。これにより、電子工学的特性が分
散する恐れがある。
【0005】他方において、マイクロストリップ技術に
おいて製造された連結器が存在する。1991年IEE
E MTT−S国際マイクロ波シンポジウムダイジェス
トVol.II,856−860において、連結器ループとし
て2つのストリップ線路ジュート巻ケーブルを具える薄
膜連結器が説明されている。双方の連結器ループは、高
い誘電率を有する絶縁性基板上に設けられる。前記セラ
ミック基板の背面側において、接地面として機能する金
属層も存在する。加えて、6個の端接点が前記構成要素
に固着され、これらのうち2個が連結器ループに接触
し、2個が前記接地面に接触する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも1つのストリップ線路を具える電子構成部分、特
に連結器を、容易かつきわめて精密に、低コストにおい
て製造することができる方法を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的は、金属ベース
層を基板上に堆積し、フォトレジスト層をこの金属ベー
ス層に塗布すると共に構造を設け、導電層を前記金属ベ
ース層の露出した領域上に堆積し、前記フォトレジスト
層を除去し、前記金属ベース層をエッチングする、少な
くとも1つのストリップ線路を具える構成部分を製造す
る方法によって達成される。
【0008】この方法は、必要な金属が他の薄膜プロセ
スにおけるより少ないという利点を有する。前記既知の
薄膜プロセスにおいて、最初に、前記導電層を堆積し、
次に、この層をフォトリソグラフィ技術によって構造化
する。本発明による方法において、前記薄い金属ベース
層に安価なフォトレジスト層を設け、このフォトレジス
ト層をその後構造化する。次に、前記導電層を、前記フ
ォトレジストの穴において、露出された前記金属ベース
層上に堆積する。この方法は、小さい寸法の小型構成要
素を製造することを可能にする。
【0009】好適には、前記基板層用の材料をセラミッ
ク材料、ガラスの平坦化層を有するセラミック材料、ガ
ラス−セラミック材料またはガラス材料とする。
【0010】これらの材料の基板層を、経済的に製造す
ることができ、これらの構成部分のプロセスコストを低
く保つことができる。
【0011】Cr/Cuを前記金属ベース層用の材料と
して使用することがさらに好適である。
【0012】金属層を設け、前記導電層のその後の堆積
を容易にし、前記基板層上への前記ストリップ線路の付
着を改善する。
【0013】Cu、Ag、AlまたはAuを前記導電層
用の材料として使用することも好適である。
【0014】これらの材料のすべては、十分な導電材料
である。
【0015】1つの構成部分が2つ以上のストリップ線
路を具える場合、前記ストリップ線路を一方の面に置く
ことが好適である。
【0016】前記ストリップ線路を同じプロセスステッ
プにおいて製造することができるため、これらの構成部
分を低コストにおいて容易に製造することができる。
【0017】2つ以上のストリップ線路を具える構成部
分の場合において、前記ストリップ線路を互いに少なく
とも1回重ならせることが好適であるかもしれない。
【0018】前記ストリップ線路の重なっている領域に
よって、前記ストリップ線路の長さおよび形状の複数の
変形を達成することができ、これらの変形は前記構成部
分によって満たさせるべき条件を満たす。
【0019】この実施形態において、前記ストリップ線
路の重なっている領域を、導電材料のブリッジによって
実現することが好適である。
【0020】ブリッジによって、前記ストリップ線路の
重なっている領域を、簡単に形成することができる。加
えて、1つの面において延在する前記ストリップ線路の
区分を、前記基板層上に同じプロセスステップにおいて
設けてもよい。導電材料のブリッジによる関連したスト
リップ線路は、より後のプロセスステップにおいて完成
する。
【0021】ストリップ線路の各端を、電流供給部と電
気的に接触させることも好適である。
【0022】前記電流供給部において、各構成部分を、
スイッチング回路の他の構成部分に電気的に接続するこ
とができる。用途、または、前記構成要素を設置する方
法に応じて、電気メッキされたSMD端接点またはバン
プ端接点、または、接触表面を、前記電流供給部に関し
て使用することができる。前記SMD端接点またはバン
プ端接点の使用は、別個の構成部分を製造することを可
能にする。
【0023】無機材料および/または有機材料の保護層
を前記構成部分上に設けることも好適である。
【0024】前記保護層の作用によって、前記構成部分
は、機械的ストレスおよび水分による腐食に対して保護
される。
【0025】前記基板層のより低い側に接地面を設ける
ことが有利であるかもしれない。この有利な実施形態に
おいて、前記金属層を少なくとも1つの他の電流供給部
に接続することが好適である。
【0026】本発明のこれらおよび他の態様は、以下に
記載する2つの実施形態の参照によって明らかになるで
あろう。
【0027】
【発明の実施の形態】図1におけるプロセスステップI
によって、最初に、金属ベース層2を基板層1上に堆積
し、基板層1は、例えば、セラミック材料、ガラスの平
坦化層を具えるセラミック材料、ガラス−セラミック材
料またはガラス材料から成る。この金属ベース層2は、
例えば、Cr/Cuを含んでもよい。この金属ベース層
2をフォトレジストの層3によって覆い、このフォトレ
ジスト層3を、形成すべきストリップ線路にしたがって
構造化する(図1におけるプロセスステップII)。その
後、金属ベース層2を、前記ストリップ線路が所望の厚
さに達するまで導電層4を堆積することによって増強す
る(図1におけるプロセスステップIII)。この目的の
ため、例えば、電着プロセスを使用することができる。
この導電層4用の材料として、Cu、Ag、Alまたは
Auのような適当に導電する材料を使用する。次のステ
ップにおいて、フォトレジスト3を除去し(図1におけ
るプロセスステップIV)、その後、金属ベース層2をエ
ッチングする(図1におけるプロセスV)。この目的の
ため、湿式化学エッチングプロセスまたは物理エッチン
グプロセスを使用することができる。
【0028】図2におけるプロセスステップIによっ
て、有機および/または無機材料の1つ以上の保護層5
を前記構成部分全体に塗布する。有機材料に関して、例
えば、ポリベンゾシクロブタンまたはポリイミドを使用
することができ、無機材料に関して、例えば、Si
、SiOまたはSi(0≦x≦1,0≦
y≦1,0≦z≦1)を使用することができる。その
後、ビア6を保護層5を通じてエッチングし(図2にお
けるプロセスステップII)、前記ストリップ線路を後段
において電気的に接続できるようにする。感光性保護層
材料の場合において、前記ビアを、フォトリソグラフプ
ロセスによって、または、湿式化学エッチングによって
形成することができる。その後、例えば、Cr/Cuま
たはCr/Niの他の金属ベース層7を前記構成部分の
部品上に堆積し、この金属ベース層7に前記電流供給部
を設けるべきであり、この場所において前記ストリップ
線路を電気的に接触させることができる(図2における
プロセスステップIII)。
【0029】電流供給部として使用するSMD端接点を
製造するために、金属ベース層7を、Ni/Sn、Cu
/Ni/SnまたはPb/Snを電気メッキすることに
よって増強する。代わりに、バンプ端接点または接触表
面を前記電流供給部として使用することができる。
【0030】図3に示すように、連結器は、2つのスト
リップ線路、メインループ9および補助ループ10を有
する。双方の連結器ループを、基板層1における一方の
面において配置する。加えて、4個の電流供給部8を前
記構成部分に、各々の電流供給部が前記2つの連結器ル
ープの一方によって他の電流供給部に接続されるように
装着する。
【0031】図4は、重なっている部分を有する2つの
連結器ループ11および12を有する連結器を示す。ブ
リッジ13は、これらの重なりを形成する。
【0032】図5は、ストリップ線路11および12の
重なっている部分を示す。最初に、一方の面において配
置されたストリップ線路11および12の区分を堆積す
る。次に、前記区分をブリッジ13によって電気的に相
互接続する。電流供給部8を製造する場合、前記ブリッ
ジを前記電流供給部と同じ材料で形成する。
【0033】図6は、巻線14を具えるコイルを示し、
これを、らせん状に成形されたテーパーのついたストリ
ップ線路を形成するために具体化した。加えて、電流供
給部8および15を、前記構成部分の反対側に設けた。
電流供給部15は、同時に、前記コイルの中心との電気
的接触を与える。
【0034】図7に示すように、このようなコイルはス
トリップ線路14を具え、このストリップ線路14を基
板層1上に設ける。保護層5を、前記構成要素全体上に
設ける。ストリップ線路14との電気的接触を電流供給
部15の延長部によって形成し、この延長部は保護層5
を通過する。
【0035】代わりに、基板1の背面側におけるすべて
の構成要素に、例えばCuを含む接地面を設けてもよ
い。加えて、この接地面に少なくとも1個の他の電流供
給部を接続してもよい。
【0036】以下において、本発明の実施形態を、可能
な用途の例によって説明する。
【0037】例1:重ならないストリップ線路を具える
薄膜連結器を製造するために、Ni/Crの金属ベース
層2を、ガラスの平坦化層を有するAiの基板層
1上に堆積する。その後、この金属ベース層2にフォト
レジスト層3を設ける。このフォトレジスト層3を、フ
ォトリソグラフィによって、フォトレジスト層3が所望
の連結器ループのパターンを示すように構造化する。次
のステップにおいて、Cuの導電層を、露出したNi/
Crの金属ベース層2の上に電着し、その後、前記フォ
トレジスト層を除去する。この構成部分に、全体的に、
ポリイミドおよびSi の保護層5を設ける。加え
て、電流供給部8として機能する4個のCr/Cu、C
u/Ni/Sn SMD端接点を、前記構成部分に固定
する。
【0038】例2:重なる2つのCr/Cu、Cuのス
トリップ線路を有する薄膜連結器を製造するために、ガ
ラスの平滑化層を有するAlの基板1に、最初
に、一方の面においてストリップ線路11および12の
部品を設ける。その後、この構成部分全体に、ポリイミ
ドおよびSiの複数の保護層5を設ける。ストリ
ップ線路11および12の区分の個々の端において、ビ
アを保護層5を通してエッチングする。次に、Cr/C
uの金属ベース層7を、前記ビア中と、前記構成部分の
前記電流供給部を設けるべき場所上とに堆積する。電流
供給部8として使用するCr/Cu、Cu/Ni/Sn
SMD端接点を製造し、ブリッジ13を完成させるた
めに、金属ベース層7を、Cu/Ni/Snの電気めっ
きによって増強する。
【0039】例3:ストリップ線路とするために具体化
されたコイルは、Cr/Cu、Cuのストリップ線路1
4をらせん形状において上に設けられたガラスの基板層
1を具える。ポリイミドの保護層を構成部分全体におい
て堆積する。前記構成部分の各々の側において、電流供
給部8および15として機能するCr/Cu、Cu/N
i/Sn SMD端接点を固定する。電流供給源15
を、らせん形状のテーパーの付いたストリップ線路14
の中心に延長部を経て電気的に接触させる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 少なくとも1つのストリップ線路を具える構
成部分の製造に関する流れ図である。
【図2】 保護層の堆積と、電流供給部用金属ベース層
の製造とに関する流れ図である。
【図3】 ストリップ線路を一方の面上に配置した連結
器の上面図である。
【図4】 ストリップ線路が重なりを示す連結器の上面
図である。
【図5】 ブリッジによって実現されたストリップ線路
の重なりの断面図である。
【図6】 ストリップ線路とするために具体化されたコ
イルの上面図である。
【図7】 ストリップ線路とするために具体化されたコ
イルの断面図である。
【符号の説明】
1 基板層 2、7 金属ベース層 3 フォトレジスト層 4 導電層 5 保護層 6 ビア 8、15 電流供給部 9 メインループ 10 補助ループ 11、12 連結器ループ 13 ブリッジ 14 ストリップ線路
フロントページの続き (71)出願人 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, Th e Netherlands (72)発明者 ポール ファン オッペン オランダ国 6042 ヘーヘー ルールモン ト ブレーデウェッハ 10 (72)発明者 マレイケ クレー ドイツ国 41836 ヒュッケルホーフェン −ブラヘレン ランデラター ヴェーク 27 (72)発明者 マルティン フロイスター ドイツ国 52072 アーヘン ティッター ズフェルト 74

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1つのストリップ線路を具え
    る電子構成部分を製造する方法において、 金属ベース層を基板層上に堆積するステップと、 フォトレジスト層をこの金属ベース層上に塗布し、構造
    を設けるステップと、 導電層を前記金属ベース層の露出した領域上に堆積する
    ステップと、 前記フォトレジスト層を除去するステップと、 前記金属ベース層をエッチングするステップとを具える
    ことを特徴とする、少なくとも1つのストリップ線路を
    具える電子構成部分を製造する方法。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、前記基板層用の材料を、セラミック材料、ガラスの
    平坦化面を有するセラミック材料、ガラスセラミック材
    料またはガラス材料としたことを特徴とする、少なくと
    も1つのストリップ線路を具える電子構成部分を製造す
    る方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、Cr/Cuを前記金属ベース層用の材料として使用
    することを特徴とする、少なくとも1つのストリップ線
    路を具える電子構成部分を製造する方法。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、Cu、Ag、AlまたはAuを前記導電層用の材料
    として使用することを特徴とする、少なくとも1つのス
    トリップ線路を具える電子構成部分を製造する方法。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、構成部分が2つ以上のストリップ線路を具える場
    合、前記ストリップ線路を一方の面において配置するこ
    とを特徴とする、少なくとも1つのストリップ線路を具
    える電子構成部分を製造する方法。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、構成部分が2つ以上のストリップ線路を具える場
    合、前記ストリップ線路を互いに重ねることを特徴とす
    る、少なくとも1つのストリップ線路を具える電子構成
    部分を製造する方法。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、前記重なる領域を、導電性材料のブリッジによって
    実現することを特徴とする、少なくとも1つのストリッ
    プ線路を具える電子構成部分を製造する方法。
  8. 【請求項8】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、ストリップ線路の各々の端を電流供給部に接触させ
    ることを特徴とする、少なくとも1つのストリップ線路
    を具える電子構成部分を製造する方法。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の少なくとも1つのスト
    リップ線路を具える電子構成部分を製造する方法におい
    て、無機材料および/または有機材料の少なくとも1枚
    の保護層を前記構成部分上に設けることを特徴とする、
    少なくとも1つのストリップ線路を具える電子構成部分
    を製造する方法。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の少なくとも1つのス
    トリップ線路を具える電子構成部分を製造する方法にお
    いて、前記基板層の下側に設置面を設けることを特徴と
    する、少なくとも1つのストリップ線路を具える電子構
    成部分を製造する方法。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の少なくとも1つの
    ストリップ線路を具える電子構成部分を製造する方法に
    おいて、前記設置面を少なくとも1つの他の電流供給部
    に接続することを特徴とする、少なくとも1つのストリ
    ップ線路を具える電子構成部分を製造する方法。
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