KR20010093792A - 사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브믹서 - Google Patents

사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브믹서 Download PDF

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KR20010093792A
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices

Abstract

동질의 다층구조물을 갖는 마이크로웨브 집적회로의 형태인 이중평형 링 믹서가 제공된다. 믹서(300)는 광범위한 주파수에서 작동하나 작은 공간을 차지하는 사각동축전송라인(202, 305, 306)으로 구성되는 발룬을 이용한다. 전형적인 구성은 약 0.9 ~ 6 GHz에서 작동하며 약 0.1 ~ 10 GHz의 다른 주파수에서도 작동할 수 있다.

Description

사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브 믹서 {MICROWAVE MIXER WITH BALUNS HAVING RECTANGULAR COAXIAL TRANSMISSION LINE}
근래에 들어 무선통신시스템이 기술적으로 크게 진보되는 동시에 성능은 크기가 작으면서도 증가되었으며 고주파수에서도 작동되고 대역폭이 증가되었으며 주어진 출력에 대하여 소비전력이 낮아지고 구조적으로 견고하게 되었다. 보다 양질의 통신시스템을 추구하는 추세는 이들 시스템의 제조자에게 보다 많은 것을 요구한다.
오늘날, 인공위성, 군용 및 기타 컷팅-엣지 디지털통신시스템의 수요는 마이크로웨이브기술에 부합된다.
이들 대부분의 시스템은 신호를 승산하고 주파수를 변형시키기 위하여 믹서를 이용한다. 믹서는 송신기와 수신기분야에 모두 사용된다.
마이크로웨이브 믹서는 이를 구성하는데 이용된 기술에 의하여 분류된다. 예를 들어, 전형적으로 마이크로웨이브 집적회로(MIC)는 마이크호웨브의 적용을 위한 별개의 반도체부품을 포함한다. 모놀리식 마이크로웨브 집적회로(MMIC)에 있어서도 역시 마이크로웨브의 적용을 위하여 대개 회로기재상에 직접 반도체장치가 결합된다. 다른 형태의 MMIC는 취부형 빔리드장치를 갖는 세라믹기재를 포함한다. 이들 경우에 있어서, 동 또는 기타 적당한 금속이 회로에 결합된다.
다른 부류의 믹서는 럼프드 엘러먼트 테크놀로지를 이용한다. 와이어권취형 트랜스포머로 구성되는 발룬은 비교적 넓은 대역폭을 제공하고 크기가 작도록 하나 주파수상한을 갖는다. 아울러, 럼프드 엘러먼트 테크놀로지는 노동집약적이어서 제조비용이 높다.
전형적인 MIC는 단일층, 즉 양면형이며 쇼트키 다이오드가 결합되어 있다.이들 믹서는 통상적으로 수동장치로서 DC 바이어스를 요구하지 않는다. 이러한 회로는 금속프레임에 현착되거나 핀, 리드, 또는 기타 코넥터를 갖는 하우징에 장입된다. MIC 믹서는 높은 주파수와 넓은 대역폭에서 성능이 좋다. 일반적으로 크기는 주파수가 감소함에 따라 증가한다.
다른 한편으로 두꺼운 필름 MMIC 믹서는 전형적으로 세라믹기재상의 수동 쇼트키 다이오드가 집적된다. 기재 자체는 다른 전자부품에 연결하기 위하여 부가적인 패키징을 요구하지 않는 면취 인터페이스를 형성한다. 따라서, 두꺼운 필름 MMIC 믹서는 MIC 믹서에 비하여 작다. 그러나, 두꺼운 필름 MMIC 믹서는 통상적으로 MIC 믹서에 비하여 좁은 대역폭에서 작동한다.
얇은 필름 MMIC 믹서는 전형적으로 실리콘 또는 게름마늄 비소기재상에 직접 형성된 다이오드 또는 전계효과 트랜지스터(FET)로 구성된다. 얇은 필름 MMIC 믹서는 MIC 믹서보다 소형이고 다이형태로 구성될 수 있으나 통상적으로 면취부품으로서 패키징된다. 비록 이러한 믹서가 높은 주파수에서 작동할 수 있으나, 통상 이들은 MIC 믹서에 비하여 좁은 대역폭에서 작동한다. 광대역폭 작동도 가능하나 개발비용과 설계 및 주조비용이 높다.
결국, 현재의 기술은 본 발명의 극복하고자 하는 여러가지 결점이 있다. MMIC 기술에 의하여 제공되는 대역폭은 전형적으로 제한되고 개발비용이 높다. 럼프드 엘러먼트 테크놀로지는 주파수상한을 가지고 제조가 노동집약적이다. MIC 기술로서는 물리적으로 크기가 큰 회로를 제조하며 패키징의 크기를 더욱 증가시키는 금속프레임 또는 하우징을 이용한다.
본 발명은 사각동축전송라인을 가지며 다층형 마이크로웨이브 집적회로에 구성되는 믹서와 같은 마이크로웨이브 믹서에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 전형적으로 0.9 ~ 6 GHz에서 작동하는 사각동축전송라인으로 구성되는 발룬(balun)이 다층구성기술로 구성되고 마이크로웨이브 믹서의 크기, 무게 및 제조비용을 줄이도록 하는데 사용되는 새로운 구조의 믹서에 관한 것이다.
도 1은 디층 믹서가 7개의 층을 갖는 본 발명의 우선실시형태의 사시도.
도 2는 다층 이중평형 마이크로웨브 믹서의 우선실시형태를 보인 회로도.
도 3은 완전히 대칭인 다층 이중평형 마이크로웨브 믹서의 우선실시형태를 보인 회로도.
도 4는 도 1에서 보인 다층 믹서구조에 매입된 사각동축전송라인의 단면을 보인 설명도.
도 5는 도 2에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 결합된 제2 및 제3층의 평면도.
도 6은 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 결합된 제2 및 제3층의 평면도.
도 7a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제3층의 평면도.
도 7b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제3층의 저면도.
도 8은 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제2층의 평면도.
도 9a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제2층과 제3층의 평면도.
도 9b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제2층과 제3층의 저면도.
도 9c는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제2층과 제3층의 측면도.
도 10는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 결합된 제5층, 제6층 및 제7층의 평면도.
도 11a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제5층의 평면도.
도 11b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제5층의 저면도.
도 12a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제6층의 평면도.
도 12b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제6층의 저면도.
도 13a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제5층과 제6층의 평면도.
도 13b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제5층과 제6층의 저면도.
도 13c는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성 결합된 제5층과 제6층의 측면도.
도 14a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 제4층의 평면도.
도 14b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 제4층의 저면도.
도 15a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제7층의 평면도.
도 15b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제7층의 저면도.
도 16은 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 미완성된 제1층의 평면도.
도 17a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 6층 아조립체에서 다이오드의 위치를 보인 평면도.
도 17b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 6층 아조립체의 측면도.
도 18a는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 완성된 조립체의 평면도.
도 18b는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 완성된 조립체의 저면도.
도 18c는 도 3에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 완성된 조립체의 측면도.
도 19는 도 2에서 보인 회로를 갖는 7층형 다층 마이크로웨브 믹서의 제5, 제6 및 제7층의 평면도.
본 발명은 크기와 비용의 감소면에서 종래의 MIC 및 MMIC 믹서에 비하여 우수한 성능을 얻을 수 있는 분산발룬기술의 새로운 인식의 잇점을 취하는 개선된 다층 마이크로웨브 믹서에 관한 것이다. 본 발명의 발룬구조는 사각동축전송라인을 이용하고, 약 0.9 ~ 6 GHz의 범위에서 작동한다. 본 발명의 다른 실시형태는 낮은 또는 높은 주파수에서 작동할 수 있다.
마이크로웨브 믹서는 폴리테트라플루오로에틸렌, 유리 및 세라믹으로 조성되는 약 7개의 기재층을 갖는 동종의 기재로 구성되는 것이 좋다. 이러한 조성의 열팽창계수(CTE)는 약 7 x 10-6/℃ ~ 27 x 10-6/℃ 정도로 구리의 열팽창계수와 거의같은 것이 좋다.
비록 이들 층이 약 1 ~ 100의 폭넓은 유전상수를 가질 수 있으나, 현재 요구된 특성을 갖는 기재는 전형적으로 약 2.9 ~ 10.2의 유전상수를 갖는 것으로 상업적으로 입수할 수 있다.
이들 층은 약 0.005 ~ 0.100 인치의 두께를 가지고 동 또는 기타 적당한 전도체로 금속화되는 것이 좋다. 동은 예를 들어 주석, 니켈/금 조합 또는 주석/납과 함께 도금될 수 있다.
예를 들어, 원형, 슬로트 또는 타원형과 같은 여러 가지 형상일 수 있는 통공이 층사이의 회로를 연결하는데 이용될 수 있으며 발룬의 부분을 형성한다.
본 발명의 목적은 기존의 발룬 보다 나은 성능을 갖는 반면에 크기와 무게는 감소된 새로운 발룬구조를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존의 발룬 보다 나은 성능을 갖는 반면에 제조비용이 감소된 새로운 발룬구조를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 콤팩트한 면취 인터페이스를 형성하는 기재를 이용한 발룬을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 MMIC 믹서에서 사용된 집중형 발룬 보다 넓은 유효대역폭을 갖는 발룬을 제공하는데 있다.
다음의 도면중 일부는 기재층상에 구리엣칭 및 통공을 포함하는 회로패턴을 보이고 있다. 비록 통공과 같은 일부 구조는 설명을 위하여 확대되게 도시되어 있으나, 이들 도면은 본 발명의 실시형태에서 여러 구조의 형상 및 상대적인 위치는정확하게 도시되어 있다.
I. 서문
본 발명에 기술된 마이크로웨브 믹서는 기재층의 적층체로 구성된다. 기재 "층"은 일측면 또는 양측면에 회로를 포함하는 기재로서 정의된다. 층은 이에 예를 들어 다이오드, 증폭기, 트랜지스터 또는 기타 장치와 같은 반도체장치가 매입된다. 기재층의 적층체는 다층구조물을 형성토록 접착된다. 다층구조물은 소규모의 층 또는 대규모의 층을 가질 수 있다. 도 1에서 보인 7개 층을 갖는 우선실시형태에서, 기재층(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)은 7층형 다층구조물(100)을 구성한다. 이후 설명되는 단계에 의하여 제조될 때 다층구조물(100)은 사각발룬을 갖는 이중평형 믹서를 위한 회로를 포함한다. 이후 설명되는 바와 같이 사각발룬은 주파수범위에 대하여 양호한 성능을 보인다.
II. 다층구조물
우선실시형태에서, 기재는 약 0.005 ~ 0.100 인치의 두께를 가지며 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 유리 및 세라믹의 조성물이다. 다층회로분야의 전문가라면 PTFE가 용융접착용으로서는 우수한 물질인 반면에 유리와 세라믹이 유전상수를 바꾸어주고 안정성을 높이기 위하여 첨가되는 것을 잘 알 것이다. 기재물질은 상업적으로 입수가능하다. 두꺼운 기재가 사용될 수 있으나 물리적으로 회로가 커지고 여러 면에서 바람직하지 않다. 기재조성물질은 약 7 x 10-6/℃ ~ 27 x 10-6/℃ 정도로 구리와 거의 같은 열팽창계수(CTE)를 갖는 것이 좋다. 전형적으로 기재는 약 2.9 ~ 10.2의 상대유전상수(Er)를 갖는다. 다른 Er값을 갖는 기재가 사용될 수 있으나, 현재 이러한 기재를 상업적으로 입수하기가 용이하지 않다.
도 1에서 보인 우선실시형태에서, 층(1)의 기재는 두께가 약 0.030 인치이고 Er이 약 3.0이며, 층(4)(7)의 기재는 두께가 약 0.020 인치이고 Er이 약 3.0인 반면에, 층(2)(3)의 기재는 두께가 약 0.010 인치이고 Er이 약 6.15이다. 회로는 전형적으로 두께가 0.0002 ~ 0.0100 인치, 좋기로는 두께가 0.0005 ~ 0.0025 인치인 구리로 기재를 금속화하여 형성되고, 전형적으로 직경이 0.005 ~ 0.125 인치이고 좋기로는 0.008 ~ 0.019 인치인 구리도금된 통공으로 연결된다. 기재층은 동종의 유전물질을 포함하는 다층구조물(100)을 형성토록 특정온도와 압력의 용융방법을 이용하여 직접 함께 접착된다(이후 단계별로 상세히 설명됨). 용융접착방법은 다층형의 폴리테트라플루오로에틸렌 세라믹/유리(PTFE 조성물)회로를 제조하는 분야의 전문가에게는 잘 알려진 것이다. 그러나, 간단한 방법의 예를 다음과 같이 설명키로 한다.
용융은 먼저 PTFE 융점 이상의 온도로 기재를 가열하는 오토클레이브 또는 유압프레스에서 수행된다. 층의 정렬은 층의 유동을 안정화하는 핀을 갖는 고정물에 의하여 유지된다. 이러한 과정중에, PTFE 수지는 상태가 점성액체로 변화하고 인접한 층이 압력하에 용융된다. 비록 접착압력이 전형적으로 약 100 ~ 1000 PSI이고 접착온도가 약 350 ~ 450℃이나, 이러한 온도와 압력은 처음 200 PSI에서 40분동안 실온에서 240℃까지 온도가 상승하고, 45분동안 375℃로 상승하며, 15분동안 375℃가 유지된 다음 90분동안 35℃로 하강한다.
다층구조물(100)은 도 2에서 보인 회로(200) 또는 도 3에서 보인 회로(300)와 같은 유용한 마이크로웨브 믹서회로를 구성하는데 사용된다. 회로(200)와 회로(300)는 본 발명의 두 우선실시형태를 구성한다. 그러나, 다른 회로가 다층구조물(100)의 일반적인 구조를 구성할 수 있으며 소규모 또는 대규모이 층이 사용될 수 있음을 이해할 것이다. 또한 통공을 설계하는 분야의 전문가라면 기존의 형상 또는 직경과는 다른 통공을 설계할 수 있음을 이해할 것이다. 다음은 회로(200)와 회로(300)에 대한 설명이다.
III. 이중평형 믹서의 두 실시형태
도 2에서, 회로(200)는 발룬을 구성토록 전송라인을 이용한다. 전송라인의 임피던스는 브뢰켈만의 등식(Brackelmann's equation)을 이용하여 그 크기로부터 계산될 수 있다. 브뢰켈만은 일련의 사각동축라인 특성임피던스를 나타낼 수 있도록 반-분석 반-수치방법을 이용하였으며, 사각동축라인은 단면의 크기가 완벽하게 임의의 값을 가지고 또한 스트립전도체의 축선이 사각시일드의 축선과일치할 필요도 없다. 이러한 분석방법은 치수상 허용오차의 효과를 평가하는 값을 분석한다. 도 4에서, 브뢰켈만은 Zo에 대하여 보다 간단한 근접방정식을 인용한다. 즉, 다음과 같은 방정식을 인용하며, 여기에서t/b< 0.3과W/W'< 0.8에 대하여 10퍼센트이내이어야 한다.
회로(200)에 사용된 전송라인의 임피던스는 전형적으로 약 25옴 ~ 100옴의 범위이다. 임피던스는 성능과 대역폭을 감안하여 회로의 요구된 주파수응답에 기초하여 선택된다.
우선 실시형태에서, 상부접지벽(208), 중심전도체(209) 및 저면 접지벽(210)으로 구성되는 사각동축전송라인(201)은 50옴의 임피던스를 가지며, 상부접지벽(222), 중심전도체(223) 및 저면접지벽(234)로 구성되는 사각동축전송라인 (202)도 50옴의 임피던스를 갖는다. 상부접지벽(211), 중심전도체(212) 및 저면 접지벽(213)으로 구성되는 사각동축전송라인(203)은 25옴의 임피던스를 가지며, 상부접지벽(214), 중심전도체(215) 및 저면접지벽(216)로 구성되는 사각동축전송라인 (204)도 25옴의 임피던스를 갖는다. 전송라인(201)9202)(203)(204)의 길이는 회로(200)의 중심작동주파수에서 1/4 파장이 되도록 설계되는 것이 좋다. 전송라인은 약 0.10 파장 ~ 0.6 파장과 같이 다른 길이를 같도록 설계될 수 있으나 이는 작동대역폭을 이동시킬 것이다. 우선실시형태에서, 1/4 파장은 약 2.5 GHz에서 작동하고 약 0.9 GHz ~ 6 GHz의 대역폭을 갖는 회로의 경우 0.595 인치에 해당한다.
우선실시형태에서는 서스펜드형 기재 전송라인이나 다른 실시형태에서는 마이크로스트립과 같은 높은 임피던스를 갖는 다른 구조로 대체될 수 있는 전송라인(221)은 접지연결된다. 전송라인(202)(221)으로 구성되는 발룬은 회로(200)의 작동대역폭을 결정하고, LO PORT(240)의 임피던스정합이 이루어지도록하며, 다이오드 링(235)(쇼트키 다이오드 217, 218, 219, 220로 구성됨)에서 LO PORT(240)의 비평형 임피던스를 평형 다이오드 임피던스로 변환하고, 마이크로웨브 신호가 위상으로부터 180℃ 분할되도록 한다. 전송라인(201)(203)(204)으로 구성된 발룬은 IF PORT(250)에서 가상접지되고 RF PORT(260)의 임피던스정합이 이루어지며 다이오드 링(235)에서 RF PORT(260)의 비평형 임피던스를 평형임피던스로 변환시키고 마이크로웨브 신호가 위상으로부터 180℃ 분할되도록 한다.
도 3에서, 회로(300)는 많은 요소들이 회로(200)와 같으며 이들 공통의 요소들에 대하여서는 동일한 부호로 표시하였다.
우선실시형태에 있어서, 상부접지벽(325), 중심전도체(326) 및 저면접지벽 (327)으로 구성되는 사각동축전송라인(305)과, 상부접지벽(328), 중심전도체(329) 및 저면접지벽(330)으로 구성되는 사각동축전송라인(306)은 모두 25옴의 임피던스를 가지고 1/4 파장의 길이를 갖는다.
전송라인(202)(305)(306)으로 구성된 발룬은 가상접지부(370)를 제공하고 회로(300)의 작동대역폭을 결정하며 LO PORT(240)의 임피던스정합이 이루어지고 다이오드 링(235)에서 LO PORT(240)의 비평형 임피던스를 평형임피던스로 변환시키며 마이크로웨브 신호가 위상으로부터 180℃ 분할되도록 한다. 전송라인(201)(203)(204)로 구성된 발룬은 회로(200)에 대하여 설명된 바와 같이 회로(300)에서 동일한 기능을 제공한다.
IV. 이중평형 믹서의 작동
회로(200)와 회로(300)는 신호를 승산하는 쇼트키 다이오드를 이용하는 이중평형 링 믹서이다. 합과 차의 주파수의 생성은 본 발명의 기술분야에 전문가라면 잘 알 수 있는 바와 같이이중평형 링 믹서의 산술에 따라 이루어진다. 다음은 우선 적용되는 회로(200)와 회로(300)의 기능을 설명한 것이다.
제1 마이크로웨브 신호가 RF PORT(260)에서 주입되어 전송라인(201)(203) (204)로 구성되는 발룬의 길이를 따라 다이오드 링(235)까지 이동한다. 제1 마이크로웨브 신호 보다 파워가 큰 적어도 약 10 dB의 제2 마이크로웨브 신호가 LO PORT(240)에서 주입되어 회로(200)의 전송라인(202)(211)으로 구성되는 발룬(또는 회로 300의 전송라인 202, 305, 306으로 구성되는 발룬)의 길이를 따라 다이오드 링(235)까지 이동한다. 정확한 작동을 위하여, 제2 마이크로웨브 신호는 다이오드 링(235)이 제1 마이크로웨브 신호를 IF PORT(250)에 연결할 수 있도록 하는 파워레벨을 가짐으로서 제1 마이크로웨브 신호의 위상이 제2 마이크로신호의 매 반싸이클에 대하여 180℃로 전환될 수 있도록 한다.
이상과 같은 회로(300)를 이용하여, LO PORT(240)에서 ㅁ마이크로웨브 신호의 각 제1 반싸이클중에, 다이오드(217)(218)는 턴오프되는 반면에 다이오드(219) (220)는 턴온된다. 이러한 전환작용은 중심전도체(326)(329)를 통하여 접지되도록 중심전도체(212)(215)를 전환시켜 RF PORT(260)에서 마이크로웨브 신호를 180℃ 만큼 플립핑시키고 LO PORT(240)에서 마이크로웨브 신호의 주파수를 갖는 구형파에 만큼 RF PORT(260)의 마이크로파 신호를 효과적으로 승산한다. 그 결과가 합과 차 주파수이다.
회로(200)와 회로(300)는 RF PORT(260)와 LO PORT(240)의 신호사이를 격리하는 고유특성을 갖는다. 비록 다이오드(217)(218)(219)(220)가 복합임피던스를 가지나, 임피던스는 각 불연속 주파수에 대하여 일정하여 다이오드 링(235)이 평형브릿지로서 작용토록 한다. RF PORT(260)의 신호도 마찬가지로 LO PORT(240)으로부터 격리된다.
V. 사각동축전송라인
우선실시형태의 사각전송라인의 단면이 도 4에 도시되어 있다. 사각동축전송라인(400)은 적당한 층에 적당한 폭의 구리라인을 엣칭하고 통공을 천공하며 이어서 층을 함께 접착하고 통공을 도금하는 과정에 의하여 구성된다(다른 우선실시형태에서는 층이 접착되기 전에 통공이 도금된다). 사각동축전송라인(400)의 수평벽(431) (434)은 두 층의 양면에 엣칭된 구리라인으로 구성된다. 사각동축전송라인(400)의 중심전도체(433)는 층들 중에서 일측 층의 타측 층을 향하는 면에 형성된 엣칭된 구리라인에 의하여 구성된다. 사각동축전송라인(400)의 수직벽(432)(435)은 약 0.060 인치의 간격을 둔 도금된 통공으로 구성된다.
예를 들어, 도 5에서, 층(2)(3)을 통하여 연장된 26개의 외부 통공(532)이 수직벽(432)을 형성한다. 층(2)(3)을 통하여 연장된 18개의 내부 통공(535)은 수직벽(435)을 형성한다. 수평벽(431)은 층(2)의 상측부에 엣칭되고, 수평벽(434)은 층(3)의 저면측에 에칭되며, 구리라인(533)으로 나타낸 중간부(433)는 층(3)의 상측부에 에칭된다.
VI. 제2 우선실시형태에 대한 제조공정의 설명
비록 두 우선실시형태가 회로(200) 및 회로(300)를 통하여 제시되었으나, 두회로에 대한 제조공정은 유사하다. 다음은 회로(300)를 구성하는 다층구조물(100)을 제조하는데 사용된 공정을 단계적으로 기술한 것이다. 전문가라면 사용된 수치(예를 들어, 칫수, 온도, 시간)는 근사값이며 이들 값이 달라질 수 있고 일부의 단계는 다른 순서로 수행될 수 있음을 이해할 것이다.
또한 도면은 모든 단계의 완료후 이들 층이 나타내는 층의 윤곽을 보인 것이다. 이와 같이, 일부의 도면은 도 18a와 도 18b에서 보인 바와 같이 모든 층이 접착되고 슬로트(1850)가 가공되며 모서리 통공(1860)이 조립체(1800)에서 천공될 때까지는 존재하지 않는 층 변부의 모서리 통공과 슬로트를 보이고 있다.
부가적으로, 기재판넬에서 하나의 어레이로 한번에 수 백 개의 회로가 제조될 수 있음을 이해할 것이다. 이와 같이, 전형적인 마스크는 동일패턴의 어레이를 가질 것이다.
a. 아조립체 600
도 6, 도 7a, 도 7b, 도 8, 도 9a, 도 9b 및 도 9c에서, 아조립체(600)는 다음의 공정에 의하여 제조된다. 먼저, 약 0.010 인치의 직경을 갖는 두개의 통공이 도 7a 및 도 7b에서 보인 바와 같이 층(3)에 천공된다. 다음으로, 층(3)이 나트륨엣칭된다. 구리로 도금될 PTFE 베이스 기재의 나트륨엣칭에 사용된 공정은 PTFE 기재를 도금하는 기술분야의 전문가에게는 잘 알려진 것이다. 다음으로, 층(3)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(3)은 약 90 ~ 180℃에서 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 층(3)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 층(3)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 층(3)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 7a에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 층(3)의 상측부는 구리엣칭된다. 구리엣칭에 사용된 과정은 구리를 제거하기 위하여 강알카리 또는 강산을 도포하는 것을 포함하며 이는 회로엣칭분야의 전문가에게는 잘 알려진 것이다. 층(3)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(3)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
층(2)는 기재의 파손없이 약 0.005 ~ 0.008 인치의 깊이까지 도 8a에서 보인 바와 같이 스팟페이싱 처리(때때로 "카운터보링"이라 함)된다. 층(2)는 구리를 제거하기 위하여 스팟페이싱 처리된 면이 구리엣칭된다. 층(2)이 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(2)는 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
상기 과정을 이용하여 층(2)(3)이 처리된 후, 이들은 도 9c에서 보인 바와 같이 구리피복층이 서로 반대방향을 향하도록 함께 용융접착된다. 다음으로, 도 9b에서 보인 바와 같이 접착된 층(2)(3)에 약 0.015 인치의 직경을 갖는 68개의 통공을 천공한다. 접착된 층(2)(3)은 나트륨엣칭된다. 접착된 층(2)(3)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 접착된 층(2)(3)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 접착된 층(2)(3)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 접착된 층(2)(3)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 접착된 층(2)(3)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 9a에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 접착된 층(3)의 상측부는 구리엣칭된다. 접착된 층(2)(3)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 접착된 층(2)(3)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성되어 도 6, 도 9a, 9b, 및 9c에서 보인 아조립체(600)를 얻는다.
b. 아조립체(1300)
도 11a, 도 11b, 도 12a, 도 12b, 도 13a, 도 13b 및 도 13c에서, 아조립체(1300)는 다음의 공정에 의하여 제조된다.
먼저, 약 0.010 인치의 직경을 갖는 두개의 통공이 도 7a 및 도 7b에서 보인 바와 같이 층(5)에 천공된다. 다음으로, 층(5)이 나트륨엣칭된다. 층(5)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(5)은 약 90 ~ 180℃에서 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 층(5)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 층(5)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 층(5)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 11b에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 층(5)의 저면부는 구리엣칭된다. 층(5)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(5)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
약 0.019 인치의 직경을 갖는 3개의 통공이 도 12a 및 도 12b에서 보인 바와 같이 층(6)에 천공된다. 층(6)이 나트륨엣칭된다. 층(6)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(6)은 약 90 ~ 180℃에서 2시간 동안, 좋기로는 145℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 층(6)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 층(6)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 층(6)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 12a에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 층(6)의 상측부는 구리엣칭된다. 층(6)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(6)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
상기 과정을 이용하여 층(5)(6)이 처리된 후, 이들은 도 13c에서 보인 바와 같이 구리피복층이 서로 반대방향을 향하도록 함께 용융접착된다. 다음으로, 도 13a, 13b에서 보인 바와 같이 접착된 층(5)(6)에 약 0.015 인치의 직경을 갖는 40개의 통공과 약 0.010 인치의 직경을 갖는 9개의 통공을 천공한다. 접착된 층(5)(6)은 나트륨엣칭된다. 접착된 층(5)(6)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 접착된 층(5)(6)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 접착된 층(5)(6)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 접착된 층(5)(6)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 접착된 층(5)(6)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 13a, 13b에서 첩착된 층(5)(6)에 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 접착된 층(5)의 상측부와 층(6)의 저면부는 구리엣칭된다. 접착된 층(5)(6)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 접착된 층(5)(6)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성되어 도 13a, 13b, 및 13c에서 보인 아조립체(1300)를 얻는다.
c. 층(4)
도 14a, 및 도 14b에서, 층(4)을 제작하는 과정이 설명된다. 먼저, 약 0.010 인치의 직경을 갖는 14개의 통공이 도 14a 및 도 14b에서 보인 바와 같이 층(4)에 천공된다. 층(4)이 나트륨엣칭된다. 층(4)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(4)은 약 90 ~ 180℃에서 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 층(4)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 층(4)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 층(4)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 14a 및 도 14b에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 층(4)의 양측면이 구리엣칭된다. 층(4)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(4)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
d. 층(7)
도 15a 및 도 15b에서, 층(7)을 제작하는 과정이 설명된다.
먼저, 약 0.019 인치의 직경을 갖는 3개의 통공, 약 0.010 인치의 직경을 갖는 13개의 통공, 그리고 0.043 인치의 직경을 갖는 4개의 변부(모서리)통공이 도 15a 및 도 15b에서 보인 바와 같이 층(7)에 천공된다. 층(7)이 나트륨엣칭된다. 층(7)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(7)은 약 90 ~ 180℃에서 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 층(7)은 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 층(7)은 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 층(7)은 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 15a에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 층(7)의 상측부는 구리엣칭된다. 층(7)은 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(7)은 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
e. 층(1)
도 16에서, 층(1)을 제작하는 과정이 설명된다. 층(1)은 기재의 파손없이 도 16에서 보인 바와 같이 약 0.015 ~ 0.025 인치의 깊이까지 스팟페이싱 처리된다. 층(1)는 구리를 제거하기 위하여 스팟페이싱 처리된 면이 구리엣칭된다. 층(1)이 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 층(1)는 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
f. 아조립체(1700)
도 17a 및 도 17b에서, 층(4)(7)과 아조립체(600)(1300)가 제작된 후에 이들이 용융접착되어 아조립체(1700)를 구성한다. 아조립체(1700)는 5 ~ 30분 동안 약90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 17a의 아조립체(1700)에서 보인 바와 같은 패턴을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 아조립체(1700)의 상측부는 구리엣칭된다. 아조립체(1700)는 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 층(2)을 스팟페이싱처리함으로서 나타나는 스팟페이스 플러그는 연마하여 제거한다. 도 17a에서 보인 바와 같이 아조립체(1700)에는 솔더 페이스트, 좋기로는 Sn96AgO4솔더 페이스트 또는 Sn63Pb37솔더 페이스트와 같은 다른 형태의 솔더 페이스트를 이용하여 다이오드(217)(218)(219)(220)가 배치된다. 다른 실시형태에서, 다이오드(217) (218)(219)(220)는 전도성 에폭시를 용착 또는 이용하여 배치된다. 다시 아조립체(1700)는 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 아조립체(1700)는 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
g. 조립체(1800)
도 18a, 18b, 및 18c에서, 조립체(1800)가 다음의 공정으로 제작된다.
아조립체(1700)와 층(1)이 접착필름으로 접착되어 도 18c에서 보인 바와같은 조립체(1800)를 구성한다. 우선실시형태에서, 접착필름은 약 0.0015 인치의 두계를 갖는 열가소성 폴리머 접착필름이며 200 PSI의 압력에서 30 ~ 60분 동안 실온으로부터 150℃까지 온도를 상승시키고 150℃에서 50분 동안 유지한 다음 10 ~ 60분 동안 실온으로 온도를 낮추어 경화된다. 다른 실시형태에서, 다른 형태의 접착필름이사용될 수 있으며, 이러한 접착과정은 제작자의 사양에 따른다. 약 0.019 인치의 직경을 갖는 8개의 통공이 천공되고 도 18a에서 보인 바와 같이 조립체(1800)에 4개의 슬로트(1850)가 가공된다(4개의 모서리 통공 1860은 아직 천공되자 않는다). 조립체(1800)가 나트륨엣칭된다. 조립체(1800)는 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고, 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 조립체(1800)는 약 90 ~ 125℃에서 2시간 동안, 좋기로는 100℃에서 1시간 동안 진공소성된다. 조립체(1800)는 먼저 무전해방법을 이용하고 이후 전해방법으로 약 0.0005 ~ 0.001 인치의 두께까지 구리로 도금된다. 조립체(1800)는 적어도 1분 동안 탈염수로 세척되는 것이 좋다. 조립체(1800)는 5 ~ 30분 동안 약 90 ~ 125℃의 온도, 좋기로는 5분 동안 90℃의 온도로 가열되고 포토레지스터로 라미네이팅된다. 마스크가 사용되고 포토레지스터가 도 18b에서 보인 바와 같은 패턴층 7이 노출된 경우)을 얻기 위하여 적당한 노출장치를 이용하여 현상된다. 조립체(1800)의 저면부는 구리엣칭된다. 조립체(1800)는 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 조립체(1800)는 주석 또는 납으로 도금되고 주석/납 도금층이 용융점까지 가열되어 잉여분의 도금층이 솔더합금으로 재유동토록 한다. 조립체(1800)는 다시 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다.
조립체(1800)에는 약 0.078 인치의 직경을 갖는 통공(1860)이 천공된다. 조립체(1800)는 드릴링과 밀링, 다이아몬드톱, 또는 EXIMER 레이저를 포함하는 분할방법을 이용하여 분할된다. 조립체(1800)는 15 ~ 30분 동안 알콜로 세척되고 적어도 15분 동안 70 ~ 125℉의 온도를 갖는 탈염수로 세척된다. 그리고 조립체(1800)는 약 90 ~ 180℃에서 약 30분 ~ 2시간 동안, 좋기로는 149℃에서 1시간 동안 진공소성된다.
VII. 다른 실시형태
본 발명의 기술분야에 전문가라면 상기한 바와 같은 회로(300)의 제작공정의 설명에 기초하여 회로(200)를 제작할 수 있을 것이다. 도 6에서 보인 층(2)(3)과 도 10에서 보인 층(5)(6)(7)을 도 5에서 보인 층(2)(3)과 도 19에서 보인 층(5)(6)(7)으로 각각 데체하고 공지의 방법으로 제조공정(예를 들어 통공의 수를 달리하여 천공하고 다른 마스크를 이용하는 것과 같은 공정)을 달리함으로서 용이하게 회로(200)를 구성할 수 있을 것이다.
이상으로 본 발명이 그 특징을 기초로 하여 설명되었으나 전문가에 의하여 본 발명은 그 기술사상이나 범위를 벗어남이 없이 여러가지 생략 및 대체 그리고 수정이 가능할 것이다. 본 발명의 범위에서 본 발명의 요소 또는 단계의 모든 조합은 동일한 기능을 수행하여야 할 것이다. 따라서, 본 발명은 다음의 청구범위로 한정된다.

Claims (23)

  1. 폴리테트라플루오로에틸렌 조성인 다수의 층(2, 3, 4, 5, 6, 7)의 동질 구조물(1700)로 구성되고 하나 이상의 사각형 발룬(201, 203, 204)을 갖는 믹서에 있어서, 상기 하나 이상의 사각형 발룬이 상기 다수의 층상에 배치된 제1전도면(211)과 제2전도면(212) 그리고 제3전도면(213)으로 구성되고 상기 제2전도면이 상기 제1전도면과 제3전도면사이에 배치된 적어도 3개의 전도면과, 상기 제1전도면과 상기 제3전도면을 연결하는 적어도 두개의 통공(532)(535)으로 구성됨을 특징으로 하는 사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브 믹서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도면이 구리임을 특징으로 하는 믹서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.9 GHz ~ 6 GHz 사이의 중심작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  4. 제1항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.1 GHz ~ 10 GHz 사이의 작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 3의 상대유전상수를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 6.15의 상대유전상수를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  6. 제1항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 0.020인치 이상의 두께를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 0.010 인치 이상의 두께를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  7. 제1항에 있어서, 상기 적어도 3개의 전도면이 약 0.0005 ~ 0.0025 인치의 두께를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  8. 제1항에 있어서, 상기 통공이 도금된 통공임을 특징으로 하는 믹서.
  9. 믹서의 제조방법에 있어서, 이 방법이 폴리테트라플루오로에틸렌 조성인 다수의 층(2, 3, 4, 5, 6, 7)을 제조하는 단계, 상기 다수의 층상에 배치된 제1전도면(211)과 제2전도면(212) 그리고 제3전도면(213)으로 구성되고 상기 제2전도면이 상기 제1전도면과 제3전도면사이에 배치된 적어도 3개의 전도면을 엣칭하는 단계와, 적어도 하나의 사각형 발룬(201, 203, 204)을 구성토록 적어도 두개의 통공(532)(535)으로 상기 제1전도면과 상기 제3전도면을 연결하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브 믹서의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전도면이 구리임을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.9 GHz ~ 6 GHz 사이의 중심작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.1 GHz ~ 10 GHz 사이의 작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 3의 상대유전상수를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 6.15의 상대유전상수를 가짐을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 0.020인치 이상의 두께를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 0.010 인치 이상의 두께를 가짐을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 적어도 3개의 전도면이 약 0.0005 ~ 0.0025 인치의 두께를 가짐을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 통공이 도금된 통공임을 특징으로 하는 믹서의 제조방법.
  17. 폴리테트라플루오로에틸렌 조성인 다수의 층(2, 3, 4, 5, 6, 7)의 동질 구조물(1700)로 구성되고 하나 이상의 사각형 발룬(201, 203, 204)을 갖는 믹서에 있어서, 상기 하나 이상의 사각형 발룬이 다수의 수평벽(211, 213)과 적어도 하나의 중심전도체(212)를 형성하기 위한 금속라인수단과, 상기 다수의 수평벽을 연결하는 다수의 수직벽(532)(535)를 형성하기 위한 통공수단으로 구성됨을 특징으로 하는 사각동축전송라인을 갖는 발룬을 구비한 마이크로웨이브 믹서.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금속라인수단이 구리라인수단임을 특징으로 하는 믹서.
  19. 제17항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.9 GHz ~ 6 GHz 사이의 중심작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  20. 제17항에 있어서, 상기 믹서가 약 0.1 GHz ~ 10 GHz 사이의 작동주파수를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  21. 제17항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 3의 상대유전상수를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 6.15의 상대유전상수를 가짐을특징으로 하는 믹서.
  22. 제17항에 있어서, 상기 다수의 층의 3개의 비인접층이 약 0.020인치 이상의 두께를 가지고, 상기 다수의 층 중에서 4개의 층이 약 0.010 인치 이상의 두께를 가짐을 특징으로 하는 믹서.
  23. 제17항에 있어서, 상기 통공수단이 도금된 통공수단임을 특징으로 하는 믹서.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6560844B1 (en) * 2000-02-24 2003-05-13 Honeywell International Inc. Alignment plate with matched thermal coefficient of expansion
EP1271764B1 (de) * 2001-06-29 2009-03-11 Ericsson AB Integrierter Diodenmischer
US6549090B2 (en) * 2001-07-19 2003-04-15 Cree Microwave, Inc. Inverted coplanar waveguide coupler with integral microstrip connection ports
US7157986B1 (en) * 2005-06-11 2007-01-02 National Taiwan University Three-dimensional balun
US9888568B2 (en) 2012-02-08 2018-02-06 Crane Electronics, Inc. Multilayer electronics assembly and method for embedding electrical circuit components within a three dimensional module
CN102769164A (zh) * 2012-07-16 2012-11-07 西北核技术研究所 一种类同轴结构电容加载传输线
US9230726B1 (en) 2015-02-20 2016-01-05 Crane Electronics, Inc. Transformer-based power converters with 3D printed microchannel heat sink
US9843301B1 (en) 2016-07-14 2017-12-12 Northrop Grumman Systems Corporation Silicon transformer balun

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5534830A (en) * 1995-01-03 1996-07-09 R F Prime Corporation Thick film balanced line structure, and microwave baluns, resonators, mixers, splitters, and filters constructed therefrom
US5745017A (en) * 1995-01-03 1998-04-28 Rf Prime Corporation Thick film construct for quadrature translation of RF signals

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