A7 B7 454362 五、發明說明、（ 發明範圍 本發明有關微波混合器，譬如具有矩形同軸傳輸線之 多層構造之一混合器、微波積體電路。尤其，本發明揭示 一種新混合器設計，其中平衡-不平衡轉換器係包含一般 在0.9至6 GHz作業之矩形同軸傳輸線並以多層拓撲實施， 且用以降低微波混合器之尺寸、重量及成本。 發明背景 幾十年來，無線通訊系統技術已日益先進而增加包含 下列性能：更小的尺寸、更高頻之作業、且伴隨增加頻寬 '對於已知功率輸出之較低功率消耗、及堅固性。對於更 好的通訊系統之趨勢係對於這些系統的製造有更高需要。 現今’微波技術係符合衛星、軍事、及其他央端數位 通訊系統之需求。 許多這些系統係用混合器來倍加（multiply)訊號並平 移（translate)頻率，混合器係用於發送器及接收器應用中 ’此目的所製之微波混合器的範例揭示於馬斯，s.，微波混 ：ϋ，·第二版，亞特克屋，1993。 微波混合器可，由構造技術_所分類，譬如，微波積艘電 路（MICs)常包括微波應用之分離的半導體組件。整想微波 積體電路(MMICs)常直接在電路基板上採用亦為微波應用 之半導體裝置。另一型MMIC包括具有附接束引線裝置 (attached beamlead device)之陶瓷物質，任一情形中，銅 或其他適當金屬係用於電路中。 另一類混合器係用團塊元件技術（Lumped Element 本紙張尺f適用中國國家缥準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --— — |!!^^.|!!|訂！！.線4 {請先閱r背面t注意事項再填寫本頁) / 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2 )
Technology)，含有捲線變壓器之平衡-不平衡轉換器係提 供較寬的頻寬及小尺寸，但有一上頻率限制。此外’團塊 元件技術為勞力密集因而造價昂貴。 . 一般的MIC混合器係為單層或雙面並採用肖特基二極 - 體，這些混合器常為被動裝置而不需DC偏壓，此等電路 -係懸掛在金屬架上或包裝在具有端子、引線或其他連接器 之殼體中。MIC混合器在高頻及廣泛頻寬具有良好性能， 通常隨頻率減少而增加尺寸。 厚膜MMIC另一方面常在陶瓷基板上整合被動肖特基 二極體，基板本身可形成一表面安裝介面，其中不需要用 以連接至其他電子組件之額外安裝，因此相對於MIC混合 器，厚膜MMIC混合器一般很小，但是，厚膜MMIC混合 .器常相對於MIC混合器而在窄頻寬作業。 薄膜MMIC混合器常直接在矽或砷化鎵上採用二極體 或場效電晶體（FETs)，薄膜MMIC混合器比MIC更小且可 以骰（die)狀使用，但常包裝為表面安裝組件。此等混合器 雖可在高頻作業，亦常相對於MIC混合器而在窄頻寬作業 。可能有寬頻寬之作業，但由於相關的設計與鑄造成本故 發展成本很面。 總言之，本技術具有本發明企圖克服之數項缺點， MMIC提供的頻寬常受限制，且發展成本很高，團塊元件 技術具有一上頻限制，且生產過程為勞力密集。MIC技術 產生實體較大之電路、並採用進一步增加包裝尺寸之金屬 架或殼體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------—---訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454362 A7 B7 五、發明說明（ 發明概論 本發明係有關一改良的多層微波混合器，其中利用分 佈式的平衡-不平衡轉換器技術之一新實施優點’以降低 尺寸與成本而獲得優於習知Mic及Mice混合器之良好性 能優點。所揭示的平衡-不平衡轉換器結構係採用矩形同 軸傳輸線、並在约〇·9至6GHz範圍作業，本發明之其他實 施例可在較低或較高頻率作業。 較佳，微波混合器包含一個約具七基板層（為聚四氟 乙烯、玻璃及陶瓷之複合物）之均質結構，較佳，複合物 之熱膨脹係數（CTE)係接近銅的熱膨脹係數，譬如約7份 每百萬每度C至約27份每百萬每度C。 這些層雖可能有眾多介電常數（譬如約1至約1〇〇),目 前，可購得具有所需特徵之基板（其具有約29至約⑺二之 一般介電常數）。 線 較佳，這些層具有約0.005吋至約〇1〇〇吋之厚度且 由銅或其他導體作金屬化，銅可譬如以錫、鎳/金組合或 錫/鉛作電鍍。 之 器 較佳可為不同形狀（例如圓形、槽、及/或橢囿形） 通孔來連接層間之電路並形成部份之平衡·不平衡轉換 〇 本發明之目的係提供一新的平衡_不平衡轉換器結構 ，其中具有優於現有平衡-不平衡轉換器的性能優點且同 時可際低尺寸及重量。 本發明之另一目的係提供一新型平衡_不平衡轉換器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公爱 經濟邹智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ---- B7 議 丨1丨____ I — —_ 五、發明說明（4 ) 結搆，其中具有優於現有平衡-不平衡轉換器的性能優點 且同時可降低造價。 本發明之另一目的係提供一平衡-不平衡轉換器，其 中利用形成一小型表面安裝介面之基板。 本發明之另一目的係提供一平衡-不平衡轉換器，其 中利用不再需要額外包裝之基板。 本發明之另一目的係提供一平衡-不平衡轉換器，其 中具有比MMIC混合器中所用的團塊相等平衡-不平衡轉 換克更寬的一有效頻寬。 圖式簡單說明 下列部份圖式係描述電路樣式，包括基板層上之銅蝕 刻及孔’特定結構（如孔）可放大以清楚顯示，對於本發明 的一較佳實施例的各種結構形狀及相對配置而精確繪製這 些圖。 ·.·'第i圖為本發明之一較佳實施例之圖，其中多層昆合 器具有七層； '第2圖為多層雙平衡微波混合器之一較佳實施例的電 路圖； V第3圖為完全對稱多層雙平衡微波混合器之一較佳實 施例的電路圖； >第4圖為第1圖中的多層混合器結構内嵌置之一矩形同 袖傳輪線之一剖面的圖； ^第5圖為具有第2圖所示電路之七層多層微波混合器之 結合的第二及第三層之俯視圖： ~^*~" ****"'- ~~ 家碟主;規珞X 297 d t I I I I---I I I I I - I I I I--- 訂. — — — — — —I· (請先閱讀背面之注t-事項再填寫本頁)
煩諳委員玥示所提之 修iE本有無變更實質内容是否准子ή 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖為辱有第3圖所示電路之 結合的第-m a 七層多層微波混合器 乐一及第二層之俯視圖； 圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第三層之俯視圖； ，7b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第三層之仰視圖； 第8圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器之 未拋光的第二層之俯視圖； 第9a圖為具有第3圊所示電路之七層多層微波混合器 之結合的第二及第三層之俯視囷； 第9b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之結合的第二及第三層之仰視圖； 第9c圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的結合的第二及第三層之側視圖； 第10圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之結合的第五、第六及第七層之俯視圖； 第11a圓為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第五層之俯視圖； 第1 lb圓為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第五層之仰視圖； 第12a圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第六層之俯視圖； 第12b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第六層之仰視圖； 第13a圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的結合的第五及第六層之俯視圖； 第13b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的結合的第五及第六層之仰視圖； 之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *--------訂---------線— ------------------------ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 < 297公t ) ΑΓ _________Β7___ 五、發明說明（6 ) 第13c圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的結合的第五及第六層之侧視圖； 第14a圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之苐四層之俯視圖； 第14b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之第四層之仰視圖； 第i 5a圊為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第七層之俯視圖； 第15b圊為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第七層之仰視圖； 第16圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光的第一層之俯視圖； 第17a圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之六層次總成中之二極體配置之俯視圈； 第17b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之六層次總成中之側視圖； 第18a圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之未拋光總成之俯視圖； 第18b圖為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之拋光總成之仰視圖： 第ISc圊為具有第3圖所示電路之七層多層微波混合器 之拋光總成之側視圖； 第19圖為具有第2圖所示電路之七層多層微波混合器 之第五、第六及第七層之俯視圖。 -裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) l5j·. ，線 .Q 和. A7 B7 454362 五、發明說明（7 ) 發明之詳細描述 L導論 上述微波混合器包含基板層之一堆疊，基板“層，，界定 為一種包括一或兩侧上的電路之基板，層可能嵌置有半導 體裝置（譬如二極體、放大器、電晶體、或其他裝置）β 基板層堆疊係結合而形成一多層結構，一多層結構可 有數層或許多層β請參照具有第丨圖所示七層之較佳實施 例’基板層1、2、3、4、5、6、7構成七層多層結構100。 由下列步驟製造多層結構100時係包含具有矩形平衡不平 衡轉換器之一雙平衡混合器用之電路，該矩形平衡-不平 衡轉換器如上述係對於一頻率範圍提供良好性能。 ΙΙΛΛΆΆ —較佳實施例中，一基板約為0 005吋至0 1〇〇吋厚且 為聚四氟乙烯（PTFE)、玻璃、及陶瓷之複合器，熟悉多層 電路技藝者瞭解PTFE為熔結合之較佳材料，並且加入玻 璃與陶瓷以改變介電常數並增加穩定性。構成材料可供市 售’亦可能為較厚基板但造成實體較大的電路而在許多應 用中為不佳，較隹玉板葙為ϋϋ本抵近顧_的一 CTE， 譬如從約7份每百萬每度C至約27份每百萬每度C。一般， 基板約有2.9至約10.2範圍之相對介電常數（Er)，可採用具 有其他Er值的基板，但現今不易購得β 第1圖所示之一較佳實施例中，層1的基板具有〇,〇30 吋之大略厚度且Er約為3,0，層4 ' 7的基板具有0.020大略 厚度且Er約為3.0，而層2、3、5、6的基板具有0.010吋之 本紙張尺度過用中國國家標退（CNS)A4^格（210 X 297公釐) -1 J —In. ^ i ----I I — I — I I---1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10 - 發明說明（8 ) 略厚度且Er約為6·15。利用銅的金屬化基板以構成電路 ’其常為0.0002至0.0100叶厚且較佳約〇__〇 〇〇25叶厚 (請先閱讀背面之;i意事項再填寫本頁) 且由通孔所連接（較佳鍍銅而常為0.005至0.125吋直徑） 且較佳為G.GG8至0.G19付直徑3基板層利用特定溫度及 堡力輪扉之溶合程序直接結合以形成多層結構IGG(如下列 步驟詳述），其令包含均質介電材料。熔合程序係為熟悉 衣造多層聚四氟乙烯陶瓷/玻璃（PTFE)電路技藝者所瞭解 。但該程序之範例簡介係描述如下。 ‘展屋力錯處液.廣壓機首失加熱基板超通卫T.FE融點而 達成笟舍，係由一帶銷的配件固定該層的校準以穩定流動 °在程序期間，PTFE樹脂變成一黏性液體狀態，而相鄰 廣在堡力下熔解。雖然結合壓力常從約1〇〇psi變成約 1〇〇PS〖、且結合溫度常從約350。(：變到450t , —輪廓範例 為200PSI，並有從室溫至240t之40分鐘斜度、至375°C之 45分鐘斜度 '至375t：之15分鐘斜度 '至35。(：之90分鐘钭 度。 多層結構1 00可用以具體實施有效微波混合器電路， 譬如第2圖所示之電路2〇〇或第3圖所示的電路3〇〇，電路2〇〇 及電路3 〇〇構成本發明之兩個較佳實施例，但是，可瞭解 其他電路可能具體實施多層結構的一般結構，且可採用較 >或較多層數。亦知熟悉設計通孔技藝者可設計與目前所 提出為不同形狀及/或直徑之通孔，下列係描述電路200及 電路300 3 混合器之兩個實施例 -11 - 454362 A7 --- - B7 五、發明說明（9 ) 請參照第2囷，電路200利用傳輸線以形成平衡_不平 衡轉換25，傳輪線的阻抗可用布瑞寇曼 式由尺寸算出’其描述於剛司登M.A.R.，微波僂輪磕钻阳 ㈣料-，諾貝爾出版（！996)。電路200所用的傳輸線阻抗 常為約25歐姆至約100歐姆範圍，係根據電路之所需頻率 響應來選擇阻抗（性能與頻寬方面）。 _較佳實施例中，矩形同軸偉給_線奴丄（包含頂磨壁2〇8 、中心導體209、及底磨壁210)具有.5._〇1姐軋抗.，同時矩 形的同执氬致線(包含頂磨壁222 、中心 導體223 '及底 磨壁234)'亦友5JGL歐JSJaii。矩形同袖傳輸線2〇γ包含頂磨 壁211、中心導體212 '及底磨壁213)昇亨25歐橛限抗，矩 形同軸傳輪線204(包含頂磨壁214、中心導體215 '及底磨 壁2 16、县有25S1:姐1¾抗《傳輸線201、202、203、204的長 度較佳設計成電路200作業頻率之四分皮長，傳輸線 可設計成其他長度，誓如約0.10波長至約0.6波長，但如 此將使作業頻寬產生偏移。一較佳實施例中，對於約 2.5GHz作業及有約〇.9GHz至約6GHz頻寬之電路.，四分之 一波長等於0.595吋。 傳輪線221(在一較佳實施例中為一懸浮基板傳輸線， 但在另一實施例中可由另一具有高阻抗的結構（譬如微帶） 所取代）係提供接地。包含傳輸線202及221之平衡-不平衡 轉換器係決定電路200之作業頻宽、建立一LO埠240阻抗 匹配...將夫半衡.的LQ,痒24〇阻轉擎成在二極體兔231上 ，吝平衡的二掩體阵抗(.由肖特基二極體217、218、219、220 本紙張尺度通用中囷國家標IE (CNS)A4規格（210 X 297公釐） (磧先Mit背面之注意事項再填寫本頁) ^------- 訂---- ----線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社 A： ____；__B7__ 五、發明說明（10 ) 所構成）、並導致一微波訊號分裂180度偏離相位。包含傳 輸線201、203、204之平衡-不平衡轉換器係在IF埠250上 產哇一虛擬地面、亦決定電路200之作業頻寬、建立一 RF 埠260阻抗匹配、將未平衡的RF埠260阻抗轉變成在二極 體環235上之平衡的二極體阻抗、並導致一微波訊號分裂 180度偏離相位。電路200之作業之一更詳細解釋可見於發 予洛科西斯之美國專利5,867,072號，以提及方式併入本 文中。 請參照第3圖’電路300具有許多與電路200相同之組 件’且相同的組件已標有相同編號。 一較佳實施例中，矩形的同軸傳輸線305(包含頂磨壁 325、中心導體326、及底磨壁32 7)及矩形的同料傳輸線3 〇6( 包含頂磨壁328、中心導體329、及底磨壁330)皆有25歐姆 阻抗及四分之一波長長度。 包含傳輸線202、305 ' 306之平衡-不平衡轉換器係提 供虛擬地面370 '決定電路300的作業頻寬、建立一l〇槔24〇 阻抗匹配、將未平衡的LO埠240轉變成二極體環235上之 平衡的二極體阻抗、並導致一微波訊號分裂18〇度偏離相 位。包含傳輸線201、203 ' 204之平衡-不平衡轉換器係在 電路300中提供與電路2〇〇所述相同功能。 IV.雙平衡混合器之作t 電路200及電路300係為利用肖特基二極體以倍加訊號 之雙半衡環混合器，係根據雙乎衡環混合蔡孓敷學式來產 生合頻與差頻，其為熟悉本技藝者所知，下文為電路2〇〇 I--•裝-------訂--------*線 (請先閱讀背面之泼意事項再填寫本頁) 13 454362 A7 ----- B7 五、發明說明（Π) 與電路300之一較佳應用之功能描述。 一第一微波訊號係射在RF埠260上並在傳輸線201、 203 ' 204構成之平衡-不平衡轉換器的長度行進前往二極 體環235。比第一微波訊號更大至少約」〇ί1Β之一第二微波 訊號係射在LO埠240上並在電路200中的傳輸線2〇1及211 構成之平衡-不平衡轉換器（或電路3〇〇中的傳輸線202、305 、306形成之平衡-不平衡轉換器）的長度行進前往二極體 環235。為了有適當作業’第二微波訊號具有可使二極體 環_235將第一微波訊鍊..連.接，至if痒25〇之一功率值，因此使 得第一微波訊號的相位對於第二微波訊號的各週期的一半 而切換I 8 0度。 利用電路300作為圖示’在l〇埠240上的一微波訊號 之各前半部週期t’二極體217、218關閉且二極體219及220 開啟。在微波訊號之各後半部週期中，二極體2Π、218開 啟且二極體2丨9及220開啟.所生成的切換作用係僅中心導 體212及215經由中心实趙32.6及329往地面轉向，.在RF埠 200上的一幾波訊號之相供翻轉丨8〇麾' 且藉由l〇埠mo上 的微波訊號的一頻率之一方波在RF埠260上有效地倍加微 波訊號，結果係為合頻與差頻。 電路2〇0及電路300具有在埠260與LO埠？40上的訊 輩々間的固直隔雜之特徵》雖然二極體217、218、219、220 具有複雜的阻抗’對於各分離頻率係為固定阻抗，使得二 極體環235的功能作為一平衡的橋部，RF埠260上的訊號 係同樣與LO埠240相隔離。 本紙張尺度適甲中國國家棵辜（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) ^.1 —---—訂-------1 ·線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14 經濟部智.«財產局員工消費合作社印製 A： _ __B7_______ 五、發明說明（12 ) V.矩形同軸傳輸線 矩形傳輸線之較佳實施例的一剖面顯示於第4圈中， 係由在適當層上的適當寬度的姓刻_線程序及鑽設通孔、 並隨後將層結合並電鍵通孔（另一較佳實施例中，通子L係 在層結合之前而非之後進行電錢）而產生矩形同轴傳輸線 400。矩形同料傳輸線400的水平壁431及434係藉由兩層相 對側上蝕刻的銅線所形成。係由在面對另一層之一層側上 的銅線蝕刻來形成矩形同軸傳輸線400之中心導體43 3，係 由可分隔約達0.060吋之電鍍通孔來構成矩形同轴傳輸線 400之的垂直壁432及43 5。 譬如’請參照第5圖，延伸過層2及3之26個外部通孔532 係形成垂直壁432 ’延伸過層2及3之1 8個内部通孔53 5係形 成垂直壁4 3 5。水平壁4 3 1係姓刻在層2的頂側上，水平壁4 3 4 係#刻在層3的底側上，而銅線533代表的中點433係钱刻 在層3頂側上。 VI 對於第二較佳實施例之製程描述 雖然已由電路200及電路300提供兩較佳實施例，兩電 路有類似的製造方式。下文逐步驟描述用以製造包含電路 300多層結構1〇〇所用之程序。可瞭解所用數量（譬如舉例 來說：尺寸、溫度、時間等）係為约略值且可能改變、熟 悉本技藝者瞭解可以不同順序進行特定步驟。用以構成此 一多層結構之程序係揭示於1998年2月13曰申請名為‘，採用 氟聚合物複合物質之微波多功能模組之製法..之美國臨時 專利申請60 074.57丨：及1998年】I月25日申請同標題之美 ^ i ^ g A 'CNSiA·! ----- -------------裝-------訂.--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15 4 5 4 3 6 2___B7 五、發明說明（13) 國臨時專利09/199,675號，以提及方式併入本文中。 亦瞭解圖十顯示完成所有施用步驟之後所出現的層輪 廓’因此’部份圖中顯示在所有層結合之前不存在的層邊 緣處之角孔及槽’且如第I8a及18b圖所示，槽1850銑製且 角孔1860鑽製在總成1800中。 此外，亦瞭解數百個電路通常一次製造在在一基板面 板上的一陣列中。因此，一典型罩可能有一相同樣式的陣 列。 a.次總成600 參照第6、7a、7b、8、9a、9b、9圖，次總成600係由 下列程序製造，首先，約有0.010吋直徑的兩孔如第7&及 第7b圖鑽入層3中。接下來，層3係為鈉蝕刻，對於即將鍍 銅的一 PTFE基的基板作鈉蝕刻所用程序係為熟悉電錄 PTFE基板技藝者所瞭解。然後，用酒精沖洗15至3〇分鐘 以清潔層3，較佳接著用70至125T溫度之水（較佳為消電 離水）沖洗至少15分鐘。層3接著在90至180eC作真空焙製 .約30分鐘至2小時、但較佳為I49t進行一小時。層3係释 巧’較佳首先用一無電方法（electro丨ess method)，然後用 一電解方法’成為約0.0005至0.001吋厚度。層3較佳在水（ 較佳為消電離水）中沖洗約1分鐘。層3在加熱至約9〇至125 °CS度約5至30分鐘’但較佳在90°C約5分鐘，然後以光阻 相疊層。使用_罩並利用適當暴光設定而使光阻顯影以產 生第7a圖所示樣式。層3的頂側係為銅蝕刻，銅蝕刻所用 程序係包含施用一強鹼或強酸以移除銅，且為熟悉銅姓刻 各紙扳尺度週用令國國家螵準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .衣---------- 訂---------線* 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製. 16 A： —--------B7______ 五、發明說明（14) 技藝者所瞭解=用酒精沖洗丨5至3 〇分鐘而清潔層3、較佳 接著用70至12) F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少15 分鐘。層3接著在90至U〇°C作真空焙製約30分鐘至2小時 、但較佳為149 C進行一小時a · 如第8圖，層2係以魚§艮（Sp0tface(j)(有時亦稱為·逆孔 (counterbored)”）經過基板約有0.005至〇〇〇8吋深度而不破 裂’層2在魚眼側上作銅蝕刻以移除銅。用酒精沖洗約J 5 至3 0分鐘而清潔該層2、然後較佳以7〇至丨2 5卞水（較佳為 消電離水）沖洗至少15分鐘β層2在9〇至18〇它以真空焙製 約30分鐘至2小時、但較佳以149。〇進行一小時。 層2、3已由上述程序處理之後，其係以彼此遠離的覆 銅側相熔合，如第9c圖所示。然後，約有0.0丨5吋的68個 扎係如第9b圊所示鑽入結合層2、3中，結合層2、3為鈉蝕 刻，用酒精沖洗約1 5至30分鐘而清潔結合層2、3，然後較 佳以70至125下水（較佳為消電離水）沖洗至少15分鐘。結 合層2 ' 3係接著在9 〇至！ 8 〇 t以真空焙製約3 〇分鐘至2小時 、較佳為1491進行一小時。結合層2、3係鍍銅，較佳首 先利用一無電方法然後用一電解方法，成為約〇.〇〇〇5至 0.001吋厚度。结合層2、3較佳以水（較佳為消電離水）沖 洗至少1分鐘。結合層2、3加熱至約9〇至125°C溫度約5至30 /刀鐘，但較佳為901及5分鐘、然後以光阻相疊層。使用 覃並利用適當暴光設定而使光阻顯影以產生第外園所示樣 式。層3的底惻為銅蝕刻3用酒精沖洗丨5至3〇分鐘而清潔 層2、3、較诖接著用7 〇至丨2 F溫度之水（較佳為消電離水) *· 1 1 - -----. I-. 、ϋ.工-2i ：CSS>AA :： ------ — — — — — — — *--I----^ ·1111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 454362 A7 經濟部智髮財產肩員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（15) 沖洗至少15分鐘。結合層2、3接著在90至180 °C真空焙製 約30分鐘至2小時，但較佳為149°C進行一小時，形成第6 、9a、9b、9c所示之次總成600 ° b.次總成丨300 相對於第 11a、lib、12a、12b'.1.3a、I3b、I3c 圖， 係施加下列程序而製造次總成1300。 首先’具有約〇.〇 10吋直徑的三個孔係如第Ua圖鑕入 層5 ’層5為鈉蝕刻’用酒精沖洗15至30分鐘以清潔層5、 然後較佳以70至125°F溫度的水（較佳為消電離水）沖洗至 少15分鐘。層5然後在約90至18〇t作真空焙製約30分鐘至 2小時、但較佳以149°C進行一小時。層5鍍有銅，較佳先 用一無電方法然後用一電解方法’成為約〇·〇〇〇5至〇.〇〇 1 吋的厚度。層5較佳以水（較佳為消電離水）沖洗至少丨分鐘 °結合層5加熱至約90至125°C溫度約5至30分鐘，但較佳 為90 °C及5分鐘、然後以光阻相疊層。使用一覃並利用適 當暴光設定而使光阻癍影以產生第11b圖所示樣式s層〗的 底側為銅蝕刻。係由酒精沖洗15至3〇分鐘而清潔層5、較 佳接著用70至125°F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少 15分鐘。層5接著在90至180°C真空焙製約30分鐘至2小時 '但較佳為149eC進行一小時。 約有0.019吋直徑的三個孔係如第！ 2a及i2b圓鑽入層6 中，層5係為鈉蝕刻，藉由酒精沖洗15至3〇分鐘以清潔層6 '然後較佳以70至125 T溫度的水（較佳為消電離水）沖洗 15至30分鐘。層6然後在約卯至丨川艺作真空焙製約3〇分鐘 冬纸張尺度適用由國1家標準（CNS)A4規格（2]〇χ 297公发） I — — — — ^— — —11· —--1--—_線|、 (請先閱^背面之沒意事項再填窵本頁) 18 經-部智慧財產局員工消費合作祍印製 Λ7 __________B：_____ 五、發明說明（16) 至2小時、但較佳以149ΐ進行一小時。層睛有飼，較佳 先用一無電方法然後用—電解方法’成為約0._5至〇,〇〇1 寸的厚度層6較佳以水（較佳為消電離水）沖洗至少丨分鐘 。層6加熱至約90至125°C溫度約5至30分鐘-但較佳為90 t：及5分鐘、然後以光阻相疊層。使用一罩並利用適當暴 光設定而使光阻顯影以產生第12a圖所示樣式。層6的頂側 為銅蝕刻。用酒精沖洗15至3〇分鐘而清潔層6、較佳接著 闬70至125 F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少〖5分鐘 。層6接著在90至180艺真空焙製約3〇分鐘至2小時、但較 佳為149°C進行一小時3 利用上述程序處理層5、6之後，係以彼此相遠離之覆 銅侧相熔舍，如第1 3 c圖所示。然後，約有〇. 0丨5吋直徑的 40個孔及約有〇‘〇10吋直徑之9個孔係如第13a、nb圈鑕入 結合層5、6，結合層5、6為鈉蝕刻’用酒精沖洗15至3〇分 鐘而清潔結合層5、6 '較佳接著用70至12 5 溫度之水（較 佳為消電離水）沖洗至少丨5分鐘a結合層5、6接著在90至1 80 C真空赔製約3〇分鐘至2小時、但較佳為！49°c進行一小時 。結合層5、ό係鍍銅’較佳先用一無電方法然後用一電解 方法’成為約0.0005至0.001吋的厚度*結合層5及6較佳 以水（較佳為消電離水）沖洗至少1分鐘，結合層5、6加熱 至約90至1251溫度約5至30分鐘，但較佳為90。(：及5分鐘 、然後以光阻相疊層。使用罩並利用適當暴光設定而使光 阻顯影以產生第13a及13b圊中結合層5、6所示樣式。結合 層）的頂側與結合層6的底側為銅蝕刻，用酒精沖洗1 5至3 0 - CXS).A ! 裝--------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 543 6 2 A7 I------;------ B7 五、發明說明（17) 分鐘而清潔結合層5、6'較佳接著㈣至1257溫度之水( 較佳為消電離水）冲洗至少15分鐘。結合層)·、6接著在9〇 至1贼真空培製約3〇分鐘至2小時、但較佳為wc進行 一小時’形«13a、13b及13c圖所示之次總成13〇卜 c. 層4 请參照第14a及14b圖，描述層4之製造程序。首先’ 約有o.olo吋直徑的14個孔係如第14a及丨4b圈鑽入層4中， 層4為鈉蝕刻，藉由酒精沖洗15至3〇分鐘以清潔層4、然後 較佳以70至125T溫度的水（較佳為消電離水）沖洗15至3〇 分鐘。層4然後在約90至i8〇°C作真空焙製約30分鐘至2小 時、但較佳以149 C進行一小時。層4鍍有銅’較佳先用一 热電方法然後用一電解方法，成為約〇 〇〇〇5至〇 〇〇1吋的 厚度。層4以水（較佳為消電離水）沖洗至少丨分鐘。層4加 熱至約90至125 C溫度約5至30分鐘，但較佳為9〇°C及5分 鐘、然後以光阻相疊層。使用罩並利用適當暴光設定而使 光阻顯景> 以產生第14a及14b圖所示樣式••層4的兩側為銅 姓刻a用酒精沖洗15至30分鐘而清潔層4、較佳接著用7〇 至125 F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少15分鐘。層4 接著在90至180°C真空焙製約30分鐘至2小時、但較佳為149 SC進行一小時。 d. 層7 請參照第15a及15b圖，描述層7之製造程序。首先， 約有0_019吋直徑的3個孔、約有O.oio付直徑的13個孔、 及約有0.043吋直徑的4個邊緣（角）係如第i5a及15b圖鑽入 本纸張尺度通用*國國家標邊（CNS)A4規格（210 X 297公釐） .衣 (請先wif-背®之-注意事項再填寫本頁) .SJ- -線. 經濟邨智慧財產局貞工消f合作社印製 20 經濟部智慧財產局員工消費合作技印製 A7 __________Β：____ 五、發明說明（18) 層7中，層7為鈉蝕刻，藉由酒精沖洗15至3〇分鐘以清潔層 ,二後以70至〖25 F溫度的水（較佳為消電離水）沖洗丨5至 30分鐘。層7然後在約9〇至18〇充作真空焙製約％分鐘至2 小％、但較佳以149t進行一小時。層7鍍有銅，較佳先用 热i方法然後用一電解方法，成為約〇·〇〇〇5至〇.〇〇丨对 的厚度。層7以水（較佳為消電離水）沖洗至少丨分鐘。層7 加熱至約90至125 C溫度約5至3 0分鐘，但較佳為go °c及5 分鐘、然後以光阻相疊層。使闬一罩並利用適當暴光設定 而使光阻顯影以產生第15 a圖所示樣式a層7的頂側為銅蝕 刻。用酒精沖洗1 5至3 0分鐘而清潔層7、較佳接著用7 〇至12 5 F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少15分鐘。層7接著 在90至18(TC真空焙製約30分鐘至2小時 '但較佳為i49°C 進行一小時 ^層1 請參照第16圊’描述層1之製造程序，層1如第丨6圖製 成魚眼狀經過基板約有〇.〇 15至0.025吋深度而不破裂，層 i在魚眼側受鈉蝕刻以移去銅，用酒精沖洗丨5至3 0分鐘以 清潔層I、然後較佳以70至125T溫度的水（較佳為消電離 水）沖洗至少15分鐘。層1然後在約90至18〇t作真空焙製 約30分鐘至2小時、但較佳以149°C進行一小時》 f.次總成17〇〇 請參照第17a及17b圖，在製造層4'7及次總成600、1300 之後，係熔合形成次總成1 700。次總成1700加熱至約90至 溫度約5至30分鐘、但較佳為90t及5分鐘、然後以 ----* I I---I I ^ *— — — — — —11— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2] A7 4543 6 2 ___ B7____ 五、發明說明（19 ) 光阻相疊層。使用一罩並利用適當暴光設定而使光阻顯影 以產生第17a圖的次總成1700上所示樣式。次總成17〇〇頂 側為銅蝕刻。用酒精沖洗15至30分鐘而清潔次總成1700、 較佳接著用70至125下溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至 少15分鐘·>以加工移除層2的魚眼狀產生之魚眼拴，二極 體217、218、219、220係知第17a圖所示到用焊夺f兮佳為 Sr^AgO4焊爹、或另一型焊爹如Sn63Pb37焊爹）安装在總< 另一實施例中，用熔接或用傳導性環氧化物安裝 二極體217、218、219、220。以酒精沖洗15至30分鐘而再 次清潔次總成1700、然後較佳用7〇至125°F溫度之水（較佳 為消電離水）沖洗至少15分鐘，次總成1700然後在約90至 180°C作真空焙製約30分鐘至2小時、但較佳以i49°C進行 一小時。 g-總成1800 請參照第18a、1 8b、18c圖，施用下列程序以製造總 成1800 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 利用一結合膜來結合次總成1700及層1，以如第18c圊 形成總成1800，一較佳實施例令，結合族為根據2〇〇ρ§ι輪 靡固化之約0.0015吋厚之一熱塑性聚合物融物結合膜，並 有乂室溫至150C之30至60分鐘斜度、約15〇。〇之50分鐘停 镇、至至溫之10至60分鐘斜度。另一實施例令，可用其他 型結合膜，一般係遵照對於結合之製造廠規範。約有〇〇19 吋直徑之8個孔係瓒製、且4個槽丨85〇係如第18a圖銑製在 總成1800中（尚未鑽製四個角孔186〇)。總成18〇〇係為鈉蝕 ” 國家標準（CNS)Aj 規格（21Gx297 )---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（20 ) 刻，用酒精沖洗15至30分鐘而清潔總成18〇〇、較佳接著用 70至125 F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少15分鐘。 w成1800然後在约9〇至i25°C作真空焙製約45至90分鐘、 但較佳以loot進行-小時。總成18〇〇係鍍銅，較佳先用 一热電方法然後用一電解方法，成為約〇 〇〇〇5至〇 〇〇1吋 的厚度。總成1800以水（較佳為消電離水）沖洗至少丨分鐘 ，總成1800加熱至約90至125。(：溫度約5至3〇分鐘，但較佳 為90°C及5分鐘、然後以光阻相疊層。使用一罩並利用適 當暴光設定而使光阻顯影以產生第18b圖所示樣式（其中層 7係受暴光）^總成18〇0的頂側為銅蝕刻。用酒精沖洗15至 30分鐘而清潔總成18〇〇、較佳接著用7〇至125卞溫度之水（ 較佳為消電離水）沖洗至少丨5分鐘。總成丨8〇〇係鍍錫或鉛 ，然後錫/鉛電鍍係加熱至融點以使多餘電鍍再度流入一 焊接合金中。以酒精沖洗1 5至30分鐘而清潔總成丨8〇〇，然 後較佳以70至125 F溫度之水（較佳為消電離水）沖洗至少 15分鐘。 約有0.078吋直徑之四個角孔186〇係鑽入總成18〇〇中 ，總成1800係用一去板法（depaneiing meih〇d)除去板部（可 能包括鑽製及銑製、鑽石鋸及/或受激準分子雷射），以酒 精沖洗15至30分鐘來清潔總成18〇〇、然後較佳以7〇至ι25 F溫度的水（消電離水）沖洗至少15分鐘。總成丨8〇〇接著在 約90至125°C作真空焙製約45至90分鐘、但較佳為一小時 及 90°C。 VII.其他實施例 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — 11 — — — — — — — · I I (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -6. .線. 23 A7 454362 __B7___ 五、發明說明（21 ) 可知熟悉本技藝者可能根據上述電路30製程來製造電 路200，可同樣容易地藉由分別以第5圖的層2及3及第19圖 的層5、6、7來取代第6圖的層2及3及第10圖的層5、6、7 ’並以明顯方式（譬如鑽製不同孔數並用不同的罩）改變製 程，而建造電路200。 此外，雖已顯示並描述指出本發明適用於實施例之基 本新特徵，可知熟悉本技藝者瞭解可作出本文所述之本發 明形式及細節之不同省略及替代及變更，而不背離本發明 神進行大致相同功能之這些元件及/或方法步辑之 2有^。（係有達成相同結果之大致相同方式）顯然位於本 乾圍中，因此，僅受限於申請專利範圍之範疇。 *-·^--------^---------^ ^ Μ ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工湞費合作社印製
24 A7 _B7 五、發明說明（22 ) 元件標號對照 1.2J,4,5,6,7…基板層 240". LO埠 100…多層結構 250---IF 埠 200,300…電路 260…RF淳 201.202,203,204,221,305,306, 370…虛擬地面 400…矩形同轴傳輸線 43 1,434…水平壁 208,21 1,214,222,325,328 432,435-.·垂直壁 …頂磨壁 532··，夕卜 # 209,212,215,223,326,329, 533…銅線 433…中心導體 53 5…内部通孔 210,213,2 16,234,327,330 600，丨300，1700…次總成 …底磨壁 18 0 0…總成 217,218,219,220···肖特基 1850…槽 二極體 1860…角孔 235…二極體環 ------------—裝--------訂-------f *線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)