CN1737592B - 用于在平板显示器基板上执行tft元件的电子束测试的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一设备和以电子束测试数个液晶显示器的方法，该液晶显示器包含数个非均匀电极其具有一导电部和一介电部。依照本发明方法，因为增加该电子束直径，所以该电子束较不聚焦，亦即，该电子束在一非均匀电极区域上面被放大或被模糊化。增加该电子束的直径，使得电子束可自该非均匀电极区的该导电部产生数个二次电子。所配置的测试电子束可以为圆形、椭圆形或是其他适当形状。

Description

用于在平板显示器基板上执行TFT元件的电子束测试的方法和装置
技术领域
本发明是有关于测试一平板显示器的数个像素。详言之，本发明的具体例是有关于引导一电子束至一非均匀电极区上面来测试数个像素。
背景技术
过去数年来，通常一电脑和其他电子制品用的显示器，是一阴线射线管、或称为CRT。该CRT在二十世纪的下半世纪是作为个人电脑(PC′s)和电视的标准显示器。该CRT一般是在一弯曲的玻璃基板上运作来形成一显示器。
近年来，商业上已发展出主动阵列液晶显示器、或称为LCD。该LCD具有一些胜过CRT的优点，包含具有较高的画像品质、重量较轻、需要电压较低、以及较小的电能消耗。用于平板显示器方面，LCD显示器是有利的，而且最近有许多手持式电子装置也已经商业化，诸如计算机萤幕、个电数位助理(PDA)萤幕、手提电脑(笔记型)萤幕、行动电话显示器、以及小型电脑及电视萤幕。此外，大型LCD显示器目前已在消费市场被采用作为平面萤幕电视。
主动阵列LCD的一种型式，包含夹于一TFT阵列基板与一彩色滤光片基板之间的液晶材料。该TFT阵列基板包含一阵列的数个薄膜电晶体(TFT′s)，该数个薄膜电晶体是各自连结至一像素电极。该彩色滤光片基板包含不同的彩色滤光片部分以及一共同电极。当一特定电压施加至一像素电极，在该像素电极与该共同电极之间产生一电场，使该液晶材料产生配向，可使光线通过该特定像素。
图1是显示一液晶显示器100的概略图，其包含有一均匀像素电极。该图是下载自目前的富士网站http://www.fme.fujitsu.com/products/displays/lcdvatech.html。液晶材料120是夹在该TFT阵列基板110′与该彩色滤光片基板110″之间。因为该TFT阵列基板110′包含一均匀像素电极112′，当一特定电压施加在该像素电极时，该液晶显示器的这些数个分子是配向在一单一方向。该显示器100的该光线强度是取决于相对于该液晶配向的观看角度。因此，具有均匀的像素电极的该TFT-LCD的缺点是有效视角狭窄。
图2是显示一液晶显示器200的概略图，其包含有一非均匀像素电极。该图是下载自目前的富士网站http://www.fme.fujitsu.com/products/displays/lcdvatech.html。液晶材料220A及220B是夹在该TFT阵列210′与该彩色滤光片基材210″之间。该TFT阵列基板210′包含一非均匀像素电极212′。该非均匀电极包含形成于一导电区的上面的数个介电线。这些数个介电线使该液晶材料可朝向多种方向设置。结果，观察者从不同角度观看该显示器200时，看起来似乎较为鲜明。这种型式的显示器被称为一多区垂直调准(multi-domain vertical alignment，MVA)显示器，其具有一非均匀电极，其包含形成在一导电区上面的数个介电线。
图3和4是显示MVA显示器的一个例子的概略图，其中该液晶是配向于四个方向，称为A区、B区、C区、和D区。在图4可以看到6个像素其具有数个介电线218形成在数个导电部220B、G及R上面。这些数个介电线218用以区分并调准在一像素内的该液晶成为数个调准配向。
具有非均匀电极的显示器的另外一种型式，被称为面板内切换式(In PlaneSwitching；IPS)显示器，该显示器包含形成在该TFT阵列基板上的一对电极。在一配置，该IPS显示器采用一对成型为联锁指形(interlocking fingers)电极。该液晶显示器维持与该基材平行。结果，可以增加显示器的视角。
当MVA型式及IPS型式显示器的尺寸增加，制造厂商必须在基板上增加更多的像素以及电晶体。具有通常技艺者应了解甚至一中等尺寸的彩色显示器，也可能采用数百万个电晶体。若其中有任何电晶体发生问题，会在显示器产生一具有缺陷的像素。当电晶体数量增加时，在一显示器具有不良电晶体的可能性越高。因此，作为品质控制的一部分，一大型LCD的制造厂商会对显示器数个像素的全部或是一部分进行测试。
在工艺中电子束测试(EBT)能够被使用来监控并检修缺陷。在一典型的EBT步骤，探测在这些像素内的TFT的回应来提供一缺陷资料。例如，在EBT测试，对这些薄膜电晶体施加特定电压，且在测试时该电子束被引导至这些被调查的各自像素电极。通过感知从该像素电子区域放射的二次电子来决定该TFT电压。
在测试时，一电子束被放置在该TFT阵列的各像素电极上面，一个接着一个。为了完成此移动，一基板首先被放置在位于一电子束柱下面的一工作台上。一基板区域(有时称为次显示器区域)可以在该电子束柱的下面移动。当一基板区域的次显示器区域位于该电子束柱下方时，该电子束依顺序被移动至该基板区域内的各像素电极上面。在此区域被测试后，工作台被移动来测试下一区域。在一些较新的系统，二至四电子束被并行利用来测试分开的基板区域。
由该非均匀电极的该导电部和介电部的存在，电子束测试包含非均匀电极的显示器时是有问题的。结果，希望提供一种测试包含非均匀电极的显示器的改良方法。
发明内容
本发明是提供一设备和液晶显示器电子束测试方法，该液晶显示器包含具有一导电部和一介电部的数个非均匀电极。依照本发明方法，因为增加该电子束直径，所以该电子束较不聚焦，亦即，在一非均匀电极区上面被放大或被模糊化。该电子束的该直径增加，因此电子束产生来自该非均匀电极区的该导电部的数个二次电子。所配置的测试电子束可以为圆形、椭圆形或是其他形状。
附图说明
图1是包含均匀电极的液晶显示器的一像素的概略图。
图2是包含非均匀电极的液晶显示器的一像素的一具体例的概略图。
图3和4是例示MVA显示器其液晶可以配向在四个方向的概略图。
图5是例示电子束测试(EBT)系统的一概略示意图。
图6是非均匀电极区域的具体例的一概略示意图。
图7是非均匀电极区域的另一具体例的一概略示意图。
图8是又另一非均匀电极区域的一概略平面图。
图9是又另一非均匀电极区域的一概略平面图。
主要元件符号说明：
100、200  液晶显示器         110′、TFT阵列基板
                             210′
110″、   彩色滤光片基       112′  均匀像素电极
210″     板
120、220  液晶材料           212′  非均匀像素电极
220A、    液晶材料           218    介电线
220B
220G、    液晶材料            305    底座
220R
310A、   支撑构件        312    凹槽
310B
315      轮或脚轮        320    升降臂
500      电子束测试系    505    探测器
         统
510      主框            520    探测器储存构件
524      可伸缩门        522    架
540      负载锁定室      525A、 EBT柱
                         B、C、D
550      测试室          600    非均匀电极区域
622      导电部          618    介电线
624      导电部          700    非均匀电极区域
725      电子束          800    非均匀电极区域
818      二邻接区线      825    电子测试束
900      非均匀电极区    918′、电极
         域              918″
924      介电部          925    电子测试束
具体实施例
因此，参照以下本发明的具体例及附加图示的说明，能够对本发明上述所叙述的特征及上述摘要，更清楚明白。应了解附加图示、实施例说明只是本发明的典型具体例，本发明并未限定在此范围，本发明的范围是包含其他等效具体例。
图5是例示电子束测试(EBT)系统的一概略示意图。该例示的EBT系统500能够测试大型面板基材，可以大至1.9公尺乘2.2公尺以上。该EBT系统500是作为例示性的目的，应了解任何尺寸的任何EBT系统可以经过修改来实施本发明所揭示的方法。
该电子束测试系统500通常包含一探测器储存构件520、一探测器传送构件530、一负载锁定室540、以及一测试室550。该探测器储存构件520可容纳一或多个邻近该测试室550的探测器505，用以方便使用以及收回。最好是该探测器储存构件520配置于该测试室550的下方，如图5所示，以降低为了达到无污染及有效运作用所需要的无尘室空间。该探测器储存构件520的尺寸最好是约等于该测试室550的尺寸，并配置在支撑该测试室550的一主框510的上面。该探测器储存构件520包含配置在该主框510上的一架522，用以支撑一或多个探测器505。该探测器储存构件520可以更包含一可伸缩门524，其能密闭该储存区域并且在未使用时可以保护所储存的探测器505。
该探测器传送构件530是一模组单元，配置在该测试室550的附近，用以在该探测器储存构件520与该测试室550之间传送一探测器505。该探测器传送构件530包含一底座305其连接二或更多个垂直支撑构件310A、310B(图示中示出二个)。若需要时，数个轮或脚轮315可以配置在底座305的一底部表面，用以使该探测器传送构件530可以方便地调动。
该探测器传送构件530更包含一升降臂320其安装在该支撑构件310A、310B的一末端。该支撑构件310A、310B各自包含一凹槽312(有图示其中一个)，用以与该升降臂320吻合衔接。这些凹槽312中的一个或二个可以容纳一线性致动器、一空气汽缸、一水力汽缸、一磁驱动器、一步进器、或一伺服马达、或其他型式的移动元件(未图示)。该凹槽312可搭配该移动元件(未图示)一起动作，用以引导并使该升降臂320方便进行垂直移动。该升降臂320是配置成可以插入该测试室550或进入该探测器储存构件520，用以收回和传送该探测器505。
该负载锁定室540是配置于邻近并连结至该测试室550。这些室540、550共用一共同环境，其通常是通过贯通连接该测试室550的一帮浦维持在真空状态(未图示)。该负载锁定室540在该测试室550与该外部之间传送基板，该负载锁定室540通常是在大气压下的一无尘室。该负载锁定室540可以一独立处理环境运作，其能够依照是系统需求而被加热或被冷却、以及被加压或被减压。因此，负载锁定室540能够在不暴露于外部的方式将数个基板传送进或传送出该测试室550。
图5显示四支EBT柱525A、B、C、D。该EBT柱525A/B/C/D配置在该测试室550的一上表面。当被启动时，这些柱传送一电子束至该基板上的这些电极，用以在测试时激发这些电极。
关于测试这些像素的进一步细节、以及例示EBT测试系统500的操作及特征，如申请中的美国专利申请号码6,833,717号，公告日期2004年12月21日。该申请案的案名为″具有积体电路板传送模组的电子束测试系统″，该申请案以引用的方式并入本文。
在测试时，一基板是放置在位于该电子束下方的一工作台上，该电子束被移动并依顺序测试该TFT阵列的这些电极。观测到使用EBT对一MVA型式显示器进行测试时，在该TFT阵列基板上所形成的数个绝缘线，会干扰该电子反应。例如，参照图4，在EBT进行测试一MVA型式显示器，希望该电子束激发位于在这些介电线218之间的这些暴露的导电部220B/G/R上的数个电子。然而，一电子束可以非故意地被引导至主要位于这些绝缘线218其中之一的上面，而非位于一导电部的上面，而干扰来自该导电区的电子反应。同样地，观测到一IPS显示器的该导电线指形结构会干扰该电子反应。例如，一电子束会被引导至主要位于一对电极之间的一介电部，因而干扰该电子反应。在各例子，当一电子束是单独位于该介电部时所探测到的二次电子的信号，是与该电子束位于该导电部所探测到的不同。
希望避免该电子束因为在一非均匀电极区域内的不同位置而产生不同的电子信号值的情形。因此，本发明的方法是采用一放大或「散焦(defocused)」测试电子束，其实质上产生一平均或混合信号。换句话说，是增加该测试电子束的直径，可以实质上减少该介电部的信号干扰。
图6是一非均匀电极区域600的具体例的一概略示意图。希望使用该非均匀电极区域600代表一MVA型式显示器的一单一像素。该介电线618是形成在一导电部622和624的上面。在该例示非均匀电极600，导电部624是暴露在这些绝缘线618之间。
为了克服测试该MVA型式显示器时的不一致的电子束反应问题，增加该电子束的直径，或称为「模糊化(blurred)」，至该介电线618宽度的2倍至10倍(或更多)之间。在一态样，该电子束的直径增加为该介电线618的宽度的约4倍至8倍之间。在一非限定的实施例，该介电线618的宽度约为10微米。在此例，该电子束的直径增加至约20微米至100微米之间。增加该电子束的直径会导致较少比例的这些介电线618被充电，而实质上是使这些介电线618对电极激发的影响被加以平均。
一电子束625如图6所示，在测试时被引导至该非均匀电极600的一部分上。在此，该电子束625通常是圆形。该电子束625的直径比这些不同的介电线618大许多。
亦可以采用其他的电子束架构。图7是非均匀电极区域700的另一具体例的一概略示意图。在此，该电子束725通常是椭圆形。该电子束725的直径是测量横跨其较短的轴而得到。
亦可以测量该″模糊化″电子束的尺寸来与该像素电极区域本身进行比较。在此，该方法的一具体例，该电子束区域被增加至具有约被测试的该非均匀电极区域的至少约50％。图8是又另一非均匀电极区域800的一概略平面图。显示有二邻接的线818位于该非均匀电极区域800上面。该像素区域被设置成为一般性区域，因此这些线818可以是介电的或是导电的，而在这些线818的邻接区域可以分别是导电的或是介电的。由图8应可看出一电子测试束825被引导至该非均匀电极区域800的上面。该电子测试束825线覆盖一线818和一邻接该线818的区域等两部分。该电子测试束825的直径足以产生来自一导电部的数个二次电子。而且，该电子束具有足够的直径，因此当该电子束825移至在该相同TFT阵列内的不同的非均匀电极时，该电子信号实质上是相同。
如图8所示，该电子束区域是该整体非均匀电极区域的至少50％。在一具体例，该电子束825的区域可以与从线818至一邻接线818的距离同样大。在一态样，该电子束具有一区域，其为所调查的该非均匀电极区域800的约50％至90％。
图9是又另一非均匀电极区域900的一概略平面图，如一IPS-型式晶胞。该非均匀电极区域900包含形成一交错指形结构的一对电极918′、918″。这些电极918′、918″之间的宽度被界定为横跨一介电部924的宽度。
一电子测试束925被引导至该非均匀电极区域900的上面。该电子测试束925至少覆盖该电极918′、该该电极918″、以及位于这些电极918′、918″之间的一介电部924的多个部分。该电子束具有足够的直径，因此当该电子束925移至在该相同TFT阵列内的不同的非均匀电极时，该电子信号实质上是相同。
增加该电子束925的直径，或「模糊化」，为该介电线918′、918″的宽度的2倍至10倍(或更多)之间。在一态样，该电子束的直径增加为该介电线918′、918″宽度的约4倍至8倍之间。增加该电子束的直径会导致较少比例的这些介电部924被充电，而实质上是使这些介电部924对电极激发的影响被平均。
在此所叙述的方法的另外一具体例，一聚焦电子束被用来对该基板上面的定位/调准标记进行第一扫描。因为在该电子束下方的该显示器基板位置，通常会因为基板误差、工作台位置误差、以及其他误差而移动，且因为该电子束位置控制具有一误差余裕，对该基板上面的定位/调准标记进行扫描有助于去除这些位置误差并修正该电子束相对于该基板的位置。例如，该电子束可以被聚焦在小于该非均匀电极区域约20％的一区域，随后该电子束被扫描于该定位/调准标记上面。接着，通过改变在该聚焦透镜中的电流及/或改变在一磁聚焦线圈内的电流可以使电子束散焦。接着，该已散焦的电子束被依顺序引导至该TFT阵列的目标非均匀电极区域的上面。
在此，上述的本发明的叙述，主要是参照MVA型和IPS型显示器。然而，应了解本发明并不限定于此等型式的元件，所叙述的这些元件只是为了例示性说明的目的。关于此点，在此所叙述的方法，用以测试任何其他型式的具有非均匀电极的显示器元件是有用的。
虽然上前叙述已本发明的具体例，但是在未悖离本发明的基本范围，可以设计本发明的其他和进一步具体例，本发明的范围是由随附的权利要求所限定。

Claims (27)

1.一种用以在一平板显示器基板上执行电子束测试数个TFT元件的方法，该平板显示器基板包含数个非均匀电极区域，各非均匀电极区域具有一导电部和一介电部，该方法包含：
配置一电子测试束的步骤，该电子测试束具有一区域其足够覆盖该介电部的至少一部分和该导电部的至少一部分；以及
引导该电子测试束至该非均匀电极区域上面的步骤。
2.如权利要求1所述的方法，其中该电子束的区域是该非均匀电极区域的至少50％。
3.如权利要求1所述的方法，其中该电子束的区域是该非均匀电极区域的50％至90％之间。
4.如权利要求1所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是圆形。
5.如权利要求1所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是椭圆形。
6.一种用以在一平板显示器基板上执行电子束测试数个TFT元件的方法，该平板显示器基板包含数个非均匀电极区域，各非均匀电极区域具有形成在一导电部上面的数个介电线，该方法包含：
配置一电子测试束的步骤，该电子测试束具有一直径其足够覆盖这些介电线其中之一的至少一部分和覆盖该导电部的至少一部分；以及
引导该电子测试束至该平板显示器的该非均匀电极区域上面的步骤。
7.如权利要求6所述的方法，其中该电子束的直径是这些介电线其中之一的宽度的2倍至10倍。
8.如权利要求6所述的方法，其中该电子束的直径是这些介电线其中之一的宽度的4倍至8倍。
9.如权利要求6所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是圆形。
10.如权利要求6所述的方法，其中所配置的该电子测试束的形状是椭圆形，所配置的该电子测试束的直径是通过测量横跨其较短轴来得到的。
11.如权利要求6所述的方法，其中该平板显示器基板包含一多区垂直调准(MVA)显示器基板。
12.一种用以在一平板显示器基板上执行电子束测试数个TFT元件的方法，该平板显示器基板包含数个非均匀电极区域，各非均匀电极区域包含由一介电部所分隔开来的一第一电极和一第二电极，该方法包含：
配置一电子测试束的步骤，该电子测试束具有一直径其足够覆盖该第一电极的至少一部分、该第二电极的至少一部分、及该介电部的至少一部分；以及
引导该电子测试束至该平板显示器的该非均匀电极区域上面的步骤，
其中，该电子束的直径是介电线其中之一的宽度的2倍至10倍。
13.如权利要求12所述的方法，其中该电子束的直径是这些介电线其中之一的宽度的4倍至8倍。
14.如权利要求12所述的方法，其中所配置的该电子测试束的形状是圆形。
15.如权利要求12所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是椭圆形，所配置该电子测试束的直径是通过测量横跨其较短轴而得到。
16.如权利要求12所述的方法，其中该平板显示器基板包含面板内切换式(InPlane Switching；IPS)显示器基板。
17.一种用以在一平板显示器基板上执行电子束测试数个TFT元件的方法，该平板显示器基板包含数个非均匀电极区域，所述非均匀电极区域中的每一个都具有一介电部以及一导电部，该方法包含：
配置一电子测试束的步骤，该电子测试束具有一第一区域其小于该非均匀电极区域20％；
引导该电子测试束至该基板上的一定位标记，用以调准该电子束的一位置的步骤；
重新配置一电子测试束的步骤，该电子测试束具有一第二区域其大于该非均匀电极区域20％；以及
依顺序引导该电子测试束至该非均匀电极区域上。
18.如权利要求17所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是圆形。
19.如权利要求17所述的方法，其中所配置该电子测试束的形状是椭圆形，所配置该电子测试束的直径是通过测量横跨其较短轴而得到。
20.如权利要求17所述的方法，其中该重新配置的电子测试束的该第二区域是该非均匀电极区域的50％至90％之间。
21.一种用以测试一平面基板上的数个薄膜电晶体的电子测试束设备，该平面基板包含数个非均匀电极区域，所述非均匀电极区域中的每一个都具有一介电部以及一导电部，该设备包含：
一电子测试束，其界定出该基板上的一点，该点具有一区域其被调整成覆盖该介电部的至少一部分、以及该导电部的至少一部分，
其中，该点的区域被调节以界定出一直径，该直径是介电线其中之一的宽度的2倍至10倍。
22.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成圆形的形状，该直径是这些介电线其中之一的宽度的4倍至8倍。
23.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成椭圆形的形状，并且界定一直径其是通过测量横跨其较短轴而得到，该直径是这些介电线其中之一的宽度的4倍至8倍。
24.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成覆盖该非均匀电极区域的至少50％。
25.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成覆盖该非均匀电极区域的50％至90％之间。
26.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成圆形形状。
27.如权利要求21所述的设备，其中该点的区域被调节成椭圆形形状。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7941237B2 (en) * 2006-04-18 2011-05-10 Multibeam Corporation Flat panel display substrate testing system
US9019153B1 (en) * 2011-12-20 2015-04-28 Raytheon Company Calibration of large phased arrays using fourier gauge

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371459A (en) * 1991-07-15 1994-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays using parasitic currents
CN1096131A (zh) * 1993-04-20 1994-12-07 菲利浦电子有限公司 彩色显示器
DE19625851A1 (de) * 1996-06-27 1998-01-02 Ebetech Electron Beam Technolo Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht
CN1379269A (zh) * 2001-03-30 2002-11-13 富士通株式会社 液晶显示器
CN1381825A (zh) * 2001-04-18 2002-11-27 悠景科技股份有限公司 保护有机电激发光显示器的方法及其结构
CN1383125A (zh) * 2001-04-27 2002-12-04 瀚宇彩晶股份有限公司 横向电场液晶显示器的电极排列结构
US6630975B1 (en) * 1999-02-26 2003-10-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and method for producing the same
CN1490169A (zh) * 2002-08-29 2004-04-21 ��˹���´﹫˾ 用衬底上的基准标记将有机物质从给体至衬底作激光转印

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3983401A (en) * 1975-03-13 1976-09-28 Electron Beam Microfabrication Corporation Method and apparatus for target support in electron projection systems
DE2902852C2 (de) * 1979-01-25 1983-04-07 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Flache Elektronenstrahl-Bildwiedergaberöhre
DE2937004C2 (de) * 1979-09-13 1984-11-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München Chromatisch korrigierte Ablenkvorrichtung für Korpuskularstrahlgeräte
US4495966A (en) * 1982-05-24 1985-01-29 Electron Beam Corporation Separable high vacuum valve
US4528452A (en) * 1982-12-09 1985-07-09 Electron Beam Corporation Alignment and detection system for electron image projectors
JPS6039748A (ja) 1983-08-12 1985-03-01 Jeol Ltd イオンビ−ム集束装置
EP0175933A1 (de) * 1984-09-21 1986-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Rasterlinsen-System ohne Ablenkfarbfehler zur Materialbearbeitung mit Korpuskularstrahlen
US4985681A (en) * 1985-01-18 1991-01-15 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam measuring method for non-contact testing of interconnect networks
DE3585533D1 (de) 1985-06-11 1992-04-09 Shimadzu Corp Verfahren und vorrichtung zur zustandsanalyse.
US4764818A (en) * 1986-02-03 1988-08-16 Electron Beam Memories Electron beam memory system with improved high rate digital beam pulsing system
US4725736A (en) * 1986-08-11 1988-02-16 Electron Beam Memories Electrostatic electron gun with integrated electron beam deflection and/or stigmating system
US4760567A (en) * 1986-08-11 1988-07-26 Electron Beam Memories Electron beam memory system with ultra-compact, high current density electron gun
US4740705A (en) * 1986-08-11 1988-04-26 Electron Beam Memories Axially compact field emission cathode assembly
JPS6388741A (ja) 1986-09-30 1988-04-19 Shimadzu Corp 自動焦点装置
JPS6388742A (ja) 1986-09-30 1988-04-19 Shimadzu Corp 試料表面観察装置
US4819038A (en) * 1986-12-22 1989-04-04 Ibm Corporation TFT array for liquid crystal displays allowing in-process testing
JP2705056B2 (ja) 1986-12-26 1998-01-26 株式会社島津製作所 自動焦点装置
NL8700933A (nl) * 1987-04-21 1988-11-16 Philips Nv Testmethode voor lcd-elementen.
JP2830875B2 (ja) 1987-06-19 1998-12-02 株式会社島津製作所 Ｅｐｍａの測定データ表示方法
KR960006869B1 (ko) * 1987-09-02 1996-05-23 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 프로우브 장치에 의한 전기특성 검사방법
JPH01213944A (ja) 1988-02-20 1989-08-28 Shimadzu Corp 電子線照射型分析装置
JPH01307148A (ja) 1988-06-03 1989-12-12 Shimadzu Corp Ｘ線分光分析装置
US4870357A (en) * 1988-06-03 1989-09-26 Apple Computer, Inc. LCD error detection system
JP2713734B2 (ja) * 1988-06-17 1998-02-16 松下電器産業株式会社 基板用電子ビームテスタ
US4862075A (en) * 1988-09-01 1989-08-29 Photon Dynamics, Inc. High frequency test head using electro-optics
US4983833A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Device for the detecting of charged secondary particles
US5124635A (en) * 1990-02-15 1992-06-23 Photon Dynamics, Inc. Voltage imaging system using electro-optics
US5177437A (en) * 1990-08-08 1993-01-05 Photon Dynamics, Inc. High-density optically-addressable circuit board probe panel and method for use
US5285150A (en) * 1990-11-26 1994-02-08 Photon Dynamics, Inc. Method and apparatus for testing LCD panel array
US5170127A (en) * 1991-02-19 1992-12-08 Photon Dynamics, Inc. Capacitance imaging system using electro-optics
JPH05136218A (ja) * 1991-02-19 1993-06-01 Tokyo Electron Yamanashi Kk 検査装置
US5175495A (en) * 1991-04-30 1992-12-29 Lsi Logic Corporation Detection of semiconductor failures by photoemission and electron beam testing
DE69223088T2 (de) * 1991-06-10 1998-03-05 Fujitsu Ltd Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät
US5504438A (en) * 1991-09-10 1996-04-02 Photon Dynamics, Inc. Testing method for imaging defects in a liquid crystal display substrate
US5258706A (en) * 1991-10-16 1993-11-02 Siemens Aktiengesellschaft Method for the recognition of testing errors in the test of microwirings
US5369359A (en) * 1991-11-05 1994-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam testing method with countervoltage or retarding voltage follow-up or feedback
JPH06167538A (ja) 1992-02-27 1994-06-14 Photon Dynamics Inc 光学的にアドレス可能な高密度回路基板プローブ装置及びその利用方法
JP2979954B2 (ja) 1994-05-06 1999-11-22 株式会社島津製作所 分析装置
EP0686958B1 (en) * 1994-06-06 2003-10-29 Canon Kabushiki Kaisha DC compensation for interlaced display
KR100283851B1 (ko) * 1994-07-11 2001-04-02 기리야마 겐지 모니터 장치 및 모니터 방법
JPH08173418A (ja) 1994-12-21 1996-07-09 Shimadzu Corp 超音波診断装置
DE19525081B4 (de) * 1995-07-10 2006-06-29 Display Products Group, Inc., Hayward Verfahren und Vorrichtung zum Testen der Funktion von Mikrostrukturelementen
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
US5973323A (en) * 1997-11-05 1999-10-26 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for secondary electron emission microscope
DE19802848B4 (de) 1998-01-26 2012-02-02 Display Products Group,Inc. Verfahren und Vorrichtung zum Testen eines Substrats
US5982190A (en) * 1998-02-04 1999-11-09 Toro-Lira; Guillermo L. Method to determine pixel condition on flat panel displays using an electron beam
JPH11264940A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Shimadzu Corp 試料高さ合わせ調整装置
EP0999573B1 (en) 1998-11-06 2006-06-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Beam column for charged particle device
US6137303A (en) * 1998-12-14 2000-10-24 Sony Corporation Integrated testing method and apparatus for semiconductor test operations processing
US6344750B1 (en) * 1999-01-08 2002-02-05 Schlumberger Technologies, Inc. Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam
JP2000223057A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Shimadzu Corp 電子プローブマイクロアナライザー
JP2000268764A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Shimadzu Corp 電子線自動分析装置
US6614026B1 (en) 1999-04-15 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Charged particle beam column
US6452175B1 (en) 1999-04-15 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Column for charged particle beam device
WO2001001438A1 (en) * 1999-06-23 2001-01-04 Applied Materials, Inc. Ion beam generation apparatus
JP4045696B2 (ja) 1999-07-22 2008-02-13 株式会社島津製作所 Ｘ線分光器
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
JP2001185592A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Corp 検査装置および検査方法
JP4015352B2 (ja) * 2000-02-22 2007-11-28 株式会社日立製作所 荷電粒子ビームを用いた検査方法
JP2001273863A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Jeol Ltd 電子線装置
US6828587B2 (en) * 2000-06-19 2004-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4517323B2 (ja) 2000-07-19 2010-08-04 株式会社島津製作所 電子線マイクロアナライザーの測定データ補正方法
JP2002048740A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Shimadzu Corp 電子線分析装置
JP2002257997A (ja) 2001-03-01 2002-09-11 Shimadzu Corp 荷電粒子ビーム安定化装置
JP2002343294A (ja) 2001-03-12 2002-11-29 Jeol Ltd 複合電子顕微鏡
JP2002310959A (ja) 2001-04-16 2002-10-23 Shimadzu Corp 電子線分析装置
WO2002086941A1 (en) * 2001-04-18 2002-10-31 Multibeam Systems, Inc. Detector optics for electron beam inspection system
JP3955450B2 (ja) * 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
JP2003322868A (ja) * 2002-05-08 2003-11-14 Toshiba Corp 液晶表示装置
US7129694B2 (en) * 2002-05-23 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Large substrate test system
JP4178003B2 (ja) * 2002-06-05 2008-11-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体回路パターンの検査装置
JP4126484B2 (ja) 2002-06-10 2008-07-30 株式会社島津製作所 Ｘ線装置
US6765203B1 (en) * 2003-01-31 2004-07-20 Shimadzu Corporation Pallet assembly for substrate inspection device and substrate inspection device
KR20060024398A (ko) * 2003-06-06 2006-03-16 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 기판의 검사 방법
JP3592704B2 (ja) * 2003-09-03 2004-11-24 松下電器産業株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置
JP3698154B2 (ja) * 2003-10-27 2005-09-21 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス基板、及び液晶装置
US6833717B1 (en) * 2004-02-12 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Electron beam test system with integrated substrate transfer module

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371459A (en) * 1991-07-15 1994-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays using parasitic currents
CN1096131A (zh) * 1993-04-20 1994-12-07 菲利浦电子有限公司 彩色显示器
DE19625851A1 (de) * 1996-06-27 1998-01-02 Ebetech Electron Beam Technolo Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht
US6630975B1 (en) * 1999-02-26 2003-10-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and method for producing the same
CN1379269A (zh) * 2001-03-30 2002-11-13 富士通株式会社 液晶显示器
CN1381825A (zh) * 2001-04-18 2002-11-27 悠景科技股份有限公司 保护有机电激发光显示器的方法及其结构
CN1383125A (zh) * 2001-04-27 2002-12-04 瀚宇彩晶股份有限公司 横向电场液晶显示器的电极排列结构
CN1490169A (zh) * 2002-08-29 2004-04-21 ��˹���´﹫˾ 用衬底上的基准标记将有机物质从给体至衬底作激光转印

Also Published As

Publication number Publication date
US7256606B2 (en) 2007-08-14
US20060028230A1 (en) 2006-02-09
JP5752868B2 (ja) 2015-07-22
JP2006085154A (ja) 2006-03-30
KR101227929B1 (ko) 2013-01-30
CN1737592A (zh) 2006-02-22
TWI263851B (en) 2006-10-11
DE102005036521A1 (de) 2006-02-23
KR20060049042A (ko) 2006-05-18
DE102005036521B4 (de) 2010-06-24
TW200606539A (en) 2006-02-16

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