JP2002257997A - 荷電粒子ビーム安定化装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム安定化装置Info
- Publication number
- JP2002257997A JP2002257997A JP2001056560A JP2001056560A JP2002257997A JP 2002257997 A JP2002257997 A JP 2002257997A JP 2001056560 A JP2001056560 A JP 2001056560A JP 2001056560 A JP2001056560 A JP 2001056560A JP 2002257997 A JP2002257997 A JP 2002257997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- particle beam
- deflector
- change
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子源の経時変化に対して照射される荷
電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷電粒子ビーム
を得る。 【解決手段】 荷電粒子源2からの荷電粒子ビームを偏
向するビーム偏向器3と、荷電粒子ビームの照射位置の
偏移に基づいて荷電粒子ビームの時間的変化を求める測
定手段10と、荷電粒子ビームの時間的変化に基づい
て、偏向器による荷電粒子ビームの偏移量を時間的に補
正する補正量を算出する補正量算出手段12とを備えた
構成とし、荷電粒子ビームの時間的変化を予測し、この
予測に基づいて偏向器を駆動して荷電粒子ビームを制御
することによって、荷電粒子ビームの経時変化による軸
ずれを軸調整して安定化させる。
電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷電粒子ビーム
を得る。 【解決手段】 荷電粒子源2からの荷電粒子ビームを偏
向するビーム偏向器3と、荷電粒子ビームの照射位置の
偏移に基づいて荷電粒子ビームの時間的変化を求める測
定手段10と、荷電粒子ビームの時間的変化に基づい
て、偏向器による荷電粒子ビームの偏移量を時間的に補
正する補正量を算出する補正量算出手段12とを備えた
構成とし、荷電粒子ビームの時間的変化を予測し、この
予測に基づいて偏向器を駆動して荷電粒子ビームを制御
することによって、荷電粒子ビームの経時変化による軸
ずれを軸調整して安定化させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡、電子
線マイクロアナライザー、電子線描画装置、イオンビー
ム加工装置等の半導体製造、バイオ関連装置等の荷電粒
子ビームを用いて計測、観察、製造を行う装置に関し、
特に、荷電粒子ビームを安定化する装置に関する。
線マイクロアナライザー、電子線描画装置、イオンビー
ム加工装置等の半導体製造、バイオ関連装置等の荷電粒
子ビームを用いて計測、観察、製造を行う装置に関し、
特に、荷電粒子ビームを安定化する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電子顕微鏡、電子線マイクロアナライザ
ー、電子線描画装置、イオンビーム加工装置等の半導体
製造、バイオ関連装置等では、電子ビームやイオンビー
ム等の荷電粒子ビームを試料に照射することによって、
試料の分析や観察、あるいは加工を行っている。このよ
うな荷電粒子ビームを用いる装置では、分析精度や加工
精度を高めるために試料上の所定位置に荷電粒子ビーム
が照射されることが必要である。
ー、電子線描画装置、イオンビーム加工装置等の半導体
製造、バイオ関連装置等では、電子ビームやイオンビー
ム等の荷電粒子ビームを試料に照射することによって、
試料の分析や観察、あるいは加工を行っている。このよ
うな荷電粒子ビームを用いる装置では、分析精度や加工
精度を高めるために試料上の所定位置に荷電粒子ビーム
が照射されることが必要である。
【0003】一般に、荷電粒子源から試料側に向けて照
射される荷電粒子ビームは、その出射方向が試料側に正
確に向いているとは限らず、また、試料上における照射
位置も所定位置に位置合わせされるとは限らない。その
ため、荷電粒子ビームを荷電粒子源と試料とを結ぶ軸に
対して軸調整することによって、荷電粒子ビームが試料
上の所定位置を照射するように調整している。
射される荷電粒子ビームは、その出射方向が試料側に正
確に向いているとは限らず、また、試料上における照射
位置も所定位置に位置合わせされるとは限らない。その
ため、荷電粒子ビームを荷電粒子源と試料とを結ぶ軸に
対して軸調整することによって、荷電粒子ビームが試料
上の所定位置を照射するように調整している。
【0004】従来、この軸調整は、荷電粒子源と試料の
間(例えば、荷電粒子源とコンデンサレンズとの間)に
設けたビーム軸調整用の偏向器を用いて、荷電粒子源か
らの荷電粒子ビームの出射方向と荷電粒子ビームの試料
上の位置とを、各測定や各加工毎に観察することによっ
て行っている。
間(例えば、荷電粒子源とコンデンサレンズとの間)に
設けたビーム軸調整用の偏向器を用いて、荷電粒子源か
らの荷電粒子ビームの出射方向と荷電粒子ビームの試料
上の位置とを、各測定や各加工毎に観察することによっ
て行っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に、荷電粒子源は
熱ドリフト等の原因によって、荷電粒子源から照射され
る荷電粒子ビームの照射方向及び照射位置が時間の経過
と共に変化するため、安定な荷電粒子ビームが得ること
ができない。そのため、従来のように観察、分析、加工
の初期時に軸調整を行う場合には、観察、分析、或いは
加工中に荷電粒子ビームが軸ずれを起こすため、分析精
度や加工精度が次第に低下するという問題がある。
熱ドリフト等の原因によって、荷電粒子源から照射され
る荷電粒子ビームの照射方向及び照射位置が時間の経過
と共に変化するため、安定な荷電粒子ビームが得ること
ができない。そのため、従来のように観察、分析、加工
の初期時に軸調整を行う場合には、観察、分析、或いは
加工中に荷電粒子ビームが軸ずれを起こすため、分析精
度や加工精度が次第に低下するという問題がある。
【0006】観察、分析、あるいは加工の時間が短い場
合には、荷電粒子ビームの軸ずれが大きくなる前に観
察、分析、あるいは加工が終了するため、荷電粒子ビー
ムの経時変化の影響はさほどのものとはならない。しか
しながら、観察、分析、あるいは加工の時間が長い場合
には、観察、分析、あるいは加工の途中で軸調整を行う
ことができないため、観察、分析、あるいは加工の初期
段階において軸調整を行ったとしても、時間の経過と共
に荷電粒子ビームが不安定となる。そのため、連続した
観察、分析、あるいは加工中にわたって高い精度を維持
することは困難となる。
合には、荷電粒子ビームの軸ずれが大きくなる前に観
察、分析、あるいは加工が終了するため、荷電粒子ビー
ムの経時変化の影響はさほどのものとはならない。しか
しながら、観察、分析、あるいは加工の時間が長い場合
には、観察、分析、あるいは加工の途中で軸調整を行う
ことができないため、観察、分析、あるいは加工の初期
段階において軸調整を行ったとしても、時間の経過と共
に荷電粒子ビームが不安定となる。そのため、連続した
観察、分析、あるいは加工中にわたって高い精度を維持
することは困難となる。
【0007】そこで、本発明は前記した従来の問題点を
解決し、安定した荷電粒子ビームを得ることができる荷
電粒子ビーム安定化装置を提供することを目的とし、よ
り詳細には、荷電粒子源の経時変化に対して照射される
荷電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷電粒子ビー
ムとすることができる荷電粒子ビーム安定化装置を提供
することを目的とする。
解決し、安定した荷電粒子ビームを得ることができる荷
電粒子ビーム安定化装置を提供することを目的とし、よ
り詳細には、荷電粒子源の経時変化に対して照射される
荷電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷電粒子ビー
ムとすることができる荷電粒子ビーム安定化装置を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子ビー
ムの時間的変化を予測し、この予測に基づいて偏向器を
駆動して荷電粒子ビームを制御することによって、荷電
粒子ビームの経時変化による軸ずれを軸調整して安定化
させるものである。
ムの時間的変化を予測し、この予測に基づいて偏向器を
駆動して荷電粒子ビームを制御することによって、荷電
粒子ビームの経時変化による軸ずれを軸調整して安定化
させるものである。
【0009】本発明の荷電粒子ビーム安定化装置は、上
記荷電粒子ビームの安定化のために、荷電粒子源からの
荷電粒子ビームを偏向するビーム偏向器と、荷電粒子ビ
ームの照射位置の偏移に基づいて荷電粒子ビームの時間
的変化を求める測定手段と、荷電粒子ビームの時間的変
化に基づいて、偏向器による荷電粒子ビームの偏移量を
時間的に補正する補正量を算出する補正量算出手段とを
備えた構成とする。
記荷電粒子ビームの安定化のために、荷電粒子源からの
荷電粒子ビームを偏向するビーム偏向器と、荷電粒子ビ
ームの照射位置の偏移に基づいて荷電粒子ビームの時間
的変化を求める測定手段と、荷電粒子ビームの時間的変
化に基づいて、偏向器による荷電粒子ビームの偏移量を
時間的に補正する補正量を算出する補正量算出手段とを
備えた構成とする。
【0010】偏向器による荷電粒子ビームの制御は、荷
電粒子ビームの時間的変化を求める測定モードと、補正
量算出手段からの補正量に基づいて荷電粒子ビームを軸
調整する軸調整モードとの2つのモードを切換えて行
い、測定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的変化を
求めることにより荷電粒子ビームの時間的変化を予測
し、軸調整モードにおいてこの予測した時間的変化を補
償する補正量によって荷電粒子ビームを軸調整する。偏
向器は、軸方向に配置した2段の偏向器で構成すること
ができ、該各偏向器はコイル等による磁界偏向器あるい
は電極による静電偏向器とすることができる。
電粒子ビームの時間的変化を求める測定モードと、補正
量算出手段からの補正量に基づいて荷電粒子ビームを軸
調整する軸調整モードとの2つのモードを切換えて行
い、測定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的変化を
求めることにより荷電粒子ビームの時間的変化を予測
し、軸調整モードにおいてこの予測した時間的変化を補
償する補正量によって荷電粒子ビームを軸調整する。偏
向器は、軸方向に配置した2段の偏向器で構成すること
ができ、該各偏向器はコイル等による磁界偏向器あるい
は電極による静電偏向器とすることができる。
【0011】補正量算出手段で算出する補正量は、荷電
粒子ビームの経時変化を時間的に補償するものであるた
め、観察、分析、あるいは加工中に荷電粒子ビームが経
時変化した場合であっても、該経時変化に応じて軸ずれ
を調整することができ、長時間の観察、分析、あるいは
加工であっても安定した荷電粒子ビームを得ることがで
きる。
粒子ビームの経時変化を時間的に補償するものであるた
め、観察、分析、あるいは加工中に荷電粒子ビームが経
時変化した場合であっても、該経時変化に応じて軸ずれ
を調整することができ、長時間の観察、分析、あるいは
加工であっても安定した荷電粒子ビームを得ることがで
きる。
【0012】測定モードは、荷電粒子ビームの出射方向
による偏移を測定する第1の測定モードと、荷電粒子源
の軸に対する位置変化による偏移を測定する第2の測定
モードとを含む。第1の測定モードは、荷電粒子源から
出射される荷電粒子ビームの出射方向が時間的に変化す
る状態を測定するものであり、第2の測定モードは、荷
電粒子源が出射する荷電粒子ビームの出射位置が正常な
軸位置に対して時間的に変化する状態を測定するもので
ある。
による偏移を測定する第1の測定モードと、荷電粒子源
の軸に対する位置変化による偏移を測定する第2の測定
モードとを含む。第1の測定モードは、荷電粒子源から
出射される荷電粒子ビームの出射方向が時間的に変化す
る状態を測定するものであり、第2の測定モードは、荷
電粒子源が出射する荷電粒子ビームの出射位置が正常な
軸位置に対して時間的に変化する状態を測定するもので
ある。
【0013】荷電粒子ビームの照射位置の偏移は、走査
信号によって偏向器で荷電粒子ビームを走査することで
測定することができる。この走査において、偏向器の下
流側に設けたコンデンサレンズを短い焦点位置とするこ
とで第1の測定モードを行うことができ、またコンデン
サレンズを長い焦点位置とすることで第2の測定モード
を行うことができる。
信号によって偏向器で荷電粒子ビームを走査することで
測定することができる。この走査において、偏向器の下
流側に設けたコンデンサレンズを短い焦点位置とするこ
とで第1の測定モードを行うことができ、またコンデン
サレンズを長い焦点位置とすることで第2の測定モード
を行うことができる。
【0014】補正量算出手段は、測定モードで求めた時
間的変化を時間的に補償する補正量を算出するものであ
り、第1の測定モードと第2の測定モードの各測定モー
ドにおいて、所定時間の間隔で求めた少なくとも2つの
測定値に基づいて、荷電粒子ビームの時間的変化を補償
する補正量を算出する。このとき、第1の測定モードと
第2の測定モードの両測定モードで得た測定値を組み合
わせて算出することも、あるいは何れか一方の測定モー
ドで得た測定値を用いて算出することもできる。第1の
測定モードと第2の測定モードの測定値を用いる場合に
は、例えば、各測定モードによる算出した補正量を加算
することで偏向器を制御する補正量を求めることができ
る。また、補正量は、少なくとも2つの測定値を用いて
直線近似により求めることも、あるいは少なくとも3つ
の測定値を用いて曲線近似により求めることもできる。
間的変化を時間的に補償する補正量を算出するものであ
り、第1の測定モードと第2の測定モードの各測定モー
ドにおいて、所定時間の間隔で求めた少なくとも2つの
測定値に基づいて、荷電粒子ビームの時間的変化を補償
する補正量を算出する。このとき、第1の測定モードと
第2の測定モードの両測定モードで得た測定値を組み合
わせて算出することも、あるいは何れか一方の測定モー
ドで得た測定値を用いて算出することもできる。第1の
測定モードと第2の測定モードの測定値を用いる場合に
は、例えば、各測定モードによる算出した補正量を加算
することで偏向器を制御する補正量を求めることができ
る。また、補正量は、少なくとも2つの測定値を用いて
直線近似により求めることも、あるいは少なくとも3つ
の測定値を用いて曲線近似により求めることもできる。
【0015】偏向器は、補正量算出手段で算出した補正
量を用い、軸調整モードにおいて荷電粒子ビームを制御
して軸調整を行う。
量を用い、軸調整モードにおいて荷電粒子ビームを制御
して軸調整を行う。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の荷電粒
子ビーム安定化装置の概要を説明するための概略図であ
る。図1に示す荷電粒子ビーム安定化装置1は、軸9の
一方側に荷電粒子源2を他方側に測定検出電極8とを備
え、荷電粒子源2から測定検出電極8に向かって軸9に
沿って荷電粒子ビームを偏向させるビーム偏向器3、荷
電粒子ビームを収束させるコンデンサレンズ4及び収束
アパーチャ6、荷電粒子ビームを通す対物レンズ5及び
対物アパーチャ7を順に配置し、荷電粒子源2から出射
された荷電粒子ビームの内で前記各部分を通過し荷電粒
子ビームは、測定検出電極8において荷電粒子ビームの
照射位置が検出される。なお、ビーム偏向器3は、軸9
に沿って第1偏向器31と第2偏向器32の二段の偏向器
で構成することができる。
を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明の荷電粒
子ビーム安定化装置の概要を説明するための概略図であ
る。図1に示す荷電粒子ビーム安定化装置1は、軸9の
一方側に荷電粒子源2を他方側に測定検出電極8とを備
え、荷電粒子源2から測定検出電極8に向かって軸9に
沿って荷電粒子ビームを偏向させるビーム偏向器3、荷
電粒子ビームを収束させるコンデンサレンズ4及び収束
アパーチャ6、荷電粒子ビームを通す対物レンズ5及び
対物アパーチャ7を順に配置し、荷電粒子源2から出射
された荷電粒子ビームの内で前記各部分を通過し荷電粒
子ビームは、測定検出電極8において荷電粒子ビームの
照射位置が検出される。なお、ビーム偏向器3は、軸9
に沿って第1偏向器31と第2偏向器32の二段の偏向器
で構成することができる。
【0017】また、荷電粒子ビーム安定化装置1は、前
記符号2から符号8の各構成要素の他に、ビーム偏向器
3による荷電粒子ビームの偏向量を制御する偏向器制御
手段13、測定検出電極8からの検出電流等の測定値に
基づいて荷電粒子ビームの位置ずれの程度を測定する測
定手段10、該測定手段10で得た位置ずれ量に基づい
てビーム偏向器3による偏向を補正するための補正量を
算出する補正量算出手段12、荷電粒子ビームの位置ず
れの程度を測定するために荷電粒子ビームを走査させる
走査信号を形成する走査信号形成手段11、コンデンサ
レンズ4等の焦点距離を制御するレンズ制御手段14、
及び測定手段10,走査信号形成手段11,補正量算出
手段12,レンズ制御手段14を切換え制御する制御手
段15を備える。
記符号2から符号8の各構成要素の他に、ビーム偏向器
3による荷電粒子ビームの偏向量を制御する偏向器制御
手段13、測定検出電極8からの検出電流等の測定値に
基づいて荷電粒子ビームの位置ずれの程度を測定する測
定手段10、該測定手段10で得た位置ずれ量に基づい
てビーム偏向器3による偏向を補正するための補正量を
算出する補正量算出手段12、荷電粒子ビームの位置ず
れの程度を測定するために荷電粒子ビームを走査させる
走査信号を形成する走査信号形成手段11、コンデンサ
レンズ4等の焦点距離を制御するレンズ制御手段14、
及び測定手段10,走査信号形成手段11,補正量算出
手段12,レンズ制御手段14を切換え制御する制御手
段15を備える。
【0018】制御手段15は、測定モードと軸調整モー
ドの2つのモード切換えを行う。測定モードでは、制御
手段15は測定手段10、走査信号形成手段11、及び
レンズ制御手段14を制御して測定動作を行わせる。走
査信号形成手段11は走査信号を偏向器制御手段13に
送り、ビーム偏向器3によって荷電粒子ビームをx、y
方向に振らせると共に、レンズ制御手段14を制御して
コンデンサレンズ4の焦点位置を制御する。これによっ
て、荷電粒子ビームは測定検出電極8上を走査し、測定
検出電極8からは荷電粒子ビームの位置ずれに応じた像
信号が出力される。測定手段10は、この像信号に基づ
いて荷電粒子ビームの偏移を測定する。測定手段10
は、この荷電粒子ビームの偏移を所定時間をあけて少な
くとも2回測定することによって、荷電粒子ビームの偏
移量の時間的変化を求める。
ドの2つのモード切換えを行う。測定モードでは、制御
手段15は測定手段10、走査信号形成手段11、及び
レンズ制御手段14を制御して測定動作を行わせる。走
査信号形成手段11は走査信号を偏向器制御手段13に
送り、ビーム偏向器3によって荷電粒子ビームをx、y
方向に振らせると共に、レンズ制御手段14を制御して
コンデンサレンズ4の焦点位置を制御する。これによっ
て、荷電粒子ビームは測定検出電極8上を走査し、測定
検出電極8からは荷電粒子ビームの位置ずれに応じた像
信号が出力される。測定手段10は、この像信号に基づ
いて荷電粒子ビームの偏移を測定する。測定手段10
は、この荷電粒子ビームの偏移を所定時間をあけて少な
くとも2回測定することによって、荷電粒子ビームの偏
移量の時間的変化を求める。
【0019】一方、軸調整モードでは、制御手段15
は、測定モードで制御した測定手段10、走査信号形成
手段11、及びレンズ制御手段14に代えて補正量算出
手段12を制御し、軸調整動作を行わせる。補正量算出
手段12は、測定手段10で測定した荷電粒子ビームの
偏移量の時間的変化に基づき、この偏移を補償するため
に偏向器の制御に要する補正量を算出する。ビーム偏向
器3の制御をビーム偏向器3に印加する電圧値で行う場
合には、補正量を電圧値に変換して行う。したがって、
補正量算出手段12は、偏移量の時間的変化から将来の
偏移量の予想、該予想偏移量を補償する補償量を算出
し、該補償量に対応する補正量の算出等の各算出処理を
行う。なお、偏移量に対応する電圧値を求めた後に、予
想、補償、補正量の各算出処理を行うこともできる。
は、測定モードで制御した測定手段10、走査信号形成
手段11、及びレンズ制御手段14に代えて補正量算出
手段12を制御し、軸調整動作を行わせる。補正量算出
手段12は、測定手段10で測定した荷電粒子ビームの
偏移量の時間的変化に基づき、この偏移を補償するため
に偏向器の制御に要する補正量を算出する。ビーム偏向
器3の制御をビーム偏向器3に印加する電圧値で行う場
合には、補正量を電圧値に変換して行う。したがって、
補正量算出手段12は、偏移量の時間的変化から将来の
偏移量の予想、該予想偏移量を補償する補償量を算出
し、該補償量に対応する補正量の算出等の各算出処理を
行う。なお、偏移量に対応する電圧値を求めた後に、予
想、補償、補正量の各算出処理を行うこともできる。
【0020】本発明の荷電粒子ビーム安定化装置1を用
いて試料を観察、分析、あるいは加工を行う場合には、
図示しない偏向コイル(例えば、コンデンサレンズ4と
対物レンズ5との間に配置した偏向コイル)を制御して
荷電粒子ビームを偏向させ、図示しない観察手段で観察
したり、検出器21からの検出信号を分析手段22で分
析したり、あるいは、加工手段23によって加工を行
う。
いて試料を観察、分析、あるいは加工を行う場合には、
図示しない偏向コイル(例えば、コンデンサレンズ4と
対物レンズ5との間に配置した偏向コイル)を制御して
荷電粒子ビームを偏向させ、図示しない観察手段で観察
したり、検出器21からの検出信号を分析手段22で分
析したり、あるいは、加工手段23によって加工を行
う。
【0021】次に、本発明の荷電粒子ビーム安定化装置
1による測定モードについて説明する。荷電粒子ビーム
は、荷電粒子源の経時変化に伴って、出射方向変化と荷
電粒子源の軸に対する位置変化が生じる。
1による測定モードについて説明する。荷電粒子ビーム
は、荷電粒子源の経時変化に伴って、出射方向変化と荷
電粒子源の軸に対する位置変化が生じる。
【0022】図2は、荷電粒子ビームの出射方向変化と
荷電粒子源の軸に対する位置変化を説明するための概略
図である。図2(a)は荷電粒子ビームの出射方向が変
化した状態を示し、図2(b)は荷電粒子ビームの出射
方向変化を補正した状態を示している。図2(a)に示
すように、荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームの
出射方向(破線方向)が軸方向(一点鎖線)に正確に向
いていない場合には、試料位置における荷電粒子ビーム
の照射位置に位置ずれが生じる。そこで、図2(b)に
示すように、ビーム偏向器3によって荷電粒子源2から
出射された荷電粒子ビームを偏向して補正することによ
って荷電粒子ビームの軸調整を行うことができる。
荷電粒子源の軸に対する位置変化を説明するための概略
図である。図2(a)は荷電粒子ビームの出射方向が変
化した状態を示し、図2(b)は荷電粒子ビームの出射
方向変化を補正した状態を示している。図2(a)に示
すように、荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームの
出射方向(破線方向)が軸方向(一点鎖線)に正確に向
いていない場合には、試料位置における荷電粒子ビーム
の照射位置に位置ずれが生じる。そこで、図2(b)に
示すように、ビーム偏向器3によって荷電粒子源2から
出射された荷電粒子ビームを偏向して補正することによ
って荷電粒子ビームの軸調整を行うことができる。
【0023】また、図2(c)は荷電粒子源の出射位置
が変化した状態を示し、図2(d)は軸位置変化を補正
した状態を示している。図2(c)に示すように、荷電
粒子源から出射される荷電粒子ビームの出射位置(破線
方向)が本来の軸方向(一点鎖線)から位置ずれしてい
る場合には、試料位置における荷電粒子ビームの照射位
置に位置ずれが生じる。そこで、図2(d)に示すよう
に、ビーム偏向器3によって荷電粒子源2から出射され
た荷電粒子ビームを偏向して補正することによって荷電
粒子ビームの軸調整を行うことができる。
が変化した状態を示し、図2(d)は軸位置変化を補正
した状態を示している。図2(c)に示すように、荷電
粒子源から出射される荷電粒子ビームの出射位置(破線
方向)が本来の軸方向(一点鎖線)から位置ずれしてい
る場合には、試料位置における荷電粒子ビームの照射位
置に位置ずれが生じる。そこで、図2(d)に示すよう
に、ビーム偏向器3によって荷電粒子源2から出射され
た荷電粒子ビームを偏向して補正することによって荷電
粒子ビームの軸調整を行うことができる。
【0024】ビーム偏向器3による荷電粒子ビームの補
正は、偏向器31と偏向器32の2段の偏向器によって
行うことができる。偏向器31による荷電粒子ビームの
偏向量と偏向器32による荷電粒子ビームの偏向量の比
率は、荷電粒子源2と偏向器31と偏向器32とコンデ
ンサレンズ4における各距離によって定まる値であり、
各偏向器31,32による荷電粒子ビームの偏向量は各
偏向器に加える制御信号(例えば、各偏向器に印加する
電圧値)に依存する。したがって、荷電粒子ビームの出
射方向や荷電粒子源の出射位置のずれによって位置ずれ
が生じた荷電粒子ビームを補正する場合には、各偏向器
31,32の偏向量を位置ずれ量に応じて設定すること
によって位置ずれを補償することができる。
正は、偏向器31と偏向器32の2段の偏向器によって
行うことができる。偏向器31による荷電粒子ビームの
偏向量と偏向器32による荷電粒子ビームの偏向量の比
率は、荷電粒子源2と偏向器31と偏向器32とコンデ
ンサレンズ4における各距離によって定まる値であり、
各偏向器31,32による荷電粒子ビームの偏向量は各
偏向器に加える制御信号(例えば、各偏向器に印加する
電圧値)に依存する。したがって、荷電粒子ビームの出
射方向や荷電粒子源の出射位置のずれによって位置ずれ
が生じた荷電粒子ビームを補正する場合には、各偏向器
31,32の偏向量を位置ずれ量に応じて設定すること
によって位置ずれを補償することができる。
【0025】次に、本発明の荷電粒子ビーム安定化装置
の動作について、図3のフローチャート、図4の荷電粒
子ビームの出射方向の偏移量を説明するための概略図、
図5の荷電粒子ビームの出射位置の偏移量を説明するた
めの概略図、及び図6の本発明の荷電粒子ビーム安定化
装置による軸調整を説明するための概略図である。荷電
粒子ビーム安定化装置は、荷電粒子ビームの位置ずれを
測定する測定モードと、測定した位置ずれの時間的変化
から算出した補正量を用いて補正を行う軸調整モードを
備え、この軸調整を行うことによって荷電粒子源の経時
変化による荷電粒子ビームの位置ずれを補正ながら、観
察、分析、あるいは加工を行う。
の動作について、図3のフローチャート、図4の荷電粒
子ビームの出射方向の偏移量を説明するための概略図、
図5の荷電粒子ビームの出射位置の偏移量を説明するた
めの概略図、及び図6の本発明の荷電粒子ビーム安定化
装置による軸調整を説明するための概略図である。荷電
粒子ビーム安定化装置は、荷電粒子ビームの位置ずれを
測定する測定モードと、測定した位置ずれの時間的変化
から算出した補正量を用いて補正を行う軸調整モードを
備え、この軸調整を行うことによって荷電粒子源の経時
変化による荷電粒子ビームの位置ずれを補正ながら、観
察、分析、あるいは加工を行う。
【0026】測定モードは、この荷電粒子ビームの時間
的変化を求めるものであり、荷電粒子源から出射される
荷電粒子ビームの出射方向が時間的に変化する状態を測
定する第1の測定モードと、荷電粒子源が出射する荷電
粒子ビームの出射位置が正常な軸位置に対して時間的に
変化する状態を測定する第2の測定モードを備える。
的変化を求めるものであり、荷電粒子源から出射される
荷電粒子ビームの出射方向が時間的に変化する状態を測
定する第1の測定モードと、荷電粒子源が出射する荷電
粒子ビームの出射位置が正常な軸位置に対して時間的に
変化する状態を測定する第2の測定モードを備える。
【0027】そこで、本発明の荷電粒子ビーム安定化装
置は、図3のフローチャートに示すように、はじめに測
定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的変化を求めた
後(ステップS1,2,3)、軸調整モードにおいて求
めた荷電粒子ビームの時間的変化を用いて位置ずれの時
間的変化を補正しながら(ステップS4,6,7)、観
察、分析、あるいは加工を行う(ステップS5)。
置は、図3のフローチャートに示すように、はじめに測
定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的変化を求めた
後(ステップS1,2,3)、軸調整モードにおいて求
めた荷電粒子ビームの時間的変化を用いて位置ずれの時
間的変化を補正しながら(ステップS4,6,7)、観
察、分析、あるいは加工を行う(ステップS5)。
【0028】ステップS1は、出射方向が時間的に変化
する状態を測定する第1の測定モード(ステップS1
a,1b)と、荷電粒子源が出射する荷電粒子ビームの
出射位置が正常な軸位置に対して時間的に変化する状態
を測定する第2の測定モード(ステップS1c,1d)
を含み、所定時間をあけて複数回ステップS1を繰り返
して(ステップS2,3)、第1,第2の測定モードの
各測定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的経過を求
めるに十分な複数時刻のデータを求める。
する状態を測定する第1の測定モード(ステップS1
a,1b)と、荷電粒子源が出射する荷電粒子ビームの
出射位置が正常な軸位置に対して時間的に変化する状態
を測定する第2の測定モード(ステップS1c,1d)
を含み、所定時間をあけて複数回ステップS1を繰り返
して(ステップS2,3)、第1,第2の測定モードの
各測定モードにおいて荷電粒子ビームの時間的経過を求
めるに十分な複数時刻のデータを求める。
【0029】第1の測定モードは、偏向器によって荷電
粒子ビームを走査する工程(ステップS1a)と、出射
方向の偏移量を測定する工程(ステップS1b)を含
む。図4(a)は、出射方向がずれた状態を示してお
り、この状態の荷電粒子ビームに対して、偏向器31の
x方向側に走査電圧V1x(図4(b))を印加しy方向
側に走査電圧V1y(図4(c))を印加し、偏向器32
のx方向側に走査電圧V2x(図4(d))を印加しy方
向側に走査電圧V2y(図4(e))を印加する。ここ
で、走査電圧V1x,V1yの添字1は1段目の偏向器31
に対する印加電圧であることを示し、走査電圧V2x,V
2yの添字2は2段目の偏向器32に対する印加電圧であ
ることを示している。なお、走査電圧V1x,V1yの波高
値と走査電圧V2x,V2yの波高値との比率は、荷電粒子
ビームが中心軸に戻るように、荷電粒子源2,偏向器3
1,偏向器32,コンデンサレンズ4の距離に応じて定
める値である。
粒子ビームを走査する工程(ステップS1a)と、出射
方向の偏移量を測定する工程(ステップS1b)を含
む。図4(a)は、出射方向がずれた状態を示してお
り、この状態の荷電粒子ビームに対して、偏向器31の
x方向側に走査電圧V1x(図4(b))を印加しy方向
側に走査電圧V1y(図4(c))を印加し、偏向器32
のx方向側に走査電圧V2x(図4(d))を印加しy方
向側に走査電圧V2y(図4(e))を印加する。ここ
で、走査電圧V1x,V1yの添字1は1段目の偏向器31
に対する印加電圧であることを示し、走査電圧V2x,V
2yの添字2は2段目の偏向器32に対する印加電圧であ
ることを示している。なお、走査電圧V1x,V1yの波高
値と走査電圧V2x,V2yの波高値との比率は、荷電粒子
ビームが中心軸に戻るように、荷電粒子源2,偏向器3
1,偏向器32,コンデンサレンズ4の距離に応じて定
める値である。
【0030】なお、図4(b)〜図4(e)では、y方
向に走査する走査信号の周期をx方向に走査する走査信
号の周期よりも長周期とし、x方向の一走査毎にy方向
にずらして走査を繰り返すことによって、荷電粒子ビー
ムの試料上での二次元的な位置ずれを測定している。
向に走査する走査信号の周期をx方向に走査する走査信
号の周期よりも長周期とし、x方向の一走査毎にy方向
にずらして走査を繰り返すことによって、荷電粒子ビー
ムの試料上での二次元的な位置ずれを測定している。
【0031】図4(f),図4(g)は、第1の測定モ
ードにおいて所定時間の時間差で得られた荷電粒子ビー
ムの位置ずれを示し、所定時間の間に生じた荷電粒子ビ
ームの位置ずれの変化を示している。図4(f)は時刻
aにおいてステップS1aの走査で得られる画像を模式
的に示し、図4(g)は時刻aから所定時間経過後の時
刻bにおいてステップS1aの走査で得られる画像を模
式的に示している。各走査画像において、荷電粒子ビー
ムの照射位置は領域で示される(図4(f),(g)で
は円形の領域で示している)。
ードにおいて所定時間の時間差で得られた荷電粒子ビー
ムの位置ずれを示し、所定時間の間に生じた荷電粒子ビ
ームの位置ずれの変化を示している。図4(f)は時刻
aにおいてステップS1aの走査で得られる画像を模式
的に示し、図4(g)は時刻aから所定時間経過後の時
刻bにおいてステップS1aの走査で得られる画像を模
式的に示している。各走査画像において、荷電粒子ビー
ムの照射位置は領域で示される(図4(f),(g)で
は円形の領域で示している)。
【0032】そこで、ステップS1bの出射方向の偏移
量を測定する工程では、走査画像に示される領域に基づ
いて荷電粒子ビームの照射位置を特定し、基準位置(例
えば、走査画像の原点o)に対する照射位置の位置Pa
(xa,ya),Pb(xb,yb)を求め、この位置
Pa,Pbによって出射方向の偏移量を測定する。照射
位置の位置Pa,Pbは、走査画像を画像処理すること
によって求めることも、あるいは、表示装置に表示した
走査画像を観察することによって求めることもできる。
量を測定する工程では、走査画像に示される領域に基づ
いて荷電粒子ビームの照射位置を特定し、基準位置(例
えば、走査画像の原点o)に対する照射位置の位置Pa
(xa,ya),Pb(xb,yb)を求め、この位置
Pa,Pbによって出射方向の偏移量を測定する。照射
位置の位置Pa,Pbは、走査画像を画像処理すること
によって求めることも、あるいは、表示装置に表示した
走査画像を観察することによって求めることもできる。
【0033】時刻aでの照射位置Pa(xa,ya)と
時刻bでの照射位置,Pb(xb,yb)の位置の時間
変化から、出射方向の偏移量の時間的変化Δx,Δyを
求めることができる。Δx,Δyは、例えばそれぞれ Δx=(xb−xa)/T …(1) Δy=(yb−ya)/T …(2) で表すことができる。なお、Tは所定の時間間隔であ
る。
時刻bでの照射位置,Pb(xb,yb)の位置の時間
変化から、出射方向の偏移量の時間的変化Δx,Δyを
求めることができる。Δx,Δyは、例えばそれぞれ Δx=(xb−xa)/T …(1) Δy=(yb−ya)/T …(2) で表すことができる。なお、Tは所定の時間間隔であ
る。
【0034】また、第2の測定モードは、偏向器によっ
て荷電粒子ビームを走査する工程(ステップS1c)
と、出射位置の偏移量を測定する工程(ステップS1
d)を含む。図5(a)は、出射位置がずれた状態を示
しており、この状態の荷電粒子ビームに対して、偏向器
31のx方向側に走査電圧V1x´(図5(b))を印加
しy方向側に走査電圧V1y´(図5(c))を印加し、
偏向器32のx方向側に走査電圧V2x´(図5(d))
を印加しy方向側に走査電圧V2y´(図5(e))を印
加する。ここで、走査電圧V1x´,V1y´の添字1は1
段目の偏向器31に対する印加電圧であることを示し、
走査電圧V2x´,V2y´の添字2は2段目の偏向器32
に対する印加電圧であることを示し、第2の測定モード
であることを示している。なお、走査電圧V1x´,V1y
´の波高値と走査電圧V2x´,V2y´の波高値との比率
は、荷電粒子ビームが中心軸に戻るように、荷電粒子源
2,偏向器31,偏向器32,コンデンサレンズ4の距
離に応じて定める値である。
て荷電粒子ビームを走査する工程(ステップS1c)
と、出射位置の偏移量を測定する工程(ステップS1
d)を含む。図5(a)は、出射位置がずれた状態を示
しており、この状態の荷電粒子ビームに対して、偏向器
31のx方向側に走査電圧V1x´(図5(b))を印加
しy方向側に走査電圧V1y´(図5(c))を印加し、
偏向器32のx方向側に走査電圧V2x´(図5(d))
を印加しy方向側に走査電圧V2y´(図5(e))を印
加する。ここで、走査電圧V1x´,V1y´の添字1は1
段目の偏向器31に対する印加電圧であることを示し、
走査電圧V2x´,V2y´の添字2は2段目の偏向器32
に対する印加電圧であることを示し、第2の測定モード
であることを示している。なお、走査電圧V1x´,V1y
´の波高値と走査電圧V2x´,V2y´の波高値との比率
は、荷電粒子ビームが中心軸に戻るように、荷電粒子源
2,偏向器31,偏向器32,コンデンサレンズ4の距
離に応じて定める値である。
【0035】なお、図5(b)〜図5(e)では、y方
向に走査する走査信号の周期をx方向に走査する走査信
号の周期よりも長周期とし、x方向の一走査毎にy方向
にずらして走査を繰り返すことによって、荷電粒子ビー
ムの試料上での二次元的な位置ずれを測定している。
向に走査する走査信号の周期をx方向に走査する走査信
号の周期よりも長周期とし、x方向の一走査毎にy方向
にずらして走査を繰り返すことによって、荷電粒子ビー
ムの試料上での二次元的な位置ずれを測定している。
【0036】図5(f),図5(g)は、第2の測定モ
ードにおいて所定時間の時間差で得られた荷電粒子ビー
ムの位置ずれを示し、所定時間の間に生じた荷電粒子ビ
ームの位置ずれの変化を示している。図5(f)は時刻
aにおいてステップS1cの走査で得られる画像を模式
的に示し、図5(g)は時刻aから所定時間経過後の時
刻bにおいてステップS1cの走査で得られる画像を模
式的に示している。各走査画像において、荷電粒子ビー
ムの照射位置は領域で示される(図5(f),(g)で
は円形の領域で示している)。
ードにおいて所定時間の時間差で得られた荷電粒子ビー
ムの位置ずれを示し、所定時間の間に生じた荷電粒子ビ
ームの位置ずれの変化を示している。図5(f)は時刻
aにおいてステップS1cの走査で得られる画像を模式
的に示し、図5(g)は時刻aから所定時間経過後の時
刻bにおいてステップS1cの走査で得られる画像を模
式的に示している。各走査画像において、荷電粒子ビー
ムの照射位置は領域で示される(図5(f),(g)で
は円形の領域で示している)。
【0037】そこで、ステップS1cの出射位置の偏移
量を測定する工程では、走査画像に示される領域に基づ
いて荷電粒子ビームの照射位置を特定し、基準位置(例
えば、走査画像の原点o)に対する照射位置の位置Pa
´(xa´,ya´),Pb´(xb´,yb´)を求
め、この位置Pa´,Pb´によって出射位置の偏移量
を測定する。照射位置の位置Pa´,Pb´は、走査画
像を画像処理することによって求めることも、あるい
は、表示装置に表示した走査画像を観察することによっ
て求めることもできる。
量を測定する工程では、走査画像に示される領域に基づ
いて荷電粒子ビームの照射位置を特定し、基準位置(例
えば、走査画像の原点o)に対する照射位置の位置Pa
´(xa´,ya´),Pb´(xb´,yb´)を求
め、この位置Pa´,Pb´によって出射位置の偏移量
を測定する。照射位置の位置Pa´,Pb´は、走査画
像を画像処理することによって求めることも、あるい
は、表示装置に表示した走査画像を観察することによっ
て求めることもできる。
【0038】時刻aでの照射位置Pa´(xa´,ya
´)と時刻bでの照射位置,Pb´(xb´,yb´)
の位置の時間変化から、出射方向の偏移量の時間的変化
Δx´,Δy´を求めることができる。Δx´,Δy´
は、例えばそれぞれ Δx´=(xb´−xa´)/T …(3) Δy´=(yb´−ya´)/T …(4) で表すことができる。なお、Tは所定の時間間隔であ
る。
´)と時刻bでの照射位置,Pb´(xb´,yb´)
の位置の時間変化から、出射方向の偏移量の時間的変化
Δx´,Δy´を求めることができる。Δx´,Δy´
は、例えばそれぞれ Δx´=(xb´−xa´)/T …(3) Δy´=(yb´−ya´)/T …(4) で表すことができる。なお、Tは所定の時間間隔であ
る。
【0039】次の軸調整モードでは、前記測定モードで
求めた出射方向の偏移量及び出射位置の偏移量の時間的
変化に基づいて補正量を求め(ステップS4a)、この
補正量を用いて偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を
補正する(ステップS4b)。
求めた出射方向の偏移量及び出射位置の偏移量の時間的
変化に基づいて補正量を求め(ステップS4a)、この
補正量を用いて偏向器による荷電粒子ビームの偏向量を
補正する(ステップS4b)。
【0040】ステップS4aにおいて、補正量は偏移量
の時間的変化から推定することで求めることができる。
偏移量の時間的変化は、偏移量の時間的変化を直線近
似、あるいは曲線近似によって推定することができ、図
6(a)は直線近似によって推定する場合を示し、図6
(b)は曲線近似によって推定することができる。な
お、図6(a),(b)では、x方向の偏移量の時間的
変化について示しているが、y方向の偏移量の時間的変
化についても同様である。
の時間的変化から推定することで求めることができる。
偏移量の時間的変化は、偏移量の時間的変化を直線近
似、あるいは曲線近似によって推定することができ、図
6(a)は直線近似によって推定する場合を示し、図6
(b)は曲線近似によって推定することができる。な
お、図6(a),(b)では、x方向の偏移量の時間的
変化について示しているが、y方向の偏移量の時間的変
化についても同様である。
【0041】図6(a)に示す直線近似では、少なくと
も測定時刻(図の例では時間間隔Tとする)を異にする
2測定点での偏移量x1,x2から、前記式(1),
(3)と同様にして求めた時間的変化Δx/T(=(x
2−x1)/T)を求め、時間的変化Δx/Tからx方
向の偏移量を推定する直線近似関数fx(t)(図中の
一点鎖線) fx(t)=(Δx/T)t …(5) を得ることができる。なお、測定点は2点に限らず、3
点以上の測定点を用い直線近似することもできる。
も測定時刻(図の例では時間間隔Tとする)を異にする
2測定点での偏移量x1,x2から、前記式(1),
(3)と同様にして求めた時間的変化Δx/T(=(x
2−x1)/T)を求め、時間的変化Δx/Tからx方
向の偏移量を推定する直線近似関数fx(t)(図中の
一点鎖線) fx(t)=(Δx/T)t …(5) を得ることができる。なお、測定点は2点に限らず、3
点以上の測定点を用い直線近似することもできる。
【0042】また、図6(b)に示す曲線線近似では、
少なくとも測定時刻(図の例では時間間隔Tとする)を
異にする3測定点での偏移量x1,x2,x3を用いて
x方向の偏移量を推定する曲線近似関数gx(t)(図
中の一点鎖線)を得ることができる。なお、y方向の偏
移量を推定する直線近似関数fy(t),曲線近似関数
gy(t)についても同様にして求めることができる。
少なくとも測定時刻(図の例では時間間隔Tとする)を
異にする3測定点での偏移量x1,x2,x3を用いて
x方向の偏移量を推定する曲線近似関数gx(t)(図
中の一点鎖線)を得ることができる。なお、y方向の偏
移量を推定する直線近似関数fy(t),曲線近似関数
gy(t)についても同様にして求めることができる。
【0043】ステップS4bでは、ステップS4aで求
めた時間的変化(Δx,Δy,Δx´,Δy´)あるい
は近似関数f,gに基づいて、荷電粒子ビームの時間的
変化を補償する補正量を求め、この補正量に基づいて偏
向器による荷電粒子ビームの偏向量を制御する。例え
ば、偏移量の時間的変化が前記式(1)〜(4)で示さ
れる場合には、時刻tでの出射方向を補正する補正量α
x,αyは、 αx=−Δx・t …(6) αy=−Δy・t …(7) とすることができ、また、時刻tでの出射位置を補正す
る補正量αx´,αy´は、 αx´=−Δx´・t …(8) αy´=−Δy´・t …(9) とすることができる。
めた時間的変化(Δx,Δy,Δx´,Δy´)あるい
は近似関数f,gに基づいて、荷電粒子ビームの時間的
変化を補償する補正量を求め、この補正量に基づいて偏
向器による荷電粒子ビームの偏向量を制御する。例え
ば、偏移量の時間的変化が前記式(1)〜(4)で示さ
れる場合には、時刻tでの出射方向を補正する補正量α
x,αyは、 αx=−Δx・t …(6) αy=−Δy・t …(7) とすることができ、また、時刻tでの出射位置を補正す
る補正量αx´,αy´は、 αx´=−Δx´・t …(8) αy´=−Δy´・t …(9) とすることができる。
【0044】また、偏移量の時間的変化が近似関数f,
g(f´,g´)で表される場合には、この偏移量を補
正する補正関数F,G(F´,G´)を求め、この補正
関数F,G(F´,G´)を用いて、時刻tでの補正量
αx,αyは αx=F(t) …(10) αy=G(t) …(11) とすることができる。なお、補正関数F,G(F´,G
´)は、出射方向の時間的変化を直線近似あるいは曲線
近似するx,y方向の関数fx,fy,gx,gy、出
射位置の時間的変化を直線近似(あるいは曲線近似す
る)x,y方向の関数fx´,fy´(gx´,gy
´)の各関数に対応して、補正関数Fx,Fy,Fx
´,Fy´(Gx,Gy,Gx´,Gy´)を定めるこ
とができる。なお、補正関数は、偏移量の時間的変化の
近似関数を求めることなく、偏移量から直接求めること
もできる。
g(f´,g´)で表される場合には、この偏移量を補
正する補正関数F,G(F´,G´)を求め、この補正
関数F,G(F´,G´)を用いて、時刻tでの補正量
αx,αyは αx=F(t) …(10) αy=G(t) …(11) とすることができる。なお、補正関数F,G(F´,G
´)は、出射方向の時間的変化を直線近似あるいは曲線
近似するx,y方向の関数fx,fy,gx,gy、出
射位置の時間的変化を直線近似(あるいは曲線近似す
る)x,y方向の関数fx´,fy´(gx´,gy
´)の各関数に対応して、補正関数Fx,Fy,Fx
´,Fy´(Gx,Gy,Gx´,Gy´)を定めるこ
とができる。なお、補正関数は、偏移量の時間的変化の
近似関数を求めることなく、偏移量から直接求めること
もできる。
【0045】ステップS4bの工程において、ステップ
S4aで求めた補正量あるいは補正関数に基づいて偏向
器を制御し、荷電粒子ビームの時間的変化を補償し、荷
電粒子ビームによる観察、分析、あるいは加工を行う
(ステップS5)。
S4aで求めた補正量あるいは補正関数に基づいて偏向
器を制御し、荷電粒子ビームの時間的変化を補償し、荷
電粒子ビームによる観察、分析、あるいは加工を行う
(ステップS5)。
【0046】補正量あるいは補正関数が変更し更新され
るまでは(ステップS7)、ステップS4b,5を繰り
返し、補正量あるいは補正関数が変更し更新する場合に
は(ステップS7)、ステップS1に戻って新たな偏移
量の測定及び補正量あるいは補正関数の算出を行い、新
たな補正量あるいは補正関数によって偏向器の偏向量を
制御する。図6(c)は、偏移量の測定と該測定で求め
た補正量に基づく偏向器制御を繰り返す例を示してい
る。図6(c)に示す例では、時間間隔a1の測定と次
の時間間隔A1の補正関数h1(t)による補正を行
い、次に時間間隔a2と次の時間間隔A2の補正関数h
2(t)による補正を行い、以下、同様に測定と補正を
繰り返す。補正量の更新は、所定間隔毎に行うことも、
あるいは各更新時の変化量の変化から所定変化量を超え
る時間間隔を推定して行うこともできる。
るまでは(ステップS7)、ステップS4b,5を繰り
返し、補正量あるいは補正関数が変更し更新する場合に
は(ステップS7)、ステップS1に戻って新たな偏移
量の測定及び補正量あるいは補正関数の算出を行い、新
たな補正量あるいは補正関数によって偏向器の偏向量を
制御する。図6(c)は、偏移量の測定と該測定で求め
た補正量に基づく偏向器制御を繰り返す例を示してい
る。図6(c)に示す例では、時間間隔a1の測定と次
の時間間隔A1の補正関数h1(t)による補正を行
い、次に時間間隔a2と次の時間間隔A2の補正関数h
2(t)による補正を行い、以下、同様に測定と補正を
繰り返す。補正量の更新は、所定間隔毎に行うことも、
あるいは各更新時の変化量の変化から所定変化量を超え
る時間間隔を推定して行うこともできる。
【0047】本発明の実施態様によれば、偏向器による
荷電粒子ビームの調整を、荷電粒子ビームの時間的変化
から推定して行うため、観察中、分析中、あるいは加工
中における荷電粒子ビームの時間的変化による誤差を補
正することができる。
荷電粒子ビームの調整を、荷電粒子ビームの時間的変化
から推定して行うため、観察中、分析中、あるいは加工
中における荷電粒子ビームの時間的変化による誤差を補
正することができる。
【0048】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の荷電粒子
ビーム安定化装置によれば、安定した荷電粒子ビームを
得ることができ、また、荷電粒子源の経時変化に対して
照射される荷電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷
電粒子ビームとすることができる。
ビーム安定化装置によれば、安定した荷電粒子ビームを
得ることができ、また、荷電粒子源の経時変化に対して
照射される荷電粒子ビームの変化を減少させ安定した荷
電粒子ビームとすることができる。
【図1】本発明の荷電粒子ビーム安定化装置の概要を説
明するための概略図である。
明するための概略図である。
【図2】荷電粒子ビームの出射方向変化と荷電粒子源の
軸に対する位置変化を説明するための概略図である。
軸に対する位置変化を説明するための概略図である。
【図3】本発明の荷電粒子ビーム安定化装置の動作を説
明するためのフローチャートである。
明するためのフローチャートである。
【図4】荷電粒子ビームの出射方向の偏移量を説明する
ための概略図である。
ための概略図である。
【図5】荷電粒子ビームの出射位置の偏移量を説明する
ための概略図である。
ための概略図である。
【図6】本発明の荷電粒子ビーム安定化装置による軸調
整を説明するための概略図である。
整を説明するための概略図である。
1…荷電粒子ビーム安定化装置、2…荷電粒子源、3…
ビーム偏向器、31…第1偏向器、32…第2偏向器、
4…コンデンサレンズ、5…対物レンズ、6…収束アパ
ーチャ、7…対物アパーチャ、8…測定電極、9…軸、
10…測定手段、11…走査信号形成手段、12…補正
量算出手段、13…偏向器制御手段、14…レンズ制御
手段、15…制御手段、21…検出器、22…分析手
段、23…加工手段。
ビーム偏向器、31…第1偏向器、32…第2偏向器、
4…コンデンサレンズ、5…対物レンズ、6…収束アパ
ーチャ、7…対物アパーチャ、8…測定電極、9…軸、
10…測定手段、11…走査信号形成手段、12…補正
量算出手段、13…偏向器制御手段、14…レンズ制御
手段、15…制御手段、21…検出器、22…分析手
段、23…加工手段。
Claims (2)
- 【請求項1】 荷電粒子源からの荷電粒子ビームを偏向
するビーム偏向器と、荷電粒子ビームの照射位置の偏移
に基づいて荷電粒子ビームの時間的変化を求める測定手
段と、前記荷電粒子ビームの時間的変化に基づいて、前
記偏向器による荷電粒子ビームの偏移量を時間的に補正
する補正量を算出する補正量算出手段とを備え、前記ビ
ーム偏向器による荷電粒子ビームの制御は、荷電粒子ビ
ームの時間的変化を求める測定モードと、前記補正量算
出手段からの補正量に基づいて荷電粒子ビームを軸調整
する軸調整モードとを切換えて行うことによって荷電粒
子ビームを安定化させることを特徴とする荷電粒子ビー
ム安定化装置。 - 【請求項2】 前記測定モードは、荷電粒子ビームの出
射方向を測定する第1の測定モードと、荷電粒子源の軸
に対する位置を測定する第2の測定モードとを含み、前
記補正量算出手段は、第1の測定モード及び又は第2の
測定モードで得られる各測定モードの少なくとも2つの
測定値に基づいて、荷電粒子ビームの時間的変化を補償
する補正量を算出することを特徴とする、請求項1記載
の荷電粒子ビーム安定化装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001056560A JP2002257997A (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 荷電粒子ビーム安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001056560A JP2002257997A (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 荷電粒子ビーム安定化装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002257997A true JP2002257997A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18916570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001056560A Pending JP2002257997A (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 荷電粒子ビーム安定化装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002257997A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
US7746088B2 (en) | 2005-04-29 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
US7786742B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
US7847566B2 (en) | 2004-02-12 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
JP2011054426A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Shimadzu Corp | 荷電粒子ビーム照射装置及び該装置の軸合わせ調整方法 |
US7919972B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-04-05 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate transfer module |
US8208114B2 (en) | 2002-06-19 | 2012-06-26 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Drive apparatus with improved testing properties |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308317A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Nec Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
JPH05175111A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JPH067462A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Hitachi Medical Corp | 放射線治療装置 |
-
2001
- 2001-03-01 JP JP2001056560A patent/JP2002257997A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63308317A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Nec Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
JPH05175111A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法 |
JPH067462A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-18 | Hitachi Medical Corp | 放射線治療装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8208114B2 (en) | 2002-06-19 | 2012-06-26 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Drive apparatus with improved testing properties |
US7847566B2 (en) | 2004-02-12 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Configurable prober for TFT LCD array test |
US7919972B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-04-05 | Applied Materials, Inc. | Integrated substrate transfer module |
US7075323B2 (en) | 2004-07-29 | 2006-07-11 | Applied Materials, Inc. | Large substrate test system |
US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
US7746088B2 (en) | 2005-04-29 | 2010-06-29 | Applied Materials, Inc. | In-line electron beam test system |
US7786742B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Prober for electronic device testing on large area substrates |
JP2011054426A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Shimadzu Corp | 荷電粒子ビーム照射装置及び該装置の軸合わせ調整方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4520426B2 (ja) | 電子ビームのビームドリフト補正方法及び電子ビームの描画方法 | |
US7435960B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
US8026491B2 (en) | Charged particle beam apparatus and method for charged particle beam adjustment | |
US20060219907A1 (en) | Charged particle beam apparatus, method of displaying sample image, and method of measuring image shift sensitivity | |
JP3932894B2 (ja) | 電子線装置 | |
US8859962B2 (en) | Charged-particle microscope | |
JPH0922676A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US9530614B2 (en) | Charged particle beam device and arithmetic device | |
US8674300B2 (en) | Feedback loop for emitter flashing | |
EP2388801B1 (en) | Multi-column electron beam lithography system and electron beam orbit adjusting method thereof | |
JP2002257997A (ja) | 荷電粒子ビーム安定化装置 | |
JP2001052642A (ja) | 走査型電子顕微鏡及び微細パターン測定方法 | |
JPH11149893A (ja) | 電子ビーム描画装置および描画方法並びに半導体装置 | |
KR102616003B1 (ko) | 하전 입자선 장치, 및 제어 방법 | |
US8049181B2 (en) | Method of suppressing beam position drift, method of suppressing beam dimension drift, and charged particle beam lithography system | |
JP4945463B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2946537B2 (ja) | 電子光学鏡筒 | |
JP4752138B2 (ja) | 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置 | |
US7060985B2 (en) | Multipole field-producing apparatus in charged-particle optical system and aberration corrector | |
JP6061686B2 (ja) | 荷電粒子線装置及びその収差補正方法 | |
JP7520781B2 (ja) | 荷電粒子ビーム走査モジュール、荷電粒子ビーム装置およびコンピュータ | |
US11276548B2 (en) | Charged particle beam device and charged particle beam adjustment method | |
JP5348152B2 (ja) | 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置 | |
JPH06310082A (ja) | イオン注入装置におけるビーム軌道の復元方法 | |
JP2004134300A (ja) | ビーム電流安定化装置及び荷電粒子ビーム装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100115 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100511 |