JPH05175111A - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents
荷電粒子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH05175111A JPH05175111A JP33903491A JP33903491A JPH05175111A JP H05175111 A JPH05175111 A JP H05175111A JP 33903491 A JP33903491 A JP 33903491A JP 33903491 A JP33903491 A JP 33903491A JP H05175111 A JPH05175111 A JP H05175111A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- correction coefficient
- time
- measurement
- charged particle
- particle beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビーム露光方法に関し，露光に対する補
正のための測定回数を増加させることなく, より細かい
補正をして，高精度，高解像性を実現することを目的と
する。 【構成】 荷電粒子ビーム露光において，露光に対する
補正係数を設定する際に，或る露光時点以前に少なくと
も２つ以上の異なる時刻で測定された補正係数の結果を
基に，それ以後次の補正係数を求める測定時刻までの補
正係数の経時変化を予測し，測定時刻の間隔より小さい
時間ごとに補正係数を設定して露光を行うように構成す
る。
正のための測定回数を増加させることなく, より細かい
補正をして，高精度，高解像性を実現することを目的と
する。 【構成】 荷電粒子ビーム露光において，露光に対する
補正係数を設定する際に，或る露光時点以前に少なくと
も２つ以上の異なる時刻で測定された補正係数の結果を
基に，それ以後次の補正係数を求める測定時刻までの補
正係数の経時変化を予測し，測定時刻の間隔より小さい
時間ごとに補正係数を設定して露光を行うように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造プロ
セスに用いられる荷電粒子ビーム（電子ビーム等）露光
方法に係り, 特に露光装置の熱的変化に起因するビーム
の変化を補正する方法に関する。
セスに用いられる荷電粒子ビーム（電子ビーム等）露光
方法に係り, 特に露光装置の熱的変化に起因するビーム
の変化を補正する方法に関する。
【０００２】近年，荷電粒子ビーム露光装置はLSI のパ
ターン形成等に使用されているが,LSI の高密度化, 微
細化に伴い, 一層高精度, 高解像性が要求されている。
ターン形成等に使用されているが,LSI の高密度化, 微
細化に伴い, 一層高精度, 高解像性が要求されている。
【０００３】
【従来の技術】荷電粒子ビーム露光装置の偏向用コイル
はコラム下部の狭い空間（最終レンズの中）に配置され
ているため，ビーム偏向時にコイルに流れる電流により
発熱する。発熱によるコイル自体の熱膨張により，コイ
ル形状が変形したり位置ずれを起こす。また，コイルで
発生したジュール熱は熱伝導や熱輻射により，レンズの
磁界を形成するボールピースの変形，位置ずれを引き起
こす。そのために偏向ずれや原点ずれを発生してしま
う。
はコラム下部の狭い空間（最終レンズの中）に配置され
ているため，ビーム偏向時にコイルに流れる電流により
発熱する。発熱によるコイル自体の熱膨張により，コイ
ル形状が変形したり位置ずれを起こす。また，コイルで
発生したジュール熱は熱伝導や熱輻射により，レンズの
磁界を形成するボールピースの変形，位置ずれを引き起
こす。そのために偏向ずれや原点ずれを発生してしま
う。
【０００４】実際に露光する場合には，ビームの補正係
数（例えば，フィールド補正係数）をある一定時間ごと
に求めて更新する操作と露光とを繰り返して行ってい
た。図２は従来例の説明図である。
数（例えば，フィールド補正係数）をある一定時間ごと
に求めて更新する操作と露光とを繰り返して行ってい
た。図２は従来例の説明図である。
【０００５】図は補正係数の経時変化を示し，Ａ，Ｂ点
は補正係数を求めるための位置測定の測定点で，測定点
の間の補正係数はＡ点における補正係数が設定され，Ｂ
点での測定後に新しい補正係数が設定される。
は補正係数を求めるための位置測定の測定点で，測定点
の間の補正係数はＡ点における補正係数が設定され，Ｂ
点での測定後に新しい補正係数が設定される。
【０００６】したがって，一度求められた補正係数は次
回の補正係数を求めるための位置測定まで変更されるこ
となく，露光を行っていた。
回の補正係数を求めるための位置測定まで変更されるこ
となく，露光を行っていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが，コイルの発
熱による偏向位置の変化は逐次生じており，露光中にも
補正値は変化する。そのため，精度の要求が厳しくなる
と一層細かい周期で補正が必要となる。細かい周期で補
正をするには測定間隔を短くすればよいが，測定回数の
増加に伴い露光時間が増えてしまうことになる。
熱による偏向位置の変化は逐次生じており，露光中にも
補正値は変化する。そのため，精度の要求が厳しくなる
と一層細かい周期で補正が必要となる。細かい周期で補
正をするには測定間隔を短くすればよいが，測定回数の
増加に伴い露光時間が増えてしまうことになる。
【０００８】本発明は露光に対する補正のための測定回
数を増加させることなく, より細かい補正をして，高精
度，高解像性を実現することを目的とする。
数を増加させることなく, より細かい補正をして，高精
度，高解像性を実現することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は，１）
荷電粒子ビーム露光において，露光に対する補正係数を
設定する際に，或る露光時点以前に少なくとも２つ以上
の異なる時刻で測定された補正係数の結果を基に，それ
以後次の補正係数を求める測定時刻までの補正係数の経
時変化を予測し，測定時刻の間隔より小さい時間ごとに
補正係数を設定して露光を行う荷電粒子ビーム露光方
法，あるいは，２）前記予測は，ある測定時刻ｔi と次
の測定時刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄは次
の補間式 Ｄ＝（ｔ−ｔi ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi-2 ／（ｔi-2 −ｔi ）（ｔi-2 −ｔi-1 ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi ）Ｄi-1 ／（ｔi-1 −ｔi-2 ）（ｔi-1 −ｔi ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi ／（ｔi −ｔi-2 ）（ｔi −ｔi-1 ） ・・・・・・・・・(1) ここで，ｔi-2 ，ｔi-1 およびＤi-2 ，Ｄi-1 はそれぞ
れ或る測定時刻ｔi の一つ前と二つ前の測定時刻および
補正係数の値．で表され，この補間式を用いて行われる
前記１）記載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは３）
上記補間式に導入される測定点の数が任意であり，測定
点の数に応じて上記補間式右辺の項数を増減させること
を特徴とする前記１）あるいは２）記載の荷電粒子ビー
ム露光方法，あるいは４）今回の補正係数の測定時刻と
前回の測定時刻との間が所定時間を越えた場合は，その
時点以後から測定された補正係数のみを上記補間式に導
入して補正を行う前記１）あるいは２）あるいは３）記
載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは５）上記補間式
に導入できる測定点が，設定された測定点に満たない場
合は，導入できるデータのみで補正を行って露光を始め
ることを特徴とする前記１）あるいは２）あるいは３）
あるいは４）記載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは
６）上記補間式に導入できる測定点が，設定された測定
点に満たない場合は，所定の測定点数に達した後補正を
行って露光を始めることを特徴とする前記１）あるいは
２）あるいは３）あるいは４）あるいは５）記載の荷電
粒子ビーム露光方法により達成される。
荷電粒子ビーム露光において，露光に対する補正係数を
設定する際に，或る露光時点以前に少なくとも２つ以上
の異なる時刻で測定された補正係数の結果を基に，それ
以後次の補正係数を求める測定時刻までの補正係数の経
時変化を予測し，測定時刻の間隔より小さい時間ごとに
補正係数を設定して露光を行う荷電粒子ビーム露光方
法，あるいは，２）前記予測は，ある測定時刻ｔi と次
の測定時刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄは次
の補間式 Ｄ＝（ｔ−ｔi ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi-2 ／（ｔi-2 −ｔi ）（ｔi-2 −ｔi-1 ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi ）Ｄi-1 ／（ｔi-1 −ｔi-2 ）（ｔi-1 −ｔi ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi ／（ｔi −ｔi-2 ）（ｔi −ｔi-1 ） ・・・・・・・・・(1) ここで，ｔi-2 ，ｔi-1 およびＤi-2 ，Ｄi-1 はそれぞ
れ或る測定時刻ｔi の一つ前と二つ前の測定時刻および
補正係数の値．で表され，この補間式を用いて行われる
前記１）記載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは３）
上記補間式に導入される測定点の数が任意であり，測定
点の数に応じて上記補間式右辺の項数を増減させること
を特徴とする前記１）あるいは２）記載の荷電粒子ビー
ム露光方法，あるいは４）今回の補正係数の測定時刻と
前回の測定時刻との間が所定時間を越えた場合は，その
時点以後から測定された補正係数のみを上記補間式に導
入して補正を行う前記１）あるいは２）あるいは３）記
載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは５）上記補間式
に導入できる測定点が，設定された測定点に満たない場
合は，導入できるデータのみで補正を行って露光を始め
ることを特徴とする前記１）あるいは２）あるいは３）
あるいは４）記載の荷電粒子ビーム露光方法，あるいは
６）上記補間式に導入できる測定点が，設定された測定
点に満たない場合は，所定の測定点数に達した後補正を
行って露光を始めることを特徴とする前記１）あるいは
２）あるいは３）あるいは４）あるいは５）記載の荷電
粒子ビーム露光方法により達成される。
【００１０】
【作用】本発明では，過去の補正係数の経時変化を求め
て次回の測定までの補正係数を外挿することにより，よ
り小さい露光単位時間で補正係数の再設定を行うように
している。したがって，測定回数を増加させることな
く，より細かい周期で補正をすることが可能となった。
て次回の測定までの補正係数を外挿することにより，よ
り小さい露光単位時間で補正係数の再設定を行うように
している。したがって，測定回数を増加させることな
く，より細かい周期で補正をすることが可能となった。
【００１１】
【実施例】補正係数の値をＤとする。ここで補正される
値はビームの偏向位置ｘ，ｙを次式により，ｘ’，ｙ’
に補正するゲインＧ，ローテイションＲ，台形Ｈ，位置
ずれ量（オフセット）Ｏの補正係数である。
値はビームの偏向位置ｘ，ｙを次式により，ｘ’，ｙ’
に補正するゲインＧ，ローテイションＲ，台形Ｈ，位置
ずれ量（オフセット）Ｏの補正係数である。
【００１２】 ｘ’＝Ｇｘ＊ｘ＋Ｒｘ＊ｙ＋Ｈｘ＊ｘ＊ｙ＋Ｏｘ ｙ’＝Ｇｙ＊ｙ＋Ｒｙ＊ｘ＋Ｈｙ＊ｘ＊ｙ＋Ｏｙ 図１(A),(B) は本発明の実施例の説明図である。
【００１３】図１(A) において，コイルの発熱によるＤ
の経時変化を測定する。ある測定時刻ｔi と次の測定時
刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄは次式のよう
に予測される。 Ｄ＝（ｔ−ｔi ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi-2 ／（ｔi-2 −ｔi ）（ｔi-2 −ｔi-1 ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi ）Ｄi-1 ／（ｔi-1 −ｔi-2 ）（ｔi-1 −ｔi ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi ／（ｔi −ｔi-2 ）（ｔi −ｔi-1 ） ・・・・・・・・・(1) ここで，ｔi-2 ，ｔi-1 およびＤi-2 ，Ｄi-1 はそれぞ
れある測定時刻の一つ前と，二つ前の測定時刻および補
正係数の値である。
の経時変化を測定する。ある測定時刻ｔi と次の測定時
刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄは次式のよう
に予測される。 Ｄ＝（ｔ−ｔi ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi-2 ／（ｔi-2 −ｔi ）（ｔi-2 −ｔi-1 ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi ）Ｄi-1 ／（ｔi-1 −ｔi-2 ）（ｔi-1 −ｔi ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi ／（ｔi −ｔi-2 ）（ｔi −ｔi-1 ） ・・・・・・・・・(1) ここで，ｔi-2 ，ｔi-1 およびＤi-2 ，Ｄi-1 はそれぞ
れある測定時刻の一つ前と，二つ前の測定時刻および補
正係数の値である。
【００１４】測定時刻がｔi+1 になったら, ｔi+1 とｔ
i+2 の間の補正係数をｔi-1 ，ｔi , ｔi+1 , Ｄi-1 ,
Ｄi ，Ｄi+1 を用いて同様に計算する。このように, 外
挿データを作成することによって, 任意の時刻における
補正係数を求めることができる。
i+2 の間の補正係数をｔi-1 ，ｔi , ｔi+1 , Ｄi-1 ,
Ｄi ，Ｄi+1 を用いて同様に計算する。このように, 外
挿データを作成することによって, 任意の時刻における
補正係数を求めることができる。
【００１５】また，上式に導入する測定点は３点であっ
たが，導入する測定点の数に応じて項数を増減すればよ
い。上記(1) 式に導入される測定点の数が任意の数ｎ＋
１とした場合，その点での各補正係数をＤi-n ，・・・
・，Ｄi-2 ，Ｄi-1 ，Ｄi とすると, ある測定時刻ｔi
と次の測定時刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄ
は次式 Ｄ＝ΣΠ（ｔ−ｔj ）Ｄk ／（ｔk −ｔj ）・・・・・・(2) で表される。
たが，導入する測定点の数に応じて項数を増減すればよ
い。上記(1) 式に導入される測定点の数が任意の数ｎ＋
１とした場合，その点での各補正係数をＤi-n ，・・・
・，Ｄi-2 ，Ｄi-1 ，Ｄi とすると, ある測定時刻ｔi
と次の測定時刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄ
は次式 Ｄ＝ΣΠ（ｔ−ｔj ）Ｄk ／（ｔk −ｔj ）・・・・・・(2) で表される。
【００１６】ここでΠ（ｔ−ｔj ）／（ｔk −ｔj ）
は, ｉ−ｎからｉまでの整数のうちｋと異なる数をｎ個
の項（ｔ−ｔj ）／（ｔk −ｔj ）をすべて乗じたもの
であり，ΣはΠ（ｔ−ｔj ）Ｄk ／（ｔk −ｔj ）をｋ
＝ｉ−ｎからｉまでとった和である。
は, ｉ−ｎからｉまでの整数のうちｋと異なる数をｎ個
の項（ｔ−ｔj ）／（ｔk −ｔj ）をすべて乗じたもの
であり，ΣはΠ（ｔ−ｔj ）Ｄk ／（ｔk −ｔj ）をｋ
＝ｉ−ｎからｉまでとった和である。
【００１７】この式を用いて，補正係数を実際に測定し
直すまでの時間より短い，或る単位時間内で補正係数を
設定し直す。この単位時間は１チップの露光時間，１セ
ルの露光時間，１フレームの露光時間等により，求める
精度に応じて設定する。
直すまでの時間より短い，或る単位時間内で補正係数を
設定し直す。この単位時間は１チップの露光時間，１セ
ルの露光時間，１フレームの露光時間等により，求める
精度に応じて設定する。
【００１８】図１(B) に単位時間ごとの設定値を示す。
ウエハの交換等により前回の測定時刻との間が長くなり
或る決まった時間を越えた場合は，その時点以後から測
定された補正係数のみを上式に導入して補正を行えばよ
い。また，そのために，導入できる測定点が，設定され
た測定点に満たない場合は，導入できるデータのみで補
正を行えばよい。例えば，最初の測定と２回目の測定間
は最初の補正係数のまま露光を行い，２回目と３回目の
測定間は１回目および２回目の測定結果より補正を行
う。または測定のみを行い，測定点が設定数に達した後
に露光および補正を行ってもよい。
ウエハの交換等により前回の測定時刻との間が長くなり
或る決まった時間を越えた場合は，その時点以後から測
定された補正係数のみを上式に導入して補正を行えばよ
い。また，そのために，導入できる測定点が，設定され
た測定点に満たない場合は，導入できるデータのみで補
正を行えばよい。例えば，最初の測定と２回目の測定間
は最初の補正係数のまま露光を行い，２回目と３回目の
測定間は１回目および２回目の測定結果より補正を行
う。または測定のみを行い，測定点が設定数に達した後
に露光および補正を行ってもよい。
【００１９】図３は電子ビーム露光装置の構成の一例を
示す参考図である。図において，３は試料，９は電子ビ
ーム露光装置，10はカソード, 11はグリッド, 12はアノ
ード, 13a は矩形孔, 14は集束レンズ, 15は可変調整デ
フレクタ,16a は矩形孔, 17は集束レンズ, 18aはアパ
ーチャ, 19a はリフォーカスレンズ, 20は主偏向器, 22
は中央処理装置, 24a, 24b, 24c, 24dはメモリ, 25は補
正演算回路, 26, 27, 33，34はDAC(DAコンバータ), 28,
29, 35, 36 はAMP(増幅器),30はレジスタ, 31はレジス
タ, 32は加算及び補正演算回路（本発明の補正に関連す
る）である。
示す参考図である。図において，３は試料，９は電子ビ
ーム露光装置，10はカソード, 11はグリッド, 12はアノ
ード, 13a は矩形孔, 14は集束レンズ, 15は可変調整デ
フレクタ,16a は矩形孔, 17は集束レンズ, 18aはアパ
ーチャ, 19a はリフォーカスレンズ, 20は主偏向器, 22
は中央処理装置, 24a, 24b, 24c, 24dはメモリ, 25は補
正演算回路, 26, 27, 33，34はDAC(DAコンバータ), 28,
29, 35, 36 はAMP(増幅器),30はレジスタ, 31はレジス
タ, 32は加算及び補正演算回路（本発明の補正に関連す
る）である。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば，ビーム位置の補正のた
めの測定回数を増加させることなくより細かい補正がで
き，露光の高精度，高解像性を実現することができた。
めの測定回数を増加させることなくより細かい補正がで
き，露光の高精度，高解像性を実現することができた。
【図１】 本発明の実施例の説明図
【図２】 従来例の説明図
【図３】 電子ビーム露光装置の構成の一例を示す参考
図
図
Claims (6)
- 【請求項１】 荷電粒子ビーム露光において，露光に対
する補正係数を設定する際に，或る露光時点以前に少な
くとも２つ以上の異なる時刻で測定された補正係数の結
果を基に，それ以後次の補正係数を求める測定時刻まで
の補正係数の経時変化を予測し，測定時刻の間隔より小
さい時間ごとに補正係数を設定して露光を行うことを特
徴とする荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項２】 前記予測は，ある測定時刻ｔi と次の測
定時刻ｔi+1 の間の時刻ｔにおける補正係数Ｄは次の補
間式 Ｄ＝（ｔ−ｔi ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi-2 ／（ｔi-2 −ｔi ）（ｔi-2 −ｔi-1 ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi ）Ｄi-1 ／（ｔi-1 −ｔi-2 ）（ｔi-1 −ｔi ） ＋（ｔ−ｔi-2 ）（ｔ−ｔi-1 ）Ｄi ／（ｔi −ｔi-2 ）（ｔi −ｔi-1 ） ・・・・・・・・・(1) ここで，ｔi-2 ，ｔi-1 およびＤi-2 ，Ｄi-1 はそれぞ
れ或る測定時刻ｔi の一つ前と二つ前の測定時刻および
補正係数の値．で表され，この補間式を用いて行われる
ことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方
法。 - 【請求項３】 上記補間式に導入される測定点の数が任
意であり，測定点の数に応じて上記補間式右辺の項数を
増減させることを特徴とする請求項１あるいは２記載の
荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項４】 今回の補正係数の測定時刻と前回の測定
時刻との間が所定時間を越えた場合は，その時点以後か
ら測定された補正係数のみを上記補間式に導入して補正
を行うことを特徴とする請求項１あるいは２あるいは３
記載の荷電粒子ビーム露光方法。 - 【請求項５】 上記補間式に導入できる測定点が，設定
された測定点に満たない場合は，導入できるデータのみ
で補正を行って露光を始めることを特徴とする請求項１
あるいは２あるいは３あるいは４記載の荷電粒子ビーム
露光方法。 - 【請求項６】 上記補間式に導入できる測定点が，設定
された測定点に満たない場合は，所定の測定点数に達し
た後補正を行って露光を始めることを特徴とする請求項
１あるいは２あるいは３あるいは４あるいは５記載の荷
電粒子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33903491A JPH05175111A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33903491A JPH05175111A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175111A true JPH05175111A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18323648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33903491A Pending JPH05175111A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175111A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0996142A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
| JP2002257997A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Shimadzu Corp | 荷電粒子ビーム安定化装置 |
| JP2002373856A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及び半導体素子製造方法 |
| JP2012503507A (ja) * | 2008-09-26 | 2012-02-09 | ゲーエスイー ヘルムホルッツェントゥルム フュア シュヴェリオネンフォルシュンク ゲーエムベーハー | ターゲット領域の高速走査 |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP33903491A patent/JPH05175111A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0996142A2 (en) * | 1998-10-23 | 2000-04-26 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
| EP0996142A3 (en) * | 1998-10-23 | 2005-06-15 | Advantest Corporation | Electron-beam lithography method and electron-beam lithography system |
| JP2002257997A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Shimadzu Corp | 荷電粒子ビーム安定化装置 |
| JP2002373856A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Advantest Corp | 電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及び半導体素子製造方法 |
| JP4616517B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2011-01-19 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光方法、電子ビーム露光装置、及び半導体素子製造方法 |
| JP2012503507A (ja) * | 2008-09-26 | 2012-02-09 | ゲーエスイー ヘルムホルッツェントゥルム フュア シュヴェリオネンフォルシュンク ゲーエムベーハー | ターゲット領域の高速走査 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000003028A (ja) | マスクパタ―ン補正システムとその補正方法 | |
| JP2005109235A (ja) | 偏向歪み補正システム、偏向歪み補正方法、偏向歪み補正プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3085206B2 (ja) | 電子線露光装置及びその露光方法 | |
| JP3094927B2 (ja) | 電子線露光装置及びその露光方法 | |
| JPH05175111A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US6741732B2 (en) | Exposure method and device manufacturing method using this exposure method | |
| US20050236567A1 (en) | Lithography tool image quality evaluating and correcting | |
| Ma et al. | Multi-beam Inspection (MBI) development progress and applications | |
| KR102454701B1 (ko) | 디바이스 제조 방법 | |
| KR102429977B1 (ko) | 멀티-빔 라이터 내의 패턴 노출 밀도의 변동에 기인하는 패턴 위치 에러를 보상하는 방법 | |
| CN112099316B (zh) | 光学邻近修正模型的校正方法及其系统 | |
| JP2000077017A (ja) | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の制御方法 | |
| KR100256519B1 (ko) | 전자빔 노광 보정 방법 | |
| JP3721655B2 (ja) | 半導体装置製造工程における合わせ誤差測定方法及び露光方法並びに重ね合わせ精度管理方法 | |
| JP2907527B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 | |
| JPH05175106A (ja) | 荷電粒子ビーム露光装置および露光方法 | |
| JPH1079339A (ja) | 電子線描画方法及び電子線描画装置 | |
| JPH10289856A (ja) | 電子線露光用マスク及び電子線描画方法 | |
| JP2854660B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP2005032957A (ja) | 荷電粒子線露光装置における補正値の決定方法、露光方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP3044843B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| JPH1022195A (ja) | 電子線描画方法 | |
| JPH0897120A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US6521903B1 (en) | Deflection noise reduction in charged particle beam lithography | |
| JP6756229B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010522 |