JPS6039748A - イオンビ−ム集束装置 - Google Patents
イオンビ−ム集束装置Info
- Publication number
- JPS6039748A JPS6039748A JP14788683A JP14788683A JPS6039748A JP S6039748 A JPS6039748 A JP S6039748A JP 14788683 A JP14788683 A JP 14788683A JP 14788683 A JP14788683 A JP 14788683A JP S6039748 A JPS6039748 A JP S6039748A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- ion beam
- crossover
- ion
- focusing lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定質量数のイオンビームを所定の面上に微
小に集束させる装置の改良に関Ｊる。
小に集束させる装置の改良に関Ｊる。
ＥＨＤ （Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｈｙｄｒｏ Ｄｙｎａｍｉ
ｃ）型の液体金属イオン源は、■ミッション電流が安定
して得られる特長があり、半導体素子等の微細加工技術
への適用が期待されているが、この型のイオン源はイ副
ン発生物質として低融点の共晶合金や同位元素を含む金
属を加熱して用いるため、イオン源から質量数の異なっ
た複数種類のイオンビームが同時に発生し、その分離の
ために質量分離フィルターを組込むと、該フィルターに
おける質量分散だ【プでなく、エネルギー分散のために
ビームを充分に集束させることが難かしくなる欠点があ
った。この問題に関し、本発明者らは互いに直交りる電
場と磁場を組合上だウィーン型フィルターの中心にイオ
ン源のクロスオーバー像を形成する。ような経路からフ
ィルターに大剣させれば、フィルター内にお番ブるイオ
ンビームのエネルギー分散量を最小にできることを理論
的に解明したく特願昭５７−１８６９１９＠参照）が、
実際の装置においてウィーン型フィルターの中心にクロ
スオーバー像が形成されているか否かを確認することは
容易ではなかった。
ｃ）型の液体金属イオン源は、■ミッション電流が安定
して得られる特長があり、半導体素子等の微細加工技術
への適用が期待されているが、この型のイオン源はイ副
ン発生物質として低融点の共晶合金や同位元素を含む金
属を加熱して用いるため、イオン源から質量数の異なっ
た複数種類のイオンビームが同時に発生し、その分離の
ために質量分離フィルターを組込むと、該フィルターに
おける質量分散だ【プでなく、エネルギー分散のために
ビームを充分に集束させることが難かしくなる欠点があ
った。この問題に関し、本発明者らは互いに直交りる電
場と磁場を組合上だウィーン型フィルターの中心にイオ
ン源のクロスオーバー像を形成する。ような経路からフ
ィルターに大剣させれば、フィルター内にお番ブるイオ
ンビームのエネルギー分散量を最小にできることを理論
的に解明したく特願昭５７−１８６９１９＠参照）が、
実際の装置においてウィーン型フィルターの中心にクロ
スオーバー像が形成されているか否かを確認することは
容易ではなかった。
本発明は、イオンビーム集束系に組込まれたつィーン型
フィルターの中心にイオン源のクロスオーバー像を形成
するような経路からイオンビームがフィルターに入射し
ているか否かを容易に確認できるようにすることを目的
とするもので、イオン源から発散するイオンビームを集
束レンズ、ウィーン型フィルター及び対物レンズを用い
て所定の面上に前記イオン源のクロスオーバ像を形成す
るように集束させる方法において、前記所定の面上に形
成される複数のクロスオーバ像の間隔が零となるように
前記集束レンズの強度を調整づ−ることを特徴とＪ−る
ものである。
フィルターの中心にイオン源のクロスオーバー像を形成
するような経路からイオンビームがフィルターに入射し
ているか否かを容易に確認できるようにすることを目的
とするもので、イオン源から発散するイオンビームを集
束レンズ、ウィーン型フィルター及び対物レンズを用い
て所定の面上に前記イオン源のクロスオーバ像を形成す
るように集束させる方法において、前記所定の面上に形
成される複数のクロスオーバ像の間隔が零となるように
前記集束レンズの強度を調整づ−ることを特徴とＪ−る
ものである。
第１図は、本発明によるイオンビーム集束装置の一例を
示づものである。図中一点鎖線１は真空鏡筒を示し、そ
の内部上方にはイオンビームを放射するエミッタ（電極
）２等が収納されている。
示づものである。図中一点鎖線１は真空鏡筒を示し、そ
の内部上方にはイオンビームを放射するエミッタ（電極
）２等が収納されている。
エミッタ２にはその先端部に保持される共晶合金その他
のイオン発生物質２ａの液体状態を保つため、工員ツタ
に通電加熱を行う加熱電源３ａが接続されており、更に
エミッタ２には加速電源３ｂによって＋１０ＫＶから＋
３０ＫＶ程度の電位が印加されている。又、エミッタ２
の近傍にはエミ・ツタに対してイオン引出用の強電界を
与えるためのエクストラクタ（電極）４が配置されてお
り、該コルクストラクタ４には引出電源５によりエミッ
タ２に対して一５ＫＶ程度の電圧が印加される。
のイオン発生物質２ａの液体状態を保つため、工員ツタ
に通電加熱を行う加熱電源３ａが接続されており、更に
エミッタ２には加速電源３ｂによって＋１０ＫＶから＋
３０ＫＶ程度の電位が印加されている。又、エミッタ２
の近傍にはエミ・ツタに対してイオン引出用の強電界を
与えるためのエクストラクタ（電極）４が配置されてお
り、該コルクストラクタ４には引出電源５によりエミッ
タ２に対して一５ＫＶ程度の電圧が印加される。
エクストラクタ４の下方に配置される接地（加速）電極
６とエクストラクタ５の間には中間電極７が配置されて
おり、これらエクストラクタ５．中間電極７及び接地電
極６は静電型の（第１）集束レンズ８を′Ｍ４成し、接
地電位から１クストラクタ５の電位の間の電位を中間電
極７に印加づる集束レンス゛電源９の出ノｊを調整覆る
ことによりエミッタから（Ｚ軸に沿って）下方に発散さ
れるイオンビームに対する集束作用を調整Ｊ−ることが
できる。
６とエクストラクタ５の間には中間電極７が配置されて
おり、これらエクストラクタ５．中間電極７及び接地電
極６は静電型の（第１）集束レンズ８を′Ｍ４成し、接
地電位から１クストラクタ５の電位の間の電位を中間電
極７に印加づる集束レンス゛電源９の出ノｊを調整覆る
ことによりエミッタから（Ｚ軸に沿って）下方に発散さ
れるイオンビームに対する集束作用を調整Ｊ−ることが
できる。
集束レンズ８の下方にはウィーン型フィルター１０が配
置されており、破線で示Ｊ領域内のＸ軸方向に形成され
る電場ＥとＹ軸方向に形成される磁場Ｂの強度はフィル
ター電源１１の出力によって可変される。ウィーン゛型
フィルターの下方に配置されたスリット１２はフィルタ
ーによって分散されたイオンビームをカットするための
もので、該スリット１２を通過したイオンビームは２つ
の接地電極１３ａ、１３ｂと対物レンズ電源１５によっ
て正極性の電位の与えられる中間電極１４から構成され
る対物（第２集束）レンズ１６によって集束作用をう（
プた後、試料１７を照射する。一般にエミッタ２の先端
表面から放射されるイオンビームの経路は複雑であるが
、全体とし一〇みるとあたかも特定領域から直線的に発
散するような経路をとるため、この特定領域に仮想イオ
ン源即ちクロスオーバーがあるとみなすことができる。
置されており、破線で示Ｊ領域内のＸ軸方向に形成され
る電場ＥとＹ軸方向に形成される磁場Ｂの強度はフィル
ター電源１１の出力によって可変される。ウィーン゛型
フィルターの下方に配置されたスリット１２はフィルタ
ーによって分散されたイオンビームをカットするための
もので、該スリット１２を通過したイオンビームは２つ
の接地電極１３ａ、１３ｂと対物レンズ電源１５によっ
て正極性の電位の与えられる中間電極１４から構成され
る対物（第２集束）レンズ１６によって集束作用をう（
プた後、試料１７を照射する。一般にエミッタ２の先端
表面から放射されるイオンビームの経路は複雑であるが
、全体とし一〇みるとあたかも特定領域から直線的に発
散するような経路をとるため、この特定領域に仮想イオ
ン源即ちクロスオーバーがあるとみなすことができる。
前記集束レンズ８と対物レンズ１６は、このクロスオー
バーから発散リ−るイオンビームを順次集束して、２番
目のクロスオーバー縮小像を試料１７の面上に結像で−
るためのものである。対物レンズ１６と試料の間には偏
向電極１８が設けられており、該偏向電極１８に印加さ
れる偏向電？ｌＰ！１９の出力を調整することによって
試料上のイオンビーム照射 ゛位置を任意に移動させる
ことができる。又、イオ電子は検出器２０によって電気
信号として検出され、その電気信号は表示装置２１と信
号測定回路２２へ印加され、偏向電ｆｆ１１９の出力と
対応させて信号表示又は信号測定が行われる。偏向電源
１９から走査信号を出力させて、イオンビームによって
試料面上の一定領域を二次元的に走査すると共に、検出
器２０から供給される信号を輝度変調信号として用いる
ことにより、表示装置２１の陰極線管画面に試料表面に
関する二次電子像を表示させることができる。又、信う
］測定回路２２の出力信号は中央制御回路（ＣＰＵ）２
３に印加され、中央制御回路２３は集束レンズ電源９と
フィルター電源１１に制御信号を供給づ゛る。
バーから発散リ−るイオンビームを順次集束して、２番
目のクロスオーバー縮小像を試料１７の面上に結像で−
るためのものである。対物レンズ１６と試料の間には偏
向電極１８が設けられており、該偏向電極１８に印加さ
れる偏向電？ｌＰ！１９の出力を調整することによって
試料上のイオンビーム照射 ゛位置を任意に移動させる
ことができる。又、イオ電子は検出器２０によって電気
信号として検出され、その電気信号は表示装置２１と信
号測定回路２２へ印加され、偏向電ｆｆ１１９の出力と
対応させて信号表示又は信号測定が行われる。偏向電源
１９から走査信号を出力させて、イオンビームによって
試料面上の一定領域を二次元的に走査すると共に、検出
器２０から供給される信号を輝度変調信号として用いる
ことにより、表示装置２１の陰極線管画面に試料表面に
関する二次電子像を表示させることができる。又、信う
］測定回路２２の出力信号は中央制御回路（ＣＰＵ）２
３に印加され、中央制御回路２３は集束レンズ電源９と
フィルター電源１１に制御信号を供給づ゛る。
第１図の装置を用いてイオンビームを最適状態で集束さ
せる操作、即ち集束レンズ強度の最適調整操作は、次の
ような手順で行なわれる。
せる操作、即ち集束レンズ強度の最適調整操作は、次の
ような手順で行なわれる。
先ず、エミッタ２の先端に質量数６９と７２の原子から
成るガリウム（Ｇａ ）を液体状態の、まま保持し、引
出し電源１０の出力を＋５ＫＶ程度に７２ （３ａのイ
オンビームを発散させる。又、集束レンズ電源９と対物
レンズ電源１５の出力を適当な値に設定してこれらのイ
オンビームが試料上に集束されるように設定し、更に表
示装置２１の陰極線管画面に走査像が表示されるように
しておく。
成るガリウム（Ｇａ ）を液体状態の、まま保持し、引
出し電源１０の出力を＋５ＫＶ程度に７２ （３ａのイ
オンビームを発散させる。又、集束レンズ電源９と対物
レンズ電源１５の出力を適当な値に設定してこれらのイ
オンビームが試料上に集束されるように設定し、更に表
示装置２１の陰極線管画面に走査像が表示されるように
しておく。
ウィーン型フィルター１０については、注目する″′Ｇ
ａイオンの速度をＶとしてＥ＝ｖＢの条件が満足される
ようにフィルター電源１′１を調整する、（’＋ この調整により Ｇａイオンビームから７２Ｇａイオン
ビームを分離することができ、Ｅ＝ｖＢの条件が満足さ
れればＥｌ、Ｂの値を大きくする程質量分離の効果が大
きくなるが、本発明による集束レンズ調整段階において
はＥ、Ｂの値は余り大きくせずに、フィルター１０によ
って分離された Ｇａイオンビームが十分な分離を受け
ることなしにスリット１２を通過できる程度に設定して
おく。
ａイオンの速度をＶとしてＥ＝ｖＢの条件が満足される
ようにフィルター電源１′１を調整する、（’＋ この調整により Ｇａイオンビームから７２Ｇａイオン
ビームを分離することができ、Ｅ＝ｖＢの条件が満足さ
れればＥｌ、Ｂの値を大きくする程質量分離の効果が大
きくなるが、本発明による集束レンズ調整段階において
はＥ、Ｂの値は余り大きくせずに、フィルター１０によ
って分離された Ｇａイオンビームが十分な分離を受け
ることなしにスリット１２を通過できる程度に設定して
おく。
尚、電場Ｅと磁場Ｂを弱くする代りにスリット１２の間
隙を大きなものに交換してもよいが、その交換操作に高
い精度の再現性をめることは難し、いので実用的ではな
い。
隙を大きなものに交換してもよいが、その交換操作に高
い精度の再現性をめることは難し、いので実用的ではな
い。
このような装置の設定により、フィルターによって質量
分＠された２４Ｉ！類のイオンビームは試料１７上に到
達し、夫々別個にイオン源のクロスオーバー像を結像す
る。第２図は、フィルター１０内におけるイオンビーム
経路を表したもので、２４は対物レンズ１６のレンズ主
面位置を示し、フィルターに入射するイオンビームはそ
の速度に応じてｌａ、Ｊｂ、ＩＣに示Ｊような経路をど
る。
分＠された２４Ｉ！類のイオンビームは試料１７上に到
達し、夫々別個にイオン源のクロスオーバー像を結像す
る。第２図は、フィルター１０内におけるイオンビーム
経路を表したもので、２４は対物レンズ１６のレンズ主
面位置を示し、フィルターに入射するイオンビームはそ
の速度に応じてｌａ、Ｊｂ、ＩＣに示Ｊような経路をど
る。
この場合、分離されたイオンビーム経路の接線Ｃｂ、Ｃ
ｃは必ずフィルターの中心０を通る。従って、フィルタ
ーに入射するイオンビームがフィルターの中心Ｏにクロ
スオ−バー像を結像するような経路から入射している場
合には、表示装置２１に表示される走査画像を観察しな
がら像が鮮明になるように対物レンズ電源１５の出力を
（フォーカシング）調整すれば、フィルターによって分
離されたイオンビームＩｂやＩｃも分離されないイオン
ビームＩａと同じく試料面上の一点１） ａにクロスオ
ーバー像を結像することができる。これに対して、フィ
ルターに入射づるイオンビームがフィルターの中心Ｏで
はなく、例えばフィルターの入１１ｒＪ１０ａにクロス
オーバー像を結像するような経路から入射しているよう
な場合には、前述した要領で対物レンズ電源１５の出力
を調整すると、フィルターで分離されたイオンビームＪ
ｂ、ｌｃは試料面上においてＰａと離れた位置Ｐｂ、Ｐ
ｃにクロスオーバー像を結像づるようになる。このよう
な状態で試料走査を行うことは、複数本のイオンビーム
によって試料面上を走査することに相当するので表示装
置２１の陰極線管画面には、第３図にその一例を示すよ
うに円形に表示されるべき試料像が二重に表示されるよ
うになる。
ｃは必ずフィルターの中心０を通る。従って、フィルタ
ーに入射するイオンビームがフィルターの中心Ｏにクロ
スオ−バー像を結像するような経路から入射している場
合には、表示装置２１に表示される走査画像を観察しな
がら像が鮮明になるように対物レンズ電源１５の出力を
（フォーカシング）調整すれば、フィルターによって分
離されたイオンビームＩｂやＩｃも分離されないイオン
ビームＩａと同じく試料面上の一点１） ａにクロスオ
ーバー像を結像することができる。これに対して、フィ
ルターに入射づるイオンビームがフィルターの中心Ｏで
はなく、例えばフィルターの入１１ｒＪ１０ａにクロス
オーバー像を結像するような経路から入射しているよう
な場合には、前述した要領で対物レンズ電源１５の出力
を調整すると、フィルターで分離されたイオンビームＪ
ｂ、ｌｃは試料面上においてＰａと離れた位置Ｐｂ、Ｐ
ｃにクロスオーバー像を結像づるようになる。このよう
な状態で試料走査を行うことは、複数本のイオンビーム
によって試料面上を走査することに相当するので表示装
置２１の陰極線管画面には、第３図にその一例を示すよ
うに円形に表示されるべき試料像が二重に表示されるよ
うになる。
次に、表示装置に表示される二重像を観察しながら、集
束レンズ電源９の出力を少しづつ変化させ二重像の間隔
が短くなってついには一致するように調整する。この調
整によりイオンビームのクロスオーバー像をフィルター
の中心０に結像させることができるので、フィルター１
０内におけるエネルギー分散を最小に抑えることができ
る。そしてこの状態からフィルタ電源１１の出力調整を
行い、フィルター１０の電場Ｅと磁場Ｂの強度をＥ＝ｖ
Ｂの条件を満足させながら強くしてイオンビームの質量
分離を強く調整リ−れば Ｑａのイオンビームはスリッ
ト１２を通過できなくなり、試６？ 斜上には Ｇａのイオンビームのみによるクロスオーバ
ー像を結像させることが可能となる。
束レンズ電源９の出力を少しづつ変化させ二重像の間隔
が短くなってついには一致するように調整する。この調
整によりイオンビームのクロスオーバー像をフィルター
の中心０に結像させることができるので、フィルター１
０内におけるエネルギー分散を最小に抑えることができ
る。そしてこの状態からフィルタ電源１１の出力調整を
行い、フィルター１０の電場Ｅと磁場Ｂの強度をＥ＝ｖ
Ｂの条件を満足させながら強くしてイオンビームの質量
分離を強く調整リ−れば Ｑａのイオンビームはスリッ
ト１２を通過できなくなり、試６？ 斜上には Ｇａのイオンビームのみによるクロスオーバ
ー像を結像させることが可能となる。
本発明による集束レンズ強度の最適調整は、以下のよう
に自動的に行うこともできる。先ず、試料１７の代わり
に直線状の端部を有するナイフエッヂ等を本来の試料表
面位置にセットしておく。
に自動的に行うこともできる。先ず、試料１７の代わり
に直線状の端部を有するナイフエッヂ等を本来の試料表
面位置にセットしておく。
次に中央制御回路２３を作動させて予め記憶させておい
たプログラムに従って、フィルター電源１６′１ １の出ツノを Ｑａと Ｑａのイオンビームを弱く分離
できる状態に設定し、偏向電源１９の出力を二次元走査
信号から線走査信号に切換える。この状態では、試料面
位置の複数位置に結像したりＩ」スオーバー像がナイフ
エッチのＸ方向と垂直なＹ方向に線走査されるため、検
出器２０の出力信号波形は第４図（ａ ）に示ずような
波形となって、表示装置２１の陰極線管画面に表示され
る。信号測定回路２２は、先ず第４図（ａ ＞に示され
る入力信号を微分して第４図（ｂ）に示すような波形と
し、各クロスオーバー像に対応ブる各ピーク信号の間隔
ｉ＋、ｊ２を測定して中央制御回路２３内の一時記憶回
路に記憶させる。次に、中央制御回路２３は集束レンズ
の電源９の出力を増減どちらか方向に変化させ、変化後
の信号ピーク間隔を測定して前記一時記憶回路の記憶さ
れた間隔ｔ１゜ｔ２と比較し、その比較結果に基づいて
集束レンズ電源９の次の出ツノ変化量と極性を制御する
。
たプログラムに従って、フィルター電源１６′１ １の出ツノを Ｑａと Ｑａのイオンビームを弱く分離
できる状態に設定し、偏向電源１９の出力を二次元走査
信号から線走査信号に切換える。この状態では、試料面
位置の複数位置に結像したりＩ」スオーバー像がナイフ
エッチのＸ方向と垂直なＹ方向に線走査されるため、検
出器２０の出力信号波形は第４図（ａ ）に示ずような
波形となって、表示装置２１の陰極線管画面に表示され
る。信号測定回路２２は、先ず第４図（ａ ＞に示され
る入力信号を微分して第４図（ｂ）に示すような波形と
し、各クロスオーバー像に対応ブる各ピーク信号の間隔
ｉ＋、ｊ２を測定して中央制御回路２３内の一時記憶回
路に記憶させる。次に、中央制御回路２３は集束レンズ
の電源９の出力を増減どちらか方向に変化させ、変化後
の信号ピーク間隔を測定して前記一時記憶回路の記憶さ
れた間隔ｔ１゜ｔ２と比較し、その比較結果に基づいて
集束レンズ電源９の次の出ツノ変化量と極性を制御する
。
このような制御を繰返して最終的には各信号ピークの間
隔が略零となるように集束レンズ電源９の出力を自動設
定する。このような自動設定が行われれば、フィルター
に入射するイオンビームをフィルターの中心にクロスオ
ーバー像を結像するような経路からフィルターに入射さ
せることができる。又、第４図（ｂ）の波形におりるピ
ークの幅Ｗはイオンビームのナイフエッヂ面におけるフ
ォーカス状態を表わしているので、信号幅Ｗを最小にす
る手順を自動化して対物レンズ電源１５のフォーカス合
わせ操作を収束レンズ強度の自動設定と４１（せて自動
化することも容易である。
隔が略零となるように集束レンズ電源９の出力を自動設
定する。このような自動設定が行われれば、フィルター
に入射するイオンビームをフィルターの中心にクロスオ
ーバー像を結像するような経路からフィルターに入射さ
せることができる。又、第４図（ｂ）の波形におりるピ
ークの幅Ｗはイオンビームのナイフエッヂ面におけるフ
ォーカス状態を表わしているので、信号幅Ｗを最小にす
る手順を自動化して対物レンズ電源１５のフォーカス合
わせ操作を収束レンズ強度の自動設定と４１（せて自動
化することも容易である。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、ウ
ィーン型フィルターを組込んだ装置であれば、例えば３
段以上のレンズを用いてイオンビームを集束する装置や
ガリウムの代わりに金（ＡＵ）とアルミくＡ１）からな
る共晶合金をイＡン発生物質とする装置に本発明を適用
Ｊ゛ることも容易である。
ィーン型フィルターを組込んだ装置であれば、例えば３
段以上のレンズを用いてイオンビームを集束する装置や
ガリウムの代わりに金（ＡＵ）とアルミくＡ１）からな
る共晶合金をイＡン発生物質とする装置に本発明を適用
Ｊ゛ることも容易である。
以上詳述した如く、本発明によればウィーン型フィルタ
ーの中心にクロスオーバー像を結像させるような方向か
らイオンビームをフィルターに入射させることが容易に
なるので、質量分離を行うフィルター内にお（）るエネ
ルギー分散の少ない状態でイオンビームを集束さぜるこ
とが容易に可能となる。
ーの中心にクロスオーバー像を結像させるような方向か
らイオンビームをフィルターに入射させることが容易に
なるので、質量分離を行うフィルター内にお（）るエネ
ルギー分散の少ない状態でイオンビームを集束さぜるこ
とが容易に可能となる。
第１図は本発明の一実施例装置を示す略図、第２図は第
１図の装置の動作を説明するための略図、第３図及び第
４図は本発明の他の実施例を説明するだめの図である。 １；真空鏡筒、２：エミッター、３ａ ：加熱電源、３
ｂ：加速電源、４：エクストラクタ、５：引出電源、６
：接地電極、７：中間電極、８：集束レンズ、９：集束
レンズ電源、１ｏ：ウィーン型フィルター、１１：フィ
ルター電源、１２ニスリツト、１３ａ 、１３ｂ ：接
地電極、１４：中間電極、１５：対物レンズ電源、１６
二対物レンズ、１７：試料、１８：偏向電極、１９：偏
向電源、２０：検出器、２１：表示装置、２２：信号測
定回路、２３：中央制御回路、２４：対物レンズ主面。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 第１図
１図の装置の動作を説明するための略図、第３図及び第
４図は本発明の他の実施例を説明するだめの図である。 １；真空鏡筒、２：エミッター、３ａ ：加熱電源、３
ｂ：加速電源、４：エクストラクタ、５：引出電源、６
：接地電極、７：中間電極、８：集束レンズ、９：集束
レンズ電源、１ｏ：ウィーン型フィルター、１１：フィ
ルター電源、１２ニスリツト、１３ａ 、１３ｂ ：接
地電極、１４：中間電極、１５：対物レンズ電源、１６
二対物レンズ、１７：試料、１８：偏向電極、１９：偏
向電源、２０：検出器、２１：表示装置、２２：信号測
定回路、２３：中央制御回路、２４：対物レンズ主面。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 伊藤 −夫 第１図
Claims (1)
- （１）質量数の異なる複数種類のイオンビームを発生ず
るイオン源と、該イオン源から発散づ′るイオンビーム
を順次集束させて所定の面上にイオン源のクロスオーバ
像を形成するための集束レンズ及び対物レンズと、該集
束レンズと対物レンズの間に設【ノられ互に直交覆る電
場と磁場を発生覆るウィーン型フィルターと、前記所定
の面上に形成される複数のクロスオーバ像の間隔を測定
する手段と、該複数像の間隔が零となるように前記集束
レンズの強度を調整する手段を備えたことを特徴とＪる
イオンビ集束集東装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14788683A JPS6039748A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | イオンビ−ム集束装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14788683A JPS6039748A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | イオンビ−ム集束装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039748A true JPS6039748A (ja) | 1985-03-01 |
| JPH0378739B2 JPH0378739B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=15440417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14788683A Granted JPS6039748A (ja) | 1983-08-12 | 1983-08-12 | イオンビ−ム集束装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039748A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364254A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子光学系 |
| JPS63218134A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPS63218139A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Jeol Ltd | イオンビ−ム装置 |
| JPH01500763A (ja) * | 1986-06-25 | 1989-03-16 | グリコ アクチェンゲゼルシャフト | 軸受合金層とその製造方法 |
| JPH0218853A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Jeol Ltd | イオンビーム装置 |
| KR100518812B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2005-10-05 | 슐럼버거 테크놀로지즈, 아이엔씨. | 주사 전자 현미경과 그 유사 장치에서 빈 필터에 의해발생되는 광행차의 감소 |
| US7105833B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-12 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Deflection system for a particle beam device |
| US7256606B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Method for testing pixels for LCD TFT displays |
| US9520265B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-12-13 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
-
1983
- 1983-08-12 JP JP14788683A patent/JPS6039748A/ja active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01500763A (ja) * | 1986-06-25 | 1989-03-16 | グリコ アクチェンゲゼルシャフト | 軸受合金層とその製造方法 |
| JPS6364254A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子光学系 |
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| JPH0588503B2 (ja) * | 1987-03-06 | 1993-12-22 | Nippon Electron Optics Lab | |
| JPH0218853A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Jeol Ltd | イオンビーム装置 |
| US7105833B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-12 | Akt Electron Beam Technology Gmbh | Deflection system for a particle beam device |
| KR100518812B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2005-10-05 | 슐럼버거 테크놀로지즈, 아이엔씨. | 주사 전자 현미경과 그 유사 장치에서 빈 필터에 의해발생되는 광행차의 감소 |
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| US9520265B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-12-13 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0378739B2 (ja) | 1991-12-16 |
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