DE19625851A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren sowie eine Vor­ richtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht eines Substrats gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. des Gattungsbegriffes des Anspruches 10. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkristallbildschirmes.
Für den Aufbau flacher Flüssigkristallbildschirme mit aktiver Matrix werden Dünnschichttransistoren in einer amorphen Siliziumschicht auf Glas hergestellt, die je­ weils eine Bildpunkt-Elektrode ansteuern. Die Signalzu­ führung und Ansteuerung erfolgt dabei über Signal- und Steuerleitbahnen, die ihrerseits die Signale von Treiber-ICs erhalten.
Diese Zeilen- und Spaltentreiber lassen sich nicht mit den notwendigen Eigenschaften in amorphem Silizium her­ stellen. Deshalb werden diese ICs gegenwärtig vorwie­ gend außerhalb der Glasplatte angebracht und flexibel mit den Zeilen- und Spaltenzuleitungen verbunden.
Eine andere gegenwärtig eingesetzte Möglichkeit ist die Aufbringung der Silizium-Treiber-ICs direkt auf das Glassubstrat (chip on glass technology). Die Integra­ tion der Treiber-ICs direkt in die auf der Glasplatte befindliche Siliziumschicht erfordert die Umwandlung des amorphen Siliziums in polykristallines Silizium durch Erhitzen.
Der notwendige Temperprozeß läßt sich allerdings nur dann in einem Ofen durchführen, wenn als Substrat Quarzglas verwendet wird. Bei Verwendung eines niedri­ ger schmelzenden Glases kann der Temperprozeß auch durch Bestrahlung mit einem Laser durchgeführt werden. Dabei wird der Laser auf den zu kristallisierenden Be­ reich des Substrats gerichtet. Dazu wird das Substrat entweder mit einem gebündelten Laserstrahl zeilenförmig nacheinander belichtet und dadurch lokal aufgeheizt, oder es wird ein sehr intensiver Laserstrahl so aufge­ weitet, daß er ein gesamtes Display in einem Schritt belichten kann. Da jedoch das polykristalline Silizium nur in den kleinen Bereichen benötigt wird, in denen anschließend die Treiber-ICs und evtl. die Bildpunkt- Transistoren erzeugt werden sollen, wird unnötig viel Energie mit dem Laser zugeführt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht sowie ein Verfahren zur Herstel­ lung eines Flüssigkristallbildschirmes anzugeben, wobei die insgesamt zugeführte Energie reduziert wird.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die kennzeich­ nenden Merkmale der Ansprüche 1, 8 und 10 gelöst.
Durch die Verwendung eines Elektronenstrahls, der auf die zu kristallisierenden Bereiche des Substrats fokus­ siert wird, kann der Kristallisationsprozeß auf die Be­ reiche beschränkt werden, die für den weiteren Prozeß benötigt werden.
Mit Hilfe eines Ablenksystems kann der Elektronenstrahl so gesteuert werden, daß er nacheinander lediglich die Bereiche bestrahlt, die kristallisiert werden müssen. Diese Bereiche sind beispielsweise die Flächen am Rande einer jeden Bildpunkt-Elektrode, in denen jeweils ein Bildpunkttransistor hergestellt werden soll und die Flächen am Ende jeder Signal- und Steuerleitung, die für die Ansteuer-Elektronik vorgesehen sind.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche und werden anhand der Beschreibung und der Zeichnung näher erläutert.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zum Kristallisieren und
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Flüssigkristallbildschirmes.
Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung zum Kristallisie­ ren einer amorphen Schicht enthält im wesentlichen eine Quelle 1 zur Erzeugung eines Elektronenstrahls 2, ein Austastsystem 17, ein Linsensystem 3 zur Fokussierung des Elektronenstrahls auf einen zu kristallisierenden Bereich eines Substrats 4 sowie ein Ablenksystem 5, um den Elektronenstrahl auf verschiedene, zu kristallisie­ rende Bereiche des Substrats abzulenken.
Das Substrat 4 wird vorzugsweise auf einem Tisch 6 ge­ haltert, der in wenigstens zwei senkrecht zueinander stehenden Richtungen x, y verfahrbar ist. Zur Fixierung des Substrats 4 auf dem Tisch 6 ist ein Substrathal­ ter 7 vorgesehen.
Die exakte Ausrichtung des Substrats 4 auf dem Tisch 6 in bezug auf die Quelle 1 kann beispielsweise durch me­ chanische Justierung, lichtoptische Positionierung oder dadurch erfolgen, daß mit dem Elektronenstrahl Positi­ onsmarken am Substrat abgetastet werden und die ausge­ lösten Sekundärelektronen 8 mit Hilfe eines Detektors 9 nachgewiesen werden.
Der Tisch 6 mit dem Substrat 4 befindet sich in einer evakuierten Arbeitskammer 10. Das Vakuum wird mit Hilfe eines Vakuumsystems 11 aufrechterhalten.
Zum Austauschen des Substrats 4 ist ein Transport­ system 12 vorgesehen, das das Substrat zwischen der Arbeitskammer 10 und einer Schleuse 13 transportiert. Zwischen Schleuse 13 und Arbeitskammer 10 ist ein Va­ kuum-Ventil 14 vorgesehen. Vor dem Öffnen des Vakuum- Ventils 14 wird in der Schleuse 13 ebenfalls ein Vakuum erzeugt. Um die Pump- und Belüftungsvorgänge der Schleuse 13 möglichst gering zu halten, sind in der Schleuse wenigstens zwei Ablagepositionen 15a, 15b vor­ gesehen, so daß das bereits kristallisierte Substrat auf einer Ablageposition abgelegt und das noch zu kris­ tallisierende zweite Substrat in die Arbeitskammer 10 gefahren werden kann, ohne das Vakuum-Ventil zu schlie­ ßen und in der Schleuse 13 einen Belüftungsvorgang ein­ leiten zu müssen. Selbstverständlich können in der Schleuse 13 auch weitere Ablagepositionen vorgesehen werden. Die bereits kristallisierten Substrate sowie die noch zu kristallisierenden Substrate werden über ein Ventil 16 aus der bzw. in die Schleuse gebracht. Vor dem Öffnen des Ventils 16 wird das Vakuum-Ventil 14 geschlossen und die Schleuse 13 belüftet.
Für die Pump- und Belüftungsvorgänge des Vakuum­ systems 11 und die Ansteuerung des Transportsystems 12 ist ein nicht mehr dargestelltes Steuerungssystem vor­ gesehen.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung eines Flüs­ sigkristallbildschirmes. Er besteht aus einer Vielzahl in Spalten und Zeilen angeordneter Bildpunkt-Elektro­ den 20, die jeweils über einen Bildpunkt-Transistor 21 angesteuert werden. Die Signalzuführung und Ansteuerung der Bildpunkt-Transistoren 21 erfolgt über Signal- und Steuerleitbahnen 22, die ihrerseits die Signale von Treiber-ICs 23 erhalten.
Zur Herstellung eines Flüssigkristallbildschirmes wird das mit einer Halbleiterschicht, insbesondere einer Si­ liziumschicht versehene Substrat 4 zunächst in bestimm­ ten Bereichen kristallisiert. Diese Bereiche sind im dargestellten Ausführungsbeispiel insbesondere die Flä­ chen, an denen die Bildpunkt-Transistoren 21 und die Treiber-ICs 23 vorgesehen sind. In den Bereichen der Bildpunkt-Elektroden 20 wird im anschließenden Prozeß­ schritt die Halbleiterschicht entfernt, so daß dort eine Kristallisation nicht notwendig ist.
Zum Kristallisieren der Bereiche 21, 22 wird das Sub­ strat 4 in die Arbeitskammer 10 der in Fig. 1 beschrie­ benen Vorrichtung eingeführt. Die Quelle 1 und das Lin­ sensystem 3 ist so ausgelegt, daß der Elektronenstrahl den zu kristallisierenden Bereich mit einer Stromdichte und einer Energie erreicht, die die bestrahlte amorphe Schicht in den kristallinen Zustand umformt. Diese Pa­ rameter hängen insbesondere von den verwendeten Sub­ stratmaterialien und Schichtdicken ab und können empi­ risch ermittelt werden.
Als Substratmaterialien eignen sich insbesondere Trä­ gersubstrate aus Glas oder Kunststoff, die mit einer Halbleiterschicht, vorzugsweise aus Silizium, beschich­ tet sind.
Der Elektronenstrahl eignet sich besonders gut zum Kri­ stallisieren einer amorphen Schicht, da er sehr leicht fokussierbar und mit einfachen Mitteln ablenkbar ist. Dies ermöglicht eine sehr gezielte, örtlich begrenzte Bestrahlung bzw. Kristallisation. Es ist daher nicht erforderlich, unnötig viel Energie zuzuführen, um Be­ reiche zu kristallisieren, die später nicht benötigt werden. Dadurch läßt sich eine deutliche Reduzierung der insgesamt zugeführten Energie und damit eine gerin­ gere Erwärmung des Trägersubstrates erreichen.

Claims (18)

1. Verfahren zum Kristallisieren einer amorphen Schicht, in dem ein zu kristallisierender Bereich eines Substrats (4) einer Energiestrahlung ausge­ setzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß als Energiestrahlung ein Elektronenstrahl (2) verwendet wird, der auf den zu kristallisierenden Bereich fokussiert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektronenstrahl (2) abgelenkt wird und nacheinander verschiedene Bereiche des Substrats (4) bestrahlt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat (4) mit einer Halbleiterschicht verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterschicht eine Siliziumschicht ver­ wendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Schicht durch den Kristallisations­ vorgang in eine polykristalline Schicht umgewandelt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Kristallisierung die Lage des Substrats (4) mittels des Elektronenstrahls (2) bestimmt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Lagebestimmung durch Abtasten von auf dem Substrat (4) befindlichen Positionsmarken erfolgt, wobei Sekundärelektronen (8) ausgelöst und detek­ tiert werden.
8. Verfahren zur Herstellung eines Flüssigkristallbild­ schirmes, wobei bestimmte Bereiche eines mit einer Halbleiterschicht versehenen Substrats (4) gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7 kristal­ lisiert werden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in kristallisierten Bereichen des Substrats in­ tegrierte Schaltungen, Transistoren oder Dioden her­ gestellt werden.
10. Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Schicht eines Substrats (4) mit einer Quelle (1) zur Erzeugung einer Energiestrahlung,
dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle zur Erzeugung eines Elektronenstrahls (2) ausgebildet ist und ein Linsensystem (3) zur Fokussierung des Elektronen­ strahls auf einen zu kristallisierenden Bereich des Substrats vorgesehen ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Ablenksystem (5) vorgesehen ist, um den Elektronenstrahl (2) auf verschiedene zu kris­ tallisierende Bereiche des Substrats abzulenken.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Austastsystem (17) zum Austasten des Elektronenstrahls (2) vorgesehen ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß eine evakuierbare Arbeitskammer (10) vorge­ sehen ist, innerhalb derer das Substrat (4) während des Kristallisierens angeordnet wird.
14. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß ein in wenigstens zwei senkrecht zueinander stehenden Richtungen (x, y) verfahrbarer Tisch (6) vorgesehen ist, auf dem das Substrat (4) gehaltert ist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Transportsystem (12) vorgesehen ist, um Substrate (4) zwischen einer Schleuse (13) und dem in einer Arbeitskammer (10) angeordneten Tisch (6) zu transportieren.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeich­ net, daß das Vakuumsystem (11) zwischen Schleuse (13) und Arbeitskammer (10) ein Vakuumventil (14) aufweist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich­ net, daß ein Detektor (9) zum Nachweis von Sekun­ därelektronen (8) vorgesehen ist, die bei der Be­ stimmung der Lage des Substrats (4) mittels des Elektronenstrahls (2) von Positioniermarken ausgelöst werden.
18. Vorrichtung nach Anspruch 13 und 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß ein Steuersystem zum Steuern des Transportsystems (12) und des Vakuumsystems (11) beim Ein- und Ausbringen des Substrats (4) in bzw. aus der Arbeitskammer (10) vorgesehen ist.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10014956B4 (de) * 2000-03-25 2004-06-09 Pro-Beam Ag & Co. Kgaa Einrichtung zum Be- und Entladen von Elektronenstrahlanlagen
CN1737592B (zh) * 2004-08-03 2010-08-25 应用材料股份有限公司 用于在平板显示器基板上执行tft元件的电子束测试的方法和装置
WO2021165515A1 (de) * 2020-02-19 2021-08-26 Pro-Beam Gmbh & Co. Kgaa Elektronenstrahlanlage und verfahren zur additiven herstellung eines werkstücks

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3502778A1 (de) * 1984-01-27 1985-08-08 Sony Corp., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung einer grossen einkristall-halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte kristall-halbleiteranordnung
US4915750A (en) * 1988-03-03 1990-04-10 Allegheny Ludlum Corporation Method for providing heat resistant domain refinement of electrical steels to reduce core loss
US5122223A (en) * 1979-05-29 1992-06-16 Massachusetts Institute Of Technology Graphoepitaxy using energy beams
US5346850A (en) * 1992-10-29 1994-09-13 Regents Of The University Of California Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5122223A (en) * 1979-05-29 1992-06-16 Massachusetts Institute Of Technology Graphoepitaxy using energy beams
DE3502778A1 (de) * 1984-01-27 1985-08-08 Sony Corp., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung einer grossen einkristall-halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte kristall-halbleiteranordnung
US4915750A (en) * 1988-03-03 1990-04-10 Allegheny Ludlum Corporation Method for providing heat resistant domain refinement of electrical steels to reduce core loss
US5346850A (en) * 1992-10-29 1994-09-13 Regents Of The University Of California Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Datenbank HCAPLUS auf STN. München: ACS, AN 1984: 77643, benutzt am 31.10.1996 *
Datenbank HCAPLUS auf STN. München: ACS, AN 1991: 419757, benutzt am 31.10.1996 *
Derwent Abstract: Ref. 95-165443/22 zu JP 07-086602 A *
ISHIWARA,Hiroshi,et.al.: Recrystallization of Silicon-on-Insulator Structures by Sinusoidally- Scanned Electron Beams. In: Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 24, No. 2, Feb.1985, S.126-132 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10014956B4 (de) * 2000-03-25 2004-06-09 Pro-Beam Ag & Co. Kgaa Einrichtung zum Be- und Entladen von Elektronenstrahlanlagen
CN1737592B (zh) * 2004-08-03 2010-08-25 应用材料股份有限公司 用于在平板显示器基板上执行tft元件的电子束测试的方法和装置
WO2021165515A1 (de) * 2020-02-19 2021-08-26 Pro-Beam Gmbh & Co. Kgaa Elektronenstrahlanlage und verfahren zur additiven herstellung eines werkstücks

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